JPH10153851A - 露光データの補正方法，露光方法，フォトマスク，半導体装置，露光データの補正装置，露光装置及び半導体装置の製造装置 - Google Patents
露光データの補正方法，露光方法，フォトマスク，半導体装置，露光データの補正装置，露光装置及び半導体装置の製造装置Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光パターンの近接効果補正は、データ量及
び処理時間が膨大であり、１チップレベルの補正処理に
自動ＯＰＣシステムを適用することができない。 【解決手段】 レイアウト設計された露光パターンに関
する露光データを演算処理して得られた描画パターンの
描画データにハッシュインデックスを付与して初期のハ
ッシュデータベースを作成する（Ｓ１１）。ハッシュデ
ータベースを検索して目的の描画パターンの描画データ
を抽出する（Ｓ１２）。抽出した描画データの近接効果
補正を行う（Ｓ１３）。補正された描画データにハッシ
ュインデックスを付与して新たなハッシュデータベース
を作成する（Ｓ１４）。これによって、データの検索時
間を大幅に短縮し、補正されたデータ量の圧縮する。
び処理時間が膨大であり、１チップレベルの補正処理に
自動ＯＰＣシステムを適用することができない。 【解決手段】 レイアウト設計された露光パターンに関
する露光データを演算処理して得られた描画パターンの
描画データにハッシュインデックスを付与して初期のハ
ッシュデータベースを作成する（Ｓ１１）。ハッシュデ
ータベースを検索して目的の描画パターンの描画データ
を抽出する（Ｓ１２）。抽出した描画データの近接効果
補正を行う（Ｓ１３）。補正された描画データにハッシ
ュインデックスを付与して新たなハッシュデータベース
を作成する（Ｓ１４）。これによって、データの検索時
間を大幅に短縮し、補正されたデータ量の圧縮する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造の
リソグラフィー工程において、露光の際の近接効果を補
正するために露光パターンを補正する方法に関し、さら
にはこの補正方法を用いた露光方法，フォトマスク，半
導体装置，露光データの補正装置，露光装置及び半導体
装置の製造装置に関する。
リソグラフィー工程において、露光の際の近接効果を補
正するために露光パターンを補正する方法に関し、さら
にはこの補正方法を用いた露光方法，フォトマスク，半
導体装置，露光データの補正装置，露光装置及び半導体
装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化と高機能化に伴い
デバイス構造の微細化が進展している今日、デバイス製
造プロセスにおけるリソグラフィー工程では、露光の際
の近接効果によるパターンの変形が問題になってきてい
る。例えば、露光のエネルギー線に光を用いた場合に
は、デバイスの設計ルールが露光波長の近傍にまで細線
化されると露光光の干渉効果が顕著に現れるようにな
り、設計パターンと転写レジストパターンとの間に差異
が生じてしまう。
デバイス構造の微細化が進展している今日、デバイス製
造プロセスにおけるリソグラフィー工程では、露光の際
の近接効果によるパターンの変形が問題になってきてい
る。例えば、露光のエネルギー線に光を用いた場合に
は、デバイスの設計ルールが露光波長の近傍にまで細線
化されると露光光の干渉効果が顕著に現れるようにな
り、設計パターンと転写レジストパターンとの間に差異
が生じてしまう。
【０００３】上記近接効果は、孤立パターンとライン＆
スペースパターンとの間の寸法差やパターン端部の縮み
等になって現れ、特に高集積性が要求される繰り返しメ
モリーセルにおいて発生し易い。さらに、０．３５μｍ
世代以降のデバイスにおいては、上記繰り返しメモリセ
ル領域のみならず、メモリーの周辺回路領域やＡＳＩＣ
系デバイスの１チップランダム回路領域においても孤立
線幅バラツキやライン端縮みとなって現れ、デバイスに
おけるゲート線幅制御性の劣化やプロセスにおける合わ
せマージンの減少をもたらしている。この結果、デバイ
ス特性のバラツキが増大し、最終的にはチップの歩留り
低下となって生産効率に対して著しい悪影響を与えてい
る。
スペースパターンとの間の寸法差やパターン端部の縮み
等になって現れ、特に高集積性が要求される繰り返しメ
モリーセルにおいて発生し易い。さらに、０．３５μｍ
世代以降のデバイスにおいては、上記繰り返しメモリセ
ル領域のみならず、メモリーの周辺回路領域やＡＳＩＣ
系デバイスの１チップランダム回路領域においても孤立
線幅バラツキやライン端縮みとなって現れ、デバイスに
おけるゲート線幅制御性の劣化やプロセスにおける合わ
せマージンの減少をもたらしている。この結果、デバイ
ス特性のバラツキが増大し、最終的にはチップの歩留り
低下となって生産効率に対して著しい悪影響を与えてい
る。
【０００４】そこで、上記エネルギー線に光を用いる場
合にはフォトマスクのパターン形状すなわちまたはフォ
トマスクを形成するための描画パターンの形状を補正
し、上記エネルギー線に電子線を用いる場合には描画パ
ターンの形状や電子線の照射量（露光量）を補正するこ
とで、上記近接効果によるパターンの歪みを防止してい
る。上記補正は、例えばレイアウト設計された露光パタ
ーン（以下設計パターンと記す）を図形演算処理してマ
スクパターンに変換する際に行われる。
合にはフォトマスクのパターン形状すなわちまたはフォ
トマスクを形成するための描画パターンの形状を補正
し、上記エネルギー線に電子線を用いる場合には描画パ
ターンの形状や電子線の照射量（露光量）を補正するこ
とで、上記近接効果によるパターンの歪みを防止してい
る。上記補正は、例えばレイアウト設計された露光パタ
ーン（以下設計パターンと記す）を図形演算処理してマ
スクパターンに変換する際に行われる。
【０００５】また、０．３５μｍ世代以降のメモリーセ
ルに対応させて、光強度シミュレーションベースの自動
光近接効果補正（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ
ｅｆｆｅｃｔ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ；ＯＰＣ）シス
テムが開発されてきた。しかし、上記自動ＯＰＣシステ
ムによる近接効果補正の処理時間は、数μｍ角程度のセ
ル単位の補正は十数秒程度であるが、このシステムをチ
ップ規模のランダムパターンの近接効果補正にそのまま
用いた場合には数百日程度の時間を要する。
ルに対応させて、光強度シミュレーションベースの自動
光近接効果補正（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ
ｅｆｆｅｃｔ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ；ＯＰＣ）シス
テムが開発されてきた。しかし、上記自動ＯＰＣシステ
ムによる近接効果補正の処理時間は、数μｍ角程度のセ
ル単位の補正は十数秒程度であるが、このシステムをチ
ップ規模のランダムパターンの近接効果補正にそのまま
用いた場合には数百日程度の時間を要する。
【０００６】このため、１チップレベルの近接効果補正
を行う手法としては、ある程度限られた図形形状のみを
予め設定したルールに基づいて補正処理を行うルールベ
ース手法が提案されている。
を行う手法としては、ある程度限られた図形形状のみを
予め設定したルールに基づいて補正処理を行うルールベ
ース手法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記補正方
法は、設計パターンに対して行っているため、以下のよ
うな問題がある。すなわち、設計パターンは階層構造を
有していることからデータ構成が複雑である。また、設
計パターンを補正処理するには、前もって設計パターン
を図形演算処理しておく必要があり、そのためにはパタ
ーンデータを展開しなければならない。このため、デー
タサイズが膨大になるだけではなく処理自体が複雑にな
り、上記ルールベース手法によっても全体の処理時間を
実用化レベルにまで短縮することができない。
法は、設計パターンに対して行っているため、以下のよ
うな問題がある。すなわち、設計パターンは階層構造を
有していることからデータ構成が複雑である。また、設
計パターンを補正処理するには、前もって設計パターン
を図形演算処理しておく必要があり、そのためにはパタ
ーンデータを展開しなければならない。このため、デー
タサイズが膨大になるだけではなく処理自体が複雑にな
り、上記ルールベース手法によっても全体の処理時間を
実用化レベルにまで短縮することができない。
【０００８】また、従来の半導体装置の製造工程におい
ては、処理時間の関係から部分的な設計パターンができ
あがる上記補正処理を行っている。このため、１チップ
分の設計パターンが揃う時点では、当該設計パターンの
補正は終了していることになり、補正された設計パター
ンで回路シミュレーションが実行される。この補正され
た設計パターンは、ウエハ上に形成されるパターンとは
異なるものであるため、上記回路シミュレーションでは
信頼性の低い結果しか得ることができない。
ては、処理時間の関係から部分的な設計パターンができ
あがる上記補正処理を行っている。このため、１チップ
分の設計パターンが揃う時点では、当該設計パターンの
補正は終了していることになり、補正された設計パター
ンで回路シミュレーションが実行される。この補正され
た設計パターンは、ウエハ上に形成されるパターンとは
異なるものであるため、上記回路シミュレーションでは
信頼性の低い結果しか得ることができない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされた。すなわち本発明は、レイアウト設
計された露光パターンに関する露光データを演算処理し
て得られた描画パターンの描画データに基づいて、この
描画データを補正することで露光データを補正する。こ
の際、描画データにハッシュインデックスを付与して初
期のハッシュデータベースを作成し、このハッシュデー
タベースを検索して抽出した描画データの補正を行い、
さらに補正した描画データに基づいて新たなハッシュデ
ータベースを作成する。
するためになされた。すなわち本発明は、レイアウト設
計された露光パターンに関する露光データを演算処理し
て得られた描画パターンの描画データに基づいて、この
描画データを補正することで露光データを補正する。こ
の際、描画データにハッシュインデックスを付与して初
期のハッシュデータベースを作成し、このハッシュデー
タベースを検索して抽出した描画データの補正を行い、
さらに補正した描画データに基づいて新たなハッシュデ
ータベースを作成する。
【００１０】上記補正方法では、露光に用いるエネルギ
ー線が散乱する範囲の広さに対応させて描画領域をメッ
シュ分割し、各メッシュ領域に配置される描画パターン
の描画データにハッシュインデックスを付与して上記初
期のハッシュデータベースを作成しても良い。この場
合、抽出した目的の描画パターンが配置される中心メッ
シュ領域とその周囲に配置される周辺メッシュ領域との
内部に別の描画パターンが有るか否かを判断し、別の描
画パターンが有る場合には目的の描画パターンの描画デ
ータを相互近接効果補正し、別の描画パターンが無い場
合には目的の描画パターンの描画データを自己近接効果
補正することとする。
ー線が散乱する範囲の広さに対応させて描画領域をメッ
シュ分割し、各メッシュ領域に配置される描画パターン
の描画データにハッシュインデックスを付与して上記初
期のハッシュデータベースを作成しても良い。この場
合、抽出した目的の描画パターンが配置される中心メッ
シュ領域とその周囲に配置される周辺メッシュ領域との
内部に別の描画パターンが有るか否かを判断し、別の描
画パターンが有る場合には目的の描画パターンの描画デ
ータを相互近接効果補正し、別の描画パターンが無い場
合には目的の描画パターンの描画データを自己近接効果
補正することとする。
【００１１】上記描画データの補正は、上記露光パター
ンを直接描画露光するための描画パターンに対して行わ
れる。この場合、上記描画データは、前記描画パターン
の形状データ及び前記露光の際の露光量データのうちの
少なくともいずれか一方である。また、描画データの補
正が、上記露光パターン形成用のフォトマスクを形成す
るための描画パターンに対して行われる場合には、上記
前記描画データは、フォトマスクを形成するための描画
パターンの形状データであることとする。
ンを直接描画露光するための描画パターンに対して行わ
れる。この場合、上記描画データは、前記描画パターン
の形状データ及び前記露光の際の露光量データのうちの
少なくともいずれか一方である。また、描画データの補
正が、上記露光パターン形成用のフォトマスクを形成す
るための描画パターンに対して行われる場合には、上記
前記描画データは、フォトマスクを形成するための描画
パターンの形状データであることとする。
【００１２】また、本発明の第１の露光方法は、上記露
光データの補正方法によって補正された描画データを用
いて描画露光を行う方法である。さらに本発明の第２の
露光方法は、上記露光データの補正方法によって補正さ
れた描画データを用いた描画露光で形成されたパターン
を有するフォトマスクを用いて露光を行う方法である。
光データの補正方法によって補正された描画データを用
いて描画露光を行う方法である。さらに本発明の第２の
露光方法は、上記露光データの補正方法によって補正さ
れた描画データを用いた描画露光で形成されたパターン
を有するフォトマスクを用いて露光を行う方法である。
【００１３】そして、本発明のフォトマスクは、上記露
光データの補正方法によって補正された描画データを用
いた描画露光で形成されたパターンを有する。
光データの補正方法によって補正された描画データを用
いた描画露光で形成されたパターンを有する。
【００１４】また、本発明の半導体装置は、露光データ
の補正方法によって補正された描画データを用いた露光
で形成されたパターンを有するフォトマスクを用いたリ
ソグラフィー加工により製造された半導体装置である。
の補正方法によって補正された描画データを用いた露光
で形成されたパターンを有するフォトマスクを用いたリ
ソグラフィー加工により製造された半導体装置である。
【００１５】本発明の露光データ補正装置は、レイアウ
ト設計された露光パターンに関する露光データを演算処
理して得られた描画パターンの描画データにハッシュイ
ンデックスを付与して初期のハッシュデータベースを作
成する手段と、このハッシュデータベースを検索して目
的の描画パターンの描画データを抽出する手段と、露光
を行う際の近接効果を防止するために目的の描画パター
ンの描画データを補正する手段と、補正された描画デー
タにハッシュインデックスを付与して新たなハッシュデ
ータベースを作成する手段とを具備してなる。
ト設計された露光パターンに関する露光データを演算処
理して得られた描画パターンの描画データにハッシュイ
ンデックスを付与して初期のハッシュデータベースを作
成する手段と、このハッシュデータベースを検索して目
的の描画パターンの描画データを抽出する手段と、露光
を行う際の近接効果を防止するために目的の描画パター
ンの描画データを補正する手段と、補正された描画デー
タにハッシュインデックスを付与して新たなハッシュデ
ータベースを作成する手段とを具備してなる。
【００１６】上記補正装置における初期のハッシュデー
タベースを作成する手段は、露光に用いるエネルギー線
が散乱する範囲の広さに対応させて描画領域をメッシュ
分割する手段と、各メッシュ領域に配置される描画パタ
ーンの描画データにハッシュインデックスを付与してハ
ッシュデータベースを作成する手段とで構成しても良
い。また、上記描画データを補正する手段は、目的描画
パターンが配置される中心メッシュ領域とその周囲に配
置される周辺メッシュ領域との内部に別の描画パターン
が有るか否かを判断する判別手段と、別の描画パターン
が有る場合に前記目的の描画パターンの描画データを相
互近接効果補正する手段と、別の描画パターンが無い場
合に目的の描画パターンの描画データを自己近接効果補
正する手段とで構成しても良い。
タベースを作成する手段は、露光に用いるエネルギー線
が散乱する範囲の広さに対応させて描画領域をメッシュ
分割する手段と、各メッシュ領域に配置される描画パタ
ーンの描画データにハッシュインデックスを付与してハ
ッシュデータベースを作成する手段とで構成しても良
い。また、上記描画データを補正する手段は、目的描画
パターンが配置される中心メッシュ領域とその周囲に配
置される周辺メッシュ領域との内部に別の描画パターン
が有るか否かを判断する判別手段と、別の描画パターン
が有る場合に前記目的の描画パターンの描画データを相
互近接効果補正する手段と、別の描画パターンが無い場
合に目的の描画パターンの描画データを自己近接効果補
正する手段とで構成しても良い。
【００１７】また、上記補正装置における描画データの
補正は、上記露光パターンを直接描画露光するための描
画パターンに対して行われる。この場合、上記描画デー
タは、前記描画パターンの形状データ及び前記露光の際
の露光量データのうちの少なくともいづれか一方であ
る。また、描画データの補正が、上記露光パターン形成
用のフォトマスクを形成するための描画パターンに対し
て行われる場合には、上記前記描画データは、フォトマ
スクを形成するための描画パターンの形状データである
こととする。
補正は、上記露光パターンを直接描画露光するための描
画パターンに対して行われる。この場合、上記描画デー
タは、前記描画パターンの形状データ及び前記露光の際
の露光量データのうちの少なくともいづれか一方であ
る。また、描画データの補正が、上記露光パターン形成
用のフォトマスクを形成するための描画パターンに対し
て行われる場合には、上記前記描画データは、フォトマ
スクを形成するための描画パターンの形状データである
こととする。
【００１８】また、本発明の露光装置は、上記露光デー
タの補正装置と、この補正装置で補正された描画データ
を用いて描画露光を行う露光手段とを備えている。
タの補正装置と、この補正装置で補正された描画データ
を用いて描画露光を行う露光手段とを備えている。
【００１９】さらに、本発明の半導体装置の製造装置
は、上記露光データの補正装置と、この補正装置で補正
された描画データを用いた描画露光によって形成された
フォトマスクを用いて露光を行う露光手段とを備えてい
る。
は、上記露光データの補正装置と、この補正装置で補正
された描画データを用いた描画露光によって形成された
フォトマスクを用いて露光を行う露光手段とを備えてい
る。
【００２０】本発明においては、描画データにハッシュ
インデックスを付与して初期のハッシュデータベースを
作成し、このハッシュデータベースを検索して抽出した
描画データの補正を行うことで、目的の描画パターンの
描画データが高速で検索され補正される。また、補正さ
れた描画データに基づいて新たなハッシュデータベース
が作成されることから、補正された露光データはデータ
量が圧縮されたものになる。しかも、上記補正は、描画
データ上で行われることから、レイアウト設計された露
光パターンそのものを補正する必要はなく、この露光パ
ターンを用いて行われる回路シミュレーションに上記補
正の影響が及ぶことはない。
インデックスを付与して初期のハッシュデータベースを
作成し、このハッシュデータベースを検索して抽出した
描画データの補正を行うことで、目的の描画パターンの
描画データが高速で検索され補正される。また、補正さ
れた描画データに基づいて新たなハッシュデータベース
が作成されることから、補正された露光データはデータ
量が圧縮されたものになる。しかも、上記補正は、描画
データ上で行われることから、レイアウト設計された露
光パターンそのものを補正する必要はなく、この露光パ
ターンを用いて行われる回路シミュレーションに上記補
正の影響が及ぶことはない。
【００２１】さらに、描画領域をメッシュ分割した場合
には、補正処理のために展開するべき領域が中心のメッ
シュ領域とその周辺のメッシュ領域とに限定され、補正
のための計算領域が狭められる。このため、描画データ
の補正処理速度はさらに高速化される。
には、補正処理のために展開するべき領域が中心のメッ
シュ領域とその周辺のメッシュ領域とに限定され、補正
のための計算領域が狭められる。このため、描画データ
の補正処理速度はさらに高速化される。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。以下で説明する実施の形態におけ
る露光データの補正方法は、所望の設計パターンに近い
転写イメージが得られるようにレイアウト設計された露
光パターンの露光データを補正する方法である。
に基づいて説明する。以下で説明する実施の形態におけ
る露光データの補正方法は、所望の設計パターンに近い
転写イメージが得られるようにレイアウト設計された露
光パターンの露光データを補正する方法である。
【００２３】（第１実施形態）図１は本発明の露光デー
タの補正方法の実施の形態を示すフローチャートであ
る。また、図２は露光データの補正方法の実施の形態を
説明するパターン図であり、図２（１）は補正前、図２
（２）は補正後を示している。以下に、これらの図面を
用いて露光データの補正方法の第１実施形態を説明す
る。
タの補正方法の実施の形態を示すフローチャートであ
る。また、図２は露光データの補正方法の実施の形態を
説明するパターン図であり、図２（１）は補正前、図２
（２）は補正後を示している。以下に、これらの図面を
用いて露光データの補正方法の第１実施形態を説明す
る。
【００２４】先ず、ステップＳ１１では、描画パターン
の描画データにハッシュインデックスを付与してなるハ
ッシュデータベースを作成する。上記描画パターンと
は、レイアウト設計された露光パターンに関する露光デ
ータを図形演算処理して得られた電子線描画用の描画パ
ターンである。この電子線描画に用いる電子線は、ガウ
ス形ビームまたは成形ビームのどちらでも良い。また、
上記描画データとは、上記描画パターンに関する形状デ
ータすなち〔幅ｗ，高さｈ〕や、電子線（請求項に記す
エネルギー線）の露光量データすなわち〔ドーズ量ｄ〕
である。
の描画データにハッシュインデックスを付与してなるハ
ッシュデータベースを作成する。上記描画パターンと
は、レイアウト設計された露光パターンに関する露光デ
ータを図形演算処理して得られた電子線描画用の描画パ
ターンである。この電子線描画に用いる電子線は、ガウ
ス形ビームまたは成形ビームのどちらでも良い。また、
上記描画データとは、上記描画パターンに関する形状デ
ータすなち〔幅ｗ，高さｈ〕や、電子線（請求項に記す
エネルギー線）の露光量データすなわち〔ドーズ量ｄ〕
である。
【００２５】この場合、上記描画データにおける〔ｗ，
ｈ，ｄ〕に対してハッシュインデックス〔ＩＤ〕を付与
する。ただし、露光量のような非幾何学的情報は仮想的
な幾何学的情報に置き換えることとする。そして、各描
画パターンの描画位置を示すアドレスデータ〔ｘ，ｙ〕
と上記ハッシュインデックス〔ＩＤ〕とからなる下記ア
ドレステーブルを作成する。
ｈ，ｄ〕に対してハッシュインデックス〔ＩＤ〕を付与
する。ただし、露光量のような非幾何学的情報は仮想的
な幾何学的情報に置き換えることとする。そして、各描
画パターンの描画位置を示すアドレスデータ〔ｘ，ｙ〕
と上記ハッシュインデックス〔ＩＤ〕とからなる下記ア
ドレステーブルを作成する。
【表１】
【００２６】また、上記ＩＤと、このＩＤを付与された
描画データとからなる下記ハッシュテーブルを作成す
る。
描画データとからなる下記ハッシュテーブルを作成す
る。
【表２】 以上のようにして、上記アドレステーブルとハッシュテ
ーブルとからなる初期のハッシュデータベースを作成す
る。
ーブルとからなる初期のハッシュデータベースを作成す
る。
【００２７】次に、ステップＳ１２では、上記で作成し
たハッシュデータベースを検索して一つの描画パターン
ｐ１に関する描画データ〔ｘ1 ，ｙ1 ，ＩＤａ〕〔ＩＤ
ａ，ｗａ，ｈａ，ｄａ〕を抽出する。
たハッシュデータベースを検索して一つの描画パターン
ｐ１に関する描画データ〔ｘ1 ，ｙ1 ，ＩＤａ〕〔ＩＤ
ａ，ｗａ，ｈａ，ｄａ〕を抽出する。
【００２８】その後、ステップＳ１３では、ウエハ上の
レジスト膜に対して実パターンの露光を行う際の近接効
果を防止するために、上記描画データを補正する。この
補正は、自動ＯＰＣシステムを適用させて行うこととす
る。
レジスト膜に対して実パターンの露光を行う際の近接効
果を防止するために、上記描画データを補正する。この
補正は、自動ＯＰＣシステムを適用させて行うこととす
る。
【００２９】この際、上記実パターンの露光が上記電子
線を用いた直接描画露光である場合には、この描画露光
の際に生じる電子線近接効果を補正するために、上記描
画データを補正することとする。そして、この際補正す
る描画データは、上記描画パターンの形状データや電子
線の露光量データであることとす。ただし、形状データ
のみを補正する場合には、上記ステップＳ１１において
は形状データ〔ｗ，ｈ〕に対してのみハッシュインデッ
クスを付与すれば良い。
線を用いた直接描画露光である場合には、この描画露光
の際に生じる電子線近接効果を補正するために、上記描
画データを補正することとする。そして、この際補正す
る描画データは、上記描画パターンの形状データや電子
線の露光量データであることとす。ただし、形状データ
のみを補正する場合には、上記ステップＳ１１において
は形状データ〔ｗ，ｈ〕に対してのみハッシュインデッ
クスを付与すれば良い。
【００３０】一方、上記実パターンの露光が、上記電子
線を用いたリソグラフィーで形成されたフォトマスクを
用いての光露光である場合には、このフォトマスクを用
いた光露光の際に生じる光近接効果を補正するために、
上記描画データを補正することとする。この際補正する
描画データは形状データのみであり、上記ステップＳ１
においては形状データ〔ｗ，ｈ〕に対してのみハッシュ
インデックスを付与すれば良い。
線を用いたリソグラフィーで形成されたフォトマスクを
用いての光露光である場合には、このフォトマスクを用
いた光露光の際に生じる光近接効果を補正するために、
上記描画データを補正することとする。この際補正する
描画データは形状データのみであり、上記ステップＳ１
においては形状データ〔ｗ，ｈ〕に対してのみハッシュ
インデックスを付与すれば良い。
【００３１】ここでは、フォトマスクを用いた光露光の
際に生じる近接効果を補正することとし、描画パターン
ｐ1 を描画パターンｐ11及び描画パターンｐ12に補正す
る。この結果、描画パターンｐ1 の描画データ〔ｗａ，
ｈａ〕は、描画パターンｐ11の形状データ〔ｗｃ，ｈ
ｃ〕と描画パターンｐ12の形状データ〔ｗｅ，ｈｅ〕と
に補正される。
際に生じる近接効果を補正することとし、描画パターン
ｐ1 を描画パターンｐ11及び描画パターンｐ12に補正す
る。この結果、描画パターンｐ1 の描画データ〔ｗａ，
ｈａ〕は、描画パターンｐ11の形状データ〔ｗｃ，ｈ
ｃ〕と描画パターンｐ12の形状データ〔ｗｅ，ｈｅ〕と
に補正される。
【００３２】次に、ステップＳ１４では、上記補正した
描画データにハッシュインデックスを付与する。そし
て、描画パターンｐ11，ｐ12の描画位置を示すアドレス
データ〔ｘ，ｙ〕と上記ハッシュインデックス〔ＩＤ〕
とからなる下記新たなアドレステーブルを作成する。
描画データにハッシュインデックスを付与する。そし
て、描画パターンｐ11，ｐ12の描画位置を示すアドレス
データ〔ｘ，ｙ〕と上記ハッシュインデックス〔ＩＤ〕
とからなる下記新たなアドレステーブルを作成する。
【表３】
【００３３】また、上記ＩＤを付与された描画データと
からなる下記新たなハッシュテーブルを作成する。
からなる下記新たなハッシュテーブルを作成する。
【表４】 以上のようにして、上記アドレステーブルとハッシュテ
ーブルとからなる新たなハッシュデータベースを作成す
る。
ーブルとからなる新たなハッシュデータベースを作成す
る。
【００３４】次に、ステップＳ１５では、全ての描画パ
ターンの描画データを補正したか否かを判断し、補正が
行われていない描画パターンが残っている場合には、ス
テップＳ１２に戻り、以下上記ステップＳ１２〜ステッ
プＳ１４を繰り返し行う。
ターンの描画データを補正したか否かを判断し、補正が
行われていない描画パターンが残っている場合には、ス
テップＳ１２に戻り、以下上記ステップＳ１２〜ステッ
プＳ１４を繰り返し行う。
【００３５】この際、補正前と補正後とで同一の描画デ
ータになる描画パターンも存在する。また、補正後の描
画データにハッシュインデックスを付与する場合には、
既に登録された新たなハッシュデータベース中に同一の
描画データが存在する場合には、その描画データに付与
されたハッシュインデックスを引用して新たなハッシュ
データベースのアドレステーブルにのみ登録していく。
ータになる描画パターンも存在する。また、補正後の描
画データにハッシュインデックスを付与する場合には、
既に登録された新たなハッシュデータベース中に同一の
描画データが存在する場合には、その描画データに付与
されたハッシュインデックスを引用して新たなハッシュ
データベースのアドレステーブルにのみ登録していく。
【００３６】以上によって、下記に示す新たなハッシュ
データベースが作成される。
データベースが作成される。
【表５】
【００３７】そして、ステップＳ１５で、設計パターン
を構成する全ての描画パターンの補正が終了したと判断
さらた場合に、上記補正処理を終了させる。
を構成する全ての描画パターンの補正が終了したと判断
さらた場合に、上記補正処理を終了させる。
【００３８】上記露光パターンの補正方法は、レイアウ
ト設計された露光パターンに関する露光データを電子線
描画を行うために図形演算処理して得られた描画データ
に基づいて行われている。この描画データは図形種が単
純で且つ少ないため、容易にハッシュデータベース化で
きる。そして、描画データをハッシュデータベース化す
ることで、目的の描画パターンの描画データが高速で検
索され補正される。このため、露光パターンの近接効果
補正の処理時間が短縮化され、１チップレベルの補正を
自動ＯＰＣシステムを用いて実行することが可能にな
る。
ト設計された露光パターンに関する露光データを電子線
描画を行うために図形演算処理して得られた描画データ
に基づいて行われている。この描画データは図形種が単
純で且つ少ないため、容易にハッシュデータベース化で
きる。そして、描画データをハッシュデータベース化す
ることで、目的の描画パターンの描画データが高速で検
索され補正される。このため、露光パターンの近接効果
補正の処理時間が短縮化され、１チップレベルの補正を
自動ＯＰＣシステムを用いて実行することが可能にな
る。
【００３９】また、この補正方法では、補正された描画
データに基づいて新たなハッシュデータベースが作成さ
れることから、補正された露光データのデータ量を圧縮
された状態に保つことができる。
データに基づいて新たなハッシュデータベースが作成さ
れることから、補正された露光データのデータ量を圧縮
された状態に保つことができる。
【００４０】しかも、上記補正は、描画データ上で行わ
れることから、レイアウト設計された露光パターンその
ものを補正する必要はなく、この露光パターンを用いて
行われる回路シミュレーションに上記補正の影響が及ぶ
ことはない。したがって、より実パターンに近い露光パ
ターンで回路シミュレーションが行われるようになり、
回路シミュレーションの信頼性を向上させることが可能
になる。
れることから、レイアウト設計された露光パターンその
ものを補正する必要はなく、この露光パターンを用いて
行われる回路シミュレーションに上記補正の影響が及ぶ
ことはない。したがって、より実パターンに近い露光パ
ターンで回路シミュレーションが行われるようになり、
回路シミュレーションの信頼性を向上させることが可能
になる。
【００４１】図３は、上記補正方法を実行するための補
正装置の機能ブロック図である。以下のこの図を用いて
露光データの補正装置の実施の形態を説明する。図に示
すように、露光データの補正装置３は、入力手段３０
１，初期のハッシュデータベース作成手段３０２，描画
データ抽出手段３０３，描画データ補正手段３０４，及
び新たなハッシュデータベース作成手段３０５を備えて
いる。
正装置の機能ブロック図である。以下のこの図を用いて
露光データの補正装置の実施の形態を説明する。図に示
すように、露光データの補正装置３は、入力手段３０
１，初期のハッシュデータベース作成手段３０２，描画
データ抽出手段３０３，描画データ補正手段３０４，及
び新たなハッシュデータベース作成手段３０５を備えて
いる。
【００４２】上記入力手段３０１は、例えばキーボード
やタッチパネルのように、処理を行う描画パターンの描
画データを入力することができるものであれば特に限定
されるものではない。また、フロッピーディスク等の記
憶媒体に記憶されたパターンデータ等を入力する場合
や、他のデータ処理装置から描画データを転送入力する
場合には、この入力手段３０１はディスクドライブ等で
構成される。
やタッチパネルのように、処理を行う描画パターンの描
画データを入力することができるものであれば特に限定
されるものではない。また、フロッピーディスク等の記
憶媒体に記憶されたパターンデータ等を入力する場合
や、他のデータ処理装置から描画データを転送入力する
場合には、この入力手段３０１はディスクドライブ等で
構成される。
【００４３】また、上記初期のハッシュデータベース作
成手段３０２，描画データ抽出手段３０３，描画データ
補正手段３０４，及び新たなハッシュデータベース作成
手段３０５の各手段は、演算回路またはＲＡＭ，ＲＯ
Ｍ，光記憶媒体等の記憶手段内に記憶され、コンピュー
タのＣＰＵ等で処理されるプログラム情報等で構成され
る。
成手段３０２，描画データ抽出手段３０３，描画データ
補正手段３０４，及び新たなハッシュデータベース作成
手段３０５の各手段は、演算回路またはＲＡＭ，ＲＯ
Ｍ，光記憶媒体等の記憶手段内に記憶され、コンピュー
タのＣＰＵ等で処理されるプログラム情報等で構成され
る。
【００４４】そして、上記初期のハッシュデータベース
作成手段３０２は、上記露光データの補正方法における
ステップＳ１１を実行するための手段である。また、描
画データ抽出手段３０３は、上記露光データの補正方法
におけるステップＳ１２を実行するための手段である。
さらに、描画データ補正手段３０４は、上記露光データ
の補正方法におけるステップＳ１３を実行するための手
段であり、例えば自動ＯＰＣシステムであることとす
る。そして、新たなハッシュデータベース作成手段３０
５は、上記露光データの補正方法におけるステップＳ１
４を実行するための手段である。
作成手段３０２は、上記露光データの補正方法における
ステップＳ１１を実行するための手段である。また、描
画データ抽出手段３０３は、上記露光データの補正方法
におけるステップＳ１２を実行するための手段である。
さらに、描画データ補正手段３０４は、上記露光データ
の補正方法におけるステップＳ１３を実行するための手
段であり、例えば自動ＯＰＣシステムであることとす
る。そして、新たなハッシュデータベース作成手段３０
５は、上記露光データの補正方法におけるステップＳ１
４を実行するための手段である。
【００４５】上記露光データの補正装置３には、図示し
たように、出力データ作成手段３０６及び出力手段３０
７を設けても良い。上記出力データ作成手段３０６は、
新たなハッシュデータベース作成手段３０５で作成され
たされた新たなハッシュデータベースに基づいて電子線
描画を実行するための出力データを作成するための手段
であり、新たなハッシュデータベース作成手段３０５等
と同様にプログラム情報等で構成される。また、出力手
段３０７は、出力データ作成手段３０６で作成された描
画データを出力するための手段であり、例えばここでは
図示を省略した電子線描画装置の描画制御手段に描画デ
ータを出力するためのものである。
たように、出力データ作成手段３０６及び出力手段３０
７を設けても良い。上記出力データ作成手段３０６は、
新たなハッシュデータベース作成手段３０５で作成され
たされた新たなハッシュデータベースに基づいて電子線
描画を実行するための出力データを作成するための手段
であり、新たなハッシュデータベース作成手段３０５等
と同様にプログラム情報等で構成される。また、出力手
段３０７は、出力データ作成手段３０６で作成された描
画データを出力するための手段であり、例えばここでは
図示を省略した電子線描画装置の描画制御手段に描画デ
ータを出力するためのものである。
【００４６】上記構成の露光データの補正装置３によれ
ば、上記第１実施形態で説明した露光データの補正方法
を実行することが可能になる。
ば、上記第１実施形態で説明した露光データの補正方法
を実行することが可能になる。
【００４７】（第２実施形態）次に、図４は本発明の露
光データの補正方法の実施の形態を示すフローチャート
であり、図５は露光データの補正方法の実施の形態を説
明するパターン図である。以下に、これらの図面を用い
て露光データの補正方法の実施の形態を説明する。
光データの補正方法の実施の形態を示すフローチャート
であり、図５は露光データの補正方法の実施の形態を説
明するパターン図である。以下に、これらの図面を用い
て露光データの補正方法の実施の形態を説明する。
【００４８】先ず、ステップＳ４１では、上記第１実施
形態と同様の描画データに基づいて描画領域をメッシュ
分割する。各メッシュ領域５１，５２…の広さは、実デ
バイスの露光に用いるエネルギー線が散乱する範囲に対
応させることとする。この際、上記露光が電子線を用い
た直接描画露光である場合には、この描画露光の際に電
子線が散乱する範囲である。一方、上記露光がフォトマ
スクを用た光露光である場合には、この光露光の際に露
光光が散乱する範囲に対応させる。すなわち、実デバイ
スの露光の際の電子線近接効果または光近接効果が及ぶ
範囲をＲとした場合、露光領域Ｒ×Ｒの広さに対応させ
て電子線描画の際の描画領域をメッシュ分割する。一例
として、上記露光に電子線を用いる場合には、メッシュ
領域の大きさは５μｍ×５μｍ〜１０μｍ×１０μｍ程
度である。
形態と同様の描画データに基づいて描画領域をメッシュ
分割する。各メッシュ領域５１，５２…の広さは、実デ
バイスの露光に用いるエネルギー線が散乱する範囲に対
応させることとする。この際、上記露光が電子線を用い
た直接描画露光である場合には、この描画露光の際に電
子線が散乱する範囲である。一方、上記露光がフォトマ
スクを用た光露光である場合には、この光露光の際に露
光光が散乱する範囲に対応させる。すなわち、実デバイ
スの露光の際の電子線近接効果または光近接効果が及ぶ
範囲をＲとした場合、露光領域Ｒ×Ｒの広さに対応させ
て電子線描画の際の描画領域をメッシュ分割する。一例
として、上記露光に電子線を用いる場合には、メッシュ
領域の大きさは５μｍ×５μｍ〜１０μｍ×１０μｍ程
度である。
【００４９】次に、ステップＳ４２では、描画領域をメ
ッシュ分割してなる各メッシュ領域５１，５２…に配置
される上記描画データにハッシュインデックスを付与す
る。この描画データは、上記第１実施形態と同様のデー
タであることとする。そして、例えば、各メッシュ領域
のアドレスデータ〔Ｙ，Ｘ〕と、メッシュ領域内におけ
る描画パターンの描画位置を示すアドレスデータ〔ｘ，
ｙ〕と上記ハッシュインＩＤとからなる下記アドレステ
ーブルを作成する。
ッシュ分割してなる各メッシュ領域５１，５２…に配置
される上記描画データにハッシュインデックスを付与す
る。この描画データは、上記第１実施形態と同様のデー
タであることとする。そして、例えば、各メッシュ領域
のアドレスデータ〔Ｙ，Ｘ〕と、メッシュ領域内におけ
る描画パターンの描画位置を示すアドレスデータ〔ｘ，
ｙ〕と上記ハッシュインＩＤとからなる下記アドレステ
ーブルを作成する。
【表６】
【００５０】また、上記第１実施形態と同様に、ＩＤを
付与された描画データとからなる下記ハッシュテーブル
を作成する。
付与された描画データとからなる下記ハッシュテーブル
を作成する。
【表７】 以上のようにして、上記アドレステーブルとハッシュテ
ーブルとからなる初期のハッシュデータベースを作成す
る。
ーブルとからなる初期のハッシュデータベースを作成す
る。
【００５１】次に、ステップＳ４３では、上記で作成し
たハッシュデータベースを検索して一つの描画パターン
（この描画パターンを目的描画パターンとする）ｐに関
する描画データ〔ｘ5 ，ｙ5 ，ＩＤｂ〕〔ＩＤｂ，ｗ
ｂ，ｈｂ，ｄｂ〕を抽出する。
たハッシュデータベースを検索して一つの描画パターン
（この描画パターンを目的描画パターンとする）ｐに関
する描画データ〔ｘ5 ，ｙ5 ，ＩＤｂ〕〔ＩＤｂ，ｗ
ｂ，ｈｂ，ｄｂ〕を抽出する。
【００５２】その後、ステップＳ４４では、この目的描
画パターンｐが配置されるメッシュ領域５５を中心メッ
シュ領域５５とし、この中心メッシュ領域５５内とこの
周囲に位置する８つの周辺メッシュ領域５１，５２…内
の描画データを検索する。
画パターンｐが配置されるメッシュ領域５５を中心メッ
シュ領域５５とし、この中心メッシュ領域５５内とこの
周囲に位置する８つの周辺メッシュ領域５１，５２…内
の描画データを検索する。
【００５３】そして、ステップＳ４５では、上記検索の
結果、上記９つのメッシュ領域５１，５２…内に、上記
で抽出した目的描画パターンｐ以外の別の描画パターン
が有るか否かを判断する。
結果、上記９つのメッシュ領域５１，５２…内に、上記
で抽出した目的描画パターンｐ以外の別の描画パターン
が有るか否かを判断する。
【００５４】そして、上記ステップＳ４５において、上
記別の描画パターンが有ると判断された場合には、ステ
ップＳ４６に進む。ステップＳ４６では、抽出した目的
描画パターンｐの描画データを、相互近接効果補正す
る。一方、上記ステップＳ４５において、上記別の描画
パターンが無いと判断された場合には、ステップＳ４７
に進む。ステップＳ４７では、抽出した描画パターンｐ
の描画データを、自己近接効果補正する。ここでの補正
は、上記第１実施形態と同様に自動ＯＰＣシステムによ
って行う。
記別の描画パターンが有ると判断された場合には、ステ
ップＳ４６に進む。ステップＳ４６では、抽出した目的
描画パターンｐの描画データを、相互近接効果補正す
る。一方、上記ステップＳ４５において、上記別の描画
パターンが無いと判断された場合には、ステップＳ４７
に進む。ステップＳ４７では、抽出した描画パターンｐ
の描画データを、自己近接効果補正する。ここでの補正
は、上記第１実施形態と同様に自動ＯＰＣシステムによ
って行う。
【００５５】その後、ステップＳ４８を、上記第１実施
形態のステップＳ１４と同様に行い、補正した描画デー
タにハッシュインデックスを付与（または引用して）新
たなハッシュデータベースを作成していく。
形態のステップＳ１４と同様に行い、補正した描画デー
タにハッシュインデックスを付与（または引用して）新
たなハッシュデータベースを作成していく。
【００５６】次のステップＳ４９では、中心メッシュ領
域５５内における全ての描画パターンの補正が終了した
か否かの判断を行う。そして、中心メッシュ領域５５内
における全ての描画パターンの補正が終了するまで上記
ステップＳ４３〜Ｓ４８を繰り返し行う。
域５５内における全ての描画パターンの補正が終了した
か否かの判断を行う。そして、中心メッシュ領域５５内
における全ての描画パターンの補正が終了するまで上記
ステップＳ４３〜Ｓ４８を繰り返し行う。
【００５７】そして、中心メッシュ領域５５内における
全ての描画パターンの補正が終了した後のステップＳ５
０では、全てのメッシュ領域５１，５２…における描画
パターンの補正が終了したか否かの判断を行う。そし
て、全てのメッシュ領域における描画パターンの補正が
終了するまで上記ステップＳ４３〜ステップＳ４９を繰
り返し行う。以上によって、描画データを近接効果補正
してなる描画データに基づく新たなハッシュデータベー
スが作成される。
全ての描画パターンの補正が終了した後のステップＳ５
０では、全てのメッシュ領域５１，５２…における描画
パターンの補正が終了したか否かの判断を行う。そし
て、全てのメッシュ領域における描画パターンの補正が
終了するまで上記ステップＳ４３〜ステップＳ４９を繰
り返し行う。以上によって、描画データを近接効果補正
してなる描画データに基づく新たなハッシュデータベー
スが作成される。
【００５８】上記露光データの補正方法では、描画領域
を露光の際の近接効果が及ぶ範囲に対応させてメッシュ
分割し、補正のための検索する範囲を限定することで、
補正処理のために展開して計算処理を行うべき領域を中
心のメッシュ領域とその周辺のメッシュ領域とに縮小す
ることができる。このため、第１実施形態の補正方法よ
りもさらに補正処理速度を高速化することが可能にな
る。
を露光の際の近接効果が及ぶ範囲に対応させてメッシュ
分割し、補正のための検索する範囲を限定することで、
補正処理のために展開して計算処理を行うべき領域を中
心のメッシュ領域とその周辺のメッシュ領域とに縮小す
ることができる。このため、第１実施形態の補正方法よ
りもさらに補正処理速度を高速化することが可能にな
る。
【００５９】図６は、上記補正方法を実行するための補
正装置の機能ブロック図である。以下のこの図を用いて
露光データの補正装置の実施の形態を説明する。尚、上
記第１実施形態で説明した露光データの補正装置と同様
の構成部品には同様の符号を付して説明を行う。
正装置の機能ブロック図である。以下のこの図を用いて
露光データの補正装置の実施の形態を説明する。尚、上
記第１実施形態で説明した露光データの補正装置と同様
の構成部品には同様の符号を付して説明を行う。
【００６０】図に示すように、露光データ補正装置６
は、入力手段３０１，メッシュ分割手段６０１，初期の
ハッシュデータベース作成手段６０２，描画データ抽出
手段６０３，判別手段６０４，相互近接効果補正手段６
０５，自己近接効果補正手段６０６，及び新たなハッシ
ュデータベース作成手段３０５を備えている。
は、入力手段３０１，メッシュ分割手段６０１，初期の
ハッシュデータベース作成手段６０２，描画データ抽出
手段６０３，判別手段６０４，相互近接効果補正手段６
０５，自己近接効果補正手段６０６，及び新たなハッシ
ュデータベース作成手段３０５を備えている。
【００６１】上記入力手段３０１は、上記第１実施形態
の補正装置の入力手段と同様のものである。また、上記
メッシュ分割手段６０１，初期のハッシュデータベース
作成手段６０２，描画データ抽出手段６０３，判別手段
６０４，相互近接効果補正手段６０５，自己近接効果補
正手段６０６，及び新たなハッシュデータベース作成手
段３０５の各手段は、演算回路またはＲＡＭ，ＲＯＭ，
光記憶媒体等の記憶手段内に記憶され、コンピュータの
ＣＰＵ等で処理されるプログラム情報等で構成される。
の補正装置の入力手段と同様のものである。また、上記
メッシュ分割手段６０１，初期のハッシュデータベース
作成手段６０２，描画データ抽出手段６０３，判別手段
６０４，相互近接効果補正手段６０５，自己近接効果補
正手段６０６，及び新たなハッシュデータベース作成手
段３０５の各手段は、演算回路またはＲＡＭ，ＲＯＭ，
光記憶媒体等の記憶手段内に記憶され、コンピュータの
ＣＰＵ等で処理されるプログラム情報等で構成される。
【００６２】そして、上記メッシュ分割手段６０１は、
上記露光データの補正方法におけるステップＳ４１を実
行するための手段であり、新たなハッシュデータベース
作成手段３０５はステップＳ４２を実行するための手段
である。また、描画データ抽出手段６０３は上記ステッ
プＳ４３を実行するための手段であり、判別手段６０４
は上記ステップＳ４４及びステップＳ４５を実行するた
めの手段である。そして、相互近接効果補正手段６０５
は上記露光データの補正方法におけるステップＳ４６を
実行するための手段であり、自己近接効果補正手段６０
６はステップＳ４７を実行するための手段である。これ
らの補正手段６０５，６０６は、例えば自動ＯＰＣシス
テムであることとする。そして、新たなハッシュデータ
ベース作成手段３０５は、上記ステップＳ４８を実行す
るための手段であり、上記第１実施形態と同様のもので
ある。さらに、上記露光データの補正装置６には、図示
したように、上記第１実施形態の補正装置と同様の出力
データ作成手段３０６及び出力手段３０７を設けても良
い。
上記露光データの補正方法におけるステップＳ４１を実
行するための手段であり、新たなハッシュデータベース
作成手段３０５はステップＳ４２を実行するための手段
である。また、描画データ抽出手段６０３は上記ステッ
プＳ４３を実行するための手段であり、判別手段６０４
は上記ステップＳ４４及びステップＳ４５を実行するた
めの手段である。そして、相互近接効果補正手段６０５
は上記露光データの補正方法におけるステップＳ４６を
実行するための手段であり、自己近接効果補正手段６０
６はステップＳ４７を実行するための手段である。これ
らの補正手段６０５，６０６は、例えば自動ＯＰＣシス
テムであることとする。そして、新たなハッシュデータ
ベース作成手段３０５は、上記ステップＳ４８を実行す
るための手段であり、上記第１実施形態と同様のもので
ある。さらに、上記露光データの補正装置６には、図示
したように、上記第１実施形態の補正装置と同様の出力
データ作成手段３０６及び出力手段３０７を設けても良
い。
【００６３】上記構成の露光データ補正装置６によれ
ば、上記第２実施形態で説明した露光データの補正方法
を実行することが可能になる。
ば、上記第２実施形態で説明した露光データの補正方法
を実行することが可能になる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、露
光データを演算処理して得られた描画データをハッシュ
データベース化して描画データの補正を行うことで、目
的の描画パターンの描画データを高速で検索して補正す
ることが可能になり、露光データの近接効果補正の処理
時間を短縮化することがでる。したがって、補正処理及
びマスク設計や描画データ作成のＴＡＴを向上させるこ
とが可能になると共に、。１チップレベルの露光データ
の補正に自動ＯＰＣシステムを適用することが可能にな
る。また、補正された描画データに基づいて新たなハッ
シュデータベースを作成することで、補正された露光デ
ータのデータ量を圧縮することができる。そして、描画
領域をメッシュ分割することで、補正処理のために展開
するべき領域を限定することができ、描画データの補正
処理速度をさらに高速化することができる。しかも、上
記補正を描画データ上で行うことで、レイアウト設計さ
れた露光パターンを用いて行われる回路シミュレーショ
ンの信頼性を向上させることができる。
光データを演算処理して得られた描画データをハッシュ
データベース化して描画データの補正を行うことで、目
的の描画パターンの描画データを高速で検索して補正す
ることが可能になり、露光データの近接効果補正の処理
時間を短縮化することがでる。したがって、補正処理及
びマスク設計や描画データ作成のＴＡＴを向上させるこ
とが可能になると共に、。１チップレベルの露光データ
の補正に自動ＯＰＣシステムを適用することが可能にな
る。また、補正された描画データに基づいて新たなハッ
シュデータベースを作成することで、補正された露光デ
ータのデータ量を圧縮することができる。そして、描画
領域をメッシュ分割することで、補正処理のために展開
するべき領域を限定することができ、描画データの補正
処理速度をさらに高速化することができる。しかも、上
記補正を描画データ上で行うことで、レイアウト設計さ
れた露光パターンを用いて行われる回路シミュレーショ
ンの信頼性を向上させることができる。
【図１】第１実施形態の露光データ補正方法のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２】第１実施形態の露光データ補正方法を説明する
パターン図である。
パターン図である。
【図３】第１実施形態の露光データ補正装置の機能ブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】第２実施形態の露光データ補正方法のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】第２実施形態におけるメッシュ分割を説明する
パターン図である。
パターン図である。
【図６】第２実施形態の露光データ補正装置の機能ブロ
ック図である。
ック図である。
３，６ 露光データ補正手段 ３０２，６０２ 初期のハッシュデータベース作成手段 ３０３，６０３ 描画データ抽出手段 ３０４ デー
タ補正手段 ３０５ 新たなハッシュデータベース作成手段 ６０
１ メッシュ分割手段 ６０４ 判別手段 ６０５ 相互近接効果補正手段 ６０６ 自己近接効果補正手段
タ補正手段 ３０５ 新たなハッシュデータベース作成手段 ６０
１ メッシュ分割手段 ６０４ 判別手段 ６０５ 相互近接効果補正手段 ６０６ 自己近接効果補正手段
Claims (14)
- 【請求項１】 露光の際の近接効果を補正するために、
レイアウト設計された露光パターンに関する露光データ
を補正する方法であって、 前記露光データを演算処理して得られた描画パターンに
ハッシュインデックスを付与して初期のハッシュデータ
ベースを作成する工程と、 前記初期のハッシュデータベースを検索して目的の描画
パターンの描画データを抽出する工程と、 露光を行う際の近接効果を防止するために、前記目的の
描画パターンの描画データを補正する工程と、 前記補正された描画データにハッシュインデックスを付
与して新たなハッシュデータベースを作成する工程とを
行うことを特徴とする露光データの補正方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の露光データの補正方法に
おいて、 前記初期のハッシュデータベースを作成する工程は、 前記露光に用いるエネルギー線が散乱する範囲の広さに
対応させて描画領域をメッシュ分割する工程と、 前記各メッシュ領域に配置される前記描画パターンの描
画データにハッシュインデックスを付与してハッシュデ
ータベースを作成する工程とからなり、 前記描画データを補正する工程は、 前記目的描画パターンが配置される中心メッシュ領域と
その周囲に配置される周辺メッシュ領域との内部を検索
し、当該内部に当該目的の描画パターン以外の別の描画
パターンが有るか否かを判断する工程と、 前記別の描画パターンが有る場合に、前記目的の描画パ
ターンの描画データを相互近接効果補正する工程と、 前記別の描画パターンが無い場合に、前記目的の描画パ
ターンの描画データを自己近接効果補正する工程とから
なることを特徴とする露光データの補正方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の露光デー
タの補正方法において、 前記描画データの補正は、前記露光パターンを直接描画
露光するための描画パターンに対して行われ、 前記描画データは、前記描画パターンの形状データ及び
前記露光の際の露光量データのうちの少なくともいづれ
か一方であることを特徴とする露光データの補正方法。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２記載の露光デー
タの補正方法において、 前記描画データの補正は、前記露光パターン形成用のフ
ォトマスクを形成するための描画パターンに対して行わ
れ、 前記描画データは、前記フォトマスクを形成するための
描画パターンの形状データであることを特徴とする露光
データの補正方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいづれかに記載の露光デ
ータの補正方法によって補正された描画データを用いて
描画露光を行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいづれかに記載の露光デ
ータの補正方法によって補正された描画データを用いた
描画露光で形成されたパターンを有するフォトマスクを
用いて露光を行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項７】 請求項１〜４のいづれかに記載の露光デ
ータの補正方法によって補正された描画データを用いた
描画露光で形成されたパターンを有することを特徴とす
るフォトマスク。 - 【請求項８】 請求項１〜４のいづれかに記載の露光デ
ータの補正方法によって補正された描画データを用いた
描画露光で形成されたパターンを有するフォトマスクを
用いてリソグラフィー加工して製造された半導体装置。 - 【請求項９】 露光の際の近接効果を補正するために、
レイアウト設計された露光パターンに関する露光データ
を補正する装置であって、 前記露光データを演算処理して得られた描画パターンの
描画データにハッシュインデックスを付与して初期のハ
ッシュデータベースを作成する手段と、 前記初期のハッシュデータベースを検索して目的の描画
パターンの描画データを抽出する手段と、 露光を行う際の近接効果を防止するために、前記目的の
描画パターンの描画データを補正する手段と、 前記補正された描画データにハッシュインデックスを付
与して新たなハッシュデータベースを作成する手段とを
具備してなることを特徴とする露光データの補正装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の露光データの補正装置
において、 前記初期のハッシュデータベースを作成する手段は、 前記露光に用いるエネルギー線が散乱する範囲の広さに
対応させて描画領域をメッシュ分割する手段と、 前記各メッシュ領域に配置される前記描画パターンの描
画データにハッシュインデックスを付与してハッシュデ
ータベースを作成する手段とからなり、 前記描画データを補正する手段は、 前記目的の描画パターンが配置される中心メッシュ領域
とその周囲に配置される周辺メッシュ領域との内部を検
索し、当該内部に当該目的の描画パターン以外の別の描
画パターンが有るか否かを判断する判別手段と、 前記別の描画パターンが有る場合に、前記目的の描画パ
ターンの描画データを相互近接効果補正する手段と、 前記別の描画パターンが無い場合に、前記目的の描画パ
ターンの描画データを自己近接効果補正する手段とから
なることを特徴とする露光データの補正装置。 - 【請求項１１】 請求項９または請求項１０記載の露光
データの補正装置において、 前記描画データの補正は、前記露光パターンを直接描画
露光するための描画パターンに対して行われ、 前記描画データは、前記描画パターンの形状データ及び
前記露光の際の露光量データのうちの少なくともいづれ
か一方であることを特徴とする露光データの補正装置。 - 【請求項１２】 請求項９または請求項１０記載の露光
データの補正装置において、 前記描画データの補正は、前記露光パターン形成用のフ
ォトマスクを形成するための描画パターンに対して行わ
れ、 前記描画データは、前記フォトマスクを形成するための
描画パターンの形状データであることを特徴とする露光
データの補正装置。 - 【請求項１３】 請求項９〜１２のいづれかに記載の露
光データの補正装置と、 前記補正装置で補正された描画データを用いて描画露光
を行う露光手段とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１４】 請求項９〜１２のいづれかに記載の露
光データの補正装置と、 前記補正装置で補正された描画データを用いた描画露光
によって形成されたフォトマスクを用いて露光を行う露
光手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31160996A JPH10153851A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 露光データの補正方法，露光方法，フォトマスク，半導体装置，露光データの補正装置，露光装置及び半導体装置の製造装置 |
| US08/972,050 US6144760A (en) | 1996-11-22 | 1997-11-17 | Exposure data correction method, exposing method, photomask, semiconductor device, exposure data correction apparatus, exposure apparatus, and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| EP97402803A EP0844533A3 (en) | 1996-11-22 | 1997-11-21 | Correction of exposure data, particularly in manufacturing of semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31160996A JPH10153851A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 露光データの補正方法，露光方法，フォトマスク，半導体装置，露光データの補正装置，露光装置及び半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10153851A true JPH10153851A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18019319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31160996A Pending JPH10153851A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 露光データの補正方法，露光方法，フォトマスク，半導体装置，露光データの補正装置，露光装置及び半導体装置の製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6144760A (ja) |
| EP (1) | EP0844533A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10153851A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059794A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | 描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
| JP2004226965A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-08-12 | Lsi Logic Corp | 光近接効果補正のために集積回路を分類する方法及びシステム |
| JP2006276745A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 |
| US7571416B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Automatic design device, method, and program for semiconductor integrated circuits |
| JP2017027988A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3406506B2 (ja) * | 1997-03-24 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | フォトマスクのパターン補正方法およびフォトマスクのパターン補正装置 |
| US6289412B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-09-11 | Legend Design Technology, Inc. | Layout synopsizing process for efficient layout parasitic extraction and circuit simulation in post-layout verification |
| JP2000150341A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Nec Corp | 荷電粒子線直描データ作成方法、荷電粒子線直描データ検証方法、荷電粒子線直描データ表示方法及び露光装置 |
| JP2001015421A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Canon Inc | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051598A (en) * | 1990-09-12 | 1991-09-24 | International Business Machines Corporation | Method for correcting proximity effects in electron beam lithography |
| US5305225A (en) * | 1991-04-30 | 1994-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle litography method and apparatus |
| US5377340A (en) * | 1991-06-18 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for memory interleaving using an improved hashing scheme |
| JPH06333796A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Fujitsu Ltd | 露光データ処理方法及び装置 |
| US5553273A (en) * | 1995-04-17 | 1996-09-03 | International Business Machines Corporation | Vertex minimization in a smart optical proximity correction system |
-
1996
- 1996-11-22 JP JP31160996A patent/JPH10153851A/ja active Pending
-
1997
- 1997-11-17 US US08/972,050 patent/US6144760A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-21 EP EP97402803A patent/EP0844533A3/en not_active Withdrawn
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| JP2003059794A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | 描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
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| KR100721048B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-05-22 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 포토마스크의 제조 방법 및 그 포토마스크를 이용한 반도체장치의 제조 방법 |
| JP4728676B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-07-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | フォトマスクの製造方法、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0844533A2 (en) | 1998-05-27 |
| US6144760A (en) | 2000-11-07 |
| EP0844533A3 (en) | 1999-12-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040106 |