JP2003282763A - 回路基板 - Google Patents
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Abstract
と接続した導体膜を延出させても、キャビティ内の気密
性が高く維持できる回路基板を提供する。 【解決手段】 ガラス−セラミック成分を含む絶縁層1
a〜1fから成る積層体1、積層体1の主面に形成した
キャビティ7、キャビティ7内部に形成した電極パッド
12、キャビティ7の開口を封止する蓋体6、積層体1
の主面に形成した金属成分及びガラス成分を含む表面配
線層4、ビアホール導体3、キャビティ7内に収容され
る電子部品素子5とを有し、ビアホール導体3の一方が
キャビティ7内の電極パッド12に電気的に接続すると
ともに、他方が積層体1の表面配線層4と接続して成る
回路基板10において、表面配線層4とビアホール導体
3との接続領域にガラス成分を含有しない金属成分から
成る中間層14を介在させたことを特徴とする。
Description
の電子部品素子をキャビティ内に気密封止して収容する
回路基板に関するものである。
装電子部品を回路基板に搭載する場合においては、半導
体素子や電子部品素子(以下、端に電子部品素子とい
う)等を気密用パッケージに収容せず、直接、回路基板
に搭載封止することによって、小型化の要求に対応して
いた。
を形成して、このキャビティ内に電子部品素子を収容
し、この電子部品素子を樹脂封止材で封止していた。と
ころが、電子部品素子として弾性表面波素子等を収容す
る場合、圧電基板の表面で弾性表面波振動が発生するた
め、電子部品素子の表面は空間が必要となる。即ち、キ
ャビティ内をN2等の不活性ガスで充満された状態で、
キャビティの開口を金属蓋体等で気密封止してきた。
に対応するため、積層型回路基板が採用されてきた。
路基板40は複数のガラス成分とセラミック成分を含ん
だ絶縁層1a〜1fを積層した積層体1と、積層体1に
配置された実装電子部品8とから構成されている。この
回路基板1には、積層体1の層間に内部配線層2やビア
ホール導体3が形成されている。また、積層体1の主面
にキャビティ7が形成され、このキャビティ7内に電子
部品素子5が収容されている。そして、このキャビティ
7の開口には、金属製蓋体6が積層体1に被着封止され
ている。さらに、積層体1の主面には、表面配線層4が
形成されている。
成される。具体的には、積層体1を構成する所定絶縁層
1a〜1dにキャビティ7の形状に対応する孔を形成し
た後に積層することにより形成される。一般には、セラ
ミックグリーンシートを積層したのち焼成されるので、
キャビティ7の壁面の各絶縁層1a〜1dは緻密に接合
されている。
子部品素子5が接合実装される実装底面)には、電極パ
ッド12が形成されている。そして、内部配線層2の一
方がキャビティ7内の電極パッド12に接続されるとと
もに、他方が積層体1の表面配線層4と接続されてい
る。
ル導体3、表面配線層4、電極パッド12は、Au、A
g等の金属成分及びホウケイ酸ガラス等のガラス成分を
含有する。金属成分は、高周波用途の回路基板において
は、低インピーダンスが求められるため、Ag系の低導
体抵抗材料が用いられる。また、回路基板1の外部に形
成される導体膜、例えば表面配線層4の表面には、酸化
防止等の理由によりメッキ層(図示せず)が形成され
る。
等等が例示でき、キャビティ7内の底面に形成された電
極パッド12に、ワイヤボンディング等で接合する。な
お、回路基板1の小型化のために、フリップチップ等に
より接合する方法も増えてきている。さらに、金属製蓋
体6は、封止部材により積層体1と接合される。
えば弾性表面波素子等を収納する場合、周波数精度を保
ち安定した電気特性を得るために、キャビティ7内はN
2等の不活性ガスにて気密性を保つことが重要となる。
時には、ガラス成分が表面配線層4の金属成分と積層体
1との界面に集まり、表面配線層4の金属成分と積層体
1は接合されるため、表面配線層4はガラス成分を含有
させる必要がある。
する際に、弱酸性であるメッキ液が表面配線層4内のガ
ラス成分を溶解させ、表面配線層4がポーラスになって
しまっていた。これは、メッキ液は硝酸(HNO3)等
の弱酸性水溶液中に金属イオンが存在しているため、ガ
ラス成分の内、SiO2を溶解すると考えられる。
時において、ビアホール導体3と積層体1の絶縁層1a
〜1fとの焼結挙動の差により、両者の焼結持における
収縮状態が異なるため、両者の接合界面に応力が発生
し、基板のそりが生じるとともに微少なクラックが形成
されていた。また、積層体1の主面には表面配線層4が
形成されるが、表面配線層4と積層体1の絶縁層1a〜
1fとの焼結挙動の差によっても、基板のそりが生じ、
内部配線層2がキャビティ内の気体が抜ける流路となっ
ることもあった。
体1外部との間にメッキ液によっては気体のスルーパス
が形成されることになり、その結果、キャビティ7内に
リークが生じ気密性を保つことができず、特性不良や信
頼性性能の低下を招いていた。
のであり、その目的は、キャビティ内にビアホール導体
と接続した基板内部から導体膜を延出させても、キャビ
ティ内の気密性が高く維持できる回路基板を提供するこ
とにある。
セラミック成分を含む絶縁層を複数積層した積層体と、
前記積層体の主面に形成したキャビティと、該キャビテ
ィ内部に形成した電極パッドと、前記キャビティの開口
を封止する蓋体と、前記積層体の主面に形成した金属成
分及びガラス成分を含む表面配線層と、前記絶縁層の厚
みを貫くように形成したAg系のビアホール導体と、前
記キャビティ内の電極パッドに接続するように該キャビ
ティ内に収容される電子部品素子とを有し、前記ビアホ
ール導体の一方が前記キャビティ内の前記電極パッドに
電気的に接続するとともに、他方が前記積層体の表面配
線層と接続して成る回路基板において、前記表面配線層
と前記ビアホール導体との接続領域にガラス成分を含有
しない金属成分から成る中間層を介在させたことを特徴
とする。
主成分として、Pt、Rh、Ru2Oの内、少なくとも
1種類を添加して成ることを特徴とする。
とビアホール導体との接続領域にガラス成分を含有しな
い金属成分から成る中間層を介在しているので、中間層
の部分はメッキ液が浸透してポーラスになるのを抑制
し、これにより、キャビティ内の気体がビアホール導体
と絶縁層との間隙を介して気体が抜ける流路が形成され
ないので、積層体外部に洩れることを防止することがで
きる。
分として、Pt、Rh、Ru2Oの内、少なくとも1種
類を添加してもよい。これにより、中間層がガラス成分
を含有しなくても、積層体と中間層の両者の焼結時にお
ける収縮状態を略同じに近づけることができるので、中
間層がキャビティ内の気体が抜ける流路を形成すること
を抑制することができ、更にキャビティの気密性を高め
ることが可能となる。
基づいて詳説する。なお、従来の技術と同じの構成は同
じの符号を用いるものとする。
り、本発明の回路基板10は、積層体1と、積層体1の
主面に実装された実装電子部品8とからなる。
り、1層あたり例えば40〜300μm程度の厚みを有
し、その材質としては、セラミック成分と、ガラス成分
(ガラス成分は誘電体粉末の界面に存在したり、また焼
結助剤となる)から成る。具体的には、セラミック成分
としては、例えばA12O3、BaO−TiO2系、Ca
O−TiO2系、MgO−TiO2系等が選ばれる。ま
た、ガラス成分としては、例えばホウケイ酸亜鉛、ホウ
ケイ酸ビスマス等のホウケイ酸アルカリ酸化物等のガラ
スから選ばれる少なくとも1種が用いられる。
の層間には、内部配線層2が形成されている。さらに、
絶縁層1a〜1fの厚み方向には、所定配線層を接続す
るビアホール導体3が形成されている。
明の特徴部である外部回路を接続する表面配線層4が形
成されている。また、積層体1の主面には、各種実装電
子部品8を接合するための所定配線層9が形成されてい
る。
が形成される。具体的には、キャビティ7は積層体1を
構成する絶縁層1a〜1fの内、主面側の所定数の絶縁
層1a〜1dに貫通孔を設けることにより形成される。
さらに、キャビティ7の内部の一部、例えは底面には、
電極パッド12が形成され、上記電子部品素子5は、電
極パッド12に接続するようにキャビティ7内に収容さ
れる。そして、ビアホール導体3の一方がキャビティ7
内の電極パッド12に接続されるとともに、他方が積層
体1の表面配線層4と接続されている。このことによ
り、キャビティ7内に収容された電子部品素子5と表面
配線層4とを電気的に接続している。具体的には、電子
部品素子5の上面側に電極が形成されている場合には、
ボンディングワイヤによって、また、電子部品素子5の
下面側に電極が形成されている場合には、フリップチッ
プ等で電気的に接続される。また、キャビティ7上部に
は、その開口を封止する金属製蓋体6が形成されてい
る。
Co、SUS、洋白、Fe−Ni合金、Cu合金等が用
いられ、封止方法として、例えば、シームリングを介し
てシーム溶接、封止ガラスによる封止、キャビティ開口
周囲に電極を形成して、互いに半田接合による封止、接
合用樹脂による封止等が例示できる。
とした弾性表面波素子が用いられる。このLiTaO3
等を材料は、温度変化により周波数特性が変化しやすく
水蒸気等により周波数特性が変動するので金属製蓋体6
により気密封止される必要がある。従って、本発明では
弾性表面波素子に限定されず、気密封止が必要な電子部
品素子ならば良い。
線層4、電極パッド12は、金属成分とガラス成分から
なる。金属成分としては、低抵抗であるAg系の材料が
用いられる。Ag系の材料としては、Ag単体、Ag合
金が挙げられ、Ag合金は例えば、Ag−Pd、Ag−
Pt等が挙げられる。ガラス成分としては、例えばホウ
ケイ酸亜鉛、ホウケイ酸ビスマス等のホウケイ酸アルカ
リ酸化物等のガラスから選ばれる少なくとも1種が用い
られる。
面には、図では省略しているが、酸化防止等の理由によ
り、メッキ層が形成されている。メッキ層としては、半
田やフリップチップにより接合される最表層にAuメッ
キ、中間層に硬質化と耐半田くわれ性を高めるNiメッ
キを形成する。
ビアホール導体3との接続領域にガラス成分を含有しな
い金属材料から成る中間層14を介在させたことであ
る。この中間層14の材質としては、Au単体、Ag単
体又はAgを主成分として、Pt、Rh、Ru2Oの
内、少なくとも1種類を添加する。ここで、Pt、R
h、Ru2Oは、表面配線層4と絶縁層1a〜1fの焼
結挙動を合わせる無機添加物であって、ガラス成分では
ない。
間層14とは、表面配線層4側から中間層14にガラス
成分が含浸する場合もあるが、少なくとも中間層14と
内部配線層2との接合界面においては金属リッチとなっ
ているものもここでいう中間層14に含まれる。
合計は、10〜35μm、好ましくは20〜30μmの
範囲にあることが望ましい。すなわち、上記厚みが10
μm未満の場合、中間層14の厚みを大きくできないた
め、キャビティ内の気体が積層体外部に洩れることを防
止する効果が不十分である。一方、上記厚みが35μm
を超える場合、回路基板10を実装する際に傾いてしま
う。
うになる。
クグリーンシートを用意する。まず、絶縁材料と有機樹
脂材料及び有機可塑材料からなるセラミックグリーンシ
ートをドクターブレード法等により成型する。
ホール導体3となる貫通孔を形成する。次に、このビア
ホール導体3となる貫通孔内にAg系導電性ペーストを
充填するとともに、各セラミックグリーンシート上に内
部配線層2となる導体膜や電極パッド12となる導体膜
をAg系導電性ペーストを用いて印刷形成する。
ンシートのビアホール導体3となる貫通孔に導電性パー
スとを充填した箇所には、Ru2Oを含有すしてガラス
成分を含有しないAg系導電性ペーストをスクリーン印
刷、乾燥して、中間層14を被着形成する。そして、こ
の中間層14を覆うように、ガラス成分を含有するAg
系導電性ペーストを同様にスクリーン印刷、乾燥して、
表面配線層4を被着形成する。その後、所定セラミック
グリーンシートにキャビティ7の形状に応じた貫通孔を
形成する。なお、導電性ペーストは、Ag等の金属成分
及びホウケイ酸系ガラス成分に、種々の添加剤とビヒク
ルとで混合混練してペーストにする。ビヒクルは、エチ
ルセルロース等の有機バインダと溶剤からなる。
トを所定の積層順序で積層し、熱圧着により積層一体化
する。必要に応じて分割溝等を形成する。さらに、各セ
ラミックグリーンシート、各導体膜を一体的に焼成す
る。
の表面に、Niメッキ、Auメッキ等を通常の方法で形
成する。
に電子部品素子5を上述の方法で接合して収容し、キャ
ビティ7の開口を蓋体6で気密封止する。同時に、積層
体1の主面に実装電子部品8を接合する。なお、図1で
は、キャビティ7の開口の周囲に主面から一段落ち込ん
だ段差部を設け、この段差部に蓋体6を被着してもよ
い。また、この段差部に蓋体6を封止接合するための封
止用導体膜を形成してもよい。このようにして、図1の
ような回路基板10が得られる。
ャビティ7の気密性評価実験について説明する。
止用の蓋体6は、あらかじめ内面側の全面または外周部
にAu80%、Sn20%の封止部材を溶融させて塗布
させておき、キャビティ7の開口の周囲に形成した接合
導体膜(図示せず)に載置して、酸素濃度20ppm以
下に制御されたN2チャンバー内で、ピーク温度320
℃、280℃以上90秒の温度プロファイル下で封止し
た。
で圧入し、それをHeディテクターにて、封止部に浸入
したHeが漏れて出てくる量を測定した。本発明の回路
基板10においては、その測定値は10-10以下であ
り、気密性を高めることができた。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
での種々の変更や改良等は何ら差し支えない。
路基板10の断面構造図である。図において、一方がキ
ャビティ内7の電極パッド12に接続した内部配線層2
は、ビアホール導体3の一方に接続している。さらに、
ビアホール導体3の他方は、積層体1の主面側に延出さ
せるとともに、積層体1の主面側に形成した表面配線層
4と接続して成る。そして、表面配線層4とビアホール
導体3との接続領域に、本発明のガラス成分を含有しな
い金属材料から成る中間層14を介在させても良い。
路基板の断面構造図である。
7が形成されており、キャビティ7内部に形成したダイ
アタッチ導体膜32に接続するように、電子部品素子5
がキャビティ7内に収容されている。そして、一方がダ
イアタッチ導体膜32に接続するともに、他方が表面配
線層4と接続して成る複数のサーマルビアホール導体3
3が積層体1の厚み方向に形成されている。そして、表
面配線層4とサーマルビアホール導体33との接続領域
にガラス成分を含有しない金属材料から成る中間層14
を全てのサーマルビアホール導体33を覆うようにして
も良い。このことにより、キャビティ7から通じるダイ
アタッチ導体膜32と複数のサーマルビアホール導体3
3を形成すると気密性が失われやすいが、中間層33で
複数のサーマルビアホール導体33を覆うように形成し
ているので、放熱性も良好で気密性が良い回路基板を提
供できる。
板の積層体の主面に形成するこの表面配線層は、通常、
酸化防止等の理由でメッキ処理を施すが、その際、メッ
キ液は弱酸性であるために表面配線層に含まれたガラス
成分を溶解し、表面配線層のガラス成分が存在していた
部分がポーラスとなる。しかし、本発明の構成によれ
ば、回路基板の表面配線層とビアホール導体との接続領
域にガラス成分を含有しない金属成分から成る中間層を
介在しているので、中間層の部分はメッキ液が浸透して
ポーラスになるのを抑制し、これにより、キャビティ内
の気体がビアホール導体と絶縁層との間隙を介して気体
が抜ける流路が形成されないので、積層体外部に洩れる
ことを防止することができる。
分として、Pt、Rh、Ru2Oの内、少なくとも1種
類を添加してもよい。これにより、中間層がガラス成分
を含有しなくても、積層体と中間層の両者の焼結時にお
ける収縮状態を略同じに近づけることができるので、中
間層がキャビティ内の気体が抜ける流路を形成すること
を抑制することができ、更にキャビティの気密性を高め
ることが可能となる。
図である。
面構造図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ガラス成分とセラミック成分を含む絶縁
層を複数積層した積層体と、 前記積層体の主面に形成したキャビティと、 該キャビティ内部に形成した電極パッドと、 前記キャビティの開口を封止する蓋体と、 前記積層体の主面に形成した金属成分及びガラス成分を
含む表面配線層と、 前記絶縁層の厚みを貫くように形成したAg系のビアホ
ール導体と、 前記キャビティ内の電極パッドに接続するように該キャ
ビティ内に収容される電子部品素子とを有し、 前記ビアホール導体の一方が前記キャビティ内の前記電
極パッドに接続するとともに、他方が前記積層体の表面
配線層と接続して成る回路基板において、 前記表面配線層と前記ビアホール導体との接続領域にガ
ラス成分を含有しない金属成分から成る中間層を介在さ
せたことを特徴とする回路基板。 - 【請求項2】 前記中間層は、Ag単体又はAgを主成
分として、Pt、Rh、Ru2Oの内、少なくとも1種
類を添加して成ることを特徴とする請求項1記載の回路
基板。
Priority Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006127900A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 環状ヒータ |
JP5261624B1 (ja) * | 2012-11-05 | 2013-08-14 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
US20140003196A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device built-in module and communication device |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002089853A patent/JP3825352B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9478213B2 (en) * | 2012-06-28 | 2016-10-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device built-in module and communication device |
JP5261624B1 (ja) * | 2012-11-05 | 2013-08-14 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
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