JP2013254165A - パターン作成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 66
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【解決手段】 マスクのパターンを設計する際に用いるセルのパターンをコンピュータを用いて作成するパターン作成方法であって、
複数のセルのパターンのデータを取得し、マスクに複数のセルのパターンがある場合のマスクを照明して基板に複数のセルのパターンの像を投影して基板を露光するときの露光条件のパラメータ値と複数のセルのパターンのパラメータ値とを繰り返し変更して、複数のセルのパターンの像を計算して像の評価値を求め、複数のセルのパターンのパラメータ値を決定する。
【選択図】 図1
Description
A:(1353、640)
B:( 861、640)
C:( 369、640)
D:( 369、640)
E:( 287、640)
F:(1599、640)
G:( 123、640)
H:( 205、640)
I:( 615、640)
J:( 287、640)
K:( 287、640)
L:( 369、640)
M:( 369、640)
N:( 943、640)
O:( 779、640)
Lx(i,j)=41nm , ∀i∀j
Ly(i,j)=64nm , ∀i∀j
とした。
0.7≦SO≦0.98
0.5≦(SO/SI)≦0.8
20°≦Ax≦90°
20°≦Ay≦90°
Intx=1
0≦Inty≦1
10≦Δlx≦100
10≦Δly≦100
−5≦Δpx≦+5
−5≦Δpy≦+5
P=線幅誤差RMS/線幅誤差RMS許容値
+NILS許容値/(NILS最小値+0.001)
+位置シフト誤差RGx、RGyの最小値/位置シフト誤差許容値
+焦点深度許容値/(焦点深度Fの最小値+0.001) ・・・・(1)
NILS許容値=1.5
位置シフト誤差許容値=5nm
焦点深度許容値=70nm
とした。
SO=0.85
Ratio=SI/SO=0.703
Ax=57°
Ay=61°
Inty=0.442
閾値Ithは、Ith=0.4086であった。
e=0.2
e2=60
e3=0.5
SO*(1−e)≦SO2≦SO*(1+e)
Ratio*(1−e)≦Ratio2≦Ratio*(1+e)
Ax−e2≦Ax2≦Ax+e2
Ay−e2≦Ay2≦Ay+e2
Intx*(1−e3)≦Intx2≦Intx*(1+e3)
Inty*(1−e3)≦Inty2≦Inty*(1+e3)
10≦ΔLx≦100
10≦ΔLx≦100
−5≦Δpx≦+5
−5≦Δpy≦+5
なお、SO=0.98(固定値)、Ratio=SI/SO=0.7(固定値)であって、0≦Ith≦1とした。4分割ではなく、輪帯形状の有効光源を用いた。
Claims (15)
- マスクのパターンを作成する際に用いるセルのパターンをコンピュータを用いて作成するパターン作成方法であって、
複数のセルのパターンのデータを取得する取得工程と、
マスクに前記複数のセルのパターンがある場合の前記マスクを照明して基板に前記複数のセルのパターンの像を投影して前記基板を露光するときの露光条件のパラメータ値と、前記複数のセルのパターンのパラメータ値と、を繰り返し変更して、前記複数のセルのパターンの像を計算して前記像の評価値を求める計算工程と、
前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記複数のセルのパターンのパラメータ値を決定する決定工程とを有することを特徴とするパターン作成方法。 - 前記決定工程において、前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記露光条件のパラメータ値と前記セルのパターンのパラメータ値とを決定することを特徴とする請求項1に記載のパターン作成方法。
- 前記セルのパターンは矩形状のパターン要素で構成されるパターンであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン作成方法。
- 前記セルのパターンのパラメータは、前記パターン要素の線幅やシフト量であることを特徴とする請求項3に記載のパターン作成方法。
- 前記計算工程において、前記取得工程において取得した前記複数のセルの全てのセルのパターンの像の評価値を求めることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のパターン作成方法。
- 前記計算工程において複数の評価指標を用いて前記像の評価値を求め、
それぞれの評価指標について、前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記セルのパターンのパラメータ値を決定することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のパターン作成方法。 - それぞれの評価指標について決定された前記セルのパターンのパラメータ値は互いに異なることを特徴とする請求項6に記載のパターン作成方法。
- 前記計算工程において、前記複数のセル同士が光学的な近接効果を及ぼさない距離に前記複数のセルを離して、前記複数のセルのパターンの像を計算することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載のパターン作成方法。
- 前記計算工程において、前記評価値は、前記複数のセルの各セルのパターンの像を評価した値を前記複数のセルについて合計した値、及び、前記複数のセルのパターンの像を評価した値のうち最小値または最大値のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載のパターン作成方法。
- 前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記複数のセルのパターンをセルライブラリに記憶する記憶工程とを有することを特徴とする請求項1乃至9の何れか1項に記載のパターン作成方法。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載のパターン作成方法により作成された複数のセルのパターンを、セルライブラリから取得し、または、ユーザーにより入力されることで取得して、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するためのマスクパターンを作成する工程を有することを特徴とするマスクパターンの作成方法。
- 請求項2に記載のパターン作成方法により作成された複数のセルのパターンを記憶したセルライブラリからセルを選択して、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するためのマスクパターンを作成する工程において、
前記セルライブラリから選択したセルのパターンを含むマスクパターンのパラメータ値を繰り返し変更して、前記決定した露光条件のパラメータ値を用いて、該選択したセルのパターンの像を計算して前記像の評価値を求める工程と、
前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記マスクパターンのパラメータ値を決定する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの作成方法。 - 請求項2に記載のパターン作成方法により作成された複数のセルのパターンを記憶したセルライブラリからセルを選択して、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するためのマスクパターンを作成する工程において、
前記セルライブラリから選択したセルのパターンを含むマスクパターンのパラメータ値と、前記決定した露光条件のパラメータ値より所定量だけ異なる範囲において前記露光条件のパラメータ値と、を繰り返し変更して、該選択したセルのパターンの像を計算して前記像の評価値を求める工程と、
前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記マスクパターンのパラメータ値を決定する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの作成方法。 - コンピュータに請求項1乃至10の何れか1項に記載のパターン作成方法を実行させるプログラム。
- 請求項1乃至10の何れか1項に記載のパターン作成方法を実行する情報処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012131117A JP6108693B2 (ja) | 2012-06-08 | 2012-06-08 | パターン作成方法 |
US13/908,773 US9672300B2 (en) | 2012-06-08 | 2013-06-03 | Pattern generation method |
TW102118942A TWI485509B (zh) | 2012-06-08 | 2013-06-05 | 圖案產生方法 |
KR1020130065142A KR20130138131A (ko) | 2012-06-08 | 2013-06-07 | 패턴 생성 방법 |
CN201310226984.0A CN103488043A (zh) | 2012-06-08 | 2013-06-08 | 图案生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012131117A JP6108693B2 (ja) | 2012-06-08 | 2012-06-08 | パターン作成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013254165A true JP2013254165A (ja) | 2013-12-19 |
JP2013254165A5 JP2013254165A5 (ja) | 2015-07-23 |
JP6108693B2 JP6108693B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=49715062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012131117A Active JP6108693B2 (ja) | 2012-06-08 | 2012-06-08 | パターン作成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9672300B2 (ja) |
JP (1) | JP6108693B2 (ja) |
KR (1) | KR20130138131A (ja) |
CN (1) | CN103488043A (ja) |
TW (1) | TWI485509B (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI485509B (zh) | 2015-05-21 |
TW201351032A (zh) | 2013-12-16 |
US20130329202A1 (en) | 2013-12-12 |
KR20130138131A (ko) | 2013-12-18 |
JP6108693B2 (ja) | 2017-04-05 |
CN103488043A (zh) | 2014-01-01 |
US9672300B2 (en) | 2017-06-06 |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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