JP2003282577A - シリコン半導体ウェハ及びその製造方法 - Google Patents
シリコン半導体ウェハ及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面から所定深さまでＣＯＰ欠陥がなく、そ
の領域以下にはＢＭＤ核が存在するウェハを形成する。 【解決手段】 拡散炉内でＡｒ、Ｎ２またはこれらのガ
スを含む不活性ガス雰囲気下でウェハを約５００℃に予
熱した後、Ｈ２、Ａｒまたはこれらのガスを含む不活性
ガス雰囲気下で、５００〜８００℃までは５０〜７０℃
／分、８００〜９００℃までは５０〜１０℃／分、９０
０〜１０００℃までは１０〜０.５℃／分、１０００〜
１２５０℃までは０.１〜０.５℃／分の速度で昇温し、
１２００〜１２５０℃で１〜１２０分間高温維持した
後、Ａｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガス雰
囲気下で１２５０〜１０００℃までは０.１〜０.５℃／
分、１０００〜９００℃までは１０〜０.５℃／分、９
００〜８００℃までは５０〜１０℃／分、８００〜５０
０℃までは５０〜７０℃／分の速度で降温する。
の領域以下にはＢＭＤ核が存在するウェハを形成する。 【解決手段】 拡散炉内でＡｒ、Ｎ２またはこれらのガ
スを含む不活性ガス雰囲気下でウェハを約５００℃に予
熱した後、Ｈ２、Ａｒまたはこれらのガスを含む不活性
ガス雰囲気下で、５００〜８００℃までは５０〜７０℃
／分、８００〜９００℃までは５０〜１０℃／分、９０
０〜１０００℃までは１０〜０.５℃／分、１０００〜
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後、Ａｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガス雰
囲気下で１２５０〜１０００℃までは０.１〜０.５℃／
分、１０００〜９００℃までは１０〜０.５℃／分、９
００〜８００℃までは５０〜１０℃／分、８００〜５０
０℃までは５０〜７０℃／分の速度で降温する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハの熱処理方法
に係り、特に半導体デバイスが形成される活性領域を無
欠陥層とし、ゲッタリング（gettering）効果を増大さ
せたウェハとその製造方法に関する。
に係り、特に半導体デバイスが形成される活性領域を無
欠陥層とし、ゲッタリング（gettering）効果を増大さ
せたウェハとその製造方法に関する。
【０００２】
【特許文献１】大韓民国公開特許公報第２００１-００
３６１６号
３６１６号
【０００３】半導体集積回路素子（半導体デバイス）の
集積度の高密化に伴い、デザインルール（design rul
e）がさらに小さくなり、これにより半導体素子の形成
工程が厳しくなってきた。半導体素子の形成工程で収率
を高め、半導体デバイスの信頼性を高めるためウェハそ
のものの品質向上が求められている。
集積度の高密化に伴い、デザインルール（design rul
e）がさらに小さくなり、これにより半導体素子の形成
工程が厳しくなってきた。半導体素子の形成工程で収率
を高め、半導体デバイスの信頼性を高めるためウェハそ
のものの品質向上が求められている。
【０００４】このような要求の一つとして、半導体素子
が形成されるウェハの活性領域（active region）は、
欠陥がない完璧な単結晶シリコン層を必要とする。従っ
て、半導体素子の形成領域に結晶欠陥（例：ＣＯＰ：Cr
ystal Originated Particle）がないウェハの生産が必
要となり、ＣＯＰ欠陥がないウェハの開発に努力が集中
している。
が形成されるウェハの活性領域（active region）は、
欠陥がない完璧な単結晶シリコン層を必要とする。従っ
て、半導体素子の形成領域に結晶欠陥（例：ＣＯＰ：Cr
ystal Originated Particle）がないウェハの生産が必
要となり、ＣＯＰ欠陥がないウェハの開発に努力が集中
している。
【０００５】また、ウェハ上に半導体素子を形成する工
程は、デバイスに致命的な欠陥を誘発する転移金属（Tr
ansition metal）を吸収するためのゲッタリング手段を
持つウェハを必要とする。ゲッタリング（不純物除去）
とは不要な物質を吸収し、これによる悪影響を防止する
ことである。半導体素子工程で回路素子形成領域への転
移金属（Transition metal）の流入を効果的に制御する
ために、ウェハ内に転移金属吸着用のゲッタリング手段
を形成する必要がある。該ゲッタリング方式はＩＧ（in
trinsic gettering）とＥＧ（extrinsic gettering）と
に大別される
程は、デバイスに致命的な欠陥を誘発する転移金属（Tr
ansition metal）を吸収するためのゲッタリング手段を
持つウェハを必要とする。ゲッタリング（不純物除去）
とは不要な物質を吸収し、これによる悪影響を防止する
ことである。半導体素子工程で回路素子形成領域への転
移金属（Transition metal）の流入を効果的に制御する
ために、ウェハ内に転移金属吸着用のゲッタリング手段
を形成する必要がある。該ゲッタリング方式はＩＧ（in
trinsic gettering）とＥＧ（extrinsic gettering）と
に大別される
【０００６】ＩＧの方式としては、主にシリコンウェハ
を製造する過程でＯｉ（Oxygenインタスチシャル）の量
を調節し、半導体素子の工程時に、ゲッタリングサイト
（gettering site）の役割ができるＢＭＤ（bulk micro
defect）を形成する方式が用いられてきた。しかし、
半導体素子工程では熱処理温度が低下しつつあり、この
ような低温工程ではゲッタリングサイトの役割を果たす
ＢＭＤの生成が難しくなっている。
を製造する過程でＯｉ（Oxygenインタスチシャル）の量
を調節し、半導体素子の工程時に、ゲッタリングサイト
（gettering site）の役割ができるＢＭＤ（bulk micro
defect）を形成する方式が用いられてきた。しかし、
半導体素子工程では熱処理温度が低下しつつあり、この
ような低温工程ではゲッタリングサイトの役割を果たす
ＢＭＤの生成が難しくなっている。
【０００７】ＥＧの方法としてはＰＢＳ（Poly-silicon
Back Seal）やＢＳＤ（Back SideDamage）、そしてＨ
ＥＩ（High energy Implantation）等がある。
Back Seal）やＢＳＤ（Back SideDamage）、そしてＨ
ＥＩ（High energy Implantation）等がある。
【０００８】特許文献１にゲッタリング概念を適用した
シリコンウェハの製造方法が公開されている。
シリコンウェハの製造方法が公開されている。
【０００９】結晶成長欠陥を除去し、高密度の酸素析出
欠陥層を持たせるシリコンウェハ製造方法は多くの研究
者たちによって研究、発表されてきた。結晶成長欠陥
（Grown-in Defect）を除去し、高密度酸素析出欠陥層
を持たせる方法として熱処理による方法が多く研究され
てきた。
欠陥層を持たせるシリコンウェハ製造方法は多くの研究
者たちによって研究、発表されてきた。結晶成長欠陥
（Grown-in Defect）を除去し、高密度酸素析出欠陥層
を持たせる方法として熱処理による方法が多く研究され
てきた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱処理による
方法は、特に熱処理方法や条件によって大きな差が存在
するということが明らかになった。
方法は、特に熱処理方法や条件によって大きな差が存在
するということが明らかになった。
【００１１】例えば、急速熱処理方式（ＲＴＰ、Rapid
Thermal Process）を利用する場合、急速熱処理温度に
よるスリップ（Ｓlip）の発生が時々確認され、また、
短時間で熱処理するので、結晶成長時に発生する成長欠
陥の除去がほとんどできない。ゆえに、ＲＴＰ方法を利
用して理想的なウェハを製造する場合、結晶成長段階で
結晶成長欠陥を除去した後、ゲッタリング（ gettering
）効果を強化するために,高密度ＢＭＤのバルク（Bul
k）内部での形成を図り、急速熱処理を行う。よって、
熱処理を行う基板の制限と、ハードウェア的な制限があ
るということが欠点である。
Thermal Process）を利用する場合、急速熱処理温度に
よるスリップ（Ｓlip）の発生が時々確認され、また、
短時間で熱処理するので、結晶成長時に発生する成長欠
陥の除去がほとんどできない。ゆえに、ＲＴＰ方法を利
用して理想的なウェハを製造する場合、結晶成長段階で
結晶成長欠陥を除去した後、ゲッタリング（ gettering
）効果を強化するために,高密度ＢＭＤのバルク（Bul
k）内部での形成を図り、急速熱処理を行う。よって、
熱処理を行う基板の制限と、ハードウェア的な制限があ
るということが欠点である。
【００１２】ＲＴＰと異なる方法としては、拡散熱処理
炉（Diffusion Furnace、以下、熱処理炉または炉と言
う）を利用する方法がある。この拡散熱処理炉の方法は
熱処理条件、即ち熱処理温度、昇温速度（Ramp up rate
temperature profile）、雰囲気ガス（Ambient Gas）
等によって大きい差を生じるという問題があり、のみな
らず炉内の温度分布均一性によって品質に差が出るのも
問題である。
炉（Diffusion Furnace、以下、熱処理炉または炉と言
う）を利用する方法がある。この拡散熱処理炉の方法は
熱処理条件、即ち熱処理温度、昇温速度（Ramp up rate
temperature profile）、雰囲気ガス（Ambient Gas）
等によって大きい差を生じるという問題があり、のみな
らず炉内の温度分布均一性によって品質に差が出るのも
問題である。
【００１３】本発明の目的は、半導体デバイスが形成さ
れる活性領域にはＣＯＰ欠陥が発生しなくなり、酸素濃
度によって均一な深さの無欠陥層（Denuded Zone、Ｄ
Ｚ）と高密度酸素析出欠陥層を持つシリコン半導体ウェ
ハとその製造方法を提供することにある。
れる活性領域にはＣＯＰ欠陥が発生しなくなり、酸素濃
度によって均一な深さの無欠陥層（Denuded Zone、Ｄ
Ｚ）と高密度酸素析出欠陥層を持つシリコン半導体ウェ
ハとその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン半導体
ウェハの製造方法は、インゴットを切断、研磨、洗浄し
てシリコンウェハを製造する段階と、拡散炉内の雰囲気
をＡｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガス雰囲
気とし、炉にシリコンウェハを入れ、約５００℃に予熱
し維持する段階と、拡散炉内のガス雰囲気を連続的にＨ
２、Ａｒまたはこれらのガスを含む不活性ガス雰囲気に
変えた上、５００〜８００℃までは５０〜７０℃／分の
速度で昇温し、８００〜９００℃までは５０〜１０℃／
分の速度で昇温し、９００〜１０００℃までは１０〜
０.５℃／分の速度で昇温し、１０００〜１２５０℃ま
では０.１〜０.５℃／分の速度で昇温する段階と、昇温
段階後、１２００〜１２５０℃で１〜１２０分間高温維
持する段階と、高温維持段階後、炉内ガス雰囲気を連続
的にＡｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガス雰
囲気に変え、温度段階別に１２５０〜１０００℃までは
０.１〜０.５℃／分の速度で降温し、１０００〜９００
℃までは１０〜０.５℃／分の速度で降温し、９００〜
８００℃までは５０〜１０℃／分の速度で降温し、８０
０〜５００℃までは５０〜７０℃／分の速度で降温する
段階とを含む。さらに、高温維持段階後に１２００℃程
度で約１時間さらに維持してもよい。
ウェハの製造方法は、インゴットを切断、研磨、洗浄し
てシリコンウェハを製造する段階と、拡散炉内の雰囲気
をＡｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガス雰囲
気とし、炉にシリコンウェハを入れ、約５００℃に予熱
し維持する段階と、拡散炉内のガス雰囲気を連続的にＨ
２、Ａｒまたはこれらのガスを含む不活性ガス雰囲気に
変えた上、５００〜８００℃までは５０〜７０℃／分の
速度で昇温し、８００〜９００℃までは５０〜１０℃／
分の速度で昇温し、９００〜１０００℃までは１０〜
０.５℃／分の速度で昇温し、１０００〜１２５０℃ま
では０.１〜０.５℃／分の速度で昇温する段階と、昇温
段階後、１２００〜１２５０℃で１〜１２０分間高温維
持する段階と、高温維持段階後、炉内ガス雰囲気を連続
的にＡｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガス雰
囲気に変え、温度段階別に１２５０〜１０００℃までは
０.１〜０.５℃／分の速度で降温し、１０００〜９００
℃までは１０〜０.５℃／分の速度で降温し、９００〜
８００℃までは５０〜１０℃／分の速度で降温し、８０
０〜５００℃までは５０〜７０℃／分の速度で降温する
段階とを含む。さらに、高温維持段階後に１２００℃程
度で約１時間さらに維持してもよい。
【００１５】また、本発明のシリコン半導体ウェハは、
半導体デバイスが形成される面の表面から深さ約１５μ
ｍまでは無欠陥領域が形成され、この無欠陥領域よりさ
らに深いところのウェハ内部ではＢＭＤの濃度が５×１
０５ea／cm２以上であることを特徴とする。前記無欠陥
領域では、ウェハの表面の酸素濃度と、ウェハ内部の酸
素濃度とが２〜５倍程度の差を有する。
半導体デバイスが形成される面の表面から深さ約１５μ
ｍまでは無欠陥領域が形成され、この無欠陥領域よりさ
らに深いところのウェハ内部ではＢＭＤの濃度が５×１
０５ea／cm２以上であることを特徴とする。前記無欠陥
領域では、ウェハの表面の酸素濃度と、ウェハ内部の酸
素濃度とが２〜５倍程度の差を有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照しつつ、本発
明の実施形態を詳細に説明する。まず、シリコンインゴ
ットをスライシング（slicing）工程で切断し、ウェハ
を形成する。このウェハにはインゴットの切断時に発生
した凹凸が存在するので、表面が粗い。
明の実施形態を詳細に説明する。まず、シリコンインゴ
ットをスライシング（slicing）工程で切断し、ウェハ
を形成する。このウェハにはインゴットの切断時に発生
した凹凸が存在するので、表面が粗い。
【００１７】このような粗い表面を平坦な表面にするた
めに、ラッピング（lapping）及びグラインディング（g
rinding）工程を実施し、表面が比較的平坦になる。
めに、ラッピング（lapping）及びグラインディング（g
rinding）工程を実施し、表面が比較的平坦になる。
【００１８】グラインディング工程で表面に付着したパ
ーティクルと汚染物質を除去するためにクリーニング工
程を実施する。
ーティクルと汚染物質を除去するためにクリーニング工
程を実施する。
【００１９】この工程ではＳＣ１洗浄溶液（ＮＨ４Ｏ
Ｈ：Ｈ２０２：Ｈ２０＝１：１：５）を使用して洗浄す
る。ＨＦ溶液での洗浄工程を追加することができる。
Ｈ：Ｈ２０２：Ｈ２０＝１：１：５）を使用して洗浄す
る。ＨＦ溶液での洗浄工程を追加することができる。
【００２０】しかる後、ウェハの活性領域に所定の深さ
以上の無欠陥層を形成し、ウェハのバルクにゲッタリン
グサイトとして使用されるＢＭＤ核形成のために、熱処
理工程を実施する。この熱処理により、結晶成長時に発
生する結晶成長欠陥（Grown-in Defect）を除去し、金
属不純物をゲッタリング（gettering）することができ
る高密度ＢＭＤを形成し得る核を成長させ、最も理想的
なウェハを製造することができる。
以上の無欠陥層を形成し、ウェハのバルクにゲッタリン
グサイトとして使用されるＢＭＤ核形成のために、熱処
理工程を実施する。この熱処理により、結晶成長時に発
生する結晶成長欠陥（Grown-in Defect）を除去し、金
属不純物をゲッタリング（gettering）することができ
る高密度ＢＭＤを形成し得る核を成長させ、最も理想的
なウェハを製造することができる。
【００２１】図１は前記熱処理工程を説明するための工
程図である。まず、熱処理炉内の雰囲気をＡｒ、Ｎ２ま
たはこれらのガスが含まれた不活性ガス雰囲気に維持し
ながらウェハを入れ、５００℃程度まで昇温しながら予
熱する。
程図である。まず、熱処理炉内の雰囲気をＡｒ、Ｎ２ま
たはこれらのガスが含まれた不活性ガス雰囲気に維持し
ながらウェハを入れ、５００℃程度まで昇温しながら予
熱する。
【００２２】次に、炉内の雰囲気をＨ２、Ａｒまたはこ
れらのガスが含まれた不活性ガス雰囲気とし、ウェハを
加熱し始め、高温熱処理を施す。
れらのガスが含まれた不活性ガス雰囲気とし、ウェハを
加熱し始め、高温熱処理を施す。
【００２３】この高温熱処理は、ウェハの品質特性に大
きく影響を及ぼす酸素析出物を除去するために、水素と
不活性ガスの混合ガス雰囲気下で、特定な熱処理温度区
間毎に昇温速度を異にして１２００〜１２５０℃まで昇
温した後、不活性ガス雰囲気で１〜１２０／分間熱処理
する。
きく影響を及ぼす酸素析出物を除去するために、水素と
不活性ガスの混合ガス雰囲気下で、特定な熱処理温度区
間毎に昇温速度を異にして１２００〜１２５０℃まで昇
温した後、不活性ガス雰囲気で１〜１２０／分間熱処理
する。
【００２４】予熱温度から昇温する過程は段階別に速度
を調節しながら行われる。即ち５００〜８００℃までは
５０〜７０℃／分の速度で昇温し、８００〜９００℃ま
では５０〜１０℃／分の速度で昇温し、９００〜１００
０℃までは１０〜０.５℃／分の速度で昇温し、１００
０〜１２５０℃までは０．１〜０．５℃／分の速度で昇
温する。
を調節しながら行われる。即ち５００〜８００℃までは
５０〜７０℃／分の速度で昇温し、８００〜９００℃ま
では５０〜１０℃／分の速度で昇温し、９００〜１００
０℃までは１０〜０.５℃／分の速度で昇温し、１００
０〜１２５０℃までは０．１〜０．５℃／分の速度で昇
温する。
【００２５】昇温後１２００〜１２５０℃の熱処理区間
には１〜１２０分間維持する。この区間での維持時間
は、徐々に昇温したウェハは短時間維持し、急に昇温し
たウェハは長時間維持する。
には１〜１２０分間維持する。この区間での維持時間
は、徐々に昇温したウェハは短時間維持し、急に昇温し
たウェハは長時間維持する。
【００２６】このように維持した上、炉内ガス雰囲気を
連続的にＡｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガ
ス雰囲気に変えて降温を行う。降温時には、温度段階別
に１２５０〜１０００℃までは０.１〜０.５℃／分の速
度で降温し、１０００〜９００℃までは１０〜０.５℃
／分の速度で降温し、９００〜８００℃までは５０〜１
０℃／分の速度で降温し、８００〜５００℃までは５０
〜７０℃／分の速度で降温する。
連続的にＡｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含む不活性ガ
ス雰囲気に変えて降温を行う。降温時には、温度段階別
に１２５０〜１０００℃までは０.１〜０.５℃／分の速
度で降温し、１０００〜９００℃までは１０〜０.５℃
／分の速度で降温し、９００〜８００℃までは５０〜１
０℃／分の速度で降温し、８００〜５００℃までは５０
〜７０℃／分の速度で降温する。
【００２７】図２は他の熱処理工程を説明するための工
程図である。この工程では図１に示すように、Ａｒ、Ｎ
２またはこれらのガスが含まれた不活性ガス雰囲気下で
５００℃程度に予熱した後、熱処理炉内の雰囲気を
Ｈ２、Ａｒまたはこれらのガスが含まれた不活性ガスに
変え、ウェハを加熱しはじめ、高温熱処理を行う。
程図である。この工程では図１に示すように、Ａｒ、Ｎ
２またはこれらのガスが含まれた不活性ガス雰囲気下で
５００℃程度に予熱した後、熱処理炉内の雰囲気を
Ｈ２、Ａｒまたはこれらのガスが含まれた不活性ガスに
変え、ウェハを加熱しはじめ、高温熱処理を行う。
【００２８】この際、温度段階毎に昇温する速度を異に
して昇温する。即ち５００〜８００℃までは５０〜７０
℃／分の速度で昇温し、８００〜９００℃までは５０〜
１０℃／分の速度で昇温し、９００〜１０００℃までは
１０〜０.５℃／分の速度で昇温し、１０００〜１２５
０℃までは０.１〜０.５℃／分の速度で昇温した後、１
２００〜１２５０℃の熱処理区間では１〜１２０分間維
持する。ここまでは図１の方法と同じである。
して昇温する。即ち５００〜８００℃までは５０〜７０
℃／分の速度で昇温し、８００〜９００℃までは５０〜
１０℃／分の速度で昇温し、９００〜１０００℃までは
１０〜０.５℃／分の速度で昇温し、１０００〜１２５
０℃までは０.１〜０.５℃／分の速度で昇温した後、１
２００〜１２５０℃の熱処理区間では１〜１２０分間維
持する。ここまでは図１の方法と同じである。
【００２９】このように維持した後、炉内のガス雰囲気
をそのまま維持しながら０.１〜０.５℃／分の速度で１
２００℃まで降温した後、１時間程度維持する。その
後、炉内の雰囲気をそのまま維持しながら降温する。こ
のとき、温度段階別に１２５０〜１０００℃までは０.
１〜０.５℃／分の速度で降温し、１０００〜９００℃
までは１０〜０.５℃／分の速度で降温し、９００〜８
００℃までは、５０〜１０℃／分の速度で降温し、８０
０〜５００℃までは５０〜７０℃／分の速度で降温す
る。
をそのまま維持しながら０.１〜０.５℃／分の速度で１
２００℃まで降温した後、１時間程度維持する。その
後、炉内の雰囲気をそのまま維持しながら降温する。こ
のとき、温度段階別に１２５０〜１０００℃までは０.
１〜０.５℃／分の速度で降温し、１０００〜９００℃
までは１０〜０.５℃／分の速度で降温し、９００〜８
００℃までは、５０〜１０℃／分の速度で降温し、８０
０〜５００℃までは５０〜７０℃／分の速度で降温す
る。
【００３０】本発明の方法では昇温及び降温速度を極め
て遅くするが、その理由は熱処理過程でウェハに与える
熱ショックが最大に減少するからである。
て遅くするが、その理由は熱処理過程でウェハに与える
熱ショックが最大に減少するからである。
【００３１】また、温度変化を徐々に行いながら長時間
熱処理する理由は、ウェハ表面にある結晶欠陥を治癒す
るためである。ウェハには点欠陥のベーカンシ固まりが
ボイドと酸素析出物（ＳiＯx）状で存在し、これらの欠
陥が雰囲気ガスと作用することにより酸素が表面から発
散し始め、インタスチシャル型シリコン原子がボイドに
入って再結合し、結晶構造が治癒される。これは酸化物
が分解され、酸素が結晶の外に放出され、ボイドにはシ
リコン原子が集まって結晶を形成すると解析される。し
たがって、ウェハ表面から所定深さまでは結晶無欠陥領
域が形成され、ウェハ内部の深部では酸素が析出され
て、小さな核の固まりを成し、成長する予定のＢＭＤ核
として存在する。
熱処理する理由は、ウェハ表面にある結晶欠陥を治癒す
るためである。ウェハには点欠陥のベーカンシ固まりが
ボイドと酸素析出物（ＳiＯx）状で存在し、これらの欠
陥が雰囲気ガスと作用することにより酸素が表面から発
散し始め、インタスチシャル型シリコン原子がボイドに
入って再結合し、結晶構造が治癒される。これは酸化物
が分解され、酸素が結晶の外に放出され、ボイドにはシ
リコン原子が集まって結晶を形成すると解析される。し
たがって、ウェハ表面から所定深さまでは結晶無欠陥領
域が形成され、ウェハ内部の深部では酸素が析出され
て、小さな核の固まりを成し、成長する予定のＢＭＤ核
として存在する。
【００３２】図３は本発明の方法で製造されたウェハの
表面から所定深さまでの酸素濃度を測定して示すグラフ
である。このグラフに示すように、表面から深さ約１５
μｍまでは酸素濃度がウェハバルクの平均値より極めて
低くなっている。
表面から所定深さまでの酸素濃度を測定して示すグラフ
である。このグラフに示すように、表面から深さ約１５
μｍまでは酸素濃度がウェハバルクの平均値より極めて
低くなっている。
【００３３】図４は本発明により製造されたウェハ断面
の酸素析出物の分布図である。この分布図で示すよう
に、表面から深さ約２０μｍまでは無欠陥層（DenudedZ
one、ＤＺ）であり、それ以下のバルクにはＢＭＤが多
く形成されており、その密度は約５×１０５ea／cm２以
上であることが確認された。このＢＭＤは素子形成工程
で金属等を吸収するゲッタリングサイトになる。
の酸素析出物の分布図である。この分布図で示すよう
に、表面から深さ約２０μｍまでは無欠陥層（DenudedZ
one、ＤＺ）であり、それ以下のバルクにはＢＭＤが多
く形成されており、その密度は約５×１０５ea／cm２以
上であることが確認された。このＢＭＤは素子形成工程
で金属等を吸収するゲッタリングサイトになる。
【００３４】このような熱処理後、通常の方法で常温ま
で温度を低下させた上、ポリッシング工程と最終洗浄工
程を行う。
で温度を低下させた上、ポリッシング工程と最終洗浄工
程を行う。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の方法で製造
されるウェハは、半導体素子形成領域のある表面には所
定深さ（約２０μｍ）までＣＯＰ欠陥のない領域が形成
され、この領域以下には多くのＢＭＤ核が存在するウェ
ハになる。
されるウェハは、半導体素子形成領域のある表面には所
定深さ（約２０μｍ）までＣＯＰ欠陥のない領域が形成
され、この領域以下には多くのＢＭＤ核が存在するウェ
ハになる。
【００３６】本発明の方法で製造されるウェハは、表面
の酸素濃度がバルク内部より約５倍以上低くなり、ウェ
ハの表面からバルク方向への無欠陥層の深さは１５〜２
０μｍ以上になり、半導体工程でゲッタリング効果を増
大させるＢＭＤ濃度は約５×１０５ea／cm２以上にな
る。
の酸素濃度がバルク内部より約５倍以上低くなり、ウェ
ハの表面からバルク方向への無欠陥層の深さは１５〜２
０μｍ以上になり、半導体工程でゲッタリング効果を増
大させるＢＭＤ濃度は約５×１０５ea／cm２以上にな
る。
【００３７】本発明による熱処理方法で製造されるウェ
ハは、半導体デバイス形成領域内に無欠陥層が形成さ
れ、ゲッタリング効果も優れているので、２５６Ｍ級以
上の半導体メモリ素子製造に適したウェハになる。
ハは、半導体デバイス形成領域内に無欠陥層が形成さ
れ、ゲッタリング効果も優れているので、２５６Ｍ級以
上の半導体メモリ素子製造に適したウェハになる。
【図１】本発明に係る高温熱処理方法の実施形態を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】本発明に係る高温熱処理方法の他の実施形態を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図３】本発明によって製造されたウェハの酸素濃度特
性をグラフで示す図である。
性をグラフで示す図である。
【図４】本発明によって製造されたウェハ内の酸素析出
物の分布状態を示す図である。
物の分布状態を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 尹 晟 豪
大韓民国慶尚北道龜尾市臨洙洞 274番
Claims (4)
- 【請求項１】 インゴットを切断、研磨、洗浄してシリ
コンウェハを製造する段階と、 拡散炉内の雰囲気をＡｒ、Ｎ２またはこれらのガスを含
む不活性ガス雰囲気とし、炉にシリコンウェハを入れ、
約５００℃に予熱し維持する段階と、 拡散炉内のガス雰囲気を連続的にＨ２、Ａｒまたはこれ
らのガスを含む不活性ガス雰囲気に変えた上、５００〜
８００℃までは５０〜７０℃／分の速度で昇温し、８０
０〜９００℃までは５０〜１０℃／分の速度で昇温し、
９００〜１０００℃までは１０〜０.５℃／分の速度で
昇温し、１０００〜１２５０℃までは０.１〜０.５℃／
分の速度で昇温する段階と、 昇温段階後、１２００〜１２５０℃で１〜１２０分間高
温維持する段階と、 高温維持段階後、炉内ガス雰囲気を連続的にＡｒ、Ｎ２
またはこれらのガスを含む不活性ガス雰囲気に変え、温
度段階別に１２５０〜１０００℃までは０.１〜０.５℃
／分の速度で降温し、１０００〜９００℃までは１０〜
０.５℃／分の速度で降温し、９００〜８００℃までは
５０〜１０℃／分の速度で降温し、８００〜５００℃ま
では５０〜７０℃／分の速度で降温する段階とを含むこ
とを特徴とするシリコン半導体ウェハの製造方法 。 - 【請求項２】 前記高温維持段階後に１２００℃程度で
約１時間さらに維持する段階を追加することを特徴とす
る請求項１記載のシリコン半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項３】 半導体デバイスが形成される面の表面か
ら深さ約１５μｍまでは無欠陥領域が形成され、 この無欠陥領域よりさらに深部のウェハ内部ではＢＭＤ
濃度が５×１０５ea／cm２以上であることを特徴とする
シリコン半導体ウェハ。 - 【請求項４】 前記ウェハ内部の酸素濃度は前記無欠陥
領域の表面の酸素濃度より２〜５倍程度高いことを特徴
とする請求項３記載のシリコン半導体ウェハ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2001-070062 | 2001-11-12 | ||
| KR10-2001-0070062A KR100423752B1 (ko) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 실리콘 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282577A true JP2003282577A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=19715898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002327248A Pending JP2003282577A (ja) | 2001-11-12 | 2002-11-11 | シリコン半導体ウェハ及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6642123B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003282577A (ja) |
| KR (1) | KR100423752B1 (ja) |
| TW (1) | TW557488B (ja) |
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| JP2006165462A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 固体撮像装置用の半導体基板とその製造方法 |
| JP2008247734A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-16 | Applied Materials Inc | プラズマ反応器部品の製造方法 |
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| US20040176483A1 (en) | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Micron Technology, Inc. | Cellular materials formed using surface transformation |
| DE10205084B4 (de) * | 2002-02-07 | 2008-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe |
| EP1513193A4 (en) * | 2003-02-14 | 2007-02-28 | Sumco Corp | PROCESS FOR PRODUCING A SILICON WAFER |
| US7115480B2 (en) * | 2003-05-07 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Micromechanical strained semiconductor by wafer bonding |
| US7501329B2 (en) | 2003-05-21 | 2009-03-10 | Micron Technology, Inc. | Wafer gettering using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers |
| US7273788B2 (en) * | 2003-05-21 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Ultra-thin semiconductors bonded on glass substrates |
| US6929984B2 (en) | 2003-07-21 | 2005-08-16 | Micron Technology Inc. | Gettering using voids formed by surface transformation |
| KR100531552B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2005-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| KR100573473B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-04-24 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| JP4815801B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-11-16 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法および製造方法および円板状ワークの研磨装置ならびにシリコンウエーハ |
| US7544584B2 (en) | 2006-02-16 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Localized compressive strained semiconductor |
| US20080124924A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Scheme for copper filling in vias and trenches |
| US7977216B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-07-12 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Silicon wafer and fabrication method thereof |
| KR101565794B1 (ko) | 2008-12-16 | 2015-11-05 | 삼성전자주식회사 | 게더링 효과를 향상시킬 수 있는 실리콘 기판 및 실리콘 웨이퍼, 상기 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 |
| TWI593864B (zh) * | 2011-11-11 | 2017-08-01 | Sumco Corp | Semiconductor manufacturing plant |
| DE102014208815B4 (de) * | 2014-05-09 | 2018-06-21 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium |
| JP6254748B1 (ja) * | 2016-11-14 | 2017-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 高光電変換効率太陽電池の製造方法及び高光電変換効率太陽電池 |
| CN109166799A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-08 | 德淮半导体有限公司 | 硅片的制备方法 |
| CN109559988A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-02 | 德淮半导体有限公司 | 硅片的制备方法及装置 |
| CN114182355B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-03-28 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 消除间隙型缺陷B-swirl的方法、硅片及电子器件 |
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| US5788763A (en) * | 1995-03-09 | 1998-08-04 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration |
| KR100319413B1 (ko) * | 1996-12-03 | 2002-01-05 | 고지마 마타오 | 반도체 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| US5994761A (en) | 1997-02-26 | 1999-11-30 | Memc Electronic Materials Spa | Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor |
| TW429478B (en) * | 1997-08-29 | 2001-04-11 | Toshiba Corp | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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- 2001-11-12 KR KR10-2001-0070062A patent/KR100423752B1/ko active IP Right Grant
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- 2002-05-29 US US10/156,180 patent/US6642123B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-05 TW TW091115006A patent/TW557488B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-11 JP JP2002327248A patent/JP2003282577A/ja active Pending
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