JP2006276745A - フォトマスクの製造方法、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、フォトマスク上のレイアウトパターン形成する上で、近接露光効果の影響を補償ため、レイアウトの補正を求めるための計算時間を短縮して、フォトマスクの製造時間を短縮する製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
上記の問題を解決するため、設計データに基づくフォトマスクの製造方法を提供する。その製造方法は、フォトマスク上のレイアウトパターンの図形要素に対して、近接露光効果により影響を及ぼす図形要素とから図形要素群を形成し、また、同内容の図形要素群を表すデータ群に、同内容の識別データを付加し、図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を見積もり、さらに、露光時に、近接露光効果による影響を補償する補正図形要素を表す補正データを生成し、同内容の識別データを有するデータに対して、同内容の補正データを対応させて作成した、図形データを用いて、フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程を備えることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、製造期間の短縮に好適な、フォトマスクの製造方法、及び、そのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法に関し、特にフォトマスク上のパターンを形成するデータの作成について、短縮化を図った、フォトマスクの製造方法、及び、そのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の素子サイズの微細化に伴って、半導体装置の製造を行うためのフォトリソグラフィー工程で形成するレジストパターンの微細化が求められている。ここで、フォトマスクに照明をあて、レジストを露光すると、フォトマスク上のパターンが転写され、そのレジストパターンは形成される。そのため、レジストパターンの微細化が進み、レジストパターンのパターンサイズが、レジストパターンの形成に用いられる光の波長に近づくと、フォトマスク上のパターンが、近接露光効果により、変形して転写される。

そこで、レジストパターンの変形を抑止するため、近接露光効果によるレジストパターンの変形を、シミュレーション等により、予め予想して、元のフォトマスク上のパターンに補正を加えることが行われている。

しかし、上記のシミュレーションを計算機で行う場合、フォトマスク上のパターンが膨大なものであるため、計算処理に時間を要する。従って、その計算処理時間を短縮して、迅速にフォトマスク上のパターンの補正を行う手法として、種々の提案例があり、例えば、以下の従来例がある。（例えば、特許文献１）
本従来例では、入力レイアウトの補正対象に対して設定した補正対象領域を設け、さらに、補正対象領域に対して、一定量外側に大きくしたパターンマッチング領域を設定する。次に、パターンマッチング領域内のパターンレイアウトを抽出する。続いて、パターンマッチング領域のグリッドを当初のグリッドから、それより大きいグリッドへ変換する。次に、パターン領域について、パターンマッチングを行う。そうすると、パターンマッチングの結果、当初のグリッドを使用していたときは、パターンマッチング領域は、例えば、３種類と分類されたが、グリッドを変換した後は、分類されたパターンマッチング領域は２種類に減少する。

次に、すべての補正対象領域についてパターンマッチングを行った後、分類されたパターンマッチング領域を補正する。各パターンマッチング領域を補正した結果を入力レイアウト全体に反映させた結果、補正後のレイアウトが得られる。

すなわち、グリッド変換を行ったことにより、パターンマッチング領域の種類を減少させることができる。そうすると、パターンマッチング領域を補正するための計算時間を短縮することができる。また、一つのパターンマッチング領域について計算したパターンの補正結果を、他の同一種類のパターンマッチング領域についても利用し、入力レイアウト全体に反映させるための、計算処理時間も短縮することもできる。
特開２００１−１３６６９

半導体装置の素子サイズの微細化に伴い、フォトマスク上のレイアウトパターンが増加する。そうすると、近接露光効果の影響を補償するため、レイアウトの補正を求めるための計算時間が増加する。その結果、フォトマスク上のレイアウトパターンのデータを作成するための時間が長くなるため、フォトマスクを製造する時間が増加する問題がある。そこで、本発明は、フォトマスクの製造時間を短縮する製造方法を提供することを課題とする。

また、フォトマスク上のレイアウトパターンの増加により、パターンマッチング領域が増加することとなるため、パターンマッチング操作により、パターンマッチング領域同士の一致、不一致の判断のための計算時間は増加することになる。そこで、一致、不一致の判断のための計算時間を短縮することにより、フォトマスクを製造する時間を短縮する、フォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。

さらに、フォトマスク上のレイアウトパターンの設計グリッドを大きくすることなく、レイアウトの補正を求めるための計算が行われるため、レイアウトパターンの精度を落とすことなく、すなわち、半導体装置に転写されるレジストパターンの精度も落とすことなくフォトマスクを製造する時間を短縮する製造方法を提供することを課題とする。

上記の問題を解決するため、第１の発明は、複数の図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造方法を提供する。その製造方法は設計データの内から、図形要素を表すデータを抽出する工程と、その図形要素、及び、その図形要素に対して近接露光効果により影響を及ぼす図形要素とから図形要素群を形成する工程を有する。また、その製造方法は同内容の図形要素群を表すデータ群に、同内容の識別データを付加する工程と、図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を見積もる工程を有する。さらに、露光時に、近接露光効果による影響を補償する補正図形要素を表す補正データを生成する工程と、同内容の識別データを有するデータに対して、同内容の補正データを対応させることにより、複数の補正図形要素を表す図形データを構成する工程を有する。加えて、その製造方法は、その図形データを用いて、フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する。

上記の問題を解決するため、第２の発明は、第１の発明で提供するフォトマスクの製造方法を実施するための製造装置を提供する。

また、第３の発明は、第１の発明の製造方法で製造したフォトマスクを利用した半導体装置の製造方法を提供する。

第１の発明によれば、フォトマスクのマスク図形に係る図形要素に対して、近接露光効果により影響を及ぼす図形要素群を表すデータに識別データを付与する。そして、近接露光効果を補償する補正図形要素を表すデータを生成する場合に、一部の図形要素を表すデータに対して補正図形要素を表すデータを生成した後、その補正図形要素を表すデータを、同内容の識別データを有する、他の図形要素を表すデータへ展開する。そうすると、補正図形要素を作成すべき図形要素を、図形要素群を表すデータに付与された識別データに基づき簡単に検索及び分類ができ、補正図形要素を作成すべき図形要素を特定する時間が短縮できる。従って、補正図形要素を表すデータを生成する時間を短縮することができる。また、補正図形要素を作成すべき図形要素の種類が多くても、補正図形要素を表すデータでフォトマスクのレイアウトデータを構築する際に短い時間で行うことができる。従って、フォトマスクの製造時間を短縮することができる。

第２の発明によれば、フォトマスクの製造に要する時間を短縮することができる装置を提供できる。また、第３の発明によれば、高精度のフォトマスクを利用することになるので、加工の精度が高い半導体装置を提供することができる。

以下、本発明の実施例１、実施例２、及び、実施例３について説明する

図１、図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図10、及び、図11を用いて、実施例１のフォトマスクの製造方法について説明する。ここで、フォトマスクとは、一般に石英ガラス上に金属薄膜のパターンが形成されているものをいう。そして、フォトマスクは、フォトマスクに照明をあて、フォトマスク上の金属薄膜のパターンを、半導体装置を形成する半導体基板上に塗布された感光硬化膜、いわゆる、レジストに転写するために用いられる。また、フォトマスク上の金属薄膜のパターンが転写されてできたレジストのパターンをマスクに、半導体基板上の材料をエッチングすることにより、半導体装置の回路パターンが形成される。

図１は、実施例１のフォトマスクの製造方法の工程を示すフローチャート図である。そして、図１において、１は「レチクル製造開始」、２は「設計データ作成」、３は「設計データ検証」、４は「近接露光効果補正」、５は「近接露光効果補正検証」、６は「露光パターン形成」、７は「線幅検証」、８は「エッチングによる金属薄膜パターン形成」、９は「設計データ修正」、10は「補正パラメータの修正」、11は「露光条件の変更」、12は「レチクル製造終了」をそれぞれ示す。

レチクル製造開始１の工程はレチクル製造の開始時点を表す。ここで、レチクルとは、一般的にいって、石英ガラス上に金属薄膜のパターンが形成されているものをいい、フォトマスクの一種類である。なお、一般的にいって、レチクル上の金属薄膜のパターンは、半導体装置の１チップから数チップ分の回路パターンを形成するためのパターンから構成されている。すなわち、半導体装置を形成する半導体基板の部分領域に、レチクル上の金属薄膜のパターンを転写するために用いられるものである。

設計データ作成２の工程はレチクル上の金属薄膜のパターンを形成するために用いられる設計データを作成する工程である。

設計データ検証３の工程は設計データが設計ルール通りに作成されているかを検証する工程である。ここで、設計ルールとは、レチクル上の金属薄膜のパターンを形成する上での制限事項をいう。例えば、金属薄膜のパターンの最小線幅の確保、最小パターン間隔の確保、及び、鋭角パターンの排除のための制限事項がある。そして、設計データが設計ルールを満たす場合は、近接露光効果補正４の工程に進む。一方、設計データが設計ルールを満たさない場合は、設計データ修正９の工程に進む。

設計データ修正９の工程は、設計ルールを満たさない設計データ部分について、設計ルールに合うように、設計データを修正する工程である。

近接露光効果補正４の工程は、後に、図２を用いて詳細に説明するが、概略は以下のような工程である。まず、レチクルに対して照明をあてると、レチクル上の金属薄膜パターンの投影像が得られる。その投影像をレンズに通すと、縮小投影像が得られる。ここで、レチクル上の金属薄膜パターンが、照明光の波長に近づくと、いわゆる、光の近接露光効果により、その縮小投影像は、金属薄膜パターンの完全な相似形ではなくなる。そこで、レチクル上の金属薄膜パターンを変形させて、縮小投影影像が変形前の金属薄膜パターンと相似形となるように、変形前の金属薄膜パターンを形成するための設計データを補正する必要がある。従って、近接露光効果補正４の工程は、上記の設計データを補正して、変形後のレチクル上の金属薄膜パターンを形成するための図形データを生成する工程である。

近接露光効果補正検証５の工程は、設計データの補正が、上記の縮小投影影像を得るのに適切な補正であるかを検証する工程である。そして、設計データの補正が適切である場合は、露光パターン形成工程６の工程に進む。一方、設計データが適切でない場合は、補正パラメータの修正10の工程へ進む。

露光パターン形成６の工程は、補正を行った設計データ、すなわち、上記の図形データを用いて、図形描画装置のビームを操作して、金属薄膜上のレジストパターンを形成する工程である。

線幅検証７の工程は、露光パターン形成６の工程で形成したレジストパターンの線幅を検証する工程である。レジストパターンの線幅が規格値以内であれば、エッチングによる金属薄膜形成８の工程へ進む。レジストパターンの線幅が規格値以内でなければ、露光条件の変更11の工程へ進む。

露光条件の変更11の工程は、露光パターン形成６の工程で形成されたレジストパターンの線幅を規格値以内に納めるために、電子ビーム露光装置の電子ビームの露光条件を変更する工程である。ただし、電子ビームの露光条件だけでは、レジストパターンの線幅を規格値以内に納めることができないと判断するときは、補正パラメータの修正10の工程へ進む。そして、改めて、近接露光効果補正４の工程を行う。

エッチングによる金属薄膜パターン形成８の工程は、露光パターン形成６の工程で形成したレジストパターンをマスクに、金属薄膜をエッチングして、金属薄膜パターン形成する工程である。

以上の工程を行うことにより、石英ガラス上に金属薄膜パターンが形成され、レチクルの製造が終了する。すなわち、レチクル製造終了12の段階となる。

図２は、図１のフローチャートに示した近接露光効果補正の工程の詳細を示したフローチャートである。図２において、15は近接露光効果補正開始、16は設計データの初期処理工程、17は図形要素抽出工程、18は識別データ付与工程、19は図形要素群の設定工程、20は識別データ付与工程、21は近接露光効果見積もり工程、22は補正図形の生成工程、23は検査工程、24は図形要素を展開することにより図形データを構成する工程、25は近接露光効果補正終了をそれぞれ示す。

図１の近接露光効果補正の工程は、設計データの初期処理工程16、図形要素抽出工程17、識別データ付与工程18、図形要素群の設定工程19、識別データ付与工程20、近接露光効果見積もり工程21、補正図形の生成工程22、検査工程23、図形要素の展開することにより図形データを構成する工程24により構成されており、以下、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９．及び、図10を用いて、上記の工程を説明する。

図３は、図３Ａと図３Ｂとから構成されており、図２の設計データの初期処理工程を説明する図である。また、図３において、30、31、33、34は頂点、32、36、37は図形要素、35は評価点を示す。

ここで、設計データの初期処理工程とは、設計データから余分なデータを除去すること、及び、設計データに評価点を表すデータを追加することをいう。

図３Ａは、「設計データから余分なデータを除去する」ということを説明する図である。

まず、左の図形要素32を表すデータは４つの頂点31を表すデータと、一つの頂点30を表すデータから構成されている。しかし、頂点30を表すデータは、実質的に図形を画定するものではなく、余分なデータである。そこで、「設計データから余分なデータを除去する」とは、左の図形要素32を表すデータから、図形を画定しない頂点30を表すデータを除去して、右の図形要素32を表すデータを作成することをいう。「設計データから余分なデータを除去する」ことには、扱うデータを縮小化する効果がある。

図３Ｂは、「設計データに評価点を表すデータを追加する」ということを、説明する図である。

まず、左の図形要素36を表すデータは６つの頂点33を表すデータから構成されている。また、図形要素37を表すデータは４つの頂点33を表すデータから構成されている。

そこで、「設計データに評価点を追加する」とは、左の図形要素37の頂点33を表すデータ間に評価点35を表すデータを追加して、４つの頂点33と４つの評価点データから構成される右の図形要素37を表すデータを形成することをいう。すなわち、図形要素37の辺に評価点35を追加することをいう。

また、図形要素36のように、頂点33と頂点33の間の距離が長い場合には、単に評価点を追加するだけでは、後に行う近接露光効果の見積もりを行うときに、高い精度で見積もりを行うことができない。そこで、「設計データに評価点を表すデータを追加する」とは、まず、左の図形要素36を表す設計データに、新たな頂点34を表すデータを加え、その後、頂点33を表すデータ間、又は、頂点33を表すデータと頂点34を表すデータ間に評価点35を表すデータを追加することをも含む。

評価点35を追加することにより、近接露光効果に対する補正を、より詳細に評価することができる。また、頂点34を設けることにより、頂点33間の辺が細分化されるため、高い精度での見積もりができる。

なお、「設計データに評価点を表すデータを追加する」ことは、図２において、20の識別データ付与工程のあとに行ってもよい。この場合、処理時間の短縮や精度を向上させる効果が期待できる。

図４は、図４Ａ、図４Ｂ、及び、図４Ｃから構成されており、図２の図形要素抽出工程及び識別データ付与工程を説明する図である。

ここで、図形要素抽出工程とは、設計データのうちから、一つの図形要素を表わすデータを抽出する工程である。また、識別データ付与工程とは、図形要素を表すデータに基づいて、例えば、頂点の相対座標、又は、始点座標及び頂点の相対座標にハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素を表すデータに識別データを付加する工程をいう。

図４において、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、及び、57は図形要素、58は設計データ、59は図形要素の例、60は抽出した図形要素59を表すデータ、61は識別データを付与した図形要素を表すデータをそれぞれ示す。なお、図４Ａ、図４Ｂ、及び、図４Ｃにおいて、共通部分には、共通の符号を付した。以下、図４Ａ、図４Ｂ、及び、図４Ｃを用いて、図形要素抽出工程及び識別データ付与工程を説明する。

図４Ａは、レチクル上の金属薄膜パターンの例を示す図であり、図形要素40から図形要素57までの集合を表す図である。図形要素40から図形要素48は11の頂点を有する「逆Ｌ」の字型のパターンであり、図形要素49から図形要素57は４つの頂点を有する矩形パターンである。そして、図４Ａは．矩形パターンの一つと「逆Ｌ」の字型のパターンの一つとからなる一組のパターンが、３行３列に展開されているところを示している。

図４Ｂは、図形要素抽出工程及び識別データ付与工程を行った例を示す図であり、図４Ａに示す図形要素40から57に、ID=0、ID=1、及び、ID=2で示す識別データを対応させたところを示した図である。すなわち、「逆Ｌ」の字型パターンの図形要素40、43、46は、ID=1を有する。「逆Ｌ」の字型パターンの図形要素41、42、44、45、47、48は、ID=0を有する。矩形パターン49から57は、ID=2を有する。

図４Ｃは、「設計データのうちから、一つの図形要素を表わすデータを抽出する」ということ、及び、「図形要素を表すデータにハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素を表すデータに識別データを付加する」ということを説明する図である。

まず、設計データ58は、X0:始点X、Y0:始点Y、X1:1点目X、Y1:1点目Y、X2:2点目X、Y2:2点目Y、X3:.3点目X、Y3:3点目Y、X4:4点目X、Y4:4点目Y、X5:5点目X、Y5:5点目Y、X6:6点目X、Y6:6点目Y、X7:7点目X、Y7:7点目Y、X8:8点目X、Y8:8点目Y、X9:9点目X、Y9:9点目Y、X10:10点目X、Y10:10点目Y等で表す、図形要素の頂点座標のデータの集合である。

そこで、「設計データのうちから、一つの図形要素を表らわすデータを抽出する」とは、以下のような処理をいう。まず、始点、第1点、第2点、第3点、第4点、第５点、第６点、第７点、第８点、第９点、及び、第１０点を頂点として有する、図形要素59に対して、その図形要素59に関連する頂点座標のデータを、設計データから抽出し、データの集合とする。次に、最上部、かつ、最左端の頂点を始点(X0及びY0と表記)として、上記のデータの集合に属する頂点データから、図形要素59が有する頂点の始点からの相対座標(DX1、DY1、DX2、DY2、DX3、DY3、DX4、DY4、DX5、DY5、DX6、DY6、DX7、DY7、DX8、DY8DX9、DY9、DX10、DY10と表記)を求め、始点のデータ、その他の各頂点の相対座標をひとまとめにした図形要素59を表すデータ60を形成することをいう。

次に、「図形要素を表すデータにハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素を表すデータに識別データを付加する」とは、以下のような処理をいう。まず、図形要素59を表すデータ60に基づいて、例えば、頂点の相対座標にハッシュ関数を作用させて、識別データを形成する。ハッシュ関数により得られた識別データは異なる図形要素であっても同一の識別データとなることがある。このため、同一の識別データでは図形要素を比較してさらに異なる識別データを付与する。なお、識別データは、図４Ｂでは、ID=0、ID=1、及び、ID=2と、数字一文字で表記したが、記号そのほかを表すデータであってもよい。ここで、ハッシュ関数とは、与えられた原文、原数字、又は、原座標等から、固定長の文字列、数字列等からなる、ハッシュ法による高速検索を可能とするキーを得るための関数をいう。次に、図形要素を表すデータ60に識別データを付与して、識別データを付与した図形要素を表すデータ61を形成する。なお、同一の図形要素を表すデータ60には、同一の識別データが付与されることになるのはいうまでもない。

図５は、図５Ａ、図５Ｂ、及び、図５Ｃから構成されており、図形要素群の設定工程を説明する図である。

ここで、図形要素群の設定工程は、補正対象の図形要素に基づく、図形領域を設定する工程、及び、上記の図形領域と重複、又は、接する図形要素群を抽出する工程から構成されている。なお、「補正対象の図形要素に基づく図形領域を設定」とは図形要素に対して、図形外形枠を設定し、その図形外形枠を拡大することで、図形領域を設定することをいう。また、「図形領域と重複、又は、接する図形要素群を抽出する」とは、上記の図形領域と重複、又は、接する図形要素群を、図形要素を表すデータに付与した識別データに基づき認識し、その図形要素群を表すデータ群を抽出することをいう。

図５において、65は補正対象の図形要素、66は図形外形枠、67は図形領域、68はその他の図形要素、69、70、及び、71は補正対象の図形要素に対して、補正を行う上で影響する図形要素をそれぞれ示す。なお、図５において、共通のものには、共通の番号を付した。以下、図５Ａ、図５Ｂを用いて「補正対象の図形要素に対して、図形領域を設定する工程」を説明する。また、図５Ｃを用いて「図形領域と重複、又は、接する図形要素群を抽出する工程」を説明する。

図５Ａは、「補正対象の図形要素に基づく、図形領域を設定する工程」において用いられる、「補正対象の図形要素に基づく図形外形枠」を示す図である。すなわち、図形外形枠66を特定する一方の点は、図形要素65を構成する各頂点のX座標及びY座標の内、最大値を有するX座標と、最大値を有するY座標とで示めされる最大点である。また、図形外形枠66を特定する他方の点は、図形要素65を構成する各頂点のX座標及びY座標の内、最小値を有するX座標と、最小値を有するY座標とで示めされる最小点である。

図５Ｂは、図形外形枠66に対して、一定の拡大率で拡大して形成した「図形領域67」を示す図である。ここで、一定の拡大率の決定は、注目する図形要素65の図形該枠66に対して、近接露光効果の影響を見積もるのに必要と判断される領域と図形領域67が等しくなるように決定される。従って、上記の拡大率は、図形要素65の大きさ、照明に使われる光の波長等の条件により、異なるものとなる。また、近接露光効果の影響を見積もるには、計算機を用いたシミュレーションにより行うため、数値計算に用いる計算機の能力等によっても、上記の拡大率は変動する。なお、上記では、「一定の拡大率で」としたが、「一定の幅分の拡大で」あってもよい。

図５Ｃは、「図形領域と重複、又は、接する図形要素群を、図形要素を表すデータに付与した識別データに基づき認識し、その図形要素群を表すデータ群を抽出すること」を説明する図である。まず、「図形領域と重複、又は、接する図形要素群を、図形要素を表すデータに付与した識別データに基づき認識し」とは、その他の図形要素68の内から、図５Ｃに示す図形領域67と重複する、すなわち、包含されるか、一部分重なる図形要素69、70を、図形要素69、70を表すデータに付与した識別データに基づき認識することをいう。また、「図形領域と重複、又は、接する図形要素群を、図形要素を表すデータに付与した識別データに基づき認識し」には、その他の図形要素68の内から、図形領域67と接する図形要素71を、図形要素71を表すデータに付与した識別データに基づき認識することも含む。そして、「その図形要素群を表すデータ群を抽出すること」とは、上記のようにして抽出した図形要素69、70、71を図形要素群とし、その図形要素群を表すデータ群を形成することをいう。

図６は、「図形要素群を表すデータ群に識別データを付与する工程」を説明する図である。そして、図６は、図６Ａと図６Ｂから構成されている。

ここで、図形要素群を表すデータ群に識別データを付与する工程とは、図形要素群を表すデータ群と図形要素を表すデータに付与された識別データ群に含まれる各図形要素の頂点の絶対座標を、注目する図形要素の頂点の座標からの相対座標に変換し、その相対座標に対して、ハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素群を表すデータ群に付与する工程をいう。

図６において、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、及び、92は図形要素、93は図形領域、95は絶対座標を含む図形要素群を表すデータ群と図形要素を表すデータに付与された識別データ群、96は相対座標を含む図形要素群を表すデータ群及び識別データをそれぞれ示す。なお、図６Ａと図６Ｂとにおいて、共通な部分は共通の番号を付した。

図６Ａは、注目する図形要素79に対する、絶対座標を含む図形要素群を表すデータ群と図形要素を表すデータに付与された識別データ群95について説明する図である。そして、図６Ａは、図形要素75、76、77、78、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、及び、92は図形要素79に隣接していることを示す。また、図６Ａは、図形要素79には図形領域93が設定されていることを示す。

さらに、図６Ａは、絶対座標を含む図形要素群を表すデータ群と図形要素を表すデータに付与された識別データ群95が、ID: 図形要素79の識別データ 、(MXp0,MYp0):図形要素87の絶対座標、ID0: 図形要素87の識別データ、(MXp1,MYp1):図形要素88の絶対座標、ID1: 図形要素88の識別データ、(MXp2,MYp2):図形要素76の絶対座標、ID2: 図形要素76の識別データ、及び、(MXp3,MYp3):図形要素82の絶対座標、ID3: 図形要素82の識別データから構成されていることを示す。ここで、例えば、(MXp0,MYp0):図形要素87の絶対座標とは、図形要素87の始点となる頂点が絶対座標で表されており、その他の頂点の座標は始点となる頂点からの相対座標で表されているものをいう。また、(MXp1,MYp1):図形要素88の絶対座標、(MXp2,MYp2):図形要素76の絶対座標、及び、(MXp3,MYp3):図形要素82も同様である。ID: 図形要素79の識別データとは、図形要素を表すデータにハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素を表すデータに付与された識別データのことである。また、ID0: 図形要素87の識別データ 、ID1: 図形要素88の識別データ、ID2: 図形要素76の識別データ、ID3: 図形要素82の識別データも同様である。

図６Ｂは、「図形要素群を表すデータ群に識別データを付与する」ことを説明する図である。まず、図６Ｂは、注目する図形要素79に対して、点線で示した図形領域93が設定されているところを示す。また、図６Ｂは、図形要素87、88、76、82が、抽出されることを示す。さらに、図６Ｂは、図形要素75、77、78、80、81、83、84、85、86、89、90、91、及び、92は、図形要素79に隣接することを示す。

そこで、「図形要素群を表すデータ群に識別データを付与する」には、まず、絶対座標を含む図形要素群を表すデータ群と図形要素を表すデータに付与された識別データ群95に係る図形要素87、88、76、82の頂点座標を、絶対座標で表すことから、注目する図形要素79の頂点座標からの相対座標で表すように変換する。

具体的には、図形要素87、88、76、82の始点の頂点座標の数値から、図形要素79の始点の頂点の座標の数値を引くことで、相対座標を求める。次に、図形要素87、88、76、82の始点の頂点座標からの相対座標で表されている、各図形要素のその他の頂点の座標を付加して、相対座標を含む図形要素を表すデータ及び、図形要素79、87、88、76、82を表すデータに付与された識別データを構成する。図６Ｂにおいて、相対座標を含む図形要素を表すデータは、ID: 図形要素79の識別データ 、(XP0,Yp0):図形要素87相対座標(図形要素87の始点座標−図形要素79の始点座標)、ID0: 図形要素87の識別データ 、(XP1,Yp1):図形要素88相対座標(図形要素88の始点座標−図形要素79の始点座標)、ID1: 図形要素88の識別データ 、(XP2,Yp2):図形要素76相対座標(図形要素76の始点座標−図形要素79の始点座標)、ID2: 図形要素76の識別データ 、及び、(XP3,Yp3):図形要素82相対座標(図形要素82の始点座標−図形要素79の始点座標) 、ID3: 図形要素82の識別データ と表記されている。次に、ID: 図形要素79の識別データ 、(XP0,Yp0):図形要素87相対座標(図形要素87の始点座標−図形要素79の始点座標)、ID0: 図形要素87の識別データ 、(XP1,Yp1):図形要素88相対座標(図形要素88の始点座標−図形要素79の始点座標)、ID1: 図形要素88の識別データ 、(XP2,Yp2):図形要素76相対座標(図形要素76の始点座標−図形要素79の始点座標)、ID2: 図形要素76の識別データ 、及び、(XP3,Yp3):図形要素82相対座標(図形要素82の始点座標−図形要素79の始点座標) 、ID3: 図形要素82の識別データ を使用して、ハッシュ関数を作用させて、固定長の文字列又は数字からなる識別データ:F(ID,Xp0,Yp0,ID0,Xp1,Yp1,ID1,Xp2,Yp2,ID2,Xp3,Yp3,ID3)を形成する。ハッシュ関数により得られた識別データは異なる図形要素群であっても同一の識別データとなることがある。このため、同一の識別データでは図形要素群を比較してさらに異なる識別データを付与する。その結果、相対座標を含む図形要素群を表すデータ及び識別データ96を形成する。なお、識別データは、図6Ｂでは、ID=0、ID=1、ID=2、ID=3、ID=4、ID=5、及び、ID=6と、数字一文字で表記したが、記号そのほかを表すデータであってもよい。

図７は、図２の近接露光効果見積もり工程と補正図形の生成工程を説明する図である。そして、図７は、図７Ａと図７Ｂとから構成されている。

ここで、近接露光効果見積もり工程とは、図形要素に照明をあててできる投影像の形状への、近接露光効果の影響を、計算機によるシミュレーションによって、見積もる工程をいう。また、補正図形要素の生成工程とは、投影像の形状を、図形要素の形状に近似させるため、図形要素の形状に補正を加えた補正図形要素を生成する工程をいう。

図７において、100は図形領域、101は注目図形要素、102、103、104は図形領域の設定により抽出された図形要素、105は注目図形要素に対して、計算機によるシミュレーションで予測した投影像、106は注目図形要素に対する補正図形要素、107は補正図形要素に対して、計算機によるシミュレーションで予測した投影像をそれぞれ示す。なお、図７Ａと図７Ｂとで共通する部分には、共通した番号を付した。

図７Ａは、「図形要素に照明をあててできる投影像の形状への、近接露光効果の影響を、計算機によるシミュレーションによって、見積もる」ことを説明する図である。まず、図７Ａは、注目図形要素101に対して、図形領域100を設定した場合に、抽出される図形要素102、103、及び、104を示す。また、図７Ａは、注目図形要素101に対して、計算機によるシミュレーションで予測した投影像105を示す。

そこで、計算機によるシミュレーションによって、近接露光効果の影響を見積もるために、注目要素101に対する投影像105を求める。ここで、上記の投影像105は、注目図形要素101に対して、照明をあてたとしたならば得られる投影像であり、近接露光効果を考慮して得られた投影像である。従って、一般的に、投影像105の頂点部分の形状は、近接露光効果の影響を受けて、直角形状ではなく、四分円となっている。また、投影像105の辺部分は、一般的に、注目図形要素101の辺部分から後退したものとなっている。さらに、例えば、図形要素103に隣接する注目図形要素101の部分の形状は、図形要素103に起因する近接露光効果の影響を強くうけて、凹状となっている。

次に、注目図形要素101の形状と投影像105とを比較することにより、近接露光効果の影響を見積もる。

図７Ｂは、「投影像の形状を、図形要素の形状に近似させるため、図形要素の形状に補正を加えた補正図形要素を生成する」ことを説明する図である。まず、図７Ｂは、注目図形要素101、図形領域100、抽出される図形要素102、103、104を示す。また、図７Ｂは、注目図形要素101に対して、補正図形の生成工程を行って、得られた補正図形要素106を示す。さらに、図７Ｂは、補正図形要素106に対して、計算機によるシミュレーションで予測した投影像107を示す。

そこで、「投影像の形状を、図形要素の形状に近似させるため、図形要素の形状に補正を加えた補正図形要素を生成する」には、計算機によるシミュレーションを行って得られる、投影像107の形状と注目図形要素101の形状とを比較する。次に、投影像107の形状を注目図形要素101に近づけるための補正を、注目図形要素101に対して追加することにより、補正図形要素106を生成する。ここで、上記の補正とは、例えば、投影像106の頂点部分が四分円の形状になることを防止するため、補正図形要素106に、小さい矩形図形を、頂点部分に追加する補正をいう。また、補正図形要素106の辺部分は、注目図形要素101の辺部分に比較して、外側に膨らませる補正をいう。その結果、補正図形要素106に対する投影像107の形状は、注目図形要素101の形状に近似したものとなる。

なお、近接露光効果見積もり工程と補正図形の生成工程は、図６の同一の識別データを有する図形要素群を図形領域100内に有し、かつ、図４の同一の識別データを有する図形要素の内の一つについて、行われる。

すなわち、フォトマスク上の金属薄膜パターンの図形要素を図６の識別データ及び図４の識別データを用いて分類した結果、ユニークであると判断された図形要素について、補正図形を生成することを意味する。

ところで、上記のように、図形要素を分類するには、図形要素を表すデータが、座標データのみである場合には、検索やソーティングに時間がかかるのが通常である。しかし、本実施例においては、識別データがハッシュ関数に基づいて形成されているため、検索やソーティングに係る時間が短縮されていることはいうまでもない。

図８は、図２の生成した補正図形要素を検査する工程を示す図である。そして、図８は、図８Ａと図８Ｂとから構成されている。

ここで、補正図形要素を検査する工程とは、図形要素の評価点と、図形要素の投影像の評価点とを比較することにより、投影像の近接露光効果による変形を検査し、上記の投影像の形状と図形要素の形状との一致性について判断する工程をいう。

図８において、110はシミュレーションによる図形要素の投影像、111は図形要素、112は図形要素の頂点、113は評価点、114はシミュレーションによる補正図形要素の投影像をそれぞれ示す。

図８Ａは、図形要素111の評価点と、図形要素111の投影像110を評価点において比較することにより、投影像110の近接露光効果による変形を検査することを説明する図である。まず、図８Ａは、点線を用いて図形要素111を示し、点線の大きな丸を用いて頂点112を示し、点線の小さな丸を用いて評価点113を示す。さらに、図８Ａに示す実線は投影像110を示す。

そこで、図８Ａにおいて、黒矢印で示した評価点113で、図形要素111と図形要素の投影像110との比較を行うことにより、投影像110の近接露光効果による変形を検査する。なお、図形要素111を表すデータ、図形要素111を表すデータに含まれる評価点のデータ、投影像110を表すデータ使用して上記の検査は行われる。ところで、図８Ａにおいては、評価点において、図形要素111と図形要素111の投影像110との比較を行なうところを示しているが、頂点においても、比較を行い、補正図形要素を検査する工程で使用することはいうまでもない、この場合頂点が角にある場合は許容誤差を大きくする。図形要素111の頂点と投影像110の頂点とを比較するのみならず、図形要素111と投影像110の辺に配置された評価点においても比較を行うことにより、上記の検査の精度があがる。

図８Ｂは、図形要素111の評価点と、補正図形要素の投影像114を評価点において比較することにより、投影像114の形状と図形要素111の形状との一致性について判断することを示す図である。

まず、図８Ｂに示す、点線、点線の大きな丸、及び、点線の小さな丸は図８Ａと同様なものを示す。ただし、実線は投影像114を示す。

そこで、図８Ｂにおいて、黒矢印で示した評価点113で、図形要素111と補正図形要素の投影像114の比較を行っている。なお、検査の対象を表すデータを使用して、計算機によるシミュレーションを行って、上記の検査が行われる点は同様である。ところで、図８Bにおいては、評価点において、図形要素111と補正図形要素の投影像114との比較を行なうところを示しているが、頂点においても、比較を行い、補正図形要素を検査する工程で使用することはいうまでもない、この場合頂点が角にある場合は許容誤差を大きくする。次に、上記の検査の結果、補正図形要素の投影像114と図形要素111の形状の差異が、一定の範囲内であるかを判断する。その結果、一定の範囲内であれば、その補正図形要素を補正図形要素として採用する。一方、補正図形要素の投影像114と図形要素111の形状の差異が、一定の範囲内でなければ、図２の図形要素群の設定工程に戻って、補正図形要素の形成をやり直す。

次に図９と図10を用いて、補正図形要素を展開することにより図形データを構成する工程を説明する。ここで、補正図形要素を展開することにより図形データを構成する工程とは、補正図形要素を表すデータと図形要素を表すデータとを、図６の識別データに基づき関連づけ、その他の同じ識別データをもつ図形要素を表すデータに対しても補正図形要素を表すデータを展開することにより、図形要素を表すデータ構成されていた設計データを、実際にフォトマスク上の金属膜のパターンを形成する図形データに変換することをいう。

図９は、「補正図形要素を表すデータと図形要素を表すデータとを、図６の識別データに基づき関連づけ、その他の図形要素を表すデータに対しても補正図形要素を表すデータを展開する」ことを説明するための図である。図９において、115は図形領域、116、117は図形要素、118は補正図形要素、119は展開前の2行3列図形、120は展開後の2行3列図形をそれぞれ示す。ここで、2行3列図形とは、複数の図形要素を組とした図形群をn行m列(n、mは5以上の自然数)展開した中で、任意の2行3列を取り出したものをいい、周辺列又は周辺行を含まないものをいう。

そこで、「補正図形要素を表すデータと図形要素を表すデータとを、図６の識別データに基づき関連づける」とは、図９の展開前の２行３列図形119において、識別データ、例えば、ID=0を有する図形要素群を図形領域115内に有する図形要素116を、斜めのハッチングを施した補正図形要素118に置き換えることをいう。

また、「その他の同じ識別データをもつ図形要素を表すデータに対しても補正図形要素を表すデータを展開する」とは、図９の展開前の２行３列図形119において、同一の識別データ、例えば、ID=0を有する図形要素群を図形領域115内に有する図形要素116に対しても、同一の補正図形要素118に置き換え、その結果、図９の展開後の2行3列図形120とすることをいう。

なお、上記では、説明の都合上、図形要素を扱うことで図形要素の展開を説明したが、図形要素の展開は、計算機内で行われるため、図形要素116、117、補正図形要素118等を表すデータを扱うことで処理が行われることはいうまでもない。

図10は、「図形要素を表すデータ構成されていた設計データを、実際にレチク上の金属膜のパターンを形成する図形データに変換すること」を説明する図である。

図10において、121はID=6の識別データを付与された図形要素群を有する図形要素、122はID=2の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素、123はID=5の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素、124はID=1の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素、125はID=0の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素、126はID=3の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素、127はID=4の識別データを付与された補正図形要素群を有する図形要素、128は図形データをそれぞれ示す。

そこで、「図形要素を表すデータ構成されていた設計データを、実際にレチクル上の金属膜のパターンを形成する図形データに変換する」とは、図９で示した「補正図形要素を表すデータと図形要素を表すデータとを、図６の識別データに基づき関連づけ、その他の図形要素を表すデータに対しても補正図形要素を表すデータを展開する」という動作を、すべての図形要素について行うことをいう。

その結果、図10に示すように、レチクル上の金属膜の図形を表す図形データ128は複数の補正図形要素121、122、123、124、125、126、127を表すデータから構成される。

なお、「図６の識別データに基づき関連づける」ことをさらに説明すると、以下のようになる。まず、補正図形要素を表すデータは、始点を表す原点座標と、その他の各頂点を表す、始点からの相対座標から構成されている。従って、補正図形要素を表すデータは、絶対座標を有しない。一方、補正図形要素を表すデータの基になった、図形要素を表すデータは、始点を表す絶対座標と、その他の各頂点を表す、始点からの相対座標から構成されているため、絶対座標を有している。

そこで、図形要素を表すデータが有する絶対座標と、その図形要素の形状を補正するために設定した図形領域内に含まれる図形要素群がもつ識別データを、上記の図形要素群を表すデータから抽出する。次に、補正図形要素を表すデータと絶対座標を、上記の識別データをもとに関連付けることを、「図６の識別データに基づき関連づける」という。

図11は、図10の図形データを用いて、図1のレチクル上の露光パターン形成する工程、図１の線幅検証工程、及び、図１のエッチングによる金属薄膜パターン形成工程について説明する図である。

図11において、130は図形描画装置のコントロール部、131は図形描画装置のビーム照射部、132はビームコントローラ、133はレンズコントローラ、134はビームブランクコントローラ、135はディフレクションコントローラ、136はコントローラ、137はステージコントローラ、138はビーム照射部、139は電界レンズ、140はビームブランク、141はディフレクション、142は電界レンズ、143はレチクル、144はステージ、145は図形データ、146はフォトマスクの石英基板、147はレチクルの石英基板上の金属薄膜、148はレジスト、149はビーム照射が行われたレジスト部分、150はビーム照射終了後の断面図、151はレジスト148除去後の断面図、152は金属薄膜147のエッチング後の断面図、153はレジストパターン除去後の断面図をそれぞれ示す。

そして、図形描画装置のビーム照射部131は、ビーム照射部138、ビームを絞る電界レンズ139、ビームを遮断する機能をもつビームブランク、ビームの方向をコントロールするディフレクション、ビーム照射対象においてビームを絞る電界レンズ142、及び、フォトマスク143を搭載するステージ144から構成されている。また、図形描画装置のコントローラ部は、図形描画装置のビーム照射部をコントロールする機能を有し、図形データ145に基づいて、ビームの照射をコントロールする機能を有する。さらに、図形描画装置のコントローラは、ビーム照射部138をコントロールするビームコントローラ132、電界レンズ138、142をコントロールするレンズコントローラ133、ビームブランク140をコントロールするビームコントローラ134、ディフレクション141をコントロールするディフレクションコントローラ135、ステージ144をコントロールするステージコントローラ137、コントローラ136、及び、図形データ145から構成されている。そして、コントローラ136は図形データ145に基づいて、ビームコントローラ132、レンズコントローラ133、ビームブランクコントローラ134、ディフレクションコントローラ135、及び、ステージコントローラを制御する。

そこで、図１のレチクル上の露光パターン形成する工程は、次のような手順で行う。まず、石英基板146上に金属薄膜147を堆積し、レジスト148を塗布する。次に、図10の図形データを用いて、図形描画装置のビーム照射部131により、レジスト148に対して、形成したいレジストパターンに合わせてビームを照射する。そうすると、ビーム照射終了後の断面図150に示す状態となる。次に、ビーム照射を受けて硬化したレジスト部分149を残し、レジスト148を除去して、レジストパターンを形成する。そうすると、レジスト148除去後の断面図151に示す状態となる。

次に、図１の線幅検証工程を、上記のレジストパターンについて行う。レジストパターンの線幅が所定の線幅であるときには、エッチングによる金属薄膜パターン形成工程に進む。

次に、エッチングによる金属薄膜パターン形成工程は、次のような手順で行う。まず、レジストパターンをマスクに、異方性のエッチングをすることにより、金属薄膜147のパターンを形成する。そうすると、金属薄膜147のエッチング後の断面図152に示す状態となる。次に、レジストパターンを除去すると、レジストパターン除去後の断面図152のような状態となる。従って、金属薄膜147のパターンが石英基板146上に残るため、レチクル上に金属薄膜パターンが形成される。

実施例１のレチクルの製造方法は、レチクル上の金属薄膜パターンの設計データを作成する工程、設計データを検証する工程、近接露光効果を補正して、レチクル上の補正後の金属薄膜パターンを形成する図形データを生成する工程、近接露光効果を検証する工程、露光パターンを形成する工程、露光パターン、すなわち、レジストパターンの線幅を検証する工程、及び、エッチングによる金属薄膜パターンを形成する工程を有する。そして、上記の近接露光効果を補正して、金属薄膜パターンを形成する図形データを生成する工程は、設計データの初期処理工程、図形要素抽出工程、識別データ付与工程、図形要素群の設定工程、識別データの付与工程、近接露光効果見積もり工程、補正図形の生成工程、検査工程、及び、補正図形要素を展開して図形データを構成する工程を有する。

従って、実施例１のレチクルの製造方法によれば、レチクルの製造にかかる時間を短くすることができる。レチクル上の金属薄膜パターンに係る図形データを生成するための時間が短縮されるからである。

なお、図形データを生成するための時間が短縮されるのは、補正図形の生成を、すべての図形要素について行うのではなく、同一の図６の識別データを有する図形要素群を図形領域内に有し、かつ、同一の図４の識別データを有する図形要素の内の一つの図形要素についてのみ、補正図形を生成するからである。一方、識別データを付与する工程及び識別データが同一か否かを判断する時間は余分に係ることになる。しかし、識別データの発生にハッシュ関数を利用しているため、識別データの発生、及び、識別データが同一か否かの判断は迅速に行える。そうすると、識別データを付与する工程及び識別データが同一か否かを判断する時間は大幅に短縮することができる。

さらに、実施例１のレチクルの製造方法によれば、図形データのグリッドとして、より小さいグリッドを採用したとしても、レチクルの製造に係る時間は、短期間となる。従って、実施例１のレチクルの製造方法によれば、精度のよいパターンを有するレチクルを製造することもできる。

実施例２のフォトマスクの製造方法は、実施例１のフォトマスクの製造方法と比較した場合に、図１の近接露光効果補正の工程に相違がある。しかし、実施例２のフォトマスクの製造方法は、図１の近接露光効果補正の工程以外では、実施例１のフォトマスクの製造方法と同様な製造工程を有する。以下、図12、図13、図14、図15、図16、及び、図17を用いて、実施例２のフォトマスクの製造方法の近接露光効果補正の工程について説明する。

図12は、実施例２のフォトマスクの製造方法における、近接露光効果補正の工程の詳細を示したフローチャートである。図12において、155は近接露光効果補正開始、156は設計データの初期処理工程、157は図形要素の辺の抽出工程、158は識別データ付与工程、159は図形要素の辺群の設定工程、160は識別データ付与工程、161は近接露光効果見積もり工程、162は補正図形の生成工程、163は検査工程、164は補正図形要素の辺を展開して、図形データを構成する工程、165は近接露光効果補正終了をそれぞれ示す。

図12の近接露光効果補正の工程は、設計データの初期処理工程156、図形要素の辺の抽出工程157、識別データ付与工程158、図形要素の辺群の設定工程159、識別データ付与工程160、近接露光効果見積もり工程161、補正図形の生成工程162、検査工程163、及び、補正図形要素の辺を展開して、図形データを構成する工程164により構成されており、以下、図13、図14、図15、図16、及び、図17を用いて、上記の工程を説明する。

図13は、図13Ａ、図13Ｂ、及び、図13Ｃから構成されており、図12の図形要素の辺の抽出工程及び識別データ付与工程を説明する図である。

ここで、図形要素の辺の抽出工程とは、設計データを構成する図形要素の辺を表すデータを抽出する工程である。また、識別データ付与工程とは、図形要素の辺を表すデータに基づいて、例えば、辺を表すデータ174、及び付加情報175等にハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素の辺を表すデータに識別データを付加する工程をいう。

図13において、170は図形要素の例、171は分割した図形要素の辺の例、172は図形要素の辺、173は図形要素の頂点、174は図形要素の辺を表すデータ、175は図形要素の辺を表すデータに付加されている付加情報データ、176は識別データをそれぞれ示す。なお、図13Ａ、図13Ｂ、及び、図13Ｃにおいて、共通部分には、共通の符号を付した。以下、図13Ａ、図13Ｂ、及び、図13Ｃを用いて、図12の図形要素の辺の抽出工程及び識別データ付与工程を説明する。

図13Ａは、レチクル上の金属薄膜パターンの例を示す図であり、図形要素の例170を示す図である。図形要素の例170には、５つの図形要素が含まれている。

図13Ｂは、図形要素の例170に含まれる図形要素を、図形要素の頂点173に基づいて、分割した図形要素の辺の例171示す。また、図形要素の辺の例171は複数の図形要素の辺172を含む。

図13Ｃは、「設計データを構成する図形要素の辺を表すデータを抽出する」ということ、及び、「図形要素の辺を表すデータに基づいて、ハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素の辺を表すデータに識別データを付加する」ということを説明する図である。

まず、図形要素の辺の例171は、複数の頂点データで表されている。そこで、「設計データを構成する図形要素の辺を表すデータを抽出する」とは、以下のような処理をいう。まず、各図形要素の辺を定義する頂点データを抽出する。次に、辺の左側が図形の内部となるように、一方の頂点データを始点(図13中、S(x1,y1)と表記)とし、他方の頂点データを終点(図13中、E (x2,y2)と表記)とする。すなわち、始点と終点を要素とするベクトルデータ、すなわち、S(x1,y1)、E (x2,y2)から構成されるデータを図形要素の辺を表すデータ174として抽出する。さらに、その他の付加情報データ175を図形要素の辺を表すベクトルデータに付加する。ここで、付加情報データ175は、例えば、a:辺の属する図形種、b:辺の補正量、c:補正処理を行う辺であるかを表すフラッグ、d:含有関係(他の図形の内部にあるか)、e:処理中にエラーが生じたかを表すフラッグ、及び、f:その他が考えられる。

次に、「図形要素の辺を表すデータにハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素の辺を表すデータに識別データを付加する」とは、以下のような処理をいう。まず、図形要素の辺を表すデータ174から辺の向きを計算した値(終点座標の始点座標に対する相対座標)及び付加情報データ175にハッシュ関数を作用させて、識別データ176を形成する。なお、識別データ176は、記号、数字そのほかから構成されるデータである。ここで、ハッシュ関数とは、与えられた原文、原数字、又は、原座標等から、固定長の文字列、数字列等からなる、ハッシュ法による高速検索を可能とするキーを得るための関数をいう。次に、図形要素の辺を表すデータ174及び付加情報175に識別データ176を付与して、識別データ176を付与した図形要素の辺を表すデータ174及び付加情報175を形成する。なお異なる内容の図形要素の辺を表すデータ174及び付加情報175には、異なる識別データ176が付与されることになるが、同じ識別データに得た場合にはハッシュ関数の入力データを比較し、入力内容が異なる場合には異なる識別データを付与するようにする。なお、同内容の図形要素の辺を表すデータ174及び付加情報175には、同一の識別データ176が付与されることになるのはいうまでもない。

図14は、「図形要素の辺群の設定工程」及び「図形要素の辺群を表すデータ群に識別データを付与する工程」を説明する図である。

ここで、図形要素の辺群の設定工程は、補正対象の図形要素の辺に基づく、図形領域を設定する工程、及び、上記の図形領域と重複、又は、接する図形要素の辺群を抽出する工程から構成されている。なお、「補正対象の図形要素の辺に基づく図形領域を設定」とは図形要素の辺に対して、近接露光効果が及ぶ範囲を図形領域として設定することをいう。また、「図形領域と重複、又は、接する図形要素の辺群を抽出する」とは、上記の図形領域と重複、又は、接する図形要素の辺群を、図形要素の辺を表すデータに付与した識別データに基づき、図形要素の辺を認識し、その図形要素の辺群を表すデータ群を抽出することをいう。

また、「図形要素の辺群を表すデータ群に識別データを付与する工程」とは、図形要素の辺群を表すデータ群に対して補正情報データを付与し、その補正情報データ及び図形要素の辺群を表すデータ群に対して、ハッシュ関数を作用させて、識別データを形成し、図形要素の辺群を表すデータ群に付与する工程をいう。そして、上記の識別データを検索することにより他の識別データと区別される識別データ、すなわち、ユニークな識別データを特定する工程をいう。なお、ハッシュ関数には、例えば、図形要素の辺群を表すデータ群のＸ座標の総和を求める関数等が含まれる。

図14において、180は全図形要素を構成する全ての辺群、181は拡大図、182は補正対象の図形要素の辺、183は補正対象の図形要素の辺に対する、図形要素の辺群、184は補正対象の図形要素の辺に対して補正の見積もりを行う計算に必要な仮想の辺、185は拡大図181内のその他の図形要素の辺、186は補正対象の図形要素の辺182に対する図形要素の辺群を表すデータ群、187は補正情報、188は識別データ、189は188、187、186を比較した結果補正量の見積もりが必要と判断される図形要素の辺、190は図形領域をそれぞれ示す。

そこで、「図形要素の辺群の設定工程」は、以下のように行われる。まず、図形要素の辺群180の中から、補正対象の図形要素の辺182を選択する。辺182上に評価点(基準点)を一つ定める。次に、拡大図181に示すように、補正対象の図形要素の辺182に対して、近接露光効果が及ぶ範囲を図形領域190として設定する。次に、図形領域190と重複、又は、接する図形要素の辺群を、その他の図形要素の辺185から抽出する。そして、補正対象の図形要素の辺182に対する図形要素の辺群を表すデータ群186を形成する。なお、補正対象の図形要素の辺182を表すデータに対して、近接露光効果を考慮した、補正を行う場合、図形要素の辺群を表すデータ186が閉じた図形を形成している必要がある。そこで、拡大図181に示す、仮想の辺184を表すデータを図形要素の辺群を表すデータ群186に含める。
ここで辺群を表すデータ群186は仮想の辺群184と辺182を含む辺182の周辺にある図形要素の辺を表すデータ(図13Cの174、175、176)を集めたものであるが、その情報の内で図13Cの174の頂点座標に関しては評価点(基準点)に対する相対座標に変換されている。

次に、「図形要素の辺群を表すデータ群に識別データを付与する工程」は、以下のように行われる。まず、補正対象の図形要素の辺182に対する図形要素の辺群を表すデータ群186に対して、補正情報187を形成する。ここで、補正情報187は、a:評価点の含有関係、b:評価点周辺の辺情報、c:その他を含むものである。次に、その補正情報187を表すデータ及び図形要素の辺群を表すデータ群186に対して、ハッシュ関数を作用させて、識別データ188を形成し、図形要素の辺群を表すデータ群186に付与する。同様に図14の180に存在する全ての補正対象辺に対し処理を行い、識別データ付与188を付加する。
次に、識別データ188について相互比較し、ソーティングすることにより、識別データ188を分類する。ここで識別データ188が異なれば異なる情報(187、186)を持つことが保証されるが、逆に識別データが同じであっても情報(187、186)が同じであるとは限らない。同じ識別データ188を持つ補正対象辺どうしは詳細な情報(187、186)の比較を行い、異なる情報(187、186)を持つ場合は異なる識別データ188を持つようにする。

こうすると、同じ識別データ188を持つ辺は同じ補正量を持つことになるので同じ識別データ188を持つ辺の中から代表として一つを選択し、補正量の見積もりが必要な図形要素の辺189とする。代表辺189の選び方は任意でありどの辺が代表になっても補正量の見積もり結果は同じであるが、例えば絶対座標で最も値が小さい始点をもつ辺を代表とするのが良いと考えられる。

なお、上記では、ユニークな識別データ188を分類するのに、単純比較による検索、及び、ソーティングをした場合を想定した。しかし、図形要素の辺を回転させた場合、図形要素の辺の上下を反転させた場合、図形要素の辺に設定される図形用の辺群の内、補正に影響しないと考えられる部分を削除した場合、及び、図形要素の辺をさらに分割した場合をも考慮してユニークな識別データ188を分類することもできる。

図15は、図12の近接露光効果見積もり工程と補正図形の生成工程を説明する図である。

ここで、近接露光効果見積もり工程とは、図形要素に照明をあててできる投影像の形状への、近接露光効果の影響を、計算機によるシミュレーションによって、見積もる工程をいう。また、補正図形要素の生成工程とは、投影像の形状を、図形要素の形状に近似させるため、図形要素の形状に補正を加えた補正図形要素を生成する工程をいう。

図15において、191は図形要素群、192図形要素群の一部の拡大図、193は補正図形要素、194は補正図形要素の一部の拡大図、195は図形要素の辺、196は図形要素の一部に対する投影像、197は補正図形要素の辺、198は補正図形要素の一部に対する投影像をそれぞれ示す。

そこで、近接露光効果見積もり工程は、以下の手順により行う。まず、図形要素群191に対して投影像を計算機によるシミュレーションで求める。すなわち、拡大図192に示すように、図形要素の一部に対して照明をあててできる投影像196を求める。次に、図形要素の辺195の形状と、投影像196の辺部分の形状を比較することにより、近接露光効果の影響を見積もる。

次に、補正図形要素の生成工程は、以下の手順により行う。まず、拡大図194に示すように、上記の近接露光効果の影響を考慮して、補正図形要素の一部の投影像198の辺部分が、図形要素の辺195に近似するような補正図形要素の辺197を生成する。なお、上記の補正図形要素の辺197の生成は、「図形要素の辺群の設定工程」において、図14の補正の見積もりが必要と判断される図形要素の辺のみについて行う。図形要素の辺195と補正図形要素の辺197間の距離が各々の辺の補正量である、補正量を各辺について求めた後に識別データ(図14の188)に対応する補正量(図14の187のC)として記憶する。

図16は、補正図形要素の辺を展開することにより図形データを構成する工程を終了したところを示す図である。図16において、200は図形データ、201は補正図形要素の集合をそれぞれ示す。そして、図形データ200は補正図形要素の集合201から構成されている。

ここで、補正図形要素の辺を展開することにより図形データ200を構成する工程は、以下の手順により行う。まず、ユニークな識別データ188に対応する補正量が全て求まっているので、同じ識別データ188を持つ図形要素の辺の補正量をこれにしたがって設定する。全ての図形要素の辺に対して補正量を設定した後に、各辺が持つ補正量に従い図形を変形させる。ここで、図12の補正図形の生成工程163における検査の結果補正量が充分ではないと判断された場合は、追加補正量を求めることになるが、そのときは変形した図形要素の辺を初期状態に戻し、代わりに図形要素の辺の補正量(図13Cの付加情報175の内のｂ項)を記憶する。そして、次の補正量見積もりは、その図13Cの付加情報175の内のｂ項を考慮して行う。その結果、補正図形要素の集合201が形成される。このように全ての図形要素の辺を表すデータに対して識別データに基づき補正量を適用して変形させることにより、図形要素の辺を表すデータから構成されていた設計データを、実際にフォトマスク上の金属膜のパターンを形成するために使用される図形データに変換する。

なお、「図14の識別データに基づき関連づける」とは同じ識別データ（図14の188）を持つ辺に同じ補正量を適用することである。

次に、図12の検査工程は、図８に示した検査工程と同様な工程である。すなわち、補正図形要素を検査する工程は、図形要素の評価点と、図形要素の投影像の評価点とを比較することにより、投影像の近接露光効果による変形を検査し、上記の投影像の形状と図形要素の形状との一致性について判断する工程である。

実施例２のレチクルの製造方法は、図１に示したレチクル上の金属薄膜パターンの設計データを作成する工程、設計データを検証する工程、近接露光効果を補正して、レチクル上の補正後の金属薄膜パターンを形成する図形データを生成する工程、近接露光効果を検証する工程、露光パターンを形成する工程、露光パターン、すなわち、レジストパターンの線幅を検証する工程、及び、エッチングによる金属薄膜パターンを形成する工程を有する。そして、上記の近接露光効果を補正して、金属薄膜パターンを形成する図形データを生成する工程は、図12に示した設計データの初期処理工程、図形要素の辺の抽出工程、識別データ付与工程、図形要素の辺群の設定工程、識別データの付与工程、近接露光効果見積もり工程、補正図形の生成工程、検査工程、及び、補正図形要素を展開して図形データを構成する工程を有する。

従って、実施例２のレチクルの製造方法によれば、レチクルの製造にかかる時間を短くすることができる。レチクル上の金属薄膜パターンに係る図形データを生成するための時間が短縮されるからである。

なお、出願人は、図12に示したフローチャートにそって、レチクル上で約264μm×210μmに相当する領域内に含まれる設計データに対して近接露光効果の補正を行った。その結果、129582個の図形要素の辺のうち、図14で示した補正の見積もりが必要と判断される図形要素の辺は1089個であった。そして、識別データの検索及びソーティングによる分類から、補正の見積もりが必要と判断される図形要素の辺を特定するには、10秒を要した。さらに、その図形要素の辺に対して補正図形要素の辺を計算するのに10秒を要した。一方、補正の見積もりが必要と判断される図形要素の辺を特定せず、すべての図形要素の辺について、補正図形要素の辺を計算した場合は、20分、すなわち、1200秒を要した。従って、図12に示したフローチャートにそって、図形データを作成する場合には、通常に図形データを作成する場合に比較し、60倍高速化した。

さらに、実施例２のレチクルの製造方法によれば、図形データのグリッドとして、より小さいグリッドを採用したとしても、レチクルの製造に係る時間は、短期間となる。従って、実施例２のレチクルの製造方法によれば、精度のよいパターンを有するレチクルを製造することもできる。

実施例３は、実施例１又は実施例２で製造したレチクルを用いて、半導体装置を製造する方法に関する。以下、図17を用いて、実施例３の半導体装置の製造方法について説明する。

図17は、実施例１又は実施例２で製造したレチクルを用いて、半導体基板上にレジストパターンを形成する工程、及び、エッチングにより、半導体基板上に金属配線パターンを形成する工程について説明する図である。

図17において、210は照明、211はレチクル、212は投影レンズ、213はレジスト、214は金属層、215は半導体基板、216は露光により硬化したレジスト、217はレジスト露光後の断面図、218は余分なレジストを除去した後の断面図、219はエッチング後の断面図、220はすべてのレジストを除去した後の断面図をそれぞれ示す。

そこで、図１7に示す半導体基板上にレジストパターンを形成する工程は、次のような手順で行う。まず、半導体基板215上に金属層214を堆積し、レジスト213を塗布する。次に、レチクル211に照明210をあて、透過した光を投影レンズで集光して、レジスト213を露光する。そうすると、レジスト露光後の断面図217に示す状態となる。次に、露光により硬化したレジスト216を残し、余分なレジスト213を除去して、レジストパターンを形成する。そうすると、余分なレジストを除去した後の断面図218に示す状態となる。

次に、エッチングにより、半導体基板上に金属配線パターンを形成する工程は、次のような手順で行う。まず、レジストパターンをマスクに、異方性のエッチングをすることにより、金属層214のパターンを形成する。そうすると、エッチング後の断面図219に示す状態となる。次に、レジストパターンを除去すると、レジストパターン除去後の断面図220のような状態となる。

実施例３の半導体装置の製造方法によれば、実施例１で製造したレチクル又は実施例２で製造したレチクルを使用して、金属層パターンを形成するため、精度がよい、金属パターンの形成をすることができる。
以下に本発明の特徴を付記する。

（付記１）
複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造方法であって、
前記設計データの内から、第１図形要素を表す第１データを抽出する工程と、
前記第１図形要素と、前記第１図形要素に対して近接露光効果により影響を及ぼす前記第１図形要素とから第１図形要素群を形成する工程と、
同内容の前記第１図形要素群を表す前記第１データ群に、同内容の識別データを付加する工程と、
前記第１図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を見積もる工程と、
露光時に前記影響を補償する第２図形要素を表す第２データを生成する工程と、
同内容の前記識別データを有する前記第１データに対して、同内容の前記第２データを対応させることにより、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する工程と、
前記図形データを用いて、フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。

（付記２）
複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造方法であって、
前記設計データの内から第１図形要素を表す第１データを抽出する工程と、
同形状を有する第１図形要素を表す第１データには、同内容の第１識別データを付加する工程と、
第１図形要素に基づく図形領域を設定する工程と、
前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を、前記第１識別データに基づき認識し、前記設計データから前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を表す第１データ群を抽出する工程と、
同内容の前記第１図形要素群を表す第１データ群に同内容の第２識別データを付加する工程と、
前記図形領域内の第１図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を見積もる工程と、
露光時に前記影響を補償する、第２図形要素を表す第２データを生成する工程と、
同内容の第２識別データを有する前記第１データ群を、図形領域に有する第１データに対して、同内容の前記第２データを対応させることにより、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する工程と、
前記図形データを用いて、フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。

（付記３）
前記第１識別データは、キーデータと、前記第１図形データの内の特定の頂点データに対する、他の頂点データの相対座標データとを備え、
第１図形要素群を表す第１データ群を抽出する工程において、
前記第１識別データに基づいて、前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を表す第１データ群を抽出するには、
前記キーデータに基づき、前記図形領域内に含まれる可能性がある第１図形要素群を、選別し、
選別された第１図形要素群の内から、前記相対座標データを比較することにより、前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を抽出することを特徴とする付記２に記載されたフォトマスクの製造方法。

（付記４）
前記設計データから冗長データを削除する工程と、
前記第１図形要素を表す前記第１データに、さらに、前記第１図形要素の頂点に相当する頂点データを追加する工程と、
前記第１データの頂点データに、前記第１図形要素の頂点間に評価点を配置することに相当する、前記評価点データを追加する工程と、
前記第２図形要素を表す前記第２データにおいて、補償を加えられた前記第２図形要素の前記評価点に相当する、前記評価データを利用して、補償の効果を評価する工程とを、さらに備えることを特徴とする付記２に記載したフォトマスクの製造方法。

（付記５）
複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造方法であって、
前記設計データの内から第１図形要素の辺を表す第１辺データを抽出する工程と、
前記第１図形要素の辺を表す前記第１辺データに、前記第１図形用の辺の特性を表す第１識別データを付加する工程と、
前記第１図形要素の辺毎に、前記第１図形要素の辺と一定距離内にある前記第１図形要素の辺から第１図形要素の辺群を形成する工程と
同内容の前記第１図形要素の辺群を表す前記第１辺データ群に、同内容の識別データを付加する工程と、
前記第１図形要素の辺群に対して、近接露光効果による、影響を見積もる工程と、
露光時に前記影響を補償する第２図形要素の辺を表す第２辺データを生成する工程と、
同内容の前記識別データを有する前記第１辺データ群を有する第１辺群に対して、同内容の前記第２辺データを対応させることにより、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する工程と、
前記図形データを用いて、フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。

（付記６）
複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造に用いられる装置であって、
前記設計データの内から、第１図形要素を表す第１データを抽出する手段と、
前記第１図形要素毎に、前記第１図形要素と一定距離内にある前記第１図形要素から第１図形要素群を形成する手段と、
同内容の前記第１図形要素群を表す前記第１データ群に、同内容の識別データを付加する手段と、
前記第１図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を見積もる手段と、
露光時に前記影響を補償する第２図形要素を表す第２データを生成する手段と、
同内容の前記識別データを有する前記第１データ群を有する第１データに対して、同内容の前記第２データを対応させる手段と、
前記第２データと前記識別データに基づいて、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する手段と、
前記図形データを用いて、フォトマスク上のマスクパターンを形成する手段と
を備えることを特徴とするフォトマスクの製造装置。

（付記７）
レジストの露光に用いられるフォトマスク上のマスク図形に係る第１図形データに基づいて形成した第２図形データから構成されたフォトマスクの描画データの製造装置であって、
前記第１図形データを第１辺データに分割する手段と、
前記第１辺データの内から、同一辺形状を表す前記第１辺データに、同一の識別データを付加する識別データ付加手段と、
同一の識別データを有する前記第１辺データの内の一の第１辺データに基づいてデータ領域を設定する手段と、
前記データ領域内に含まれる前記第１辺データを認識する手段と、
前記データ領域について、前記第１辺データに基づくマスク図形から、露光により形成されるレジストパターンの形状が、近接露光効果により変形することを抑止するための補正を、前記第１辺データに加えて第２辺データを作成する手段と、
同一の前記識別データを有する前記第１辺データに対して、同一の前記第２辺データを対応させる手段と、
前記第２辺データと前記識別データに基づいて、前記第２図形データを構成する手段とを備えることを特徴とするフォトマスクの製造に用いられる製造装置。

（付記８）
半導体基板上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに対して、前記フォトマスクを通して露光して、前記フォトマスク上のパターンを転写することによりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに半導体基板をエッチングする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明は、製造期間の短縮に好適な、フォトマスクの製造方法、及び、そのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。特にフォトマスク上のパターンを形成するデータの作成について、短縮化を図った、フォトマスクの製造方法、及び、そのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。

図１は、実施例１のフォトマスクの製造方法の工程を示すフローチャート図である。 図２は、図１のフローチャートに示した近接露光効果補正の工程の詳細を示したフローチャートである。 図３は、図３Ａと図３Ｂとから構成されており、図２の設計データの初期処理工程を説明する図である。 図４は、図４Ａ、図４Ｂ、及び、図４Ｃから構成されており、図２の図形要素抽出工程及び識別データ付与工程を説明する図である。 図５は、図５Ａ、図５Ｂ、及び、図５Ｃから構成されており、図形要素群の設定工程を説明する図である。 図６は、「図形要素群を表すデータ群に識別データを付与する工程」を説明する図である。 図７は、図２の近接露光効果見積もり工程と補正図形の生成工程を説明する図である。 図８は、図２の生成した補正図形要素を検査する工程を示す図である。 図９は、「補正図形要素を表すデータと図形要素を表すデータとを、図６の識別データに基づき関連づけ、その他の図形要素を表すデータに対しても補正図形要素を表すデータを展開する」ことを説明するための図である。 図10は、「図形要素を表すデータ構成されていた設計データを、実際にレチク上の金属膜のパターンを形成する図形データに変換すること」を説明する図である。 図11は、図10の図形データを用いて、図1のレチクル上の露光パターン形成する工程、図1の線幅検証工程、及び、図1のエッチングによる金属薄膜パターン形成工程について説明する図である。 図12は、実施例２のフォトマスクの製造方法における、近接露光効果補正の工程の詳細を示したフローチャートである。 図13は、図13Ａ、図13Ｂ、及び、図13Ｃから構成されており、図12の図形要素の辺の抽出工程及び識別データ付与工程を説明する図である。 図14は、「図形要素の辺群の設定工程」及び「図形要素の辺群を表すデータ群に識別データを付与する工程」を説明する図である。 図15は、図12の近接露光効果見積もり工程と補正図形の生成工程を説明する図である。 図16は、補正図形要素の辺を展開することにより図形データを構成する工程を終了したところを示す図である。 図17は、実施例１又は実施例２で製造したレチクルを用いて、半導体基板上にレジストパターンを形成する工程、及び、エッチングにより、半導体基板上に金属配線パターンを形成する工程について説明する図である。

符号の説明

１ レチクル製造開始
２ 設計データ作成
３ 設計データ検証
４ 近接露光効果補正
５ 近接露光効果補正検証
６ 露光パターン形成
７ 線幅検証
８ エッチングによる金属薄膜パターン形成
９ 設計データ修正
10 補正パラメータの修正
11 露光条件の変更
12 レチクル製造終了
15 近接露光効果補正開始
16 設計データの初期処理工程
17 図形要素抽出工程
18 識別データ付与工程
19 図形要素群の設定工程
20 識別データ付与工程
21 近接露光効果見積もり工程
22 補正図形の生成工程
23 検査工程
24 図形要素
25 近接露光効果補正終了
30、31、33、34 頂点
32、36、37 図形要素、
35 評価点
40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、及び、57図形要素
58 設計データ
59 図形要素の例
60 抽出した図形要素59を表すデータ
61 識別データを付与した図形要素を表すデータ
65 補正対象の図形要素
66 図形外形枠
67 図形領域
68 その他の図形要素
69、70、及び、71 補正対象の図形要素に対して、補正を行う上で影響する図形要素
75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、及び、92図形要素
93 図形領域
95 絶対座標を含む図形要素群を表すデータ群
96 相対座標を含む図形要素群を表すデータ群及び識別データ
100 図形領域
101 注目図形要素
102、103、104 図形領域の設定により抽出された図形要素
105 注目図形要素に対して、計算機によるシミュレーションで予測した投影像
106 注目図形要素に対する補正図形要素
107 補正図形要素に対して、計算機によるシミュレーションで予測した投影像
110 図形要素の投影像
111 図形要素
112 図形要素の頂点
113 評価点
114 補正図形要素の投影像
115 図形領域
116、117 図形要素
118 補正図形要素
119 展開前の2行3列図形
120 展開後の2行3列図形
121 ID=6の識別データを付与された図形要素群を有する図形要素
122 ID=2の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素
123 ID=5の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素
124 ID=1の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素
125 ID=0の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素
126 ID=3の識別データを付与された図形要素群を有する補正図形要素
127 ID=4の識別データを付与された補正図形要素群を有する図形要素
128 図形データ
130 図形描画装置のコントロール部
131 図形描画装置のビーム照射部
132 ビームコントローラ
133 レンズコントローラ
134 ビームブランクコントローラ
135 ディフレクションコントローラ
136 コントローラ
136 ステージコントローラ
138 ビーム照射部
139 電界レンズ
140 ビームブランク
141 ディフレクション
142 電界レンズ
143 レチクル
144 ステージ
145 図形データ
146 フォトマスクの石英基板
147 レチクルの石英基板上の金属薄膜
148 レジスト
149 ビーム照射が行われたレジスト部分
150 ビーム照射終了後の断面図
151 レジスト148除去後の断面図
152 金属薄膜147のエッチング後の断面図
153 レジストパターン除去後の断面図
155 近接露光効果補正開始
156 設計データの初期処理工程
157 図形要素抽出工程
158 識別データ付与工程
159 図形要素群の設定工程
160 識別データ付与工程
161 近接露光効果見積もり工程
162 補正図形の生成工程
163 検査工程
164 補正図形要素の辺を展開して、図形データを構成する工程
165 近接露光効果補正終了
170 図形要素の例
171 分割した図形要素の辺の例
172 図形要素の辺
173 図形要素の頂点
174 図形要素の辺を表すデータ
175 図形要素の辺を表すデータに付加されている付加情報データ
176 識別データ
180 図形要素の辺群
181 拡大図
182 補正対象の図形要素の辺
183 補正対象の図形要素の辺に対する、図形要素の辺群
184 補正対象の図形要素の辺に対して補正の見積もりを行う計算に必要な仮想の辺
185 拡大図181内のその他の図形要素の辺
186 補正対象の図形要素の辺182に対する図形要素の辺群を表すデータ群
187 補正情報
188 識別データ
189 補正の見積もりが必要と判断される図形要素の辺
190 図形領域
191 図形要素群
192 図形要素群の一部の拡大図
193 補正図形要素
194 補正図形要素の一部の拡大図
195 図形要素の辺
196 図形要素の一部に対する投影像
197 補正図形要素の辺
198 補正図形要素の一部に対する投影像
200 図形データ
201 補正図形要素の集合
210 照明
211 レチクル
212 投影レンズ
213 レジスト
214 金属層
215 半導体基板
216 露光により硬化したレジスト
217 レジスト露光後の断面図
218 余分なレジストを除去した後の断面図
219 エッチング後の断面図
220 すべてのレジストを除去した後の断面図

Claims (8)

1. 複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造方法であって、
   前記設計データの内から、第１図形要素を表す第１データを抽出する工程と、
   前記第１図形要素と、前記第１図形要素に対して近接露光効果により影響を及ぼす前記第１図形要素とから第１図形要素群を形成する工程と、
   同内容の前記第１図形要素群を表す前記第１データ群に、同内容の識別データを付加する工程と、
   前記第１図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を計算する工程と、
   露光時に前記影響を補償する第２図形要素を表す第２データを生成する工程と、
   同内容の前記識別データを有する前記第１データに対して、同内容の前記第２データを対応させることにより、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する工程と、
   前記図形データを用いて、前記フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程と
   を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
2. 複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造方法であって、
   前記設計データの内から第１図形要素を表す第１データを抽出する工程と、
   同形状を有する第１図形要素を表す第１データには、同内容の第１識別データを付加する工程と、
   第１図形要素に基づく図形領域を設定する工程と、
   前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を、前記第１識別データに基づき認識し、前記設計データから前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を表す第１データ群を抽出する工程と、
   同内容の前記第１図形要素群を表す第１データ群に同内容の第２識別データを付加する工程と、
   前記図形領域内の第１図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を計算する工程と、
   露光時に前記影響を補償する、第２図形要素を表す第２データを生成する工程と、
   同内容の第２識別データを有する前記第１データ群を、図形領域に有する第１データに対して、同内容の前記第２データを対応させることにより、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する工程と、
   前記図形データを用いて、前記フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程と
   を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
3. 前記第１識別データは、キーデータと、前記第１図形データの内の特定の頂点データに対する、他の頂点データの相対座標データとを備え、
   第１図形要素群を表す第１データ群を抽出する工程において、
   前記第１識別データに基づいて、前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を表す第１データ群を抽出するには、
   前記キーデータに基づき、前記図形領域内に含まれる可能性がある第１図形要素群を、選別し、
   選別された第１図形要素群の内から、前記相対座標データを比較することにより、前記図形領域内に含まれる第１図形要素群を抽出することを特徴とする請求項２に記載されたフォトマスクの製造方法。
4. 前記設計データから冗長データを削除する工程と、
   前記第１図形要素を表す前記第１データに、さらに、前記第１図形要素の頂点に相当する頂点データを追加する工程と、
   前記第１データの頂点データに、前記第１図形要素の頂点間に評価点を配置することに相当する、前記評価点データを追加する工程と、
   前記第２図形要素を表す前記第２データにおいて、補償を加えられた前記第２図形要素の前記評価点に相当する、前記評価データを利用して、補償の効果を評価する工程とを、さらに備えることを特徴とする請求項２に記載したフォトマスクの製造方法。
5. 複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造方法であって、
   前記設計データの内から第１図形要素の辺を表す第１辺データを抽出する工程と、
   前記第１図形要素の辺を表す前記第１辺データに、前記第１図形用の辺の特性を表す第１識別データを付加する工程と、
   前記第１図形要素の辺毎に、前記第１図形要素の辺と一定距離内にある前記第１図形要素の辺から第１図形要素の辺群を形成する工程と
   同内容の前記第１図形要素の辺群を表す前記第１辺データ群に、同内容の識別データを付加する工程と、
   前記第１図形要素の辺群に対して、近接露光効果による、影響を計算する工程と、
   露光時に前記影響を補償する第２図形要素の辺を表す第２辺データを生成する工程と、
   同内容の前記識別データを有する前記第１辺データ群を有する第１辺群に対して、同内容の前記第２辺データを対応させることにより、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する工程と、
   前記図形データを用いて、前記フォトマスク上のマスクパターンを形成する工程と
   を備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
6. 複数の第１図形要素を表す設計データに基づくフォトマスクの製造に用いられる装置であって、
   前記設計データの内から、第１図形要素を表す第１データを抽出する手段と、
   前記第１図形要素毎に、前記第１図形要素と一定距離内にある前記第１図形要素から第１図形要素群を形成する手段と、
   同内容の前記第１図形要素群を表す前記第１データ群に、同内容の識別データを付加する手段と、
   前記第１図形要素群に対して、近接露光効果による、影響を計算する手段と、
   露光時に前記影響を補償する第２図形要素を表す第２データを生成する手段と、
   同内容の前記識別データを有する前記第１データ群を有する第１データに対して、同内容の前記第２データを対応させる手段と、
   前記第２データと前記識別データに基づいて、複数の第２図形要素を表す図形データを構成する手段と、
   前記図形データを用いて、前記フォトマスク上のマスクパターンを形成する手段と
   を備えることを特徴とするフォトマスクの製造装置。
7. レジストの露光に用いられるフォトマスク上のマスク図形に係る第１図形データに基づいて形成した第２図形データから構成されたフォトマスクの描画データの製造装置であって、
   前記第１図形データを第１辺データに分割する手段と、
   前記第１辺データの内から、同一辺形状を表す前記第１辺データに、同一の識別データを付加する識別データ付加手段と、
   同一の識別データを有する前記第１辺データの内の一の第１辺データに基づいてデータ領域を設定する手段と、
   前記データ領域内に含まれる前記第１辺データを認識する手段と、
   前記データ領域について、前記第１辺データに基づくマスク図形から、露光により形成されるレジストパターンの形状が、近接露光効果により変形することを抑止するための補正を、前記第１辺データに加えて第２辺データを作成する手段と、
   同一の前記識別データを有する前記第１辺データに対して、同一の前記第２辺データを対応させる手段と、
   前記第２辺データと前記識別データに基づいて、前記第２図形データを構成する手段とを備えることを特徴とするフォトマスクの製造に用いられる製造装置。
8. 半導体基板上にレジストを塗布する工程と、
   前記レジストに対して、請求項１又は２又は５の製造方法によって作成したフォトマスクを通して露光して、前記フォトマスク上のパターンを転写することによりレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクに半導体基板をエッチングする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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