JP2003287871A - マスクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法 - Google Patents
マスクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造におけるマスクデータの作成におい
て、同一領域について複数回重複してシミュレーション
を行うことを防ぎ、シミュレーション時間を短縮し、デ
ータ処理時間を短縮することができるマスクデータ作成
装置及びマスクデータ作成方法を提供する。提供する。 【解決手段】マスクデータ作成装置１００は、入力装置
１、出力装置２、通信制御装置３、主記憶装置４、設計
パターン記憶装置５及びＣＰＵ１０を備えており、ＣＰ
Ｕ１０が、分割手段１１、補正値算出手段１２、補正図
形作成手段１３、第１計算中心点算出手段１４、第１矩
形領域作成手段１５、第２シミュレーション領域作成手
段１６として光近接効果範囲決定手段１６ａ、第２領域
半径決定手段１６ｂ及び第１領域半径決定手段１６ｃ、
第２計算中心点算出手段１７及びプロセスシミュレーシ
ョン実行手段１８を、適宜ＲＯＭより取り出して実行す
ることにより実現する。
て、同一領域について複数回重複してシミュレーション
を行うことを防ぎ、シミュレーション時間を短縮し、デ
ータ処理時間を短縮することができるマスクデータ作成
装置及びマスクデータ作成方法を提供する。提供する。 【解決手段】マスクデータ作成装置１００は、入力装置
１、出力装置２、通信制御装置３、主記憶装置４、設計
パターン記憶装置５及びＣＰＵ１０を備えており、ＣＰ
Ｕ１０が、分割手段１１、補正値算出手段１２、補正図
形作成手段１３、第１計算中心点算出手段１４、第１矩
形領域作成手段１５、第２シミュレーション領域作成手
段１６として光近接効果範囲決定手段１６ａ、第２領域
半径決定手段１６ｂ及び第１領域半径決定手段１６ｃ、
第２計算中心点算出手段１７及びプロセスシミュレーシ
ョン実行手段１８を、適宜ＲＯＭより取り出して実行す
ることにより実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造や液晶パネル製造などに適用される光およびＸ線リ
ソグラフィ技術に関し、特にマスクデータの補正処理を
行う為のマスクデータ作成方法及びマスクデータ作成装
置に関する。
製造や液晶パネル製造などに適用される光およびＸ線リ
ソグラフィ技術に関し、特にマスクデータの補正処理を
行う為のマスクデータ作成方法及びマスクデータ作成装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路製造におけるリソグラフ
ィ技術においては、年々ウエハ上に作り込むデバイスの
集積度が上がり、デザインルールが小さくなってきた。
これに伴い、光近接効果が大きな問題となっている。光
近接効果とは、設計パターンの微細化が進み、光の波長
程度に互いにパターンが近接した場合、ウエハ上におい
てそのパターンが設計した形状、寸法通りに転写されな
い現象である。光近接効果は、本来は転写時の光による
効果を対象として用いられていた用語であったが、現在
では、一般的にウェハプロセス全体を通して生ずる効果
を指す。
ィ技術においては、年々ウエハ上に作り込むデバイスの
集積度が上がり、デザインルールが小さくなってきた。
これに伴い、光近接効果が大きな問題となっている。光
近接効果とは、設計パターンの微細化が進み、光の波長
程度に互いにパターンが近接した場合、ウエハ上におい
てそのパターンが設計した形状、寸法通りに転写されな
い現象である。光近接効果は、本来は転写時の光による
効果を対象として用いられていた用語であったが、現在
では、一般的にウェハプロセス全体を通して生ずる効果
を指す。
【０００３】所望のデバイス性能を達成するためには、
ウエハ上で設計パターンの所望の寸法及び形状を所定の
精度で実現する必要がある。このため、プロセス変換差
分を予めマスク上で補正する、光近接効果補正（Optica
l Proximity effect Correction； ＯＰＣ）が近年盛ん
に検討されてきた。ＯＰＣは超解像技術（ResolutionEn
hancement Technology； ＲＥＴ）の一つとして盛んに
検討され、現在では種々の手法が提案および実施されて
いる。
ウエハ上で設計パターンの所望の寸法及び形状を所定の
精度で実現する必要がある。このため、プロセス変換差
分を予めマスク上で補正する、光近接効果補正（Optica
l Proximity effect Correction； ＯＰＣ）が近年盛ん
に検討されてきた。ＯＰＣは超解像技術（ResolutionEn
hancement Technology； ＲＥＴ）の一つとして盛んに
検討され、現在では種々の手法が提案および実施されて
いる。
【０００４】ＯＰＣおいては、補正対象の図形辺を適宜
分割し、各分割辺に関して補正値を算出する。補正値
は、補正対象の辺近傍の配置に関してプロセスシミュレ
ーションを繰り返して求める。厳しいデザインルールの
レイアウトにおいては、所望制度を満たす為に補正を行
う対象個所が増える傾向にある。このためプロセスシミ
ュレーションを行う回数が増加し、結果として多大な補
正計算時間が必要となり、処理時間の削減が急務となっ
ている。このような状況を鑑み、ＯＰＣにおいて、補正
値算出を行うプロセスシミュレーションを行う個所を効
率よくグルーピングし、一括して計算することにより補
正時間を短縮することが求められている。
分割し、各分割辺に関して補正値を算出する。補正値
は、補正対象の辺近傍の配置に関してプロセスシミュレ
ーションを繰り返して求める。厳しいデザインルールの
レイアウトにおいては、所望制度を満たす為に補正を行
う対象個所が増える傾向にある。このためプロセスシミ
ュレーションを行う回数が増加し、結果として多大な補
正計算時間が必要となり、処理時間の削減が急務となっ
ている。このような状況を鑑み、ＯＰＣにおいて、補正
値算出を行うプロセスシミュレーションを行う個所を効
率よくグルーピングし、一括して計算することにより補
正時間を短縮することが求められている。
【０００５】１９９４年５月に出版された、Proc. SPIE
第２１９７巻２９４〜３０１頁、オプティカル・レー
ザー・マイクロリソグラフィＶＩＩに掲載のファースト
・プロキシミティ・コレクション・ウィズ・ゾーン・サ
ンプリングと題する文献、およびProc. SPIE 第２１９
７巻３７１〜３７６頁、オプティカル・レーザー・マイ
クロリソグラフィＶＩＩに掲載のユーズィング・ビヘイ
ビア・モデリング・フォー・プロキシミティ・コレクシ
ョンと題する文献によれば、入力データに光近接効果補
正を施す際には、補正対象図形の辺を適切なサイズに分
割し、各分割辺毎に補正値算出点（ターゲットポイン
ト）を設定する。又、各補正値算出点における補正値
は、各点毎に、近傍の２〜４μｍ程度の小領域に関して
プロセスシミュレーションを行い補正値を算出する。補
正図形は、各分割辺ごとに、補正値算出点において算出
した補正値を適用し、各辺を移動する図形処理を行って
作成する。
第２１９７巻２９４〜３０１頁、オプティカル・レー
ザー・マイクロリソグラフィＶＩＩに掲載のファースト
・プロキシミティ・コレクション・ウィズ・ゾーン・サ
ンプリングと題する文献、およびProc. SPIE 第２１９
７巻３７１〜３７６頁、オプティカル・レーザー・マイ
クロリソグラフィＶＩＩに掲載のユーズィング・ビヘイ
ビア・モデリング・フォー・プロキシミティ・コレクシ
ョンと題する文献によれば、入力データに光近接効果補
正を施す際には、補正対象図形の辺を適切なサイズに分
割し、各分割辺毎に補正値算出点（ターゲットポイン
ト）を設定する。又、各補正値算出点における補正値
は、各点毎に、近傍の２〜４μｍ程度の小領域に関して
プロセスシミュレーションを行い補正値を算出する。補
正図形は、各分割辺ごとに、補正値算出点において算出
した補正値を適用し、各辺を移動する図形処理を行って
作成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デザイ
ンルールの厳しいレイアウトでは、高精度に補正するた
めに図形辺を細かく分割するため、補正値算出点が増加
し、これにつれてプロセスシミュレーションを実行する
回数も増加する。この結果、多大な補正処理時間を要す
る。また、一箇所の補正値を算出する為には近傍の配置
をあわせてシミュレーションを行う必要があるため、例
えば、メモリセルやメモリセル周辺部及びセルの配線部
等のように補正値算出点が密集して配置されている場
合、同一領域について複数回重複してシミュレーション
を行うこととなり、シミュレーション時間の増大の原因
となり、その結果データ処理時間を増大させてしまう。
ンルールの厳しいレイアウトでは、高精度に補正するた
めに図形辺を細かく分割するため、補正値算出点が増加
し、これにつれてプロセスシミュレーションを実行する
回数も増加する。この結果、多大な補正処理時間を要す
る。また、一箇所の補正値を算出する為には近傍の配置
をあわせてシミュレーションを行う必要があるため、例
えば、メモリセルやメモリセル周辺部及びセルの配線部
等のように補正値算出点が密集して配置されている場
合、同一領域について複数回重複してシミュレーション
を行うこととなり、シミュレーション時間の増大の原因
となり、その結果データ処理時間を増大させてしまう。
【０００７】本発明は上記に鑑みてなされたものであ
り、同一領域について複数回重複してシミュレーション
を行うことを防ぎ、シミュレーション時間を短縮し、引
いては、データ処理時間を短縮することができるマスク
データ作成装置及びマスクデータ作成方法を提供するこ
とを目的とする。
り、同一領域について複数回重複してシミュレーション
を行うことを防ぎ、シミュレーション時間を短縮し、引
いては、データ処理時間を短縮することができるマスク
データ作成装置及びマスクデータ作成方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】光近接効果補正におい
て、従来行われてきた手法は、図２（ａ）のように補正
対象図形を選択し、この補正対象図形の辺を図２（ｂ）
のように所定の方法に基づいて分割する。次に、各分割
辺に補正値を算出するための点（以下、「補正値算出
点」と記載）を図２（ｃ）のように設定する。各補正値
算出点における補正値は、プロセスシミュレーションを
用いて求める。例えば図２（ｃ）における辺４１の補正
値を求めるために、点４２を補正値算出点とし、図２
（ｄ）に示すように点４２近傍の小領域（プロセスシュ
ミレーション半径４３）に対してプロセスシミュレーシ
ョンを行う。プロセスシミュレーションを必要に応じて
繰り返して補正値を算出し、各補正値算出点において算
出した補正値を各辺に適用し、各辺を移動する図形処理
を行って補正図形を作成する。
て、従来行われてきた手法は、図２（ａ）のように補正
対象図形を選択し、この補正対象図形の辺を図２（ｂ）
のように所定の方法に基づいて分割する。次に、各分割
辺に補正値を算出するための点（以下、「補正値算出
点」と記載）を図２（ｃ）のように設定する。各補正値
算出点における補正値は、プロセスシミュレーションを
用いて求める。例えば図２（ｃ）における辺４１の補正
値を求めるために、点４２を補正値算出点とし、図２
（ｄ）に示すように点４２近傍の小領域（プロセスシュ
ミレーション半径４３）に対してプロセスシミュレーシ
ョンを行う。プロセスシミュレーションを必要に応じて
繰り返して補正値を算出し、各補正値算出点において算
出した補正値を各辺に適用し、各辺を移動する図形処理
を行って補正図形を作成する。
【０００９】発明者らは、これらの手法を基に、この補
正値算出点を一定の矩形領域でグルーピングし、この矩
形領域によるグルーピングを複数箇所にて行うことによ
り、シミュレーション時間を縮小し、より高速に補正値
算出点を算出できることを見出した。これより本発明の
第１の特徴は、（イ）設計パターンから補正対象線分を
抽出し、抽出した補正対象線分を補正に適した長さに分
割する分割手段と、（ロ）各分割辺より補正値算出点を
算出する補正値算出手段と、（ハ）補正値算出点及び補
正対象となる図形形状を基に、第１計算中心点を設定す
る第１計算中心点算出手段と、（ニ）第１計算中心点を
中心とした第１シミュレーション領域を作成し、第１シ
ミュレーション領域が重なっている領域において、複数
の第１矩形領域を作成する第１矩形領域作成手段と、
（ホ）第１矩形領域内より、第１シミュレーション領域
が２つ以上重なる第１矩形領域を抽出して第２矩形領域
を得、第２矩形領域を基に、第２計算中心点を算出する
第２計算中心点算出手段と、（ヘ）第２計算中心点を基
に第２シミュレーション領域を得る第２シミュレーショ
ン領域作成手段と、（ト）第２シミュレーション領域に
おいてプロセスシュミレーションを用いて各補正値算出
点における補正値を算出するプロセスシミュレーション
実行手段と、（チ）補正値を用いて、各辺に対し図形処
理を行い補正図形を作成する補正図形作成手段とを含む
マスクデータ作成装置であることを要旨とする。
正値算出点を一定の矩形領域でグルーピングし、この矩
形領域によるグルーピングを複数箇所にて行うことによ
り、シミュレーション時間を縮小し、より高速に補正値
算出点を算出できることを見出した。これより本発明の
第１の特徴は、（イ）設計パターンから補正対象線分を
抽出し、抽出した補正対象線分を補正に適した長さに分
割する分割手段と、（ロ）各分割辺より補正値算出点を
算出する補正値算出手段と、（ハ）補正値算出点及び補
正対象となる図形形状を基に、第１計算中心点を設定す
る第１計算中心点算出手段と、（ニ）第１計算中心点を
中心とした第１シミュレーション領域を作成し、第１シ
ミュレーション領域が重なっている領域において、複数
の第１矩形領域を作成する第１矩形領域作成手段と、
（ホ）第１矩形領域内より、第１シミュレーション領域
が２つ以上重なる第１矩形領域を抽出して第２矩形領域
を得、第２矩形領域を基に、第２計算中心点を算出する
第２計算中心点算出手段と、（ヘ）第２計算中心点を基
に第２シミュレーション領域を得る第２シミュレーショ
ン領域作成手段と、（ト）第２シミュレーション領域に
おいてプロセスシュミレーションを用いて各補正値算出
点における補正値を算出するプロセスシミュレーション
実行手段と、（チ）補正値を用いて、各辺に対し図形処
理を行い補正図形を作成する補正図形作成手段とを含む
マスクデータ作成装置であることを要旨とする。
【００１０】又、本発明の第１の特徴は、（リ）第２シ
ミュレーション領域作成手段は、光近接効果の及ぶ範囲
を決定する光近接効果範囲決定手段と、（ヌ）演算装置
の能力及び設計パターンの規模に応じて、プロセスシュ
ミレーションを行う第２シミュレーション領域を作成す
る為の第２領域半径を決定する第２領域半径決定手段
と、（ル）光近接効果の及ぶ範囲及び第２シミュレーシ
ョン領域を基に、第１計算中心点を２つ以上含む領域を
作成する為の第１領域半径を決定する第１領域半径決定
手段とを備え、（ヲ）１次元方向の補正対象図形の周期
性を調査し、周期性を有して配置された補正対象図形を
１つの１次元アレイとして抽出する１次元アレイ抽出手
段と、（ワ）２次元方向の補正対象図形の周期性を調査
し、周期性を有して配置された補正対象図形を１つの２
次元アレイとして抽出する２次元アレイ抽出手段と、
（カ）１次元アレイ及び２次元アレイよりアレイ領域を
構成し、アレイピッチ、第１シミュレーション領域及び
第２シミュレーション領域を考慮して、アレイ領域に、
複数の第３矩形領域を作成する第３矩形領域作成手段
と、（ヨ）第３矩形領域を基に、第２計算中心点を算出
するアレイ第２計算中心点算出手段と、（タ）アレイ第
２計算中心点を中心とする複数の第３シミュレーション
領域において、プロセスシミュレーションを用いて各補
正値算出点の補正値を算出するアレイプロセスシミュレ
ーション実行手段とを更に備えることを加えても良い。
ミュレーション領域作成手段は、光近接効果の及ぶ範囲
を決定する光近接効果範囲決定手段と、（ヌ）演算装置
の能力及び設計パターンの規模に応じて、プロセスシュ
ミレーションを行う第２シミュレーション領域を作成す
る為の第２領域半径を決定する第２領域半径決定手段
と、（ル）光近接効果の及ぶ範囲及び第２シミュレーシ
ョン領域を基に、第１計算中心点を２つ以上含む領域を
作成する為の第１領域半径を決定する第１領域半径決定
手段とを備え、（ヲ）１次元方向の補正対象図形の周期
性を調査し、周期性を有して配置された補正対象図形を
１つの１次元アレイとして抽出する１次元アレイ抽出手
段と、（ワ）２次元方向の補正対象図形の周期性を調査
し、周期性を有して配置された補正対象図形を１つの２
次元アレイとして抽出する２次元アレイ抽出手段と、
（カ）１次元アレイ及び２次元アレイよりアレイ領域を
構成し、アレイピッチ、第１シミュレーション領域及び
第２シミュレーション領域を考慮して、アレイ領域に、
複数の第３矩形領域を作成する第３矩形領域作成手段
と、（ヨ）第３矩形領域を基に、第２計算中心点を算出
するアレイ第２計算中心点算出手段と、（タ）アレイ第
２計算中心点を中心とする複数の第３シミュレーション
領域において、プロセスシミュレーションを用いて各補
正値算出点の補正値を算出するアレイプロセスシミュレ
ーション実行手段とを更に備えることを加えても良い。
【００１１】「第１矩形領域」は、必ずしも矩形である
必要はなく、第１計算中心点の存在する箇所に応じて自
在に変化する。「第２矩形領域」は、矩形でない場合は
当該領域のバウンダリボックスをとることができる。
「第１シミュレーション領域が重なっている領域」の
「重なり」の程度は、各々の設計パターンに応じて異な
る。だが、重なり合っている第１シミュレーション領域
を区分けした複数の矩形領域の重なり数をカウントし、
この重なり数を降順に並べた際に、最も数が多い矩形領
域から順番に処理を行うものとする。又、「第１計算中
心点を２つ以上含む矩形領域」の「２つ以上」について
も、２つ以上第１計算中心点を含む矩形領域の内、最も
数が多い矩形領域を優先して処理を行うものとする。
必要はなく、第１計算中心点の存在する箇所に応じて自
在に変化する。「第２矩形領域」は、矩形でない場合は
当該領域のバウンダリボックスをとることができる。
「第１シミュレーション領域が重なっている領域」の
「重なり」の程度は、各々の設計パターンに応じて異な
る。だが、重なり合っている第１シミュレーション領域
を区分けした複数の矩形領域の重なり数をカウントし、
この重なり数を降順に並べた際に、最も数が多い矩形領
域から順番に処理を行うものとする。又、「第１計算中
心点を２つ以上含む矩形領域」の「２つ以上」について
も、２つ以上第１計算中心点を含む矩形領域の内、最も
数が多い矩形領域を優先して処理を行うものとする。
【００１２】「第２領域半径」とは、プロセスシミュレ
ーションを行う範囲を決定する半径であり、これには、
光近接効果の及ぶ範囲を考慮する必要がある。この光近
接効果の及ぶ範囲を考慮して補正した、実際にプロセス
シミュレーションによって計算を行うことができる第１
計算中心点が存在する領域が、「第１領域半径」によっ
て決定される領域となる。つまり、第２領域半径によっ
て決定される領域は、実際にプロセスシミュレーション
を行う領域であり、第１領域半径によって決定される領
域は、実際にプロセスシミュレーションを行った効果が
現れる領域である。また、「プロセスシミュレーション
実行手段」及び「アレイプロセスシミュレーション実行
手段」は、同様の機能を有する、プロセスのシミュレー
ションを行うプログラムである。
ーションを行う範囲を決定する半径であり、これには、
光近接効果の及ぶ範囲を考慮する必要がある。この光近
接効果の及ぶ範囲を考慮して補正した、実際にプロセス
シミュレーションによって計算を行うことができる第１
計算中心点が存在する領域が、「第１領域半径」によっ
て決定される領域となる。つまり、第２領域半径によっ
て決定される領域は、実際にプロセスシミュレーション
を行う領域であり、第１領域半径によって決定される領
域は、実際にプロセスシミュレーションを行った効果が
現れる領域である。また、「プロセスシミュレーション
実行手段」及び「アレイプロセスシミュレーション実行
手段」は、同様の機能を有する、プロセスのシミュレー
ションを行うプログラムである。
【００１３】本発明の第２の特徴は、（イ）設計パター
ンから補正対象線分を抽出し、抽出した補正対象線分を
補正に適した長さに分割するステップと、（ロ）各分割
辺より補正値算出点を算出するステップと、（ハ）補正
値算出点及び補正対象となる図形形状を基に、第１計算
中心点を設定するステップと、（ニ）第１計算中心点を
中心とした第１シミュレーション領域を作成し、第１シ
ミュレーション領域が重なっている領域において、複数
の矩形領域より成る第１矩形領域を作成するステップ
と、（ホ）第１矩形領域内より、第１シミュレーション
領域が２つ以上重なる第１矩形領域を抽出して第２矩形
領域を得、第２矩形領域を基に、第２計算中心点を算出
するステップと、（ヘ）第２計算中心点を基に第２シミ
ュレーション領域を得るステップと、（ト）第２シミュ
レーション領域においてプロセスシュミレーションを用
いて各補正値算出点における補正値を算出するステップ
と、（チ）補正値を用いて、各辺に対し図形処理を行い
補正図形を作成するステップとを含むマスクデータ作成
方法であることを要旨とする。
ンから補正対象線分を抽出し、抽出した補正対象線分を
補正に適した長さに分割するステップと、（ロ）各分割
辺より補正値算出点を算出するステップと、（ハ）補正
値算出点及び補正対象となる図形形状を基に、第１計算
中心点を設定するステップと、（ニ）第１計算中心点を
中心とした第１シミュレーション領域を作成し、第１シ
ミュレーション領域が重なっている領域において、複数
の矩形領域より成る第１矩形領域を作成するステップ
と、（ホ）第１矩形領域内より、第１シミュレーション
領域が２つ以上重なる第１矩形領域を抽出して第２矩形
領域を得、第２矩形領域を基に、第２計算中心点を算出
するステップと、（ヘ）第２計算中心点を基に第２シミ
ュレーション領域を得るステップと、（ト）第２シミュ
レーション領域においてプロセスシュミレーションを用
いて各補正値算出点における補正値を算出するステップ
と、（チ）補正値を用いて、各辺に対し図形処理を行い
補正図形を作成するステップとを含むマスクデータ作成
方法であることを要旨とする。
【００１４】又、本発明の第２の特徴は、（リ）第２シ
ミュレーション領域を作成するステップは、光近接効果
の及ぶ範囲を決定する段階と、（ヌ）演算装置の能力及
び設計パターンの規模に応じて、プロセスシュミレーシ
ョンを行う第２シミュレーション領域を作成する為の第
２領域半径を決定する段階と、（ル）光近接効果の及ぶ
範囲及び第２シミュレーション領域を基に、第１計算中
心点を２つ以上含む領域を作成する第１領域半径を決定
する段階と、（ヲ）１次元方向の補正対象図形の周期性
を調査し、周期性を有して配置された補正対象図形を１
つの１次元アレイとして抽出するステップと、（ワ）２
次元方向の補正対象図形の周期性を調査し、周期性を有
して配置された補正対象図形を１つの２次元アレイとし
て抽出するステップと、（カ）１次元アレイ及び２次元
アレイよりアレイ領域を構成し、アレイピッチ、第１シ
ミュレーション領域及び第２シミュレーション領域を考
慮して、アレイ領域に、複数の第３矩形領域を作成する
ステップと、（ヨ）第３矩形領域を基に、アレイ第２計
算中心点を算出するステップと、（タ）アレイ第２計算
中心点を中心とする複数の第３シミュレーション領域に
おいて、プロセスシミュレーションを用いて各補正値算
出点の補正値を算出するステップとを更に備えることを
加えても良い。
ミュレーション領域を作成するステップは、光近接効果
の及ぶ範囲を決定する段階と、（ヌ）演算装置の能力及
び設計パターンの規模に応じて、プロセスシュミレーシ
ョンを行う第２シミュレーション領域を作成する為の第
２領域半径を決定する段階と、（ル）光近接効果の及ぶ
範囲及び第２シミュレーション領域を基に、第１計算中
心点を２つ以上含む領域を作成する第１領域半径を決定
する段階と、（ヲ）１次元方向の補正対象図形の周期性
を調査し、周期性を有して配置された補正対象図形を１
つの１次元アレイとして抽出するステップと、（ワ）２
次元方向の補正対象図形の周期性を調査し、周期性を有
して配置された補正対象図形を１つの２次元アレイとし
て抽出するステップと、（カ）１次元アレイ及び２次元
アレイよりアレイ領域を構成し、アレイピッチ、第１シ
ミュレーション領域及び第２シミュレーション領域を考
慮して、アレイ領域に、複数の第３矩形領域を作成する
ステップと、（ヨ）第３矩形領域を基に、アレイ第２計
算中心点を算出するステップと、（タ）アレイ第２計算
中心点を中心とする複数の第３シミュレーション領域に
おいて、プロセスシミュレーションを用いて各補正値算
出点の補正値を算出するステップとを更に備えることを
加えても良い。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態に係るマ
スクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法を図面を
参照して説明する。マスクデータ作成装置及びマスクデ
ータ作成方法とは、設計パターンを基にマスクに形成さ
れたパターンをウェハ上に転写して得られる転写パター
ンの設計パターンに対する忠実度を向上するために、設
計パターンを補正してマスクデータを作成する為の装置
及び方法である。以下の図面の記載において、同一又は
類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただ
し、図面は模式的なものであり、平面寸法の関係等は現
実のものとは異なることに留意すべきである。従って、
具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきもの
である。また、図面相互間においても互いの寸法の関係
や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんであ
る。
スクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法を図面を
参照して説明する。マスクデータ作成装置及びマスクデ
ータ作成方法とは、設計パターンを基にマスクに形成さ
れたパターンをウェハ上に転写して得られる転写パター
ンの設計パターンに対する忠実度を向上するために、設
計パターンを補正してマスクデータを作成する為の装置
及び方法である。以下の図面の記載において、同一又は
類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただ
し、図面は模式的なものであり、平面寸法の関係等は現
実のものとは異なることに留意すべきである。従って、
具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきもの
である。また、図面相互間においても互いの寸法の関係
や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんであ
る。
【００１６】（第１の実施の形態）
（マスクデータ作成装置）本発明の第１の実施の形態に
係るマスクデータ作成装置１００について、図１を参照
して説明する。マスクデータ作成装置１００は、マスク
データ作成の為のプロセスシュミレーションを行う。図
１に示すように第１の実施の形態に係るマスクデータ作
成装置１００は、処理制御装置（ＣＰＵ）１０がマスク
データ作成装置１００全体の管理を行い、主記憶装置４
に記憶されている制御用プログラムを実行することによ
り、各機能が実現される。又、ＣＰＵ１０は、入力装置
１、出力装置２、通信制御装置３、主記憶装置４、設計
パターン記憶装置５及び一時記憶装置６に接続され、各
々の装置の制御を行う。
係るマスクデータ作成装置１００について、図１を参照
して説明する。マスクデータ作成装置１００は、マスク
データ作成の為のプロセスシュミレーションを行う。図
１に示すように第１の実施の形態に係るマスクデータ作
成装置１００は、処理制御装置（ＣＰＵ）１０がマスク
データ作成装置１００全体の管理を行い、主記憶装置４
に記憶されている制御用プログラムを実行することによ
り、各機能が実現される。又、ＣＰＵ１０は、入力装置
１、出力装置２、通信制御装置３、主記憶装置４、設計
パターン記憶装置５及び一時記憶装置６に接続され、各
々の装置の制御を行う。
【００１７】ＣＰＵ１０は、分割手段１１、補正値算出
手段１２、補正図形作成手段１３、第１計算中心点算出
手段１４、第１矩形領域作成手段１５、第２シミュレー
ション領域作成手段１６、第２計算中心点算出手段１７
及びプロセスシミュレーション実行手段１８を備えてい
る。又、第２シミュレーション領域作成手段１６は、光
近接効果範囲決定手段１６ａ、第２領域半径決定手段１
６ｂ及び第１領域半径決定手段１６ｃより構成される。
手段１２、補正図形作成手段１３、第１計算中心点算出
手段１４、第１矩形領域作成手段１５、第２シミュレー
ション領域作成手段１６、第２計算中心点算出手段１７
及びプロセスシミュレーション実行手段１８を備えてい
る。又、第２シミュレーション領域作成手段１６は、光
近接効果範囲決定手段１６ａ、第２領域半径決定手段１
６ｂ及び第１領域半径決定手段１６ｃより構成される。
【００１８】分割手段１１は、設計パターンから補正対
象線分を抽出し、図３（ａ）のように、抽出した線分を
補正対象図形の形状を考慮して補正に適した長さに分割
する。補正値算出手段１２は、各分割辺より１次元補正
値算出点４５及び２次元補正値算出点４４の位置を算出
する。補正図形作成手段１３は、後述するプロセスシミ
ュレーションを行い、各辺に対し算出した補正値を基
に、各辺を移動するように、補正図形を作成する。第１
計算中心点算出手段１４は、補正値算出点及び補正対象
となる図形形状を基に、計算中心点４６を算出する。第
１矩形領域作成手段１５は、計算中心点を中心とした第
１シミュレーション領域（図５（ａ）〜（ｄ）参照）を
作成し、第１シミュレーション領域が重なっている領域
において、図６及び図７に示すように複数の第１矩形領
域を作成する。第２計算中心点算出手段１７は、第２矩
形領域を基に算出された第２計算中心点を算出する。第
２シミュレーション領域作成手段１６は、第２計算中心
点を基に、第２シミュレーション領域を作成する。プロ
セスシミュレーション実行手段１８は、第２シミュレー
ション領域においてプロセスシュミレーションを用いて
各補正値算出点における補正値を算出する。
象線分を抽出し、図３（ａ）のように、抽出した線分を
補正対象図形の形状を考慮して補正に適した長さに分割
する。補正値算出手段１２は、各分割辺より１次元補正
値算出点４５及び２次元補正値算出点４４の位置を算出
する。補正図形作成手段１３は、後述するプロセスシミ
ュレーションを行い、各辺に対し算出した補正値を基
に、各辺を移動するように、補正図形を作成する。第１
計算中心点算出手段１４は、補正値算出点及び補正対象
となる図形形状を基に、計算中心点４６を算出する。第
１矩形領域作成手段１５は、計算中心点を中心とした第
１シミュレーション領域（図５（ａ）〜（ｄ）参照）を
作成し、第１シミュレーション領域が重なっている領域
において、図６及び図７に示すように複数の第１矩形領
域を作成する。第２計算中心点算出手段１７は、第２矩
形領域を基に算出された第２計算中心点を算出する。第
２シミュレーション領域作成手段１６は、第２計算中心
点を基に、第２シミュレーション領域を作成する。プロ
セスシミュレーション実行手段１８は、第２シミュレー
ション領域においてプロセスシュミレーションを用いて
各補正値算出点における補正値を算出する。
【００１９】又、光近接効果範囲決定手段１６ａは、光
近接効果の及ぶ範囲（以下、「マージン」と記載）を決
定する。具体的には光の波長、露光条件及びレジストの
現像条件等より決定する。このマージン５２は、図７
（ｃ）に示すように、第２領域半径５３から第１領域半
径５４を減算した結果の値となる。第２矩形領域（以
下、「第１領域」と記載）５４ａは、正方形であり、
「第１領域半径５４」とは、第１領域５４ａに内接する
円の半径で定義される。第２領域５３ａも、正方形であ
り、「第２領域半径５３」とは、第２領域５３ａに内接
する円の半径で定義される。ただし、縦横に対して異な
る方向性（異方性）を持つプロセスを用いるに当たって
は、第１領域５４ａ、第２領域５３aを長方形とする等
の幅広い応用が可能である。第２領域半径決定手段１６
ｂは、演算装置の能力及び設計パターンの規模に応じ
て、プロセスシュミレーションを行う第２シミュレーシ
ョン領域５３ａを作成する為の第２領域半径５３（図７
（ｃ）参照）を決定する。具体的に、第２領域半径５３
は、１μｍ〜３μｍ程度が好ましい。第２領域半径５３
は、設計のデザインの条件、プロセスの条件等より決定
される。第１領域半径決定手段１６ｃは、マージン５２
及び第２シミュレーション領域５３ａを基に、第１計算
中心点を２つ以上含む第１領域５４ａを作成する為の第
１領域半径５４（図７（ｃ）参照）を決定する。具体的
に、第１領域半径５４は０.５μｍ程度が好ましい。
近接効果の及ぶ範囲（以下、「マージン」と記載）を決
定する。具体的には光の波長、露光条件及びレジストの
現像条件等より決定する。このマージン５２は、図７
（ｃ）に示すように、第２領域半径５３から第１領域半
径５４を減算した結果の値となる。第２矩形領域（以
下、「第１領域」と記載）５４ａは、正方形であり、
「第１領域半径５４」とは、第１領域５４ａに内接する
円の半径で定義される。第２領域５３ａも、正方形であ
り、「第２領域半径５３」とは、第２領域５３ａに内接
する円の半径で定義される。ただし、縦横に対して異な
る方向性（異方性）を持つプロセスを用いるに当たって
は、第１領域５４ａ、第２領域５３aを長方形とする等
の幅広い応用が可能である。第２領域半径決定手段１６
ｂは、演算装置の能力及び設計パターンの規模に応じ
て、プロセスシュミレーションを行う第２シミュレーシ
ョン領域５３ａを作成する為の第２領域半径５３（図７
（ｃ）参照）を決定する。具体的に、第２領域半径５３
は、１μｍ〜３μｍ程度が好ましい。第２領域半径５３
は、設計のデザインの条件、プロセスの条件等より決定
される。第１領域半径決定手段１６ｃは、マージン５２
及び第２シミュレーション領域５３ａを基に、第１計算
中心点を２つ以上含む第１領域５４ａを作成する為の第
１領域半径５４（図７（ｃ）参照）を決定する。具体的
に、第１領域半径５４は０.５μｍ程度が好ましい。
【００２０】入力装置１は、キーボード、マウス等によ
り構成される。又通信制御装置３を介し外部装置より入
力を行っても良い。ここで外部装置とは、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、ＭＯ、ＺＩＰなどの記憶媒体及びそのドライブ装置
等を指す。出力装置２は、表示部及び印刷部（図示しな
い）を有しており、具体的に、液晶ディスプレイ、ＣＲ
Ｔディスプレイ等の表示装置、インクジェットプリン
タ、レーザープリンタ等の印刷装置等により構成され
る。通信制御装置３は、通信回線を介してデータをマス
クの作成を行う露光装置（図示せず）、他の汎用機等に
送受信する為の制御信号を生成する。主記憶装置４は、
ＲＯＭ（ロム）及びＲＡＭ（ラム）が組み込まれてい
る。ＲＯＭはＣＰＵ１０において実行されるプログラム
を格納しているプログラムメモリ等として機能し、ＲＡ
ＭはＣＰＵ１０におけるプログラム実行処理中に利用さ
れるデータ等を格納する。設計パターン記憶装置５は、
マスク設計のパターンのデータを記憶する。一時記憶装
置６は、作業領域として利用されるバッファやデータメ
モリ等として機能する。
り構成される。又通信制御装置３を介し外部装置より入
力を行っても良い。ここで外部装置とは、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、ＭＯ、ＺＩＰなどの記憶媒体及びそのドライブ装置
等を指す。出力装置２は、表示部及び印刷部（図示しな
い）を有しており、具体的に、液晶ディスプレイ、ＣＲ
Ｔディスプレイ等の表示装置、インクジェットプリン
タ、レーザープリンタ等の印刷装置等により構成され
る。通信制御装置３は、通信回線を介してデータをマス
クの作成を行う露光装置（図示せず）、他の汎用機等に
送受信する為の制御信号を生成する。主記憶装置４は、
ＲＯＭ（ロム）及びＲＡＭ（ラム）が組み込まれてい
る。ＲＯＭはＣＰＵ１０において実行されるプログラム
を格納しているプログラムメモリ等として機能し、ＲＡ
ＭはＣＰＵ１０におけるプログラム実行処理中に利用さ
れるデータ等を格納する。設計パターン記憶装置５は、
マスク設計のパターンのデータを記憶する。一時記憶装
置６は、作業領域として利用されるバッファやデータメ
モリ等として機能する。
【００２１】（マスクデータ作成方法）以下、マスクデ
ータ作成装置１００を用いたマスクデータの作成方法に
ついて図８のフロー図を参照して説明する。
ータ作成装置１００を用いたマスクデータの作成方法に
ついて図８のフロー図を参照して説明する。
【００２２】（イ）先ず、ステップＳ１０１にて、光近
接効果補正において、補正対象となる図形（図３（ａ）
参照）を設計パターン記憶装置５より取り出す。
接効果補正において、補正対象となる図形（図３（ａ）
参照）を設計パターン記憶装置５より取り出す。
【００２３】（ロ）ステップＳ１０２にて、分割手段１
１が、補正対象となる図形の辺をラインエンド近傍で、
図３（ｂ）において、短い横線で示すように分割する。
１が、補正対象となる図形の辺をラインエンド近傍で、
図３（ｂ）において、短い横線で示すように分割する。
【００２４】（ハ）ステップＳ１０３にて、補正値算出
手段１２が、図３（ｃ）に示すように、ラインエンド近
傍の辺を２次元補正対象とし、白抜きの丸で示した２次
元補正値算出点４４を複数算出する。又、ラインエンド
近傍以外の辺を１次元補正対象とし、黒塗りの丸で示し
た１次元補正値算出点４５を複数算出する。第１計算中
心点算出手段１４が、２次元補正対象の辺について、ラ
インエンド毎に計算中心点４６を算出する。計算中心点
４６は、図３（ｄ）の斜線でハッチングした丸で示して
いる。
手段１２が、図３（ｃ）に示すように、ラインエンド近
傍の辺を２次元補正対象とし、白抜きの丸で示した２次
元補正値算出点４４を複数算出する。又、ラインエンド
近傍以外の辺を１次元補正対象とし、黒塗りの丸で示し
た１次元補正値算出点４５を複数算出する。第１計算中
心点算出手段１４が、２次元補正対象の辺について、ラ
インエンド毎に計算中心点４６を算出する。計算中心点
４６は、図３（ｄ）の斜線でハッチングした丸で示して
いる。
【００２５】（ニ）次に、ステップＳ１０４にて、計算
中心点４６を基に、第１矩形領域作成手段１５が補正を
行う矩形領域を算出するシミュレーションについて説明
する。例えば、図４において、ラインエンドに相当する
辺を補正対象とし、計算中心点４６が４７ａ、４７ｂ、
４７ｃ、４７ｄであったとする。このとき、補正値算出
手段１２は、各計算中心点４７ａ〜４７ｄを中心に光近
接効果の及ぶ、シミュレーションを行う所定の大きさの
領域（シミュレーション領域）に関してプロセスシミュ
レーションを行い、補正対象辺の補正値算出点を算出す
る。具体的には、計算中心点４７ａを中心とした矢印で
示す半径の内接する正方形の領域であるシミュレーショ
ン領域を図５（ａ）のように作成する。計算中心点４７
ｂを中心とした矢印で示す半径の内接する正方形の領域
であるシミュレーション領域を図５（ｂ）のように作成
する。計算中心点４７ｃを中心とした矢印で示す半径の
内接する正方形の領域であるシミュレーション領域を図
５（ｃ）のように作成する。計算中心点４７ｄを中心と
した矢印で示す半径の内接する正方形の領域であるシミ
ュレーション領域を図５（ｄ）のように作成する。これ
らの複数のシミュレーション領域を規定する複数の正方
形を、図６（ａ）のように重ね合わせ、結果、図６
（ａ）に示すような複数の第１矩形領域を作成する。
中心点４６を基に、第１矩形領域作成手段１５が補正を
行う矩形領域を算出するシミュレーションについて説明
する。例えば、図４において、ラインエンドに相当する
辺を補正対象とし、計算中心点４６が４７ａ、４７ｂ、
４７ｃ、４７ｄであったとする。このとき、補正値算出
手段１２は、各計算中心点４７ａ〜４７ｄを中心に光近
接効果の及ぶ、シミュレーションを行う所定の大きさの
領域（シミュレーション領域）に関してプロセスシミュ
レーションを行い、補正対象辺の補正値算出点を算出す
る。具体的には、計算中心点４７ａを中心とした矢印で
示す半径の内接する正方形の領域であるシミュレーショ
ン領域を図５（ａ）のように作成する。計算中心点４７
ｂを中心とした矢印で示す半径の内接する正方形の領域
であるシミュレーション領域を図５（ｂ）のように作成
する。計算中心点４７ｃを中心とした矢印で示す半径の
内接する正方形の領域であるシミュレーション領域を図
５（ｃ）のように作成する。計算中心点４７ｄを中心と
した矢印で示す半径の内接する正方形の領域であるシミ
ュレーション領域を図５（ｄ）のように作成する。これ
らの複数のシミュレーション領域を規定する複数の正方
形を、図６（ａ）のように重ね合わせ、結果、図６
（ａ）に示すような複数の第１矩形領域を作成する。
【００２６】（ホ）ステップＳ１０５では、正方形のシ
ミュレーション領域が部分的に重なっている部分である
第１矩形領域の存在を確認すると、ステップＳ１０６に
て、複数の第１矩形領域の内から１領域を選択し、対象
矩形領域とする。ステップＳ１０７では、この対象矩形
領域と他の正方形のシミュレーション領域との重なり具
合をチェックする。つまり、対象矩形領域に重なってい
る他の正方形の数をカウントする。また、第１矩形領域
がＬ字型等の非矩形形状であった場合、この非矩形のま
ま重なり数をカウントする。この動作を第１矩形領域毎
に繰り返す。
ミュレーション領域が部分的に重なっている部分である
第１矩形領域の存在を確認すると、ステップＳ１０６に
て、複数の第１矩形領域の内から１領域を選択し、対象
矩形領域とする。ステップＳ１０７では、この対象矩形
領域と他の正方形のシミュレーション領域との重なり具
合をチェックする。つまり、対象矩形領域に重なってい
る他の正方形の数をカウントする。また、第１矩形領域
がＬ字型等の非矩形形状であった場合、この非矩形のま
ま重なり数をカウントする。この動作を第１矩形領域毎
に繰り返す。
【００２７】（ヘ）次に、ステップＳ１０８で、第１矩
形領域のうち、正方形の重なり数が多い順に降順に並べ
る。図６（ｂ）においては、正方形の重なり数が最も多
い第１矩形領域から並べると、矩形領域４８ａが最大で
４個の正方形、矩形領域４８ｂ、４８ｃ、４８ｄは各３
個の正方形、その他の矩形領域は各１〜２個の正方形と
なる。
形領域のうち、正方形の重なり数が多い順に降順に並べ
る。図６（ｂ）においては、正方形の重なり数が最も多
い第１矩形領域から並べると、矩形領域４８ａが最大で
４個の正方形、矩形領域４８ｂ、４８ｃ、４８ｄは各３
個の正方形、その他の矩形領域は各１〜２個の正方形と
なる。
【００２８】（ト）次に、ステップＳ１０９では、第２
計算中心点算出手段１７が、正方形の重なり数が最も多
い第１矩形領域４８ａを選択し、第１矩形領域４８ａを
第２矩形領域４９ａとして、これを基に第２計算中心点
４９を求める（ステップＳ１１０）。各辺の補正値は第
２計算中心点４９の近傍についてシミュレーションを行
うことにより算出する。ステップＳ１１１では、第２計
算中心点４９に対応する第２矩形領域４９ａ内の第１計
算中心点および補正値算出点を消去する。この処理を終
えると、ステップＳ１０５へ戻る。尚、図６（ｃ）で
は、第２矩形領域４９ａ内として、点線上の第１計算中
心点を換算しているが、線上の第１計算中心点を含むか
否かについてはプログラマ等が設定できるものとする。
計算中心点算出手段１７が、正方形の重なり数が最も多
い第１矩形領域４８ａを選択し、第１矩形領域４８ａを
第２矩形領域４９ａとして、これを基に第２計算中心点
４９を求める（ステップＳ１１０）。各辺の補正値は第
２計算中心点４９の近傍についてシミュレーションを行
うことにより算出する。ステップＳ１１１では、第２計
算中心点４９に対応する第２矩形領域４９ａ内の第１計
算中心点および補正値算出点を消去する。この処理を終
えると、ステップＳ１０５へ戻る。尚、図６（ｃ）で
は、第２矩形領域４９ａ内として、点線上の第１計算中
心点を換算しているが、線上の第１計算中心点を含むか
否かについてはプログラマ等が設定できるものとする。
【００２９】（チ）すべての、正方形が重なった第１矩
形領域についての処理を終えると、ステップＳ１１２に
て、各々の第２計算中心点４９を中心とした第２矩形領
域４９ａについて、プロセスシミュレーション実行手段
１８が、プロセスシミュレーションを行い、各補正図形
の辺の補正値を算出し、ステップＳ１１３にて、補正図
形作成手段１３が、求めた補正値を各補正図面の辺に適
用して補正図形処理を行い、この図形処理を全て終える
とこのマスクデータ作成の動作を終了する。
形領域についての処理を終えると、ステップＳ１１２に
て、各々の第２計算中心点４９を中心とした第２矩形領
域４９ａについて、プロセスシミュレーション実行手段
１８が、プロセスシミュレーションを行い、各補正図形
の辺の補正値を算出し、ステップＳ１１３にて、補正図
形作成手段１３が、求めた補正値を各補正図面の辺に適
用して補正図形処理を行い、この図形処理を全て終える
とこのマスクデータ作成の動作を終了する。
【００３０】こうすることにより、従来例では４回のプ
ロセスシミュレーションを行って算出していた補正値
が、１回で算出できることになり、結果、プロセスシミ
ュレーション時間の短縮につながる。又、第２の計算中
心点４９を発生する第２矩形領域４９ａは、基礎となる
正方形の重なり数が最も多い領域として複数発生する場
合はそのうちの一領域を適当に選択してもよい。また、
計算中心点４７ａ〜４７ｄをグルーピングせずに、各分
割辺に配置した、補正値算出点をグルーピングして第２
の計算中心点を求めても良い。またさらに、第１の計算
中心点は、第２の計算中心点に置換していくことができ
るが、必要に応じて各補正対象辺に対応する第１の計算
中心点、又は補正値算出点を発生した計算中心点に置換
せずに残し、他の計算中心点との重なりを調べる処理に
かけてもよい。
ロセスシミュレーションを行って算出していた補正値
が、１回で算出できることになり、結果、プロセスシミ
ュレーション時間の短縮につながる。又、第２の計算中
心点４９を発生する第２矩形領域４９ａは、基礎となる
正方形の重なり数が最も多い領域として複数発生する場
合はそのうちの一領域を適当に選択してもよい。また、
計算中心点４７ａ〜４７ｄをグルーピングせずに、各分
割辺に配置した、補正値算出点をグルーピングして第２
の計算中心点を求めても良い。またさらに、第１の計算
中心点は、第２の計算中心点に置換していくことができ
るが、必要に応じて各補正対象辺に対応する第１の計算
中心点、又は補正値算出点を発生した計算中心点に置換
せずに残し、他の計算中心点との重なりを調べる処理に
かけてもよい。
【００３１】（マスクデータ作成方法の変更例）ステッ
プＳ１０４の、第１計算中心点４７ａ〜４７ｂを中心と
する正方形のシミュレーション領域作成し、この正方形
のシミュレーション領域を複数重ねることにより矩形領
域を発生させる手法は、以下の手法にても可能である。
プＳ１０４の、第１計算中心点４７ａ〜４７ｂを中心と
する正方形のシミュレーション領域作成し、この正方形
のシミュレーション領域を複数重ねることにより矩形領
域を発生させる手法は、以下の手法にても可能である。
【００３２】（イ）先ず、各第１計算中心点４７ａ〜４
７ｂを基にして、矢印で示す半径の円が内接する正方形
として各シミュレーション領域を作成する。次に、第１
矩形領域作成手段１５は、この正方形のシミュレーショ
ン領域を重ね合わせ、図７（ａ）のように複数の第１矩
形領域を作成する。
７ｂを基にして、矢印で示す半径の円が内接する正方形
として各シミュレーション領域を作成する。次に、第１
矩形領域作成手段１５は、この正方形のシミュレーショ
ン領域を重ね合わせ、図７（ａ）のように複数の第１矩
形領域を作成する。
【００３３】（ロ）次に、第１矩形領域作成手段１５
は、第１矩形領域から１領域を選択して対象矩形領域と
し、この対象矩形領域と他の正方形のシミュレーション
領域との重なり具合をチェックする。つまり、対象矩形
領域に重なっている他の正方形の数をカウントする。こ
の動作を第１矩形領域毎に繰り返す。
は、第１矩形領域から１領域を選択して対象矩形領域と
し、この対象矩形領域と他の正方形のシミュレーション
領域との重なり具合をチェックする。つまり、対象矩形
領域に重なっている他の正方形の数をカウントする。こ
の動作を第１矩形領域毎に繰り返す。
【００３４】（ハ）第１矩形領域の内、基礎となる正方
形との重なり数が多い順に降順に並べる。図７（ｂ）に
おいては、正方形との重なり数が最も多い領域から並べ
ると、左下がりの傾斜でハッチングした矩形領域５１ａ
が最大で４個の正方形、右下がりの傾斜でハッチングし
た矩形領域５１ｂ、５１ｃ、５１ｄは各３個の正方形、
薄網でハッチングした矩形領域が各２個の正方形、その
他の矩形領域は各１個の正方形となる。
形との重なり数が多い順に降順に並べる。図７（ｂ）に
おいては、正方形との重なり数が最も多い領域から並べ
ると、左下がりの傾斜でハッチングした矩形領域５１ａ
が最大で４個の正方形、右下がりの傾斜でハッチングし
た矩形領域５１ｂ、５１ｃ、５１ｄは各３個の正方形、
薄網でハッチングした矩形領域が各２個の正方形、その
他の矩形領域は各１個の正方形となる。
【００３５】（ニ）次に、第２計算中心点算出手段１７
は、基礎となる正方形の重なり数が最も多い第１矩形領
域５１ａを選択し、図７（ｃ）に示すように、第２矩形
領域（バウンダリボックス）として、この第２矩形領域
５１ａを基に第２計算中心点５５を求める。近接効果範
囲決定手段１６ａが、露光条件やレジスト現像条件より
光近接効果の及ぶ範囲を決定し、これをマージン５２と
する。第２領域半径決定手段１６ｂが、演算装置の能力
及び設計パターンの規模に応じてプロセスシュミレーシ
ョンを行う第２領域半径５３と、第２領域半径５３の円
が内接する第２領域（第２シミュレーション領域）５３
ａを決定する。更に、第２領域半径５３よりマージン５
２を減算することで第１領域半径５４と、第１領域半径
５４の円の内接する第１領域５４ａを決定する。又、こ
の第１領域５４ａは少なくとも２つ以上の第１計算中心
点を有しているものとする。ちなみに、図７（ｃ）で
は、第１領域５４ａは４つの第１計算中心点を有してい
る。
は、基礎となる正方形の重なり数が最も多い第１矩形領
域５１ａを選択し、図７（ｃ）に示すように、第２矩形
領域（バウンダリボックス）として、この第２矩形領域
５１ａを基に第２計算中心点５５を求める。近接効果範
囲決定手段１６ａが、露光条件やレジスト現像条件より
光近接効果の及ぶ範囲を決定し、これをマージン５２と
する。第２領域半径決定手段１６ｂが、演算装置の能力
及び設計パターンの規模に応じてプロセスシュミレーシ
ョンを行う第２領域半径５３と、第２領域半径５３の円
が内接する第２領域（第２シミュレーション領域）５３
ａを決定する。更に、第２領域半径５３よりマージン５
２を減算することで第１領域半径５４と、第１領域半径
５４の円の内接する第１領域５４ａを決定する。又、こ
の第１領域５４ａは少なくとも２つ以上の第１計算中心
点を有しているものとする。ちなみに、図７（ｃ）で
は、第１領域５４ａは４つの第１計算中心点を有してい
る。
【００３６】（ホ）次に、第２シミュレーション領域５
３ａの有する第１計算中心点を消去する。その後、この
第２シミュレーション領域５３ａについて計算を行い各
辺の補正値を算出する。このとき、第２領域半径５３は
第１領域半径５４より大きく、各補正対象辺の補正値を
算出する為に十分な大きさを持っているものとする。
３ａの有する第１計算中心点を消去する。その後、この
第２シミュレーション領域５３ａについて計算を行い各
辺の補正値を算出する。このとき、第２領域半径５３は
第１領域半径５４より大きく、各補正対象辺の補正値を
算出する為に十分な大きさを持っているものとする。
【００３７】この手法により、従来例では４回のプロセ
スシミュレーションを行って算出していた補正値が、１
回で算出できるうえ、グルーピングされた各補正対象辺
の補正値を計算するために十分な領域を確保することが
出来る。なお、第１の実施の形態同様、新たに計算中心
点を発生する領域は、正方形の重なり数が最も多い矩形
領域が複数ある場合は、そのうちの一領域を適当に選択
してもよい。
スシミュレーションを行って算出していた補正値が、１
回で算出できるうえ、グルーピングされた各補正対象辺
の補正値を計算するために十分な領域を確保することが
出来る。なお、第１の実施の形態同様、新たに計算中心
点を発生する領域は、正方形の重なり数が最も多い矩形
領域が複数ある場合は、そのうちの一領域を適当に選択
してもよい。
【００３８】（実施例）第１の実施の形態に係るマスク
作成装置及びマスク作成方法を半導体レイアウトに適用
した実施例について説明する。補正図形に対しては、図
１０に示すように、第１計算中心点６１ａ〜６１ｊを設
けている。第１の実施の形態に係るマスク作成方法を用
いてグルーピングを行った結果、第２計算中心点として
６２ａ〜６２ｆを算出した。尚、補正図形の幅は０.２
μｍｍ、第１領域半径６５を０.６μｍ、第２領域半径
６４を１.５μｍ、マージン６３を０.９μｍと設定し
た。この時、第１計算中心点は１３個であったのに対し
第２計算中心点は６個に減少することができた。又、図
１１においては、第１計算中心点６７ａ〜６７ｒを設け
ている。第１の実施の形態に係るマスク作成方法を用い
てグルーピングを行った結果、第２計算中心点として６
６ａ〜６６ｃを算出した。この時、第１計算中心点は１
８個であったのに対し第２計算中心点は３個に減少する
ことができた。
作成装置及びマスク作成方法を半導体レイアウトに適用
した実施例について説明する。補正図形に対しては、図
１０に示すように、第１計算中心点６１ａ〜６１ｊを設
けている。第１の実施の形態に係るマスク作成方法を用
いてグルーピングを行った結果、第２計算中心点として
６２ａ〜６２ｆを算出した。尚、補正図形の幅は０.２
μｍｍ、第１領域半径６５を０.６μｍ、第２領域半径
６４を１.５μｍ、マージン６３を０.９μｍと設定し
た。この時、第１計算中心点は１３個であったのに対し
第２計算中心点は６個に減少することができた。又、図
１１においては、第１計算中心点６７ａ〜６７ｒを設け
ている。第１の実施の形態に係るマスク作成方法を用い
てグルーピングを行った結果、第２計算中心点として６
６ａ〜６６ｃを算出した。この時、第１計算中心点は１
８個であったのに対し第２計算中心点は３個に減少する
ことができた。
【００３９】このように、半導体デバイスの一層より抽
出した、４１μｍｍ×５７μｍｍの領域ついて、計算中
心点を設定し、ＯＰＣを行った結果を、図９に示す。従
来例では、計算中心点は３１３３個であるが、第１の実
施の形態を用いた実施例では８２％削除し、５５２個と
なった。これらの計算中心点を中心とするシミュレーシ
ョン領域について、同じ配置をまとめるためパターンマ
ッチングを行ったところ、パターンマッチング後の計算
中心点数は従来例の２１４９個であるのに対し、実施例
では７７％削除して４９１個であった。更に、これらの
計算中心点を中心とする領域についてシミュレーション
を行い補正値を求め補正まで行ったところ、従来例では
２１,３９２秒を要したのに対し、実施例では８５％削
除し３,２３３秒で処理を行うことができた。
出した、４１μｍｍ×５７μｍｍの領域ついて、計算中
心点を設定し、ＯＰＣを行った結果を、図９に示す。従
来例では、計算中心点は３１３３個であるが、第１の実
施の形態を用いた実施例では８２％削除し、５５２個と
なった。これらの計算中心点を中心とするシミュレーシ
ョン領域について、同じ配置をまとめるためパターンマ
ッチングを行ったところ、パターンマッチング後の計算
中心点数は従来例の２１４９個であるのに対し、実施例
では７７％削除して４９１個であった。更に、これらの
計算中心点を中心とする領域についてシミュレーション
を行い補正値を求め補正まで行ったところ、従来例では
２１,３９２秒を要したのに対し、実施例では８５％削
除し３,２３３秒で処理を行うことができた。
【００４０】このように、計算中心点として、第１計算
中心点をグルーピング処理した第２計算中心点を用いて
プロセスシミュレーションを行うことにより、プロセス
シミュレーションに要する時間が短縮できることが確認
された。
中心点をグルーピング処理した第２計算中心点を用いて
プロセスシミュレーションを行うことにより、プロセス
シミュレーションに要する時間が短縮できることが確認
された。
【００４１】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態においては、第１の実施の形態で説明されたマス
クデータ作成装置及びマスクデータ作成方法に、更に、
ＡＳＩＣやメモリデバイス等に用いられるアレイ配置構
造を持った補正図形に対して、一括処理を行う機能を備
えたマスクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法に
ついて説明する。
の形態においては、第１の実施の形態で説明されたマス
クデータ作成装置及びマスクデータ作成方法に、更に、
ＡＳＩＣやメモリデバイス等に用いられるアレイ配置構
造を持った補正図形に対して、一括処理を行う機能を備
えたマスクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法に
ついて説明する。
【００４２】（マスクデータ作成装置）本発明の第２の
実施の形態に係るマスクデータ作成装置２００は、図１
２に示すように、処理制御装置（ＣＰＵ）３０がマスク
データ作成装置２００全体の管理を行い、主記憶装置２
４に記憶されている制御用プログラムを実行することに
より、各機能が実現される。又、ＣＰＵ３０は、入力装
置２１、出力装置２２、通信制御装置２３、主記憶装置
２４、設計パターン記憶装置２５及び一時記憶装置２６
に接続され、各々の装置の制御を行う。ＣＰＵ３０は、
分割手段３１、補正値算出手段３２、補正図形作成手段
３３、第３計算中心点算出手段３４、第３矩形領域作成
手段３５、第２シミュレーション領域作成手段３６、第
２計算中心点算出手段３７、第２アレイ領域手段３８及
びプロセスシミュレーション実行手段３９を備えてい
る。又、第２シミュレーション領域作成手段３６は、光
近接効果範囲決定手段３６ａ、第２領域半径決定手段３
６ｂ及び第３領域半径決定手段３６ｃより構成される。
又、第２アレイ領域作成手段３８は、１次元アレイ抽出
手段３８ａ、２次元アレイ抽出手段３８ｂ、アレイ第２
計算中心点算出手段３８ｃ、第３矩形領域作成手段３８
ｄ、アレイプロセスシミュレーション実行手段３９及び
アレイプロセスシミュレーション実行手段４０を備えて
いる。
実施の形態に係るマスクデータ作成装置２００は、図１
２に示すように、処理制御装置（ＣＰＵ）３０がマスク
データ作成装置２００全体の管理を行い、主記憶装置２
４に記憶されている制御用プログラムを実行することに
より、各機能が実現される。又、ＣＰＵ３０は、入力装
置２１、出力装置２２、通信制御装置２３、主記憶装置
２４、設計パターン記憶装置２５及び一時記憶装置２６
に接続され、各々の装置の制御を行う。ＣＰＵ３０は、
分割手段３１、補正値算出手段３２、補正図形作成手段
３３、第３計算中心点算出手段３４、第３矩形領域作成
手段３５、第２シミュレーション領域作成手段３６、第
２計算中心点算出手段３７、第２アレイ領域手段３８及
びプロセスシミュレーション実行手段３９を備えてい
る。又、第２シミュレーション領域作成手段３６は、光
近接効果範囲決定手段３６ａ、第２領域半径決定手段３
６ｂ及び第３領域半径決定手段３６ｃより構成される。
又、第２アレイ領域作成手段３８は、１次元アレイ抽出
手段３８ａ、２次元アレイ抽出手段３８ｂ、アレイ第２
計算中心点算出手段３８ｃ、第３矩形領域作成手段３８
ｄ、アレイプロセスシミュレーション実行手段３９及び
アレイプロセスシミュレーション実行手段４０を備えて
いる。
【００４３】尚、１次元アレイ抽出手段３８ａ、２次元
アレイ抽出手段３８ｂ、アレイ第２計算中心点算出手段
３８ｃ、第３矩形領域作成手段３８ｄ及びアレイプロセ
スシミュレーション実行手段４０以外の装置及び手段に
ついては、第１の実施の形態と同様のものを使用する為
説明を割愛する。１次元アレイ抽出手段３８ａは、１次
元方向の前記補正対象図形の周期性６９を調査し（図１
４（ａ）参照）、周期性を有して配置された補正対象図
形を１つの１次元アレイとして抽出する。２次元アレイ
抽出手段３８ｂは、２次元方向の補正対象図形の周期性
７０を調査し（図１４（ｂ）参照）、周期性を有して配
置された補正対象図形を１つの２次元アレイとして抽出
する。第３矩形領域作成手段３８ｄは、１次元アレイ及
び２次元アレイよりアレイ領域を構成し、アレイピッ
チ、第１シミュレーション領域及び第２シミュレーショ
ン領域を考慮して、アレイ領域を分割し、図１５（ａ）
に示すような複数の第３矩形領域（バウンダリボック
ス）７１を作成する。アレイ第２計算中心点算出手段３
８ｃは、第３矩形領域７１を基に、第３計算中心点７３
を算出する（図１５（ｂ）参照）。アレイプロセスシミ
ュレーション実行手段４０は、アレイ第２計算中心点を
中心とする複数の第３シミュレーション領域において、
プロセスシミュレーションを用いて各補正値算出点の補
正値を算出する。
アレイ抽出手段３８ｂ、アレイ第２計算中心点算出手段
３８ｃ、第３矩形領域作成手段３８ｄ及びアレイプロセ
スシミュレーション実行手段４０以外の装置及び手段に
ついては、第１の実施の形態と同様のものを使用する為
説明を割愛する。１次元アレイ抽出手段３８ａは、１次
元方向の前記補正対象図形の周期性６９を調査し（図１
４（ａ）参照）、周期性を有して配置された補正対象図
形を１つの１次元アレイとして抽出する。２次元アレイ
抽出手段３８ｂは、２次元方向の補正対象図形の周期性
７０を調査し（図１４（ｂ）参照）、周期性を有して配
置された補正対象図形を１つの２次元アレイとして抽出
する。第３矩形領域作成手段３８ｄは、１次元アレイ及
び２次元アレイよりアレイ領域を構成し、アレイピッ
チ、第１シミュレーション領域及び第２シミュレーショ
ン領域を考慮して、アレイ領域を分割し、図１５（ａ）
に示すような複数の第３矩形領域（バウンダリボック
ス）７１を作成する。アレイ第２計算中心点算出手段３
８ｃは、第３矩形領域７１を基に、第３計算中心点７３
を算出する（図１５（ｂ）参照）。アレイプロセスシミ
ュレーション実行手段４０は、アレイ第２計算中心点を
中心とする複数の第３シミュレーション領域において、
プロセスシミュレーションを用いて各補正値算出点の補
正値を算出する。
【００４４】（マスクデータ作成方法）次に、第２の実
施の形態に係るマスクデータ作成方法について、図１６
のフロー図を用いて説明する。
施の形態に係るマスクデータ作成方法について、図１６
のフロー図を用いて説明する。
【００４５】（イ）先ず、ステップＳ２０１にて、光近
接効果補正において、補正対象となる図形を設計パター
ン記憶装置２５より取り出す。
接効果補正において、補正対象となる図形を設計パター
ン記憶装置２５より取り出す。
【００４６】（ロ）ステップＳ２０２にて、必要に応じ
た図形処理を行い、図１３（ａ）に示すような処理対象
図形を生成する。ステップＳ２０３では、第１計算中心
点算出手段３４が、シミュレーション計算を行う計算中
心点６８を算出する（図１３（ｂ）参照）。
た図形処理を行い、図１３（ａ）に示すような処理対象
図形を生成する。ステップＳ２０３では、第１計算中心
点算出手段３４が、シミュレーション計算を行う計算中
心点６８を算出する（図１３（ｂ）参照）。
【００４７】（ハ）次にステップＳ２０４にて、１次元
アレイ抽出手段３８ａが、図１４（ａ）に示すように各
第１計算中心点について、Ｘ軸方向並びの周期性６９を
チェックし、同一の周期を持つものを１次元アレイとし
て抽出する。図１４（ａ）では、各第１計算中心点のう
ち、３点の周期性チェックの様子を示した。又、ステッ
プＳ２０５にて、２次元アレイ抽出手段３８ｂが、図１
４（ｂ）に示すように各第１計算中心点について、１次
元アレイに関してＹ軸方向の並びの周期性７０をチェッ
クし、同一の周期を持つものを２次元アレイとして抽出
する。図１４（ｂ）では、第１計算中心点のうち、３点
の周期性チェックの様子を示した。第３矩形領域作成手
段３８ｄは、これらの周期性及びアレイピッチを考慮し
て、図１５（ａ）に示すように、アレイを再構成し、複
数の第３矩形領域（アレイ種セル外形）７１を作成す
る。
アレイ抽出手段３８ａが、図１４（ａ）に示すように各
第１計算中心点について、Ｘ軸方向並びの周期性６９を
チェックし、同一の周期を持つものを１次元アレイとし
て抽出する。図１４（ａ）では、各第１計算中心点のう
ち、３点の周期性チェックの様子を示した。又、ステッ
プＳ２０５にて、２次元アレイ抽出手段３８ｂが、図１
４（ｂ）に示すように各第１計算中心点について、１次
元アレイに関してＹ軸方向の並びの周期性７０をチェッ
クし、同一の周期を持つものを２次元アレイとして抽出
する。図１４（ｂ）では、第１計算中心点のうち、３点
の周期性チェックの様子を示した。第３矩形領域作成手
段３８ｄは、これらの周期性及びアレイピッチを考慮し
て、図１５（ａ）に示すように、アレイを再構成し、複
数の第３矩形領域（アレイ種セル外形）７１を作成す
る。
【００４８】（ニ）次にステップＳ２０６にて、アレイ
第２計算中心点算出手段３８ｃが、図１５（ｂ）に示す
ように、第３矩形領域７１の中央に第２計算中心点７２
を算出し、配置する。次にステップＳ２０７において、
アレイの領域に含まれない図形及び第１計算中心点を抽
出する。このアレイの領域に含まれない図形７３の第１
計算中心点より、第２計算中心点を求めるステップＳ２
０８〜Ｓ２１５については、第１の実施の形態のステッ
プＳ１０４〜Ｓ１１１と同様の処理を行う為、説明を省
略する。
第２計算中心点算出手段３８ｃが、図１５（ｂ）に示す
ように、第３矩形領域７１の中央に第２計算中心点７２
を算出し、配置する。次にステップＳ２０７において、
アレイの領域に含まれない図形及び第１計算中心点を抽
出する。このアレイの領域に含まれない図形７３の第１
計算中心点より、第２計算中心点を求めるステップＳ２
０８〜Ｓ２１５については、第１の実施の形態のステッ
プＳ１０４〜Ｓ１１１と同様の処理を行う為、説明を省
略する。
【００４９】（ホ）すべてのアレイ領域についての第３
矩形領域の処理を終えると、ステップＳ２１６にて、プ
ロセスシミュレーション実行手段３９及びアレイプロセ
スシミュレーション実行手段４０が、第２計算中心点を
中心としたシミュレーション領域についてプロセスシミ
ュレーションを行う。この後、ステップＳ２１７にて、
補正図形作成手段３３が、各々の補正図形の辺の補正値
を算出し、求めた補正値を各補正図面の辺に適用する図
形処理を行いこの図形処理を全て終えるとこのマスクデ
ータ作成の動作を終了する。
矩形領域の処理を終えると、ステップＳ２１６にて、プ
ロセスシミュレーション実行手段３９及びアレイプロセ
スシミュレーション実行手段４０が、第２計算中心点を
中心としたシミュレーション領域についてプロセスシミ
ュレーションを行う。この後、ステップＳ２１７にて、
補正図形作成手段３３が、各々の補正図形の辺の補正値
を算出し、求めた補正値を各補正図面の辺に適用する図
形処理を行いこの図形処理を全て終えるとこのマスクデ
ータ作成の動作を終了する。
【００５０】第２の実施の形態では、アレイの第３矩形
領域（種セル）の大きさがプロセスシミュレーションを
行う領域の大きさと比べ十分に小さいことからアレイの
中央に新たな計算中心点を配置している。アレイの第３
矩形領域の大きさがプロセスシミュレーションを行う領
域の大きさと比して十分に小さくない場合は、種セル内
の図形を、シミュレーション領域がカバーするように複
数の計算中心点を配置することができる。また、アレイ
の第３矩形領域の大きさがプロセスシミュレーションを
行う領域の大きさと比べて更に小さい場合には、複数の
第３矩形領域をまとめた領域の中央に計算中心点を配置
することができる。
領域（種セル）の大きさがプロセスシミュレーションを
行う領域の大きさと比べ十分に小さいことからアレイの
中央に新たな計算中心点を配置している。アレイの第３
矩形領域の大きさがプロセスシミュレーションを行う領
域の大きさと比して十分に小さくない場合は、種セル内
の図形を、シミュレーション領域がカバーするように複
数の計算中心点を配置することができる。また、アレイ
の第３矩形領域の大きさがプロセスシミュレーションを
行う領域の大きさと比べて更に小さい場合には、複数の
第３矩形領域をまとめた領域の中央に計算中心点を配置
することができる。
【００５１】又、メモリセルやその周辺部など設計デー
タにおいてアレイ構造を持つ領域について、計算中心点
を特に効率よくグルーピングすることができる。さら
に、アレイ配置に基づいてグルーピングしていることか
ら、グルーピングの後パターンマッチングを行って同じ
配置をまとめることにより、実際にシミュレーション計
算を行う回数を削減し計算時間を短縮することができ
る。削減の効果は、アレイ構造を有する領域、または階
層処理においてアレイ構造が一部展開されている領域が
占める割合に依存し、図１５（ａ）、（ｂ）のようなア
レイ領域において特に顕著である。
タにおいてアレイ構造を持つ領域について、計算中心点
を特に効率よくグルーピングすることができる。さら
に、アレイ配置に基づいてグルーピングしていることか
ら、グルーピングの後パターンマッチングを行って同じ
配置をまとめることにより、実際にシミュレーション計
算を行う回数を削減し計算時間を短縮することができ
る。削減の効果は、アレイ構造を有する領域、または階
層処理においてアレイ構造が一部展開されている領域が
占める割合に依存し、図１５（ａ）、（ｂ）のようなア
レイ領域において特に顕著である。
【００５２】
【発明の効果】上記により、本発明によって、マスクデ
ータの作成において、同一領域について複数回重複して
シミュレーションを行うことを防ぎ、シミュレーション
時間を短縮し、引いては、データ処理時間を短縮するこ
とができるマスクデータ作成装置及びマスクデータ作成
方法を提供することができる。
ータの作成において、同一領域について複数回重複して
シミュレーションを行うことを防ぎ、シミュレーション
時間を短縮し、引いては、データ処理時間を短縮するこ
とができるマスクデータ作成装置及びマスクデータ作成
方法を提供することができる。
【図１】第１の実施の形態に係るマスクデータ作成装置
の構成を示す構成図である。
の構成を示す構成図である。
【図２】従来行われてきた、光近接効果補正において使
用される補正対象図形を示す図である。
用される補正対象図形を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る光近接効果補正におい
て使用される補正対象図形を示す図である。
て使用される補正対象図形を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る矩形領域を算出するシ
ミュレーションで使用する補正対象図である。
ミュレーションで使用する補正対象図である。
【図５】第１の実施の形態に係る計算中心点を中心とし
たシミュレーション領域を示す図である。
たシミュレーション領域を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係る複数の矩形領域を示す
図である。
図である。
【図７】第１の実施の形態の変更例に係る複数の矩形領
域を示す図である。
域を示す図である。
【図８】第１の実施の形態に係るマスクデータ作成方法
を示すフロー図である。
を示すフロー図である。
【図９】第１の実施の形態に係る実施例の結果を示す表
である。
である。
【図１０】第１の実施の形態に係る実施例で使用する補
正図形を示す図である。
正図形を示す図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る実施例で使用する補
正図形を示す図である。
正図形を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態に係るマスクデータ作成装
置の構成を示す構成図である。
置の構成を示す構成図である。
【図１３】第２の実施の形態にて使用するアレイ配置構
成の補正図形を示す図である
成の補正図形を示す図である
【図１４】第２の実施の形態にて使用するアレイ配置構
成の補正図形を示す図である
成の補正図形を示す図である
【図１５】第２の実施の形態にて使用するアレイ配置構
成の補正図形を示す図である
成の補正図形を示す図である
【図１６】第２の実施の形態に係るマスクデータ作成方
法を示すフロー図である。
法を示すフロー図である。
１ 入力装置
２ 出力装置
３ 通信制御装置
４ 主記憶装置
５ 設計パターン記憶装置
６ 一時記憶装置
１０ 処理制御装置（ＣＰＵ）
１１ 分割手段
１２ 補正値算出手段
１３ 補正図形作成手段
１４ 第１計算中心点算出手段
１５ 第１矩形領域作成手段
１６ 第２シミュレーション領域作成手段
１６ａ 光近接効果範囲決定手段
１６ｂ 第２領域半径決定手段
１６ｃ 第１領域半径決定手段
１７ 第２計算中心点算出手段
１８ プロセスシミュレーション実行手段
２１ 入力装置
２２ 出力装置
２３ 通信制御装置
２４ 主記憶装置
２５ 設計パターン記憶装置
２６ 一時記憶装置
３０ 処理制御装置（ＣＰＵ）
３１ 分割手段
３２ 補正値算出手段
３３ 補正図形作成手段
３４ 第１計算中心点算出手段
３５ 第１矩形領域作成手段
３６ 第２シミュレーション領域作成手段
３６ａ 光近接効果範囲決定手段
３６ｂ 第２領域半径決定手段
３６ｃ 第１領域半径決定手段
３７ 第２計算中心点算出手段
３８ アレイ領域作成手段
３８ａ １次元アレイ抽出手段
３８ｂ ２次元アレイ抽出手段
３８ｃ アレイ第２計算中心点算出手段
３８ｄ 第３矩形領域作成手段
３９ プロセスシミュレーション実行手段
４０ アレイプロセスシミュレーション実行手段
４１ 補正値を求める辺
４２ 補正値算出点
４３ プロセスシミュレーション半径
４４ ２次元補正値算出点
４５ １次元補正値算出点
４６、４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、４７ｄ 計算中心点
４８ａ、４８ｂ、４８ｃ、４８ｄ、５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、
５１ｄ 矩形領域 ４９ 第２計算中心点 ４９ａ 第２矩形領域 ５２ マージン ５３ 第２領域半径 ５４ 第１領域半径 ５５ 第２計算中心点 ６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆ、６１ｇ、
６１ｈ、６１ｉ、６１ｊ、６７ａ、６７ｂ、６７ｃ、６７ｄ、
６７ｅ、６７ｈ、６７ｊ、６７ｈ、６７ｉ、６７ｊ、６７ｋ、
６７ｌ、６７ｍ、６７ｎ、６７ｏ、６７ｐ、６７ｑ、６７
ｒ、６８ 第１計算中心点 ６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、６６ａ、
６６ｂ、６６ｃ、７２第２計算中心点 ６９ Ｘ軸方向並びの周期性 ７０ Ｙ軸方向並びの周期性 ７１ 再構成アレイ ７３ アレイ領域に含まれない図形 １００ マスクデータ作成装置 ２００ マスクデータ作成装置
５１ｄ 矩形領域 ４９ 第２計算中心点 ４９ａ 第２矩形領域 ５２ マージン ５３ 第２領域半径 ５４ 第１領域半径 ５５ 第２計算中心点 ６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆ、６１ｇ、
６１ｈ、６１ｉ、６１ｊ、６７ａ、６７ｂ、６７ｃ、６７ｄ、
６７ｅ、６７ｈ、６７ｊ、６７ｈ、６７ｉ、６７ｊ、６７ｋ、
６７ｌ、６７ｍ、６７ｎ、６７ｏ、６７ｐ、６７ｑ、６７
ｒ、６８ 第１計算中心点 ６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、６６ａ、
６６ｂ、６６ｃ、７２第２計算中心点 ６９ Ｘ軸方向並びの周期性 ７０ Ｙ軸方向並びの周期性 ７１ 再構成アレイ ７３ アレイ領域に含まれない図形 １００ マスクデータ作成装置 ２００ マスクデータ作成装置
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(72)発明者 田中 聡
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事務所内
(72)発明者 渡辺 進
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株
式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン
ター内
Ｆターム(参考） 2H095 BA10 BB01
5F064 GG10 HH06 HH09 HH11 HH15
Claims (6)
- 【請求項１】 設計パターンから補正対象線分を抽出
し、抽出した前記補正対象線分を補正に適した長さに分
割する分割手段と、 各分割辺より補正値算出点を算出する補正値算出手段
と、 前記補正値算出点及び補正対象となる図形形状を基に、
第１計算中心点を設定する第１計算中心点算出手段と、 前記第１計算中心点を中心とした第１シミュレーション
領域を作成し、前記第１シミュレーション領域が重なっ
ている領域において、複数の第１矩形領域を作成する第
１矩形領域作成手段と、 前記第１矩形領域内より、第１シミュレーション領域が
２つ以上重なる第１矩形領域を抽出して第２矩形領域を
得、前記第２矩形領域を基に、第２計算中心点を算出す
る第２計算中心点算出手段と、 前記第２計算中心点を基に第２シミュレーション領域を
得る第２シミュレーション領域作成手段と、 前記第２シミュレーション領域においてプロセスシュミ
レーションを用いて各補正値算出点における補正値を算
出するプロセスシミュレーション実行手段と、 前記補正値を用いて、各辺に対し図形処理を行い補正図
形を作成する補正図形作成手段とを含むことを特徴とす
るマスクデータ作成装置。 - 【請求項２】前記第２シミュレーション領域作成手段
は、 光近接効果の及ぶ範囲を決定する光近接効果範囲決定手
段と、 演算装置の能力及び設計パターンの規模に応じて、プロ
セスシュミレーションを行う第２シミュレーション領域
を作成する為の第２領域半径を決定する第２領域半径決
定手段と、 前記光近接効果の及ぶ範囲及び前記第２シミュレーショ
ン領域を基に、前記第１計算中心点を２つ以上含む領域
を作成する為の第１領域半径を決定する第１領域半径決
定手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載のマ
スクデータ作成装置。 - 【請求項３】 １次元方向の前記補正対象図形の周期性
を調査し、周期性を有して配置された前記補正対象図形
を１つの１次元アレイとして抽出する１次元アレイ抽出
手段と、 ２次元方向の前記補正対象図形の周期性を調査し、周期
性を有して配置された前記補正対象図形を１つの２次元
アレイとして抽出する２次元アレイ抽出手段と、 前記１次元アレイ及び前記２次元アレイよりアレイ領域
を構成し、アレイピッチ、前記第１シミュレーション領
域及び前記第２シミュレーション領域を考慮して、前記
アレイ領域に、複数の第３矩形領域を作成する第３矩形
領域作成手段と、 前記第３矩形領域を基に、第２計算中心点を算出するア
レイ第２計算中心点算出手段と、 前記アレイ第２計算中心点を中心とする複数の第３シミ
ュレーション領域において、プロセスシミュレーション
を用いて各補正値算出点の補正値を算出するアレイプロ
セスシミュレーション実行手段とを更に備えることを特
徴とする請求項１又は２に記載のマスクデータ作成装
置。 - 【請求項４】 設計パターンから補正対象線分を抽出
し、抽出した前記補正対象線分を補正に適した長さに分
割するステップと、 各分割辺より補正値算出点を算出するステップと、 前記補正値算出点及び補正対象となる図形形状を基に、
第１計算中心点を設定するステップと、 前記第１計算中心点を中心とした第１シミュレーション
領域を作成し、前記第１シミュレーション領域が重なっ
ている領域において、複数の矩形領域より成る第１矩形
領域を作成するステップと、 前記第１矩形領域内より、第１シミュレーション領域が
２つ以上重なる第１矩形領域を抽出して第２矩形領域を
得、前記第２矩形領域を基に、第２計算中心点を算出す
るステップと、 前記第２計算中心点を基に第２シミュレーション領域を
得るステップと、 前記第２シミュレーション領域においてプロセスシュミ
レーションを用いて各補正値算出点における補正値を算
出するステップと、 前記補正値を用いて、各辺に対し図形処理を行い補正図
形を作成するステップとを含むことを特徴とするマスク
データ作成方法。 - 【請求項５】前記第２シミュレーション領域を作成する
ステップは、 光近接効果の及ぶ範囲を決定する段階と、 演算装置の能力及び設計パターンの規模に応じて、プロ
セスシュミレーションを行う第２シミュレーション領域
を作成する為の第２領域半径を決定する段階と、 前記光近接効果の及ぶ範囲及び前記第２シミュレーショ
ン領域を基に、前記第１計算中心点を２つ以上含む領域
を作成する第１領域半径を決定する段階とを備えること
を特徴とする請求項４に記載のマスクデータ作成方法。 - 【請求項６】 １次元方向の前記補正対象図形の周期性
を調査し、周期性を有して配置された前記補正対象図形
を１つの１次元アレイとして抽出するステップと、 ２次元方向の前記補正対象図形の周期性を調査し、周期
性を有して配置された前記補正対象図形を１つの２次元
アレイとして抽出するステップと、 前記１次元アレイ及び前記２次元アレイよりアレイ領域
を構成し、アレイピッチ、前記第１シミュレーション領
域及び前記第２シミュレーション領域を考慮して、前記
アレイ領域に、複数の第３矩形領域を作成するステップ
と、 前記第３矩形領域を基に、アレイ第２計算中心点を算出
するステップと、 前記アレイ第２計算中心点を中心とする複数の第３シミ
ュレーション領域において、プロセスシミュレーション
を用いて各補正値算出点の補正値を算出するステップと
を更に備えることを特徴とする請求項４又は５に記載の
マスクデータ作成方法。
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