JP2007258366A - パターン処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 同一レイヤーのパターンを適切にグループ化することが可能なパターン処理方法を提供する。
【解決手段】 複数のホールパターンを有するパターンレイアウトを用意する工程Ｓ１１と、パターンレイアウト上に複数の縦ライン及び複数の横ラインを有するグリッドを設定する工程Ｓ１３と、ホールパターンそれぞれについて、最も近い縦ライン及び最も近い横ラインを抽出する工程Ｓ１５と、ホールパターンそれぞれについて、抽出された縦ライン及び横ラインの両方が偶数ラインであるか両方が奇数ラインである第１の条件を満たすか、或いは抽出された縦ライン及び横ラインの一方が偶数ラインで他方が奇数ラインである第２の条件を満たすかを判断する工程Ｓ１７と、判断された結果に基づいて、パターンレイアウトに含まれるホールパターンを２つのグループにグループ化する工程Ｓ１８、Ｓ１９とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、パターン処理方法に関する。

半導体装置の微細化に伴い、フォトリソグラフィによって微細なパターンを精度よく形成することが難しくなってきている。そこで、同一レイヤーのパターンを２つのグループに分けて露光する、いわゆる２重露光が提案されている（特許文献１及び特許文献２参照）。

しかしながら、従来は、同一レイヤーのパターンをグループ化するための適切な方法がなかった。
特開平５−２０６００１号公報 特開平５−１９８４７９号公報

本発明は、同一レイヤーのパターンを適切にグループ化することが可能なパターン処理方法を提供することを目的としている。

本発明の第１の視点に係るパターン処理方法は、複数のホールパターンを有するパターンレイアウトを用意する工程と、前記パターンレイアウト上に複数の縦ライン及び複数の横ラインを有するグリッドを設定する工程と、前記ホールパターンそれぞれについて、最も近い縦ライン及び最も近い横ラインを抽出する工程と、前記ホールパターンそれぞれについて、前記抽出された縦ライン及び横ラインの両方が偶数ラインであるか両方が奇数ラインである第１の条件を満たすか、或いは前記抽出された縦ライン及び横ラインの一方が偶数ラインで他方が奇数ラインである第２の条件を満たすかを判断する工程と、前記判断された結果に基づいて、前記パターンレイアウトに含まれるホールパターンを２つのグループにグループ化する工程と、を備える。

本発明の第２の視点に係るパターン処理方法は、複数のパターンを有するパターンレイアウトを用意する工程と、前記パターンレイアウトに含まれる１つのパターンを基準パターンとして指定する工程と、前記基準パターンから所定距離内にあるパターンを抽出する工程と、前記基準パターンに設定された指標値が閾値を上回る場合には前記抽出されたパターンに設定された指標値を減少させ、前記基準パターンに設定された指標値が前記閾値を下回る場合には前記抽出されたパターンに設定された指標値を増加させることにより、前記抽出されたパターンに設定された指標値を変化させる工程と、前記パターンレイアウトに含まれる各パターンを順次基準パターンとして指定して、前記抽出する工程及び前記変化させる工程を繰り返すことにより、前記パターンレイアウトに含まれる各パターンに最終的な指標値を設定する工程と、前記最終的な指標値に基づいて、前記パターンレイアウトに含まれるパターンを２つのグループにグループ化する工程と、を備える。

本発明によれば、同一レイヤーのパターンを２つのグループに適切にグループ化することが可能となる。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。

（実施形態１）
図１は本実施形態に係るパターン処理方法の手順を示したフローチャートであり、図２〜図４は本実施形態に係るパターン処理方法を説明するための説明図である。

まず、図２に示すように、複数のホールパターンＨＰを有するパターンレイアウトＬＡのデータを用意する（Ｓ１１）。ホールパターンＨＰは、半導体集積回路装置のコンタクトホールやヴィアホールを形成するためのものである。続いて、パターンレイアウトＬＡに含まれるホールパターンＨＰの最小ピッチ（ホールパターン中心間の最小距離）に対応するように、グリッドＧＲの単位長さを設定する（Ｓ１２）。グリッドＧＲの１単位は正方形であり、この正方形の１辺の長さがグリッドＧＲの単位長さに対応する。さらに、パターンレイアウトＬＡ上にグリッドＧＲを設定する（Ｓ１３）。

次に、図３に示すように、グリッドＧＲの縦ラインＶＬ及び横ラインＨＬそれぞれについて、偶数ライン及び奇数ラインを規定する。ここでは、偶数ラインに論理値“０”を割り当て、奇数ラインに論理値“１”を割り当てている。逆に、偶数ラインに論理値“１”を割り当て、奇数ラインに論理値“０”を割り当ててもよい（Ｓ１４）。その結果、縦ラインＶＬには、論理値“１”と論理値“０”が交互に割り当てられる。同様に、横ラインＨＬにも、論理値“１”と論理値“０”が交互に割り当てられる。

次に、図４に示すように、ホールパターンＨＰそれぞれについて、最も近い縦ラインＶＬ及び最も近い横ラインＨＬを抽出する（Ｓ１５）。具体的には、ホールパターンＨＰの中心からの距離が最も短い縦ラインＶＬと、ホールパターンＨＰの中心からの距離が最も短い横ラインＨＬとを抽出する。続いて、抽出された縦ラインＶＬと横ラインＨＬとの排他的論理和を求める。すなわち、抽出された縦ラインＶＬに割り当てられている論理値と、抽出された横ラインＨＬに割り当てられている論理値との排他的論理和を算出する（Ｓ１６）。そして、算出された排他的論理和の値をホールパターンＨＰに割り当てる。その結果、抽出された縦ライン及び横ラインの両方が偶数ラインであるか両方が奇数ラインである場合（第１の条件）には、ホールパターンＨＰに論理値“０”が割り当てられる。抽出された縦ライン及び横ラインの一方が偶数ラインで他方が奇数ラインである場合（第２の条件）には、ホールパターンＨＰに論理値“１”が割り当てられる。図４では、論理値“０”のホールパターンをＨＰ０で示し、論理値“１”のホールパターンをＨＰ１で示している。

次に、各ホールパターンＨＰについて、排他的論理和（ＸＯＲ）が論理値“０”であるか或いは論理値“１”であるかを判断する（Ｓ１７）。すなわち、ホールパターンＨＰに割り当てられた論理値が“０”であるか“１”であるかを判断する。さらに、判断された結果に基づいて、ホールパターンＨＰを２つのグループにグループ化する。すなわち、排他的論理和（ＸＯＲ）が“０”である場合にはホールパターンＨＰ０を第１のグループに入れ（Ｓ１８）、排他的論理和（ＸＯＲ）が“１”である場合にはホールパターンＨＰ１を第２のグループに入れる（Ｓ１９）。このようにして、パターンレイアウトに含まれるホールパターンが、２つのグループにグループ化される。

上述したパターン処理方法によって得られたデータを用いてフォトマスクが製造され、該フォトマスクを用いて半導体装置が製造される。図５は、そのようなフォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。

まず、上述したパターン処理方法によって得られたデータからフォトマスク上に形成されるマスクパターンのデータを作成する（Ｓ３１）。続いて、作成されたデータを用いて第１及び第２のフォトマスクを作製する（Ｓ３２）。すなわち、第１のグループに属するホールパターン用の第１のフォトマスクと、第２のグループに属するホールパターン用の第２のフォトマスクを作製する。ここで、第１のフォトマスク及び第２のフォトマスクは、別々のフォトマスクで作製されていてもよいし、１つのフォトマスクの異なる領域に第１のグループに属するホールパターンと第２のグループに属するホールパターンが形成されている構成であってもよい。

次に、第１のフォトマスクに形成されたマスクパターンを半導体ウエハ上のフォトレジストに投影する（Ｓ３３）。続いて、第２のフォトマスクに形成されたマスクパターンを同一のフォトレジストに投影する（Ｓ３４）。Ｓ３３及びＳ３４の工程により、同一のフォトレジストに対して２重露光が行われることになる。続いて、フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成する（Ｓ３５）。さらに、フォトレジストパターンをマスクとして用いて、半導体ウエハ上の層間絶縁膜をエッチングすることで、コンタクトホール或いはヴィアホールが形成される（Ｓ３６）。

以上のように、本実施形態では、図１に示した方法を用いることにより、同一レイヤーに形成されるホールパターンを効果的に２つのグループに分けることができる。すなわち、図１に示した方法を用いることにより、各グループ内において、隣接するホールパターン間の距離を大きくすることができ、リソグラフィの解像限界を緩和することができる。具体的には、特殊な場合を除き、各グループ内において、隣接するホールパターン間の距離（ホールパターン中心間の距離）を最小ピッチよりも大きくすることが可能である。したがって、本実施形態によれば、同一レイヤーのホールパターンを２つのグループに適切に分けることができ、２重露光を用いたフォトリソグラフィによって微細なパターンを精度よく形成することが可能となる。

図６は、本実施形態の変更例を説明するための説明図である。図６のホールパターンＨＰａ、ＨＰｂ及びＨＰｃのように、３つのホールパターン間の距離がいずれも最小ピッチ（グリッドの単位長さに対応）になっている場合がある。すなわち、正三角形が形成されるように３つのホールパターンが配置されている場合がある。このような場合には、第１及び第２のグループの一方では、隣接するホールパターン間の距離が最小ピッチになってしまう。

そこで、本変更例では、以下のような対策を講じるようにしている。図６の３つのホールパターンＨＰａ、ＨＰｂ及びＨＰｃの内、２つのホールパターン（例えば、ホールパターンＨＰａとホールパターンＨＰｂ）が同電位に設定される場合がある。すなわち、製造された半導体装置を動作させたときに、２つのホールパターン内に形成された導電部（コンタクトやヴィア）が同電位に設定される場合がある。このような場合には、同一グループ内において、２つのホールパターンが最小ピッチで配置されていても、大きな問題は生じない。すなわち、２つのホールパターンが分離形成されなかったとしても、２つのホールパターンは同電位に設定されるものであるため、半導体装置の動作において特に問題は生じない。そこで、本変更例では、隣接するホールパターン間の距離が最小ピッチであり且つ隣接するホールパターンが同電位に設定されるものである場合には、隣接するホールパターンが同一のグループとなるようにグループ化を行う。このような方法により、ホールパターンを適切にグループ化することができる。なお、このような方法は、後述する第２の実施形態についても適用することが可能である。

なお、３つのホールパターン（例えば、図６のホールパターンＨＰａ、ＨＰｂ及びＨＰｃ）が互いに異電位に設定される場合もある。そのような場合には、３つのホールパターン間の距離が最小ピッチにならないように、すなわち１辺の長さが最小ピッチである正三角形が形成されないように、予めホールパターンの配置に制限を加えておくようにしてもよい。なお、このような制限は、後述する第２の実施形態についても適用することが可能である。

（実施形態２）
図７は本実施形態に係るパターン処理方法の手順を示したフローチャートであり、図８は本実施形態に係るパターン処理方法を説明するための説明図である。

まず、複数のパターンを有するパターンレイアウトのデータを用意する（Ｓ５１）。ここでは、説明の簡単化のため９個のパターンＰ１〜Ｐ９を示している。パターンＰ１〜Ｐ９は、例えばホールパターン（コンタクトホールやヴィアホールを形成するためのホールパターン）である。

次に、パターンＰ１〜Ｐ９に初期値を設定する（Ｓ５２）。ここでは、初期値を０とする。なお、パターンＰ１〜Ｐ９に設定される値は、後述する処理を経ることによって変化する。そして、最終的にパターンＰ１〜Ｐ９に設定される値は、パターンＰ１〜Ｐ９をグループ化するための指標として用いられる。そこで、パターンＰ１〜Ｐ９に設定される値を、指標値と呼ぶ。

次に、パターンＰ１〜Ｐ９の中の１つのパターンを基準パターンとして指定する（Ｓ５３）。図８の例では、まずパターンＰ１を基準パターンとして指定している。

次に、基準パターンＰ１以外のパターンＰ２〜Ｐ９の中の１つのパターンを対象パターンとして指定する（Ｓ５４）。例えば、パターンＰ２を対象パターンとして指定する。

次に、対象パターンＰ２が基準パターンＰ１から所定距離内であるか否かを判断する（Ｓ５５）。ここでは、パターンレイアウトに含まれるパターンの最小ピッチ（パターン中心間の最小距離）をＤとして、例えば所定距離をＤ×（１．２５）^1/2とする。本例では、対象パターンＰ２と基準パターンＰ１との距離（パターン中心間の距離）は、所定距離（Ｄ×（１．２５）^1/2）よりも短い。したがって、対象パターンＰ２は、基準パターンＰ１から所定距離内にあると判断される。

次に、基準パターンＰ１の指標値が閾値を上回るか下回るかを判断する（Ｓ５６）。ここでは、閾値を“０”としている。基準パターンの指標値が閾値を上回る場合には、対象パターンの指標値を減少させる。ここでは、対象パターンの指標値に−１を加算する（Ｓ５７）。基準パターンの指標値が閾値を下回る場合には、対象パターンの指標値を増加させる。ここでは、対象パターンの指標値に＋１を加算する（Ｓ５８）。なお、本例では、基準パターンの指標値が閾値と等しい場合にも、基準パターンの指標値が閾値を上回る場合と同様の処理を行っている。図８の例では、基準パターンＰ１の指標値（０）が閾値（０）と等しいため、対象パターンＰ２の指標値（０）に−１を加算している。その結果、対象パターンＰ２の新たな指標値は−１となる。

次に、次の対象パターンが有るか否かを判断する（Ｓ５９）。次の対象パターンが有る場合には、Ｓ５４のステップに戻り、次の対象パターン（例えばパターンＰ３）を新たな対象パターンとして、Ｓ５４〜Ｓ５８のステップを実行する。このようにして、全ての対象パターンに対して、Ｓ５４〜Ｓ５８のステップを実行する。図８の例では、基準パターンＰ１からの距離が所定距離（Ｄ×（１．２５）^1/2）内である対象パターンは、Ｐ２及びＰ４である。その結果、パターンＰ２及びＰ４の指標値が変化し、パターンＰ２及びＰ４の指標値は−１となる。

Ｓ５９のステップで、次の対象パターンが無いと判断された場合（図８の例では、全ての対象パターンＰ２〜Ｐ９に対して、Ｓ５４〜Ｓ５８のステップが実行された場合）には、次の基準パターンが有るか否かが判断される（Ｓ６０）。次の基準パターンが有る場合には、Ｓ５３のステップに戻り、次の基準パターンを新たな基準パターンとして、Ｓ５３〜Ｓ５９のステップを実行する。図８の例では、新たな基準パターンをＰ２としている。基準パターンＰ２からの距離が所定距離（Ｄ×（１．２５）^1/2）内である対象パターンは、Ｐ１、Ｐ３及びＰ５である。また、基準パターンＰ２の指標値は−１となっている。その結果、対象パターンＰ１、Ｐ３及びＰ５の指標値は増加して＋１となる。

このようにして、全ての基準パターンに対して、Ｓ５３〜Ｓ５９のステップを実行する。すなわち、基準パターンをＰ２としてＳ５３〜Ｓ５９のステップを実行した後、Ｐ３〜Ｐ９を順次基準パターンとしてＳ５３〜Ｓ５９のステップを実行する。

このようにして、パターンＰ１〜Ｐ９に対してＳ５３〜Ｓ６０のステップを実行することにより、パターンＰ１〜Ｐ９に最終的な指標値が設定される。図８の例では、パターンＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８及びＰ９に設定される最終的な指標値はそれぞれ、＋２、−３、＋２、−３、＋４、−３、＋２、−３及び＋２となる。

次に、パターンＰ１〜Ｐ９それぞれについて、最終的な指標値が正であるか負で有るかが判断される（Ｓ６１）。さらに、判断された結果に基づいて、パターンＰ１〜Ｐ９を２つのグループにグループ化する。すなわち、最終的な指標値が正であるパターンを第１のグループに入れ（Ｓ６２）、最終的な指標値が負であるパターンを第２のグループに入れる（Ｓ６３）。図８の例では、パターンＰ１、Ｐ３、Ｐ５、Ｐ７及びＰ９が第１のグループに入り、パターンＰ２、Ｐ４、Ｐ６及びＰ８が第２のグループに入る。このようにして、パターンレイアウトに含まれるパターンが、２つのグループにグループ化される。

上述したパターン処理方法によって得られたデータを用いてフォトマスクが製造され、該フォトマスクを用いて半導体装置が製造される。図５は、そのようなフォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。基本的な方法は第１の実施形態で説明した方法と同様であるため、ここでは説明は省略する。

以上のように、本実施形態では、図７に示した方法を用いることにより、同一レイヤーに形成されるパターンを効果的に２つのグループに分けることができる。すなわち、図７に示した方法を用いることにより、各グループ内において、隣接するパターン間の距離を大きくすることができ、リソグラフィの解像限界を緩和することができる。具体的には、特殊な場合を除き、各グループ内において、隣接するパターン間の距離（パターン中心間の距離）を最小ピッチよりも大きくすることが可能である。したがって、本実施形態によれば、同一レイヤーのパターンを２つのグループに適切に分けることができ、２重露光を用いたフォトリソグラフィによって微細なパターンを精度よく形成することが可能となる。

次に、本実施形態の変更例について、図９〜図１１を参照して説明する。図９は、パターンレイアウトに含まれるパターンを示した図である。ここでは、説明の簡単化のため８個のパターンＰａ〜Ｐｈを示している。パターンＰａ〜Ｐｈは、例えばホールパターン（コンタクトホールやヴィアホールを形成するためのホールパターン）である。図１０は、パターンＰａ〜Ｐｈの座標を示した図である。図１１は、本変更例の動作を説明するための図である。

本変更例の基本的な方法は、図７のフローチャートで示した方法と同様である。ただし、本変更例では、図７のＳ５７及びＳ５８のステップにおいて対象パターンの指標値の増加及び減少に用いる値（加算値）を、基準パターンと対象パターンとの距離に応じて変化させている。具体的には、加算値として、基準パターンと対象パターンとの距離に反比例する連続値を用いている。すなわち、「加算値の絶対値＝１／距離」となるようにしている。また、図７のＳ５５のステップにおける所定距離を、Ｄ×２^1/2としている（ただし、Ｄは、パターンレイアウトに含まれるパターンの最小ピッチ（パターン中心間の最小距離）である）。

図１１に示すように、パターンＰａ〜Ｐｈの指標値の初期値は０である。まず、基準パターンをＰａとして、図７のＳ５３〜Ｓ５９のステップを実行することにより、パターンＰａ〜Ｐｈの指標値は図１１の指標値１となる。続いて、基準パターンをＰｂとして、図７のＳ５３〜Ｓ５９のステップを実行することにより、パターンＰａ〜Ｐｈの指標値は図１１の指標値２となる。以後、同様にして、図７のＳ５３〜Ｓ６０のステップを実行することにより、パターンＰａ〜Ｐｈの指標値は最終的に図１１の指標値８となる。すなわち、パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆ、Ｐｇ及びＰｈに設定される最終的な指標値はそれぞれ、＋０．２０、−１．８３、＋１．７６、−１．００、＋１．００、−１．７６、＋１．８３及び−０．２０となる。

以上のように、本変更例においても、同一レイヤーのパターンを２つのグループに適切に分けることができ、２重露光を用いたフォトリソグラフィによって微細なパターンを精度よく形成することが可能となる。

なお、本実施形態において、図７のＳ５５のステップにおける所定距離は、例えば露光解像限界に基づいて定めることが可能である。また、対象パターンの指標値の増加及び減少に用いる値（加算値）も、露光解像限界に基づいて定めることが可能である。

また、本実施形態では、パターンＰ１〜Ｐ９及びパターンＰａ〜Ｐｈをホールパターンとしたが、ホールパターン以外の各種形状のパターンについても本実施形態の方法を適用することが可能である。各種形状のパターンについては、パターン間の距離は、例えば最近接する辺と辺との間の距離としてもよい。

以上、第１及び第２の実施形態について説明したが、第１及び第２の実施形態の方法によって得られたデータの検証を行うようにしてもよい。例えば、パターンをグループ化することで分離されたレイアウトを再合成し、再合成されたレイアウトを分離前のレイアウトと比較するようにしてもよい。また、分離された各レイアウトについて、最小ピッチで隣接するパターンが無いことを検証するようにしてもよい。

また、第１及び第２の実施形態で述べた方法は、いわゆる２重転写についても適用可能である。この２重転写では、まず、第１のグループに属するパターンを第１のフォトレジストに転写して第１のフォトレジストパターンを形成し、この第１のフォトレジストパターンをハードマスク膜に転写する。続いて、新たに塗布した第２のフォトレジストに第２のグループに属するパターンを転写して第２のフォトレジストパターンを形成し、この第２のフォトレジストパターンを上記ハードマスク膜に転写する。その結果、第１のグループに属するパターン及び第２のグループに属するパターンが転写されたハードマスクパターンが得られる。このような２重転写についても、第１及び第２の実施形態で述べた効果と同様の効果が得られることは言うまでもない。

なお、上述した第１及び第２の実施形態で述べた方法は、該方法の手順が記述されたプログラムによって動作が制御されるコンピュータによって、実現することが可能である。上記プログラムは、磁気ディスク等の記録媒体或いはインターネット等の通信回線（有線回線或いは無線回線）によって提供することが可能である。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。

本発明の第１の実施形態に係るパターン処理方法の手順を示したフローチャートである。 本発明の第１の実施形態に係るパターン処理方法を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施形態に係るパターン処理方法を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施形態に係るパターン処理方法を説明するための説明図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係り、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。 本発明の第１の実施形態の変更例を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施形態に係るパターン処理方法の手順を示したフローチャートである。 本発明の第２の実施形態に係るパターン処理方法を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施形態の変更例を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施形態の変更例を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施形態の変更例を説明するための説明図である。

符号の説明

ＬＡ…パターンレイアウト ＨＰ…ホールパターン ＧＲ…グリッド
ＶＬ…縦ライン ＨＬ…横ライン
Ｐ１〜Ｐ９…パターン Ｐａ〜Ｐｈ…パターン

Claims (5)

1. 複数のホールパターンを有するパターンレイアウトを用意する工程と、
   前記パターンレイアウト上に複数の縦ライン及び複数の横ラインを有するグリッドを設定する工程と、
   前記ホールパターンそれぞれについて、最も近い縦ライン及び最も近い横ラインを抽出する工程と、
   前記ホールパターンそれぞれについて、前記抽出された縦ライン及び横ラインの両方が偶数ラインであるか両方が奇数ラインである第１の条件を満たすか、或いは前記抽出された縦ライン及び横ラインの一方が偶数ラインで他方が奇数ラインである第２の条件を満たすかを判断する工程と、
   前記判断された結果に基づいて、前記パターンレイアウトに含まれるホールパターンを２つのグループにグループ化する工程と、
   を備えたことを特徴とするパターン処理方法。
2. 前記グリッドの単位長さは、前記パターンレイアウトに含まれるホールパターンの最小ピッチに対応し、
   隣接するホールパターン間の距離が前記最小ピッチであり且つ前記隣接するホールパターンが同電位に設定されるものである場合には、前記隣接するホールパターンを同一のグループに入れる
   ことを特徴とする請求項１に記載のパターン処理方法。
3. 複数のパターンを有するパターンレイアウトを用意する工程と、
   前記パターンレイアウトに含まれる１つのパターンを基準パターンとして指定する工程と、
   前記基準パターンから所定距離内にあるパターンを抽出する工程と、
   前記基準パターンに設定された指標値が閾値を上回る場合には前記抽出されたパターンに設定された指標値を減少させ、前記基準パターンに設定された指標値が前記閾値を下回る場合には前記抽出されたパターンに設定された指標値を増加させることにより、前記抽出されたパターンに設定された指標値を変化させる工程と、
   前記パターンレイアウトに含まれる各パターンを順次基準パターンとして指定して、前記抽出する工程及び前記変化させる工程を繰り返すことにより、前記パターンレイアウトに含まれる各パターンに最終的な指標値を設定する工程と、
   前記最終的な指標値に基づいて、前記パターンレイアウトに含まれるパターンを２つのグループにグループ化する工程と、
   を備えたことを特徴とするパターン処理方法。
4. 前記抽出されたパターンに設定された指標値を変化させる工程における指標値の変化量は、前記基準パターンと前記抽出されたパターンとの間の距離に応じて決められる
   ことを特徴とする請求項３に記載のパターン処理方法。
5. コンピュータに請求項１又は請求項３の方法を実行させるための手順が記載されたプログラム。

Images