JP2021166271A - マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム - Google Patents
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Abstract
Description
110 格納部
120 受信部
130 受付部
140 処理部
141 対象情報取得部
143 影響度取得部
145 除去部
160 出力部
170 送信部
200 マスク情報設計装置
210 第二格納部
240 第二処理部
241 目標露光パターン取得部
243 マスクパターン生成部
245 マスクパターン変換部
270 第二送信部
300 マスク情報変換装置
310 第三格納部
320 第三受信部
340 第三処理部
341 準備部
370 第三送信部
501 マスク描画装置
900 フォトマスク製造システム
Claims (16)
- フォトマスクの製造に用いるマスク情報を調整するマスク情報調整装置であって、
多角形のマスクパターンを含む調整前マスク情報を取得する対象情報取得部と、
前記マスクパターンに対応してフォトマスクを用いて生成される露光パターンに対する、前記マスクパターンのそれぞれの頂点又は辺の除去についての影響度を当該頂点又は点に対応付けて取得して、取得した影響度に関する所定の条件が満たされるか否かに応じて各頂点又は辺の除去を行うことにより前記マスクパターンを単純化する処理部と、
前記処理部により単純化された後のマスクパターンを含む調整後マスク情報を出力する出力部とを備える、マスク情報調整装置。 - 前記処理部は、前記マスクパターンの全ての頂点又は全ての辺のそれぞれについての前記影響度を取得して、取得した影響度が最も小さい頂点又は点の除去を行う、請求項1に記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンの一の頂点又は辺の除去を行い、一の頂点又は辺の除去を行った後の前記マスクパターンのそれぞれの頂点又は辺の除去についての影響度を取得し、予め定められた終了条件を満たさない場合に、取得したそれぞれの影響度に基づいてさらに前記マスクパターンの一の頂点又は辺の除去を行い、予め定められた終了条件を満たす場合に、前記マスクパターンの単純化を終了する、請求項1又は2に記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、一の頂点又は辺の除去を行った後の前記マスクパターンについて前記影響度を取得した後で、取得したそれぞれの影響度と所定の閾値とを比較し、比較結果が前記終了条件を満たす場合に前記マスクパターンの単純化を終了する、請求項3に記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンの各頂点又は辺について、当該頂点又は辺を削除することによる前記マスクパターンの面積の変化量に対応する値を前記影響度として取得する、請求項1から4のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンを構成する一の辺について、当該辺と、当該辺に隣接する隣接辺を含む半直線であって当該辺と共有する頂点とは異なる頂点を基点とする半直線とで形成される三角形の面積を前記影響度として取得する、請求項1から5のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンを構成する一の辺を除去する場合において、当該辺に隣接する隣接辺をそれぞれ含む半直線であって当該辺と共有する頂点とは異なる頂点を基点とする半直線同士の交点を、当該辺の除去後のマスクパターンにおける頂点とする、請求項1から6のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンを構成する一の頂点について、当該頂点を共有する2つの辺と、当該2つの辺のそれぞれに隣接する隣接辺を含む2本の半直線であってそれぞれ当該頂点に隣接する隣接頂点とは異なる頂点を基点とする2本の半直線とで形成される四角形が凹四角形ではない場合に、当該四角形の面積を前記影響度として取得する、請求項1から7のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンを構成する一の頂点を除去する場合において、当該頂点を共有する2つの辺と、当該2つの辺のそれぞれに隣接する隣接辺を含む2本の半直線であってそれぞれ当該頂点に隣接する隣接頂点とは異なる頂点を基点とする2本の半直線とで形成される四角形が凹四角形ではない場合に、当該半直線同士の交点を除去後のマスクパターンにおける頂点とする、請求項1から8のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンを構成する一の頂点について、当該頂点を共有する2つの辺と、当該2つの辺のそれぞれに隣接する隣接辺を含む2本の半直線であってそれぞれ当該頂点に隣接する隣接頂点とは異なる頂点を基点とする2本の半直線とで形成される四角形が凹四角形である場合に、当該頂点を共有する2つの辺と2つの前記隣接頂点同士を結ぶ線分とで形成される三角形の面積を前記影響度として取得する、請求項1から9のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記処理部は、前記マスクパターンを構成する一の頂点を除去する場合において、当該頂点を共有する2つの辺と、当該2つの辺のそれぞれに隣接する隣接辺を含む2本の半直線であってそれぞれ当該頂点に隣接する隣接頂点とは異なる頂点を基点とする2本の半直線とで形成される四角形が凹四角形である場合に、前記2本の半直線のうち一方にある第一の点と他方にある第二の点とを除去後のマスクパターンにおける頂点とし、
前記第一の点と前記第二の点とは、前記第一の点と前記第二の点とを結ぶ線分と、前記隣接頂点同士を結ぶ線分と、前記2本の半直線とで形成される四角形の面積と、当該頂点を共有する2つの辺と2つの前記隣接頂点同士を結ぶ線分とで形成される三角形の面積とが等しくなる位置にある、請求項1から10のいずれかに記載のマスク情報調整装置。 - 前記調整前マスク情報は、OPC(光近接効果補正)により生成されたマスクパターンを含む、請求項1から11のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記対象情報取得部は、目標とする露光パターンに対応する目標マスクパターンを取得し、取得した前記目標マスクパターンに基づいて、前記調整前マスク情報を取得する、請求項1から12のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- 前記出力部により出力された前記調整後マスク情報に基づいてマスクデータ準備を実行する準備部をさらに備える、請求項1から12のいずれかに記載のマスク情報調整装置。
- フォトマスクの製造に用いるマスク情報を調整するマスクデータ調整方法であって、
多角形のマスクパターンを含む調整前マスク情報を取得する対象情報取得ステップと、
前記マスクパターンに対応してフォトマスクを用いて生成される露光パターンに対する、前記マスクパターンのそれぞれの頂点又は辺の除去についての影響度を当該頂点又は点に対応付けて取得して、取得した影響度に関する所定の条件が満たされるか否かに応じて各頂点又は辺の除去を行うことにより前記マスクパターンを単純化する処理ステップと、
前記処理ステップにより単純化された後のマスクパターンを含む調整後マスク情報を出力する出力ステップとを備える、マスクデータ調整方法。 - フォトマスクの製造に用いるマスク情報を調整するコンピュータを、
多角形のマスクパターンを含む調整前マスク情報を取得する対象情報取得部と、
前記マスクパターンに対応してフォトマスクを用いて生成される露光パターンに対する、前記マスクパターンのそれぞれの頂点又は辺の除去についての影響度を当該頂点又は点に対応付けて取得して、取得した影響度に関する所定の条件が満たされるか否かに応じて各頂点又は辺の除去を行うことにより前記マスクパターンを単純化する処理部と、
前記処理部により単純化された後のマスクパターンを含む調整後マスク情報を出力する出力部として機能させるための、プログラム。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06214376A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Seiko Instr Inc | 多角形パターン複写修正方法 |
JP2000182921A (ja) * | 1997-12-05 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | パターン歪検出装置及び検出方法並びに半導体装置 |
JP2008065246A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Nec Electronics Corp | レイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、及びプログラム |
JP2012129479A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および描画データ生成方法 |
JP2015109099A (ja) * | 2004-05-07 | 2015-06-11 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | プロセス変動バンドを用いた集積回路レイアウト設計法 |
JP2015125162A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | キヤノン株式会社 | マスクパターン作成方法 |
JP2016082150A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 日本コントロールシステム株式会社 | パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6351558B1 (en) * | 1996-11-13 | 2002-02-26 | Seiko Epson Corporation | Image processing system, image processing method, and medium having an image processing control program recorded thereon |
US20130070222A1 (en) | 2011-09-19 | 2013-03-21 | D2S, Inc. | Method and System for Optimization of an Image on a Substrate to be Manufactured Using Optical Lithography |
CN106094422A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种简化opc后掩模版图形的方法 |
US10534257B2 (en) * | 2017-05-01 | 2020-01-14 | Lam Research Corporation | Layout pattern proximity correction through edge placement error prediction |
-
2020
- 2020-04-08 JP JP2020069815A patent/JP7506870B2/ja active Active
-
2021
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06214376A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Seiko Instr Inc | 多角形パターン複写修正方法 |
JP2000182921A (ja) * | 1997-12-05 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | パターン歪検出装置及び検出方法並びに半導体装置 |
JP2015109099A (ja) * | 2004-05-07 | 2015-06-11 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | プロセス変動バンドを用いた集積回路レイアウト設計法 |
JP2008065246A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Nec Electronics Corp | レイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、及びプログラム |
JP2012129479A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および描画データ生成方法 |
JP2015125162A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | キヤノン株式会社 | マスクパターン作成方法 |
JP2016082150A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 日本コントロールシステム株式会社 | パターン補正量算出装置、パターン補正量算出方法、およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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