JP2003273581A - Ｆｐｃ基板用の搬送パレット及びｆｐｃ基板への半導体チップ実装方法 - Google Patents
Ｆｐｃ基板用の搬送パレット及びｆｐｃ基板への半導体チップ実装方法Info
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- JP2003273581A JP2003273581A JP2002072756A JP2002072756A JP2003273581A JP 2003273581 A JP2003273581 A JP 2003273581A JP 2002072756 A JP2002072756 A JP 2002072756A JP 2002072756 A JP2002072756 A JP 2002072756A JP 2003273581 A JP2003273581 A JP 2003273581A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 作業効率よく経済的にＦＰＣ基板へ半導体チ
ップを実装できるＦＰＣ基板用の搬送パレットを提供す
る。 【解決手段】 搬送パレット１１は、補強板としての非
伸縮性の支持体１２と、動的粘弾性測定により周波数１
０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が
５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるシ
リコーンエラストマー層１３との積層板として形成され
ている。シリコーンエラストマー層１３を構成するシリ
コーンエラストマーはシロキサン骨格を有するポリオル
ガノシロキサンを架橋することにより得られている。シ
リコーンエラストマー層１３の目的のせん断弾性率Ｇ’
は、ポリオルガノシロキサンの種類、分子量、補強性フ
ィラーなど、シリコーンエラストマーの組成と架橋度を
適当に調整することによって得られる。
ップを実装できるＦＰＣ基板用の搬送パレットを提供す
る。 【解決手段】 搬送パレット１１は、補強板としての非
伸縮性の支持体１２と、動的粘弾性測定により周波数１
０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が
５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるシ
リコーンエラストマー層１３との積層板として形成され
ている。シリコーンエラストマー層１３を構成するシリ
コーンエラストマーはシロキサン骨格を有するポリオル
ガノシロキサンを架橋することにより得られている。シ
リコーンエラストマー層１３の目的のせん断弾性率Ｇ’
は、ポリオルガノシロキサンの種類、分子量、補強性フ
ィラーなど、シリコーンエラストマーの組成と架橋度を
適当に調整することによって得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＰＣ基板用の搬
送パレット及びＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法に
係り、詳しくはＦＰＣ基板に半導体チップを実装すると
きに使用するＦＰＣ基板用の搬送パレット及びＦＰＣ基
板への半導体チップ実装方法に関する。
送パレット及びＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法に
係り、詳しくはＦＰＣ基板に半導体チップを実装すると
きに使用するＦＰＣ基板用の搬送パレット及びＦＰＣ基
板への半導体チップ実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＰＣ基板（Flexible Printed Circuit
基板）は厚みが薄く、柔軟性に富んでいるために近年、
小型電子機器の回路を構成する基材として中心的な役割
を果たしている。しかし、ＦＰＣ基板は強度、平坦度、
熱収縮性等の特性から、半導体チップの実装について
は、紙フェノール基板やガラスエポキシ基板と同様に取
り扱うことができない。このため、ステンレス材等で作
成された搬送パレットの上に、ＦＰＣ基板を位置決めし
て接着テープで貼り付け、ステンレス板を補強板として
使用することによって半導体チップを実装する方法が採
用されている。また、特開平９−２３７９９５号公報に
は粘着剤でＦＰＣ基板を搬送パレットに仮固定すること
が開示されている。
基板）は厚みが薄く、柔軟性に富んでいるために近年、
小型電子機器の回路を構成する基材として中心的な役割
を果たしている。しかし、ＦＰＣ基板は強度、平坦度、
熱収縮性等の特性から、半導体チップの実装について
は、紙フェノール基板やガラスエポキシ基板と同様に取
り扱うことができない。このため、ステンレス材等で作
成された搬送パレットの上に、ＦＰＣ基板を位置決めし
て接着テープで貼り付け、ステンレス板を補強板として
使用することによって半導体チップを実装する方法が採
用されている。また、特開平９−２３７９９５号公報に
は粘着剤でＦＰＣ基板を搬送パレットに仮固定すること
が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＦＰＣ基板
を搬送パレットに位置決めして接着テープで貼るという
作業は手作業となるため、作業効率が低下するという問
題がある。また、接着テープを剥がした後の糊残りは品
質上好ましくない。また、接着テープは使い捨てで使用
するので経済的に好ましくないという問題がある。
を搬送パレットに位置決めして接着テープで貼るという
作業は手作業となるため、作業効率が低下するという問
題がある。また、接着テープを剥がした後の糊残りは品
質上好ましくない。また、接着テープは使い捨てで使用
するので経済的に好ましくないという問題がある。
【０００４】本発明はかかる背景のもとになされたもの
であって、その目的は、作業効率よく経済的にＦＰＣ基
板へ半導体チップを実装できるＦＰＣ基板用の搬送パレ
ット及びＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法を提供す
ることにある。
であって、その目的は、作業効率よく経済的にＦＰＣ基
板へ半導体チップを実装できるＦＰＣ基板用の搬送パレ
ット及びＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の発明では、非伸縮性の支持体
と、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°
Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜
５．０×１０6Ｐａの範囲にあるシリコーンエラストマ
ーとの積層板からなる。
めに、請求項１に記載の発明では、非伸縮性の支持体
と、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°
Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜
５．０×１０6Ｐａの範囲にあるシリコーンエラストマ
ーとの積層板からなる。
【０００６】この発明では、シリコーンエラストマーの
粘着性を利用して、接着テープ無しでＦＰＣ基板を搬送
パレットに密着できる。また、接着テープを使わないた
めＦＰＣ基板を搬送パレットから除去しても糊残りがな
い。また、シリコーンエラストマーは耐熱性に優れるた
め、本搬送パレットは繰り返し使用できる。
粘着性を利用して、接着テープ無しでＦＰＣ基板を搬送
パレットに密着できる。また、接着テープを使わないた
めＦＰＣ基板を搬送パレットから除去しても糊残りがな
い。また、シリコーンエラストマーは耐熱性に優れるた
め、本搬送パレットは繰り返し使用できる。
【０００７】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記シリコーンエラストマーは、Ｊ
ＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した熱伝導率が０．
４Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。例えば熱伝導率が低すぎる
と、実装時の加熱工程において搬送パレット上に温度む
らが発生する虞がある。しかし、この発明ではシリコー
ンエラストマーの熱伝導率が高いため、実装時の加熱工
程において搬送パレット上に温度むらが発生することを
防止できる。
載の発明において、前記シリコーンエラストマーは、Ｊ
ＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した熱伝導率が０．
４Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。例えば熱伝導率が低すぎる
と、実装時の加熱工程において搬送パレット上に温度む
らが発生する虞がある。しかし、この発明ではシリコー
ンエラストマーの熱伝導率が高いため、実装時の加熱工
程において搬送パレット上に温度むらが発生することを
防止できる。
【０００８】請求項３に記載の発明では、請求項１又は
請求項２に記載の発明において、前記シリコーンエラス
トマーは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探針法で
測定した体積抵抗率が１．０×１０10Ω・ｃｍ以下であ
る。例えばシリコーンエラストマーの体積抵抗率が高す
ぎると、静電気によりシリコーンエラストマーの表面に
埃が付着し易くなる虞がある。しかし、この発明ではシ
リコーンエラストマーの体積抵抗率が低いため、導電性
が良くなり、静電気による埃の付着を防止できる。
請求項２に記載の発明において、前記シリコーンエラス
トマーは、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探針法で
測定した体積抵抗率が１．０×１０10Ω・ｃｍ以下であ
る。例えばシリコーンエラストマーの体積抵抗率が高す
ぎると、静電気によりシリコーンエラストマーの表面に
埃が付着し易くなる虞がある。しかし、この発明ではシ
リコーンエラストマーの体積抵抗率が低いため、導電性
が良くなり、静電気による埃の付着を防止できる。
【０００９】請求項４に記載の発明では、請求項１〜請
求項３のいずれか一項に記載の発明において、ＦＰＣ基
板との位置合わせ用の孔又は凹部が形成されている。こ
の発明では、ＦＰＣ基板を搬送パレットの所定位置に例
えばピン等で容易に位置合わせできる。
求項３のいずれか一項に記載の発明において、ＦＰＣ基
板との位置合わせ用の孔又は凹部が形成されている。こ
の発明では、ＦＰＣ基板を搬送パレットの所定位置に例
えばピン等で容易に位置合わせできる。
【００１０】請求項５に記載の発明では、請求項１〜請
求項４のいずれか一項に記載の発明において、実装装置
の載置部との位置合わせ用の孔明け加工が施されてい
る。この発明では、搬送パレットを実装装置の載置部の
所定位置に例えばピン等で容易に位置合わせできる。
求項４のいずれか一項に記載の発明において、実装装置
の載置部との位置合わせ用の孔明け加工が施されてい
る。この発明では、搬送パレットを実装装置の載置部の
所定位置に例えばピン等で容易に位置合わせできる。
【００１１】請求項６に記載の発明では、請求項１〜請
求項５のいずれか一項に記載の発明において、前記非伸
縮性の支持体がステンレス板、アルミニウム板、マグネ
シウム合金板、ガラス繊維含浸エポキシ板及びガラス繊
維含浸ポリエステル板のいずれか一つからなる。この発
明では、入手しやすい板で非伸縮性の支持体を形成でき
る。
求項５のいずれか一項に記載の発明において、前記非伸
縮性の支持体がステンレス板、アルミニウム板、マグネ
シウム合金板、ガラス繊維含浸エポキシ板及びガラス繊
維含浸ポリエステル板のいずれか一つからなる。この発
明では、入手しやすい板で非伸縮性の支持体を形成でき
る。
【００１２】請求項７に記載の発明では、請求項１〜請
求項６のいずれか一項に記載の搬送パレットを使用し、
そのシリコーンエラストマーの粘着性を利用してＦＰＣ
基板を密着固定した後、そのＦＰＣ基板に半導体チップ
を実装する。この発明では、接着テープを使用せずにＦ
ＰＣ基板を固定でき、作業効率よく経済的にＦＰＣ基板
へ半導体チップを実装できる。
求項６のいずれか一項に記載の搬送パレットを使用し、
そのシリコーンエラストマーの粘着性を利用してＦＰＣ
基板を密着固定した後、そのＦＰＣ基板に半導体チップ
を実装する。この発明では、接着テープを使用せずにＦ
ＰＣ基板を固定でき、作業効率よく経済的にＦＰＣ基板
へ半導体チップを実装できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明を具体化した第１の実施の形態を図１及び図２に従っ
て説明する。
明を具体化した第１の実施の形態を図１及び図２に従っ
て説明する。
【００１４】図１（ｂ）は搬送パレットの模式平面図を
示し、図１（ａ）は図１（ｂ）のＩＡ−ＩＡ線模式断面
図を示す。図１（ａ）に示すように、搬送パレット１１
は、補強板としての非伸縮性の支持体１２と、シリコー
ンエラストマー層１３との積層板として形成されてい
る。この実施の形態では、非伸縮性の支持体１２はアル
ミニウム板（アルミ板）である。
示し、図１（ａ）は図１（ｂ）のＩＡ−ＩＡ線模式断面
図を示す。図１（ａ）に示すように、搬送パレット１１
は、補強板としての非伸縮性の支持体１２と、シリコー
ンエラストマー層１３との積層板として形成されてい
る。この実施の形態では、非伸縮性の支持体１２はアル
ミニウム板（アルミ板）である。
【００１５】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、搬送パ
レット１１には、実装装置の載置部との位置合わせ用孔
１４と、ＦＰＣ基板１５（図１（ｂ）で二点鎖線で図
示）との位置合わせ用孔１６とが形成されている。位置
合わせ用孔１４は、搬送パレット１１の長手方向の両端
部に形成されており、非伸縮性の支持体１２及びシリコ
ーンエラストマー層１３を貫通している。位置合わせ用
孔１６も非伸縮性の支持体１２及びシリコーンエラスト
マー層１３を貫通している。位置合わせ用孔１６は搬送
パレット１１に複数形成されている。この実施の形態で
は、搬送パレット１１の面積は、例えばＦＰＣ基板１５
を６枚密着可能な広さになっている。位置合わせ用孔１
６は、その一対が、ＦＰＣ基板の一方の対角線上の角部
に対応する位置に形成されている。
レット１１には、実装装置の載置部との位置合わせ用孔
１４と、ＦＰＣ基板１５（図１（ｂ）で二点鎖線で図
示）との位置合わせ用孔１６とが形成されている。位置
合わせ用孔１４は、搬送パレット１１の長手方向の両端
部に形成されており、非伸縮性の支持体１２及びシリコ
ーンエラストマー層１３を貫通している。位置合わせ用
孔１６も非伸縮性の支持体１２及びシリコーンエラスト
マー層１３を貫通している。位置合わせ用孔１６は搬送
パレット１１に複数形成されている。この実施の形態で
は、搬送パレット１１の面積は、例えばＦＰＣ基板１５
を６枚密着可能な広さになっている。位置合わせ用孔１
６は、その一対が、ＦＰＣ基板の一方の対角線上の角部
に対応する位置に形成されている。
【００１６】シリコーンエラストマー層１３を構成する
シリコーンエラストマーは、次に示すようなシロキサン
骨格を有するポリオルガノシロキサンを架橋することに
より得られるエラストマーである。
シリコーンエラストマーは、次に示すようなシロキサン
骨格を有するポリオルガノシロキサンを架橋することに
より得られるエラストマーである。
【００１７】
【化１】
このシリコーンエラストマーは、Ｒのすべてがメチル基
であるポリジメチルシロキサンをはじめ、メチル基の一
部が他のアルキル基、ビニル基、フェニル基、フルオロ
アルキル基などの一種あるいはそれ以上と置換された各
種のポリオルガノシロキサンを単独あるいは２種類以上
ブレンドしたものである。
であるポリジメチルシロキサンをはじめ、メチル基の一
部が他のアルキル基、ビニル基、フェニル基、フルオロ
アルキル基などの一種あるいはそれ以上と置換された各
種のポリオルガノシロキサンを単独あるいは２種類以上
ブレンドしたものである。
【００１８】架橋方法は特に限定されるものではなく、
従来より公知の方法が適用できる。例えば、ポリオルガ
ノシロキサンのメチル基あるいはビニル基をラジカル反
応で架橋する方法が挙げられる。また、シラノール末端
ポリオルガノシロキサンと、加水分解可能な官能基を有
するシラン化合物との縮合反応で架橋する方法や、ビニ
ル基へのヒドロシリル基の付加反応で架橋する方法など
が挙げられる。
従来より公知の方法が適用できる。例えば、ポリオルガ
ノシロキサンのメチル基あるいはビニル基をラジカル反
応で架橋する方法が挙げられる。また、シラノール末端
ポリオルガノシロキサンと、加水分解可能な官能基を有
するシラン化合物との縮合反応で架橋する方法や、ビニ
ル基へのヒドロシリル基の付加反応で架橋する方法など
が挙げられる。
【００１９】シリコーンエラストマー層１３と非伸縮性
の支持体１２との接着は、一般にシリコーンエラストマ
ー層と他の材料との接合法として実施されている公知の
方法による。この実施の形態では、非伸縮性の支持体１
２に適当なプライマー処理を施した後、未架橋のシリコ
ーンエラストマー層を形成して、いわゆる加硫接着させ
ている。
の支持体１２との接着は、一般にシリコーンエラストマ
ー層と他の材料との接合法として実施されている公知の
方法による。この実施の形態では、非伸縮性の支持体１
２に適当なプライマー処理を施した後、未架橋のシリコ
ーンエラストマー層を形成して、いわゆる加硫接着させ
ている。
【００２０】シリコーンエラストマー層１３は、動的粘
弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定し
たせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１
０6Ｐａの範囲にあるように形成されている。
弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定し
たせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１
０6Ｐａの範囲にあるように形成されている。
【００２１】せん断弾性率Ｇ’が低すぎると、シリコー
ンエラストマーが軟らかすぎてシリコーンエラストマー
層１３とＦＰＣ基板１５との密着力が大きく、ＦＰＣ基
板１５の取り外しが困難となる。反対にせん断弾性率
Ｇ’が高すぎると、シリコーンエラストマーが硬過ぎ
て、シリコーンエラストマー層１３とＦＰＣ基板１５と
の密着力が小さく、ＦＰＣ基板の位置決めが困難とな
る。せん断弾性率Ｇ’が上記の範囲にあるようにシリコ
ーンエラストマー層１３を形成することにより、シリコ
ーンエラストマー層１３は、その密着力を適切な大きさ
にできる。シリコーンエラストマー層１３の目的のせん
断弾性率Ｇ’は、ポリオルガノシロキサンの種類、分子
量、補強性フィラーなど、シリコーンエラストマーの組
成と架橋度を適当に調整することによって得られる。
ンエラストマーが軟らかすぎてシリコーンエラストマー
層１３とＦＰＣ基板１５との密着力が大きく、ＦＰＣ基
板１５の取り外しが困難となる。反対にせん断弾性率
Ｇ’が高すぎると、シリコーンエラストマーが硬過ぎ
て、シリコーンエラストマー層１３とＦＰＣ基板１５と
の密着力が小さく、ＦＰＣ基板の位置決めが困難とな
る。せん断弾性率Ｇ’が上記の範囲にあるようにシリコ
ーンエラストマー層１３を形成することにより、シリコ
ーンエラストマー層１３は、その密着力を適切な大きさ
にできる。シリコーンエラストマー層１３の目的のせん
断弾性率Ｇ’は、ポリオルガノシロキサンの種類、分子
量、補強性フィラーなど、シリコーンエラストマーの組
成と架橋度を適当に調整することによって得られる。
【００２２】ＦＰＣ基板１５への半導体チップの実装工
程では、概略２００°Ｃ〜２４０°Ｃ、最近の脱鉛半田
の場合は２８０°Ｃ程度まで温度が上昇する可能性があ
る。このため、シリコーンエラストマー層１３はせん断
弾性率Ｇ’等の物性値がこれらの温度まで上記の範囲に
あることが望ましい。
程では、概略２００°Ｃ〜２４０°Ｃ、最近の脱鉛半田
の場合は２８０°Ｃ程度まで温度が上昇する可能性があ
る。このため、シリコーンエラストマー層１３はせん断
弾性率Ｇ’等の物性値がこれらの温度まで上記の範囲に
あることが望ましい。
【００２３】次に、上記構成の搬送パレット１１を使用
したＦＰＣ基板１５への半導体チップ実装方法を説明す
る。図２に示すように、実装装置の載置部３１には、搬
送パレット１１の位置合わせ用孔１４と対応するように
凹部３２が形成されている。搬送パレット１１は、非伸
縮性の支持体１２を実装装置の載置部３１と向かい合わ
せて実装装置の載置部３１上に配置する。そして、ピン
３３を位置合わせ用孔１４に貫通させて凹部３２に係合
させることにより、実装装置の載置部３１に対して搬送
パレット１１を位置合わせして取り付ける。
したＦＰＣ基板１５への半導体チップ実装方法を説明す
る。図２に示すように、実装装置の載置部３１には、搬
送パレット１１の位置合わせ用孔１４と対応するように
凹部３２が形成されている。搬送パレット１１は、非伸
縮性の支持体１２を実装装置の載置部３１と向かい合わ
せて実装装置の載置部３１上に配置する。そして、ピン
３３を位置合わせ用孔１４に貫通させて凹部３２に係合
させることにより、実装装置の載置部３１に対して搬送
パレット１１を位置合わせして取り付ける。
【００２４】ＦＰＣ基板１５には、位置合わせ用孔１６
と対応する位置に貫通孔３４が形成されている。貫通孔
３４及び位置合わせ用孔１６をピン３５で貫通すること
によりＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１に位置合わせ
し、せん断弾性率Ｇ’が上記の範囲にあるシリコーンエ
ラストマー層１３の密着力によりＦＰＣ基板１５を搬送
パレット１１に固定する。
と対応する位置に貫通孔３４が形成されている。貫通孔
３４及び位置合わせ用孔１６をピン３５で貫通すること
によりＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１に位置合わせ
し、せん断弾性率Ｇ’が上記の範囲にあるシリコーンエ
ラストマー層１３の密着力によりＦＰＣ基板１５を搬送
パレット１１に固定する。
【００２５】次に、加熱リフローソルダリング工程によ
り、図示しない半導体チップをＦＰＣ基板１５に実装す
る。その後、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から取
り外し、実装工程を終了する。搬送パレット１１には次
のＦＰＣ基板１５を密着し、同様に半導体チップの実装
工程を繰り返す。
り、図示しない半導体チップをＦＰＣ基板１５に実装す
る。その後、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から取
り外し、実装工程を終了する。搬送パレット１１には次
のＦＰＣ基板１５を密着し、同様に半導体チップの実装
工程を繰り返す。
【００２６】（実施例及び比較例）以下、実施例及び比
較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに
限定されるものではない。
較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに
限定されるものではない。
【００２７】実施例１及び比較例１の搬送パレット１１
では、非伸縮性の支持体１２は厚さ０．８ｍｍのアルミ
板で形成し、シリコーンエラストマー層１３の厚さは２
００μｍに形成した。そして、シリコーンエラストマー
層１３の周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん
断弾性率Ｇ’の値が以下の値となるように形成した。 実施例１ ： １．５×１０6Ｐａ 比較例１ ： １．０×１０7Ｐａ 実施例１及び比較例１の両搬送パレット１１に、実装装
置の載置部３１との位置合わせ用孔１４及びＦＰＣ基板
１５との位置合わせ用孔１６を形成した。そして、搬送
パレット１１の所定の位置にＦＰＣ基板１５を密着し、
加熱リフローソルダリング工程を行った。
では、非伸縮性の支持体１２は厚さ０．８ｍｍのアルミ
板で形成し、シリコーンエラストマー層１３の厚さは２
００μｍに形成した。そして、シリコーンエラストマー
層１３の周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん
断弾性率Ｇ’の値が以下の値となるように形成した。 実施例１ ： １．５×１０6Ｐａ 比較例１ ： １．０×１０7Ｐａ 実施例１及び比較例１の両搬送パレット１１に、実装装
置の載置部３１との位置合わせ用孔１４及びＦＰＣ基板
１５との位置合わせ用孔１６を形成した。そして、搬送
パレット１１の所定の位置にＦＰＣ基板１５を密着し、
加熱リフローソルダリング工程を行った。
【００２８】その結果、実施例１では、半導体チップを
位置ずれなく正常に実装できた。また、搬送パレットは
繰返し使用することが可能であった。また、比較例１で
は、加熱リフローソルダリング工程においてＦＰＣ基板
１５がシリコーンエラストマー層１３から浮いてしま
い、実装不具合が発生した。
位置ずれなく正常に実装できた。また、搬送パレットは
繰返し使用することが可能であった。また、比較例１で
は、加熱リフローソルダリング工程においてＦＰＣ基板
１５がシリコーンエラストマー層１３から浮いてしま
い、実装不具合が発生した。
【００２９】この実施の形態によれば、以下のような効
果を有する。 （１） 搬送パレット１１は非伸縮性の支持体１２とシ
リコーンエラストマー層１３との積層体であり、シリコ
ーンエラストマー層１３は、動的粘弾性測定により周波
数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’
が５．０×１０ 5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にある
ように形成されている。従って、シリコーンエラストマ
ーの粘着性を利用して、接着テープ無しでＦＰＣ基板１
５を搬送パレット１１に密着固定でき、接着テープを使
わないためＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から除去
しても糊残りがない。よって、作業効率よくＦＰＣ基板
１５への半導体チップの実装を行うことができる。
果を有する。 （１） 搬送パレット１１は非伸縮性の支持体１２とシ
リコーンエラストマー層１３との積層体であり、シリコ
ーンエラストマー層１３は、動的粘弾性測定により周波
数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’
が５．０×１０ 5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にある
ように形成されている。従って、シリコーンエラストマ
ーの粘着性を利用して、接着テープ無しでＦＰＣ基板１
５を搬送パレット１１に密着固定でき、接着テープを使
わないためＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から除去
しても糊残りがない。よって、作業効率よくＦＰＣ基板
１５への半導体チップの実装を行うことができる。
【００３０】（２） ＦＰＣ基板１５への半導体チップ
の実装時に加熱リフローソルダリング工程等で高温にな
っても、シリコーンエラストマー層１３は耐熱性に優れ
るため、劣化しにくい。よって、本搬送パレット１１は
繰り返して使用でき、経済的である。
の実装時に加熱リフローソルダリング工程等で高温にな
っても、シリコーンエラストマー層１３は耐熱性に優れ
るため、劣化しにくい。よって、本搬送パレット１１は
繰り返して使用でき、経済的である。
【００３１】（３） シリコーンエラストマー層１３と
非伸縮性の支持体１２とは強固に接着されているため、
使用中に剥離する虞がない。また、位置合わせ用孔１４
の形成加工等を施しても、加工端面に剥離が生じること
はない。
非伸縮性の支持体１２とは強固に接着されているため、
使用中に剥離する虞がない。また、位置合わせ用孔１４
の形成加工等を施しても、加工端面に剥離が生じること
はない。
【００３２】（４） 搬送パレット１１にはＦＰＣ基板
１５との位置合わせ用孔１６が形成されている。従っ
て、ＦＰＣ基板１５に形成した貫通孔３４と、位置合わ
せ用孔１６とをピン３５で貫通することによりＦＰＣ基
板１５を搬送パレット１１の所定位置に容易に位置合わ
せできる。
１５との位置合わせ用孔１６が形成されている。従っ
て、ＦＰＣ基板１５に形成した貫通孔３４と、位置合わ
せ用孔１６とをピン３５で貫通することによりＦＰＣ基
板１５を搬送パレット１１の所定位置に容易に位置合わ
せできる。
【００３３】（５） 搬送パレット１１には実装装置の
載置部３１との位置合わせ用孔１４が形成されている。
従って、ピン３３で搬送パレット１１を実装装置の載置
部３１の所定位置に容易に位置合わせできる。
載置部３１との位置合わせ用孔１４が形成されている。
従って、ピン３３で搬送パレット１１を実装装置の載置
部３１の所定位置に容易に位置合わせできる。
【００３４】（６） 非伸縮性の支持体１２がアルミニ
ウム板であるため、入手しやすい板で非伸縮性の支持体
１２を形成できる。また、ステンレス板等に比べて軽
く、取扱いやすい。
ウム板であるため、入手しやすい板で非伸縮性の支持体
１２を形成できる。また、ステンレス板等に比べて軽
く、取扱いやすい。
【００３５】（第２の実施の形態）次に、第２の実施の
形態を説明する。この実施の形態ではシリコーンエラス
トマー層を、上記の方法で測定したせん断弾性率Ｇ’が
５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるこ
とに加えて、ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した
熱伝導率が０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるように形成した
点が前記実施の形態と異なっている。前記実施の形態と
同様の部分については同一番号を付けて、その詳細な説
明を省略する。
形態を説明する。この実施の形態ではシリコーンエラス
トマー層を、上記の方法で測定したせん断弾性率Ｇ’が
５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるこ
とに加えて、ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した
熱伝導率が０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるように形成した
点が前記実施の形態と異なっている。前記実施の形態と
同様の部分については同一番号を付けて、その詳細な説
明を省略する。
【００３６】シリコーンエラストマー層１３の目的の熱
伝導率は、例えば高熱伝導性のフィラーをシリコーンエ
ラストマーに添加することによって得る。例えばシリコ
ーンエラストマー層１３の熱伝導率が低すぎると、実装
時の加熱リフローソルダリング工程等の加熱工程におい
て搬送パレット１１上に温度むらが発生する虞がある。
しかし、シリコーンエラストマー層１３の特性を上記の
ように形成することによって熱伝導性が良くなり、実装
時の加熱工程において搬送パレット１１上に温度むらが
発生しにくくなる。
伝導率は、例えば高熱伝導性のフィラーをシリコーンエ
ラストマーに添加することによって得る。例えばシリコ
ーンエラストマー層１３の熱伝導率が低すぎると、実装
時の加熱リフローソルダリング工程等の加熱工程におい
て搬送パレット１１上に温度むらが発生する虞がある。
しかし、シリコーンエラストマー層１３の特性を上記の
ように形成することによって熱伝導性が良くなり、実装
時の加熱工程において搬送パレット１１上に温度むらが
発生しにくくなる。
【００３７】（実施例及び比較例）実施例２、比較例２
及び比較例３の各搬送パレット１１は、シリコーンエラ
ストマー層１３の物性値以外は実施例１や比較例１と同
様である。そして、シリコーンエラストマー層１３の周
波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率
Ｇ’や、ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した熱伝
導率が次の値となるように形成した。 実施例２ せん断弾性率Ｇ’： ２．０×１０6Ｐａ 熱伝導率 ： ０．８Ｗ／ｍ・Ｋ 比較例２ せん断弾性率Ｇ’： １．０×１０7Ｐａ 熱伝導率 ： ０．３Ｗ／ｍ・Ｋ 比較例３ せん断弾性率Ｇ’： ２．０×１０6Ｐａ 熱伝導率 ： ０．３Ｗ／ｍ・Ｋ 実施例２、比較例２及び比較例３の各搬送パレット１１
も、実施例１と同様に位置合わせ用孔１４及び位置合わ
せ用孔１６を形成してＦＰＣ基板１５を密着し、加熱リ
フローソルダリング工程を行った。その結果、実施例２
及び比較例３の搬送パレット１１は実施例１と同様に半
導体チップを正常に実装でき、比較例２では実装不具合
が発生した。また、実施例２では、比較例２及び比較例
３に比べて搬送パレット１１上で温度むらが発生しにく
かった。
及び比較例３の各搬送パレット１１は、シリコーンエラ
ストマー層１３の物性値以外は実施例１や比較例１と同
様である。そして、シリコーンエラストマー層１３の周
波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率
Ｇ’や、ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した熱伝
導率が次の値となるように形成した。 実施例２ せん断弾性率Ｇ’： ２．０×１０6Ｐａ 熱伝導率 ： ０．８Ｗ／ｍ・Ｋ 比較例２ せん断弾性率Ｇ’： １．０×１０7Ｐａ 熱伝導率 ： ０．３Ｗ／ｍ・Ｋ 比較例３ せん断弾性率Ｇ’： ２．０×１０6Ｐａ 熱伝導率 ： ０．３Ｗ／ｍ・Ｋ 実施例２、比較例２及び比較例３の各搬送パレット１１
も、実施例１と同様に位置合わせ用孔１４及び位置合わ
せ用孔１６を形成してＦＰＣ基板１５を密着し、加熱リ
フローソルダリング工程を行った。その結果、実施例２
及び比較例３の搬送パレット１１は実施例１と同様に半
導体チップを正常に実装でき、比較例２では実装不具合
が発生した。また、実施例２では、比較例２及び比較例
３に比べて搬送パレット１１上で温度むらが発生しにく
かった。
【００３８】この実施の形態によれば、前記実施の形態
の（１）〜（６）の効果の他に、以下のような効果を有
する。 （７） シリコーンエラストマー層１３は、動的粘弾性
測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせ
ん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐ
ａの範囲にあり、ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定
した熱伝導率が０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上に形成されてい
る。この構成により、シリコーンエラストマー層１３の
熱伝導性を良くし、実装時の加熱工程において搬送パレ
ット１１上に温度むらが発生することを防止できる。
の（１）〜（６）の効果の他に、以下のような効果を有
する。 （７） シリコーンエラストマー層１３は、動的粘弾性
測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせ
ん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐ
ａの範囲にあり、ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定
した熱伝導率が０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上に形成されてい
る。この構成により、シリコーンエラストマー層１３の
熱伝導性を良くし、実装時の加熱工程において搬送パレ
ット１１上に温度むらが発生することを防止できる。
【００３９】（第３の実施の形態）次に、第３の実施の
形態を説明する。この実施の形態ではシリコーンエラス
トマー層を、上記のせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5
Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあることに加えて、
ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探針法で測定した体
積抵抗率が１．０×１０10Ω・ｃｍ以下になるように形
成した点が前記実施の形態と異なっている。前記実施の
形態と同様の部分については同一番号を付けて、その詳
細な説明を省略する。
形態を説明する。この実施の形態ではシリコーンエラス
トマー層を、上記のせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5
Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあることに加えて、
ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探針法で測定した体
積抵抗率が１．０×１０10Ω・ｃｍ以下になるように形
成した点が前記実施の形態と異なっている。前記実施の
形態と同様の部分については同一番号を付けて、その詳
細な説明を省略する。
【００４０】シリコーンエラストマー層１３の目的の体
積抵抗率は、例えば導電性のフィラーをシリコーンエラ
ストマーに添加することによって得る。例えばシリコー
ンエラストマー層１３の体積抵抗率が高すぎると、シリ
コーンエラストマー層１３の表面に埃が付着し易くなる
虞があり、製造工程上好ましくない。しかし、シリコー
ンエラストマー層１３の特性を上記のように形成するこ
とによって導電性が良くなり、静電気による埃の付着が
防止される。
積抵抗率は、例えば導電性のフィラーをシリコーンエラ
ストマーに添加することによって得る。例えばシリコー
ンエラストマー層１３の体積抵抗率が高すぎると、シリ
コーンエラストマー層１３の表面に埃が付着し易くなる
虞があり、製造工程上好ましくない。しかし、シリコー
ンエラストマー層１３の特性を上記のように形成するこ
とによって導電性が良くなり、静電気による埃の付着が
防止される。
【００４１】（実施例及び比較例）実施例３、実施例
４、比較例４及び比較例５の各搬送パレット１１は、シ
リコーンエラストマー層１３の物性値以外は実施例１や
比較例１と同様である。そして、シリコーンエラストマ
ー層１３の周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせ
ん断弾性率Ｇ’や、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４
探針法で測定した体積抵抗率が次の値となるように形成
した。 実施例３ せん断弾性率Ｇ’： ３．０×１０6Ｐａ 体積抵抗率 ： ２．０×１０3Ω・ｃｍ 実施例４ せん断弾性率Ｇ’： ３．０×１０6Ｐａ 体積抵抗率 ： １．０×１０8Ω・ｃｍ 比較例４ せん断弾性率Ｇ’： １．０×１０7Ｐａ 体積抵抗率 ： １．０×１０16Ω・ｃｍ 比較例５ せん断弾性率Ｇ’： ２．０×１０6Ｐａ 体積抵抗率 ： １．０×１０16Ω・ｃｍ 実施例３、実施例４、比較例４及び比較例５の各搬送パ
レット１１も、実施例１と同様にＦＰＣ基板１５を密着
して加熱リフローソルダリング工程を行った。その結
果、実施例３、実施例４及び比較例５の搬送パレット１
１は実施例１と同様に半導体チップを正常に実装でき、
比較例４では実装不具合が発生した。また、実施例３及
び実施例４では、比較例４及び比較例５に比べて埃が付
着しにくかった。
４、比較例４及び比較例５の各搬送パレット１１は、シ
リコーンエラストマー層１３の物性値以外は実施例１や
比較例１と同様である。そして、シリコーンエラストマ
ー層１３の周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせ
ん断弾性率Ｇ’や、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４
探針法で測定した体積抵抗率が次の値となるように形成
した。 実施例３ せん断弾性率Ｇ’： ３．０×１０6Ｐａ 体積抵抗率 ： ２．０×１０3Ω・ｃｍ 実施例４ せん断弾性率Ｇ’： ３．０×１０6Ｐａ 体積抵抗率 ： １．０×１０8Ω・ｃｍ 比較例４ せん断弾性率Ｇ’： １．０×１０7Ｐａ 体積抵抗率 ： １．０×１０16Ω・ｃｍ 比較例５ せん断弾性率Ｇ’： ２．０×１０6Ｐａ 体積抵抗率 ： １．０×１０16Ω・ｃｍ 実施例３、実施例４、比較例４及び比較例５の各搬送パ
レット１１も、実施例１と同様にＦＰＣ基板１５を密着
して加熱リフローソルダリング工程を行った。その結
果、実施例３、実施例４及び比較例５の搬送パレット１
１は実施例１と同様に半導体チップを正常に実装でき、
比較例４では実装不具合が発生した。また、実施例３及
び実施例４では、比較例４及び比較例５に比べて埃が付
着しにくかった。
【００４２】この実施の形態によれば、前記実施の形態
の（１）〜（６）の効果の他に、以下のような効果を有
する。 （８） シリコーンエラストマー層１３は、動的粘弾性
測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせ
ん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐ
ａの範囲にあり、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探
針法で測定した体積抵抗率が１．０×１０10Ω・ｃｍ以
下に形成されている。この構成により、シリコーンエラ
ストマー層１３の導電性を良くして静電気による埃の付
着を防止できる。
の（１）〜（６）の効果の他に、以下のような効果を有
する。 （８） シリコーンエラストマー層１３は、動的粘弾性
測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせ
ん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐ
ａの範囲にあり、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探
針法で測定した体積抵抗率が１．０×１０10Ω・ｃｍ以
下に形成されている。この構成により、シリコーンエラ
ストマー層１３の導電性を良くして静電気による埃の付
着を防止できる。
【００４３】なお、実施の形態は上記各実施の形態に限
定されるものではなく、例えば以下のように変更しても
よい。 ○ シリコーンエラストマー層１３は、その熱伝導率と
体積抵抗率との両方が上記の範囲にあるように形成して
もよい。目的の熱伝導率及び体積抵抗率は、高熱伝導性
のフィラー及び導電性のフィラーの両方をシリコーンエ
ラストマーに添加することによって得る。
定されるものではなく、例えば以下のように変更しても
よい。 ○ シリコーンエラストマー層１３は、その熱伝導率と
体積抵抗率との両方が上記の範囲にあるように形成して
もよい。目的の熱伝導率及び体積抵抗率は、高熱伝導性
のフィラー及び導電性のフィラーの両方をシリコーンエ
ラストマーに添加することによって得る。
【００４４】○ シリコーンエラストマー層１３は、
ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した熱伝導率を
０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上に形成しなくてもよいが、実装時
の加熱工程における搬送パレット１１上の温度むらの発
生を防止できるように、上記の熱伝導率を０．４Ｗ／ｍ
・Ｋ以上に形成するのが望ましい。
ＪＩＳ Ｒ ２６１８に準拠して測定した熱伝導率を
０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上に形成しなくてもよいが、実装時
の加熱工程における搬送パレット１１上の温度むらの発
生を防止できるように、上記の熱伝導率を０．４Ｗ／ｍ
・Ｋ以上に形成するのが望ましい。
【００４５】○ シリコーンエラストマー層１３は、
ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探針法で測定した体
積抵抗率を１．０×１０10Ω・ｃｍ以下に形成しなくて
もよいが、静電気による埃の付着を防止できるように、
上記の体積抵抗率を１．０×１０10Ω・ｃｍ以下に形成
するのが望ましい。
ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠して４探針法で測定した体
積抵抗率を１．０×１０10Ω・ｃｍ以下に形成しなくて
もよいが、静電気による埃の付着を防止できるように、
上記の体積抵抗率を１．０×１０10Ω・ｃｍ以下に形成
するのが望ましい。
【００４６】○ シリコーンエラストマー層１３は、せ
ん断弾性率Ｇ’、熱伝導率、体積抵抗率等の物性値が概
略２００°Ｃ〜２４０°Ｃ、最近の脱鉛半田の場合は２
８０°Ｃ程度まで上記の範囲にあるように形成されるこ
とに限られない。例えば、加熱リフローソルダリング工
程等で温度が２００°Ｃまで上昇しないのであれば、シ
リコーンエラストマー層１３の物性値が上記の範囲に保
たれる温度を２００°Ｃより下にしてもよい。
ん断弾性率Ｇ’、熱伝導率、体積抵抗率等の物性値が概
略２００°Ｃ〜２４０°Ｃ、最近の脱鉛半田の場合は２
８０°Ｃ程度まで上記の範囲にあるように形成されるこ
とに限られない。例えば、加熱リフローソルダリング工
程等で温度が２００°Ｃまで上昇しないのであれば、シ
リコーンエラストマー層１３の物性値が上記の範囲に保
たれる温度を２００°Ｃより下にしてもよい。
【００４７】○ 搬送パレット１１に密着固定したＦＰ
Ｃ基板１５に半導体チップを実装する工程は加熱リフロ
ーソルダリング工程に限定されず、その他の工程、例え
ばフローソルダリング工程（ウェーブソルダリング工
程）等で搬送パレット１１を使用してもよい。
Ｃ基板１５に半導体チップを実装する工程は加熱リフロ
ーソルダリング工程に限定されず、その他の工程、例え
ばフローソルダリング工程（ウェーブソルダリング工
程）等で搬送パレット１１を使用してもよい。
【００４８】○ ピン３５でＦＰＣ基板１５を搬送パレ
ット１１の所定位置に位置合わせする場合、搬送パレッ
ト１１には孔１６が形成される構成に限られず、例えば
凹部を形成してもよい。この凹部は、シリコーンエラス
トマー層１３を貫通して非伸縮性の支持体１２の途中ま
で達するような深さに形成する。
ット１１の所定位置に位置合わせする場合、搬送パレッ
ト１１には孔１６が形成される構成に限られず、例えば
凹部を形成してもよい。この凹部は、シリコーンエラス
トマー層１３を貫通して非伸縮性の支持体１２の途中ま
で達するような深さに形成する。
【００４９】○ 図３に示すように、ＦＰＣ基板１５に
おいて位置合わせ用孔１６と対応する位置に凸部４２が
プレス成形法などにより形成されている場合には、凸部
４２を位置合わせ用孔１６に係合させることにより、Ｆ
ＰＣ基板１５を搬送パレット１１の所定位置に位置合わ
せしてもよい。
おいて位置合わせ用孔１６と対応する位置に凸部４２が
プレス成形法などにより形成されている場合には、凸部
４２を位置合わせ用孔１６に係合させることにより、Ｆ
ＰＣ基板１５を搬送パレット１１の所定位置に位置合わ
せしてもよい。
【００５０】○ ＦＰＣ基板１５に凸部４２が形成され
ている場合、凸部４２を係合するために搬送パレット１
１に形成されるのは孔１６に限られず、凹部であっても
よい。この凹部は、通常はシリコーンエラストマー層１
３を貫通して非伸縮性の支持体１２の途中まで達するよ
うな深さに形成するが、非伸縮性の支持体１２まで達し
ない深さに形成しても構わない。
ている場合、凸部４２を係合するために搬送パレット１
１に形成されるのは孔１６に限られず、凹部であっても
よい。この凹部は、通常はシリコーンエラストマー層１
３を貫通して非伸縮性の支持体１２の途中まで達するよ
うな深さに形成するが、非伸縮性の支持体１２まで達し
ない深さに形成しても構わない。
【００５１】○ ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１の
所定位置に位置合わせする構成は、ピン３５のみや、凸
部４２と位置合わせ用孔１６との係合のみによって行わ
れる構成に限られず、ＦＰＣ基板１５を、ピン３５及び
凸部４２の両方で位置合わせする構成でもよい。例えば
ＦＰＣ基板１５に貫通孔３４と凸部４２とを１個ずつ形
成する。
所定位置に位置合わせする構成は、ピン３５のみや、凸
部４２と位置合わせ用孔１６との係合のみによって行わ
れる構成に限られず、ＦＰＣ基板１５を、ピン３５及び
凸部４２の両方で位置合わせする構成でもよい。例えば
ＦＰＣ基板１５に貫通孔３４と凸部４２とを１個ずつ形
成する。
【００５２】○ 搬送パレット１１にはＦＰＣ基板１５
との位置合わせ用孔１６や凹部が形成されなくてもよい
が、それらを形成すると、ＦＰＣ基板１５を搬送パレッ
ト１１の所定位置に容易に位置合わせできる。
との位置合わせ用孔１６や凹部が形成されなくてもよい
が、それらを形成すると、ＦＰＣ基板１５を搬送パレッ
ト１１の所定位置に容易に位置合わせできる。
【００５３】○ 搬送パレット１１には実装装置の載置
部３１との位置合わせ用孔１４が形成されなくてもよい
が、位置合わせ用孔１４を形成すると、搬送パレット１
１を実装装置の載置部３１の所定位置に容易に位置合わ
せできる。
部３１との位置合わせ用孔１４が形成されなくてもよい
が、位置合わせ用孔１４を形成すると、搬送パレット１
１を実装装置の載置部３１の所定位置に容易に位置合わ
せできる。
【００５４】○ 非伸縮性の支持体１２はアルミ板に限
られず、例えば、ステンレス板、マグネシウム合金板と
いった金属板や、ガラス繊維含浸エポキシ板、ガラス繊
維含浸ポリエステル板等のプラスチック板でもよい。ま
た、機械的強度、耐熱性、平滑性が充分であれば、非伸
縮性の支持体１２は他の材料であっても使用可能である
が、前記のステンレス板等の金属板や、ガラス繊維含浸
エポキシ板等のプラスチック板が特に好適である。
られず、例えば、ステンレス板、マグネシウム合金板と
いった金属板や、ガラス繊維含浸エポキシ板、ガラス繊
維含浸ポリエステル板等のプラスチック板でもよい。ま
た、機械的強度、耐熱性、平滑性が充分であれば、非伸
縮性の支持体１２は他の材料であっても使用可能である
が、前記のステンレス板等の金属板や、ガラス繊維含浸
エポキシ板等のプラスチック板が特に好適である。
【００５５】○ シリコーンエラストマー層１３のせん
断弾性率Ｇ’を目的の値にする方法は、シリコーンエラ
ストマーの組成と架橋度を適当に調整することに限られ
ない。例えば、複数の市販シリコーンコンパウンドを任
意にブレンドすることによって目的のせん断弾性率Ｇ’
にしてもよい。
断弾性率Ｇ’を目的の値にする方法は、シリコーンエラ
ストマーの組成と架橋度を適当に調整することに限られ
ない。例えば、複数の市販シリコーンコンパウンドを任
意にブレンドすることによって目的のせん断弾性率Ｇ’
にしてもよい。
【００５６】○ シリコーンエラストマー層１３と非伸
縮性の支持体１２との接合法は、前記の加硫接着に限ら
れず、例えば、架橋したシリコーンエラストマーシート
をシリコーン系接着剤で非伸縮性の支持体１２に接着す
る方法でもよい。
縮性の支持体１２との接合法は、前記の加硫接着に限ら
れず、例えば、架橋したシリコーンエラストマーシート
をシリコーン系接着剤で非伸縮性の支持体１２に接着す
る方法でもよい。
【００５７】○ シリコーンエラストマー層１３には、
シリコーンエラストマー組成物に従来添加することが知
られている添加剤を本発明のせん断弾性率Ｇ’、熱伝導
率や体積抵抗率等の物性を損なわない範囲で添加しても
よい。これらの添加剤として、例えばヒュームドシリ
カ、沈降性シリカ、石英粉などの酸化ケイ素の他、珪藻
土、炭酸カルシウム、カーボンブラック、アルミナ、酸
化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、酸化鉄などが
挙げられる。
シリコーンエラストマー組成物に従来添加することが知
られている添加剤を本発明のせん断弾性率Ｇ’、熱伝導
率や体積抵抗率等の物性を損なわない範囲で添加しても
よい。これらの添加剤として、例えばヒュームドシリ
カ、沈降性シリカ、石英粉などの酸化ケイ素の他、珪藻
土、炭酸カルシウム、カーボンブラック、アルミナ、酸
化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、酸化鉄などが
挙げられる。
【００５８】○ 搬送パレット１１に密着固定されるＦ
ＰＣ基板は６枚に限られず、搬送パレット１１やＦＰＣ
基板１５の大きさによって適宜変更してもよい。例えば
ＦＰＣ基板１５が大きい場合には、搬送パレット１１に
密着できるＦＰＣ基板１５の数が少なくなる。また、搬
送パレット１１が大きければ、密着できるＦＰＣ基板１
５の数が多くなる。位置合わせ用孔１６は、ＦＰＣ基板
１５と対応する位置に適宜変更して形成する。
ＰＣ基板は６枚に限られず、搬送パレット１１やＦＰＣ
基板１５の大きさによって適宜変更してもよい。例えば
ＦＰＣ基板１５が大きい場合には、搬送パレット１１に
密着できるＦＰＣ基板１５の数が少なくなる。また、搬
送パレット１１が大きければ、密着できるＦＰＣ基板１
５の数が多くなる。位置合わせ用孔１６は、ＦＰＣ基板
１５と対応する位置に適宜変更して形成する。
【００５９】○ 位置合わせ用孔１６が形成される位置
は、ＦＰＣ基板１５の一方の対角線上の角部に対応する
位置に限られない。 ○ 位置合わせ用孔１４が形成される位置は、搬送パレ
ット１１の長手方向の両端部に限られない。
は、ＦＰＣ基板１５の一方の対角線上の角部に対応する
位置に限られない。 ○ 位置合わせ用孔１４が形成される位置は、搬送パレ
ット１１の長手方向の両端部に限られない。
【００６０】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１〜請求項７
に記載の発明によれば、作業効率よく経済的にＦＰＣ基
板へ半導体チップを実装できる。
に記載の発明によれば、作業効率よく経済的にＦＰＣ基
板へ半導体チップを実装できる。
【図１】 （ａ）は（ｂ）のＩＡ−ＩＡ線模式断面図、
（ｂ）は搬送パレットの模式平面図。
（ｂ）は搬送パレットの模式平面図。
【図２】 作用を示す模式断面図。
【図３】 別例を示す部分模式断面図。
１１…搬送パレット、１２…非伸縮性の支持体、１３…
シリコーンエラストマー層、１４…実装装置の載置部と
の位置合わせ用孔、１６…ＦＰＣ基板との位置合わせ用
孔。
シリコーンエラストマー層、１４…実装装置の載置部と
の位置合わせ用孔、１６…ＦＰＣ基板との位置合わせ用
孔。
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Ｆターム(参考） 3E096 AA01 AA15 BA15 BB05 CA06
CB02 CC02 DA04 DA14 DB06
DC01 EA02X EA06X FA09
FA29 FA30 FA31 GA05 GA20
5E313 AA12 AA23 AA31 CC05 DD13
DD22 FF12 FG10
Claims (7)
- 【請求項１】 非伸縮性の支持体と、動的粘弾性測定に
より周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾
性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範
囲にあるシリコーンエラストマーとの積層板からなるＦ
ＰＣ基板用の搬送パレット。 - 【請求項２】 前記シリコーンエラストマーは、ＪＩＳ
Ｒ ２６１８に準拠して測定した熱伝導率が０．４Ｗ
／ｍ・Ｋ以上である請求項１に記載のＦＰＣ基板用の搬
送パレット。 - 【請求項３】 前記シリコーンエラストマーは、ＪＩＳ
Ｋ ７１９４に準拠して４探針法で測定した体積抵抗
率が１．０×１０10Ω・ｃｍ以下である請求項１又は請
求項２に記載のＦＰＣ基板用の搬送パレット。 - 【請求項４】 ＦＰＣ基板との位置合わせ用の孔又は凹
部が形成された請求項１〜請求項３のいずれか一項に記
載のＦＰＣ基板用の搬送パレット。 - 【請求項５】 実装装置の載置部との位置合わせ用の孔
明け加工が施された請求項１〜請求項４のいずれか一項
に記載のＦＰＣ基板用の搬送パレット。 - 【請求項６】 前記非伸縮性の支持体がステンレス板、
アルミニウム板、マグネシウム合金板、ガラス繊維含浸
エポキシ板及びガラス繊維含浸ポリエステル板のいずれ
か一つからなる請求項１〜請求項５のいずれか一項に記
載のＦＰＣ基板用の搬送パレット。 - 【請求項７】 請求項１〜請求項６のいずれか一項に記
載の搬送パレットを使用し、そのシリコーンエラストマ
ーの粘着性を利用してＦＰＣ基板を密着固定した後、そ
のＦＰＣ基板に半導体チップを実装するＦＰＣ基板への
半導体チップ実装方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002072756A JP4097184B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | Ｆｐｃ基板搬送用パレット及びｆｐｃ基板への半導体チップ実装方法 |
| TW092105745A TW592000B (en) | 2002-03-15 | 2003-03-14 | Pallet for transporting FPC substrate and method for mounting semiconductor chip on FPC substrate |
| PCT/JP2003/003088 WO2003079744A1 (fr) | 2002-03-15 | 2003-03-14 | Palette de transfert pour plaquette fpc, et procede de montage de puce a semi-conducteur sur plaquette fpc |
| KR1020047014427A KR100694609B1 (ko) | 2002-03-15 | 2003-03-14 | Ｆｐｃ 기판용 반송 팔레트 및 ｆｐｃ 기판으로의 반도체칩 실장 방법 |
| AU2003213383A AU2003213383A1 (en) | 2002-03-15 | 2003-03-14 | Transfer palette for fpc board and method for mounting semiconductor chip on fpc board |
| CNB038060213A CN100349502C (zh) | 2002-03-15 | 2003-03-14 | Fpc基底载体板以及将半导体芯片安装到fpc基底上的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002072756A JP4097184B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | Ｆｐｃ基板搬送用パレット及びｆｐｃ基板への半導体チップ実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273581A true JP2003273581A (ja) | 2003-09-26 |
| JP4097184B2 JP4097184B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=29202662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002072756A Expired - Lifetime JP4097184B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | Ｆｐｃ基板搬送用パレット及びｆｐｃ基板への半導体チップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4097184B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104534422A (zh) * | 2015-01-08 | 2015-04-22 | 深圳市国显科技股份有限公司 | 一种led组件结构、双面胶以及贴合方法 |
| WO2019111909A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | Nok株式会社 | 温度測定装置および温度測定機構 |
-
2002
- 2002-03-15 JP JP2002072756A patent/JP4097184B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| WO2019111909A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | Nok株式会社 | 温度測定装置および温度測定機構 |
| JPWO2019111909A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2020-09-17 | Nok株式会社 | 温度測定装置および温度測定機構 |
| US11480473B2 (en) | 2017-12-06 | 2022-10-25 | Nok Corporation | Temperature measuring device and temperature measuring arrangement |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4097184B2 (ja) | 2008-06-11 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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