CN1841388B - 光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基于设计数据的光掩模制造方法，该方法包括如下步骤：形成包含光掩模上的版图图案中的图形元素和由于光学临近效应影响该图形元素的图形元素组，将标识数据添加到表示相同的图形元素组的数据组，评估光学临近效应对图形元素组的影响，生成表示校正的图形元素的校正数据，在校正的图形元素中补偿曝光时光学临近效应的影响，通过使具有相同标识数据的数据与具有该相同标识数据的校正数据相关联，生成图形数据，以及利用图形数据在光掩模上形成掩模图案。因此，可以减少校正版图的计算时间，从而减少光掩模的生产时间。

Description

光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法

相关申请的交叉参考

本申请基于并要求在2005年3月30日申请的在先日本专利申请No.2005-099245的优先权，在此通过参考援引其全部内容。

技术领域

本发明涉及一种适用于减少生产时间的光掩模制造方法，以及一种利用该光掩模制造半导体器件的方法。更具体地说，本发明涉及一种可以在短时间内生成用于形成光掩模上的图案的数据的光掩模制造方法，以及一种利用该光掩模制造半导体器件的方法。

背景技术

近来，随着半导体器件尺寸的减小，出现了对缩小通过光刻所形成的、用于制造半导体器件的抗蚀图案的需求。当将光应用于光掩模并且通过光将抗蚀剂曝光时，光掩模上的图案被转移而形成抗蚀图案。如果因为缩小抗蚀图案取得的进展而使得抗蚀图案的图案尺寸接近形成抗蚀图案所采用的光的波长，则由于光学临近效应光掩模上的图案就会在转移时变形。

为防止抗蚀图案变形，通过模拟等预测由光学临近效应引起的抗蚀图案变形，以校正光掩模上的原始图案。

但是，当使用计算机进行这种模拟时，由于光掩模上的图案密度高，因此需要很长的计算时间。有许多减少计算时间以快速校正光掩模上的图案的方法，例如，日本特开平No.2001-13669中提出其中一种方法。

在日本特开平No.2001-13669提出的方法中，设置对应于输入版图中的校正目标的校正区，并且同时设置大于该校正区一定量的图案匹配区，以便包围该校正区。然后，提取各图案匹配区中的图案版图。然后，将这个图案匹配区中的网格转换为大于原始网格的较大网格。接着，在图案区上执行图案匹配。作为图案匹配的结果，例如，利用原始网格分为三种的图案匹配区，在转换网格后减少为两种。

在所有校正区上执行图案匹配之后，校正分类的图案匹配区。校正的图案匹配区反映在整个输入版图中，从而获得校正的版图。

因此，网格转换可以减少图案匹配区种类的数目。因而也可以减少用于校正图案匹配区的计算时间。此外，为一个图案匹配区计算的图案校正结果也可以用于相同种类的其它图案匹配区，从而减少反映整个输入版图中校正的图案匹配区所需的计算时间。

发明内容

本发明的目的是提供一种光掩模制造方法，其中减少生成用于形成光掩模上的图案的数据的时间，从而减少该光掩模的生产时间，以及一种利用该光掩模制造半导体器件的方法。

随着半导体器件尺寸的减小，版图图案(layout pattern)以高密度形成在光掩模上。因而，为补偿光学临近效应的影响，用于校正该版图的计算时间增加。因此，出现如下问题：用于生成光掩模上的版图图案的数据的时间变长，并且制造光掩模的时间也将增加。

因此，本发明的目的是提供一种可以减少光掩模的生产时间的光掩模制造方法。

当光掩模上的版图图案密度增加时，图案匹配区的数目也增加。因而，通过图案匹配检验图案匹配区的一致性的计算时间将增加。

因此，本发明的另一目的是提供一种光掩模制造方法，其中减少用于检验一致性的计算时间，从而减少光掩模的生产时间。

本发明的另一目的是提供一种光掩模制造方法，其中由于在不增加光掩模上的版图图案的设计网格的尺寸的情况下执行用于校正版图的计算，所以可以在保持待转移至半导体器件的高精度版图图案、或高精度抗蚀图案的同时，减少生产时间。

在本发明的一方案中，一种光掩模制造方法包括如下步骤：从设计数据中提取表示图形元素的数据，以及形成包含该图形元素和由于光学临近效应影响该图形元素的图形元素的图形元素组。该方法进一步包括如下步骤：将标识数据添加到表示图形元素组的数据组，以及评估光学临近效应对图形元素组的影响。该方法进一步包括如下步骤：生成表示校正的图形元素的校正数据，在校正的图形元素中已补偿光学临近效应的影响；以及通过使具有相同标识数据的数据与具有相同标识数据的校正数据关联，设置包含校正的图形元素的图形数据。该方法进一步包括利用该图形数据在光掩模上形成掩模图案的步骤。

按照本发明的方法，将标识数据分配给表示图形元素组的数据，其中该图形元素组由于光学临近效应影响光掩模上的掩模图形中的图形元素。然后，生成对应于表示部分图形元素的数据、表示校正的图形元素的数据。当生成表示已补偿光学临近效应的校正的图形元素的数据时，将表示校正的图形元素的数据分配给具有相同的标识数据、表示其它图形元素的数据。因而，基于分配给表示图形元素组的数据的标识数据，可以容易地检索和分类将要生成校正的图形元素的图形元素，并且可以减少识别图形元素的时间。此外，即使有多种图形元素将要生成校正的图形元素，也可以基于表示校正的图形元素的数据在短时间内设置光掩模版图形数据。从而可以减少光掩模的生产时间。

在本发明的另一方案中，提供一种执行上述光掩模制造方法的装置。

在本发明的另一方案中，提供一种利用由上述方法制造的光掩模制造半导体器件的方法。

按照本发明的装置，可以减少制造光掩模所需的时间。

按照制造按照本发明的半导体器件的方法，由于使用高精度光掩模，从而可以提供具有高加工精度的半导体器件。

附图说明

图1为示出按照本发明第一实施例的光掩模制造方法的流程图；

图2为示出图1所示的流程图中光学临近效应校正步骤的详情的流程图；

图3A和图3B为示出图2所示的流程图中设计数据的初始处理步骤的示意图；

图4A至图4C为示出图2所示的流程图中图形元素提取步骤和标识数据分配步骤的示意图；

图5A至图5C为示出图2所示的流程图中图形元素组设置步骤的示意图；

图6A和图6B为示出图2所示的流程图中将标识数据分配给表示图形元素组的数据组的步骤的示意图；

图7A和图7B为示出图2所示的流程图中光学临近效应评估步骤和校正的图形生成步骤的示意图；

图8A和图8B为示出图2所示的流程图中所生成的校正的图形元素的检验步骤的示意图；

图9为示出基于图6B所示的标识数据使表示校正的图形元素的数据与表示图形元素的数据相关联，并将表示该校正的图形元素的数据分布到表示其它图形元素的数据的步骤的示意图；

图10为示出将设置为表示图形元素的设计数据实际转换为用于在光刻版(reticle)上形成金属膜图案的图形数据的步骤的示意图；

图11为示出图1所示的流程图中在光刻版上形成曝光图案的步骤、线宽检验步骤、以及通过蚀刻形成金属薄膜图案的步骤的示意图，其中利用图10所示的图形数据来执行上述步骤；

图12为示出在按照本发明第二实施例的光掩模制造方法中光学临近效应校正方法的详情的流程图；

图13A至图13C为示出图12所示的流程图中图形元素边提取步骤和标识数据分配步骤的示意图；

图14为示出图12所示的流程图中图形元素边组设置步骤和将标识数据分配给表示一组图形元素边的数据组的步骤的示意图；

图15为示出图12所示的流程图中光学临近效应评估步骤和校正的图形生成步骤的示意图；

图16为通过分布校正的图形元素边设置的图形数据的示意图；

图17为示出利用第一或第二实施例中制造的光刻版在半导体衬底上形成抗蚀图案的方法，以及通过蚀刻在半导体衬底上形成金属布线图案的方法的示意图。

具体实施方式

下面将说明本发明的第一、第二、以及第三实施例。

第一实施例

将参照图1至图11说明按照本发明第一实施例的光掩模制造方法。术语光掩模指上面形成有金属薄膜图案的板，典型为石英玻璃板。将光应用于光掩模，以将光掩模上的金属薄膜图案转移至涂在半导体衬底上的感光膜或抗蚀剂，而使半导体器件形成在半导体衬底上。使用通过转移光掩模上的金属薄膜图案而形成的抗蚀图案作为掩模，蚀刻半导体衬底上的材料，从而形成半导体器件的电路图案。

图1为示出按照第一实施例的光掩模制造方法的流程图。图1所示的方法包括步骤1：“光刻版生产开始”，步骤2：“生成设计数据”，步骤3：“检验设计数据”，步骤4：“光学临近效应校正”，步骤5：“检验光学临近效应校正”，步骤6：“形成曝光图案”，步骤7：“检验线宽”，步骤8：“通过蚀刻形成金属薄膜图案”，步骤9：“校正设计数据”，步骤10：“修改校正参数”，步骤11：“改变曝光条件”，步骤12：“光刻版生产结束”。

在步骤1，光刻版生产开始。典型地，光刻版为上面形成有金属薄膜图案的石英玻璃板，是一种光掩模。通常，光刻版上的金属薄膜图案包括图案化的部件，用于半导体器件的一个芯片至几个芯片的电路图案化。因此，光刻版用于将该光刻版上的金属薄膜图案转移至上面形成半导体器件的半导体衬底的部分区域。

在步骤2，生成用于在光刻版上形成金属薄膜图案的设计数据。

在步骤3，确定设计数据是否按照设计规则生成。设计规则包括形成光刻版上的金属薄膜图案中的限制。例如，设计规则包括保证金属薄膜图案的最小线宽和最小图案间距的限制，以及消除锐角图案的限制。如果设计数据符合设计规则，则程序前进至步骤4。如果设计数据不符合设计规则，则程序前进至步骤9。

在步骤9，校正设计数据，以使不符合设计规则的设计数据部分符合设计规则。

尽管下面将参照图2说明步骤4的详情，但此处将简述其处理。首先，将光应用于光刻版以生成光刻版上的金属薄膜图案的投射图像。将投射图像通过透镜以生成缩微投射图像。如果光刻版上的金属薄膜图案的尺寸接近光波长，那么所谓的光学临近效应会妨碍该缩微投射图像完全类似于金属薄膜图案。因此，必须使光刻版上的金属薄膜图案变形，并且校正设计数据以形成未变形的金属薄膜图案，使缩微投射图像类似于未变形的金属薄膜图案。因此，在步骤4，校正设计数据以生成用于在光刻版上形成变形的金属薄膜图案的图形数据。

在步骤5，确定校正的设计数据是否适合于产生所需的缩微投射图像。如果校正的设计数据适合，则程序前进至步骤6。如果校正的设计数据不适合，则程序前进至步骤10。

在步骤10，修改所谓的光学临近效应校正的校正参数。

在步骤6，使用校正的设计数据，即图形数据控制来自绘图装置的电子束发射，以在金属薄膜上形成抗蚀图案。

在步骤7，检验步骤6中形成的抗蚀图案的线宽。如果抗蚀图案的线宽在标准宽度内，则程序前进至步骤8。如果抗蚀图案的线宽不在标准宽度内，则程序前进至步骤11。

在步骤11，改变来自电子束曝光装置，即绘图装置的电子束的曝光条件，以使步骤6中形成的抗蚀图案的线宽在标准宽度内。如果确定仅通过改变电子束的曝光条件不能使抗蚀图案的线宽达到在标准宽度内，则程序前进至步骤10。然后，再次执行步骤4的处理。

在步骤8，使用步骤6中形成的抗蚀图案作为掩模蚀刻金属薄膜，以形成金属薄膜图案。

因此，在石英玻璃板上形成金属薄膜图案，然后，在步骤12中光刻版生产结束。

图2为示出图1所示的流程图中步骤4的光学临近效应校正方法的详情的流程图。图2所示的方法包括步骤15：“光学临近效应校正开始”，步骤16：“设计数据的初始处理”，步骤17：“提取图形元素”，步骤18：“分配标识数据”，步骤19：“设置图形元素组”，步骤20：“分配标识数据”，步骤21：“评估光学临近效应”，步骤22：“生成校正的图形”，步骤23：“检验”，步骤24：“通过分布图形元素设置图形数据”，以及步骤25：“光学临近效应校正结束”。

该光学临近效应校正方法包括步骤16至步骤24的处理，将参照图3A至图10说明步骤16至步骤24的处理。

图3A和3B为示出图2所示的流程图中步骤16的处理的示意图。

在步骤16，从设计数据中去除多余的数据，并将表示评估点的数据添加至设计数据中。

图3A为示出从设计数据中去除多余数据的步骤的示意图。

在图3A中，如左侧部分所示，表示图形元素32的数据包括表示四个顶点31的数据和表示一个顶点30的数据。表示顶点30的数据实质上没有限定图形，因此是多余的。如图3A的右侧部分所示，从设计数据，即表示图形元素32的数据中，去除多余的数据，即表示没有限定图形的顶点30的数据，以生成表示图形元素32的数据。从设计数据中去除多余的数据具有减少待处理数据量的优点。

图3B为示出将表示评估点的数据添加至设计数据的步骤的示意图。

在图3B中，如左侧部分所示，表示图形元素36的数据包含表示六个顶点33的数据，表示图形元素37的数据包含表示四个顶点33的数据。

在将表示评估点的数据添加至设计数据的步骤中，将表示评估点35的数据加在表示图形元素37顶点33的数据之间，以生成包含表示四个顶点33和四个评估点35的数据且表示图形元素37的数据，如图3B的右侧部分所示。也就是说，将评估点35加至图形元素37的边上。

在图形元素36中顶点33之间的距离较长的情况下，仅仅加入评估点不能实现后面的光学临近效应的高精度评估。这种情况下，在将评估点添加至设计数据的过程中，首先，表示图形元素36的设计数据还包含表示新顶点34的数据，然后，将表示评估点35的数据加在表示顶点33的数据之间或加在表示顶点33的数据和表示顶点34的数据之间。

通过加入评估点35，可以更详细地评估光学临近效应校正。由顶点34进一步划分顶点33之间的边，从而获得高精度评估。

可以在图2所示的流程图中的步骤20处理之后执行将表示评估点的数据添加至设计数据的步骤。在这种情况下，可以获得更短的处理时间和更高的精度。

图4A至图4C为示出图2所示的流程图中步骤17和步骤18的处理的示意图。

在步骤17，从设计数据中提取表示一个图形元素的数据。在步骤18，例如，通过对顶点的相对坐标，或顶点的起始点坐标和相对坐标应用散列函数，基于表示图形元素的数据，生成标识数据，并将该标识数据添加至表示图形元素的数据。

下面将参照图4A至图4C说明步骤17和步骤18的处理。图4A至图4C中，相同的部分被分配给相同的标号。

图4A示出光刻版上的金属薄膜图案，包括一组图形元素40至57。图形元素40至48为反L形图案化图形，每个图形元素具有11个顶点，而图形元素49至57为各具有四个顶点的矩形图案化图形。图4A示出图案化图形的三行乘三列网格，每个图案化图形包括一个矩形图案化图形和一个反L形图案化图形。

图4B示出已进行步骤17和步骤18处理的金属薄膜图案，其中将由ID＝0、ID＝1和ID＝2所表示的标识数据分配给图4A中所示的图形元素40至57。具体地说，对应于反L形图案化图形的图形元素40、43和46具有ID＝1。对应于反L形图案化图形的图形元素41、42、44、45、47和48具有ID＝0。对应于矩形图案化图形的图形元素49至57具有ID＝2。

图4C示出从设计数据中提取表示一个图形元素的数据的步骤、以及对表示图形元素的数据应用散列函数以生成标识数据并将该标识数据添加至表示图形元素的数据的步骤的示意图。

首先，设计数据58包括图形元素的一组顶点坐标数据，该组顶点坐标数据表示如下：“X0：起始点X”、“Y0：起始点Y”、“X1：第一点X”、“Y1：第一点Y”、“X2：第二点X”、“Y2：第二点Y”、“X3：第三点X”、“Y3：第三点Y”、“X4：第四点X”、“Y4：第四点Y”、“X5：第五点X”、“Y5：第五点Y”、“X6：第六点X”、“Y6：第六点Y”、“X7：第七点X”、“Y7：第七点Y”、“X8：第八点X”、“Y8：第八点Y”、“X9：第九点X”、“Y9：第九点Y”、“X10：第十点X”和“Y10：第十点Y”。

在从设计数据中提取表示一个图形元素的数据的步骤中，首先，从设计数据58中提取与图形元素59(其具有作为顶点的起始点和第一至第十点)相关联的顶点坐标数据，并设置为一组数据。然后，将最左上顶点定义为起始点(X0，Y0)，并根据属于该组数据的顶点数据，确定从图形元素59的起始点顶点起的相对坐标(DX1，DY1，DX2，DY2，DX3，DY3，DX4，DY4，DX5，DY5，DX6，DY6，DX7，DY7，DX8，DY8，DX9，DY9，DX10，以及DY10)，生成表示图形元素59的数据60，数据60总体包含起始点数据以及顶点的相对坐标。

在对表示图形元素的数据应用散列函数以生成标识数据并将该标识数据添加至表示该图形元素的数据的步骤中，首先，例如通过对图形元素59的顶点的相对坐标应用散列函数，基于数据60生成标识数据。即使基于不同的图形元素，由散列函数所生成的标识数据可以是相同的。因此，比较具有相同标识数据的图形元素，并进一步分配不同的标识数据。尽管在图4B中示出由数字表示的标识数据，例如ID＝0，ID＝1，以及ID＝2，但表示符号等的数据也可以用作标识数据。散列函数为一种将给定的原始文本、原始数字、或原始坐标转换为定长的字符串或数字串以获得允许使用散列方法高速检索的标识符(key)的函数。然后，将标识数据分配给数据60以生成表示分配有标识数据的图形元素59的数据61。应该理解为表示相同图形元素的数据60被分配相同的标识数据。

图5A至图5C为示出图2所示的流程图中步骤19的处理的示意图。

步骤19的处理包括基于待校正的图形元素设置图形区的步骤，以及提取与该图形区重叠或相邻的图形元素组的步骤。在基于待校正的图形元素设置图形区的步骤中，相对于图形元素限定图形外框，并将图形外框放大以设置图形区。在提取与图形区重叠或相邻的图形元素组的步骤中，基于分配给表示图形元素的数据的标识数据，识别与图形区重叠或相邻的图形元素组，并提取表示图形元素组的数据组。

将参照图5A和图5B说明基于待校正的图形元素设置图形区的步骤，以及将参照图5C说明提取与图形区重叠或相邻的图形元素组的步骤。在图5A至图5C中，相同的部分被分配相同的标号。

图5A示出基于待校正的图形元素65的图形外框66，其用于基于待校正的图形元素设置图形区的步骤中。限定图形外框66的一点是最大点，该最大点是由待校正的图形元素65顶点的X和Y坐标中具有最大值的X坐标和具有最大值的Y坐标表示。限定图形外框66的另一点是最小点，该最小点是由图形元素65顶点的X和Y坐标中具有最小值的X坐标和具有最小值的Y坐标表示。

图5B示出通过以某一因数放大图形外框66形成的图形区67。确定放大因数，以使图形区67等于确定为评估光学临近效应对指定的图形元素65的图形外框66的影响所必需的区域。因此，放大因数根据条件，例如图形元素65的尺寸以及用于照射的光波长而定。由于通过使用计算机模拟来评估光学临近效应的影响，因此放大因数随着用于数值计算的计算机的性能而改变。尽管通过以某一因数放大图形外框66形成图形区67，但也可以通过以某一宽度放大图形外框66形成图形区67。

图5C为示出基于分配给表示图形元素65的数据的标识数据，识别与图形区67重叠或相邻的图形元素组，并提取表示图形元素组的数据组的步骤的示意图。首先，在基于分配给表示图形元素65的数据的标识数据，识别与图形区67重叠或相邻的图形元素组的步骤中，基于分配给表示图形元素69和70的数据的标识数据，从其它图形元素68中识别出图形元素69和70，其中图形元素69和70至少部分重叠于或至少部分包含于图5C所示的图形区67。在基于分配给表示图形元素65的数据的标识数据，识别与图形区67重叠或相邻的图形元素组的步骤中，基于分配给表示图形元素71的数据的标识数据，也从其它图形元素68中识别出与图形区67相邻的图形元素71。其后，在提取表示图形元素组的数据的过程中，将所提取的图形元素69、70和71组成图形元素组，并生成表示图形元素组的数据组。

图6A和图6B为示出将标识数据分配给表示图形元素组的数据组的步骤(图2所示的流程图中的步骤20)的示意图。

在将标识数据分配给表示图形元素组的数据组的步骤中，将包含在分配给表示图形元素组的数据组的标识数据组和表示图形元素的数据中的图形元素顶点的绝对坐标，从指定的图形元素顶点的坐标转换为相对坐标，并对转换的相对坐标应用散列函数以生成标识数据。将所生成的标识数据分配给表示图形元素组的数据组。

在图6A和图6B中，相同的部分被分配相同的标号。

图6A示出分配给表示图形元素组的数据组(对应于指定的图形元素79且包含绝对坐标)和表示图形元素79的数据的标识数据组95。在图6A中，图形元素75至78以及80至92与图形元素79相邻，并且对应于图形元素79限定图形区93。

图6A中，标识数据组95包括“ID：图形元素79的标识数据”、“(MXp0，MYp0)：图形元素87的绝对坐标”、“ID0：图形元素87的标识数据”、“(MXp1，MYp1)：图形元素88的绝对坐标”、“ID1：图形元素88的标识数据”、“(MXp2，MYp2)：图形元素76的绝对坐标”、“ID2：图形元素76的标识数据”、“(MXp3，MYp3)：图形元素82的绝对坐标”、以及“ID3：图形元素82的标识数据”。

举例来说，描述“(MXp0，MYp0)：图形元素87的绝对坐标”表示图形元素87的起始点顶点由绝对坐标表示并且其它顶点的坐标由从该起始点顶点起的相对坐标表示。这同样适用于“(MXp1，MYp1)：图形元素88的绝对坐标”、“(MXp2，MYp2)：图形元素76的绝对坐标”、以及“(MXp3，MYp3)：图形元素82的绝对坐标”。

描述“ID：图形元素79的标识数据”表示通过对表示图形元素79的数据应用散列函数生成并分配给表示图形元素79的数据的标识数据。这同样适用于“ID0：图形元素87的标识数据”、“ID1：图形元素88的标识数据”、“ID2：图形元素76的标识数据”、以及“ID3：图形元素82的标识数据”。

图6B为示出将标识数据分配给表示图元素组的数据组的步骤(图2中的流程图中的步骤20)的示意图。在图6B中，对应于指定图形元素79限定由虚线表示的图形区93。图6B示出图形元素87、88、76以及82被提取。图6B也示出图形元素75、77、78、80、81、83、84、85、86、89、90、91以及92与图形元素79相邻。

在将标识数据分配给表示图元素组的数据组的步骤中，首先，将标识数据组95中的图形元素87、88、76以及82的顶点坐标从绝对坐标转换为从指定图形元素79的顶点坐标起的相对坐标。

具体来说，通过从图形元素87、88、76以及82的起始点顶点坐标值中减去图形元素79的起始点顶点坐标值，来确定相对坐标。然后，加入图形元素的其它顶点的坐标以设置数据表96，其中所述其它顶点的坐标由从图形元素87、88、76以及82的起始点顶点坐标起的相对坐标表示。数据表96包括包含相对坐标、表示图形元素87、88、76以及82的数据，和分配给表示图形元素79、87、88、76以82的数据的标识数据。图6B中，包含相对坐标、表示图形元素87、88、76以及82的数据包括“ID：图形元素79的标识数据”、“(Xp0，Yp0)：图形元素87的相对坐标((图形元素87的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、“ID0：图形元素87的标识数据”、“(Xp1，Yp1)：图形元素88的相对坐标((图形元素88的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、“ID1：图形元素88的标识数据”、“(Xp2，Yp2)：图形元素76的相对坐标((图形元素76的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、“ID2：图形元素76的标识数据”、“(Xp3，Yp3)：图形元素82的相对坐标((图形元素82的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、以及“ID3：图形元素82的标识数据”。

然后，生成包含定长字符串或数字串的标识数据F(ID，Xp0，Yp0，ID0，Xp1，Yp1，ID1，Xp2，Yp2，ID2，Xp3，Yp3，ID3)。利用描述“ID：图形元素79的标识数据”、“(Xp0，Yp0)：图形元素87的相对坐标((图形元素87的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、“ID0：图形元素87的标识数据”、“(Xp1，Yp1)：图形元素88的相对坐标((图形元素88的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、“ID1：图形元素88的标识数据”、“(Xp2，Yp2)：图形元素76的相对坐标((图形元素76的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、“ID2：图形元素76的标识数据”、“(Xp3，Yp3)：图形元素82的相对坐标((图形元素82的起始点坐标)-(图形元素79的起始点坐标))”、以及“ID3：图形元素82的标识数据”，通过应用散列函数生成这些标识数据。即使基于不同的图形元素组，由散列函数所生成的该标识数据也可能是相同的。因此，比较具有相同标识数据的图形元素组，并进一步分配不同的标识数据。从而生成包括包含相对坐标、表示图形元素组的数据和标识数据的数据表96。尽管在图6B中示出由数字表示的标识数据，例如ID＝0，ID＝1，ID＝2，ID＝3，ID＝4，ID＝5，以及ID＝6，但表示符号等的数据也可以用作标识数据。

图7A和7B为示出图2所示的流程图中步骤21和步骤22的处理的示意图。

在步骤21，通过基于计算机的模拟，评估光学临近效应对通过将光应用于图形元素而生成的投射图像的形状的影响。在步骤22，生成校正的图形元素，其中校正图形元素的形状以使投射图像的形状变得类似于该图形元素的形状。

在图7A和图7B中，相同的部分被分配相同的标号。

图7A为示出通过基于计算机的模拟，评估光学临近效应对通过将光应用于图形元素而生成的投射图像的形状的影响的步骤的示意图。在图7A中，在对应于指定图形元素101限定的图形区100中提取图形元素102、103和104。通过基于计算机的模拟，预测指定图形元素101的投射图像105。

在评估光学临近效应的影响的步骤中，通过基于计算机的模拟确定指定图形元素101的投射图像105。投射图像105是通过在考虑光学临近效应的基础上应用光至指定图形元素101，而生成的投射图像。通常，由于光学临近效应的影响，投射图像105的顶点部分为扇形，而不是直角。投射图像105的边通常位于指定图形元素101的边的内部。此外，例如，指定图形元素101与图形元素103相邻的部分受到由图形元素103引起的光学临近效应的强烈影响，因此变为凹形。

然后，比较指定图形元素101的形状与投射图像105的形状，以评估光学临近效应的影响。

图7B为示出生成校正的图形元素的步骤的示意图，在该步骤中校正图形元素的形状以使投射图像的形状类似于该图形元素的形状。图7B示出指定图形元素101，图形区100，以及被提取图形元素102、103和104。图7B还示出通过对指定图形元素101执行校正图形生成处理而生成的校正的图形元素106。图7B中，通过基于计算的模拟预测对应于校正的图形元素106的投射图像107。

在生成校正的图形元素的步骤中，其中校正图形元素的形状以使投射图像的形状类似于图形元素的形状，比较通过基于计算机的模拟生成的投射图像107的形状与指定图形元素101的形状。然后，校正指定图形元素101，以使投射图像107的形状类似于指定图形元素101的形状，从而生成校正的图形元素106。例如，执行校正，以使校正的图形元素106在其顶点部分还包括小矩形图形，从而防止投射图像107的顶点部分变为扇形。进一步执行校正，以使校正的图形元素106的边位于指定图形元素101的边的外部。因此，校正的图形元素106的投射图像107的形状类似于指定图形元素101的形状。

当具有如图6B所示的相同标识数据的一个图形元素组位于图形区100中时，对图形元素组中具有如图4C所示的相同标识数据的一个图形元素，执行步骤21和步骤22的处理。

也就是说，当使用图6B所示的标识数据和图4C所示的标识数据分类光掩模上的金属薄膜图案的图形元素时，校正被确定为唯一的图形元素，并且生成校正的图形。

如果表示图形元素的数据仅包括坐标数据，则在图形元素的分类中，检索或分选通常需要较长的时间。然而，在第一实施方式中，基于散列函数生成标识数据，因而可以减少检索或分选的时间。

图8A和8B为示出检验校正的图形元素的步骤(图2所示的流程图中步骤23)的示意图。

在步骤23的处理中，比较图形元素的评估点与该图形元素的投射图像的评估点，以检验由于光学临近效应引起的投射图像的变形，并检验投射图像与图形元素之间在形状上的一致性。

图8A示出在评估点113处比较图形元素111与图形元素111的投射图像110，以检验由于光学临近效应引起的投射图像110的变形。在图8A中，由虚线表示具有顶点112的图形元素111，并由大虚线圆表示顶点112。由小虚线圆表示评估点113。由实线表示图8A中所示的投射图像110。

图8A中，在评估点113处比较图形元素111与图形元素111的投射图像110，如黑箭头所示，从而检验由于光学临近效应引起的投射图像110的变形。利用表示图形元素111的数据、包含在表示图形元素111的数据中的评估点113的数据、以及表示投射图像110的数据，执行该检验。当在图8A中的评估点113处比较图形元素111与图形元素111的投射图像110时，可以在顶点112执行该比较，并且比较结果可用于该检验步骤。在这种情况下，当顶点在拐角时，容许误差增加。通过利用在图形元素111和投射图像110的顶点112的比较与在图形元素111和投射图像110的边上的评估点113的比较的组合，可以提高检验精度。

图8B示出在评估点113处比较图形元素111与通过模拟生成的校正的图形元素的投射图像114，以确定投射图像114与图形元素111之间在形状上的一致性。

图8B中，虚线、大虚线圆、以及小虚线圆表示与图8A所示的相同部分。图8B中，实线表示投射图像114。

图8B中，在评估点113处比较图形元素111与校正的图形元素的投射图像114，如黑箭头所示。并且，利用表示待检验目标的数据，通过基于计算机的模拟执行上述检验。当在图8B中的评估点113处比较图形元素111与校正的图形元素的投射图像114时，可以在顶点112处执行该比较，并且比较结果可用于该检验步骤。在这种情况下，当顶点在拐角时，容许误差增加。然后，作为检验的结果，确定校正的图形元素的投射图像114与图形元素111之间的形状差别是否在预定范围内(在图2所示流程图中步骤23)。如果该差别在预定范围内，则校正的图形元素用作所需的校正的图形元素。如果校正的图形元素的投射图像114与图形元素111之间的形状差别不在预定范围内，则程序返回图2所示流程图中的步骤19，并生成另一校正的图形元素。

将参照图9和图10说明图2所示流程图中的步骤24的处理。在步骤24，基于图6B所示的标识数据，使表示校正的图形元素的数据与表示图形元素的数据相关联。将表示校正的图形元素的数据进一步分布到表示具有相同标识数据的其它图形元素的数据，从而实际上将设置为表示图形元素的设计数据转换为用于形成光掩模上的金属薄膜图案的图形数据。

图9为示出基于图6B所示的标识数据使表示校正的图形元素的数据与表示图形元素的数据相关联，并将表示校正的图形元素的数据分布到表示其它图形元素的数据的步骤的示意图。图9示出原始的两行乘三列图形119，和执行分配之后的两行乘三列图形120。两行乘三列图形为在具有多个图形元素的n行乘m列图形组中任意图形元素的两行乘三列的网格，其中n和m为大于4的自然数，并且不包含周边列或周边行。

因此，在基于图6B所示的标识数据使表示校正的图形元素的数据与表示图形元素的数据相关联的步骤中，在图9所示的原始的两行乘三列图形119中，使用散列校正的图形元素118替换图形元素116，在图形元素116中具有特定标识数据，例如ID＝0的图形元素组位于图形区115中。

在将表示校正的图形元素的数据分布到表示具有相同标识数据的其它图形元素的数据的步骤中，在图9所示的原始的两行乘三列图形119中，使用相同的校正的图形元素118替换图形元素116，在图形元素116中具有相同标识数据，例如ID＝0的图形元素组位于图形区115中，从而生成图9所示的两行乘三列图形120。

为便于说明，在前述说明中，使用图形元素执行图形元素的分布。通过计算机分布图形元素，因此可使用表示图形元素116和117、校正的图形元素118等的数据执行该处理。

图10为示出将设置为表示图形元素的设计数据实际上转换为用于在光刻版上形成金属膜图案的图形数据的步骤的示意图。

在图10中，图形数据128包括：具有分配有标识数据ID＝6的图形元素组的图形元素121、具有分配有标识数据ID＝2的图形元素组的校正的图形元素122、具有分配有标识数据ID＝5的图形元素组的校正的图形元素123、具有分配有标识数据ID＝1的图形元素组的校正的图形元素124、具有分配有标识数据ID＝0的图形元素组的校正的图形元素125、具有分配有标识数据ID＝3的图形元素组的校正的图形元素126、以及具有分配有标识数据ID＝4的校正的图形元素组的图形元素127。

在将设置为表示图形元素的设计数据实际上转换为用于在光刻版上形成金属膜图案的图形数据的步骤中，对所有图形元素执行基于图6B所示的标识数据使表示校正的图形元素的数据与表示图形元素的数据相关联，并将表示校正的图形元素的数据分布到表示其它图形元素的数据的步骤。

如图10所示，表示光刻版上的金属薄膜图案的图形数据128包括表示校正的图形元素121至127的数据。

将更详细地说明基于图6B所示的标识数据的关联步骤。首先，表示校正的图形元素的数据包括表示起始点的原始坐标、以及其它顶点从该起始点起的相对坐标。因此，表示校正的图形元素的数据不具有绝对坐标。另一方面，表示校正的图形元素的数据所基于的、表示图形元素的数据具有绝对坐标；该数据包括表示起始点的绝对坐标和表示其它顶点从该起始点起的相对坐标。

从表示图形元素组的数据中，提取表示图形元素的数据的绝对坐标和图形元素组的标识数据，该图形元素组包含在为校正图形元素的形状而限定的图形区中。然后，基于标识数据，使表示校正的图形元素的数据与绝对坐标相关联。该操作对应于基于图6B所示的标识数据的关联步骤。

图11为示出利用图10所示的图形数据在光刻版上形成曝光图案、检验线宽、以及通过蚀刻形成金属薄膜图案的步骤(图1所示的流程图中步骤6至步骤8)的示意图。

图11中，绘图装置包括控制单元130和射束发射单元131。

绘图装置的射束发射单元131包括射束反射器138、聚焦射束的静电透镜139、具有阻挡射束功能的射束间隔(beam-blank)140、控制射束方向的偏转器141、将射束聚焦到待使用射束照射的目标上的静电透镜142、以及上面安装有光掩模(或光刻版)143(例如，光刻版)的平台144。绘图装置的控制单元130的功能是控制射束发射单元131，并基于存储于其中的图形数据145控制射束的发射。控制单元130包括控制射束反射器138的射束控制器132、控制静电透镜139和142的透镜控制器133、控制射束间隔140的射束间隔控制器134、控制偏转器141的偏转器控制器135、控制平台144的平台控制器137，以及控制器136。控制器136基于图形数据145，控制射束控制器132、透镜控制器133、射束间隔控制器134、偏转器控制器135、以及平台控制器137。

按照如下程序执行图1所示的流程图中的步骤6的处理，其中在光刻版143上形成曝光图案。首先，在石英板146上沉积金属薄膜147，然后，使用抗蚀剂148涂覆该金属薄膜147。然后，射束发射器131利用图10所示的图形数据128发射射束至抗蚀剂148以形成所需的抗蚀图案。以横截面示出射束照射后的层150。然后，在保留通过射束照射固化的抗蚀剂部分149的同时去除抗蚀剂148，从而形成抗蚀图案。以横截面示出去除抗蚀剂148的层151。

然后，对抗蚀图案执行检验线宽的步骤(图1所示的流程图中的步骤7)。如果抗蚀图案的线宽等于预定线宽，则程序前进至图1所示的流程图中的步骤8。

按照如下程序执行通过蚀刻形成金属薄膜图案的步骤(图1所示的流程图中的步骤8)。首先，通过利用抗蚀图案作为掩模进行各向异性蚀刻，图案化金属薄膜147。然后，以横截面示出金属薄膜147被蚀刻的层152。然后，去除抗蚀图案，从而获得横截面示出的抗蚀图案被去除的层153。在石英板146上留下图案化的金属薄膜147，从而在光刻版上形成金属薄膜图案。

按照第一实施例的光刻版制造方法包括如下步骤：生成光刻版上的金属薄膜图案的设计数据，检验设计数据，通过执行光学临近效应校正生成用于在光刻版上形成校正的金属薄膜图案的图形数据，检验光学临近效应，形成曝光图案，检验曝光图案(即抗蚀图案)的线宽，以及通过蚀刻形成金属薄膜图案。通过执行光学临近效应校正生成用于形成金属薄膜图案的图形数据的步骤包括如下步骤：对设计数据执行初始处理，提取图形元素，分配标识数据，设置图形元素组，分配标识数据，评估光学临近效应，生成校正的图形，执行检验，以及通过分布校正的图形元素设置图形数据。

因此，按照第一实施例的光刻版制造方法，可以减少制造光刻版所需的时间。这是因为减少生成用于光刻版上的金属薄膜图案的图形数据的时间。

生成图形数据的时间减少是因为不是所有的图形元素都进行校正的图形生成步骤，而仅是具有图4C所示的相同标识数据的图形元素之一进行校正的图形生成处理，其中具有图6B所示的相同标识数据的图形元素组包含在图形区中。尽管需要分配标识数据的时间和检验标识数据之间的一致性的时间，但是由于使用散列函数生成标识数据，因此可以快速执行生成标识数据以及检验标识数据之间的一致性的步骤。因而，可以大大减少分配标识数据以及检验标识数据之间的一致性的时间。

此外，按照第一实施例的光刻版制造方法，即使使用较小的网格作为图形数据的网格，也可以减少制造光刻版的时间。因此，按照第一实施例的光刻版制造方法，还可以制造具有高精度图案的光刻版。

第二实施例

除光学临近效应校正(图1所示的流程图中步骤4)之外，按照本发明第二实施例的光掩模制造方法类似于按照第一实施例的光掩模制造方法。以下将参照图12至图16说明按照第二实施例的光掩模制造方法中的光学临近效应校正步骤。

图12为示出在按照本发明第二实施例的光掩模制造方法中光学临近效应校正步骤的详情的流程图。图12所示的方法包括步骤155：“光学临近效应校正开始”，步骤156：“设计数据的初始处理”，步骤157：“提取图形元素边”，步骤158：“分配标识数据”，步骤159：“设置图形元素边组”，步骤160：“分配标识数据”，步骤161：“评估光学临近效应”，步骤162：“生成校正的图形”，步骤163：“检验”，步骤164：“通过分布校正的图形元素边设置图形数据”，以及步骤165：“光学临近效应校正结束”。

图12所示的光学临近效应校正方法包括步骤156至步骤164的处理，将参照图13至图16说明步骤156至步骤164的处理。

图13A至图13C为示出图12所示的流程图中步骤157和步骤158的处理的示意图；

在步骤157，提取表示构成设计数据的图形元素的边的数据。在步骤158，例如通过对表示图形元素的边的边数据174和附加信息175应用散列函数，基于表示图形元素的边的数据生成标识数据，并且将该标识数据添加至表示图形元素的边的数据。

在图13A至图13C中，相同的部分被分配相同的标号。现参照图13A至图13C说明图12的流程图中的步骤157和步骤158的处理。

图13A示出光刻版上的示例金属薄膜图案，表示图形元素区170。图形元素区170包括5个图形元素。

图13B示出图形元素边区171。基于图形元素顶点173划分图形元素区170中的图形元素。图形元素边区171包括多个图形元素边172。

图13C为示出提取表示构成设计数据的图形元素的边的数据的步骤，以及通过应用散列函数、基于表示图形元素的边的数据生成标识数据并将该标识数据添加至表示图形元素的边的数据的步骤。

通过多个顶点数据组表示图形元素边区171。在提取表示构成设计数据的图形元素的边的数据的步骤中，首先，提取限定各图形元素的边的顶点数据组。然后，使用一个顶点数据组作为起始点数据(图13C中由S(x1，y1)表示)，使用另一个顶点数据组作为终点数据(图13C中由E(x2，y2)表示)，以使左边成为图形的内部。因此，提取以起始点和终点作为元(element)的矢量数据，即包含S(x1，y1)和E(x2，y2)的数据作为图形元素边数据174。将附加信息数据175添加至矢量数据。例如，附加信息数据175可包括“a：边所属的图形类型”、“b：边的校正量”、“c：表示边是否被校正的标记”、“d：包含关系(表示是否这个图形位于另一个图形内部)”、“e：表示处理过程中错误发生的标记”、以及“f：其它数据”。

接着，在通过对表示图形元素的边的数据应用散列函数生成标识数据并将该标识数据添加至表示图形元素的边的数据的步骤中，首先，将散列函数应用于由图形元素边数据174计算得到的边方向值(由终点坐标相对于起始点坐标的相对坐标表示)以及附加信息数据175，以生成标识数据176。标识数据176为包含符号、数字等的数据。散列函数为一种将给定的原始文本、原始数字、或原始坐标转换为定长的字符串或数字串以获得允许使用散列方法高速检索的标识符的函数。然后，将标识数据176分配给图形元素边数据174和附加信息175，以生成添加有标识数据176的图形元素边数据174和附加信息175。表示不同内容的图形元素边数据174和附加信息175被分配不同的标识数据176。如果发现相同的标识数据，则比较散列函数的输入数据组，并为不同的输入内容分配不同的标识数据。应该理解将相同的标识数据176分配给表示相同内容的图形元素边数据174和附加信息175。

图14为示出设置图形元素边组并将标识数据分配给表示该图形元素边组的数据组的步骤(图12所示的流程图中步骤159和步骤160)的示意图。

图12所示的流程图中的步骤159的处理包括基于待校正的图形元素边设置图形区的步骤，以及提取与该图形区重叠或相邻的图形元素边组的步骤。在基于待校正的图形元素边设置图形区的步骤中，将受到光学临近效应影响的区域设置为图形区。在提取与图形区重叠或相邻的图形元素边组的步骤中，基于分配给图形元素边数据的标识数据，识别与图形区重叠或相邻的一组图形元素边，并提取表示该图形元素边组的数据组。

在图12所示的流程图中的步骤160的处理中，将校正信息数据分配给表示图形元素边组的数据组，并对校正信息数据和表示图形元素边组的数据组应用散列函数，以生成标识数据。然后，将标识数据分配给表示图形元素边组的数据组。在步骤160的处理中，通过获取(retrieving)标识数据，识别区别于其它标识数据的标识数据，即唯一的标识数据。例如，散列函数包括一种确定表示图形元素边组的数据组的X坐标总和的函数。

参照图14，在步骤159的处理中，首先，从图形元素边组180中选择待校正的图形元素边182。在边182上限定一个评估点(参考点)。然后，如放大部分181所示，将其中的待校正图形元素边182受光学临近效应影响的区域设置为图形区190。然后，从其它图形元素边185中提取与图形区190重叠或相邻的一组图形元素边。随后，生成表示对应于待校正的图形元素边182的图形元素边组183的数据组186。当在考虑光学临近效应的情况下校正表示待校正的图形元素边182的数据时，数据组186必须限定一个封闭图形。因此，数据组186包括表示放大部分181中所示的假想(imaginary)边184的数据。对于为了评估对待校正的图形元素边182所执行的校正而进行的计算而言，假想边184是必需的。数据组186总体包含表示边182周围的图形元素边(包括假想边184和边182)的数据(图13C中的174、175、以及176)。在此信息中，已将图13C所示的顶点坐标174转换为相对于该评估点(参考点)的相对坐标。

在步骤160的处理中，首先，为表示对应于待校正的图形元素边182的图形元素边组183的数据组186生成校正信息187。校正信息187包括“a：评估点的包含关系”、“b：评估点周围的边的边信息”、以及“c：其它信息”。然后，对表示校正信息187的数据和数据组186应用散列函数，以生成标识数据188，并将该标识数据188分配给数据组186。图14所示的图形元素边组180内所有待校正边均进行此步骤，并被分配给标识数据188。

然后，比较并分选具有标识数据188的边，以分类标识数据188。要保证具有不同标识数据188的边具有不同信息(187和186)；但是，具有相同标识数据188的边不一定具有相同信息(187和186)。比较具有相同标识数据188的待校正边的详细信息(187和186)。如果多条边具有不同信息(187和186)，则为这些边分配不同的标识数据188。

因此，具有相同标识数据188的边具有相同的校正量。选择具有相同标识数据188的边之一作为代表，并将代表边设置为需要进行校正量评估的图形元素的边189。可以任意选择代表边189，并且任一代表边会产生相同的评估校正量。优选地，例如，将包含起始点(在绝对坐标系中具有最小值)的边设置为代表边。

在前述中，通过利用简单比较和分选进行检索来执行唯一的标识数据188的分类。也可以在考虑图形元素边的旋转、图形元素边的倒转、去除不会影响校正、设置为图形元素边的图形边组的一部分、以及进一步划分图形元素边的同时，执行唯一的标识数据188的分类。

图15为示出评估光学临近效应步骤和生成校正的图形步骤(图12所示的流程图中步骤161和步骤162)的示意图。

在步骤161，通过基于计算机的模拟，计算光学临近效应对通过将光应用于图形元素而生成的投射图像的形状的影响。在步骤162，生成校正的图形元素，其中校正图形元素的形状以使投射图像的形状变得类似于该图形元素的形状。

参照图15，在步骤161的处理中，首先，通过基于计算机的模拟确定图形元素组191的投射图像。也就是说，如示出图形元素组191一部分的放大部分192所示，通过将光应用于图形元素的一部分生成投射图像196。然后，比较图形元素的边195与投射图像196的边部分的形状，以评估光学临近效应的影响。

然后，通过如下程序执行步骤162的处理：首先，如示出校正的图形元素193一部分的放大部分194所示，考虑光学临近效应的影响，生成校正的图形元素边197，其中校正的图形元素193的该部分的投射图像198的边部分类似于图形元素的边195。仅对在步骤159中确定为需要进行校正评估的图形元素的边(图14所示的边189)执行步骤162的处理。图形元素的边195与校正的图形元素边197之间的距离对应于校正量。确定各边的校正量，然后将其作为对应于标识数据(图14中188)的校正量(包含在图14所示的校正信息187中的“c：其它信息”中)存储。

图16示出通过执行图12所示流程图中的步骤164的处理生成的图形数据200。

通过如下程序执行步骤164的处理：首先，由于已确定对应于所有唯一的标识数据188的校正量，从而相应确定具有相同标识数据188的图形元素边的校正量。在确定所有图形元素边的校正量之后，按照各边的校正量使图形变形。如果在图12所示流程图中的步骤163确定校正量不够，则确定附加校正量。在这种情况下，变形的图形元素边恢复初始状态，并且替代地，存储图形元素边的校正量(图13C所示的附加信息175中的“b：边的校正量”)。随后，考虑图13C所示的附加信息175中的“b：边的校正量”执行校正量的评估。因此，生成一组校正的图形元素201。通过这种方式，基于标识数据利用校正量变换(deform)表示所有图形元素边的数据，从而将由图形元素边数据构成的设计数据转换为实际用于在光掩模上形成金属薄膜图案的图形数据。

基于图14所示的标识数据的关联是指相同的校正量用于具有相同标识数据(图14中188)的边。

图12所示的流程图中的步骤163的处理是与参照图8所述的检验步骤(图2所示的流程图中的步骤23)相似的步骤。具体来说，在步骤163，比较图形元素的评估点与该图形元素的投射图像的评估点，以检验由于光学临近效应引起的该投射图像的变形，从而确定该投射图像与该图形元素之间在形状上的一致性。

按照第二实施例的光刻版制造方法包括图1所示的步骤，即如下步骤：生成光刻版上的金属薄膜图案的设计数据，检验该设计数据，通过光学临近效应校正生成用于在该光刻版上形成校正的金属薄膜图案的图形数据，检验光学临近效应，形成曝光图案，检验该曝光图案(即抗蚀图案)的线宽，以及通过蚀刻形成金属薄膜图案。通过光学临近效应校正生成用于形成金属薄膜图案的图形数据的步骤包括图12所示的步骤，即如下步骤：对设计数据执行初始处理，提取一组图形元素边，分配标识数据，设置图形元素组，分配标识数据，评估光学临近效应，生成校正的图形，执行检验，以及通过分布校正的图形元素设置图形数据。

因此，按照如第二实施例的光刻版制造方法，可以减少制造光刻版所需的时间。这是因为减少生成用于光刻版上的金属薄膜图案的图形数据的时间。

按照图12所示的流程图，对包含在光刻版上约264μm×210μm的区域内的设计数据执行光学临近效应校正。结果，如参照图14所述，确定为需要进行校正评估的图形元素边的数目为选自129,582个图形元素边中的1,089个。通过检索和分选，根据分类的标识数据，识别确定为需要进行校正评估的图形元素边，所需的识别时间为10秒。计算对应于图形元素边的校正的图形元素边还需10秒的时间。另一方面，在未识别确定为需要进行校正评估的图形元素边的情况下，计算对应于所有图形元素边的校正的图形元素边需要20分钟，或1,200秒。因此，按照图12所示的流程图，生成图形数据的速度可以比普通方法快60倍。

此外，按照第二实施例的光刻版制造方法，即使使用较小的网格作为图形数据的网格，也可以减少制造光刻版的时间。因此，按照第二实施例的光刻版制造方法，还可以制造具有高精度图案的光刻版。

第三实施例

将参照图17说明按照本发明第三实施例、使用在第一或第二实施例中制造的光刻版制造半导体器件的方法。

图17为示出利用第一和第二实施例中制造的光刻版在半导体衬底上形成抗蚀图案的方法，以及通过蚀刻在半导体衬底上形成金属布线图案的方法的示意图。

参照图17，通过如下程序执行在半导体衬底上形成抗蚀图案的工艺：首先，在半导体衬底215上沉积金属层214，并使用抗蚀剂213涂覆金属层214。然后，将光210应用于光刻版211，并通过投射透镜212聚焦透过光刻版211的光以曝光抗蚀剂213。以横截面示出带有曝光后的抗蚀剂213的层217。然后，保留通过曝光固化的抗蚀剂216并去除多余的抗蚀剂213，从而形成抗蚀图案。以横截面示出去除多余的抗蚀剂的层218。

然后，按照如下程序执行通过蚀刻在半导体衬底上形成金属布线图案的工艺：首先，通过利用抗蚀图案作为掩模进行各向异性蚀刻，形成金属层214上的图案。以横截面示出蚀刻后的层219。然后，去除抗蚀图案，从而获得以横截面示出的去除抗蚀图案的层220。

因此，按照第三实施例的半导体器件的制造方法，使用在第一实施例中制造的光刻版或在第二实施例中制造的光刻版形成金属层图案，从而实现高精度金属图案化。

Claims (9)

1.一种以表示多个第一图形元素的设计数据为基础的光掩模制造方法，包括如下步骤：

从表示第一图形元素的设计数据中提取第一数据；

对于各个第一图形元素形成第一图形元素组，该第一图形元素组包含该第一图形元素和由于光学临近效应影响该第一图形元素的另外多个第一图形元素；

对于表示该第一图形元素组的第一数据组生成标识数据，该标识数据是响应于该第一图形元素和所述另外多个第一图形元素而生成的；

将该标识数据分配给表示该第一图形元素组的该第一数据组；

评估该第一图形元素与图像之间的形状差别，该图像是在光学临近效应对该第一图形元素组的影响下根据该第一图形元素而产生的；

生成表示第二图形元素的第二数据，以补偿光学临近效应对该第一图形元素组的影响；

通过该标识数据来检索相同第一数据组，该相同第一数据组包含相同的第一数据；

通过将相同的第二数据分配给相同的第一数据，设置表示多个第二图形元素的图形数据，其中所述相同的第一数据包含在具有相同标识数据的相同第一数据组中；以及

利用该图形数据在光掩模上形成光掩模图案。

2.如权利要求1所述的光掩模制造方法，还包括如下步骤：

在从表示第一图形元素的设计数据中提取第一数据之前，从该设计数据中去除多余的数据；

将该第一图形元素的顶点数据添加至表示该第一图形元素的第一数据；

将表示评估点的数据添加至表示该第一图形元素的第一数据；以及

在表示该第二图形元素的第二数据中，利用表示评估点的数据，关于评估点评估对光学临近效应影响的补偿。

3.一种以表示多个第一图形元素的设计数据为基础的光掩模制造方法，包括如下步骤：

从表示第一图形元素的设计数据中提取第一数据；

将相同的第一标识数据分配给表示相同形状的第一图形元素的相同第一数据；

基于该第一图形元素建立一个区域；

通过相同的第一标识数据对于各个第一图形元素识别第一图形元素组，该第一图形元素组处于该区域中；

设置表示该区域中的第一图形元素组的第一数据组；

对于该第一数据组生成第二识别数据，该第二识别数据是响应于该第一图形元素组而生成的；

将该第二标识数据分配给该第一数据组；

评估该第一图形元素与图像之间的形状差别，该图像是在光学临近效应对该第一图形元素组的影响下根据该第一图形元素而产生的；

生成表示第二图形元素的第二数据，以补偿光学临近效应对该第一图形元素组的影响；

通过该第二标识数据来检索相同第一数据组，该相同第一数据组包含相同的第一数据；

通过将相同的第二数据分配给相同的第一数据，设置表示多个第二图形元素的图形数据，所述相同的第一数据包含在该区域中的相同第一数据组中，所述相同第一数据组具有相同的第二标识数据；以及

利用该图形数据在光掩模上形成光掩模图案。

4.如权利要求3所述的光掩模制造方法，

其中，该第一标识数据具有通过散列函数由该第一图形元素的顶点坐标形成的标识符数据；

其中，通过该第一标识数据识别该区域中的第一图形元素组的步骤包含如下步骤：通过该标识符数据识别该区域中的第一图形元素组；

其中，设置表示该区域中的第一图形元素组的第一数据组的步骤包含如下步骤：由表示该区域中的多个第一图形元素的第一数据设置表示该第一图形元素组的第一数据组。

5.一种以表示多个第一图形元素的第一边的设计数据为基础的光掩模制造方法，包括如下步骤：

通过将顶点添加至该第一图形元素，来产生该第一图形元素的第二边；

从表示该第一图形元素的第一边和/或该第一图形元素的第二边的设计数据中提取第一数据；

将相同的第一标识数据分配给表示该第一图形元素的相同的第一边和/或该第一图形元素的相同的第二边的相同的第一数据；

由该第一图形元素的第一边或第二边和该第一图形元素的该第一边或该第二边的恒定距离内的另一第一图形元素的多个第一边和/或多个第二边设置边组；

对于表示该边组的边数据组生成第二标识数据，该第二标识数据是响应于该第一图形元素的该第一边或该第二边和所述另一第一图形元素的所述多个第一边和/或所述多个第二边而生成的；

将该第二标识数据分配给表示该边组的该边数据组；

评估光学临近效应对该边组的影响；

生成表示第二图形元素的第三边的第二数据，以补偿光学临近效应对该边组的影响；

通过该第二标识数据来检索包含相同边数据组的相同第一数据；

通过将相同的第二数据分配给该相同第一数据，设置表示第二图形元素的多个第三边的图形数据，该相同第一数据包含具有相同第二标识数据的相同边数据组；以及

利用该图形数据在光掩模上形成光掩模图案。

6.一种用于执行光掩模制造方法的装置，包括：

用于从表示第一图形元素的设计数据中提取第一数据的单元；

用于对于各个第一图形元素形成第一图形元素组的单元，该第一图形元素组包含该第一图形元素和该第一图形元素的恒定距离内的另外多个第一图形元素；

用于对于表示该第一图形元素组的第一数据组生成标识数据的单元，该标识数据是响应于该第一图形元素和所述另外多个第一图形元素而生成的；

用于将相同的标识数据分配给表示第一图形元素组的相同第一数据组的单元；

用于评估光学临近效应对第一图形元素组的影响的单元；

用于生成表示第二图形元素的第二数据的单元，该第二数据用以补偿光学临近效应对该第一图形元素组的影响；

用于通过该标识数据来检索相同第一数据组的单元，该相同第一数据组包含相同的第一数据；

用于通过将相同的第二数据分配给相同的第一数据，设置表示多个第二图形元素的图形数据的单元，所述相同的第一数据包含在具有相同标识数据的相同第一数据组中；以及

利用该图形数据在光掩模上形成光掩模图案的单元。

7.一种用于执行光掩模制造方法的装置，包括：

用于通过将顶点添加至该第一图形元素，来产生该第一图形元素的第二边的单元；

用于从表示第一图形元素的第一边和/或该第一图形元素的第二边的设计数据中提取第一数据的单元；

用于将相同的第一标识数据分配给表示该第一图形元素的相同的第一边和/或该第一图形元素的相同的第二边的相同的第一数据的单元；

用于由该第一图形元素的该第一边或该第二边和该第一图形元素的该第一边或该第二边的恒定距离内的另一第一图形元素的多个第一边和/或多个第二边设置边组的单元；

用于对于表示该边组的边数据组生成第二标识数据的单元，该第二标识数据是响应于该第一图形元素的该第一边或该第二边和所述另一第一图形元素的所述多个第一边和/或所述多个第二边而生成的；

用于将该第二标识数据分配给表示该边组的该边数据组的单元；

用于评估光学临近效应对该边组的影响的单元；

用于生成表示第二图形元素的边的第二数据的单元，该第二数据用以补偿光学临近效应对该边组的影响；

用于通过该第二标识数据来检索包含相同边数据组的相同第一数据的单元；

用于通过将相同的第二数据分配给该第一数据，设置表示多个第二图形元素的边的图形数据的单元，该第一数据包含具有相同的第二标识数据的相同边数据组；以及

用于利用该图形数据在光掩模上形成光掩模图案的单元。

8.一种半导体器件制造方法，该方法利用权利要求6中所述的光掩模，并包括如下步骤：

通过将抗蚀剂暴露于透过具有光掩模图案的该光掩模的光，在半导体衬底上形成抗蚀图案；

利用该抗蚀图案作为掩模蚀刻半导体衬底。

9.一种半导体器件制造方法，该方法利用权利要求7中所述的光掩模，并包括如下步骤：

通过将抗蚀剂暴露于透过具有光掩模图案的该光掩模的光，在半导体衬底上形成抗蚀图案；

利用该抗蚀图案作为掩模蚀刻半导体衬底。

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