TW557488B - Silicon wafer and fabricating method thereof - Google Patents

Silicon wafer and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW557488B
TW557488B TW091115006A TW91115006A TW557488B TW 557488 B TW557488 B TW 557488B TW 091115006 A TW091115006 A TW 091115006A TW 91115006 A TW91115006 A TW 91115006A TW 557488 B TW557488 B TW 557488B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
diffusion furnace
wafer
furnace
atmosphere
Prior art date
Application number
TW091115006A
Other languages
English (en)
Inventor
Young-Hee Mun
Gun Kim
Sung-Ho Yoon
Original Assignee
Siltron Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltron Inc filed Critical Siltron Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW557488B publication Critical patent/TW557488B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

557488 A7 I —-— __ 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明範疇 本發明係關於一種加熱處理方法，特別係關於一種可 減少接近表面區之晶體來源粒子之矽晶圓加熱處理方法。 相關技藝背景 隨著半導體積體電路元件（半導體元件）變成更為高度 记憶體’相對設計法則縮小，造成半導體元件之製造過程 愈來愈困難。如此需要改良晶圓品質來提高半導體元件製 成的良率以及改良製造的半導體元件的可信度。 如此於其上將製造元件之半導體晶圓表面必須不含 缺陷。晶體來源粒子（COPs)於晶體生長期間被導入單一矽 晶體内部，COPs存在矽晶圓表面，造成矽晶圓之電性可信 度低劣。因此曾經多方面努力發展不含C〇ps缺陷的晶圓。 此外需要一種晶圓具有捕捉過渡金屬之獲取裝置，過 渡金屬於半導體元件於晶圓上之製造過程中誘發致命缺 陷。位於晶圓主動元件區的氧沉澱物可能損害元件的操 作。但位於晶圓本體氧沉澱可能捕捉非期望的金屬雜質。 使用位於晶原本體的氧沉澱來捕捉金屬稱作為「獲取」。半 導體元件製造過程中，捕捉過渡金屬之獲取裝置設置於晶 圓’因而留下控制過渡金屬流出電路元件形成區。 「獲取」主要包括本質獲取（IG)以及外來獲取（EG)。 IG已經進行方式為作為獲取位置的本體微缺陷（BMd) 係經由於晶圓製造過程控制間隙氧（Oi)數量而於半導體製 造過程提供BMD。但因半導體元件製造過程之加熱處理溫 本紙張尺度適用巾S Η緒準（CNS) A4規格（210X297公爱） -4"""""""
--------------0^,—— (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 557488 A7 ___ ___B7_ 五、發明說明（2 ) 度傾向於降低，低溫處理造成BMD形成作為獲取位置更為 困難。 同時，EG包括多晶背封（PBS)、背側損傷（BSD)、高能 植入等。 一種製造矽晶圓而其中應用此種獲取構想的方法揭 示於韓國專利公開案第2〇〇 1-0003616號。 曾經報告或研究多層製造晶圓方法，該晶圓具有高密 度氧沉澱缺陷層但於表面區不含長入缺陷。 為了去除表面區的長入缺陷以及製備於晶圓本體之 高密度氧沉澱，曾經多方面努力研究其加熱處理。研究指 出依據加熱處理方式或條件而定對應結果有顯著差異。 例如使用快速熱處理（RTP)時，偶爾出現因RTp溫度造 成的「滑脫」。此外RTP於太短時間内進行，因而幾乎無法 去除由㈣體生長產生的長入缺陷。當使用RTp製造理想晶 圓時，於已經去除晶體生長步驟的長入缺陷後，進rrtp 來加強獲取效果。因而形成高密度難於晶圓本體内部。 因此對基板以及硬體的加熱處理有限制。 至於RTP的替代之道’有一種使用擴散爐之方法。但 此種擴散爐方法根據加熱處理條件而定顯示不同結果，加 熱處理條件例如加熱處理溫度、傾斜向上升高溫度側繪、 周圍氣體等。此外使用擴散爐方法獲得的品質係於爐内溫 度分布有重大關聯，因而經常導致品質不規則。 發明概述 如此本發明係針對一種石夕晶圓及其製造方法其可實 557488 A7 $上免除由於相關技藝的限制及缺點造成-項或多項的門 〇 Λ 本發明之目的係提供一種矽晶圓及其製造方法，該矽 曰日圓於將形成半導體元件之主動區不含COP缺陷、根據氧 辰度而疋於均一深度有裸露區段（DZ)、以及具有一高密 度氧沉澱缺陷層。 _為了達成此等目的及其他優點，根據本發明如此處具 豸說明以及廣義描述之本發明之目的，根據本發明一種製 I ^夕曰曰圓之方法，包括下列步驟：經由切片、研磨及清潔 鑄旋製備碎晶圓m圓嵌人擴散爐，擴散爐具有氯 乳、氮氣以及包括氬氣及氮氣之惰性氣體之一種氣氛；預 熱及維持擴散爐於約500。(：；連續改變氣氛成為氫氣、氬氣 或包括氫氣或氬氣之惰性氣體；藉溫度提升速度5〇〇至8〇〇 °C間為50至70。(：/分鐘，8〇〇至90(rc間為1〇至5〇。〇/分鐘， 900至1〇〇〇 ◦間為〇 5至1〇。〇 /分鐘以及ι〇⑻至丨25〇。〇間為 0.1至0.5 c /分鐘升南擴散爐溫度；維持擴散爐於12〇〇至 1250 C經歷1至120分鐘時間；連續改變擴散爐内部氣氛成 為氬氣、氮氣或包含氫氣及氬氣之惰性氣體氣氛；以及經 由1250至1〇〇〇 c間為0.1至0.5 C/分鐘，1〇〇〇至9〇〇°c間為 | 〇_5至10°C/分鐘，900至800t：間為10至5(TC/分鐘以及800 至500t間為50至7(TC/分鐘之溫度降低速度而將擴散爐溫 度下降至500°C。 較好該方法進一步包括於維持擴散爐於約12〇〇至 1250 C經歷1-120分鐘時間之步驟後，維持擴散爐於約12〇〇 —---—------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格⑵0X297公爱）— "；-
.、可| C-...... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（4 ) °c溫度經歷約一小時時間之步驟。 、本發明之另一方面，一種石夕晶圓具有-石夕本體環繞緣 以及—幾乎彼此平行之平坦面，㈣晶圓包含—裸露區 段，該裸露區段之深度距離—平坦面約15微米，A中衫 在有氧沉殿’以及抑本體於裸露區段下方之獲取區，1 :BMD晶格漠度至少為5χ 平方厘米，梦本體内部氧 濃度較好比裸露區段頂面之氧濃度高2至5倍。 需了解前文概略說明以及後文詳細言兒明部份僅供舉 例說明及解釋之用’意圖對申請專利之發明提供進-步解 其他本發明之優點、目的及特點部份將陳述於後文說 明’部分由熟諸技藝人士研讀後文將㈣自明，或可由本 發明之實施中習得。本發明之目的及其他優點可由書面說 明及申請專利範圍以及附圖特別指示的結構實現與達成。 圖式之簡要說明 、涵括附圖係為了進—步了解本發明且結合於本案構 成本案之—部份’附圖舉例說明本發明之具體實施例，連 同說明部份用來解釋本發明之原理。附圖中： 第1圖顯示根據本發明之具體實施例之高溫加熱處理 線圖； 第2圖頌不根據本發明之另一具體實施例之高溫加熱 處理線圖； 第3圖顯示根據本發明之晶圓氧濃度之線圖；以及 第4圖顯示根據本發明之晶圓氧沉澱之略圖；
本紙張尺度適财關家標準（咖）A4規格⑵_7公爱) 557488 五、發明説明（ 性 發明之詳細說明 現在將對本發明之較佳具體實施例之細 範例聚例說明於附圖。 。β“ 士:先，經由切片石夕鑄旋而製備晶圓，當鑄旋被切片 時，晶圓表面不均勻因而粗糙。 為了讓此種晶圓粗糙面變光滑及均勻，於晶圓之不均 :、上進行磨光」《「研磨」讓表面變相對均句。二 然後進行清潔處理，俾便去除於「研磨」期間附著於 表面粒子及污染物。 此種清潔處理使用SC1清潔溶液（ΝΗ4〇ί^ η2〇2 : =1:5)。此外可加入使用氫氟酸溶液之清潔過程。2 隨後於晶圓主動區於預定深度形成裸露區段，然後於 晶圓進行加熱處理，形成後來欲用作為獲取位置的BMD、 格。此種加熱處理造成晶格生長，形成高密度BMD，高從 度BMD可去除由晶體生長產生的長入缺陷以及獲取金屬 粒子、生長、因而製造理想晶圓。 第1圖顯示根據本發明之-具體實施例之高溫加熱處 理線圖。 參照第1圖，爐内氣氛係以氬氣、氮氣或包 氮氣之惰氣氣體氣氛維射，將晶圓饋進爐内。隨後將盧 預熱製約500°C。 卜隨後爐氣氛變更為氫氣/氬氣或包括氫氣/氬氣之惰 軋體。然後於晶圓上藉加熱處理進行高溫加熱處理。 為了控制氧沉澱粒子，氧沉澱粒子對晶圓品質特性造 本紙張尺度適财關家標準（⑽A4規格（21GX297公釐） 曰曰 密
•訂— €:· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 557488 A7 _ B7 _ 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成重大影響，此種高溫加熱處理之進行方式為，於氣體混 合氫氣及惰性氣體之氣氛下，於每個特定加熱處理間隔時 間藉由變更溫度升高速度及降低速度而將溫度提升至1200 °C至1250°C，以及隨後於惰性氣體周圍氣氛進行加熱處理 經歷1分鐘至120分鐘時間。 由預熱溫度提升溫度之過程係以讓各步驟溫度可作 妥適調整之方式進行。換言之500至800°C間溫度提升速度 設定為50至70°C/分鐘，800至900°C間設定為1〇至50°C/分 鐘，900至1000 °C間設定為〇·5至10 °C /分鐘，以及1〇〇〇至 1250°C間設定為0.1至〇.5°C/分鐘。 於溫度升高處理後，爐溫於1200至1250°C之加熱處理 間隔期間維持1至120分鐘。於此間隔維持時間係根據控制 晶圓之不含COP之深度以及氧沉澱密度之目的設定。 於爐内氣體氣氛改變成氬氣/氮氣或包括氬氣/氮氣之 惰性氣體後，開始降溫過程。於此降溫過程中，溫度降低 速度設定為1250至1000°C間設定為〇·1至〇.5°C/分鐘，1〇〇〇 至900t間設定為〇.5至10°C/分鐘，900至800°C間設定為1〇 至50°C/分鐘以及800至500°C間設定為50至70°C/分鐘。 第2圖顯示根據本發明之另一具體實施例之高溫加熱 處理線圖。 參照第2圖，同第1圖之進行方式，爐於氬氣、氮氣或 包括氬氣及氮氣之惰性氣體氣氛下被預熱至約5〇〇°C。爐内 氣體氣氛改變成氫氣、氬氣或包括氫氣及氬氣之惰性氣體 後，藉加熱晶圓進行高溫加熱處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 557488 A7 ___ _B7_ 五、發明説明（7 ) 本例中’溫度的升高係以變更各溫度階段之溫度提升 速度進行。換言之於500_80(TC間溫度提升速度設定為 50-70°C/分鐘，800-900°C 間設定為 10-50°C/分鐘，900-1000 °C間設定為0.5-10 °C /分鐘以及1000-1250 °C間設定為 0· 1-0.5 °c/分鐘。於此種溫度提升步驟後，爐溫維持於 1200-1250°C加熱處理間隔經歷ι_12〇分鐘時間。溫度升高 方法如同第1圖所示般有效。 於溫度維持時間後，維持爐内氣體氣氛下的溫度係以 0.1-0.5°C/分鐘之降溫速度降至1200X：。於1200°C之狀態維 持約一小時。 將爐内維持於相同氣氛下，再度降低溫度。至於各溫 度階段’溫度的減低係以1250至1000X：間0.1-0.5。(：/分鐘之 降溫速度，1000至900°c間0.5-HTC/分鐘之降溫速度，900 至800 C間10-50 °C /分鐘之降溫速度以及800至500 間 0.5-70°C/分鐘之降溫速度。最後溫度降至5〇〇°c。 本發明方法中溫度升高速度及溫度降低速度設定為 慢速，藉此將加熱處理過程中對晶圓造成的熱震減至最低。 除了溫度的變化緩慢之外，加熱處理進行時間相當 I 長’藉此去除晶圓表面的晶體缺陷。於晶圓中呈點缺陷的 空位聚集因而產生空隙及氧沉澱（si0x)。此種缺陷與氣氛 I 氣體反應而擴散入表面。間隙碎原子移動至空隙而重新被 整合，因而結晶結構重新分布。於此種機轉，氧化物粒子 在度分割成為氧氣及石夕’因而氧原子由晶體結構中被提取 出’以及矽原子進入空隙内部。如此重整晶體。因而由晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公酱） 10
C-! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、可I 557488 A7 I-------- -B7 五、發明説明（8 ) "~~~" - 目表面至預定深度形成不含晶體缺陷區，同時來自被提取 纟氧原子及BMD晶格聚集成為小型晶格而存在於晶圓深 I 處彳立置。 第3圖顯示根據本發明晶圓之氧濃度線圖。 參照第3圖，顯示藉本發明製造之晶圓表面與預定深 1間之乳濃度線圖。由表面至約15微米深度之氧濃度大減 至低於晶圓本體氧濃度平均值。 第4圖顯示根據本發明晶圓之氧沉澱之略圖。 參照第4圖，裸露區段出現於表面至約2〇微米深度 間。此外，具有晶格密度量至少5x 105ea/平方厘米之多數 BMDS形成於裸露區段下方。各個bmd變成元件製造過程 中捕捉金屬的一個獲取位置。 I 此種加熱處理後，晶圓溫度根據一般製程降至室溫。 然後進行磨光及最終清潔處理。 如此藉本發明方法製造之晶圓具有不含COP缺陷之第 區7丨於表面與晶圓正面之預定深度（約20微米）間，於該 晶圓正面將製造半導體元件，以及具有含多數BMD晶格之 | 第二區於第一區下方。 根據本發明之晶圓，晶圓表面氧濃度比晶圓本體内側 氧濃度低五倍，於本體方向裸露區段距晶圓表面深度至少 15至20微米，提高半導體製程之獲取效果之bmd濃度至少 為5x l〇5ea/平方厘米。 因此根據本發明藉加熱處理製造的晶圓具有裸露區 段於半^體元件形成區，也提供絕佳獲取效果，因而適合 本紙張尺度適用中國Η家標準（CNS) A4規格（21〇\297公^·) ' ~
----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 557488 ________B7__ 五、發明説明（9 ) 用於製造半導體記憶體元件。 前述具體實施例僅供舉例說明之用而非視為囿限本 發明之範圍。本教示方便應用至其他類型裝置。本發明之 說明僅供舉例說明之用而非視為囿限申請專利範圍之範 圍。熟諳技藝人士顯然可作出多種替代、修改之變更。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 12

Claims (1)

  1. 557488 、申請專利範園 2. 3. -種製造矽晶圓之方法，包括下列步驟： 經由切片、研磨及清潔鑄錠製備矽晶圓； 將矽晶圓嵌入擴散爐，擴散爐具有氬氣、氮氣以 及包括氬氣及氮氣之惰性氣體之一種氣氛； 預熱及維持擴散爐於約5〇(rc ; 連績改變氣氛成為氫氣、1氣或包括1氣或氛氣 之惰性氣體； 藉溫度提升速度500至800。(：間為5〇至7(rc/* 釦8〇〇至900 (：間為1〇至50。〔〕/分鐘，9〇〇至1〇〇〇。〇間 為0.5至1(TC/分鐘以及1000至125〇。〇間為〇丨至〇 5Ό/ 分鐘升高擴散爐溫度； 維持擴政爐於1200至1250 °C經歷1至12〇分鐘時 間； 連續改變擴散爐内部氣氛成為氬氣、氮氣或包含 氫氣及氬氣之惰性氣體氣氛；以及 經由1250至1〇〇〇 C間為0.1至〇.5°C/分鐘，1〇〇〇至900°C 間為 0.5至 10°C/分鐘，900至 800°C 間為 1〇至 5〇。〔 /分鐘以及800至500°C間為50至7(TC /分鐘之溫度降低 速度而將擴散爐溫度下降至500°C。 如申凊專利範圍第1項之方法，進一步包含於維持擴 散爐於約1200至1250 °c經歷1-120分鐘時間之步驟 後，維持擴散爐於約1200°C溫度經歷約一小時時間之 步驟。 一種具有石夕本體環繞邊緣以及二幾乎彼此平行之平 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐）
    訂丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) t 557488 A8 B8 C8 D8六、申請專利範園 坦面之矽晶圓，該晶圓包含： 一裸露區段，其距一平坦面深度約15微米，其中 不存在有氧沉澱物，及 一獲取區，其係於矽本體内於裸露區段下方， 其中BMD晶格濃度至少為5x 105ea/平方厘米。 4. 如申請專利範圍第3項之矽晶圓，其中矽本體内部之 氧濃度係比裸露區段頂面之氧濃度高2至5倍。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 14
TW091115006A 2001-11-12 2002-07-05 Silicon wafer and fabricating method thereof TW557488B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0070062A KR100423752B1 (ko) 2001-11-12 2001-11-12 실리콘 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW557488B true TW557488B (en) 2003-10-11

Family

ID=19715898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091115006A TW557488B (en) 2001-11-12 2002-07-05 Silicon wafer and fabricating method thereof

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6642123B2 (zh)
JP (1) JP2003282577A (zh)
KR (1) KR100423752B1 (zh)
TW (1) TW557488B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI382894B (zh) * 2004-12-28 2013-01-21 Shinetsu Handotai Kk Silicon wafer grinding method and manufacturing method and disc-like work piece grinding device, and silicon wafer
TWI593864B (zh) * 2011-11-11 2017-08-01 Sumco Corp Semiconductor manufacturing plant

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040176483A1 (en) 2003-03-05 2004-09-09 Micron Technology, Inc. Cellular materials formed using surface transformation
DE10205084B4 (de) * 2002-02-07 2008-10-16 Siltronic Ag Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe
KR100766393B1 (ko) * 2003-02-14 2007-10-11 주식회사 사무코 규소 웨이퍼의 제조방법
US7115480B2 (en) * 2003-05-07 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Micromechanical strained semiconductor by wafer bonding
US7273788B2 (en) * 2003-05-21 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Ultra-thin semiconductors bonded on glass substrates
US7501329B2 (en) 2003-05-21 2009-03-10 Micron Technology, Inc. Wafer gettering using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers
US6929984B2 (en) 2003-07-21 2005-08-16 Micron Technology Inc. Gettering using voids formed by surface transformation
KR100531552B1 (ko) * 2003-09-05 2005-11-28 주식회사 하이닉스반도체 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법
JP2005223293A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp シリコンウェーハの熱処理方法およびシリコンウェーハ
KR100573473B1 (ko) * 2004-05-10 2006-04-24 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법
JP4667030B2 (ja) * 2004-12-10 2011-04-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置用の半導体基板とその製造方法
US7544584B2 (en) 2006-02-16 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Localized compressive strained semiconductor
US20080124924A1 (en) * 2006-07-18 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Scheme for copper filling in vias and trenches
US7942965B2 (en) * 2007-03-19 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method of fabricating plasma reactor parts
US7977216B2 (en) * 2008-09-29 2011-07-12 Magnachip Semiconductor, Ltd. Silicon wafer and fabrication method thereof
KR101565794B1 (ko) 2008-12-16 2015-11-05 삼성전자주식회사 게더링 효과를 향상시킬 수 있는 실리콘 기판 및 실리콘 웨이퍼, 상기 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법
DE102014208815B4 (de) * 2014-05-09 2018-06-21 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium
WO2018087794A1 (ja) * 2016-11-14 2018-05-17 信越化学工業株式会社 高光電変換効率太陽電池の製造方法及び高光電変換効率太陽電池
CN109166799A (zh) * 2018-09-05 2019-01-08 德淮半导体有限公司 硅片的制备方法
CN109559988A (zh) * 2018-11-30 2019-04-02 德淮半导体有限公司 硅片的制备方法及装置
CN114182355B (zh) * 2021-11-30 2023-03-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 消除间隙型缺陷B-swirl的方法、硅片及电子器件

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3022044B2 (ja) * 1993-04-09 2000-03-15 東芝セラミックス株式会社 シリコンウエハの製造方法およびシリコンウエハ
US5788763A (en) * 1995-03-09 1998-08-04 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration
KR100319413B1 (ko) * 1996-12-03 2002-01-05 고지마 마타오 반도체 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 반도체 디바이스의 제조 방법
US5994761A (en) 1997-02-26 1999-11-30 Memc Electronic Materials Spa Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
TW429478B (en) * 1997-08-29 2001-04-11 Toshiba Corp Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO1999057344A1 (fr) * 1998-05-01 1999-11-11 Nippon Steel Corporation Plaquette de semi-conducteur en silicium et son procede de fabrication
EP1110240B1 (en) * 1998-09-02 2006-10-25 MEMC Electronic Materials, Inc. Process for preparing an ideal oxygen precipitating silicon wafer
US6573159B1 (en) * 1998-12-28 2003-06-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for thermally annealing silicon wafer and silicon wafer
KR100309462B1 (ko) * 1999-02-22 2001-09-26 김영환 반도체 소자의 웨이퍼 및 그 제조방법
KR20010003616A (ko) * 1999-06-24 2001-01-15 김영환 실리콘 웨이퍼 제조방법
US20020185053A1 (en) * 2001-05-24 2002-12-12 Lu Fei Method for calibrating nanotopographic measuring equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI382894B (zh) * 2004-12-28 2013-01-21 Shinetsu Handotai Kk Silicon wafer grinding method and manufacturing method and disc-like work piece grinding device, and silicon wafer
TWI593864B (zh) * 2011-11-11 2017-08-01 Sumco Corp Semiconductor manufacturing plant

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030039122A (ko) 2003-05-17
US6642123B2 (en) 2003-11-04
US20030089967A1 (en) 2003-05-15
JP2003282577A (ja) 2003-10-03
KR100423752B1 (ko) 2004-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW557488B (en) Silicon wafer and fabricating method thereof
JP4681063B2 (ja) 内部ゲッタリング性の改良された熱アニーリングされたウエハ
US6537655B2 (en) Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof
JP4331593B2 (ja) 半導体材料からなるフィルムまたは層およびフィルムまたは層の製造方法
TW468278B (en) Semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor substrate
JP2009094533A (ja) 非酸素析出性のチョクラルスキーシリコンウエハの製造方法
CN102168314B (zh) 直拉硅片的内吸杂工艺
JP6044660B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP2004533125A (ja) イオン注入によるイントリンシックゲッタリングを有するシリコン・オン・インシュレータ構造体を製造する方法
JP5251137B2 (ja) 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法
JP6671436B2 (ja) 熱処理により不活性な酸素析出核を活性化する高析出密度ウエハの製造
US6263704B1 (en) Quartz glass, heat treating apparatus using quartz glass, and heat treating method
US6273944B1 (en) Silicon wafer for hydrogen heat treatment and method for manufacturing the same
TW591129B (en) Single crystalline silicon wafer, ingot and producing method thereof
JP2010287885A (ja) シリコンウェーハおよびその製造方法
US6538285B2 (en) Silicon wafer
JP2005123241A (ja) シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ
JP2010041000A (ja) 窒素ドープシリコンウェーハの製造方法及び該方法により得られる窒素ドープシリコンウェーハ
CN105977152A (zh) 〈311〉直拉硅片的一种热处理方法
JP2004072066A (ja) アニールウェーハの製造方法
JP5211550B2 (ja) シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP2004063685A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10144696A (ja) シリコンウエーハ及びその製造方法
JPS6344731A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0493031A (ja) シリコン半導体基板

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent