JP2015125162A - マスクパターン作成方法 - Google Patents
マスクパターン作成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015125162A JP2015125162A JP2013267158A JP2013267158A JP2015125162A JP 2015125162 A JP2015125162 A JP 2015125162A JP 2013267158 A JP2013267158 A JP 2013267158A JP 2013267158 A JP2013267158 A JP 2013267158A JP 2015125162 A JP2015125162 A JP 2015125162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- evaluation
- polygon
- mask
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板を露光するために用いられるマスクのパターンをコンピュータを用いて作成する方法であって、複数のパターン要素を表す複数の多角形のデータを取得するステップと、複数の多角形のうち互いに重なり合う又は接する複数の多角形を1つのグループとして、グループにおける多角形の辺上のうち互いに重なり合う又は接する線分にはグループを構成するパターンの像を評価するための評価箇所を設定せず、線分以外の部分に評価箇所を設定する設定ステップと、グループを構成するパターンの像を計算し、計算された像を評価箇所について評価し、当該評価の結果に基づいてパターンを補正する処理を繰り返して、繰り返し処理の結果に基づいて前記マスクのパターンを作成する作成ステップとを有することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
左辺の評価箇所のX座標:X―Wx´/2、
右辺の評価箇所のX座標:X+Wx´/2、
の位置(点)に設定する。具体的には、図3(b)に示すように、評価箇所304a〜307aが設定される。評価箇所304aと評価箇所305aを結ぶ直線と、ポリゴン101a、201aからなるパターンの像の輪郭との交点を求め、交点間の距離を計算することでパターンの像のX方向の線幅が求められる。また、交点間の中心位置を計算することで、パターンの像のX方向の位置ずれが求められる。求められた線幅や位置ずれが、目標値と異なる場合には、以下のパラメータの値が変更される。
左辺のX座標:X―Wx/2+Sx、
右辺のX座標:X+Wx/2+Sx、
と表される。
辺102a上の評価箇所301aのY座標:Y1+Wy´/2、
辺203a上の評価箇所303aのY座標:Y2−Wy´/2、
である。
辺102aのY座標:Y1+Wy/2+Sy、
で表現される。ポリゴン201aの下辺203aのY座標は、
辺203aのY座標:Y2−Wy/2+Sy、
で表現される。
辺103aのY座標:Y1−Wy´/2、
辺202aのY座標:Y2+Wy´/2、
で表される。辺103a、202aのY座標は定数であるため、パラメータWy、Syの値が変化しても、変化しないように固定して設定している。つまり、複数のポリゴンが互いに重なり合う又は接する辺以外の辺の位置を可変に設定する。
X(1,1)=200[nm]、Y(1,1)=300[nm]
となる。同様に、パターン要素401c〜fは、同じ識別番号でグループ化され、
401f:X(2,1)=400[nm]、Y(2,1)=0[nm]、
401e:X(2,2)=400[nm]、Y(2,2)=100[nm]、
401d:X(2,3)=400[nm]、Y(2,3)=200[nm]、
401c:X(2,4)=400[nm]、Y(2,4)=300[nm]、
と、登録される。
評価箇所732のX座標:X(1,1)−Wx´/2、
評価箇所732のY座標:Y(1,1)、
評価箇所733のX座標:X(1,1)+Wx´/2、
評価箇所733のY座標:Y(1,1)、
評価箇所734のX座標:X(1,1)、
評価箇所734のY座標:Y(1,1)+Wy´/2、
評価箇所735のX座標:X(1,1)、
評価箇所735のY座標:Y(1,1)−Wy´/2、
となる。
評価箇所736のX座標:X(2,4)−Wx´/2、
評価箇所736のY座標:Y(2,4)、
評価箇所737のX座標:X(2,4)+Wx´/2、
評価箇所737のY座標:Y(2,4)、
評価箇所738のX座標:X(2,3)−Wx´/2、
評価箇所738のY座標:Y(2,3)、
評価箇所739のX座標:X(2,3)+Wx´/2、
評価箇所739のY座標:Y(2,3)、
評価箇所740のX座標:X(2,2)−Wx´/2、
評価箇所740のY座標:Y(2,2)、
評価箇所741のX座標:X(2,2)+Wx´/2、
評価箇所741のY座標:Y(2,2)、
評価箇所742のX座標:X(2,1)−Wx´/2、
評価箇所742のY座標:Y(2,1)、
評価箇所743のX座標:X(2,1)+Wx´/2、
評価箇所743のY座標:Y(2,1)、
と表される。
評価箇所744のX座標=X(2,4)、
評価箇所744のY座標=Y(2,4)+Wy´/2、
評価箇所745のX座標=X(2,1)、
評価箇所745のY座標=Y(2,1)−Wy´/2、
となる。
辺706のX座標:X(1,1)−Wx1/2+Sx1、
辺707のX座標:X(1,1)+Wx1/2+Sx1、
と表される。辺708と辺709のY座標は、パラメータWy1、Sy1と、パターン要素401bの中心位置座標を用いて、
辺708のY座標=Y(1,1)+Wy1/2+Sy1、
辺709のY座標=Y(1,1)−Wy1/2+Sy1、
と表される。
辺712のX座標=X(2,4)−Wx2/2+Sx2、
辺713のX座標=X(2,4)−Wx2/2+Sx2、
辺714のX座標=X(2,3)−Wx3/2+Sx3、
辺715のX座標=X(2,3)−Wx3/2+Sx3、
辺716のX座標=X(2,2)−Wx4/2+Sx4、
辺717のX座標=X(2,2)−Wx4/2+Sx4、
辺718のX座標=X(2,1)−Wx5/2+Sx5、
辺719のX座標=X(2,1)−Wx5/2+Sx5、
で表される。
辺720のY座標=Y(2,4)+Wy2/2+Sy2、
辺727のY座標=Y(2,1)−Wy5/2+Sy5、
となる。
辺721のY座標=Y(2,4)−Wy´/2、
辺722のY座標=Y(2,3)+Wy´/2、
辺723のY座標=Y(2,3)−Wy´/2、
辺724のY座標=Y(2,2)+Wy´/2、
辺725のY座標=Y(2,2)−Wy´/2、
辺726のY座標=Y(2,1)+Wy´/2、
となる。
Claims (14)
- 基板を露光するために用いられるマスクのパターンをコンピュータを用いて作成する方法であって、
複数のパターン要素を表す複数の多角形のデータを取得するステップと、
前記複数の多角形のうち互いに重なり合う又は接する複数の多角形を1つのグループとして、前記グループにおける多角形の辺上のうち互いに重なり合う又は接する線分には前記グループを構成するパターンの像を評価するための評価箇所を設定せず、前記線分以外の部分に前記評価箇所を設定する設定ステップと、
前記グループを構成するパターンの像を計算し、計算された像を前記評価箇所について評価し、当該評価の結果に基づいてパターンを補正する処理を繰り返して、繰り返し処理の結果に基づいて前記マスクのパターンを作成する作成ステップと
を有することを特徴とする方法。 - 前記評価箇所は、前記グループにおける多角形の辺のうち互いに重なり合う又は接する辺の方向とは異なる方向の前記像を評価する箇所であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記評価箇所は、前記グループにおける多角形の辺のうち互いに重なり合う又は接する辺の方向に垂直な方向の前記像を評価する箇所であることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記設定ステップにおいて、前記多角形の中心位置と前記多角形の幅を用いて、前記評価箇所を設定することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法。
- 前記設定ステップにおいて、
取得した前記複数の多角形のデータを用いて、各多角形が各升目に配置されるように複数の升目で区切り、各升目において前記多角形の有無を表す情報を付したマップデータを作成するステップと、
前記マップデータを用いて、前記多角形を有する情報が付された連続した升目を前記1つのグループに設定するステップを有することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法。 - 前記グループにおける多角形の辺のうち互いに重なり合う又は接する辺の位置を固定し、当該互いに重なり合う又は接する辺以外の辺の位置を可変に設定するステップと、
前記作成ステップにおいて、前記グループを構成するパターンの像を計算し、計算された像を前記評価箇所について評価し、当該評価の結果に基づいて、当該互いに重なり合う又は接する辺以外の辺の位置を変更するステップを繰り返して、前記マスクのパターンを作成することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法。 - 前記評価箇所における前記像の評価は、前記評価箇所を結ぶ線と計算された前記像の輪郭の交点から、前記像の幅又は位置ずれを求めることによって行うことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法。
- 前記多角形の幅と中心位置ずれをパラメータに設定するステップと、
前記作成ステップにおいて、前記パラメータの値を変更することにより、当該互いに重なり合う又は接する辺以外の辺の位置を変更することを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記複数のパターン要素は、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するための矩形状のパターン要素であることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法。
- コンピュータに請求項1乃至9の何れか1項に記載のマスクパターン作成方法を実行させるプログラム。
- 請求項1乃至9の何れか1項に記載のマスクパターン作成方法を実行する情報処理装置。
- 請求項1乃至9の何れか1項に記載のマスクパターン作成方法によりマスクのパターンのデータを作成するステップと、
該作成されたマスクのパターンのデータを用いてマスクを製造するステップとを有することを特徴とするマスク製造方法。 - 請求項12に記載のマスク製造方法によりマスクを製造するステップと、
該製造されたマスクのパターンの像を基板に投影して前記基板を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。 - 請求項13に記載の露光方法により基板を露光するステップと、
該露光され基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013267158A JP6399751B2 (ja) | 2013-12-25 | 2013-12-25 | マスクパターン作成方法、プログラム、マスク製造方法、露光方法及び物品製造方法 |
US14/579,667 US9372408B2 (en) | 2013-12-25 | 2014-12-22 | Mask pattern generation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013267158A JP6399751B2 (ja) | 2013-12-25 | 2013-12-25 | マスクパターン作成方法、プログラム、マスク製造方法、露光方法及び物品製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015125162A true JP2015125162A (ja) | 2015-07-06 |
JP2015125162A5 JP2015125162A5 (ja) | 2017-02-09 |
JP6399751B2 JP6399751B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=53400315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013267158A Active JP6399751B2 (ja) | 2013-12-25 | 2013-12-25 | マスクパターン作成方法、プログラム、マスク製造方法、露光方法及び物品製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9372408B2 (ja) |
JP (1) | JP6399751B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200022741A (ko) * | 2018-08-23 | 2020-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법, 극 자외선 노광 방법 및 광 근접 보정 방법 |
JP2021166271A (ja) * | 2020-04-08 | 2021-10-14 | 日本コントロールシステム株式会社 | マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10936778B2 (en) * | 2016-03-28 | 2021-03-02 | Motivo, Inc. | And optimization of physical cell placement |
CN117406544A (zh) * | 2016-10-24 | 2024-01-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于优化图案化装置图案的方法 |
CN115004107A (zh) * | 2020-02-14 | 2022-09-02 | 美商新思科技有限公司 | 用于开发光刻掩模的布局的骨架表示 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0934095A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Sony Corp | マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置 |
JP2007057948A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法 |
JP2011095729A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Canon Inc | 記録媒体及び決定方法 |
JP2011145564A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Toshiba Corp | マスクパターン生成方法、半導体装置の製造方法およびマスクパターン生成プログラム |
JP2013254165A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Canon Inc | パターン作成方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7010764B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-03-07 | Takumi Technology Corp. | Effective proximity effect correction methodology |
JP4247104B2 (ja) | 2003-12-18 | 2009-04-02 | 株式会社東芝 | パターン検証方法、パターン検証システム |
-
2013
- 2013-12-25 JP JP2013267158A patent/JP6399751B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-22 US US14/579,667 patent/US9372408B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0934095A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Sony Corp | マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置 |
JP2007057948A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法 |
JP2011095729A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Canon Inc | 記録媒体及び決定方法 |
JP2011145564A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Toshiba Corp | マスクパターン生成方法、半導体装置の製造方法およびマスクパターン生成プログラム |
JP2013254165A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Canon Inc | パターン作成方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200022741A (ko) * | 2018-08-23 | 2020-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법, 극 자외선 노광 방법 및 광 근접 보정 방법 |
KR102632559B1 (ko) | 2018-08-23 | 2024-02-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법, 극 자외선 노광 방법 및 광 근접 보정 방법 |
JP2021166271A (ja) * | 2020-04-08 | 2021-10-14 | 日本コントロールシステム株式会社 | マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム |
WO2021205906A1 (ja) * | 2020-04-08 | 2021-10-14 | 日本コントロールシステム株式会社 | マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム |
JP7506870B2 (ja) | 2020-04-08 | 2024-06-27 | 日本コントロールシステム株式会社 | マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150178431A1 (en) | 2015-06-25 |
US9372408B2 (en) | 2016-06-21 |
JP6399751B2 (ja) | 2018-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11747786B2 (en) | Synchronized parallel tile computation for large area lithography simulation | |
JP6399751B2 (ja) | マスクパターン作成方法、プログラム、マスク製造方法、露光方法及び物品製造方法 | |
JP6418786B2 (ja) | パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置 | |
TW200532398A (en) | Design pattern correction method, mask producing method , semiconductor device producing method, mask pattern producing method, design pattern correction system and recording media | |
JP5052625B2 (ja) | マスクのレイアウトを設計する方法及びプログラム | |
US11080458B2 (en) | Lithography simulation method | |
TW201923443A (zh) | 光罩製造方法 | |
JP2013254165A (ja) | パターン作成方法 | |
JP2008211076A (ja) | レジストパターン形状予測方法、プログラム及びコンピュータ | |
JP3954216B2 (ja) | マスクデータ設計方法 | |
KR20230036578A (ko) | 광 근접 보정 방법. 그것을 이용하는 마스크 제작 방법 및 반도체 칩 | |
CN109656093B (zh) | 设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法 | |
US10796065B2 (en) | Hybrid design layout to identify optical proximity correction-related systematic defects | |
JP6324044B2 (ja) | セルのパターンの作成方法、マスクパターンの作成方法、プログラム、情報処理装置、マスク製造方法 | |
JP5575024B2 (ja) | マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法 | |
US9547230B2 (en) | Method for evaluating optical image of pattern, recording medium, and information processing apparatus | |
JP5665915B2 (ja) | マスクデータ作成方法 | |
JP2011003644A (ja) | リソグラフィシミュレーション方法及びプログラム | |
TWI597561B (zh) | 圖案產生方法、遮罩的製造方法、曝光方法、半導體設備的製造方法、儲存媒體、以及資訊處理裝置 | |
JP2011197304A (ja) | マスクデータ作成方法、リソグラフィ用マスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびフレア補正プログラム | |
JP2008276222A (ja) | パターンデータの処理方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR20210099850A (ko) | 광학적 근접 효과 보정의 검증 방법 | |
US9152037B2 (en) | Pattern correction method, storage medium, information processing apparatus, method of manufacturing mask, exposure apparatus, and method of manufacturing device | |
KR20220139736A (ko) | Euv 마스크 제조방법 | |
CN116203803A (zh) | 用于光学邻近校正的方法和制造半导体器件的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161222 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171222 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180612 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180904 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6399751 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |