JP2003286072A - フェライト電子部品およびその製造方法 - Google Patents
フェライト電子部品およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気特性の劣化のないフェライト電子部品お
よびその製造方法を提供する。 【構成】 焼成後のフェライトセラミックス部品を硫酸
に一定時間、一定温度で浸漬して、その部品に硫酸溶液
を浸透させる。そして、フェライト材料の内部において
フェライト結晶に囲まれた部分に析出した余剰金属を溶
解して、フェライト材料における応力の解放を行う。
よびその製造方法を提供する。 【構成】 焼成後のフェライトセラミックス部品を硫酸
に一定時間、一定温度で浸漬して、その部品に硫酸溶液
を浸透させる。そして、フェライト材料の内部において
フェライト結晶に囲まれた部分に析出した余剰金属を溶
解して、フェライト材料における応力の解放を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェライト電子部
品およびその製造方法に関するものである。
品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の小型化の要求に伴い、その主
流となっているのが、磁性体材料としてのフェライトを
用いたセラミックス電子部品である。また、積層型のチ
ップ部品は、従来より、内部導体に低抵抗の銀（Ａｇ）
を使用し、磁性体材料として、低温焼結可能なＮｉＺｎ
フェライトを採用している。
流となっているのが、磁性体材料としてのフェライトを
用いたセラミックス電子部品である。また、積層型のチ
ップ部品は、従来より、内部導体に低抵抗の銀（Ａｇ）
を使用し、磁性体材料として、低温焼結可能なＮｉＺｎ
フェライトを採用している。
【０００３】ＮｉＺｎフェライトをＡｇと同時に焼成す
るには、原料にＣｕＯを用いて低温焼結化することが必
須であるが、これは同時に、ＡｇがＮｉＺｎフェライト
内へ拡散し、Ａｇ，Ｃｕ等が余剰金属となって結晶粒界
に析出する現象を引き起こす原因となりうる。そして、
結晶の３重点に析出したＣｕは、フェライトに応力を与
え、フェライトの磁気特性を劣化させる。
るには、原料にＣｕＯを用いて低温焼結化することが必
須であるが、これは同時に、ＡｇがＮｉＺｎフェライト
内へ拡散し、Ａｇ，Ｃｕ等が余剰金属となって結晶粒界
に析出する現象を引き起こす原因となりうる。そして、
結晶の３重点に析出したＣｕは、フェライトに応力を与
え、フェライトの磁気特性を劣化させる。
【０００４】内電材（内部電極）とフェライトを同時焼
成させてなる電子部品における応力については、内部電
極とフェライト界面の接触により生じる応力、すなわ
ち、内部導体とフェライトとの熱挙動の差によるマクロ
的応力と、フェライトからのＣｕの解離やＡｇのマイグ
レーションにより、フェライト粒界に析出した余剰金属
によって生じるミクロ的応力とがある。
成させてなる電子部品における応力については、内部電
極とフェライト界面の接触により生じる応力、すなわ
ち、内部導体とフェライトとの熱挙動の差によるマクロ
的応力と、フェライトからのＣｕの解離やＡｇのマイグ
レーションにより、フェライト粒界に析出した余剰金属
によって生じるミクロ的応力とがある。
【０００５】フェライトは、応力に敏感な材料であり、
その応力がフェライトの磁気特性に様々な影響を及ぼす
ことが知られている。従って、内電材と同時焼成するフ
ェライト積層チップでは、いかに応力を解放するかが重
要になる。
その応力がフェライトの磁気特性に様々な影響を及ぼす
ことが知られている。従って、内電材と同時焼成するフ
ェライト積層チップでは、いかに応力を解放するかが重
要になる。
【０００６】そこで、マクロ的応力への対応として、内
電ペーストのグリーン密度を変えることにより、内電と
フェライト界面との接触面積を小さくし、また、内電ペ
ーストの熱収縮を大きくしている。一方、ミクロ的応力
においては、徐冷を行うことで、余剰金属の析出をグレ
インの３角点へ集中させて応力の緩和を図っている。
電ペーストのグリーン密度を変えることにより、内電と
フェライト界面との接触面積を小さくし、また、内電ペ
ーストの熱収縮を大きくしている。一方、ミクロ的応力
においては、徐冷を行うことで、余剰金属の析出をグレ
インの３角点へ集中させて応力の緩和を図っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した磁気特性の劣
化について、従来、焼成プロセス、あるいは原料等の選
択で調整していたが、かかる方法にも、以下に述べる問
題点がある。すなわち、 （１）温度プロファイルの調整は、その確認に時間を要
する。 （２）プロファイルの最適化がなされているかの確認が
困難である。 （３）焼成プロセスを調整した後も、フェライトに対し
て、依然として応力が解放しきれない場合がある。
化について、従来、焼成プロセス、あるいは原料等の選
択で調整していたが、かかる方法にも、以下に述べる問
題点がある。すなわち、 （１）温度プロファイルの調整は、その確認に時間を要
する。 （２）プロファイルの最適化がなされているかの確認が
困難である。 （３）焼成プロセスを調整した後も、フェライトに対し
て、依然として応力が解放しきれない場合がある。
【０００８】また、上述したマクロ的応力、およびミク
ロ的応力の解放手法では、マクロ的応力、ミクロ的応力
それぞれに対して個別の対策が必要であり、各々におい
て、（１）内電ペーストのグリーン密度の調整、管理が
難しいため、特性値が安定しない、（２）焼成に時間を
要し、炉の能力が低く、また、長い炉体の制御エリアが
必要になる。つまり、設備費が高くなる、という問題が
ある。
ロ的応力の解放手法では、マクロ的応力、ミクロ的応力
それぞれに対して個別の対策が必要であり、各々におい
て、（１）内電ペーストのグリーン密度の調整、管理が
難しいため、特性値が安定しない、（２）焼成に時間を
要し、炉の能力が低く、また、長い炉体の制御エリアが
必要になる。つまり、設備費が高くなる、という問題が
ある。
【０００９】本発明は、上述した課題に鑑みなされたも
のであり、その目的とするところは、磁気特性の劣化の
ないフェライト電子部品およびその製造方法を提供する
ことである。
のであり、その目的とするところは、磁気特性の劣化の
ないフェライト電子部品およびその製造方法を提供する
ことである。
【００１０】本発明の他の目的は、複雑な工程を経るこ
となく、高特性の積層型フェライト電子部品を製造する
方法を提供することである。
となく、高特性の積層型フェライト電子部品を製造する
方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成し、上
述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構
成を備える。すなわち、本発明に係るフェライト電子部
品の製造方法は、焼成後のフェライトセラミックスを酸
溶液に浸漬するステップと、上記浸漬により上記フェラ
イトセラミックスに上記酸溶液を浸透させるステップ
と、上記浸透によって上記フェライトセラミックス内の
特定の金属を上記酸溶液中へ溶出させるステップと、上
記溶出の後、上記フェライトセラミックスを洗浄するス
テップとを備え、上記洗浄したフェライトセラミックス
を乾燥させて製品化することを特徴とする。
述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構
成を備える。すなわち、本発明に係るフェライト電子部
品の製造方法は、焼成後のフェライトセラミックスを酸
溶液に浸漬するステップと、上記浸漬により上記フェラ
イトセラミックスに上記酸溶液を浸透させるステップ
と、上記浸透によって上記フェライトセラミックス内の
特定の金属を上記酸溶液中へ溶出させるステップと、上
記溶出の後、上記フェライトセラミックスを洗浄するス
テップとを備え、上記洗浄したフェライトセラミックス
を乾燥させて製品化することを特徴とする。
【００１２】例えば、上記酸溶液には、硫酸または硝酸
の溶液が含まれることを特徴とする。
の溶液が含まれることを特徴とする。
【００１３】また、例えば、上記酸溶液は、１重量パー
セント以上、５重量パーセント以下の濃度であることを
特徴とする。例えば、上記酸溶液への浸漬時間を３０分
以上、６０分以下とすることを特徴とする。
セント以上、５重量パーセント以下の濃度であることを
特徴とする。例えば、上記酸溶液への浸漬時間を３０分
以上、６０分以下とすることを特徴とする。
【００１４】例えば、上記フェライトセラミックスを組
成するＮｉ−Ｃｕ−ＺｎのうちＣｕを上記特定の金属と
して上記酸溶液中へ溶出させることを特徴とする。
成するＮｉ−Ｃｕ−ＺｎのうちＣｕを上記特定の金属と
して上記酸溶液中へ溶出させることを特徴とする。
【００１５】上記の課題を解決する他の手段として、本
発明に係るフェライト電子部品は、上述した製造方法に
よって製造することを特徴とする。
発明に係るフェライト電子部品は、上述した製造方法に
よって製造することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面および表を参照し
て、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。図１
は、本実施の形態例に係る積層フェライト電子部品の製
造工程、より詳しくは、製品内部で発生した応力を解放
するための処理手順を示すフローチャートである。同図
のステップＳ１１において、完成（焼成）後の製品（低
温焼成用フェライト材料を用いた電子部品）を、所定の
溶液中に投入する。
て、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。図１
は、本実施の形態例に係る積層フェライト電子部品の製
造工程、より詳しくは、製品内部で発生した応力を解放
するための処理手順を示すフローチャートである。同図
のステップＳ１１において、完成（焼成）後の製品（低
温焼成用フェライト材料を用いた電子部品）を、所定の
溶液中に投入する。
【００１７】ここで使用する溶液は、硫酸、硝酸、ある
いは、その他の酸（ＨＣｌ等）、および、これらを含む
溶液（ただし、割合が１重量パーセント以上のもの）で
ある。なお、これらの酸と試料として用いた製品の詳細
については、後述する。
いは、その他の酸（ＨＣｌ等）、および、これらを含む
溶液（ただし、割合が１重量パーセント以上のもの）で
ある。なお、これらの酸と試料として用いた製品の詳細
については、後述する。
【００１８】次のステップＳ１２では、上記の製品が投
入された溶液に、１〜１０分間、超音波をあてて、その
溶液を製品に浸透させる処理を行う。そして、続くステ
ップＳ１３において、上記の溶液中に製品を入れたま
ま、５〜６０分間、２５〜１００℃の温度下に放置す
る。
入された溶液に、１〜１０分間、超音波をあてて、その
溶液を製品に浸透させる処理を行う。そして、続くステ
ップＳ１３において、上記の溶液中に製品を入れたま
ま、５〜６０分間、２５〜１００℃の温度下に放置す
る。
【００１９】ステップＳ１４で、溶液から製品を取り出
し、それを純水で洗浄する。より詳しくは、５〜６０分
間、超音波による洗浄をする。そして、ステップＳ１５
において、上記のステップＳ１４で洗浄後の製品を、１
００〜２００℃で５〜１５分間、乾燥させる。
し、それを純水で洗浄する。より詳しくは、５〜６０分
間、超音波による洗浄をする。そして、ステップＳ１５
において、上記のステップＳ１４で洗浄後の製品を、１
００〜２００℃で５〜１５分間、乾燥させる。
【００２０】そこで、低温焼成用フェライト材料を用い
た電子部品を、酸または酸溶液に浸漬することによる、
フェライト材料内部で発生した応力の解放について、具
体的なデータをもとに説明する。
た電子部品を、酸または酸溶液に浸漬することによる、
フェライト材料内部で発生した応力の解放について、具
体的なデータをもとに説明する。
【００２１】図２は、酸処理前と酸処理後におけるフェ
ライトビーズの特性をグラフ化して示すものである。同
図の横軸が周波数［ＭＨｚ］、縦軸は、フェライトビー
ズのインピーダンス｜Ｚ｜、抵抗値Ｒ、およびリアクタ
ンスＸである。ここでは、応力を生じやすい条件で作成
した積層フェライトビーズと、それと同様のものを酸に
浸漬したときの特性を比較した。
ライトビーズの特性をグラフ化して示すものである。同
図の横軸が周波数［ＭＨｚ］、縦軸は、フェライトビー
ズのインピーダンス｜Ｚ｜、抵抗値Ｒ、およびリアクタ
ンスＸである。ここでは、応力を生じやすい条件で作成
した積層フェライトビーズと、それと同様のものを酸に
浸漬したときの特性を比較した。
【００２２】同図において、曲線１は、酸処理前のイン
ピーダンス｜Ｚ｜、曲線２は、酸処理前の抵抗値Ｒ、曲
線３は、酸処理前のリアクタンスＸである。また、曲線
４は、酸処理後のインピーダンス｜Ｚ｜、曲線５は、酸
処理後の抵抗値Ｒ、曲線６は、酸処理後のリアクタンス
Ｘである。
ピーダンス｜Ｚ｜、曲線２は、酸処理前の抵抗値Ｒ、曲
線３は、酸処理前のリアクタンスＸである。また、曲線
４は、酸処理後のインピーダンス｜Ｚ｜、曲線５は、酸
処理後の抵抗値Ｒ、曲線６は、酸処理後のリアクタンス
Ｘである。
【００２３】これらの特性から明らかなように、酸処理
後において、酸処理前に比べて各特性が著しく変化し、
インピーダンスと抵抗値の増大とともに、周波数特性も
改善されていることが分かる。
後において、酸処理前に比べて各特性が著しく変化し、
インピーダンスと抵抗値の増大とともに、周波数特性も
改善されていることが分かる。
【００２４】このような特性改善がなされるメカニズム
について説明する。低温焼成を目的とし、原料としてＣ
ｕＯを含むＮｉＺｎフェライトにおいて、図３に示すよ
うに、焼成時において、フェライト結晶３１に囲まれた
部分３３に、Ｃｕ等の余剰金属が析出しやすくなる。
について説明する。低温焼成を目的とし、原料としてＣ
ｕＯを含むＮｉＺｎフェライトにおいて、図３に示すよ
うに、焼成時において、フェライト結晶３１に囲まれた
部分３３に、Ｃｕ等の余剰金属が析出しやすくなる。
【００２５】このように析出した余剰金属は、フェライ
ト結晶間に応力を発生する原因となる。この応力の発生
により、フェライトの磁気特性が劣化し、最終的には、
フェライト製品において、例えば、インダクタンス（Ｌ
値）が減少したり、インピーダンス（｜Ｚ｜値）の減少
等が引き起こされる。
ト結晶間に応力を発生する原因となる。この応力の発生
により、フェライトの磁気特性が劣化し、最終的には、
フェライト製品において、例えば、インダクタンス（Ｌ
値）が減少したり、インピーダンス（｜Ｚ｜値）の減少
等が引き起こされる。
【００２６】本実施の形態例では、上述したフェライト
製品への酸溶液（例えば、硫酸）の浸透により余剰金属
を溶解して、その余剰金属による応力を解放し、フェラ
イト本来の特性を発現させている。以下において、本実
施の形態例で使用した酸溶液等の詳細を説明する。な
お、ここで試料として用いたフェライトチップ（チップ
ビーズ）は、寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍのＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライトであり、内部コイルの巻き数は１０
ターンである。
製品への酸溶液（例えば、硫酸）の浸透により余剰金属
を溶解して、その余剰金属による応力を解放し、フェラ
イト本来の特性を発現させている。以下において、本実
施の形態例で使用した酸溶液等の詳細を説明する。な
お、ここで試料として用いたフェライトチップ（チップ
ビーズ）は、寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍのＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライトであり、内部コイルの巻き数は１０
ターンである。
【００２７】（１） 処理液の定量分析
試料（フェライトチップ）を５重量％の硫酸に３０分
間、６０℃で処理した。この処理とは、図１のステップ
Ｓ１１〜Ｓ１３に対応する一連の処理である。そこで、
かかる処理後の溶液を原子吸光によって定量分析した。
フェライトの組成は、Ｆｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ：Ｚｎ
＝４８：１３：８：３１［単位はｍｏｌ％］であり、上
記の定量分析で検出された各組成物は、Ｆｅ2Ｏ3：Ｎｉ
Ｏ：ＣｕＯ：Ｚｎ＝２１５：−：１５９２：５３［単位
はｐｐｍ］である。なお、“−”は、検出されなかった
ことを意味している。
間、６０℃で処理した。この処理とは、図１のステップ
Ｓ１１〜Ｓ１３に対応する一連の処理である。そこで、
かかる処理後の溶液を原子吸光によって定量分析した。
フェライトの組成は、Ｆｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ：Ｚｎ
＝４８：１３：８：３１［単位はｍｏｌ％］であり、上
記の定量分析で検出された各組成物は、Ｆｅ2Ｏ3：Ｎｉ
Ｏ：ＣｕＯ：Ｚｎ＝２１５：−：１５９２：５３［単位
はｐｐｍ］である。なお、“−”は、検出されなかった
ことを意味している。
【００２８】この分析結果から分かることは、溶液中に
Ｃｕが極めて選択的に溶出していることである。これ
は、フェライトチップを酸溶液に浸漬することで、フェ
ライトチップ中に析出していた余剰金属であるＣｕが溶
け出していることを示している。
Ｃｕが極めて選択的に溶出していることである。これ
は、フェライトチップを酸溶液に浸漬することで、フェ
ライトチップ中に析出していた余剰金属であるＣｕが溶
け出していることを示している。
【００２９】（２） 酸濃度による特性の変動
溶液である硫酸の濃度を変えたときにおける、フェライ
トのインピーダンス（Ｚ値）とインダクタンス（Ｌ値）
の変化を表１に示す。また、これらのデータをグラフ化
したものを、図４および図５に示す。ここでの実施条件
（試料作成条件）は、フェライトを硫酸に浸漬し（３０
分間、６０℃）、その処理後において、純水超音波洗浄
を３０分間行った。
トのインピーダンス（Ｚ値）とインダクタンス（Ｌ値）
の変化を表１に示す。また、これらのデータをグラフ化
したものを、図４および図５に示す。ここでの実施条件
（試料作成条件）は、フェライトを硫酸に浸漬し（３０
分間、６０℃）、その処理後において、純水超音波洗浄
を３０分間行った。
【００３０】
【表１】
【００３１】これらの表１、および、図４，図５より、
硫酸濃度が５％以上の場合、特性上の優劣の差は確認で
きないが、硫酸の濃度が１％であっても、特性の向上が
確認できた。よって、ここでは、硫酸濃度を５％程度と
することで、作業面、および特性面ともに良好な結果が
得られることを確認した。
硫酸濃度が５％以上の場合、特性上の優劣の差は確認で
きないが、硫酸の濃度が１％であっても、特性の向上が
確認できた。よって、ここでは、硫酸濃度を５％程度と
することで、作業面、および特性面ともに良好な結果が
得られることを確認した。
【００３２】（３）浸漬時間による特性の変動
図６は、フェライト材料を用いた製品について、それを
硫酸に浸漬する時間（溶液の浸透時間）を変えたときの
インピーダンス（Ｚ値）特性の変化を示すグラフであ
る。同図から、浸漬後３０分で、ほぼ特性の向上が止ま
り、３０分→６０分の変遷では、わずかな上昇を示すと
いうことが分かる。
硫酸に浸漬する時間（溶液の浸透時間）を変えたときの
インピーダンス（Ｚ値）特性の変化を示すグラフであ
る。同図から、浸漬後３０分で、ほぼ特性の向上が止ま
り、３０分→６０分の変遷では、わずかな上昇を示すと
いうことが分かる。
【００３３】よって、本実施の形態例では、フェライト
材料の酸への浸漬時間を６０分以下とするが、３０分程
度が好ましいという結論が得られた。
材料の酸への浸漬時間を６０分以下とするが、３０分程
度が好ましいという結論が得られた。
【００３４】以上説明したように、本実施の形態例によ
れば、焼成後のフェライトを硫酸に一定時間、一定温度
で浸漬して、フェライト材料の内部においてフェライト
結晶に囲まれた部分に析出した余剰金属を溶解する処理
を行うことで、その余剰金属に起因するフェライト材料
内部で発生した応力を解放でき、それによりフェライト
本来の特性を発揮させることができる。
れば、焼成後のフェライトを硫酸に一定時間、一定温度
で浸漬して、フェライト材料の内部においてフェライト
結晶に囲まれた部分に析出した余剰金属を溶解する処理
を行うことで、その余剰金属に起因するフェライト材料
内部で発生した応力を解放でき、それによりフェライト
本来の特性を発揮させることができる。
【００３５】また、酸の浸透力により、結晶内部の余剰
金属の溶出が行われるため、フェライト内に余剰金属の
残留がなく、応力の解放効果が高い。従って、かかる処
理後の製品特性のばらつきが小さくなるという利点があ
る。
金属の溶出が行われるため、フェライト内に余剰金属の
残留がなく、応力の解放効果が高い。従って、かかる処
理後の製品特性のばらつきが小さくなるという利点があ
る。
【００３６】さらには、特性改善のための応力の解放
が、硫酸への浸漬処理で行えるため、チップ部品等の製
造工程としての調整が容易になる。すなわち、簡単な作
業で、短時間に応力を解放できるため管理範囲が広く、
おおまかな工程条件でも容易に高特性の積層フェライト
電子部品を製造できる。
が、硫酸への浸漬処理で行えるため、チップ部品等の製
造工程としての調整が容易になる。すなわち、簡単な作
業で、短時間に応力を解放できるため管理範囲が広く、
おおまかな工程条件でも容易に高特性の積層フェライト
電子部品を製造できる。
【００３７】なお、本発明は、上述の実施の形態例に限
定されず、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の
変形が可能である。例えば、応力の解放のため金属の溶
出を行う際、溶液全体に電界を印加して、溶出を加速さ
せるようにしてもよい。
定されず、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の
変形が可能である。例えば、応力の解放のため金属の溶
出を行う際、溶液全体に電界を印加して、溶出を加速さ
せるようにしてもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、フェライト内部で発生した応力を解放して、フェ
ライト本来の特性を発現させ、製品特性のばらつきを抑
制できる。
れば、フェライト内部で発生した応力を解放して、フェ
ライト本来の特性を発現させ、製品特性のばらつきを抑
制できる。
【００３９】また、本発明の構成によれば、工程条件が
おおまかであっても、高特性の積層フェライト電子部品
を製造できる。
おおまかであっても、高特性の積層フェライト電子部品
を製造できる。
【図１】本発明の実施の形態例に係る、製品内部で発生
した応力を解放するための手順を示すフローチャートで
ある。
した応力を解放するための手順を示すフローチャートで
ある。
【図２】実施の形態例に係る酸処理前と酸処理後におけ
るフェライトビーズの特性を示す図である。
るフェライトビーズの特性を示す図である。
【図３】フェライト結晶の構造例を示す図である。
【図４】酸濃度の変化によるインピーダンスの特性変動
を示す図である。
を示す図である。
【図５】酸濃度の変化によるインダクタンスの特性変動
を示す図である。
を示す図である。
【図６】硫酸への浸漬時間を変えたときのインピーダン
ス特性の変化を示す図である。
ス特性の変化を示す図である。
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G018 AA23 AA24 AA25 AC22 AC24
AC26
5E041 AB01 AB19 CA03 HB03 HB05
Claims (6)
- 【請求項１】 フェライト電子部品の製造方法におい
て、 焼成後のフェライトセラミックスを酸溶液に浸漬するス
テップと、 前記浸漬により前記フェライトセラミックスに前記酸溶
液を浸透させるステップと、 前記浸透によって前記フェライトセラミックス内の特定
の金属を前記酸溶液中へ溶出させるステップと、 前記溶出の後、前記フェライトセラミックスを洗浄する
ステップとを備え、 前記洗浄したフェライトセラミックスを乾燥させて製品
化することを特徴とするフェライト電子部品の製造方
法。 - 【請求項２】 前記酸溶液には、硫酸または硝酸の溶液
が含まれることを特徴とする請求項１記載のフェライト
電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記酸溶液は、１重量パーセント以上、
５重量パーセント以下の濃度であることを特徴とする請
求項２記載のフェライト電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記酸溶液への浸漬時間を３０分以上、
６０分以下とすることを特徴とする請求項３記載のフェ
ライト電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記フェライトセラミックスを組成する
Ｎｉ−Ｃｕ−ＺｎのうちＣｕを前記特定の金属として前
記酸溶液中へ溶出させることを特徴とする請求項１記載
のフェライト電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の製造
方法によって製造されたことを特徴とするフェライト電
子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002091417A JP2003286072A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | フェライト電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002091417A JP2003286072A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | フェライト電子部品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003286072A true JP2003286072A (ja) | 2003-10-07 |
Family
ID=29236503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002091417A Withdrawn JP2003286072A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | フェライト電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003286072A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112041274A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-12-04 | 杰富意化学株式会社 | MnZn系铁氧体及其制造方法 |
| CN112041275A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-12-04 | 杰富意化学株式会社 | MnCoZn系铁氧体及其制造方法 |
| CN112041273A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-12-04 | 杰富意化学株式会社 | MnZn系铁氧体及其制造方法 |
-
2002
- 2002-03-28 JP JP2002091417A patent/JP2003286072A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112041274A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-12-04 | 杰富意化学株式会社 | MnZn系铁氧体及其制造方法 |
| CN112041275A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-12-04 | 杰富意化学株式会社 | MnCoZn系铁氧体及其制造方法 |
| CN112041273A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-12-04 | 杰富意化学株式会社 | MnZn系铁氧体及其制造方法 |
| TWI721773B (zh) * | 2019-03-18 | 2021-03-11 | 日商杰富意化學股份有限公司 | 錳鋅系肥粒鐵及其製造的方法 |
| CN112041275B (zh) * | 2019-03-18 | 2022-12-27 | 杰富意化学株式会社 | MnCoZn系铁氧体及其制造方法 |
| CN112041274B (zh) * | 2019-03-18 | 2022-12-27 | 杰富意化学株式会社 | MnZn系铁氧体及其制造方法 |
| CN112041273B (zh) * | 2019-03-18 | 2022-12-27 | 杰富意化学株式会社 | MnZn系铁氧体及其制造方法 |
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