JP5665915B2 - マスクデータ作成方法 - Google Patents
マスクデータ作成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5665915B2 JP5665915B2 JP2013104297A JP2013104297A JP5665915B2 JP 5665915 B2 JP5665915 B2 JP 5665915B2 JP 2013104297 A JP2013104297 A JP 2013104297A JP 2013104297 A JP2013104297 A JP 2013104297A JP 5665915 B2 JP5665915 B2 JP 5665915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- individual information
- cell
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Architecture (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は、IC、LSIなどの半導体チップ、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、CCDなどの撮像素子等の各種デバイスの製造やマイクロメカニクスで用いられるマスク(原版)のパターンのデータを生成する際に適用することができる。
次に第2の実施例を説明する。図7は本実施例におけるマスクデータの作成方法のフローチャートである。
コスト関数(目的関数)は以下のように示される。
Claims (11)
- 第1マスクを用いて基板をパターニングした後、第2マスクを用いて前記基板をパターニングする多数回パターニングに用いられる前記第1マスク及び前記第2マスクを含む複数のマスクのデータをコンピュータを用いて作成するマスクデータ作成方法であって、
複数のパターン要素を含むパターンのデータを取得するステップと、
取得した前記パターンのデータを用いて、前記複数のパターン要素のそれぞれが、1つの升目に配置されるように前記パターンの領域を複数の升目で区切り、各升目において前記パターン要素の有無を表す情報を付したマップデータを作成するステップと、
1つの升目とその周辺の升目とを含む制約領域において同一のマスク個体情報の設定を禁止する制約条件及び前記マップデータを用いて、前記パターン要素の有る升目ごとに複数のマスク個体情報のうち1つのマスク個体情報を設定する設定ステップと、
設定されたマスク個体情報を用いて、前記複数のマスク個体情報に対応する前記複数のマスクのデータを作成するステップとを有することを特徴とするマスクデータ作成方法。 - 前記制約領域は、1つの升目とその升目を中心とした周辺の升目の領域であることを特徴とする請求項1に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記制約領域は、1つの升目とその升目の隣りの升目の領域であることを特徴とする請求項1又は2に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記設定ステップにおいて、
前記複数の升目のうち1つ選択するステップと、
選択した升目を含む前記制約領域において前記パターン要素の有る升目に、選択した升目に設定されたマスク個体情報とは異なるマスク個体情報を設定するステップと、を前記複数の升目について繰り返すことによって、複数のマスク個体情報を設定することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のマスクデータ作成方法。 - 前記設定ステップにおいて、前記複数のマスク個体情報のうち、前記制約領域において使用されていない前記マスク個体情報からランダムに選択されたマスク個体情報を設定することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記設定ステップにおいて、整数計画法を用いて前記マスク個体情報を設定することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記整数計画法において、前記マスク個体情報の数をコスト関数として、前記コスト関数を最小化するように前記マスク個体情報を設定することを特徴とする請求項6に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記設定ステップにおいて、前記複数の升目のうち前記パターン要素の有る升目を点とした場合に、同一のマスク個体情報の設定が禁止される前記制約領域において点同士を線で繋いで制約条件として設定し、前記線分で繋がった点の升目には同一のマスク個体情報を設定しないように前記整数計画法を用いて前記マスク個体情報を設定することを特徴とする請求項6又は7に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記マスク個体情報は番号データまたは色データであることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載のマスクデータ作成方法。
- コンピュータに請求項1乃至9の何れか1項に記載のマスクデータ作成方法を実行させるプログラム。
- 請求項1乃至9の何れか1項に記載のマスクデータ作成方法を実行する情報処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013104297A JP5665915B2 (ja) | 2012-06-05 | 2013-05-16 | マスクデータ作成方法 |
TW102118652A TWI474105B (zh) | 2012-06-05 | 2013-05-27 | 遮罩資料產生方法 |
KR1020130063851A KR20130136922A (ko) | 2012-06-05 | 2013-06-04 | 마스크 데이터 생성 방법 |
CN2013102201180A CN103473384A (zh) | 2012-06-05 | 2013-06-05 | 掩模数据产生方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012128134 | 2012-06-05 | ||
JP2012128134 | 2012-06-05 | ||
JP2013104297A JP5665915B2 (ja) | 2012-06-05 | 2013-05-16 | マスクデータ作成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014013376A JP2014013376A (ja) | 2014-01-23 |
JP5665915B2 true JP5665915B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=49669874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013104297A Active JP5665915B2 (ja) | 2012-06-05 | 2013-05-16 | マスクデータ作成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10282487B2 (ja) |
JP (1) | JP5665915B2 (ja) |
TW (1) | TWI474105B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9223924B2 (en) * | 2013-10-02 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for multi-patterning layout decomposition |
TWI620005B (zh) * | 2014-08-18 | 2018-04-01 | 聯華電子股份有限公司 | 佈局圖案分割方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11007A (en) * | 1854-06-06 | William ballard | ||
US11000A (en) * | 1854-06-06 | Machine for cashing bottles | ||
US7003A (en) * | 1850-01-08 | Method oe counterbalancing sash by means of a heavy weight | ||
US6670080B2 (en) * | 1998-07-21 | 2003-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask pattern creating method and mask pattern creating apparatus |
WO2000025181A1 (fr) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication de dispositif semi-conducteur et procede de formation de masque adapte associe |
JP2003045780A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Nec Corp | マスク描画データの作成方法 |
JP2003248296A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-05 | Sony Corp | 露光マスクおよびその製造方法、ならびに転写パターンの形成方法 |
US6968532B2 (en) * | 2003-10-08 | 2005-11-22 | Intel Corporation | Multiple exposure technique to pattern tight contact geometries |
US20050112474A1 (en) * | 2003-11-20 | 2005-05-26 | Micronic Laser Systems Ab | Method involving a mask or a reticle |
US7560197B2 (en) * | 2004-02-23 | 2009-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern data producing method, patterning method, reticle correcting method, reticle manufacturing method, and semiconductor apparatus manufacturing method |
JP4167664B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2008-10-15 | 株式会社東芝 | レチクルの補正方法、レチクルの作製方法、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US8132130B2 (en) | 2005-06-22 | 2012-03-06 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for performing mask feature pitch decomposition for use in a multiple exposure process |
KR100687883B1 (ko) * | 2005-09-03 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 노광용 포토마스크 및 이를 이용한 이중 노광 방법 |
JP2007258366A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Toshiba Corp | パターン処理方法 |
JP4814044B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2011-11-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | パターン設計方法 |
NL2003707A (en) | 2008-11-11 | 2010-05-12 | Asml Netherlands Bv | A method, program product, and apparatus for performing a model based coloring process for pattern decomposition for use in a multiple exposure process. |
JP5100625B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2012-12-19 | 株式会社東芝 | パターンレイアウト設計方法 |
JP2010271589A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | パターン分割方法、パターン分割処理装置及びコンピュータプログラム |
TWI397828B (zh) * | 2009-07-06 | 2013-06-01 | Univ Nat Taiwan | 應用於雙圖案微影技術的佈局分解方法 |
US8402396B2 (en) * | 2009-09-29 | 2013-03-19 | The Regents Of The University Of California | Layout decomposition for double patterning lithography |
JP2012027058A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | パターンデータ生成プログラム及びパターンデータ生成装置 |
JP6140954B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | マスクデータ作成方法、それを実行するプログラムおよび情報処理装置 |
-
2013
- 2013-05-16 JP JP2013104297A patent/JP5665915B2/ja active Active
- 2013-05-27 TW TW102118652A patent/TWI474105B/zh active
- 2013-05-30 US US13/906,142 patent/US10282487B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014013376A (ja) | 2014-01-23 |
TWI474105B (zh) | 2015-02-21 |
US10282487B2 (en) | 2019-05-07 |
TW201351031A (zh) | 2013-12-16 |
US20130321789A1 (en) | 2013-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109582995B (zh) | 集成电路制造方法及其制造系统 | |
KR101711695B1 (ko) | 마스크 패턴의 결정 방법, 기록 매체, 및 정보 처리 장치 | |
JP6108693B2 (ja) | パターン作成方法 | |
JP2013125906A (ja) | フレアマップ計算方法、フレアマップ算出プログラムおよび半導体装置の製造方法 | |
EP2113109B1 (en) | Simulation site placement for lithographic process models | |
JP6399751B2 (ja) | マスクパターン作成方法、プログラム、マスク製造方法、露光方法及び物品製造方法 | |
JP6140954B2 (ja) | マスクデータ作成方法、それを実行するプログラムおよび情報処理装置 | |
KR20170048281A (ko) | 패턴 생성 방법, 프로그램, 정보 처리 장치, 및 마스크 제조 방법 | |
KR101682336B1 (ko) | 생성 방법, 기억 매체 및 정보 처리 장치 | |
JP5665915B2 (ja) | マスクデータ作成方法 | |
JP5575024B2 (ja) | マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法 | |
US11592751B2 (en) | Method of manufacturing photo masks | |
JP2015125163A (ja) | パターンの光学像の評価方法 | |
KR20130136922A (ko) | 마스크 데이터 생성 방법 | |
JP5980065B2 (ja) | マスクデータの作成方法、プログラム、情報処理装置、マスク製造方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
TWI597561B (zh) | 圖案產生方法、遮罩的製造方法、曝光方法、半導體設備的製造方法、儲存媒體、以及資訊處理裝置 | |
JP2005250308A (ja) | 露光用マスク群および露光用マスク群の製造方法 | |
US9152037B2 (en) | Pattern correction method, storage medium, information processing apparatus, method of manufacturing mask, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141209 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5665915 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |