JP2003286116A - プロヘキサジオン系化合物の処理によるスギ雄花の分化・形成の抑制方法 - Google Patents
プロヘキサジオン系化合物の処理によるスギ雄花の分化・形成の抑制方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スギの伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄
花形成抑制効果に優れたスギ花粉発生防止剤を提供す
る。 【解決手段】 成分として、プロヘキサジオン系化合物
を使用する。プロヘキサジオン系化合物としては、例え
ば、以下の化合物が例示される。 【化１】
花形成抑制効果に優れたスギ花粉発生防止剤を提供す
る。 【解決手段】 成分として、プロヘキサジオン系化合物
を使用する。プロヘキサジオン系化合物としては、例え
ば、以下の化合物が例示される。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロヘキサジオン
系化合物を主成分とするスギ花粉発生防止剤に関し、特
に、スギの伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成
抑制効果に優れたプロヘキサジオン系化合物を主成分と
するスギ花粉発生防止剤に関するものである。
系化合物を主成分とするスギ花粉発生防止剤に関し、特
に、スギの伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成
抑制効果に優れたプロヘキサジオン系化合物を主成分と
するスギ花粉発生防止剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、スギの花粉症は、春先の３月から
４月にかけて発生する日本の代表的なアレルギー疾患の
一つとなっている。日本国民の５人に一人が、スギ花粉
症患者と言われ、スギ花粉症の予防及び防除の対策が求
められている。スギ花粉症の予防及び防除の対策に関し
て、近時、医学的な立場から予防及び治療に関する各種
の研究が活発に行われているが、これまで、有効な予防
及び治療方法は確立していない。
４月にかけて発生する日本の代表的なアレルギー疾患の
一つとなっている。日本国民の５人に一人が、スギ花粉
症患者と言われ、スギ花粉症の予防及び防除の対策が求
められている。スギ花粉症の予防及び防除の対策に関し
て、近時、医学的な立場から予防及び治療に関する各種
の研究が活発に行われているが、これまで、有効な予防
及び治療方法は確立していない。
【０００３】一方、スギ花粉症の予防及び防除方法とし
て、植物学的方法も検討すべきものとして考えられる。
即ち、スギ花粉の発生自体を防止又は抑制できれば、ス
ギ花粉症の原因が取り除かれ、スギ花粉症が効果的に防
止されることが考えられる。この場合、スギ花粉の発生
源として、スギ雄花の形成を抑制することが考えられ
る。本発明者は、スギ雄花の形成を阻害する物質につい
て、鋭意検討したところ、プロヘキサジオン系化合物
が、スギの伸長成長を実質的に阻害せず、効果的に、ス
ギ雄花の形成を抑制することを見出し、本発明に到達し
たものである。
て、植物学的方法も検討すべきものとして考えられる。
即ち、スギ花粉の発生自体を防止又は抑制できれば、ス
ギ花粉症の原因が取り除かれ、スギ花粉症が効果的に防
止されることが考えられる。この場合、スギ花粉の発生
源として、スギ雄花の形成を抑制することが考えられ
る。本発明者は、スギ雄花の形成を阻害する物質につい
て、鋭意検討したところ、プロヘキサジオン系化合物
が、スギの伸長成長を実質的に阻害せず、効果的に、ス
ギ雄花の形成を抑制することを見出し、本発明に到達し
たものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】即ち、本発明は、スギ
の伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成抑制効果
に優れたスギ花粉発生防止剤を提供することを目的とす
るものである。
の伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成抑制効果
に優れたスギ花粉発生防止剤を提供することを目的とす
るものである。
【０００５】
【発明が解決するための手段】本発明者は、スギの伸長
成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成抑制効果に優れ
たスギ花粉発生防止剤を提供すべく鋭意検討を行った結
果、プロヘキサジオン系化合物が有効であることを見出
し、本発明に到達したものである。
成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成抑制効果に優れ
たスギ花粉発生防止剤を提供すべく鋭意検討を行った結
果、プロヘキサジオン系化合物が有効であることを見出
し、本発明に到達したものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
本発明のプロヘキサジオン系化合物は、ジベレリンの生
合成を阻害する化合物である。特に、本発明のプロヘキ
サジオン系化合物は、ジベレリンの生合成において、生
理活性型のジベレリンとなる際の３−β位の水酸化に関
与する酵素である３−β水酸化酵素の活性を抑制する化
合物である。従って、このような機能を有するものであ
れば、各種のプロヘキサジオン系化合物を使用すること
ができる。また、プロヘキサジオン系化合物は、分解が
早く、スギ以外の植物の成長発育に対して影響が少ない
化合物である。従って、プロヘキサジオン系化合物は、
環境保護や、植物安全性に優れている。
本発明のプロヘキサジオン系化合物は、ジベレリンの生
合成を阻害する化合物である。特に、本発明のプロヘキ
サジオン系化合物は、ジベレリンの生合成において、生
理活性型のジベレリンとなる際の３−β位の水酸化に関
与する酵素である３−β水酸化酵素の活性を抑制する化
合物である。従って、このような機能を有するものであ
れば、各種のプロヘキサジオン系化合物を使用すること
ができる。また、プロヘキサジオン系化合物は、分解が
早く、スギ以外の植物の成長発育に対して影響が少ない
化合物である。従って、プロヘキサジオン系化合物は、
環境保護や、植物安全性に優れている。
【０００７】本発明のプロヘキサジオン系化合物として
は、例えば、以下の化合物を例示することができる。こ
の化合物は、例えば、特開昭５９−２３１０４５号公報
に記載されている。しかしながら、この公報は、稲等の
植物の選択的生長防止及び選択的除草特性を有する化合
物として開示しているが、本発明のような、スギの伸長
成長を実質的に阻害しない、雄花形成抑制効果に優れた
スギ花粉発生防止剤としての用途について全く開示も示
唆もしていない。 （Ｉ）次式ＡＩ、
は、例えば、以下の化合物を例示することができる。こ
の化合物は、例えば、特開昭５９−２３１０４５号公報
に記載されている。しかしながら、この公報は、稲等の
植物の選択的生長防止及び選択的除草特性を有する化合
物として開示しているが、本発明のような、スギの伸長
成長を実質的に阻害しない、雄花形成抑制効果に優れた
スギ花粉発生防止剤としての用途について全く開示も示
唆もしていない。 （Ｉ）次式ＡＩ、
【０００８】
【化９】
【０００９】〔式中、Ａは、−ＯＲ2 又は−ＮＲ3 Ｒ4
を表わし、Ｂは、水酸基、−ＮＨＯＲ1 基又はその塩を
表わし、Ｒは、各々未置換又はハロゲン原子、炭素原子
数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜４のアルキ
ルチオ基によって置換された炭素原子数１〜６のアルキ
ル基又は炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表わ
し、Ｒ1 は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子
数１〜６のハロアルキル基、炭素原子数３〜６のアルケ
ニル基、炭素原子数３〜６のハロアルケニル基又は炭素
原子数３〜６のアルキニル基を表わし、
を表わし、Ｂは、水酸基、−ＮＨＯＲ1 基又はその塩を
表わし、Ｒは、各々未置換又はハロゲン原子、炭素原子
数１〜６のアルコキシ基又は炭素原子数２〜４のアルキ
ルチオ基によって置換された炭素原子数１〜６のアルキ
ル基又は炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表わ
し、Ｒ1 は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子
数１〜６のハロアルキル基、炭素原子数３〜６のアルケ
ニル基、炭素原子数３〜６のハロアルケニル基又は炭素
原子数３〜６のアルキニル基を表わし、
【００１０】Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は、互いに独立して、
水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数
１〜６のハロアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルコ
キシアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルキルチオア
ルキル基、炭素原子数３〜６のアルケニル基（ハロゲン
原子、炭素原子数１〜４のアルコキシ基、又は炭素原子
数１〜４のアルキルチオ基によって置換されていてもよ
い）、炭素原子数５〜６のアルキニル基、フェニル又は
炭素原子数１〜６のアルアルキル基（フェニル核は、ハ
ロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子
数１〜４のアルコキシ基、炭素原子数１〜４のハロアル
キル基、ニトロ基又はシアノ基によって置換されていｔ
もよい。）を表わし、そして
水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数
１〜６のハロアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルコ
キシアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルキルチオア
ルキル基、炭素原子数３〜６のアルケニル基（ハロゲン
原子、炭素原子数１〜４のアルコキシ基、又は炭素原子
数１〜４のアルキルチオ基によって置換されていてもよ
い）、炭素原子数５〜６のアルキニル基、フェニル又は
炭素原子数１〜６のアルアルキル基（フェニル核は、ハ
ロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子
数１〜４のアルコキシ基、炭素原子数１〜４のハロアル
キル基、ニトロ基又はシアノ基によって置換されていｔ
もよい。）を表わし、そして
【００１１】Ｒ3 及びＲ4 は、またそれらからが結合し
ている炭素原子と一緒になって更に炭素原子又は硫黄原
子を環に含んでもよい。５−又は６−員の複素環系を形
成する。〕で表わされるシクロヘキサンジオンカルボン
酸誘導体。前記定義中、アルキル基は、直鎖及び枝分れ
した基の双方を含み、例えば、メチル基や、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル
基、第二ブチル基、第三ブチル基、並びに更に高級な同
族体の全ての立体異性体を含む。アルケニル基及びアル
キニル基はまた直鎖及び枝分れした鎖の双方、例えば、
ビニル基や、アリル基、メタリル基、ブテニル基、メチ
ルブテニル基及びジメチルブテニル基、エチニル基、プ
ロピニル基、ブチニル基、メチルブチニル基及びジメチ
ルブチニル基を含む。
ている炭素原子と一緒になって更に炭素原子又は硫黄原
子を環に含んでもよい。５−又は６−員の複素環系を形
成する。〕で表わされるシクロヘキサンジオンカルボン
酸誘導体。前記定義中、アルキル基は、直鎖及び枝分れ
した基の双方を含み、例えば、メチル基や、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル
基、第二ブチル基、第三ブチル基、並びに更に高級な同
族体の全ての立体異性体を含む。アルケニル基及びアル
キニル基はまた直鎖及び枝分れした鎖の双方、例えば、
ビニル基や、アリル基、メタリル基、ブテニル基、メチ
ルブテニル基及びジメチルブテニル基、エチニル基、プ
ロピニル基、ブチニル基、メチルブチニル基及びジメチ
ルブチニル基を含む。
【００１２】ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子又はヨウ素原子を表わす。更に、酸素原子又は
硫黄原子を環に含んでもよい、５−又は６−員の複素環
系−ＮＲ3 Ｒ4 は、ピロールや、ピロリジン、ピペリジ
ン、モルホリン、チオモルホリン等であってもよい。こ
れらの環は、また、メチル基によって置換されてもよ
い。これらの化合物の塩（アンモニウム塩も含む）は、
塩基との反応により得られる。適当な塩基としては、好
ましくは、アルカリ金属水酸化物や、アルカリ土類金属
水酸化物、鉄、銅、ニッケル及び亜鉛の水酸化物、更
に、アンモニア又は第四級炭素原子数１〜４のアルキル
アンモニウム又は炭素原子数１〜４のヒドロキシアルキ
ルアンモニウム塩基等を好適に挙げることができる。式
ＡＩで表わされるシクロヘキサンジオンカルボン酸誘導
体の特に有効な化合物は以下の群のものである。 次式ＡＩａ：
臭素原子又はヨウ素原子を表わす。更に、酸素原子又は
硫黄原子を環に含んでもよい、５−又は６−員の複素環
系−ＮＲ3 Ｒ4 は、ピロールや、ピロリジン、ピペリジ
ン、モルホリン、チオモルホリン等であってもよい。こ
れらの環は、また、メチル基によって置換されてもよ
い。これらの化合物の塩（アンモニウム塩も含む）は、
塩基との反応により得られる。適当な塩基としては、好
ましくは、アルカリ金属水酸化物や、アルカリ土類金属
水酸化物、鉄、銅、ニッケル及び亜鉛の水酸化物、更
に、アンモニア又は第四級炭素原子数１〜４のアルキル
アンモニウム又は炭素原子数１〜４のヒドロキシアルキ
ルアンモニウム塩基等を好適に挙げることができる。式
ＡＩで表わされるシクロヘキサンジオンカルボン酸誘導
体の特に有効な化合物は以下の群のものである。 次式ＡＩａ：
【００１３】
【化１０】
【００１４】（式中、Ａ及びＲは、前記の意味を表わ
す。）で表わされるシクロヘキサン誘導体、その塩、好
ましくは、金属又はアンモニウム塩、前記式ＡＩａにお
いて、Ａが、−ＯＲ2 を表わし、そしてＲ及びＲ2 が、
前記の意味を表わす誘導体、その金属塩、又はアンモニ
ウム塩、前記式ＡＩａにおいて、Ａが、−ＮＲ3 Ｒ4 を
表わし、そしてＲ、Ｒ3 及びＲ4 が、前記の意味を表わ
す誘導体、その金属塩、又はアンモニウム塩、前記式Ａ
Ｉａにおいて、Ａが、前記の意味を表わし、そしてＲ
が、炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表わす誘導
体、その金属塩、又はアンモニウム塩。更に有用な化合
物は、次式ＡＩｂ、
す。）で表わされるシクロヘキサン誘導体、その塩、好
ましくは、金属又はアンモニウム塩、前記式ＡＩａにお
いて、Ａが、−ＯＲ2 を表わし、そしてＲ及びＲ2 が、
前記の意味を表わす誘導体、その金属塩、又はアンモニ
ウム塩、前記式ＡＩａにおいて、Ａが、−ＮＲ3 Ｒ4 を
表わし、そしてＲ、Ｒ3 及びＲ4 が、前記の意味を表わ
す誘導体、その金属塩、又はアンモニウム塩、前記式Ａ
Ｉａにおいて、Ａが、前記の意味を表わし、そしてＲ
が、炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表わす誘導
体、その金属塩、又はアンモニウム塩。更に有用な化合
物は、次式ＡＩｂ、
【００１５】
【化１１】
【００１６】（式中、Ａ、Ｒ及びＲ1 は、前記の意味を
表わす。）で表わされるシクロヘキサンジオン、その金
属塩、又はアンモニウム塩；前記式ＡＩｂにおいて、Ａ
が、−ＯＲ2 を表わし、そしてＲ、Ｒ1 及びＲ2 が、前
記の意味を表わす誘導体、その金属塩、又はアンモニウ
ム塩；前記式ＡＩｂにおいて、Ａが、−ＮＲ3 Ｒ4 を表
わし、そしてＲ、Ｒ1 、Ｒ3 及びＲ4 が、前記の意味を
表わす誘導体、その金属塩、又はアンモニウム塩。
表わす。）で表わされるシクロヘキサンジオン、その金
属塩、又はアンモニウム塩；前記式ＡＩｂにおいて、Ａ
が、−ＯＲ2 を表わし、そしてＲ、Ｒ1 及びＲ2 が、前
記の意味を表わす誘導体、その金属塩、又はアンモニウ
ム塩；前記式ＡＩｂにおいて、Ａが、−ＮＲ3 Ｒ4 を表
わし、そしてＲ、Ｒ1 、Ｒ3 及びＲ4 が、前記の意味を
表わす誘導体、その金属塩、又はアンモニウム塩。
【００１７】好ましい個々の化合物としては、以下のも
のを好適に挙げることができる。エチル４−ブチリル−
３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレート、イソ
ブチル４−ブチリル−３，５−シクロヘキサンジオンカ
ルボキシレート、エチル４−（１−エトキシアミノブチ
リデン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレ
ート、エチル４−（１−アリルオキシアミノブチリデ
ン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレー
ト、エチル４−（シクロプロピルヒドロキシメチリデ
ン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレー
ト、イソブチル４−（１−アリルオキシアミノブチリデ
ン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレー
ト、ジメチル４−（１−エトキシアミノブチリデン）−
３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシアミド、ジメ
チル４−（１−アリルオキシアミノブチリデン）−３，
５−シクロヘキサンジオンカルボキシアミド、ジエチル
４−（１−アリルオキシアミノブチリデン）−３，５−
シクロヘキサンジオンカルボキシアミド、ベンジル４−
（１−エトキシアミノブチリデン）−３，５−シクロヘ
キサンジオンカルボキシアミド、 そしてそのナトリウ
ム、アンモニウム及びテトラメチルアンモニウム塩。
のを好適に挙げることができる。エチル４−ブチリル−
３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレート、イソ
ブチル４−ブチリル−３，５−シクロヘキサンジオンカ
ルボキシレート、エチル４−（１−エトキシアミノブチ
リデン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレ
ート、エチル４−（１−アリルオキシアミノブチリデ
ン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレー
ト、エチル４−（シクロプロピルヒドロキシメチリデ
ン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレー
ト、イソブチル４−（１−アリルオキシアミノブチリデ
ン）−３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシレー
ト、ジメチル４−（１−エトキシアミノブチリデン）−
３，５−シクロヘキサンジオンカルボキシアミド、ジメ
チル４−（１−アリルオキシアミノブチリデン）−３，
５−シクロヘキサンジオンカルボキシアミド、ジエチル
４−（１−アリルオキシアミノブチリデン）−３，５−
シクロヘキサンジオンカルボキシアミド、ベンジル４−
（１−エトキシアミノブチリデン）−３，５−シクロヘ
キサンジオンカルボキシアミド、 そしてそのナトリウ
ム、アンモニウム及びテトラメチルアンモニウム塩。
【００１８】式ＡＩで表わされるシクロヘキサンジオン
カルボン酸誘導体は、例えば、以下のように、異なる互
変異性体の形態で得ることができる。
カルボン酸誘導体は、例えば、以下のように、異なる互
変異性体の形態で得ることができる。
【００１９】
【化１２】
【００２０】式ＡＩで表わされるシクロヘキサンジオン
カルボキシレートは、次式ＡII、
カルボキシレートは、次式ＡII、
【００２１】
【化１３】
【００２２】（式中、Ａは、前記のエステル又はアミド
基を表わす。）で表わされる３，５−シクロヘキサンジ
オンカルボン酸誘導体と、次式III ： Ｈａｌ−ＣＯＲ （III) （式中、Ｒは、前記の意味を表わす。）で表わされる酸
ハロゲン化物を、不活性有機溶媒中で、そして酸受容体
としての塩基の存在下に反応させて、そのようにして得
られた生成物を単離して、そして所望により、更にその
生成物と、次式IV： ＨＯＮＨＲ1 （IV） （式中、Ｒ1 は、前記の意味を表わす。）で表わされる
ヒドロキシルアミンとを、不活性水−不混和性溶媒中
で、沸騰温度で縮合条件下に反応させ、その結果として
生じた生成物を単離することによる慣用方法で製造す
る。この反応のための適当な溶媒としては、特に、芳香
族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン及びキシレン、
そして又はロゲン化炭化水素、例えばクロロホルム、ジ
クロロエタン及び四塩化炭素等が好適に挙げることがで
きる。
基を表わす。）で表わされる３，５−シクロヘキサンジ
オンカルボン酸誘導体と、次式III ： Ｈａｌ−ＣＯＲ （III) （式中、Ｒは、前記の意味を表わす。）で表わされる酸
ハロゲン化物を、不活性有機溶媒中で、そして酸受容体
としての塩基の存在下に反応させて、そのようにして得
られた生成物を単離して、そして所望により、更にその
生成物と、次式IV： ＨＯＮＨＲ1 （IV） （式中、Ｒ1 は、前記の意味を表わす。）で表わされる
ヒドロキシルアミンとを、不活性水−不混和性溶媒中
で、沸騰温度で縮合条件下に反応させ、その結果として
生じた生成物を単離することによる慣用方法で製造す
る。この反応のための適当な溶媒としては、特に、芳香
族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン及びキシレン、
そして又はロゲン化炭化水素、例えばクロロホルム、ジ
クロロエタン及び四塩化炭素等が好適に挙げることがで
きる。
【００２３】反応温度は、室温〜反応混合物の沸点の範
囲である。酸塩化物の添加の間、反応容器を冷却するこ
とが必要であるかもしれない。適当な酸受容体は有機及
び無機塩基、例えば、ピリジンや、４−アミノピリジ
ン、コリジン、トリエチルアミン、アンモニウム、及び
ナトリウム、カリウム又はカルシウムカーボネート又は
相当するビカーボネートである。式III で表わされる適
当な酸ハロゲン化物は、主に塩化アセチルや、塩化プロ
ピオニル、塩化ブチリル、塩化パレリル、３−メトキシ
プロピオニルクロリド、２−クロロプロピオニルクロリ
ド、シクロプロパノイルクロリド又はシクロヘキサノイ
ルクロリド、及び又は相当する臭化物である。
囲である。酸塩化物の添加の間、反応容器を冷却するこ
とが必要であるかもしれない。適当な酸受容体は有機及
び無機塩基、例えば、ピリジンや、４−アミノピリジ
ン、コリジン、トリエチルアミン、アンモニウム、及び
ナトリウム、カリウム又はカルシウムカーボネート又は
相当するビカーボネートである。式III で表わされる適
当な酸ハロゲン化物は、主に塩化アセチルや、塩化プロ
ピオニル、塩化ブチリル、塩化パレリル、３−メトキシ
プロピオニルクロリド、２−クロロプロピオニルクロリ
ド、シクロプロパノイルクロリド又はシクロヘキサノイ
ルクロリド、及び又は相当する臭化物である。
【００２４】式IVで表わされる適当なヒドロキシルアミ
ンは、特にメチル−、エチル−、クロロエチル−、プロ
ピル−、イソプロピル−、ブチル−、イソブチル−、ア
リル−、シクロアリル−、メタリル−及びプロピニルヒ
ドロキシルアミンであり、塩の形態、例えば塩酸塩で使
用してもよい。式IIで表わされる出発物質としてのシク
ロヘキサンジオンカルボン酸誘導体は、一方では、３，
５−ジヒドロキシ安息香酸を水素とラネ−ニッケルで水
素化して、引き続きその酸基を以下の反応式に従ってエ
ステル化又はアミド化することにより得られる。
ンは、特にメチル−、エチル−、クロロエチル−、プロ
ピル−、イソプロピル−、ブチル−、イソブチル−、ア
リル−、シクロアリル−、メタリル−及びプロピニルヒ
ドロキシルアミンであり、塩の形態、例えば塩酸塩で使
用してもよい。式IIで表わされる出発物質としてのシク
ロヘキサンジオンカルボン酸誘導体は、一方では、３，
５−ジヒドロキシ安息香酸を水素とラネ−ニッケルで水
素化して、引き続きその酸基を以下の反応式に従ってエ
ステル化又はアミド化することにより得られる。
【００２５】
【化１４】
【００２６】上記式中、ケト基は、例えば、エノールエ
ーテル又はエナミンとして保護されねばならない〔参
照：J. Am. Chem. Soc. ７８，４４０５（１９５
６）〕。しかし、３，５−ジヒドロキシ安息香酸誘導体
を水素とラネーニッケルで以下の反応式に従って水素化
することもできる。
ーテル又はエナミンとして保護されねばならない〔参
照：J. Am. Chem. Soc. ７８，４４０５（１９５
６）〕。しかし、３，５−ジヒドロキシ安息香酸誘導体
を水素とラネーニッケルで以下の反応式に従って水素化
することもできる。
【００２７】
【化１５】
【００２８】〔参照：Arch. Pharm.３０７，５７７（１
９７４）〕。 （ＩＩ）次式ＢＩ、
９７４）〕。 （ＩＩ）次式ＢＩ、
【００２９】
【化１６】
【００３０】（式中、Ｒは、水素原子又はアルキル基を
示し、Ｒ1 は、アルキル基を示す。）で表わされるシク
ロヘキサン化合物又はその塩。この化合物は、特公平４
−２９６５９号公報に開示されている。しかしながら、
この公報は、この化合物を使用する植物生長調節剤につ
いて開示しているでけであり、本発明のような、スギの
伸長成長を実質的に阻害しない、雄花形成抑制効果に優
れたスギ花粉発生防止剤としての用途について全く開示
も示唆もしていない。この化合物の具体的な化合物とし
ては、例えば、以下の化合物が例示される。 式ＢＩａ、
示し、Ｒ1 は、アルキル基を示す。）で表わされるシク
ロヘキサン化合物又はその塩。この化合物は、特公平４
−２９６５９号公報に開示されている。しかしながら、
この公報は、この化合物を使用する植物生長調節剤につ
いて開示しているでけであり、本発明のような、スギの
伸長成長を実質的に阻害しない、雄花形成抑制効果に優
れたスギ花粉発生防止剤としての用途について全く開示
も示唆もしていない。この化合物の具体的な化合物とし
ては、例えば、以下の化合物が例示される。 式ＢＩａ、
【００３１】
【化１７】
【００３２】式ＢＩｂ、
【００３３】
【化１８】
【００３４】式ＢＩｃ、
【００３５】
【化１９】
【００３６】（Ｒ及びＲ1 は、前述と同義であり、Ｍ
は、有機又は無機カチオンを示す。） ここで、アルキル基としては、例えば、メチル基や、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。有機又
は無機カチオンとしては、例えば、アルカリ金属や、ア
ルカリ土類金属、アルミニウム、銅、ニッケル、マンガ
ン、コバルト、亜鉛、鉄、銀等の金属及び式、
は、有機又は無機カチオンを示す。） ここで、アルキル基としては、例えば、メチル基や、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。有機又
は無機カチオンとしては、例えば、アルカリ金属や、ア
ルカリ土類金属、アルミニウム、銅、ニッケル、マンガ
ン、コバルト、亜鉛、鉄、銀等の金属及び式、
【００３７】
【化２０】
【００３８】（但し、Ｒ3、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は、水
素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルケニ
ル基、ベンジル基、ハロゲンで置換されたベンジル基、
ピリジル基、アルキル基で置換されたピリジル基を示
す。また、Ｒ3 とＲ4 は、ポリメチレン基又は中間に酸
素を含んでポリメチレン基を形成することもできる。）
にて示されるアンモニウムイオンを挙げることができ
る。上記化合物は、次のようにして製造することができ
る。
素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルケニ
ル基、ベンジル基、ハロゲンで置換されたベンジル基、
ピリジル基、アルキル基で置換されたピリジル基を示
す。また、Ｒ3 とＲ4 は、ポリメチレン基又は中間に酸
素を含んでポリメチレン基を形成することもできる。）
にて示されるアンモニウムイオンを挙げることができ
る。上記化合物は、次のようにして製造することができ
る。
【００３９】
【化２１】
【００４０】
【化２２】
【００４１】
【化２３】
【００４２】
【化２４】
【００４３】（式中、Ｒ2 は、アルキル基を示し、Ｍ1
はアルカリ金属原子を示し、Ｒ及びＲ 1 は、前記と同じ
意味を示す。） 即ち、化合物〔ＢＩｅ〕は、化合物〔ＢＩｄ〕又は化合
物〔ＢＩｆ〕と酸クロライドとをγ−ピコリンの存在下
又は非存在下、塩基の存在下又は非存在下、溶媒の存在
下に−２０℃〜溶媒の沸点の温度範囲、好ましくは室温
以下で１０分〜７時間反応させることにより製造するこ
とができる。ここに塩基は通常脱ハロゲン化水素反応に
用いられる塩基の中から任意に選ぶことができる。例え
ば、トリメチルアミンや、トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノピリジン等の有機塩基又は水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム等の無機塩基を挙げることができ
る。溶媒としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ジ
グロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホル
ム、四塩化炭素、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、メチルセロソルブ等の有機溶媒及び
／又は水が挙げられる。γ−ピコリンは、相間移動触媒
的作用をも有するものと考えられる。
はアルカリ金属原子を示し、Ｒ及びＲ 1 は、前記と同じ
意味を示す。） 即ち、化合物〔ＢＩｅ〕は、化合物〔ＢＩｄ〕又は化合
物〔ＢＩｆ〕と酸クロライドとをγ−ピコリンの存在下
又は非存在下、塩基の存在下又は非存在下、溶媒の存在
下に−２０℃〜溶媒の沸点の温度範囲、好ましくは室温
以下で１０分〜７時間反応させることにより製造するこ
とができる。ここに塩基は通常脱ハロゲン化水素反応に
用いられる塩基の中から任意に選ぶことができる。例え
ば、トリメチルアミンや、トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノピリジン等の有機塩基又は水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム等の無機塩基を挙げることができ
る。溶媒としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ジ
グロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホル
ム、四塩化炭素、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、メチルセロソルブ等の有機溶媒及び
／又は水が挙げられる。γ−ピコリンは、相間移動触媒
的作用をも有するものと考えられる。
【００４４】化合物〔ＢＩ〕は、化合物〔ＢＩｅ〕を触
媒及び溶媒の存在下、室温〜溶媒の沸点の温度範囲で、
１〜１０時間反応させることにより製造することができ
る（式（３））。ここに触媒としては４−Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノピリ
ジン、４−ピロリジノアミノピリジン等のピリジン誘導
体又はＮ−メチルイミダゾール、Ｎ−エチルイミダゾー
ル等のＮ−アルキルイミダゾール誘導体を挙げることが
できる。また、化合物〔ＢＩ〕は、前述の中間体〔ＢＩ
ｅ〕を単離することなく製造することもできる。
媒及び溶媒の存在下、室温〜溶媒の沸点の温度範囲で、
１〜１０時間反応させることにより製造することができ
る（式（３））。ここに触媒としては４−Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノピリ
ジン、４−ピロリジノアミノピリジン等のピリジン誘導
体又はＮ−メチルイミダゾール、Ｎ−エチルイミダゾー
ル等のＮ−アルキルイミダゾール誘導体を挙げることが
できる。また、化合物〔ＢＩ〕は、前述の中間体〔ＢＩ
ｅ〕を単離することなく製造することもできる。
【００４５】更に、化合物〔ＢＩ〕は化合物〔ＢＩｇ
〕を溶媒の存在下又は非存在下、塩基の存在下又は非
存在下にハロゲン化剤と−２０℃〜溶媒又はハロゲン化
剤の沸点の温度範囲、好ましくは、−１０℃〜１００℃
の温度範囲で１０分〜７時間反応させハロゲン化した
後、更に化合物Ｒ2ＯＨのアルコール類と塩基の存在下
又は非存在下、−２０℃〜１００℃の温度範囲で１０分
〜４８時間反応させることにより製造することができ
る。ハロゲン化に用いる溶媒としては、例えば、ジクロ
ルメタンや、クロロホルム、四塩化炭素、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等を挙げることができる。ハロゲン化
及びエステル化に用いる塩基としては、通常脱ハロゲン
化水素反応に用いられる塩基の中から任意に選ぶことが
できる。例えばトリエチルアミンや、ピリジン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン
等の有機塩基又は水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭
酸水素ナトリウム等の無機塩基を挙げることができる。
ハロゲン化剤としては、塩化チオニル、三塩化リン、五
塩化リン、オキシ塩化リン等を挙げることができる。ま
た中間体のハロゲン化物を単離し、エステル化すること
もできる。
〕を溶媒の存在下又は非存在下、塩基の存在下又は非
存在下にハロゲン化剤と−２０℃〜溶媒又はハロゲン化
剤の沸点の温度範囲、好ましくは、−１０℃〜１００℃
の温度範囲で１０分〜７時間反応させハロゲン化した
後、更に化合物Ｒ2ＯＨのアルコール類と塩基の存在下
又は非存在下、−２０℃〜１００℃の温度範囲で１０分
〜４８時間反応させることにより製造することができ
る。ハロゲン化に用いる溶媒としては、例えば、ジクロ
ルメタンや、クロロホルム、四塩化炭素、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等を挙げることができる。ハロゲン化
及びエステル化に用いる塩基としては、通常脱ハロゲン
化水素反応に用いられる塩基の中から任意に選ぶことが
できる。例えばトリエチルアミンや、ピリジン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン
等の有機塩基又は水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭
酸水素ナトリウム等の無機塩基を挙げることができる。
ハロゲン化剤としては、塩化チオニル、三塩化リン、五
塩化リン、オキシ塩化リン等を挙げることができる。ま
た中間体のハロゲン化物を単離し、エステル化すること
もできる。
【００４６】次に、上記化合物の塩類は、次のようにし
て製造することができる。一般式〔ＢＩ〕で示される化
合物と、第一級アミン類、第二級アミン類、第三級アミ
ン類、アルコラート類又はナトリウム、カリウム、カル
シウム、マグネシウム、バリウム、アルミニウム、ニッ
ケル、銅、マンガン、コバルト、亜鉛、鉄、銀等の金属
の塩化物、水素化物、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸
塩又は炭酸塩等とを有機溶媒中で当量又は２当量以上反
応させることにより、有機又は無機塩を製造することが
できる。但し、当量ずつ反応させた場合、式〔ＢＩ〕の
Ｒが、水素原子以外のものであるときは、塩は、式〔Ｂ
Ｉａ〕の形をとり、水素原子の場合は、式〔ＢＩｂ〕の
形をとる。又、２当量以上反応させた場合は、式〔ＢＩ
ｃ〕の形をとる。上記化合物は以下に示す互変異性構造
式をとりうる。
て製造することができる。一般式〔ＢＩ〕で示される化
合物と、第一級アミン類、第二級アミン類、第三級アミ
ン類、アルコラート類又はナトリウム、カリウム、カル
シウム、マグネシウム、バリウム、アルミニウム、ニッ
ケル、銅、マンガン、コバルト、亜鉛、鉄、銀等の金属
の塩化物、水素化物、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸
塩又は炭酸塩等とを有機溶媒中で当量又は２当量以上反
応させることにより、有機又は無機塩を製造することが
できる。但し、当量ずつ反応させた場合、式〔ＢＩ〕の
Ｒが、水素原子以外のものであるときは、塩は、式〔Ｂ
Ｉａ〕の形をとり、水素原子の場合は、式〔ＢＩｂ〕の
形をとる。又、２当量以上反応させた場合は、式〔ＢＩ
ｃ〕の形をとる。上記化合物は以下に示す互変異性構造
式をとりうる。
【００４７】
【化２５】
【００４８】（式中、Ｚは、Ｒ又はＭを示し、Ｒ、Ｍ及
びＲ1は、前記と同じ意味を示す。） （III）次式ＣＩ、
びＲ1は、前記と同じ意味を示す。） （III）次式ＣＩ、
【００４９】
【化２６】
【００５０】〔式中、R1は、水素原子又は低級アルキル
基を示し、R2は、低級アルキル基を示し，R3は、水素原
子、アルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアルキル
基、シクロアルキル基、モルホリノ基、アミノアルキル
基、N−アルキルアミノアルキル基、N,N−ジアルキルア
ミノアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、式
−(CH2)lR4（式中、R4は、低級アルコキシ基、低級アル
キルチオ基、ベンジルチオ基、アニリノ基、モルホリノ
基、ピペラジノ基又はピペリジノ基（低級アルキル基で
置換されてもよい）を示し、lは、２又は３の整数を示
す。）、式、
基を示し、R2は、低級アルキル基を示し，R3は、水素原
子、アルキル基、アルケニル基、ヒドロキシアルキル
基、シクロアルキル基、モルホリノ基、アミノアルキル
基、N−アルキルアミノアルキル基、N,N−ジアルキルア
ミノアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、式
−(CH2)lR4（式中、R4は、低級アルコキシ基、低級アル
キルチオ基、ベンジルチオ基、アニリノ基、モルホリノ
基、ピペラジノ基又はピペリジノ基（低級アルキル基で
置換されてもよい）を示し、lは、２又は３の整数を示
す。）、式、
【００５１】
【化２７】
【００５２】（式中、Ｘは、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、フェノキシ基又はアルコキシ
カルボニルアルキルオキシ基を示し、mは、０又は１の
整数を示し、nは、０〜２の整数を示す。）、式、−CH2
R5（式中、R5は、フリル基、テニル基又はピリジル基を
示す。）又は、式、
ル基、低級アルコキシ基、フェノキシ基又はアルコキシ
カルボニルアルキルオキシ基を示し、mは、０又は１の
整数を示し、nは、０〜２の整数を示す。）、式、−CH2
R5（式中、R5は、フリル基、テニル基又はピリジル基を
示す。）又は、式、
【００５３】
【化２８】
【００５４】（式中，R5は、前記と同じ意味を示す。）
を示す。〕で表わされるシクロヘキサン化合物又はその
塩。この化合物は、特公平６−７６３５６号公報に開示
されている。しかしながら、この公報は、この化合物を
使用する植物生長調節剤について開示しているだけであ
り、本発明のような、スギの伸長成長を実質的に阻害し
ない、雄花形成抑制効果に優れたスギ花粉発生防止剤と
しての用途について全く開示も示唆もしていない。式
〔ＣＩ〕にて表わされる上記化合物は、以下に示す互変
異性構造をとりうる。
を示す。〕で表わされるシクロヘキサン化合物又はその
塩。この化合物は、特公平６−７６３５６号公報に開示
されている。しかしながら、この公報は、この化合物を
使用する植物生長調節剤について開示しているだけであ
り、本発明のような、スギの伸長成長を実質的に阻害し
ない、雄花形成抑制効果に優れたスギ花粉発生防止剤と
しての用途について全く開示も示唆もしていない。式
〔ＣＩ〕にて表わされる上記化合物は、以下に示す互変
異性構造をとりうる。
【００５５】
【化２９】
【００５６】また、式ＣＩで表わされる化合物は、塩を
形成することができるが、これも本発明の範囲に含まれ
る。上記化合物としては、具体的には、以下のような化
合物を例示することができる。
形成することができるが、これも本発明の範囲に含まれ
る。上記化合物としては、具体的には、以下のような化
合物を例示することができる。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】
【表３】
【００６０】
【表４】
【００６１】
【表５】
【００６２】
【表６】
【００６３】上記式ＣＩで示される化合物は、例えば、
次のようにして製造することができる。
次のようにして製造することができる。
【００６４】
【化３０】
【００６５】〔式中、R1、R2及びR3は、前記と同じ意味
を示す。但し、式〔II〕において、R1が水素原子のと
き、式〔Ｉ〕ではR1がR3NH3を示す。また、式〔II〕に
おいてR1が水素原子、式〔Ｉ〕及び式〔III〕においてR
3が式、
を示す。但し、式〔II〕において、R1が水素原子のと
き、式〔Ｉ〕ではR1がR3NH3を示す。また、式〔II〕に
おいてR1が水素原子、式〔Ｉ〕及び式〔III〕においてR
3が式、
【００６６】
【化３１】
【００６７】（Ｘ及びｍは、前記と同じ意味を示す）の
とき、式〔Ｉ〕では、R1が水素原子を示す。〕 即ち、式〔II〕で示される化合物と、式〔III〕で示さ
れるアミン類とを溶媒の存在、非存在下、室温ないし溶
媒の沸点の温度範囲で0.1〜10時間反応させることによ
り製造することができる。溶媒としては、例えば、メタ
ノールや、エタノールなどのアルコール系溶媒、ベンゼ
ンや、トルエン、キシレンなどの非極性溶媒、酢酸メチ
ルエステル、酢酸エチルエステルなどの酢酸エステル系
溶媒、ジクロルメタン、クロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素系溶媒などが挙げられる。
とき、式〔Ｉ〕では、R1が水素原子を示す。〕 即ち、式〔II〕で示される化合物と、式〔III〕で示さ
れるアミン類とを溶媒の存在、非存在下、室温ないし溶
媒の沸点の温度範囲で0.1〜10時間反応させることによ
り製造することができる。溶媒としては、例えば、メタ
ノールや、エタノールなどのアルコール系溶媒、ベンゼ
ンや、トルエン、キシレンなどの非極性溶媒、酢酸メチ
ルエステル、酢酸エチルエステルなどの酢酸エステル系
溶媒、ジクロルメタン、クロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素系溶媒などが挙げられる。
【００６８】（IV）次式ＤＩ、
【００６９】
【化３２】
【００７０】〔式中、R1は、水素原子、低級アルキル基
又はフェニル基を示し、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を
示し、R2は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキルチオアルキル基、アルコキシカルボニルメチル
基、ハロゲン原子で置換されたベンジル基、式、
又はフェニル基を示し、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を
示し、R2は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキルチオアルキル基、アルコキシカルボニルメチル
基、ハロゲン原子で置換されたベンジル基、式、
【００７１】
【化３３】
【００７２】（式中、Ｙは、カルボニル基、スルホニル
基又はスルホネート基を示し、Ｚは、水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ基
又はトリフルオロメチル基を示し、ｍは、０又は１を示
し、ｎは、１又は２の整数を示す。ｎが、２を示すと
き、Ｚは、相異なる基又は原子の組み合わせでもよ
い。）で示される基、フリル基又はチエニル基を示
す。〕で表わされるシクロヘキサンカルボン酸誘導体又
はその塩。この化合物は、特許２６９６２５２号公報に
開示されている。しかしながら、この公報は、この化合
物を使用する除草剤又は植物生長調節剤について開示し
ているだけであり、本発明のような、スギの伸長成長を
実質的に阻害しない、雄花形成抑制効果に優れたスギ花
粉発生防止剤としての用途について全く開示も示唆もし
ていない。上記式ＤＩで示される化合物を第２表に例示
する。
基又はスルホネート基を示し、Ｚは、水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ基
又はトリフルオロメチル基を示し、ｍは、０又は１を示
し、ｎは、１又は２の整数を示す。ｎが、２を示すと
き、Ｚは、相異なる基又は原子の組み合わせでもよ
い。）で示される基、フリル基又はチエニル基を示
す。〕で表わされるシクロヘキサンカルボン酸誘導体又
はその塩。この化合物は、特許２６９６２５２号公報に
開示されている。しかしながら、この公報は、この化合
物を使用する除草剤又は植物生長調節剤について開示し
ているだけであり、本発明のような、スギの伸長成長を
実質的に阻害しない、雄花形成抑制効果に優れたスギ花
粉発生防止剤としての用途について全く開示も示唆もし
ていない。上記式ＤＩで示される化合物を第２表に例示
する。
【００７３】
【表７】
【００７４】
【表８】
【００７５】上記化合物は、例えば、次のように製造す
ることができる。
ることができる。
【００７６】
【化３４】
【００７７】（式中、R1、R2及びXは、前記と同じ意味
を示す。） 即ち、一般式〔IV〕で表わされる化合物は、式〔II〕で
表わされる化合物と、式〔III〕で表わされるイソシア
ネート又はイソチオシアネートとを塩基を使用して溶媒
存在下、又は無溶媒で反応させ、酸析した後、得ること
ができる。式〔Ｖ〕で表わされる化合物は、アルカリ水
溶液で処理することにより、式〔IV〕で表わされる化合
物から容易に得ることができる。又、式〔VI〕で表わさ
れる化合物は式〔II〕で表わされる化合物と、尿素、又
はクロロスルフォニルイソシアネート等との反応によっ
て容易に得ることができる。ここに示した反応は、例え
ば、０〜130℃、好ましくは、20〜80℃の温度で行なう
のが望ましい。但し、式〔II〕で表わされる化合物と、
尿素との反応は、無溶媒、100〜130℃で行なうのが望ま
しい。
を示す。） 即ち、一般式〔IV〕で表わされる化合物は、式〔II〕で
表わされる化合物と、式〔III〕で表わされるイソシア
ネート又はイソチオシアネートとを塩基を使用して溶媒
存在下、又は無溶媒で反応させ、酸析した後、得ること
ができる。式〔Ｖ〕で表わされる化合物は、アルカリ水
溶液で処理することにより、式〔IV〕で表わされる化合
物から容易に得ることができる。又、式〔VI〕で表わさ
れる化合物は式〔II〕で表わされる化合物と、尿素、又
はクロロスルフォニルイソシアネート等との反応によっ
て容易に得ることができる。ここに示した反応は、例え
ば、０〜130℃、好ましくは、20〜80℃の温度で行なう
のが望ましい。但し、式〔II〕で表わされる化合物と、
尿素との反応は、無溶媒、100〜130℃で行なうのが望ま
しい。
【００７８】ここで、塩基としては、例えば、水酸化ナ
トリウムや、水酸化カリウム、金属ナトリウム、水素化
ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等の無機
塩基類及び、トリメチルアミンや、トリエチルアミン、
N,N−ジメチルアニリン、ピリジン、置換ピリジン、ジ
アザビシクロウンデセン（DBU）等の第３級有機アミン
類が好適に挙げることができる。溶媒としては、例え
ば、N,N−ジメチルホルムアミドや、N,N−ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルフォキシド、ヘキサメチレンフ
ォスホロアミド、アセトニトリル、テトラハイドロフラ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルエーテル、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等反応
に関与しない溶媒を適宜選択して使用することができ
る。式〔II〕で表わされる化合物は、公知であり、例え
ば、特開昭58−164543号明細書及び特開昭59−231045号
明細書にその製造法が記載されている。
トリウムや、水酸化カリウム、金属ナトリウム、水素化
ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等の無機
塩基類及び、トリメチルアミンや、トリエチルアミン、
N,N−ジメチルアニリン、ピリジン、置換ピリジン、ジ
アザビシクロウンデセン（DBU）等の第３級有機アミン
類が好適に挙げることができる。溶媒としては、例え
ば、N,N−ジメチルホルムアミドや、N,N−ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルフォキシド、ヘキサメチレンフ
ォスホロアミド、アセトニトリル、テトラハイドロフラ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルエーテル、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等反応
に関与しない溶媒を適宜選択して使用することができ
る。式〔II〕で表わされる化合物は、公知であり、例え
ば、特開昭58−164543号明細書及び特開昭59−231045号
明細書にその製造法が記載されている。
【００７９】本発明のプロヘキサジオン系化合物は、そ
のままの形態で、或いは好ましくは製剤技術で慣用の補
助剤と共に組成物として使用され、公知の方法により、
例えば、乳剤原液や、被膜用ペースト、直接噴霧可能な
又は希釈可能な溶液、希釈乳剤、水和剤、水溶剤、粉
剤、粒剤、及び例えばポリマー物質によるカプセル化剤
に製剤化される。組成物の性質と同様、噴霧、散布、散
水又は注水のような適用法は、スギ及び使用環境に依存
して選ばれる。特に、実用的な方法として、スギ植林地
等の数アール程度以上の広大な面積に対して本発明のス
ギ花粉発生防止剤を適用する場合には、ヘリコプターを
使用する、例えば、カーテン散布法等が好適である。プ
ロヘキサジオン系化合物とともに、必要に応じて、任意
の適当な固体又は液体の補助剤を併用してもよい。この
ようにして得られた製剤又は組成物は、公知の方法によ
り、例えば、有効成分としてのプロヘキサジオン系化合
物を溶媒や、固体担体、及び適当な場合には、表面活性
化合物（界面活性剤）のような増量剤と均一に混合及び
／又は摩砕することにより、調製される。
のままの形態で、或いは好ましくは製剤技術で慣用の補
助剤と共に組成物として使用され、公知の方法により、
例えば、乳剤原液や、被膜用ペースト、直接噴霧可能な
又は希釈可能な溶液、希釈乳剤、水和剤、水溶剤、粉
剤、粒剤、及び例えばポリマー物質によるカプセル化剤
に製剤化される。組成物の性質と同様、噴霧、散布、散
水又は注水のような適用法は、スギ及び使用環境に依存
して選ばれる。特に、実用的な方法として、スギ植林地
等の数アール程度以上の広大な面積に対して本発明のス
ギ花粉発生防止剤を適用する場合には、ヘリコプターを
使用する、例えば、カーテン散布法等が好適である。プ
ロヘキサジオン系化合物とともに、必要に応じて、任意
の適当な固体又は液体の補助剤を併用してもよい。この
ようにして得られた製剤又は組成物は、公知の方法によ
り、例えば、有効成分としてのプロヘキサジオン系化合
物を溶媒や、固体担体、及び適当な場合には、表面活性
化合物（界面活性剤）のような増量剤と均一に混合及び
／又は摩砕することにより、調製される。
【００８０】適当な溶媒としては、次のものが好適に挙
げることができる。芳香族炭化水素、好ましくは、炭素
原子数８〜１２の部分、例えば、キシレン混合物又は置
換ナフタレン；ジブチルフタレート又はジオクチルフタ
レートのようなフタレート；シクロヘキサン又はパラフ
ィンのような脂肪族炭化水素；エタノール、エチレング
リコールモノメチル又はモノエチルエーテルのようなア
ルコール及びグリコール並びにそれらのエーテル及びエ
ステル；シクロヘキサノンのようなケトン；Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド又はジメチル
ホルムアミドのような強極性溶媒；並びにエポキシ化コ
コナッツ油又は大豆油のようなエポキシ化植物油；又は
水。
げることができる。芳香族炭化水素、好ましくは、炭素
原子数８〜１２の部分、例えば、キシレン混合物又は置
換ナフタレン；ジブチルフタレート又はジオクチルフタ
レートのようなフタレート；シクロヘキサン又はパラフ
ィンのような脂肪族炭化水素；エタノール、エチレング
リコールモノメチル又はモノエチルエーテルのようなア
ルコール及びグリコール並びにそれらのエーテル及びエ
ステル；シクロヘキサノンのようなケトン；Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド又はジメチル
ホルムアミドのような強極性溶媒；並びにエポキシ化コ
コナッツ油又は大豆油のようなエポキシ化植物油；又は
水。
【００８１】例えば、粉剤及び分散性粉末に使用できる
固体担体は、通常、方解石や、タルク、カオリン、モン
モリロナイト、アタパルジャイト等の天然鉱物充填剤を
好適に挙げることができる。物性を改良するために、例
えば、高分散ケイ酸又は高分散吸収性ポリマーを加える
ことも可能である。適当な粒状化吸収性担体は多孔性型
のもので、例えば、軽石や、破砕レンガ、セピオライ
ト、ペントナイト等を好適に挙げることができ、適当な
非吸収性担体としては、方解石や、砂等の物質を好適に
挙げることができる。更に非常に多くの予備粒状化した
無機質及び有機質の物質、特にドロマイト又は粉状化植
物残骸等を好適に挙げることができる。
固体担体は、通常、方解石や、タルク、カオリン、モン
モリロナイト、アタパルジャイト等の天然鉱物充填剤を
好適に挙げることができる。物性を改良するために、例
えば、高分散ケイ酸又は高分散吸収性ポリマーを加える
ことも可能である。適当な粒状化吸収性担体は多孔性型
のもので、例えば、軽石や、破砕レンガ、セピオライ
ト、ペントナイト等を好適に挙げることができ、適当な
非吸収性担体としては、方解石や、砂等の物質を好適に
挙げることができる。更に非常に多くの予備粒状化した
無機質及び有機質の物質、特にドロマイト又は粉状化植
物残骸等を好適に挙げることができる。
【００８２】本発明のプロヘキサジオン系化合物の性質
によるが、適当な表面活性化合物としては、良好な乳化
性や、分散性及び湿潤性を有する非イオン性や、カチオ
ン性、アニオン性界面活性剤等を好適に挙げることがで
きる。“界面活性剤”の用語は、界面活性剤の混合物を
も含むものと理解されたい。適当なアニオン性界面活性
剤としては、例えば、水溶性石ケンや、水溶性合成表面
活性化合物、又はその両者であり得る。適当な石鹸とし
ては、例えば、高級脂肪酸（Ｃ10〜Ｃ12）のアルカリ金
属塩や、アルカリ土類金属塩、非置換又は置換のアンモ
ニウム塩、例えば、オレイン酸又はステアリン酸、更に
は、例えば、ココナッツ油又は獣脂から得られる天然脂
肪酸混合物のナトリウム又はカリウム塩等を好適に挙げ
ることができる。脂肪酸メチルタウリン塩もまた用い得
る。
によるが、適当な表面活性化合物としては、良好な乳化
性や、分散性及び湿潤性を有する非イオン性や、カチオ
ン性、アニオン性界面活性剤等を好適に挙げることがで
きる。“界面活性剤”の用語は、界面活性剤の混合物を
も含むものと理解されたい。適当なアニオン性界面活性
剤としては、例えば、水溶性石ケンや、水溶性合成表面
活性化合物、又はその両者であり得る。適当な石鹸とし
ては、例えば、高級脂肪酸（Ｃ10〜Ｃ12）のアルカリ金
属塩や、アルカリ土類金属塩、非置換又は置換のアンモ
ニウム塩、例えば、オレイン酸又はステアリン酸、更に
は、例えば、ココナッツ油又は獣脂から得られる天然脂
肪酸混合物のナトリウム又はカリウム塩等を好適に挙げ
ることができる。脂肪酸メチルタウリン塩もまた用い得
る。
【００８３】特に、いわゆる合成界面活性剤、例えば、
脂肪族スルホネートや、脂肪族サルフェート、スルホン
化ベンズイミダゾール誘導体又はアルキルアリールスル
ホネート、が更に頻繁に使用される。脂肪族スルホネー
ト又はサルフェートは、通常アルカリ金属塩や、アルカ
リ土類金属塩、未置換又は置換アンモニウム塩等の形態
にあり、そしてアシル基のアルキル部分をも含む炭素原
子数８〜２２のアルキル基を含み、例えば、リグノスル
ホン酸や、ドデシルサルフェート、天然脂肪酸等から得
られる脂肪族アルコールサルフェートの混合物のナトリ
ウム又はカルシウム塩等である。これらの化合物には、
硫酸エステルの塩及び脂肪族アルコール／エチレンオキ
シド付加物のスルホン酸の塩も含まれる。スルホン化ベ
ンズイミダゾール誘導体は、好ましくは二つのスルホン
酸基と、８〜２２個の炭素原子を含む一つの脂肪酸基と
を含む。アルキルアリールスルホネートの例は、ドデシ
ルベンゼンスルホン酸又はナフタレンスルホン酸／ホル
ムアルデヒド縮合生成物のナトリウム、カルシウム又は
トリエタノールアミン塩である。対応するホスフェー
ト、例えば４〜１４モルのエチレンオキシドを含むｐ−
ノニルフェノール付加物のリン酸エステルの塩、及び燐
脂質もまた適当である。
脂肪族スルホネートや、脂肪族サルフェート、スルホン
化ベンズイミダゾール誘導体又はアルキルアリールスル
ホネート、が更に頻繁に使用される。脂肪族スルホネー
ト又はサルフェートは、通常アルカリ金属塩や、アルカ
リ土類金属塩、未置換又は置換アンモニウム塩等の形態
にあり、そしてアシル基のアルキル部分をも含む炭素原
子数８〜２２のアルキル基を含み、例えば、リグノスル
ホン酸や、ドデシルサルフェート、天然脂肪酸等から得
られる脂肪族アルコールサルフェートの混合物のナトリ
ウム又はカルシウム塩等である。これらの化合物には、
硫酸エステルの塩及び脂肪族アルコール／エチレンオキ
シド付加物のスルホン酸の塩も含まれる。スルホン化ベ
ンズイミダゾール誘導体は、好ましくは二つのスルホン
酸基と、８〜２２個の炭素原子を含む一つの脂肪酸基と
を含む。アルキルアリールスルホネートの例は、ドデシ
ルベンゼンスルホン酸又はナフタレンスルホン酸／ホル
ムアルデヒド縮合生成物のナトリウム、カルシウム又は
トリエタノールアミン塩である。対応するホスフェー
ト、例えば４〜１４モルのエチレンオキシドを含むｐ−
ノニルフェノール付加物のリン酸エステルの塩、及び燐
脂質もまた適当である。
【００８４】非イオン性界面活性剤は、好ましくは、脂
肪族又は脂環式アルコール、又は飽和又は不飽和脂肪酸
及びアルキルフェノールのポリグリコールエーテル誘導
体であり、該誘導体は３〜３０個のグリコールエーテル
基、（脂肪族）炭化水素部分に８〜２０個の炭素原子、
そしてアルキルフェノールのアルキル部分に６〜１８個
の炭素原子を含む。他の適当な非イオン性界面活性剤
は、例えば、ポリエチレンオキシドとポリプロピレング
リコール、エチレンジアミンポリプロピレングリコール
及びアルキル鎖中に１〜１０個の炭素原子を含むアルキ
ルポリプロピレングリコールとの水溶性付加物であり、
その付加物は、例えば、２０〜２５０個のエチレングリ
コールエーテル基及び１０〜１００個のプロピレングリ
コールエーテル基を含む。これらの化合物は、通常プロ
ピレングリコール単位当り、１〜５個のエチレングリコ
ール単位を含む。
肪族又は脂環式アルコール、又は飽和又は不飽和脂肪酸
及びアルキルフェノールのポリグリコールエーテル誘導
体であり、該誘導体は３〜３０個のグリコールエーテル
基、（脂肪族）炭化水素部分に８〜２０個の炭素原子、
そしてアルキルフェノールのアルキル部分に６〜１８個
の炭素原子を含む。他の適当な非イオン性界面活性剤
は、例えば、ポリエチレンオキシドとポリプロピレング
リコール、エチレンジアミンポリプロピレングリコール
及びアルキル鎖中に１〜１０個の炭素原子を含むアルキ
ルポリプロピレングリコールとの水溶性付加物であり、
その付加物は、例えば、２０〜２５０個のエチレングリ
コールエーテル基及び１０〜１００個のプロピレングリ
コールエーテル基を含む。これらの化合物は、通常プロ
ピレングリコール単位当り、１〜５個のエチレングリコ
ール単位を含む。
【００８５】非イオン性界面活性剤の代表的例は、ノニ
ルフェノール−ポリエトキシエタノール、ヒマシ油ポリ
グリコールエーテル、ポリプロピレン／ポリエチレンオ
キシド付加物、トリブチルフェノキシポリエトキシエタ
ノール、ポリエチレングリコール及びオクチルフェノキ
シエトキシエタノールである。ポリオキシエチレンソル
ビタン及びポリオキシエチレンソルビタントリオレート
の脂肪酸エステルもまた適当な非イオン性界面活性剤で
ある。カチオン性界面活性剤は、好ましくは、Ｎ−置換
基として少なくとも一つの炭素原子数８〜２２のアルキ
ル基と、他の置換基として低級未置換又はハロゲン化ア
ルキル基、ベンジル基又は低級ヒドロキシアルキル基と
を含む第四アンモニウム塩である。該塩は、好ましくは
ハロゲン化物、メチル硫酸塩又はエチル硫酸塩の形態に
あり、例えばステアリルトリメチルアンモニウムクロリ
ド又はベンジルジ−（２−クロロエチル）エチルアンモ
ニウムプロミドである。
ルフェノール−ポリエトキシエタノール、ヒマシ油ポリ
グリコールエーテル、ポリプロピレン／ポリエチレンオ
キシド付加物、トリブチルフェノキシポリエトキシエタ
ノール、ポリエチレングリコール及びオクチルフェノキ
シエトキシエタノールである。ポリオキシエチレンソル
ビタン及びポリオキシエチレンソルビタントリオレート
の脂肪酸エステルもまた適当な非イオン性界面活性剤で
ある。カチオン性界面活性剤は、好ましくは、Ｎ−置換
基として少なくとも一つの炭素原子数８〜２２のアルキ
ル基と、他の置換基として低級未置換又はハロゲン化ア
ルキル基、ベンジル基又は低級ヒドロキシアルキル基と
を含む第四アンモニウム塩である。該塩は、好ましくは
ハロゲン化物、メチル硫酸塩又はエチル硫酸塩の形態に
あり、例えばステアリルトリメチルアンモニウムクロリ
ド又はベンジルジ−（２−クロロエチル）エチルアンモ
ニウムプロミドである。
【００８６】製剤業界で慣用の界面活性剤は例えば下記
の刊行物に記載されている：“マクカッチャンズ デタ
ージェンツ アンド エマルジファイアーズ アニュア
ル（Mc Cutcheon's Detergents and Emulsifiers Annua
l ）”、マック出版社、リングウッド、ニュージャージ
ー州、１９８１年；ハー、シュタッヒェ（H. Stache)、
“テンジッド−タッシェンブーフ（Tensid - Tashen -
buch）”、第２版、シー ハンサー フェアーラーグ
（C. Hanser Verlag）、ミュンヘン及びウィーン、１９
８１年；エム、及びジェー、アッシュ（M. and J. As
h)，“エンサイクロペディア オブ サーファクタンツ
（Encyclopedia of Surfactants ）”、第Ｉ−II巻、ケ
ミカル出版社、ニューヨーク、１９８０〜１９８１年。
の刊行物に記載されている：“マクカッチャンズ デタ
ージェンツ アンド エマルジファイアーズ アニュア
ル（Mc Cutcheon's Detergents and Emulsifiers Annua
l ）”、マック出版社、リングウッド、ニュージャージ
ー州、１９８１年；ハー、シュタッヒェ（H. Stache)、
“テンジッド−タッシェンブーフ（Tensid - Tashen -
buch）”、第２版、シー ハンサー フェアーラーグ
（C. Hanser Verlag）、ミュンヘン及びウィーン、１９
８１年；エム、及びジェー、アッシュ（M. and J. As
h)，“エンサイクロペディア オブ サーファクタンツ
（Encyclopedia of Surfactants ）”、第Ｉ−II巻、ケ
ミカル出版社、ニューヨーク、１９８０〜１９８１年。
【００８７】本発明のスギ花粉発生防止剤は、通常、プ
ロヘキサジオン系化合物、0.１〜９５％、好ましくは、
0.１〜８０％、固体又は液体補助剤１〜９9.９％、及び
界面活性剤０〜２５％、好ましくは、0.１〜２５％を含
む。好ましい製剤としては、特に下記の成分よりなるも
のが挙げられる（％は、質量百分率。）
ロヘキサジオン系化合物、0.１〜９５％、好ましくは、
0.１〜８０％、固体又は液体補助剤１〜９9.９％、及び
界面活性剤０〜２５％、好ましくは、0.１〜２５％を含
む。好ましい製剤としては、特に下記の成分よりなるも
のが挙げられる（％は、質量百分率。）
【００８８】乳剤原液
有効成分 ：１０〜２０％、好ましくは５〜１０％
界面活性剤：５〜３０％、好ましくは１０〜２０％
液体担体 ：５０〜９４％、好ましくは７０〜８５％粉剤
有効成分 ：0.１〜１０％、好ましくは0.１〜１％
固体担体 ：９9.９〜９０％、好ましくは９9.９〜９９
％懸濁原液 有効成分 ：５〜７５％、好ましくは１０〜６０％ 水 ：９４〜２５％、好ましくは９０〜３０％ 界面活性剤：１〜４０％、好ましくは２〜３０％水和剤 有効成分 ：0.５〜９０％、好ましくは１〜６０％ 界面活性剤：0.５〜２０％、好ましくは１〜１５％ 固体担体 ：５〜９０％、好ましくは１５〜９０％粒剤 有効成分 ：0.５〜３０％、好ましくは３〜１５％ 固体担体 ：９９.５〜７０％、好ましくは９７〜８５
％
％懸濁原液 有効成分 ：５〜７５％、好ましくは１０〜６０％ 水 ：９４〜２５％、好ましくは９０〜３０％ 界面活性剤：１〜４０％、好ましくは２〜３０％水和剤 有効成分 ：0.５〜９０％、好ましくは１〜６０％ 界面活性剤：0.５〜２０％、好ましくは１〜１５％ 固体担体 ：５〜９０％、好ましくは１５〜９０％粒剤 有効成分 ：0.５〜３０％、好ましくは３〜１５％ 固体担体 ：９９.５〜７０％、好ましくは９７〜８５
％
【００８９】プロヘキサジオン系化合物は、濃厚物とし
て製剤化してもよく、使用者は、通常、希釈して、使用
する。製剤は、0.００１％のような低濃度に希釈するこ
とができる。施用比率は、通常、０.０１〜１０kg有効
成分（a.i.)/ba、好ましくは、0.０２５〜５kg a.i./ba
である。更に、必要に応じて、製剤又はその組成物に
は、他の成分、例えば、安定剤や、消泡剤、粘度調節
剤、結合剤、粘着付与剤、肥料、特別な効果のための他
の有効成分等を任意に配合することができる。以下、本
発明について、実施例及び比較例によって、更に、詳述
する。
て製剤化してもよく、使用者は、通常、希釈して、使用
する。製剤は、0.００１％のような低濃度に希釈するこ
とができる。施用比率は、通常、０.０１〜１０kg有効
成分（a.i.)/ba、好ましくは、0.０２５〜５kg a.i./ba
である。更に、必要に応じて、製剤又はその組成物に
は、他の成分、例えば、安定剤や、消泡剤、粘度調節
剤、結合剤、粘着付与剤、肥料、特別な効果のための他
の有効成分等を任意に配合することができる。以下、本
発明について、実施例及び比較例によって、更に、詳述
する。
【００９０】
【実施例】実施例１
以下の化学構造を有するプロヘキサジオン系化合物によ
る、スギ８年生若齢木への効果
る、スギ８年生若齢木への効果
【００９１】
【化３５】
【００９２】（材料と方法）鳥取大学農学部附属演習林
苗畑に植栽されている毎年雄花を形成させるスギ8年生
（樹高：8 m、胸高直径：6 cm）の若齢木を２本用い
た。それぞれのスギから、雄花が形成される位置にある
枝を３本選抜した。これらの雄花の形成されると考えら
れる枝に、一般的にスギの花芽分化・形成期にあたる７
月上旬の約１ヵ月前の2001年6月5日に、上記プロヘキサ
ジオン系化合物による処理（原末処理）を行った。この
際、以下の表３に示す濃度のプロヘキサジオン系化合物
の原体を、60％アセトン水溶液（v/v）を用いて希釈し
た。処理方法は、手押し噴霧器を用いて、枝の先端から
50cmまでの部分に100mlづつ葉面散布を行った。また、
対照区として、60％アセトン水溶液（v/v）のみの処理
を行う区を設けた。
苗畑に植栽されている毎年雄花を形成させるスギ8年生
（樹高：8 m、胸高直径：6 cm）の若齢木を２本用い
た。それぞれのスギから、雄花が形成される位置にある
枝を３本選抜した。これらの雄花の形成されると考えら
れる枝に、一般的にスギの花芽分化・形成期にあたる７
月上旬の約１ヵ月前の2001年6月5日に、上記プロヘキサ
ジオン系化合物による処理（原末処理）を行った。この
際、以下の表３に示す濃度のプロヘキサジオン系化合物
の原体を、60％アセトン水溶液（v/v）を用いて希釈し
た。処理方法は、手押し噴霧器を用いて、枝の先端から
50cmまでの部分に100mlづつ葉面散布を行った。また、
対照区として、60％アセトン水溶液（v/v）のみの処理
を行う区を設けた。
【００９３】表３
面散布処理に用いたプロヘキサジオン系化合物の濃度
は、以下の通りであった。濃 度（ppm） ０．５ ５ ５０ ５００
は、以下の通りであった。濃 度（ppm） ０．５ ５ ５０ ５００
【００９４】結果
（１）スギ雄花の分化・形成に対する効果
以下の表４は、上記プロヘキサジオン系化合物による処
理（原体使用）がスギ8年生若齢木の雄花形成に与える
効果を示す。表４から分かるように、対照区では、雄花
の分化・花芽形成が顕著に認められた。これに対して、
本発明のスギ花粉発生防止剤を使用すると、スギ雄花の
分化・形成が抑制された。特に、プロヘキサジオン系化
合物の処理濃度が、50ppm及び500ppmになると、顕著に
スギ雄花の分化・形成の抑制効果が認められた。
理（原体使用）がスギ8年生若齢木の雄花形成に与える
効果を示す。表４から分かるように、対照区では、雄花
の分化・花芽形成が顕著に認められた。これに対して、
本発明のスギ花粉発生防止剤を使用すると、スギ雄花の
分化・形成が抑制された。特に、プロヘキサジオン系化
合物の処理濃度が、50ppm及び500ppmになると、顕著に
スギ雄花の分化・形成の抑制効果が認められた。
【００９５】（２）スギ枝の伸長成長に対する効果
以下の表５は、上記プロヘキサジオン系化合物による処
理がスギ8年生若齢木の枝の伸長成長に与える効果を示
す。表５から分かるように、本発明のスギ花粉発生防止
剤を使用しても、対照区とほぼ同様に、スギの枝の伸長
成長は実質的に影響されなかった。以上のことから、本
発明のスギ花粉発生防止剤は、スギ雄花の花芽分化・形
成を特異的及び顕著に抑制するが、伸長成長に対して実
質的に影響しないことが分かる。
理がスギ8年生若齢木の枝の伸長成長に与える効果を示
す。表５から分かるように、本発明のスギ花粉発生防止
剤を使用しても、対照区とほぼ同様に、スギの枝の伸長
成長は実質的に影響されなかった。以上のことから、本
発明のスギ花粉発生防止剤は、スギ雄花の花芽分化・形
成を特異的及び顕著に抑制するが、伸長成長に対して実
質的に影響しないことが分かる。
【００９６】
表４本発明のスギ花粉発生防止剤による、スギ8年生若齢木の雄花分化・形成に対す る効果 原体の濃度（ppm）
雄花分化・形成数（房）
対照区 １３６．９±２１．６
０．５ １１１．６±２５．２
５ ７０．４±１２．４
５０ ２１．２±６．５
５００ １０．８±６．１
【００９７】
表５本発明のスギ花粉発生防止剤による、スギ8年生若齢木の枝の伸長成長に対する 効果 原体の濃度（ppm）
伸長量（cm）
対照区 ２４．６±６．４
０．５ ２５．５±７．２
５ ２６．２±６．５
５０ ２４．３±６．３
５００ ２５．２±５．５
【００９８】実施例２ 本発明のスギ花粉発生防止剤の空中散布による、スギ４
３年生壮齢木に対する効果
３年生壮齢木に対する効果
【００９９】本発明のスギ花粉発生防止剤を使用して、
実用化目的で、ヘリコプターを用いた本発明のスギ花粉
発生防止剤の効果を調べた。材料と方法 2001年6月25日に鳥取大学農学部附属演習林蒜山演習林
内の43年生（樹高：16m、胸高直径：35 cm）スギ林に処
理を行った。使用したスギ花粉発生防止剤は、以下の表
６に示す組成を有するものであった。スギ花粉発生防止
剤の散布濃度は、５０及び５００ppmであった。
実用化目的で、ヘリコプターを用いた本発明のスギ花粉
発生防止剤の効果を調べた。材料と方法 2001年6月25日に鳥取大学農学部附属演習林蒜山演習林
内の43年生（樹高：16m、胸高直径：35 cm）スギ林に処
理を行った。使用したスギ花粉発生防止剤は、以下の表
６に示す組成を有するものであった。スギ花粉発生防止
剤の散布濃度は、５０及び５００ppmであった。
【０１００】
表６スギ花粉発生防止剤の組成及び濃度 スギ花粉発生防止剤 散布濃度（ppm） ５０ ５００ 組成
配合量（質量％）
実施例１で使用した（原体） 0.005 0.05
ポリオキシエチレンひまし油 0.0175 0.175
トラヒドロフルフリルアルコール 0.0272 0.275水 99.95 99.5
【０１０１】上記２種類の配合について、ヘリコプター
によるカーテン散布法を用いて、10aの面積の森林に、
1.8 Lづつ空中散布処理を行った。空中散布処理は、0.9
Lづつ２回の処理を行った。また、対照区として、有効
成分を含まない水のみの空中散布を行う区を設けた。
によるカーテン散布法を用いて、10aの面積の森林に、
1.8 Lづつ空中散布処理を行った。空中散布処理は、0.9
Lづつ２回の処理を行った。また、対照区として、有効
成分を含まない水のみの空中散布を行う区を設けた。
【０１０２】結果
（１）スギ雄花の分化・形成に対する効果
以下の表７は、スギ花粉発生防止剤による、４３年生林
分のスギ雄花分化・形成に与える効果を示す。表７から
分かるように、対照区では、スギ雄花の分化花・形成が
顕著に認められたのに対して、本発明のスギ花粉発生防
止剤による処理で、優れた雄花の分化・形成の抑制効果
が確認された。特に、処理濃度が、50ppm及び500ppmで
は、顕著な雄花の分化・形成の抑制効果が認められた。
上記結果より、本発明のスギ花粉発生防止剤をヘリコプ
ターによる空中散布処理を行うことにより、スギ雄花の
分化・形成が顕著に抑制することが分かる。 （２）スギ頂芽の伸長成長に与える効果 以下の表８は、スギ花粉発生防止剤による、４３年生林
分のスギの伸長成長成長に及ぼす効果を示す。本発明の
スギ花粉発生防止剤を散布しても、スギ壮齢木のの伸長
成長成長は、対照区とほぼ同様であり、実質的に影響を
与えないことが分かる。従って、ヘリコプターによる本
発明のスギ花粉発生防止剤の空中散布により、スギの伸
長成長に実質的に影響を与えることなく、スギ雄花の花
芽分化・形成を特異的に顕著に抑制できることが分か
る。
分のスギ雄花分化・形成に与える効果を示す。表７から
分かるように、対照区では、スギ雄花の分化花・形成が
顕著に認められたのに対して、本発明のスギ花粉発生防
止剤による処理で、優れた雄花の分化・形成の抑制効果
が確認された。特に、処理濃度が、50ppm及び500ppmで
は、顕著な雄花の分化・形成の抑制効果が認められた。
上記結果より、本発明のスギ花粉発生防止剤をヘリコプ
ターによる空中散布処理を行うことにより、スギ雄花の
分化・形成が顕著に抑制することが分かる。 （２）スギ頂芽の伸長成長に与える効果 以下の表８は、スギ花粉発生防止剤による、４３年生林
分のスギの伸長成長成長に及ぼす効果を示す。本発明の
スギ花粉発生防止剤を散布しても、スギ壮齢木のの伸長
成長成長は、対照区とほぼ同様であり、実質的に影響を
与えないことが分かる。従って、ヘリコプターによる本
発明のスギ花粉発生防止剤の空中散布により、スギの伸
長成長に実質的に影響を与えることなく、スギ雄花の花
芽分化・形成を特異的に顕著に抑制できることが分か
る。
【０１０３】
表７本発明のスギ花粉発生防止剤の処理による、４３年生林分のスギ雄花分化・形成 に与える効果 原体の濃度（ppm）
雄花分化・形成数（房）
対照区 ２９８５．８±７８９．１
５０ ７５１．３±１２１．５
５００ １２４．２±５５．２
【０１０４】
表８本発明のスギ花粉発生防止剤の処理による、４３年生林分のスギの伸長成長成長 に与える効果 原体の濃度（ppm）
伸長量（cm）
対照区 ８０．８±９．４
５０ ８３．３±１０．７
５００ ８２．８±１１．２
【０１０５】実施例３
以下の化学構造を有するプロヘキサジオン系化合物によ
る、スギ７年生若齢木への効果
る、スギ７年生若齢木への効果
【０１０６】
【化３６】
【０１０７】材料と方法
鳥取大学農学部附属演習林苗畑に植栽されている、毎年
雄花を分化・形成させるスギ７年生（樹高：7.5 m、胸
高直径：5.4 cm）若齢木2本を用いた。それぞれのスギ
から３本の雄花が形成される位置にある枝を選抜し、雄
花の形成されると考えられる2000年７月上旬の約１ヵ月
前にあたる6月3日に、枝の先端から50cmまでの部分に、
上記プロヘキサジオン系化合物による処理を行った。こ
の際、表９に示す本発明のプロヘキサジオン系化合物
（原体使用）を60％アセトン水溶液（v/v）を用いて希
釈し、それぞれの処理濃度に調整した。上記プロヘキサ
ジオン系化合物を、手押し噴霧器を用いて100mlづつ葉
面散布を行った。また、対照区として60％アセトン水溶
液（v/v）のみを同様に処理した。
雄花を分化・形成させるスギ７年生（樹高：7.5 m、胸
高直径：5.4 cm）若齢木2本を用いた。それぞれのスギ
から３本の雄花が形成される位置にある枝を選抜し、雄
花の形成されると考えられる2000年７月上旬の約１ヵ月
前にあたる6月3日に、枝の先端から50cmまでの部分に、
上記プロヘキサジオン系化合物による処理を行った。こ
の際、表９に示す本発明のプロヘキサジオン系化合物
（原体使用）を60％アセトン水溶液（v/v）を用いて希
釈し、それぞれの処理濃度に調整した。上記プロヘキサ
ジオン系化合物を、手押し噴霧器を用いて100mlづつ葉
面散布を行った。また、対照区として60％アセトン水溶
液（v/v）のみを同様に処理した。
【０１０８】表９
葉面散布処理に用いた原体の濃度濃度（ppm）
５
５０
５００
【０１０９】結果
表１０は、本発明のスギ花粉発生防止剤による処理が、
スギ７年生若齢木の雄花分化・形成に与える効果を示
す。表１０から分かるように、対照区では顕著にスギ雄
花の分化・形成が認められたのに対して、本発明のスギ
花粉発生防止剤により処理した場合には、優れたスギ雄
花の分化・形成の抑制効果が認められた。特に、処理濃
度が50ppm及び500ppmで、顕著なスギ雄花の分化・形成
の抑制効果が認められた。表１１は、本発明のスギ花粉
発生防止剤による処理が、スギ７年生若齢木の枝の伸長
成長に与える効果を示す。表１１から分かるように、本
発明のスギ花粉発生防止剤で処理した場合には、対照区
とほぼ同様に、スギの枝の伸長成長には何ら影響はなか
った。以上のことから、本発明のスギ花粉発生防止剤
は、スギの伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成
抑制効果に優れたものであることが分かる。
スギ７年生若齢木の雄花分化・形成に与える効果を示
す。表１０から分かるように、対照区では顕著にスギ雄
花の分化・形成が認められたのに対して、本発明のスギ
花粉発生防止剤により処理した場合には、優れたスギ雄
花の分化・形成の抑制効果が認められた。特に、処理濃
度が50ppm及び500ppmで、顕著なスギ雄花の分化・形成
の抑制効果が認められた。表１１は、本発明のスギ花粉
発生防止剤による処理が、スギ７年生若齢木の枝の伸長
成長に与える効果を示す。表１１から分かるように、本
発明のスギ花粉発生防止剤で処理した場合には、対照区
とほぼ同様に、スギの枝の伸長成長には何ら影響はなか
った。以上のことから、本発明のスギ花粉発生防止剤
は、スギの伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成
抑制効果に優れたものであることが分かる。
【０１１０】
表１０本発明のスギ花粉発生防止剤の処理による、スギ７年生若齢木の雄花分化・形成 に与える効果 原体の濃度（ppm）
雄花の形成数（房）
対照区 １０７．６±１８．９
５ ７５．１±１５．２
５０ ２９．３±８．２
５００ ７．８±３．５
【０１１１】
表１１本発明のスギ花粉発生防止剤の処理による、スギ７年生若齢木の枝の伸長成長に 与える効果 原体の濃度（ppm）
伸長量（cm）
対照区 ２３．５±３．４
５ ２１．５±４．９
５０ ２２．２±７．７
５００ ２３．２±５．１
【０１１２】本発明によれば、スギの伸長成長を実質的
に阻害せず、かつ雄花形成抑制効果に優れたスギ花粉発
生防止剤が得られる。
に阻害せず、かつ雄花形成抑制効果に優れたスギ花粉発
生防止剤が得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ａ０１Ｎ 37/26 Ａ０１Ｎ 37/26
41/06 41/06 Ｚ
43/08 43/08 Ａ
Ｄ
43/10 43/10 Ａ
Ｄ
43/40 １０１ 43/40 １０１Ｃ
１０１Ｐ
43/60 43/60
43/84 １０１ 43/84 １０１
Ｆターム(参考） 4H011 AB03 BA01 BB06 BB08 BB09
BB10 BC07 BC08 BC09 BC17
BC19 BC20 DA02 DA15 DA16
DD03 DH03
Claims (9)
- 【請求項１】 プロヘキサジオン系化合物を主成分とす
るスギ花粉発生防止剤。 - 【請求項２】 前記プロヘキサジオン系化合物が、式
（ＡＩ）、 【化１】 〔式中、 Ａは、−ＯＲ2 又は−ＮＲ3 Ｒ4 を表わし、 Ｂは、水酸基、−ＮＨＯＲ1 基又はその金属塩又はアン
モニウム塩を表わし、 Ｒは、炭素原子数１〜６のアルキル基又は炭素原子数３
〜６のシクロアルキル基を表わし、 Ｒ1 は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１
〜６のハロアルキル基、炭素原子数３〜６のアルケニル
基、炭素原子数３〜６のハロアルケニル基又は炭素原子
数３〜６のアルキニル基を表わし、 Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は、互いに独立して、水素原子、炭
素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロ
アルキル基、炭素原子数２〜１０のアルコキシアルキル
基、炭素原子数２〜１０のアルキルチオアルキル基、炭
素原子数３〜６のアルケニル基、炭素原子数５〜６のア
ルキニル基、フェニル又は炭素原子数１〜６のアルアル
キル基を表わし、そしてＲ3 及びＲ4 は、それらからが
結合している炭素原子と一緒になって更に炭素原子又は
硫黄原子を環に含んでもよい５−又は６−員の複素環系
を形成する。〕で表わされるシクロヘキサンジオンカル
ボン酸誘導体又はその塩である請求項１に記載のスギ花
粉発生防止剤。 - 【請求項３】 式（ＡＩ）において、Ａが、―ＯＲ2基
である請求項２に記載のスギ花粉発生防止剤。 - 【請求項４】 式（ＡＩ）において、Ａが、―ＮＲ3 Ｒ
4基である請求項２に記載のスギ花粉発生防止剤。 - 【請求項５】 式（ＡＩ）において、Ｒが、炭素原子数
３〜６のシクロアルキル基である請求項２に記載のスギ
花粉発生防止剤。 - 【請求項６】 前記プロヘキサジオン系化合物が、次式
ＡＩａ： 【化２】 で表わされる請求項２に記載のスギ花粉発生防止剤。 - 【請求項７】 前記プロヘキサジオン系化合物が、（Ｉ
Ｉ）次式ＢＩ、 【化３】 （式中、Ｒは、水素原子又はアルキル基を示し、Ｒ1
は、アルキル基を示す。）で表わされる請求項１に記載
のスギ花粉発生防止剤。 - 【請求項８】 前記プロヘキサジオン系化合物が、次式
ＣＩ、 【化４】 〔式中、R1は、水素原子又は低級アルキル基を示し、R2
は、低級アルキル基を示し，R3は、水素原子、アルキル
基、アルケニル基、ヒドロキシアルキル基、シクロアル
キル基、モルホリノ基、アミノアルキル基、N−アルキ
ルアミノアルキル基、N,N−ジアルキルアミノアルキル
基、アルコキシカルボニルアルキル基、式−(CH2)lR
4（式中、R4は、低級アルコキシ基、低級アルキルチオ
基、ベンジルチオ基、アニリノ基、モルホリノ基、ピペ
ラジノ基又はピペリジノ基を示し、lは、２又は３の整
数を示す。）、式、 【化５】 （式中、Ｘは、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、フェノキシ基又はアルコキシカルボニルア
ルキルオキシ基を示し、mは、０又は１の整数を示し、n
は、０〜２の整数を示す。）、式、−CH2R5（式中、R5
は、フリル基、テニル基又はピリジル基を示す。）又
は、式、 【化６】 （式中、R5は、前記と同じ意味を示す。）を示す。〕で
表わされる請求項１に記載のスギ花粉発生防止剤。 - 【請求項９】 前記プロヘキサジオン系化合物が、次式
ＤＩ、 【化７】 〔式中、R1は、水素原子、低級アルキル基又はフェニル
基を示し、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示し、R2は、
水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキルチオア
ルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、ハロゲン原
子で置換されたベンジル基、式、 【化８】 （式中、Ｙは、カルボニル基、スルホニル基又はスルホ
ネート基を示し、Ｚは、水素原子、ハロゲン原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ基又はトリフル
オロメチル基を示し、ｍは、０又は１を示し、ｎは、１
又は２の整数を示す。ｎが、２を示すとき、Ｚは、相異
なる基又は原子の組み合わせでもよい。）で示される
基、フリル基又はチエニル基を示す。〕で表わされる請
求項１に記載のスギ花粉発生防止剤。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002096768A JP4307007B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | プロヘキサジオン系化合物の処理によるスギ雄花の分化・形成の抑制方法 |
| ES03746061T ES2368412T3 (es) | 2002-03-29 | 2003-03-27 | Método para inhibir la diferenciación y formación de flor masculina de coniferophyta mediante tratamiento con compuestos de prohexadiona. |
| AT03746061T ATE508631T1 (de) | 2002-03-29 | 2003-03-27 | Verfahren zur hemmung der differenzierung und bildung von männlichen coniferophyta-blüten durch behandlung mit prohexadion-verbindungen |
| US10/509,503 US20050119131A1 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-27 | Method for inhibiting differentiation and formation of coniferophyta male flower by treatment with prohexadione compounds |
| EP03746061A EP1513401B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-27 | Method for inhibiting differentiation and formation of coniferophyta male flower by treatment with prohexadione compounds |
| PCT/US2003/009441 WO2003084323A2 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-27 | Method for inhibiting differentiation and formation of coniferophyta male flower by treatment with prohexadione compounds |
| AU2003226092A AU2003226092A1 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-27 | Method for inhibiting differentiation and formation of coniferophyta male flower by treatment with prohexadione compounds |
| US12/027,287 US20080153705A1 (en) | 2002-03-29 | 2008-02-07 | Method for inhibiting differentitation and formation of coniferophyta male flowers by treatment with prohexadione compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002096768A JP4307007B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | プロヘキサジオン系化合物の処理によるスギ雄花の分化・形成の抑制方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2002096768A Expired - Lifetime JP4307007B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | プロヘキサジオン系化合物の処理によるスギ雄花の分化・形成の抑制方法 |
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- 2002-03-29 JP JP2002096768A patent/JP4307007B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 2003-03-27 ES ES03746061T patent/ES2368412T3/es not_active Expired - Lifetime
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