JP2003292620A - 光導波路用材料及び光導波路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気特性、耐熱性、及び透明性に優れ、低価
格で、大面積化を実現することができるプラスチック光
導波路用材料を提供する。 【課題手段】 特定構造のポリベンゾオキサゾール前駆
体を閉環した構造を有するポリベンゾオキサゾール樹脂
からなることを特徴とする光通信用のプラスチック光導
波路用材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路材料及び
導波路に関するものである。更に詳しくは、耐熱性、電
気特性、機械特性、物理特性に優れたものであって、レ
ーザー光などを低損失で結合伝送するプラスチック光導
波路を用いたインターコネクション・光通信デバイス等
に好適なプラスチック光導波路材料及びそれを用いた導
波路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光導波路材料としては、ガラス
（石英）やプラスチックなどの材料が検討されている。
そのうち、石英で構成した光導波路は、低損失および高
耐熱性などの利点を有するため、光ファイバーや光イン
ターコネクション・光通信デバイスなどの分野に置いて
数多く検討され実際に利用されている。

【０００３】一方、プラスチックで構成された光導波路
は、石英光導波路よりも作成および大面積化が容易であ
り、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートおよ
び紫外線硬化型樹脂などのポリマーを用いたプラスチッ
ク光導波路が検討されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の石英光導波路では、作製に長い工程を要するた
め、本質的に低価格化は困難である。また、製作プロセ
スに置いて１０００℃前後の高熱処理を要するため、電
気回路基板との融合性が悪いうえ大面積化が困難である
問題があった。

【０００５】また、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネートもしくは紫外線硬化型樹脂で構成したプラス
チック光導波路では、その構成材料の耐熱性は、１００
℃前後であるため使用環境が限定されると共に、実装回
路として組み込むためには数百度のハンダ工程を通過す
ることが必要となり、電気回路基板との融合性が悪くな
るという問題があった。

【０００６】また、プラスチック材料でありながら３０
０℃以上の耐熱性を有するポリイミドをプラスチック光
導波路に用いようとする試みも一部でなされているが、
現状のポリイミドでは、その特異な分子構造のため、構
造に起因する吸収による光損失がはなはだ大きく、光導
波路には適さないという問題があった。また、ポリイミ
ド樹脂において、その構造から結晶性の高い樹脂では、
導波路における膜厚になると、その結晶性の高さから膜
が脆くなる場合や、屈折率が変化することや、複屈折率
を生じるなどの問題がある。

【０００７】そこで、本発明は、電気特性、耐熱性、及
び透明性に優れ、低価格で、大面積化を実現することが
できるプラスチック光導波路用材料を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、特定構造のポ
リベンゾオキサゾール前駆体を閉環した構造を有するポ
リベンゾオキサゾール樹脂からなるプラスチック光導波
路用材料が、耐熱性、透明性に優れ、また、複屈折率が
低減されると同時に、複屈折率から生じる散乱損失を防
ぐことができることを見いだし、更に検討を進めて、本
発明を完成するに至った。

【０００９】即ち、本発明は、 １．一般式（１）で表される化合物又はその誘導体
（Ａ）と、該化合物（Ａ）のアミノ基と反応しうる一般
式（２）で表されるジカルボン酸化合物（Ｂ）と、ｄ価
の有機基を有する化合物（ｄは３以上１０以下）（Ｃ）
とを反応させて合成される含フッ素ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体を閉環させた含フッ素ポリベンゾオキサゾー
ル樹脂からなることを特徴とする光導波路用材料、（こ
こで一般式（１）で表される化合物の誘導体としては前
記化合物のエステル化合物やエーテル化合物などを挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではな
い。）

【化１８】 （但し、式中のＸは４価の有機基を示す。）

【化１９】 （但し、式中のＹは２価の有機基を示す。） ２．化合物（Ａ）が、一般式（１）中のＸとして、一般
式（３）〜（５）で表される基の中から選ばれる４価の
基を有するものである第１項記載の光導波路用材料、

【化２０】

【化２１】

【化２２】 （式（３）〜（５）中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，
Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，Ｒ₁₁及びＲ₁₂は、水素、フ
ッ素またはフッ素を有する１価の有機基を示し、これら
は互いに同じであっても異なっても良く、式（５）中の
Ｚは、単結合、−Ｏ−，−ＳＯ₂−，−Ｓ−，−ＣＯ−
又は式（６）、式（７）、式（８）、式（９）で表され
る２価の有機基を示し、前記２価の有機基は、フッ素を
含んでいても良い。）

【化２３】 （式（６）中、Ｒ₁₃，Ｒ₁₄，Ｒ₁₅，Ｒ₁₆，Ｒ₁₇及びＲ₁₈
は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基を
示し、互いに同じであっても異なっても良く、ｉは１〜
８までの整数、ｊは０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦
８を満たすものとする。）

【化２４】 （式（７）中、Ｒ₁₉，Ｒ₂₀，Ｒ₂₁，Ｒ₂₂，Ｒ₂₃，Ｒ₂₄，
Ｒ₂₅及びＲ₂₆は、水素、フッ素またはフッ素を有する１
価の有機基を示し、互いに同じであっても異なっても良
い。）

【化２５】 （式（８）中、Ｒ₂₇，Ｒ₂₈，Ｒ₂₉，Ｒ₃₀，Ｒ₃₁，Ｒ₃₂，
Ｒ₃₃及びＲ₃₄は、水素、フッ素またはフッ素を有する１
価の有機基を示し、互いに同じであっても異なっても良
い。）

【化２６】 （式（９）中、Ｒ₃₅及びＲ₃₆は、水素、フッ素またはフ
ッ素を有する１価の有機基を示し、互いに同じであって
も異なっても良い。） ３．ジカルボン酸化合物が、一般式（２）中のＹとし
て、一般式（１０）〜（１４）で表される基の中から選
ばれる２価の基を有するものである第１項又は第２項記
載の光導波路用材料、

【化２７】

【化２８】

【化２９】 （式（１０）〜（１２）中、Ｒ₃₇，Ｒ₃₈，Ｒ₃₉，Ｒ₄₀，
Ｒ₄₁，Ｒ₄₂，Ｒ₄₃，Ｒ₄₄，Ｒ₄₅，Ｒ₄₆，Ｒ₄₇，Ｒ₄₈，Ｒ
₄₉，Ｒ₅₀，Ｒ₅₁，Ｒ₅₂，Ｒ₅₃，及びＲ₅₄は、水素、フッ
素またはフッ素を有する１価の有機基を示し、それらは
互いに同じであっても異なっても良く、式（１２）中の
Ｚは、単結合、−Ｏ−，−ＳＯ₂−又は式（１５）、式
（１６）、式（１７）で表される２価の有機基を示し、
前記２価の有機基は、フッ素を含んでいても良い。）

【化３０】 （式（１３）中、Ｒ₅₅，Ｒ₅₆，Ｒ₅₇，Ｒ₅₈，Ｒ₅₉及びＲ
₆₀は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基
を示し、互いに同じであっても異なっても良く、ｉは１
〜８までの整数、ｊは０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ
≦８を満たすものとする。）

【化３１】 （式（１４）中、Ｒ₆₁，Ｒ₆₂，Ｒ₆₃，Ｒ₆₄，Ｒ₆₅，
Ｒ₆₆，Ｒ₆₇，及びＲ₆₈は、水素、フッ素またはフッ素を
有する１価の有機基を示し、互いに同じであっても異な
っても良い。）

【化３２】 （式（１５）中、Ｒ₆₉，Ｒ₇₀，Ｒ₇₁，及びＲ₇₂は、水
素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基を示し、
互いに同じであっても異なっても良い。）

【化３３】 （式（１６）中、Ｒ₇₃，Ｒ₇₄，Ｒ₇₅，Ｒ₇₆，Ｒ₇₇，
Ｒ₇₈，Ｒ₇₉及びＲ₈₀は、水素、フッ素またはフッ素を有
する１価の有機基を示し、互いに同じであっても異なっ
ても良い。）

【化３４】 （式（１７）中、Ｒ₈₁及びＲ₈₂は、水素、フッ素または
フッ素を有する１価の有機基を示し、互いに同じであっ
ても異なっても良い。） ４．ｄ価の有機基を有する化合物（ｄは３以上１０以
下）（Ｃ）が、トリメシン酸、トリメリット酸、１，
３，５−シクロヘキサントリカルボン酸、および５，
５'−ビスイソフタル酸の酸クロリド化合物並びに活性
エステル化合物の中から選ばれる第１項〜第３項のいず
れかに記載の光導波路用材料、 ５．第１項〜第４項のいずれかに記載の光導波路用材料
を用いてコア層及び／又はクラッド層が形成されたこと
を特徴とする光導波路、を提供するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明に用いるポリベンゾオキサ
ゾール前駆体は、一般式（１）で表される化合物（Ａ）
として、ジアミノジヒドロキシ化合物もしくはビスアミ
ノフェノール化合物、またはそれらのエステル化合物や
エーテル化合物などの誘導体と、該化合物（Ａ）のアミ
ノ基と反応しうる一般式（２）で表されるジカルボン酸
化合物（Ｂ）と、ｄ価の有機基を有する化合物とから、
酸クロリド法、活性エステル法またはポリリン酸もしく
はジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存
在下での縮合反応等の方法より得ることができる。中で
も、ｄ価の有機基を有する化合物を反応させることによ
り、枝分かれ構造を有することとなり、これを用いた樹
脂層は樹脂の配向を低減させ、複屈折の低下をもたらす
と同時に低光損失をもたらす。

【００１１】本発明に用いる一般式で表される化合物
（Ａ）において、ジアミノジヒドロキシ化合物として
は、一般式（１）中のＸとして式（３）及び式（４）で
表される２価の基を有する化合物が好適に挙げられ、ビ
スアミノフェノール化合物としては、一般式（１）中の
Ｘとして式（５）で表される２価の基を有する化合物を
好適に挙げられる。本発明に用いる式（３）で表される
２価の基を有するジアミノジヒドロキシ化合物として
は、１，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオ
ロベンゼン、１，４−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシ
ジフルオロベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３−ジヒ
ドロキシジフルオロベンゼン、１，２−ジアミノ−３，
６−ジヒドロキシジフルオロベンゼン、１−トリフルオ
ロメチル−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシベ
ンゼン、１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−
３，６−ジヒドロキシベンゼン、１−トリフルオロメチ
ル−２，４−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシフルオロ
ベンゼン、１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ
−３，６−ジヒドロキシフルオロベンゼン、１，４−ビ
ス（トリフルオロメチル）−２，５−ジアミノ−３，６
−ジヒドロキシベンゼン、１−ペンタフルオロエチル−
２，５−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシベンゼン、１
−パーフルオロシクロヘキシル−２，５−ジアミノ−
３，６−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジアミノ−
４，６−ジエトキシジフルオロベンゼン等を挙げること
ができ、また、これらのエステル化合物やエーテル化合
物などの誘導体を挙げることができるるが、これらに限
定されるものではない。これらのジアミノジヒドロキシ
化合物は単独、または組み合わせて使用することができ
る。

【００１２】本発明に用いる式（４）で表される２価の
基を有するジアミノジヒドロキシ化合物としては、２，
７−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシテトラフルオロナ
フタレン、２，６−ジアミノ−３，７−ジヒドロキシテ
トラフルオロナフタレン、１，６−ジアミノ−２，５−
ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン、３，６−ジア
ミノ−２，５−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレ
ン、２，７−ジアミノ−１，８−ジヒドロキシテトラフ
ルオロナフタレン、１−トリフルオロメチル−３，６−
ジアミノ−２，７−ジヒドロキシナフタレン、１，５−
ビス（トリフルオロメチル）−３，７−ジアミノ−２，
６−ジヒドロキシナフタレン、１−トリフルオロメチル
−３，６−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、１−ペンタフルオロエチル−３，６−ジアミノ−
２，７−ジヒドロキシナフタレンン、１−パーフルオロ
シクロヘキシル−３，６−ジアミノ−２，７−ジヒドロ
キシナフタレン、１，５−ビス（トリフルオロメチル）
−３，７−ジアミノ−２，６−ジヒドロキシジフルオロ
ナフタレン、２，６−ジアミノ−３，７−ジエトキシテ
トラフルオロナフタレン、１，４，５，８−テトラ（ト
リフルオロメチル）−２，７−ジアミノ−３，６−ジヒ
ドロキシナフタレン等を挙げることができ、またこれら
のエステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙げ
ることができるるが、これらに限定されるものではな
い。これらのジアミノジヒドロキシル化合物は単独、ま
たは組み合わせて使用することができる。

【００１３】本発明に用いる式（５）で表される２価の
基を有するビスアミノフェノール化合物としては、４，
４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−
トリフルオロメチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−
３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−ペンタフルオロエ
チルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒ
ドロキシ−６，６’−トリフルオロメチルビフェニル、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−６，
６’−ペンタフルオロエチルビフェニル、３，３’−ジ
アミノ−４，４’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフル
オロメチルビフェニル、３,３’−ジアミノ−４，４’
−ジヒドロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチルビフ
ェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ
−６，６’−トリフルオロメチルビフェニル、３，３’
−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−ペン
タフルオロエチルビフェニル、３，４’−ジアミノ−
４，３’−ジヒドロキシ−５，５’−トリフルオロメチ
ルビフェニル、３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒド
ロキシ−５，５’−ペンタフルオロエチルビフェニル、
３，４’−ジアミノ−４，３’−ジヒドロキシ−６，
６’−トリフルオロメチルビフェニル、３，４’−ジア
ミノ−４，３’−ジヒドロキシ−６，６’−ペンタフル
オロエチルビフェニル等を挙げることができ、またこれ
らのエステル化合物やエーテル化合物などの誘導体を挙
げることができるるが、これらに限定されるものではな
い。

【００１４】本発明に用いる式（５）で表される２価の
基を有するビスアミノフェノール化合物で、Ｚが式
（６）で表される二価の基を有するものとしては、１，
２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）テ
トラフルオロシクロプロパン、１，２−ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェノキシ）テトラフルオロシクロ
プロパン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
フェノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，２−ビ
ス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）ヘキサフ
ルオロシクロブタン、１，３−ビス（４−アミノ−３−
ヒドロキシフェノキシ）ヘキサフルオロシクロブタン、
１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキ
シ）ヘキサフルオロシクロブタン、１，２−ビス（４−
アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロシ
クロヘプタン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェノキシ）オクタフルオロシクロヘプタン、１，
３−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オ
クタフルオロシクロヘプタン、１，３−ビス（３−アミ
ノ−４−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロシクロ
ヘプタン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
フェノキシ）デカフルオロシクロヘキサン、１，２−ビ
ス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）デカフル
オロシクロヘキサン、１，３−ビス（４−アミノ−３−
ヒドロキシフェノキシ）デカフルオロシクロヘキサン、
１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキ
シ）デカフルオロシクロヘキサン、１，４−ビス（４−
アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）デカフルオロシク
ロヘキサン、１，４−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェノキシ）デカフルオロシクロヘキサン等を挙げる
ことができ、またこれらのエステル化合物やエーテル化
合物などの誘導体を挙げることができるるが、これらに
限定されるものではない。これらのビスアミノフェノー
ル化合物は単独、または組み合わせて使用することがで
きる。

【００１５】本発明に用いる式（５）で表される２価の
基を有するビスアミノフェノール化合物で、Ｚが式
（７）で表される２価の基を有するものとしては、２，
６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オ
クタフルオロフルオレン、２，６−ビス（３−アミノ−
４−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロフルオレ
ン、２，７−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノ
キシ）オクタフルオロフルオレン、２，７−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロフ
ルオレン、３，６−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
フェノキシ）オクタフルオロフルオレン、３，６−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）オクタフル
オロフルオレン、４，６−ビス（４−アミノ−３−ヒド
ロキシフェノキシ）オクタフルオロフルオレン等を挙げ
ることができ、またこれらのエステル化合物やエーテル
化合物などの誘導体を挙げることができるるが、これら
に限定されるものではない。これらのビスアミノフェノ
ール化合物は単独、または組み合わせて使用することが
できる。

【００１６】本発明に用いる式（５）で表される２価の
基を有するビスアミノフェノール化合物で、Ｚが式
（８）で表される２価の基を有するものとしては、４，
４’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェノキシ）
オクタフルオロビフェニル、４，４’−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシフェノキシ）オクタフルオロビフェ
ニル、２，２−ビス（３-アミノ-４-ヒドロキシ−５−
ペンタフルオロエチルフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン等を挙げることができ、またこれらのエステル化合物
やエーテル化合物などの誘導体を挙げることができるる
が、これらに限定されるものではない。これらのビスア
ミノフェノール化合物は単独、または組み合わせて使用
することができる。

【００１７】本発明に用いる式（５）で表される２価の
基を有するビスアミノフェノール化合物で、Ｚが式
（９）で表される２価の基を有するものとしては、２,
２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフル
オロメチルフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−ア
ミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニ
ル）プロパン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシ−５−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、
２,２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリ
フルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフ
ェニル）プロパン、２,２−ビス（４−アミノ−３−ヒ
ドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）プロパ
ン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２,２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−
トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチ
ルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン等が挙げられるこ
とができ、またこれらのエステル化合物やエーテル化合
物などの誘導体を挙げることができるるが、これらに限
定されるものではない。これらのビスアミノフェノール
化合物は単独、または組み合わせて使用することができ
る。

【００１８】また、本発明に用いるポリベンゾオキサゾ
ール前駆体において、式（３）及び式（４）で表される
２価の基を有するジアミノジヒドロキシ化合物や式
（５）〜（９）で表される二価の基を有するビスアミノ
フェノール化合物から１種、または２種、あるいは、そ
れぞれ１種以上混合して用いることが出来る。

【００１９】前記ジアミノジヒドロキシ化合物以外に
も、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフ
ェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ
ビフェニル、４,４'−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシ
ビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルフィド、ビス（３−アミノー４ーヒドロキシ
フェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホン、２,２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−ア
ミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン等の芳香族ジ
アミノジヒドロキシ化合物、またこれらのエステル化合
物やエーテル化合物などの誘導体を、一般式（１）で表
される化合物として用いることができるがるが、これら
に限られるものではない。

【００２０】本発明では、フッ素を含まない前記化合物
は、フッ素を含む前記化合物と併用するか、フッ素含有
ジカルボン酸と組み合わせて用いられる。また２種類以
上の芳香族ジアミノジヒドロキシ化合物を組み合わせて
使用することも可能である。また、これらは、式（３）
〜（５）で表される２価の基を有する前記ビスアミノフ
ェノール化合物やジアミノジヒドロキシ化合物と、得ら
れる樹脂の性能を損なわない範囲で併用することも可能
である。

【００２１】（ここでも一般式で表すならば） 本発明
に用いる一般式（１０）で表されるジカルボン酸化合物
としては、イソフタル酸、テレフタル酸、２−フルオロ
イソフタル酸、３−フルオロフタル酸、２−フルオロテ
レフタル酸、２，４，５，６−テトラフルオロイソフタ
ル酸、３，４，５，６−テトラフルオロフタル酸、等を
挙げることができるが、これらに限定されるものではな
い。これらのジカルボン酸は単独、または組み合わせて
使用することができる。

【００２２】本発明に用いる一般式（１１）で表される
ジカルボン酸化合物としては、２，３，４，６，７，８
−ヘキサフルオロナフタレン−１，５−ジカルボン酸、
２，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロナフタレン−
１，６−ジカルボン酸、１，３，４，５，７，８−ヘキ
サフルオロナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１−ト
リフルオロメチルナフタレン−２，６−ジカルボン酸、
１，５−ビス（トリフルオロメチル）ナフタレン−２，
６−ジカルボン酸、１−ペンタフルオロエチルナフタレ
ン−２，６−ジカルボン酸、１−トリフルオロメチルナ
フタレン−３，７−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ナフタレン−３，７−ジカルボン酸、
１−ペンタフルオロエチルナフタレン−３，７−ジカル
ボン酸、１−ウンデカフルオロシクロヘキシルナフタレ
ン−３，７−ジカルボン酸、１−トリフルオロメチル−
２，４，５，６，８−ペンタフルオロナフタレン−３，
７−ジカルボン酸、１−ビス（トリフルオロメチル）メ
トキシ−２，４，５，６，８−ペンタフルオロナフタレ
ン−３，７−ジカルボン酸、１，５−ビス（トリフルオ
ロメチル）−２，４，６，８−テトラフルオロナフタレ
ン−３，７−ジカルボン酸、１，５−ビス［ビス（トリ
フルオロメチル）メトキシ］−２，４，６，８−テトラ
フルオロナフタレン−３，７−ジカルボン酸等を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。こ
れらのジカルボン酸は単独、または組み合わせて使用す
ることができる。

【００２３】本発明に用いる一般式（１３）で表される
ジカルボン酸化合物としては、テトラフルオロシクロプ
ロパン−１，２−ジカルボン酸、ヘキサフルオロシクロ
ブタン−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘ
キサン−１，２−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘ
キサン−１，３−ジカルボン酸、デカフルオロシクロヘ
キサン−１，４−ジカルボン酸、オクタフルオロシクロ
ペンタン−１，３−ジカルボン酸、オクタフルオロシク
ロペンタン−１，２−ジカルボン酸等を挙げることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これらのジ
カルボン酸は単独、または組み合わせて使用することが
できる。

【００２４】本発明に用いる一般式（１４）で表される
ジカルボン酸化合物としては、オクタフルオロフルオレ
ン−３，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレン
−３，５−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレン−
４，５−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレン−
４，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレン−
２，６−ジカルボン酸、オクタフルオロフルオレン−
２，７−ジカルボン酸等を挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。これらのジカルボン酸は
単独、または組み合わせて使用することができる。

【００２５】本発明に用いる式（１２）で表される２価
の基を有するジカルボン酸化合物で、Ｚが式（１５）で
表される２価の基を有するものとしては、１，４−ビス
（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−カルボキシフェノキシ）テトラフルオロベンゼ
ン、１，４−ビス（３−カルボキシフェノキシ）テトラ
フルオロベンゼン、１，３−ビス（４−カルボキシフェ
ノキシ）テトラフルオロベンゼン、１，３−ビス（３−
カルボキシフェノキシ）テトラフルオロベンゼン等を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。これらのジカルボン酸は単独、または組み合わせて
使用することができる。

【００２６】本発明に用いる式（１２）で表される２価
の基を有するジカルボン酸化合物で、Ｚが式（１６）で
表される２価の基を有するものとしては、４，４’−ビ
ス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、４，４’
−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，
４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、
３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニ
ル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフ
ェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）
ビフェニル、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル、４，４’−ビス（３−
カルボキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニル、
３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）オクタフ
ルオロビフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフ
ェノキシ）オクタフルオロビフェニル、３，３’−ビス
（４−カルボキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニ
ル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）オク
タフルオロビフェニル等を挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。これらのジカルボン酸は
単独、または組み合わせて使用することができる。

【００２７】本発明に用いる一般式（１２）で表される
ジカルボン酸化合物で、Ｚが式（１７）で表されるもの
としては、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、を挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。これらのジカル
ボン酸は単独、または組み合わせて使用することができ
る。

【００２８】前記ジカルボン酸以外に一般式（１２）で
表されるものには、４，４’−オキシビス安息香酸、
３，４’−オキシビス安息香酸、３，３’−オキシビス
安息香酸、４，４’−スルホニルビス安息香酸、３，
４’−スルホニルビス安息香酸、３，３’−スルホニル
ビス安息香酸を挙げることができるが、これらに限定さ
れるものではない。これらのジカルボン酸は単独、また
は組み合わせて使用することができる。但し、本発明で
は、フッ素を含まないジカルボン酸は、少なくとも１種
のフッ素含有ビスアミノフェノール化合物やフッ素含有
ジアミノジヒドロキシ化合物と併用しなければならな
い。また、前記ジカルボン酸の内、代表的には一般式
（２）中のＹとして式（１０）〜（１４）で表される２
価の基を有するジカルボン酸化合物が好適に用いられ
る。

【００２９】本発明で用いる一般式（１）で表される化
合物（Ａ）のアミノ基と反応しうるｄ価の有機基を有す
る化合物（ｄは３以上１０以下）（Ｃ）としては、一般
的な方法でクロリド化した化合物または活性エステル化
した化合物を用いるのが好ましいが、一般式（１）で表
される化合物（Ａ）のアミノ基と反応するものであれば
良い。例えば、該化合物（Ｃ）が、トリメシン酸、トリ
メリット酸、１，３，５−シクロヘキサントリカルボン
酸、５，５−ビスイソフタル酸、３，３’−４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸無水物、３，３’−４，
４’−（１，１’−ヘキサフルオルオロイソプロピリデ
ンビフェニル）テトラカルボン酸無水物、１，２，３，
４，５，６−ベンゼンヘキサカルボン酸などの酸クロリ
ド化合物や活性エステル化合物等が挙げられる。中で
も、トリメシン酸、トリメリット酸、１，３，５−シク
ロヘキサントリカルボン酸、５，５−ビステレフタル酸
が好ましい。これらは単独で用いてもよく、また２種類
以上組み合わせて使用してもよい。

【００３０】本発明において、一般式（１）で表される
化合物（Ａ）のアミノ基と反応しうるｄ価の有機基を有
する化合物（ｄは３以上１０以下）（Ｃ）の配合割合
は、一般式（１）で表される化合物（Ａ）に対して２／
ｄ〜１００／ｄモル％であることが好ましい。前記ｄ価
以上の有機基を有する化合物の割合（Ｃ）が、２／ｄモ
ル％よりも少ないと、アミノ基と反応するｄ価の有機基
を有する化合物の導入量が少なくなり、枝分かれ構造は
少なくなり、樹脂層全体の光損失を低減させる効果が小
さい場合がある。また１００／ｄモル％よりも多いと、
ポリアミドの一部で架橋反応が進行することがあり、そ
の際、溶剤不溶となり、均一なワニスが得られず光導波
路形成において、悪影響を及ぼす場合がある。また、本
発明に用いるポリベンゾオキサゾール前駆体の重量平均
分子量は１００００以上のものが好ましい。分子量が１
００００未満であると樹脂層の形成が難しくなり、樹脂
としての機械特性が極端に低下し、実用に供すことがで
きなくなるといった問題が発生する恐れがある。

【００３１】本発明に用いるポリベンゾオキサゾール前
駆体の製造は、ビスアミノフェノール化合物もしくはジ
アミノジヒドロキシベンゼン化合物、またはそれらのエ
ステル化物やエーテル化物などの誘導体とジカルボン
酸、ｄ価の有機基を有する化合物（ｄは３以上１０以
下）を反応させれば良く、その方法は問わないが、従来
の酸クロリド法、活性化エステル法またはポリリン酸も
しくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤
の存在下での縮合反応等の方法により得ることができ
る。ジカルボン酸化合物を酸クロリドとして反応させる
場合には、ｄ価の有機基を有する化合物（ｄは３以上１
０以下）も酸クロリドで、また、ジカルボン酸化合物を
活性エステル化合物として反応させる場合には、ｄ価の
有機基を有する化合物（ｄは３以上１０以下）も活性エ
ステル化合物であることが好ましい。

【００３２】本発明に用いるポリベンゾオキサゾール前
駆体製造方法の中で、酸クロリド法による合成の例を挙
げると、まず使用する酸クロリドは、ジカルボン酸を
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下、過剰量
の塩化チオニルと、室温から７５℃で反応させ、過剰の
塩化チオニルを加熱及び減圧により留去した後、その残
査をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより得ること
ができる。次いで前記ビスアミノフェノール化合物また
はジアミノジヒドロキシ化合物を、通常Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の極性
溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、ジカル
ボン酸クロリド及びｄ価の有機基を有する化合物（ｄは
３以上１０以下）の酸クロリドと−３０℃から室温で反
応することによりポリベンゾオキサゾール前駆体を得る
ことができる。

【００３３】本発明の光導波路用材料は、ポリベンゾオ
キサゾール前駆体を閉環しポリベンゾキサゾール樹脂と
して得ることができる。本発明の光導波路用材料には、
必要により、各種添加剤として、界面活性剤やカップリ
ング剤等を添加して用いることができる。

【００３４】また、本発明におけるポリベンゾオキサゾ
ール樹脂の前駆体は、感光剤としてのナフトキノンジア
ジド化合物と一緒に用いることで、ポジ型の感光性樹脂
組成物として用いることが可能である。

【００３５】本発明の光導波路用材料は、一般に製造さ
れている基板上のシングルモード光導波路と同様の構造
に適用できる。例えば、スラブ型、リッジ型、埋め込み
型等がある。具体的には、これら導波路の少なくともコ
ア層に適用される。更にクラッド層にも適用できるが、
クラッド層はこの材料に制限されない。また、コア層中
を光が伝搬するためには、コア層を形成する光導波路用
材料の屈折率が、クラッド層を形成する材料の屈折率よ
りもわずかに大きいことが必要で、この条件を満たす材
料の選択をしなければならない。特にシングルモード光
導波路を形成する際には、コア層とクラッド層を形成す
る材料の屈折率差Δは０．３〜０．４％が好ましい。

【００３６】前記光導波路構造の内、埋め込み型シング
ルモード光導波路の製造方法について、図１を参照しつ
つ説明する。まず、シリコン等の基板１の上に下部クラ
ッド用として、本発明の光導波路用材料のポリベンゾオ
キサゾール前駆体溶液を、スピンコート等の方法により
塗布し、これを加熱等により硬化して閉環し樹脂とした
下部クラッド層２を得る。次に、この上に下部クラッド
層として用いた前記ポリベンゾオキサゾールより屈折率
が高い本発明の光導波路用材料のポリベンゾオキサゾー
ル前駆体溶液を用いて、前記下部クラッド層２を形成し
たときと同様の方法により、コア層３を形成する。次
に、この上にコアパターンを形成するためのマスク層４
を形成する（図１（ａ））。マスク層用材料としては、
Ａｌ、Ｔｉ等の金属、ＳｉＯ₂、スピオングラス（ＳＯ
Ｇ）、Ｓｉ含有レジスト、感光性ポリベンゾオキサゾー
ル等を用いることができる。

【００３７】次いで、マスク層４の上に、レジストを塗
布して、プリベーク、露光、現像、アフターベークを行
い、パターニングされたレジスト層５を得る（図１
（ｂ））。次に、レジスト層５で保護されていないマス
ク層４をエッチングで除去（図１（ｃ））した後、レジ
スト層５をエッチング液で除去し、マスク層４で保護さ
れていないコア層３のポリベンゾオキサゾールをドライ
エッチングにより除去する（図１（ｄ））。マスク層４
にＳｉ含有レジストや感光性ポリベンゾオキサゾールを
用いた場合には、フォトレジストを使用する必要はな
い。

【００３８】次に、残ったマスク層４を、ドライエッチ
ングやはく離液を用いることにより除去する。（図１
（ｅ））。更に、この上に、前記下部クラッド材に用い
たものと同じ本発明の光導波路用材料であるポリベンゾ
オキサゾール前駆体を、スピンコート等で塗布して、上
部クラッド層６を形成し、これを加熱など硬化して閉環
し樹脂とした上部クラッド層６を得る（図１（ｆ））。
このようにして、光損失等の光導波路特性の良好なポリ
ベンゾオキサゾール樹脂からなるシングルモード光導波
路を作製できる。

【００３９】本発明の光導波路用材料である含フッ素ポ
リベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール共重合
体又は混合物の前駆体溶液を閉環させた含フッ素ポリベ
ンゾオキサゾール樹脂からなるシングルモード光導波路
を作製することにより、その光導波路における光損失等
の光導波特性の偏光波に対する相違を低減できる。

【００４０】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されない。

【００４１】合成例１ １，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を乾燥したジメチル
アセトアミド２００部に溶解し、ピリジン３９．６部
（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃でγ
−ブチロラクトン８５部にイソフタル酸クロリド３４．
５部（０．１７ｍｏｌ）を溶解したものを３０分掛けて
滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で２時間か
く拌した。その後、反応溶液を冷却し、γ−ブチロラク
トンにトリメシン酸トリクロリド１．３部（０．００５
ｍｏｌ）を溶解した溶液を、乾燥窒素下、−１５℃で、
３０分かけて滴下した。滴下終了後、５時間攪拌した。
その後、反応液を蒸留水７Ｌに滴下し、沈殿物を集め、
乾燥することによりポリベンゾオキサゾール前駆体
（Ａ）５５．１部を得た。前駆体の分子量をゲル・パー
ミエイション・クロマトグラフィ（以下ＧＰＣと略記）
を用いて測定した所、２４,０００であった。屈折率は
１．５４４であった。

【００４２】合成例２ 合成例１において１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロ
キシジフルオロベンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を
１，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシジフルオロベ
ンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）に、トリメシン酸ク
ロリド１．３部（０．００５ｍｏｌ）を1，３，５−シ
クロヘキサントリカルボン酸クロリド１．１部（０．０
０５ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にし
て、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｂ）５１．０部を
得た。前駆体（Ｂ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した
所、２７，０００であった。屈折率は１．５４２であっ
た。

【００４３】合成例３ 合成例１においてトリメシン酸クロリド１．３部（０．
００５ｍｏｌ）を５，５’−ビスイソフタル酸クロリド
１．７部(０．００５ｍｏｌ)に置き換えた以外は、合成
例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体
（Ｃ）５２．０部を得た。前駆体（Ｃ）の分子量をＧＰ
Ｃを用いて測定した所、２４，０００であった。屈折率
は１．５５３であった。

【００４４】合成例４ 合成例１において１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロ
キシジフルオロベンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を
１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシフルオロベンゼン４１．６部（０．２ｍｏ
ｌ）に、イソフタル酸クロリド３４．５部（０．１７ｍ
ｏｌ）を２，４，５，６−テトラフルオロイソフタル酸
クロリド部４６．８部（０．１７ｍｏｌ）に置き換えた
以外は、合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾー
ル前駆体（Ｄ）７１．７部を得た。前駆体（Ｄ）の分子
量をＧＰＣを用いて測定した所、２８，０００であっ
た。屈折率は１．５４０であった。

【００４５】合成例５ 合成例１において１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロ
キシジフルオロベンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を
２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−ト
リフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン１
００．５部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例
１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｅ）
８０．３部を得た。前駆体（Ｅ）の分子量をＧＰＣを用
いて測定した所、２４，０００であった。屈折率は１．
５４９であった。

【００４６】合成例６ 合成例１において１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロ
キシジフルオロベンゼン３４．８部（０．２ｍｏｌ）を
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル８．６５部（０．０４ｍｏｌ）と２，７−ジアミノ−
３，６−ジヒドロキシテトラフルオロナフタレン３６．
２部（０．１６ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と
同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｆ）６
８．０部を得た。前駆体（Ｆ）の分子量をＧＰＣを用い
て測定した所、１３，０００であった。屈折率は１．５
５０であった。

【００４７】合成例７ 合成例１においてイソフタル酸クロリド３４．５部
（０．１７ｍｏｌ）を２，３，４，６，７，８−ヘキサ
フルオロナフタレン−１，５−ジカルボン酸クロリド５
５．１部（０．１７ｍｏｌ）に、トリメシン酸トリクロ
リド１．３部（０．００５ｍｏｌ）をトリメリット酸ク
ロリド１．３部（０．００５ｍｏｌ）に置き換えた以外
は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆
体（Ｇ）７５．８部を得た。前駆体（Ｇ）の分子量をＧ
ＰＣを用いて測定した所、２１，０００であった。屈折
率は１．５３０であった。

【００４８】合成例８ 合成例１においてイソフタル酸クロリド３４．５部
（０．１７ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド１７．３部
（０．０８５ｍｏｌ）と２，３，４，６，７，８−ヘキ
サフルオロナフタレン−１，５−ジカルボン酸クロリド
２７．６部（０．０８５ｍｏｌ）に、トリメシン酸トリ
クロリド１．３部（０．００５ｍｏｌ）をトリメリット
酸クロリド１．３部（０．００５ｍｏｌ）に置き換えた
以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール
前駆体（Ｈ）５６．８部を得た。前駆体（Ｈ）の分子量
をＧＰＣを用いて測定した所、２５，０００であった。
屈折率は１．５４８であった。

【００４９】合成例９ 合成例１においてイソフタル酸クロリド３４．５部
（０．１７ｍｏｌ）を１，４−ビス（４−カルボキシフ
ェノキシ）ベンゼン６２．８部（０．１７ｍｏｌ）に置
き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキ
サゾール前駆体（Ｉ）１０２．４部を得た。前駆体
（Ｉ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、１８，０
００であった。屈折率は１．５４８であった。

【００５０】合成例１０ 合成例１において１，２−ジアミノ−３，６−ジヒドロ
キシジフルオロベンゼン３４．８部（０．２ｍoｌ）を
１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキ
シ）テトラフルオロシクロプロパンに、イソフタル酸ク
ロリド３４．５部（０．１７ｍｏｌ）を２，４，５，６
−テトラフルオロイソフタル酸クロリド部４６．８部
（０．１７ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様
にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｊ）７２．４
部を得た。前駆体（Ｊ）の分子量をＧＰＣを用いて測定
した所、１９，０００であった。屈折率は１．５４７で
あった。

【００５１】合成例１１ 合成例１においてイソフタル酸クロリド３４．５部
（０．１７ｍｏｌ）をデカフルオロシクロヘキサン−
１，４−ジカルボン酸クロリド５３．７部（０．１７ｍ
ｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリ
ベンゾオキサゾール前駆体（Ｋ）８５．０部を得た。前
駆体（Ｋ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した所、２
２，０００であった。屈折率は１．５５８であった。

【００５２】合成例１２ 合成例１において１,２−ジアミノ−３，６−ジヒドロ
キシジフルオロベンゼン３４．８部（０．２ｍoｌ）を
１−トリフルオロメチル−２，５−ジアミノ−３，６−
ジヒドロキシジフルオロベンゼン４１．６部（０．２ｍ
ｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３４．５部（０．１７
ｍｏｌ）を４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキ
シ）ビフェニル７８．８部（０．１７ｍｏｌ）に、トリ
メシン酸クロリド１．３部（０．００５ｍｏｌ）を1，
３，５−シクロヘキサントリカルボン酸クロリド１．１
部（０．００５ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と
同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｌ）８
５．０部を得た。前駆体（Ｌ）の分子量をＧＰＣを用い
て測定した所、２２，０００であった。屈折率は１．５
６２であった

【００５３】実施例１ 光導波路の製造；合成例１で合成したポリベンゾオキサ
ゾールの前駆体（Ａ）をスピンコート法により、シリコ
ン基板上に塗布して成膜した。形成した薄膜は、３２０
℃で１時間加熱することにより硬化し、下部クラッド層
とした。次いで、この上に合成例４で合成したポリベン
ゾオキサゾールの前駆体（Ｃ）を用いて、コア層をスピ
ンコート法により形成した。下部クラッド膜とコア膜の
間でインターミキシングは、まったく認められなかっ
た。形成したコア層は３２０℃で１時間加熱することに
より硬化した。

【００５４】次に、このコア層上に膜厚０．３μｍのア
ルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。次にこの
アルミニウム層上にポジ型フォトレジスト(ジアゾナフ
トキノン−ノボラック樹脂系、東京応化製、商品名ＯＦ
ＰＲ−８００)をスピンコート法により塗布した後約９
５℃でプリベークを行った。次にパターン形成用のフォ
トマスク(Ｔｉ)を超高圧水銀ランプを用いて紫外線を照
射した後ポジ型レジスト用現像液(ＴＭＡＨ：テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化製、商
品名ＮＭＤ−３)を用いて現像した。その後、１３５℃
でポストベークを行った。これにより線幅８μｍを有す
る直線状のレジストパターンが得られた。次にアルミニ
ウムのウエットエッチングを行い、レジストパターンを
アルミニウム層に転写した。更にパターニングされたア
ルミニウムをマスクとしてコア層のポリベンゾオキサゾ
ールをドライエッチングにより加工した。次にポリベン
ゾオキサゾールの上層にあるアルミニウムをエッチング
液で除去した。更にこの上に下部クラッド層と同じポリ
ベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ）をスピンコートによ
り塗布した。この塗膜を３２０℃で１時間熱処理して上
部クラッドを形成した。最後に光導波路の両端をダイシ
ングソーで切り落として光の入出射端面を形成した。こ
のようにしてシリコン基板上に埋め込み型シングルモー
ド光導波路が得られた。

【００５５】上記で得られた埋め込み型シングルモード
光導波路の挿入損失を測定したところ、波長１．３μm
で０．５ｄＢ／ｃｍ以下、１．５５μmで０．４ｄＢ／
ｃｍ以下であった。また、挿入損失の偏波依存性は波長
１．３μmでも波長１．５５μmでも０．５ｄＢ／ｃｍ以
下であった。さらに、この光導波路の損失は７５℃／９
０％ＲＨの条件以下においても１ヶ月以上変動しなかっ
た。

【００５６】実施例２〜１４は表−１の組み合わせで実
施例１と同様にして行った。また、評価結果を表−１に
示す。

【００５７】比較例１ 合成例１においてイソフタル酸クロリドの量を５３．１
部（０．２ｍｏｌ）に変更し、トリメシン酸クロリドの
量を無しにした以外は、すべて合成例1と同じにして、
ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｍ）７１．４部を得
た。前駆体（Ｍ）の分子量をＧＰＣを用いて測定した
所、２１，０００であった。屈折率は１．５５５であっ
た。

【００５８】比較例２ 合成例１においてイソフタル酸クロリドをイソフタル酸
クロリド２６．５部（０．１ｍｏｌ）と１，５−ビス
（トリフルオロメチル）ナフタレン−３，７−ジカルボ
ン酸クロリド３５．２部（０．１ｍｏｌ）に変更し、ト
リメシン酸クロリドの量を無しにした以外は、すべて合
成例1と同じにして、ポリベンゾオキサゾール前駆体
（Ｎ）７５．２部を得た。前駆体（Ｎ）の分子量をＧＰ
Ｃを用いて測定した所、２３，０００であった。屈折率
は１．５４８であった。

【００５９】比較例３ 合成例４において２，４，５，６−テトラフルオロイソ
フタル酸クロリド４６．８部（０．１７ｍｏｌ）の量を
５５．１部（０．２ｍｏｌ）に変更し、トリメシン酸ク
ロリドの量を無しにした以外は、すべて合成例４と同じ
にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｏ）７５．２
部を得た。前駆体（Ｏ）の分子量をＧＰＣを用いて測定
した所、２５，０００であった。屈折率は１．５４７で
あった。

【００６０】上記で得られたポリベンゾオキサゾールの
前駆体（Ｍ）をコア層に、合成例４で得られたポリベン
ゾオキサゾールの前駆体（Ｄ）を上部及び下部クラッド
層に用いて、これら以外は、実施例１と同様にして、埋
め込み型シングルモード光導波路を作製し、評価した。
結果を表−１に示す。

【００６１】

【表１】

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、電気特性、耐熱性、及
び透明性に優れ、低価格で、大面積化を実現することが
でき、特に、光通信に利用される近赤外波長領域で透明
度が高い光導波路用材料が得られ、光損失の小さい光導
波路に有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による埋め込み型光導波路の作成方法の
一例を示す工程図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下部クラッド層 ３ コア層 ４ コアパターンを形成するためのマスク層 ５ レジスト層 ６ 上部クラッド層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 KA04 PA02 PA15 PA24 PA28 QA05 TA11 TA41 4J043 PA02 QB15 QB33 QB34 RA52 SA06 SA46 SA47 SA54 SA55 SA56 SA71 SA73 TA06 TA12 TA13 TA14 TA25 TA26 TA31 TA32 TA33 TA47 TA48 TA49 TA71 TB01 UA011 UA021 UA031 UA041 UA121 UA131 UA231 UA261 UA262 UB021 UB022 UB061 UB062 UB131 UB132 UB301 UB302 VA021 VA022 VA061 VA062 YA06 ZA52 ZA56 ZB21

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）で表される化合物又はその
   誘導体（Ａ）と、該化合物（Ａ）のアミノ基と反応しう
   る一般式（２）で表されるジカルボン酸化合物（Ｂ）
   と、ｄ価の有機基を有する化合物（ｄは３以上１０以
   下）（Ｃ）とを反応させて合成される含フッ素ポリベン
   ゾオキサゾール前駆体を閉環させた含フッ素ポリベンゾ
   オキサゾール樹脂からなることを特徴とする光導波路用
   材料。 【化１】 （但し、式中のＸは４価の有機基を示す。） 【化２】 （但し、式中のＹは２価の有機基を示す。）
2. 【請求項２】 化合物（Ａ）が、一般式（１）中のＸと
   して、一般式（３）〜（５）で表される基の中から選ば
   れる４価の基を有するものである請求項１記載の光導波
   路用材料。 【化３】 【化４】 【化５】 （式（３）〜（５）中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，
   Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，Ｒ₁₁及びＲ₁₂は、水素、フ
   ッ素またはフッ素を有する１価の有機基を示し、これら
   は互いに同じであっても異なっても良く、式（５）中の
   Ｚは、単結合、−Ｏ−，−ＳＯ₂−，−Ｓ−，−ＣＯ−
   又は式（６）、式（７）、式（８）、式（９）で表され
   る２価の有機基を示し、前記２価の有機基は、フッ素を
   含んでいても良い。） 【化６】 （式（６）中、Ｒ₁₃，Ｒ₁₄，Ｒ₁₅，Ｒ₁₆，Ｒ₁₇及びＲ₁₈
   は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基を
   示し、互いに同じであっても異なっても良く、ｉは１〜
   ８までの整数、ｊは０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ≦
   ８を満たすものとする。） 【化７】 （式（７）中、Ｒ₁₉，Ｒ₂₀，Ｒ₂₁，Ｒ₂₂，Ｒ₂₃，Ｒ₂₄，
   Ｒ₂₅及びＲ₂₆は、水素、フッ素またはフッ素を有する１
   価の有機基を示し、互いに同じであっても異なっても良
   い。） 【化８】 （式（８）中、Ｒ₂₇，Ｒ₂₈，Ｒ₂₉，Ｒ₃₀，Ｒ₃₁，Ｒ₃₂，
   Ｒ₃₃及びＲ₃₄は、水素、フッ素またはフッ素を有する１
   価の有機基を示し、互いに同じであっても異なっても良
   い。） 【化９】 （式（９）中、Ｒ₃₅及びＲ₃₆は、水素、フッ素またはフ
   ッ素を有する１価の有機基を示し、互いに同じであって
   も異なっても良い。）
3. 【請求項３】 ジカルボン酸化合物が、一般式（２）中
   のＹとして、一般式（１０）〜（１４）で表される基の
   中から選ばれる２価の基を有するものである請求項１又
   は２記載の光導波路用材料。 【化１０】 【化１１】 【化１２】 （式（１０）〜（１２）中、Ｒ₃₇，Ｒ₃₈，Ｒ₃₉，Ｒ₄₀，
   Ｒ₄₁，Ｒ₄₂，Ｒ₄₃，Ｒ₄₄，Ｒ₄₅，Ｒ₄₆，Ｒ₄₇，Ｒ₄₈，Ｒ
   ₄₉，Ｒ₅₀，Ｒ₅₁，Ｒ₅₂，Ｒ₅₃，及びＲ₅₄は、水素、フッ
   素またはフッ素を有する１価の有機基を示し、それらは
   互いに同じであっても異なっても良く、式（１２）中の
   Ｚは、単結合、−Ｏ−，−ＳＯ₂−又は式（１５）、式
   （１６）、式（１７）で表される２価の有機基を示し、
   前記２価の有機基は、フッ素を含んでいても良い。） 【化１３】 （式（１３）中、Ｒ₅₅，Ｒ₅₆，Ｒ₅₇，Ｒ₅₈，Ｒ₅₉及びＲ
   ₆₀は、水素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基
   を示し、互いに同じであっても異なっても良く、ｉは１
   〜８までの整数、ｊは０〜７までの整数で、かつｉ＋ｊ
   ≦８を満たすものとする。） 【化１４】 （式（１４）中、Ｒ₆₁，Ｒ₆₂，Ｒ₆₃，Ｒ₆₄，Ｒ₆₅，
   Ｒ₆₆，Ｒ₆₇，及びＲ₆₈は、水素、フッ素またはフッ素を
   有する１価の有機基を示し、互いに同じであっても異な
   っても良い。） 【化１５】 （式（１５）中、Ｒ₆₉，Ｒ₇₀，Ｒ₇₁，及びＲ₇₂は、水
   素、フッ素またはフッ素を有する１価の有機基を示し、
   互いに同じであっても異なっても良い。） 【化１６】 （式（１６）中、Ｒ₇₃，Ｒ₇₄，Ｒ₇₅，Ｒ₇₆，Ｒ₇₇，
   Ｒ₇₈，Ｒ₇₉及びＲ₈₀は、水素、フッ素またはフッ素を有
   する１価の有機基を示し、互いに同じであっても異なっ
   ても良い。） 【化１７】 （式（１７）中、Ｒ₈₁及びＲ₈₂は、水素、フッ素または
   フッ素を有する１価の有機基を示し、互いに同じであっ
   ても異なっても良い。）
4. 【請求項４】 ｄ価の有機基を有する化合物（ｄは３以
   上１０以下）（Ｃ）が、トリメシン酸、トリメリット
   酸、１，３，５−シクロヘキサントリカルボン酸、およ
   び５，５'−ビスイソフタル酸の酸クロリド化合物並び
   に活性エステル化合物の中から選ばれる請求項１〜３の
   いずれかに記載の光導波路用材料。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の光導波
   路用材料を用いてコア層及び／又はクラッド層が形成さ
   れたことを特徴とする光導波路。