JP2003270465A - 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法 - Google Patents
光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 201
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 314
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 20
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コアの箇所を高精度に切断あるいは切削する
ことのできる光導波路デバイスあるいはこのような切断
あるいは切削が可能となる光導波路デバイスの製造方法
を得ること。 【解決手段】 光導波路デバイス１０１は、この図で手
前から奥に向けて周囲の部分１０２よりも帯状に突出し
た導波路部分１０３を備えている。導波路部分１０３の
内部に図示しないコアが配置されている。導波路部分１
０３は切断用壁１０６と一体的に１つのコア層として形
成されている。切断用壁１０６は破線１０５で示す切断
箇所で凹凸を生じていない。このためこの箇所で切断用
壁１０６を切断すれば高精度な切断が可能になる。
ことのできる光導波路デバイスあるいはこのような切断
あるいは切削が可能となる光導波路デバイスの製造方法
を得ること。 【解決手段】 光導波路デバイス１０１は、この図で手
前から奥に向けて周囲の部分１０２よりも帯状に突出し
た導波路部分１０３を備えている。導波路部分１０３の
内部に図示しないコアが配置されている。導波路部分１
０３は切断用壁１０６と一体的に１つのコア層として形
成されている。切断用壁１０６は破線１０５で示す切断
箇所で凹凸を生じていない。このためこの箇所で切断用
壁１０６を切断すれば高精度な切断が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアレイ導波回路格子
（ＡＷＧ）等の光導波路デバイスおよび光導波路デバイ
スの製造方法に係わり、特に光の導波するコアの形成さ
れた箇所を切断したり加工するのに適した光導波路デバ
イスおよび光導波路デバイスの製造方法に関する。
（ＡＷＧ）等の光導波路デバイスおよび光導波路デバイ
スの製造方法に係わり、特に光の導波するコアの形成さ
れた箇所を切断したり加工するのに適した光導波路デバ
イスおよび光導波路デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インターネット等の通信技術の飛躍的な
進展に伴って光導波路デバイスの高機能化が急速に図ら
れている。これと共に、光導波路デバイスのハイブリッ
ド実装も盛んに行われるようになっている。このような
ハイブリッド実装を行う際には、光導波路デバイス同士
を接合するためにデバイスを所定の部位で高精度に切断
したり、あるいは他の部品を組み込むためにデバイスに
溝あるいは空間を設けるといった各種の加工が行われ
る。また、このようなハイブリッド化を行わない場合で
も、光の入出力のために光導波路デバイスの端面に、光
ファイバアレイ等の部品を接合する場合がある。そのた
めにウェハから切り出されたこれらの光導波路デバイス
の端面あるいは所定の箇所を切断あるいは切削するとい
ったことが行われている。
進展に伴って光導波路デバイスの高機能化が急速に図ら
れている。これと共に、光導波路デバイスのハイブリッ
ド実装も盛んに行われるようになっている。このような
ハイブリッド実装を行う際には、光導波路デバイス同士
を接合するためにデバイスを所定の部位で高精度に切断
したり、あるいは他の部品を組み込むためにデバイスに
溝あるいは空間を設けるといった各種の加工が行われ
る。また、このようなハイブリッド化を行わない場合で
も、光の入出力のために光導波路デバイスの端面に、光
ファイバアレイ等の部品を接合する場合がある。そのた
めにウェハから切り出されたこれらの光導波路デバイス
の端面あるいは所定の箇所を切断あるいは切削するとい
ったことが行われている。
【０００３】ところが、このように光導波路デバイスの
切断あるいは切削を行う場合には、その上面が平坦でな
いと上面の凹凸により、光導波路端面に欠けや凹みが発
生してしまう。これにより、この面に接して配置する部
品との光学的な接続が良好に行われなくなる。この切断
面の形について考察する前に、一般に光導波路デバイス
の上面が凹凸を生じやすいことについて説明する。
切断あるいは切削を行う場合には、その上面が平坦でな
いと上面の凹凸により、光導波路端面に欠けや凹みが発
生してしまう。これにより、この面に接して配置する部
品との光学的な接続が良好に行われなくなる。この切断
面の形について考察する前に、一般に光導波路デバイス
の上面が凹凸を生じやすいことについて説明する。
【０００４】図２２は、基板上にコアおよびクラッドを
形成する場合の製作プロセスの一例を表わしたものであ
る。まず同図（ａ）に示すようにシリコン（Ｓｉ）等の
基板１を用意し、同図（ｂ）に示すようにその一方の面
にクラッド層の下側を形成する下クラッド層２を成膜す
る。更に、同図（ｃ）に示すように下クラッド層２の上
に将来コアの部分となるコア層３を成膜する。
形成する場合の製作プロセスの一例を表わしたものであ
る。まず同図（ａ）に示すようにシリコン（Ｓｉ）等の
基板１を用意し、同図（ｂ）に示すようにその一方の面
にクラッド層の下側を形成する下クラッド層２を成膜す
る。更に、同図（ｃ）に示すように下クラッド層２の上
に将来コアの部分となるコア層３を成膜する。
【０００５】同図（ｄ）はコア層３の必要でない箇所を
除去するための処理工程を示したものである。コア層３
の上に感光性レジスト４が塗布され、その上をフォト・
マスク５で覆って紫外光６が照射されている。フォト・
マスク５には、コアとして残る部分に対応したパターン
７が形成されている。この結果、感光性レジスト４に
は、コアとして残る部分の領域のみ、あるいはコアとし
て残る部分を除いた領域に紫外光が照射される。同図
（ｅ）は感光性レジスト４を現像した後の状態を示した
ものである。コアとして残る部分のみ感光性レジスト４
Ａが残っている。
除去するための処理工程を示したものである。コア層３
の上に感光性レジスト４が塗布され、その上をフォト・
マスク５で覆って紫外光６が照射されている。フォト・
マスク５には、コアとして残る部分に対応したパターン
７が形成されている。この結果、感光性レジスト４に
は、コアとして残る部分の領域のみ、あるいはコアとし
て残る部分を除いた領域に紫外光が照射される。同図
（ｅ）は感光性レジスト４を現像した後の状態を示した
ものである。コアとして残る部分のみ感光性レジスト４
Ａが残っている。
【０００６】同図（ｆ）は、エッチングが行われた後の
状態を表わしたものである。エッチングによってコア層
３のうちの感光性レジスト４Ａが存在しなかった部分が
除去された結果として、必要とされるコアの部分３Ａの
みが残存している。同図（ｇ）は薬品によって感光性レ
ジスト４Ａが除去された状態を表わしたものである。
状態を表わしたものである。エッチングによってコア層
３のうちの感光性レジスト４Ａが存在しなかった部分が
除去された結果として、必要とされるコアの部分３Ａの
みが残存している。同図（ｇ）は薬品によって感光性レ
ジスト４Ａが除去された状態を表わしたものである。
【０００７】この後、同図（ｈ）に示すように下クラッ
ド層２およびコアの部分３Ａの上に成膜によって上クラ
ッド層８を成膜する。この成膜工程では、クラッドとな
る部分がこの図の上から堆積していくことになるので、
同図（ｇ）で出っ張ったコアの部分３Ａに相当する箇所
の上クラッド層８がこれ以外の箇所よりも盛り上がるこ
とになる。
ド層２およびコアの部分３Ａの上に成膜によって上クラ
ッド層８を成膜する。この成膜工程では、クラッドとな
る部分がこの図の上から堆積していくことになるので、
同図（ｇ）で出っ張ったコアの部分３Ａに相当する箇所
の上クラッド層８がこれ以外の箇所よりも盛り上がるこ
とになる。
【０００８】図２３〜図２５は、光導波路デバイスの断
面構造の幾つかを示したものである。これらの図で図２
２と同一部分には同一の符号を付しており、これらの説
明を適宜省略する。これらの図のうち図２３は、図２２
で説明した製作プロセスで制作した光導波路デバイスで
あり、埋め込み型導波路と呼ばれている。
面構造の幾つかを示したものである。これらの図で図２
２と同一部分には同一の符号を付しており、これらの説
明を適宜省略する。これらの図のうち図２３は、図２２
で説明した製作プロセスで制作した光導波路デバイスで
あり、埋め込み型導波路と呼ばれている。
【０００９】図２４は、リッジ型導波路と呼ばれている
ものであり、基板１の上に形成されたクラッド２の更に
上に形成されたコア層２１の一部が凸型に出っ張ってい
る。この部分２１Ａがコアとしての役割を果たしてい
る。図２５はストリップ装荷型導波路と呼ばれているも
のであり、クラッド２の上に形成されたコア２２の一部
にコア２３を装荷したものである。
ものであり、基板１の上に形成されたクラッド２の更に
上に形成されたコア層２１の一部が凸型に出っ張ってい
る。この部分２１Ａがコアとしての役割を果たしてい
る。図２５はストリップ装荷型導波路と呼ばれているも
のであり、クラッド２の上に形成されたコア２２の一部
にコア２３を装荷したものである。
【００１０】光導波路デバイスはこの他にも幾つか異な
った製作プロセスを経るものがあるが、図２３〜図２５
に示した光導波路デバイスでは、コア３Ａ、２１Ａ、２
３がその周囲よりも一段と高く形成される。したがっ
て、次のプロセスで上クラッド層８を形成すると、コア
３Ａ、２１Ａ、２３の上の箇所がそれ以外の箇所よりも
盛り上がってしまうことになる。
った製作プロセスを経るものがあるが、図２３〜図２５
に示した光導波路デバイスでは、コア３Ａ、２１Ａ、２
３がその周囲よりも一段と高く形成される。したがっ
て、次のプロセスで上クラッド層８を形成すると、コア
３Ａ、２１Ａ、２３の上の箇所がそれ以外の箇所よりも
盛り上がってしまうことになる。
【００１１】このような光導波路デバイスの切断あるい
は切削に関して従来行われた処理について次に説明す
る。
は切削に関して従来行われた処理について次に説明す
る。
【００１２】図２６および図２７は、光導波路デバイス
の基板の途中まで切削して溝を形成する例を示したもの
である。特開平１１−２３８７３号公報に示されたこの
提案は、光導波路デバイスに溝を加工するようになって
いる。まず第１のステップでは、図２６に示すように光
導波路基板１１の上に形成されたコア１２およびクラッ
ド１３、１４からなる導波路部分１５にエッチングで溝
１６を形成する。次に第２のステップで図２７に示すよ
うに溝１６の幅よりも狭い幅のブレード１７を使用して
機械的な切削を行い、溝１６を光導波路基板１１内にも
形成する。
の基板の途中まで切削して溝を形成する例を示したもの
である。特開平１１−２３８７３号公報に示されたこの
提案は、光導波路デバイスに溝を加工するようになって
いる。まず第１のステップでは、図２６に示すように光
導波路基板１１の上に形成されたコア１２およびクラッ
ド１３、１４からなる導波路部分１５にエッチングで溝
１６を形成する。次に第２のステップで図２７に示すよ
うに溝１６の幅よりも狭い幅のブレード１７を使用して
機械的な切削を行い、溝１６を光導波路基板１１内にも
形成する。
【００１３】この提案では、第１のステップで硬質の導
波路部分１５に対してエッチングで溝を形成する。した
がって、ブレード１７の傷みが低減される。また、導波
路部分１５についてはエッチングで溝１６を形成してい
るので、その部分の欠けが少なくなる。なお、ブレード
の位置の制御については特開２０００−２７５４５０号
公報等に開示されている。
波路部分１５に対してエッチングで溝を形成する。した
がって、ブレード１７の傷みが低減される。また、導波
路部分１５についてはエッチングで溝１６を形成してい
るので、その部分の欠けが少なくなる。なお、ブレード
の位置の制御については特開２０００−２７５４５０号
公報等に開示されている。
【００１４】ところで、光導波路デバイスの上面の導波
路部分にはコアとクラッドが存在しており、これらに位
置的に対応する基板上面部分との間には既に説明したよ
うに凹凸が存在する。このような凹凸のある箇所を切断
したり、溝を切るといった加工を行うと、凹部と凸部を
原因として加工された端面の形状に変形が起こり、これ
によって光学特性に劣化が生じてしまう。
路部分にはコアとクラッドが存在しており、これらに位
置的に対応する基板上面部分との間には既に説明したよ
うに凹凸が存在する。このような凹凸のある箇所を切断
したり、溝を切るといった加工を行うと、凹部と凸部を
原因として加工された端面の形状に変形が起こり、これ
によって光学特性に劣化が生じてしまう。
【００１５】図２８は、ある光導波路デバイスの端部近
傍を表わしたものであり、図２９は図２８に示した光導
波路を上面側から見たものである。これらの図に示す光
導波路デバイス３１は基板部分３２と導波路部分３３か
ら構成されており、導波路部分３３が図で上方に突出
し、全体の断面形状が凸型となっている。この光導波路
デバイス３１の一端部からわずかに内側の部分を破線３
５に沿って基板上面に垂直に切断するものとする（図２
９参照）。切断の手法について、反応性イオンエッチン
グとブレードによる切断を考えてみる。
傍を表わしたものであり、図２９は図２８に示した光導
波路を上面側から見たものである。これらの図に示す光
導波路デバイス３１は基板部分３２と導波路部分３３か
ら構成されており、導波路部分３３が図で上方に突出
し、全体の断面形状が凸型となっている。この光導波路
デバイス３１の一端部からわずかに内側の部分を破線３
５に沿って基板上面に垂直に切断するものとする（図２
９参照）。切断の手法について、反応性イオンエッチン
グとブレードによる切断を考えてみる。
【００１６】図３０は、反応性イオンエッチングの製造
プロセスの概要を表わしたものである。同図（ａ）は加
工前の光導波路デバイス３１を側面から見たものであ
る。同図（ｂ）に示すように光導波路デバイス３１の上
面に感光性のレジスト（フォトレジスト）４１を塗布
し、同図（ｃ）に示すようにフォト・マスク４２で覆っ
て、図２９に破線３５で示した位置のみにＵＶ光（ultr
aviolet：紫外光）４３を照射してパターンを転写す
る。そして、レジスト４１を現像することで、ＵＶ光４
３の照射された線状の部分についてレジスト４１を選択
的に除去する。
プロセスの概要を表わしたものである。同図（ａ）は加
工前の光導波路デバイス３１を側面から見たものであ
る。同図（ｂ）に示すように光導波路デバイス３１の上
面に感光性のレジスト（フォトレジスト）４１を塗布
し、同図（ｃ）に示すようにフォト・マスク４２で覆っ
て、図２９に破線３５で示した位置のみにＵＶ光（ultr
aviolet：紫外光）４３を照射してパターンを転写す
る。そして、レジスト４１を現像することで、ＵＶ光４
３の照射された線状の部分についてレジスト４１を選択
的に除去する。
【００１７】この後、ガスに高周波電力を印加してプラ
ズマ状態とし、そこで生じたプラスイオンを加速して、
光導波路デバイスに衝突させる。これにより反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）が行われる。導入ガスには、基
板材料と反応しやすく揮発性物質を作りやすいフッ素、
塩素などのハロゲンを含む化合物を使用する。これによ
り、切断される場所の物質とガスが反応して揮発性物質
が生成され、加工が進行していく。
ズマ状態とし、そこで生じたプラスイオンを加速して、
光導波路デバイスに衝突させる。これにより反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）が行われる。導入ガスには、基
板材料と反応しやすく揮発性物質を作りやすいフッ素、
塩素などのハロゲンを含む化合物を使用する。これによ
り、切断される場所の物質とガスが反応して揮発性物質
が生成され、加工が進行していく。
【００１８】図３１は、ブレードを用いた光導波路デバ
イスの切断の様子を表わしたものである。この場合に
は、円板状のブレード５１を図２９に破線３５で示した
位置で光導波路デバイス３１に押し当てて、切断を行う
ことになる。
イスの切断の様子を表わしたものである。この場合に
は、円板状のブレード５１を図２９に破線３５で示した
位置で光導波路デバイス３１に押し当てて、切断を行う
ことになる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】図３２（ａ）および
（ｂ）は、反応性イオンエッチングを行った場合のエッ
チング後の端面の変化を表わしたものである。基板部分
３２から突出した導波路部分３３が他の切断面よりも後
退し、凹み３６を生じてさせている。これは、図３０
（ｃ）で示したように突出した導波路部分３３のレジス
ト４１が他の導波路上面よりも薄くなっていることが原
因である。すなわち突出した導波路部分３３は他の部分
よりもエッチングされやすいので、この突出した導波路
部分３３の切断箇所が後退することになる。
（ｂ）は、反応性イオンエッチングを行った場合のエッ
チング後の端面の変化を表わしたものである。基板部分
３２から突出した導波路部分３３が他の切断面よりも後
退し、凹み３６を生じてさせている。これは、図３０
（ｃ）で示したように突出した導波路部分３３のレジス
ト４１が他の導波路上面よりも薄くなっていることが原
因である。すなわち突出した導波路部分３３は他の部分
よりもエッチングされやすいので、この突出した導波路
部分３３の切断箇所が後退することになる。
【００２０】一方、図３１に示したブレード５１あるい
はダイシングソーで光導波路デバイスを切断する場合に
は、先の特開平１１−２３８７３号公報でも指摘されて
いるように、比較的硬い突出したコア部分でブレードが
傷つきやすいだけでなく、導波路部分３３に欠けが発生
するおそれがある。
はダイシングソーで光導波路デバイスを切断する場合に
は、先の特開平１１−２３８７３号公報でも指摘されて
いるように、比較的硬い突出したコア部分でブレードが
傷つきやすいだけでなく、導波路部分３３に欠けが発生
するおそれがある。
【００２１】図３３は導波路部分のこのような欠けの一
例を示したものである。図３２（ａ）と対応する図３３
における基板部分３２から突出した導波路部分３３の端
部に欠け３７が生じている。また、図２４あるいは図２
５に示したようにコア部が凸部を形成しクラッド部が凹
部を形成しているような光導波路デバイスでは、応力の
局所的な集中により、コア部またはクラッド部が選択的
にチッピングを起こすことがある。このようなチッピン
グや凸部におけるブレードの変形で、切断端面に欠陥が
生じる。
例を示したものである。図３２（ａ）と対応する図３３
における基板部分３２から突出した導波路部分３３の端
部に欠け３７が生じている。また、図２４あるいは図２
５に示したようにコア部が凸部を形成しクラッド部が凹
部を形成しているような光導波路デバイスでは、応力の
局所的な集中により、コア部またはクラッド部が選択的
にチッピングを起こすことがある。このようなチッピン
グや凸部におけるブレードの変形で、切断端面に欠陥が
生じる。
【００２２】以上説明したように従来では光導波路デバ
イスの上面に凹凸がある場合、この部分を精度良く切断
することが困難であった。溝を加工する場合も同様であ
った。このため、加工により生じた端面や溝に合わせて
他の部品を良好に接着したり組み込むことができず、ハ
イブリッド実装した部品あるいは端面に他の部品を接合
した部品の光学特性が劣化するという問題があった。
イスの上面に凹凸がある場合、この部分を精度良く切断
することが困難であった。溝を加工する場合も同様であ
った。このため、加工により生じた端面や溝に合わせて
他の部品を良好に接着したり組み込むことができず、ハ
イブリッド実装した部品あるいは端面に他の部品を接合
した部品の光学特性が劣化するという問題があった。
【００２３】そこで本発明の目的は、コアの箇所を高精
度に切断あるいは切削することのできる光導波路デバイ
スあるいはこのような切断あるいは切削が可能となる光
導波路デバイスの製造方法を提供することにある。
度に切断あるいは切削することのできる光導波路デバイ
スあるいはこのような切断あるいは切削が可能となる光
導波路デバイスの製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）光を伝播するコアと、（ロ）このコアを所定
の角度で横断するように配置され、その長手方向と一致
する切断箇所の高さが少なくともコアを横断している箇
所で一定している所定幅の切断用部材とを光導波路デバ
イスに具備させる。
は、（イ）光を伝播するコアと、（ロ）このコアを所定
の角度で横断するように配置され、その長手方向と一致
する切断箇所の高さが少なくともコアを横断している箇
所で一定している所定幅の切断用部材とを光導波路デバ
イスに具備させる。
【００２５】すなわち請求項１記載の発明では、本来光
が通過するコアに対してこれを横断する形で所定幅の切
断用部材を配置し、この切断用部材の箇所を切断するよ
うにしている。切断用部材はその長手方向と一致する切
断箇所の高さが少なくともコアを横断している箇所で一
定している。したがって、切断時に凹凸による局所的な
応力等が発生することがなく、切断を高精度に行うこと
ができる。
が通過するコアに対してこれを横断する形で所定幅の切
断用部材を配置し、この切断用部材の箇所を切断するよ
うにしている。切断用部材はその長手方向と一致する切
断箇所の高さが少なくともコアを横断している箇所で一
定している。したがって、切断時に凹凸による局所的な
応力等が発生することがなく、切断を高精度に行うこと
ができる。
【００２６】請求項２記載の発明では、（イ）光を伝播
するコアと、（ロ）このコアを所定の角度で横断するよ
うに配置され、その長手方向と一致する切断箇所の高さ
が少なくともコアを横断している箇所で一様に変化して
いる所定幅の切断用部材とを光導波路デバイスに具備さ
せる。
するコアと、（ロ）このコアを所定の角度で横断するよ
うに配置され、その長手方向と一致する切断箇所の高さ
が少なくともコアを横断している箇所で一様に変化して
いる所定幅の切断用部材とを光導波路デバイスに具備さ
せる。
【００２７】すなわち請求項２記載の発明では、本来光
が通過するコアに対してこれを横断する形で所定幅の切
断用部材を配置し、この切断用部材の箇所を切断するよ
うにしている。切断用部材はその長手方向と一致する切
断箇所の高さが少なくともコアを横断している箇所で一
様に変化している。したがって、切断時に凹凸による局
所的な応力等が発生することがなく、切断を高精度に行
うことができる。
が通過するコアに対してこれを横断する形で所定幅の切
断用部材を配置し、この切断用部材の箇所を切断するよ
うにしている。切断用部材はその長手方向と一致する切
断箇所の高さが少なくともコアを横断している箇所で一
様に変化している。したがって、切断時に凹凸による局
所的な応力等が発生することがなく、切断を高精度に行
うことができる。
【００２８】請求項３記載の発明では、（イ）光を伝播
するコアと、（ロ）このコアとＴ字型の形状となるよう
にコアの一端に所定の角度をなして接続され、その長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部
と接続している箇所で一定している所定幅の切断用部材
とを光導波路デバイスに具備させる。
するコアと、（ロ）このコアとＴ字型の形状となるよう
にコアの一端に所定の角度をなして接続され、その長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部
と接続している箇所で一定している所定幅の切断用部材
とを光導波路デバイスに具備させる。
【００２９】すなわち請求項３記載の発明では、本来光
が通過するコアに対してこのコアとＴ字型の形状となる
ようにコアの一端に所定の角度をなして所定幅の切断用
部材を接続し、この切断用部材の箇所を切断するように
している。切断用部材はその長手方向と一致する切断箇
所の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で
一定している。したがって、切断時に凹凸による局所的
な応力等が発生することがなく、切断を高精度に行うこ
とができる。
が通過するコアに対してこのコアとＴ字型の形状となる
ようにコアの一端に所定の角度をなして所定幅の切断用
部材を接続し、この切断用部材の箇所を切断するように
している。切断用部材はその長手方向と一致する切断箇
所の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で
一定している。したがって、切断時に凹凸による局所的
な応力等が発生することがなく、切断を高精度に行うこ
とができる。
【００３０】請求項４記載の発明では、（イ）光を伝播
するコアと、（ロ）このコアとＴ字型の形状となるよう
にコアの一端に所定の角度をなして接続され、その長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部
と接続している箇所で一様に変化している所定幅の切断
用部材とを光導波路デバイスに具備させる。
するコアと、（ロ）このコアとＴ字型の形状となるよう
にコアの一端に所定の角度をなして接続され、その長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部
と接続している箇所で一様に変化している所定幅の切断
用部材とを光導波路デバイスに具備させる。
【００３１】すなわち請求項４記載の発明では、本来光
が通過するコアに対してこのコアとＴ字型の形状となる
ようにコアの一端に所定の角度をなして所定幅の切断用
部材を接続し、この切断用部材の箇所を切断するように
している。切断用部材はその長手方向と一致する切断箇
所の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で
一様に変化している。したがって、切断時に凹凸による
局所的な応力等が発生することがなく、切断を高精度に
行うことができる。
が通過するコアに対してこのコアとＴ字型の形状となる
ようにコアの一端に所定の角度をなして所定幅の切断用
部材を接続し、この切断用部材の箇所を切断するように
している。切断用部材はその長手方向と一致する切断箇
所の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で
一様に変化している。したがって、切断時に凹凸による
局所的な応力等が発生することがなく、切断を高精度に
行うことができる。
【００３２】請求項５記載の発明では、請求項１〜請求
項４記載の光導波路デバイスで、コアと切断用部材は同
一の材質で形成されていることを特徴としている。
項４記載の光導波路デバイスで、コアと切断用部材は同
一の材質で形成されていることを特徴としている。
【００３３】すなわち請求項５記載の発明では、コアと
切断用部材を同一の材質で形成することで、光学的な特
性を良好に保つことができる。もちろん、両者を異なっ
た材質とすることも可能である。
切断用部材を同一の材質で形成することで、光学的な特
性を良好に保つことができる。もちろん、両者を異なっ
た材質とすることも可能である。
【００３４】請求項６記載の発明では、請求項５記載の
光導波路デバイスで、コアと切断用部材は、同一のプロ
セスで一体として形成されていることを特徴としてい
る。
光導波路デバイスで、コアと切断用部材は、同一のプロ
セスで一体として形成されていることを特徴としてい
る。
【００３５】すなわち請求項６記載の発明では、たとえ
ばコアと切断用部材の基となる材料からなる層を形成
し、これをエッチングすることで一体として形成するこ
とができる。このように一体的に形成することで接続部
分での反射による光の損失をなくすことができる。
ばコアと切断用部材の基となる材料からなる層を形成
し、これをエッチングすることで一体として形成するこ
とができる。このように一体的に形成することで接続部
分での反射による光の損失をなくすことができる。
【００３６】請求項７記載の発明では、請求項６記載の
光導波路デバイスで、コアおよび切断用部材の周囲はク
ラッドで覆われていることを特徴としている。
光導波路デバイスで、コアおよび切断用部材の周囲はク
ラッドで覆われていることを特徴としている。
【００３７】すなわち請求項７記載の発明では、コアと
切断用部材の材質が同じなので、コアの周囲をクラッド
で覆うことで光を閉じ込めるようにしている。もちろ
ん、クラッドが存在せずコアの周囲を空気層が直接覆う
ような場合にも光を閉じ込めることができ、本発明を同
様に適用することができる。
切断用部材の材質が同じなので、コアの周囲をクラッド
で覆うことで光を閉じ込めるようにしている。もちろ
ん、クラッドが存在せずコアの周囲を空気層が直接覆う
ような場合にも光を閉じ込めることができ、本発明を同
様に適用することができる。
【００３８】請求項８記載の発明では、請求項６記載の
光導波路デバイスで、コアおよび切断用部材の少なくと
も基板側はクラッドで覆われていることを特徴としてい
る。
光導波路デバイスで、コアおよび切断用部材の少なくと
も基板側はクラッドで覆われていることを特徴としてい
る。
【００３９】すなわち請求項８記載の発明では、コアと
切断用部材の少なくとも基板側にクラッドを設け、これ
によって基板側での反射を行わせている。
切断用部材の少なくとも基板側にクラッドを設け、これ
によって基板側での反射を行わせている。
【００４０】請求項９記載の発明では、請求項１〜請求
項４記載の光導波路デバイスで、コアおよび切断用部材
はコアと同一の材質のコア層の上に形成されていること
を特徴としている。
項４記載の光導波路デバイスで、コアおよび切断用部材
はコアと同一の材質のコア層の上に形成されていること
を特徴としている。
【００４１】すなわち請求項９記載の発明では、たとえ
ばリッジ型あるいはストリップ装荷型の導波路の製作を
前提としている。
ばリッジ型あるいはストリップ装荷型の導波路の製作を
前提としている。
【００４２】請求項１０記載の発明では、請求項１〜請
求項４記載の光導波路デバイスで、コアは互いに間隔を
置いて複数本併設されており、切断用部材はこれらに共
通して接続されていることを特徴としている。
求項４記載の光導波路デバイスで、コアは互いに間隔を
置いて複数本併設されており、切断用部材はこれらに共
通して接続されていることを特徴としている。
【００４３】すなわち請求項１０記載の発明では、コア
が複数本設けられる場合の一例を示している。複数のコ
アは互いに並設されており、これらに共通して切断用部
材を配置することで、実質的にこれらのコアを高精度に
切断することができる。
が複数本設けられる場合の一例を示している。複数のコ
アは互いに並設されており、これらに共通して切断用部
材を配置することで、実質的にこれらのコアを高精度に
切断することができる。
【００４４】請求項１１記載の発明では、請求項１〜請
求項４記載の光導波路デバイスで、切断用部材と接する
コアの先端部にはテーパが形成されていることを特徴と
している。
求項４記載の光導波路デバイスで、切断用部材と接する
コアの先端部にはテーパが形成されていることを特徴と
している。
【００４５】すなわち請求項１１記載の発明では、切断
用部材と接するコアの先端部にテーパを付けることで、
切断面と対向する光学部品との光学的な接続を良好にす
ることができる。
用部材と接するコアの先端部にテーパを付けることで、
切断面と対向する光学部品との光学的な接続を良好にす
ることができる。
【００４６】請求項１２記載の発明では、請求項１１記
載の光導波路デバイスで、テーパは切断用部材に近づく
ほど幅が広くなっていることを特徴としている。
載の光導波路デバイスで、テーパは切断用部材に近づく
ほど幅が広くなっていることを特徴としている。
【００４７】すなわち請求項１２記載の発明では、コア
の端部ほど広がったテーパによって、切断端面における
スポットサイズの拡大を行うことで、結合損失を下げる
構造になっている。
の端部ほど広がったテーパによって、切断端面における
スポットサイズの拡大を行うことで、結合損失を下げる
構造になっている。
【００４８】請求項１３記載の発明では、請求項１１記
載の光導波路デバイスで、テーパは切断用部材に近づく
ほど幅が狭くなっていることを特徴としている。
載の光導波路デバイスで、テーパは切断用部材に近づく
ほど幅が狭くなっていることを特徴としている。
【００４９】すなわち請求項１３記載の発明では、コア
の端部ほど狭まったテーパによって、切断端面における
スポットサイズの縮小または拡大を行うことで、結合損
失を下げる構造になっている。
の端部ほど狭まったテーパによって、切断端面における
スポットサイズの縮小または拡大を行うことで、結合損
失を下げる構造になっている。
【００５０】請求項１４記載の発明では、請求項１〜請
求項４記載の光導波路デバイスで、切断方向は、コアの
長手方向と９０度となっていることを特徴としている。
求項４記載の光導波路デバイスで、切断方向は、コアの
長手方向と９０度となっていることを特徴としている。
【００５１】すなわち請求項１４記載の発明では、コア
の長手方向と９０度の角度で切断用部材を切断する典型
的な切断形態を示している。
の長手方向と９０度の角度で切断用部材を切断する典型
的な切断形態を示している。
【００５２】請求項１５記載の発明では、請求項１〜請
求項４記載の光導波路デバイスで、切断方向は、コアの
長手方向と直交する方向に対して−１０度〜１０度の角
度となっていることを特徴としている。
求項４記載の光導波路デバイスで、切断方向は、コアの
長手方向と直交する方向に対して−１０度〜１０度の角
度となっていることを特徴としている。
【００５３】すなわち請求項１５記載の発明では、切断
方向が、コアの長手方向と直交する方向に対して−１０
度〜１０度の角度となっている場合を示している。この
ような角度に設定することで、コアの端面で反射した光
がコアに戻ってくる割合を減少させることができる。
方向が、コアの長手方向と直交する方向に対して−１０
度〜１０度の角度となっている場合を示している。この
ような角度に設定することで、コアの端面で反射した光
がコアに戻ってくる割合を減少させることができる。
【００５４】請求項１６記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアを所定の角度で横断するように配置されその長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアを横断
している箇所で一定している所定幅の切断用部材の部分
以外の部分を所定の深さで除去する除去工程と、（ニ）
この除去工程で除去した後の切断用部材における切断箇
所を切断する切断工程とを光導波路デバイスの製造方法
に具備させる。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアを所定の角度で横断するように配置されその長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアを横断
している箇所で一定している所定幅の切断用部材の部分
以外の部分を所定の深さで除去する除去工程と、（ニ）
この除去工程で除去した後の切断用部材における切断箇
所を切断する切断工程とを光導波路デバイスの製造方法
に具備させる。
【００５５】すなわち請求項１６記載の発明では、基板
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアを所定の角度で横断するように配
置されその長手方向と一致する切断箇所の高さが少なく
ともコアを横断している箇所で一定している。このた
め、切断箇所を切断する際にこれを高精度で行うことが
できる。
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアを所定の角度で横断するように配
置されその長手方向と一致する切断箇所の高さが少なく
ともコアを横断している箇所で一定している。このた
め、切断箇所を切断する際にこれを高精度で行うことが
できる。
【００５６】請求項１７記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアを所定の角度で横断するように配置されその長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアを横断
している箇所で一様に変化している所定幅の切断用部材
の部分以外の部分を所定の深さで除去する除去工程と、
（ニ）この除去工程で除去した後の切断用部材における
切断箇所を切断する切断工程とを光導波路デバイスの製
造方法に具備させる。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアを所定の角度で横断するように配置されその長手
方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアを横断
している箇所で一様に変化している所定幅の切断用部材
の部分以外の部分を所定の深さで除去する除去工程と、
（ニ）この除去工程で除去した後の切断用部材における
切断箇所を切断する切断工程とを光導波路デバイスの製
造方法に具備させる。
【００５７】すなわち請求項１７記載の発明では、基板
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアを所定の角度で横断するように配
置されその長手方向と一致する切断箇所の高さが少なく
ともコアを横断している箇所で、所定の傾斜を形成する
ように一様に変化している。このため、切断箇所を切断
する際に局所的な応力等が発生せず、これを高精度で行
うことができる。
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアを所定の角度で横断するように配
置されその長手方向と一致する切断箇所の高さが少なく
ともコアを横断している箇所で、所定の傾斜を形成する
ように一様に変化している。このため、切断箇所を切断
する際に局所的な応力等が発生せず、これを高精度で行
うことができる。
【００５８】請求項１８記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアとＴ字型の形状となるようにコアの一端に所定の
角度をなして接続されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で一
定している所定幅の切断用部材の部分以外の部分を所定
の深さで除去する除去工程と、（ニ）この除去工程で除
去した後の切断用部材における切断箇所を切断する切断
工程とを光導波路デバイスの製造方法に具備させる。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアとＴ字型の形状となるようにコアの一端に所定の
角度をなして接続されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で一
定している所定幅の切断用部材の部分以外の部分を所定
の深さで除去する除去工程と、（ニ）この除去工程で除
去した後の切断用部材における切断箇所を切断する切断
工程とを光導波路デバイスの製造方法に具備させる。
【００５９】すなわち請求項１８記載の発明では、基板
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアとＴ字型の形状となるようにコア
の一端に所定の角度をなして接続されその長手方向と一
致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続し
ている箇所で一定している。このため、切断箇所を切断
する際にこれを高精度で行うことができる。
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアとＴ字型の形状となるようにコア
の一端に所定の角度をなして接続されその長手方向と一
致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続し
ている箇所で一定している。このため、切断箇所を切断
する際にこれを高精度で行うことができる。
【００６０】請求項１９記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアとＴ字型の形状となるようにコアの一端に所定の
角度をなして接続されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で一
様に変化している所定幅の切断用部材の部分以外の部分
を所定の深さで除去する除去工程と、（ニ）この除去工
程で除去した後の切断用部材における切断箇所を切断す
る切断工程とを光導波路デバイスの製造方法に具備させ
る。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
コア層を形成するコア層形成工程と、（ハ）このコア層
形成工程で形成されたコア層の、光を伝播するコアとこ
のコアとＴ字型の形状となるようにコアの一端に所定の
角度をなして接続されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所で一
様に変化している所定幅の切断用部材の部分以外の部分
を所定の深さで除去する除去工程と、（ニ）この除去工
程で除去した後の切断用部材における切断箇所を切断す
る切断工程とを光導波路デバイスの製造方法に具備させ
る。
【００６１】すなわち請求項１９記載の発明では、基板
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアとＴ字型の形状となるようにコア
の一端に所定の角度をなして接続されその長手方向と一
致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続し
ている箇所で一様に変化している。このため、切断箇所
を切断する際に局所的な応力等が発生せず、これを高精
度で行うことができる。
上にクラッドを形成し、更にその上に平板状のコア層を
形成した後に、本来のコアとなる部分と切断用部材の部
分を残して残りの部分を除去することにしている。ここ
で、切断用部材はコアとＴ字型の形状となるようにコア
の一端に所定の角度をなして接続されその長手方向と一
致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続し
ている箇所で一様に変化している。このため、切断箇所
を切断する際に局所的な応力等が発生せず、これを高精
度で行うことができる。
【００６２】請求項２０記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアを所定の角度で横
断するように配置されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアを横断している箇所で一定して
いる所定幅の切断用部材の部分以外の部分を所定の深さ
で除去する除去工程と、（ホ）この除去工程で除去した
後の切断用部材における切断箇所を切断する切断工程と
を光導波路デバイスの製造方法に具備させる。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアを所定の角度で横
断するように配置されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアを横断している箇所で一定して
いる所定幅の切断用部材の部分以外の部分を所定の深さ
で除去する除去工程と、（ホ）この除去工程で除去した
後の切断用部材における切断箇所を切断する切断工程と
を光導波路デバイスの製造方法に具備させる。
【００６３】すなわち請求項２０記載の発明では、請求
項１６記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１６記載の発明と同じである。
項１６記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１６記載の発明と同じである。
【００６４】請求項２１記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアを所定の角度で横
断するように配置されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアを横断している箇所で一様に変
化している所定幅の切断用部材の部分以外の部分を所定
の深さで除去する除去工程と、（ホ）この除去工程で除
去した後の切断用部材における切断箇所を切断する切断
工程とを光導波路デバイスの製造方法に具備させる。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアを所定の角度で横
断するように配置されその長手方向と一致する切断箇所
の高さが少なくともコアを横断している箇所で一様に変
化している所定幅の切断用部材の部分以外の部分を所定
の深さで除去する除去工程と、（ホ）この除去工程で除
去した後の切断用部材における切断箇所を切断する切断
工程とを光導波路デバイスの製造方法に具備させる。
【００６５】すなわち請求項２１記載の発明では、請求
項１７記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１７記載の発明と同じである。
項１７記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１７記載の発明と同じである。
【００６６】請求項２２記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアとＴ字型の形状と
なるようにコアの一端に所定の角度をなして接続されそ
の長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコア
の端部と接続している箇所で一定している所定幅の切断
用部材の部分以外の部分を所定の深さで除去する除去工
程と、（ホ）この除去工程で除去した後の切断用部材に
おける切断箇所を切断する切断工程とを光導波路デバイ
スの製造方法に具備させる。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアとＴ字型の形状と
なるようにコアの一端に所定の角度をなして接続されそ
の長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコア
の端部と接続している箇所で一定している所定幅の切断
用部材の部分以外の部分を所定の深さで除去する除去工
程と、（ホ）この除去工程で除去した後の切断用部材に
おける切断箇所を切断する切断工程とを光導波路デバイ
スの製造方法に具備させる。
【００６７】すなわち請求項２２記載の発明では、請求
項１８記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１８記載の発明と同じである。
項１８記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１８記載の発明と同じである。
【００６８】請求項２３記載の発明では、（イ）基板上
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアとＴ字型の形状と
なるようにコアの一端に所定の角度をなして接続されそ
の長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコア
の端部と接続している箇所で一様に変化している所定幅
の切断用部材の部分以外の部分を所定の深さで除去する
除去工程と、（ホ）この除去工程で除去した後の切断用
部材における切断箇所を切断する切断工程とを光導波路
デバイスの製造方法に具備させる。
にクラッドを形成するクラッド形成工程と、（ロ）この
クラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板状の
第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、
（ハ）この第１のコア層形成工程で形成された第１のコ
ア層の上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工
程と、（ニ）この第２のコア層形成工程で形成されたコ
ア層の、光を伝播するコアとこのコアとＴ字型の形状と
なるようにコアの一端に所定の角度をなして接続されそ
の長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコア
の端部と接続している箇所で一様に変化している所定幅
の切断用部材の部分以外の部分を所定の深さで除去する
除去工程と、（ホ）この除去工程で除去した後の切断用
部材における切断箇所を切断する切断工程とを光導波路
デバイスの製造方法に具備させる。
【００６９】すなわち請求項２３記載の発明では、請求
項１９記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１９記載の発明と同じである。
項１９記載の発明と第１のコア層形成工程と第２のコア
層形成工程の２つの工程が存在する点で相違している。
そして、第２のコア層形成工程で形成した第２のコア層
を用いてコアと切断用部材を作製することにしている。
これ以外の点は請求項１９記載の発明と同じである。
【００７０】請求項２４記載の発明では、請求項１６〜
請求項２３記載の光導波路デバイスの製造方法で、切断
工程では少なくとも反応性イオンエッチングを用いて切
断あるいは切削を行うことを特徴としている。
請求項２３記載の光導波路デバイスの製造方法で、切断
工程では少なくとも反応性イオンエッチングを用いて切
断あるいは切削を行うことを特徴としている。
【００７１】すなわち請求項２４記載の発明では、反応
性イオンエッチングを用いて切断あるいは切削を行う場
合を示している。
性イオンエッチングを用いて切断あるいは切削を行う場
合を示している。
【００７２】請求項２５記載の発明では、請求項１６〜
請求項２３記載の光導波路デバイスの製造方法で、切断
工程では少なくともダイシングソーを用いて切断あるい
は切削を行うことを特徴としている。
請求項２３記載の光導波路デバイスの製造方法で、切断
工程では少なくともダイシングソーを用いて切断あるい
は切削を行うことを特徴としている。
【００７３】すなわち請求項２５記載の発明では、ダイ
シングソーを用いて切断あるいは切削を行う場合を示し
ている。
シングソーを用いて切断あるいは切削を行う場合を示し
ている。
【００７４】請求項２６記載の発明では、請求項１６〜
請求項２３記載の光導波路デバイスの製造方法における
切断工程では、少なくとも研磨装置を用いて研磨を行う
ことを特徴としている。
請求項２３記載の光導波路デバイスの製造方法における
切断工程では、少なくとも研磨装置を用いて研磨を行う
ことを特徴としている。
【００７５】すなわち請求項２６記載の発明では、切断
工程で研磨を行うことにしたので、切断を行った面に対
する他の部品の光学的な結合が良好になる。もちろん、
本発明では従来の切断と比べると切断面の形が歪んでい
ないので、研磨装置による研磨をより簡単あるいは迅速
に行うことができる。切断、切削あるいは研磨について
は、各種の手法を採用することができることはもちろん
である。
工程で研磨を行うことにしたので、切断を行った面に対
する他の部品の光学的な結合が良好になる。もちろん、
本発明では従来の切断と比べると切断面の形が歪んでい
ないので、研磨装置による研磨をより簡単あるいは迅速
に行うことができる。切断、切削あるいは研磨について
は、各種の手法を採用することができることはもちろん
である。
【００７６】
【００７７】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００７８】図１は本発明の一実施例における光導波路
デバイスを構成する光導波路デバイスの切断前の状態を
表わしたものであり、図２８と対応するものである。光
導波路デバイス１０１は、図２８と同様にこの図で手前
から奥に向けて周囲の部分１０２よりも帯状に突出した
導波路部分１０３を備えている。この導波路部分１０３
の内部あるいは図でそれよりも下側の箇所には図示しな
いコアが配置されている。図２８と異なる点は、破線１
０５で示した切断箇所が導波路部分１０３と同一の高さ
の切断用壁（切断用部材）１０６を形成している点であ
る。
デバイスを構成する光導波路デバイスの切断前の状態を
表わしたものであり、図２８と対応するものである。光
導波路デバイス１０１は、図２８と同様にこの図で手前
から奥に向けて周囲の部分１０２よりも帯状に突出した
導波路部分１０３を備えている。この導波路部分１０３
の内部あるいは図でそれよりも下側の箇所には図示しな
いコアが配置されている。図２８と異なる点は、破線１
０５で示した切断箇所が導波路部分１０３と同一の高さ
の切断用壁（切断用部材）１０６を形成している点であ
る。
【００７９】図２は、図２９に対応するもので、本実施
例の光導波路デバイスを構成する光導波路デバイスの導
波路上面を上方から見たものである。この図でも了解さ
れるように破線１０５で示した切断箇所は切断用壁１０
６の頂上部分に沿っている。切断用壁１０６は帯状に突
出している導波路部分１０３と同一の高さとなっている
ので、これらの部分は全体としてＴ字形となっている。
例の光導波路デバイスを構成する光導波路デバイスの導
波路上面を上方から見たものである。この図でも了解さ
れるように破線１０５で示した切断箇所は切断用壁１０
６の頂上部分に沿っている。切断用壁１０６は帯状に突
出している導波路部分１０３と同一の高さとなっている
ので、これらの部分は全体としてＴ字形となっている。
【００８０】図３は、反応性イオンエッチングを行った
後の光導波路デバイスを表わしたものである。図２で破
線１０５で示した切断箇所はその全域が同一の高さとな
っている。したがって、反応性イオンエッチングを行う
前に塗布したレジストは、切断用壁１０６の頂上部分で
均一な厚さとなっている。このため、反応性イオンエッ
チングによる切断は図２の破線１０５で示したように凹
みが発生することなく行われることになる。
後の光導波路デバイスを表わしたものである。図２で破
線１０５で示した切断箇所はその全域が同一の高さとな
っている。したがって、反応性イオンエッチングを行う
前に塗布したレジストは、切断用壁１０６の頂上部分で
均一な厚さとなっている。このため、反応性イオンエッ
チングによる切断は図２の破線１０５で示したように凹
みが発生することなく行われることになる。
【００８１】図４〜図６は、このような光導波路デバイ
スを製作するプロセスの主要な各段階を示したものであ
る。このうち図４は、この光導波路デバイスの基板１１
１を表わしている。基板１１１はシリコン（Ｓｉ）等が
使用される。図５は基板１１１の上にクラッド層の下側
を形成する下クラッド層１１２を成膜した状態を表わし
たものである。図６は、下クラッド層１１２の上にコア
層１１３を一様に形成した状態を表わしたものである。
ここまでは従来の光導波路デバイスを製作するプロセス
と全く同一である。
スを製作するプロセスの主要な各段階を示したものであ
る。このうち図４は、この光導波路デバイスの基板１１
１を表わしている。基板１１１はシリコン（Ｓｉ）等が
使用される。図５は基板１１１の上にクラッド層の下側
を形成する下クラッド層１１２を成膜した状態を表わし
たものである。図６は、下クラッド層１１２の上にコア
層１１３を一様に形成した状態を表わしたものである。
ここまでは従来の光導波路デバイスを製作するプロセス
と全く同一である。
【００８２】図７は、図２２（ｄ）に対応するもので、
図６で示したコア層をエッチングするために使用するフ
ォト・マスクのパターンを示したものである。本実施例
のフォト・マスク１２１は、コアとして残す部分が紫外
光を遮蔽するＴ字型のパターン１２２となっている。こ
のフォト・マスク１２１を図６で示したコア層１１３の
上に塗布した図示しない感光性レジストの上に配置して
紫外光を照射する。この後、感光性レジストを現像する
と、Ｔ字型のパターン１２２と同一のパターンで感光性
レジストがコア層１１３の上に残存する。これを薬品処
理すると、コア層１１３における感光性レジストが存在
しない部分がエッチングされて除去される。
図６で示したコア層をエッチングするために使用するフ
ォト・マスクのパターンを示したものである。本実施例
のフォト・マスク１２１は、コアとして残す部分が紫外
光を遮蔽するＴ字型のパターン１２２となっている。こ
のフォト・マスク１２１を図６で示したコア層１１３の
上に塗布した図示しない感光性レジストの上に配置して
紫外光を照射する。この後、感光性レジストを現像する
と、Ｔ字型のパターン１２２と同一のパターンで感光性
レジストがコア層１１３の上に残存する。これを薬品処
理すると、コア層１１３における感光性レジストが存在
しない部分がエッチングされて除去される。
【００８３】図８は、このようにしてＴ字型のコア層が
形成された光導波路デバイスの製作途中のプロセスを示
したものである。これに、更に上クラッドを成膜する
と、図１に示したような光導波路デバイス１０１が得ら
れることになる。図８に示したＴ字型のコア層１１３の
各部の高さは等しい。このため、上クラッドを成膜した
段階で、図１に示すように帯状に突出した導波路部分１
０３と切断用壁１０６は全く同一の高さとなっている。
したがって、反応性イオンエッチングを行って光導波路
デバイス１０１を破線１０５で示した切断箇所で切断す
る場合、この切断箇所に凹凸がなく、切断の際に端面に
歪みを生じることはない。ダイシングソーで光導波路デ
バイスを切断する場合にも、同様に端面の欠け（チッピ
ング）を起こすことがなく切断端面が変形することがな
い。
形成された光導波路デバイスの製作途中のプロセスを示
したものである。これに、更に上クラッドを成膜する
と、図１に示したような光導波路デバイス１０１が得ら
れることになる。図８に示したＴ字型のコア層１１３の
各部の高さは等しい。このため、上クラッドを成膜した
段階で、図１に示すように帯状に突出した導波路部分１
０３と切断用壁１０６は全く同一の高さとなっている。
したがって、反応性イオンエッチングを行って光導波路
デバイス１０１を破線１０５で示した切断箇所で切断す
る場合、この切断箇所に凹凸がなく、切断の際に端面に
歪みを生じることはない。ダイシングソーで光導波路デ
バイスを切断する場合にも、同様に端面の欠け（チッピ
ング）を起こすことがなく切断端面が変形することがな
い。
【００８４】ところで、本実施例の光導波路デバイス１
０１では、図３に示すように切断の後に切断用壁１０６
の一部が導波路部分１０３に接続された形で残存する。
この残存した切断用壁１０６が光導波路デバイス１０１
の光学的な損失増加を生じさせることが考えられる。そ
こで、これについて考察する。
０１では、図３に示すように切断の後に切断用壁１０６
の一部が導波路部分１０３に接続された形で残存する。
この残存した切断用壁１０６が光導波路デバイス１０１
の光学的な損失増加を生じさせることが考えられる。そ
こで、これについて考察する。
【００８５】図９は、切断用壁の残り量としての厚さ
（μｍ）とこれによる過剰損失（ｄＢ）の関係を表わし
たものである。残存した切断用壁１０６がたとえば５μ
ｍであったとすると、図９に示した特性図より損失の増
加分は０．０１ｄＢ未満である。このように切断用壁１
０６による光学特性への影響は殆どない。この結果、本
実施例の光導波路デバイス１０１では、光学特性を犠牲
にせずに端面の変形を抑えることが可能になるという効
果を得ることになる。
（μｍ）とこれによる過剰損失（ｄＢ）の関係を表わし
たものである。残存した切断用壁１０６がたとえば５μ
ｍであったとすると、図９に示した特性図より損失の増
加分は０．０１ｄＢ未満である。このように切断用壁１
０６による光学特性への影響は殆どない。この結果、本
実施例の光導波路デバイス１０１では、光学特性を犠牲
にせずに端面の変形を抑えることが可能になるという効
果を得ることになる。
【００８６】発明の第１の変形例
【００８７】図１０は、本発明の第１の変形例としての
光導波路デバイスの要部を表わしたものである。この変
形例では、光導波路デバイス１３１の上面に帯状に突出
した複数本の導波路部分１３２1〜１３２3が互いに間隔
を置いて平行に配置されている。また、同じく帯状に突
出した切断用部材１３３がこれらの導波路部分１３２ 1
〜１３２3を直角に横切る形で配置されている。各導波
路部分１３２1〜１３２3と切断用部材１３３は、先の実
施例と同様に同一のコア層をエッチングにより処理して
所望のパターンとし、その上にクラッドを形成したもの
である。したがって、切断用部材１３３は、どの位置で
も高さが等しい平坦なものとなっている。
光導波路デバイスの要部を表わしたものである。この変
形例では、光導波路デバイス１３１の上面に帯状に突出
した複数本の導波路部分１３２1〜１３２3が互いに間隔
を置いて平行に配置されている。また、同じく帯状に突
出した切断用部材１３３がこれらの導波路部分１３２ 1
〜１３２3を直角に横切る形で配置されている。各導波
路部分１３２1〜１３２3と切断用部材１３３は、先の実
施例と同様に同一のコア層をエッチングにより処理して
所望のパターンとし、その上にクラッドを形成したもの
である。したがって、切断用部材１３３は、どの位置で
も高さが等しい平坦なものとなっている。
【００８８】この第１の変形例の場合には、破線１３４
で示すように切断用部材１３３の中央部を、たとえば反
応性イオンエッチングによって切断することで、この図
で上下２つの光導波路デバイスに分割することができ
る。切断用部材１３３は平坦な面となっているので、結
果的にそれぞれの導波路部分１３２1〜１３２3の終端部
分の切断面に歪みが発生するおそれはない。したがっ
て、たとえば切断後の切断用部材１３３に図示しないフ
ァイバアレイを対向配置することで、良好な光学結合を
得ることができる。
で示すように切断用部材１３３の中央部を、たとえば反
応性イオンエッチングによって切断することで、この図
で上下２つの光導波路デバイスに分割することができ
る。切断用部材１３３は平坦な面となっているので、結
果的にそれぞれの導波路部分１３２1〜１３２3の終端部
分の切断面に歪みが発生するおそれはない。したがっ
て、たとえば切断後の切断用部材１３３に図示しないフ
ァイバアレイを対向配置することで、良好な光学結合を
得ることができる。
【００８９】発明の第２の変形例
【００９０】図１１は、本発明の第２の変形例における
光導波路デバイスの切断前の状態を表わしたものであ
る。この例の光導波路デバイス１４１でも、光導波路デ
バイス１４１の上面に帯状に突出した複数本の導波路部
分１４２1〜１４２3が互いに間隔を置いて平行に配置さ
れている。ただし、同じく帯状に突出した切断用部材１
４３はこれらの導波路部分１４２1〜１４２3の長手方向
と直交しておらず、長手方向と直交する方向から角度θ
だけ傾いている。ここで角度θは、たとえば−１０度〜
１０度の傾きとなっている。
光導波路デバイスの切断前の状態を表わしたものであ
る。この例の光導波路デバイス１４１でも、光導波路デ
バイス１４１の上面に帯状に突出した複数本の導波路部
分１４２1〜１４２3が互いに間隔を置いて平行に配置さ
れている。ただし、同じく帯状に突出した切断用部材１
４３はこれらの導波路部分１４２1〜１４２3の長手方向
と直交しておらず、長手方向と直交する方向から角度θ
だけ傾いている。ここで角度θは、たとえば−１０度〜
１０度の傾きとなっている。
【００９１】この第２の変形例でも、各導波路部分１４
２1〜１４２3と切断用部材１４３は、先の実施例と同様
に同一のコア層をエッチングにより処理して所望のパタ
ーンとし、その上にクラッドを形成したものである。し
たがって、切断用部材１４３は、どの位置でも高さが等
しい平坦なものとなっており、破線１４４で示すように
切断用部材１４３の中央部を、たとえば反応性イオンエ
ッチングによって切断したとき、切断面に歪みが発生す
るおそれはない。しかも、この第２の変形例の場合に
は、各導波路部分１４２1〜１４２3の切断後の端面に光
が反射して入射側に戻るという問題を解消することがで
きる。
２1〜１４２3と切断用部材１４３は、先の実施例と同様
に同一のコア層をエッチングにより処理して所望のパタ
ーンとし、その上にクラッドを形成したものである。し
たがって、切断用部材１４３は、どの位置でも高さが等
しい平坦なものとなっており、破線１４４で示すように
切断用部材１４３の中央部を、たとえば反応性イオンエ
ッチングによって切断したとき、切断面に歪みが発生す
るおそれはない。しかも、この第２の変形例の場合に
は、各導波路部分１４２1〜１４２3の切断後の端面に光
が反射して入射側に戻るという問題を解消することがで
きる。
【００９２】図１２は、戻り光の影響を回避する原理を
示したものである。導波路部分１４２から切断用部材１
４３の方向に進行した光１４６は、図１１で示した破線
１４４の位置のコアの切断面１４７を透過する一方、一
部の光が法線１４８に対して角度θで反射する。この反
射光は元の導波路部分１４２に戻らずに切断用部材１４
３の内部を反射しながら伝播し減衰することになる。
示したものである。導波路部分１４２から切断用部材１
４３の方向に進行した光１４６は、図１１で示した破線
１４４の位置のコアの切断面１４７を透過する一方、一
部の光が法線１４８に対して角度θで反射する。この反
射光は元の導波路部分１４２に戻らずに切断用部材１４
３の内部を反射しながら伝播し減衰することになる。
【００９３】発明の第３の変形例
【００９４】図１３は、本発明の第３の変形例における
光導波路デバイスの切断前の状態を表わしたものであ
る。この第３の変形例における光導波路デバイス１５１
でも、各導波路部分１５２1〜１５２3と切断用部材１５
３は、先の実施例と同様に同一のコア層をエッチングに
より処理して所望のパターンとし、その上にクラッドを
形成したものである。したがって、切断用部材１５３
は、どの位置でも高さが等しい平坦なものとなってお
り、破線１５４で示すように切断用部材１５３の中央部
を、たとえば反応性イオンエッチングによって切断した
とき、切断面に歪みが発生するおそれはない。
光導波路デバイスの切断前の状態を表わしたものであ
る。この第３の変形例における光導波路デバイス１５１
でも、各導波路部分１５２1〜１５２3と切断用部材１５
３は、先の実施例と同様に同一のコア層をエッチングに
より処理して所望のパターンとし、その上にクラッドを
形成したものである。したがって、切断用部材１５３
は、どの位置でも高さが等しい平坦なものとなってお
り、破線１５４で示すように切断用部材１５３の中央部
を、たとえば反応性イオンエッチングによって切断した
とき、切断面に歪みが発生するおそれはない。
【００９５】しかも、この第３の変形例の場合には、各
導波路部分１５２1〜１５２3の切断用部材１５３と接す
る箇所の近傍が先端に近づくほど狭まる形状のテーパ１
５５となっている。このため、テーパ１５５の形状にも
よるが図示しないファイバアレイ等の光学部品と破線１
５４で示す切断面を対向させたとき、切断用部材１５３
を介してのこの光学部品との光学的な結合を良好にする
ことができる。
導波路部分１５２1〜１５２3の切断用部材１５３と接す
る箇所の近傍が先端に近づくほど狭まる形状のテーパ１
５５となっている。このため、テーパ１５５の形状にも
よるが図示しないファイバアレイ等の光学部品と破線１
５４で示す切断面を対向させたとき、切断用部材１５３
を介してのこの光学部品との光学的な結合を良好にする
ことができる。
【００９６】発明の第４の変形例
【００９７】図１４は、本発明の第４の変形例における
光導波路デバイスの切断前の状態を表わしたものであ
る。この第４の変形例における光導波路デバイス１６１
でも、各導波路部分１６２1〜１６２3と切断用部材１６
３は、先の実施例と同様に同一のコア層をエッチングに
より処理して所望のパターンとし、その上にクラッドを
形成したものである。したがって、切断用部材１６３
は、どの位置でも高さが等しい平坦なものとなってお
り、破線１６４で示すように切断用部材１６３の中央部
を、たとえば反応性イオンエッチングによって切断した
とき、切断面に歪みが発生するおそれはない。
光導波路デバイスの切断前の状態を表わしたものであ
る。この第４の変形例における光導波路デバイス１６１
でも、各導波路部分１６２1〜１６２3と切断用部材１６
３は、先の実施例と同様に同一のコア層をエッチングに
より処理して所望のパターンとし、その上にクラッドを
形成したものである。したがって、切断用部材１６３
は、どの位置でも高さが等しい平坦なものとなってお
り、破線１６４で示すように切断用部材１６３の中央部
を、たとえば反応性イオンエッチングによって切断した
とき、切断面に歪みが発生するおそれはない。
【００９８】しかも、この第４の変形例の場合には、各
導波路部分１６２1〜１６２3の切断用部材１６３と接す
る箇所の近傍が先端に近づくほど広まる形状のテーパ１
６５となっている。このため、テーパ１６５の形状にも
よるが図示しないファイバアレイ等の光学部品と破線１
６４で示す切断面を対向させたとき、切断用部材１６３
を介してのこの光学部品との光学的な結合を良好にする
ことができる。
導波路部分１６２1〜１６２3の切断用部材１６３と接す
る箇所の近傍が先端に近づくほど広まる形状のテーパ１
６５となっている。このため、テーパ１６５の形状にも
よるが図示しないファイバアレイ等の光学部品と破線１
６４で示す切断面を対向させたとき、切断用部材１６３
を介してのこの光学部品との光学的な結合を良好にする
ことができる。
【００９９】なお、これらの変形例では各導波路部分１
５２1〜１５２3、１６２1〜１６２3の先端部をテーパ形
状としたが、指数関数の形状あるいは２次関数の形状に
したり、これらを組み合わせた複合形状とするものであ
ってもよい。
５２1〜１５２3、１６２1〜１６２3の先端部をテーパ形
状としたが、指数関数の形状あるいは２次関数の形状に
したり、これらを組み合わせた複合形状とするものであ
ってもよい。
【０１００】発明の第５の変形例
【０１０１】図１５は、本発明の第５の変形例における
光導波路デバイスとしてのプレーナ光波回路を、その基
板面から所定の高さの位置で水平に切断した状態を表わ
したものである。このプレーナ光波回路１７１は、入力
用シングルモード光ファイバ１７２と出力用光ファイバ
１７３とが固定用のガラスブロック１７４により、それ
ぞれデバイス本体１７５上に形成された第１および第２
の光導波路１７６、１７７と光軸を一致させて接続され
ている。第１および第２の光導波路１７６、１７７の合
流する位置の近傍には溝１７８が設けられており、その
中にフィルタとしての誘電体多層膜１７９が挿入され、
接着剤で固定されている。第１および第２の光導波路１
７６、１７７と反対側に形成されている第３の光導波路
１８１の光軸は第１の光導波路１７６の光軸と一致して
いる。誘電体多層膜１７９は、１．５５μｍの光を反射
し、１．３μｍの光を透過する特性を有している。第３
の光導波路１８１は途中でＹ字状に分岐して、そのＹ分
岐の一端にはレーザダイオード１８２が配置されてお
り、他端にはフォトダイオード１８３が配置されてい
る。
光導波路デバイスとしてのプレーナ光波回路を、その基
板面から所定の高さの位置で水平に切断した状態を表わ
したものである。このプレーナ光波回路１７１は、入力
用シングルモード光ファイバ１７２と出力用光ファイバ
１７３とが固定用のガラスブロック１７４により、それ
ぞれデバイス本体１７５上に形成された第１および第２
の光導波路１７６、１７７と光軸を一致させて接続され
ている。第１および第２の光導波路１７６、１７７の合
流する位置の近傍には溝１７８が設けられており、その
中にフィルタとしての誘電体多層膜１７９が挿入され、
接着剤で固定されている。第１および第２の光導波路１
７６、１７７と反対側に形成されている第３の光導波路
１８１の光軸は第１の光導波路１７６の光軸と一致して
いる。誘電体多層膜１７９は、１．５５μｍの光を反射
し、１．３μｍの光を透過する特性を有している。第３
の光導波路１８１は途中でＹ字状に分岐して、そのＹ分
岐の一端にはレーザダイオード１８２が配置されてお
り、他端にはフォトダイオード１８３が配置されてい
る。
【０１０２】このようなプレーナ光波回路１７１では、
入力用シングルモード光ファイバ１７２から波長多重化
された１．３μｍおよび１．５５μｍの光が入出力用の
第１の光導波路１７６に入射される。このうちの１．５
５μｍの光は、誘電体多層膜１７９で反射されて第２の
光導波路１７７から出力用光ファイバ１７３に出力され
る。１．３μｍの光は誘電体多層膜１７９を透過して、
第３の光導波路１８１のＹ分岐で二分された後、フォト
ダイオード１８３に結合する。なお、Ｙ分岐の他方には
レーザダイオード１８２が配置されている。このような
プレーナ光波回路１７１は、たとえば特開２００１-２
４９２４７号公報に開示されている。
入力用シングルモード光ファイバ１７２から波長多重化
された１．３μｍおよび１．５５μｍの光が入出力用の
第１の光導波路１７６に入射される。このうちの１．５
５μｍの光は、誘電体多層膜１７９で反射されて第２の
光導波路１７７から出力用光ファイバ１７３に出力され
る。１．３μｍの光は誘電体多層膜１７９を透過して、
第３の光導波路１８１のＹ分岐で二分された後、フォト
ダイオード１８３に結合する。なお、Ｙ分岐の他方には
レーザダイオード１８２が配置されている。このような
プレーナ光波回路１７１は、たとえば特開２００１-２
４９２４７号公報に開示されている。
【０１０３】図１６は、図１５に示した光導波路デバイ
スの切断前のコアのパターンを示したものである。図１
５の第１および第２の光導波路１７６、１７７に対応す
る帯状に突出した各導波路部分１９１、１９２の図で左
端側には、これらと同一の高さの切断用壁１９３が形成
されており、図１５に示したガラスブロック１７４と接
合するために破線１９４で示す位置で、ダイシングソー
で切断された後に研磨される。
スの切断前のコアのパターンを示したものである。図１
５の第１および第２の光導波路１７６、１７７に対応す
る帯状に突出した各導波路部分１９１、１９２の図で左
端側には、これらと同一の高さの切断用壁１９３が形成
されており、図１５に示したガラスブロック１７４と接
合するために破線１９４で示す位置で、ダイシングソー
で切断された後に研磨される。
【０１０４】また、各導波路部分１９１、１９２の合流
している側には、図１５の第３の光導波路１８１に対応
する導波路部分１９５の端部を挟むような形で、やや太
い切断用壁１９６が形成されている。この切断用壁１９
６もその高さは各導波路部分１９１、１９２、１９５と
一致している。切断用壁１９６は２つの平行な破線１９
７、１９８で示す位置で反応性イオンエッチングあるい
はダイシングソーで切削される。同様に図１５のレーザ
ダイオード１８２およびフォトダイオード１８３の埋設
される位置にも切断用壁２０１、２０２が設けられ、そ
れぞれ破線２０３、２０４に沿って切削処理が行われる
ことになる。
している側には、図１５の第３の光導波路１８１に対応
する導波路部分１９５の端部を挟むような形で、やや太
い切断用壁１９６が形成されている。この切断用壁１９
６もその高さは各導波路部分１９１、１９２、１９５と
一致している。切断用壁１９６は２つの平行な破線１９
７、１９８で示す位置で反応性イオンエッチングあるい
はダイシングソーで切削される。同様に図１５のレーザ
ダイオード１８２およびフォトダイオード１８３の埋設
される位置にも切断用壁２０１、２０２が設けられ、そ
れぞれ破線２０３、２０４に沿って切削処理が行われる
ことになる。
【０１０５】なお、以上説明した実施例および変形例で
は、コアおよびコアと同一材質で形成された切断用部材
の高さを同一としたが、切断を行う箇所としての切断用
部材がその切断方向に凹凸がない状態、すなわち平坦で
あればよい。したがって、切断用部材の上面がどの箇所
も同一の高さとなっている必要はなく、光の進行に特に
支障がなければ切断方向あるいはこれと直交する方向に
一様な傾斜を有していてもよい。また、実施例および変
形例では周囲よりも出っ張っている箇所の切断について
考察したが、周囲に対して窪んでいる箇所の切断につい
ても本発明を同様に適用することができる。
は、コアおよびコアと同一材質で形成された切断用部材
の高さを同一としたが、切断を行う箇所としての切断用
部材がその切断方向に凹凸がない状態、すなわち平坦で
あればよい。したがって、切断用部材の上面がどの箇所
も同一の高さとなっている必要はなく、光の進行に特に
支障がなければ切断方向あるいはこれと直交する方向に
一様な傾斜を有していてもよい。また、実施例および変
形例では周囲よりも出っ張っている箇所の切断について
考察したが、周囲に対して窪んでいる箇所の切断につい
ても本発明を同様に適用することができる。
【０１０６】また、第５の変形例では切断後の切断用壁
と他の部品との光学的な結合について簡単に説明した
が、これ以外の例を次に示してみる。
と他の部品との光学的な結合について簡単に説明した
が、これ以外の例を次に示してみる。
【０１０７】図１７は、２本の導波路の切断後の切断用
壁にフィルタを挿入した例を示したものである。同図
（Ａ）は光導波路デバイスを上から見た状態を表わした
ものであり、同図（Ｂ）は側面から見た状態を表わした
ものである。デバイス本体３０１上に生成された１対の
導波路部分３０２、３０３に接続する切断用壁３０４、
３０５は、元々は１つの切断用壁を構成しており、ダイ
シングソーで所定の幅および深さで切削されたものであ
る。これによって生じた溝の部分にフィルタ３０６が挿
入されている。
壁にフィルタを挿入した例を示したものである。同図
（Ａ）は光導波路デバイスを上から見た状態を表わした
ものであり、同図（Ｂ）は側面から見た状態を表わした
ものである。デバイス本体３０１上に生成された１対の
導波路部分３０２、３０３に接続する切断用壁３０４、
３０５は、元々は１つの切断用壁を構成しており、ダイ
シングソーで所定の幅および深さで切削されたものであ
る。これによって生じた溝の部分にフィルタ３０６が挿
入されている。
【０１０８】図１８は、導波路の切断後の切断用壁に光
ファイバの端面を対向させる例を示したものである。同
図（Ａ）は光導波路デバイスを上から見た状態を表わし
たものであり、同図（Ｂ）は側面から見た状態を表わし
たものである。デバイス本体３１１上に生成された導波
路部分３１２の切断用壁３１３は、そのコアに相当する
箇所を光ファイバ３１４のコアの先端に対向させて両者
の光学的な結合を行っている。
ファイバの端面を対向させる例を示したものである。同
図（Ａ）は光導波路デバイスを上から見た状態を表わし
たものであり、同図（Ｂ）は側面から見た状態を表わし
たものである。デバイス本体３１１上に生成された導波
路部分３１２の切断用壁３１３は、そのコアに相当する
箇所を光ファイバ３１４のコアの先端に対向させて両者
の光学的な結合を行っている。
【０１０９】図１９は、２つの光導波路デバイスの切断
用壁同士を直接対向させて光学的に結合させた例を示し
たものである。同図（Ａ）は光導波路デバイスを上から
見た状態を表わしており、同図（Ｂ）は側面から見た状
態を表わしている。この例では、２つの光導波路デバイ
ス３２１、３２２が、これらの導波路部分３２３、３２
４に接続する切断用壁３２５、３２６をそれぞれのコア
の位置が一致するように対向させている。図ではそれぞ
れの光導波路デバイス３２１、３２２が１本ずつの導波
路部分３２３、３２４を備えている場合を示している
が、複数本ずつ光導波路を備えている場合には、これら
が同時に光学的な結合を行うことになる。
用壁同士を直接対向させて光学的に結合させた例を示し
たものである。同図（Ａ）は光導波路デバイスを上から
見た状態を表わしており、同図（Ｂ）は側面から見た状
態を表わしている。この例では、２つの光導波路デバイ
ス３２１、３２２が、これらの導波路部分３２３、３２
４に接続する切断用壁３２５、３２６をそれぞれのコア
の位置が一致するように対向させている。図ではそれぞ
れの光導波路デバイス３２１、３２２が１本ずつの導波
路部分３２３、３２４を備えている場合を示している
が、複数本ずつ光導波路を備えている場合には、これら
が同時に光学的な結合を行うことになる。
【０１１０】図２０は、光導波路デバイスと発光素子あ
るいは受光素子等の光学素子とが光学的に結合した例を
示したものである。同図（Ａ）は光導波路デバイスを上
から見た状態を表わしており、同図（Ｂ）は側面から見
た状態を表わしている。光導波路デバイス３３１の導波
路部分３３２に接続する切断用壁３３３は、同一の基板
上に直接配置された光学素子３３４と光学的に結合して
いる。
るいは受光素子等の光学素子とが光学的に結合した例を
示したものである。同図（Ａ）は光導波路デバイスを上
から見た状態を表わしており、同図（Ｂ）は側面から見
た状態を表わしている。光導波路デバイス３３１の導波
路部分３３２に接続する切断用壁３３３は、同一の基板
上に直接配置された光学素子３３４と光学的に結合して
いる。
【０１１１】図２１は、光導波路デバイスと発光素子あ
るいは受光素子等の光学素子とが光学的に結合する他の
例を示したものである。同図（Ａ）は光導波路デバイス
を上から見た状態を表わしており、同図（Ｂ）は側面か
ら見た状態を表わしている。この例では、光導波路デバ
イス３４１の導波路部分３４２に接続する切断用壁３４
３は、サブキャリア３４５上に載置された光学素子３４
６と光学的に結合している。
るいは受光素子等の光学素子とが光学的に結合する他の
例を示したものである。同図（Ａ）は光導波路デバイス
を上から見た状態を表わしており、同図（Ｂ）は側面か
ら見た状態を表わしている。この例では、光導波路デバ
イス３４１の導波路部分３４２に接続する切断用壁３４
３は、サブキャリア３４５上に載置された光学素子３４
６と光学的に結合している。
【０１１２】なお、発光素子あるいは受光素子等の光学
素子が基板の窪みに配置される例は第５の変形例で示し
ている。このように本発明の光導波路デバイスは光学的
な結合について各種の態様を採ることができる。
素子が基板の窪みに配置される例は第５の変形例で示し
ている。このように本発明の光導波路デバイスは光学的
な結合について各種の態様を採ることができる。
【０１１３】
【発明の効果】以上説明したように請求項１〜請求項１
５記載の発明によれば、本来光が通過するコアの端部に
凹凸の無い切断用部材を配置してこれを切断するように
したので、切断時に凹凸による局所的な応力等が発生す
ることがなく、切断を高精度に行うことができる。した
がって、この切断面と対向あるいは接触する他の光学部
品との光学的な接続を良好に行うことができる。
５記載の発明によれば、本来光が通過するコアの端部に
凹凸の無い切断用部材を配置してこれを切断するように
したので、切断時に凹凸による局所的な応力等が発生す
ることがなく、切断を高精度に行うことができる。した
がって、この切断面と対向あるいは接触する他の光学部
品との光学的な接続を良好に行うことができる。
【０１１４】また請求項６記載の発明によれば、コアと
切断用部材を同一のプロセスで一体として形成するの
で、高品質な光導波路デバイスを安価に製作することが
できるだけでなく、一体的に形成することで接続部分で
の反射による光の損失をなくすことができる。
切断用部材を同一のプロセスで一体として形成するの
で、高品質な光導波路デバイスを安価に製作することが
できるだけでなく、一体的に形成することで接続部分で
の反射による光の損失をなくすことができる。
【０１１５】更に請求項１１記載の発明によれば、切断
用部材と接するコアの先端部にはテーパが形成されてい
るので、切断面と対向する光学部品との光学的な接続を
良好にすることができる。
用部材と接するコアの先端部にはテーパが形成されてい
るので、切断面と対向する光学部品との光学的な接続を
良好にすることができる。
【０１１６】また請求項１５記載の発明によれば、切断
方向は、コアの長手方向と直交する方向に対して３度〜
１０度の角度となっているので、コアの端面で反射した
光がコアに戻ってくる割合を減少させることができる。
方向は、コアの長手方向と直交する方向に対して３度〜
１０度の角度となっているので、コアの端面で反射した
光がコアに戻ってくる割合を減少させることができる。
【０１１７】更に請求項１６〜請求項２５記載の発明に
よれば、基板上に平板状のコア層を形成した後に、本来
のコアとなる部分と切断用部材の部分を残して残りの部
分を除去することにしたので、切断用部材の切断方向に
は凹凸がなく、このため、切断箇所を切断する際にこれ
を高精度で行うことができる。
よれば、基板上に平板状のコア層を形成した後に、本来
のコアとなる部分と切断用部材の部分を残して残りの部
分を除去することにしたので、切断用部材の切断方向に
は凹凸がなく、このため、切断箇所を切断する際にこれ
を高精度で行うことができる。
【０１１８】また、請求項２６記載の発明によれば、切
断工程で研磨を行うことにしたので、研磨後の面と他の
部品との結合が良好になる。
断工程で研磨を行うことにしたので、研磨後の面と他の
部品との結合が良好になる。
【図１】本発明の一実施例における光導波路デバイスを
構成する光導波路デバイスの加工前の要部斜視図であ
る。
構成する光導波路デバイスの加工前の要部斜視図であ
る。
【図２】本実施例の光導波路デバイスを構成する光導波
路デバイスの上面図である。
路デバイスの上面図である。
【図３】本実施例で反応性イオンエッチングを行った後
の光導波路デバイスを表わした上面図である。
の光導波路デバイスを表わした上面図である。
【図４】本実施例の光導波路デバイスの基板を表わした
要部斜視図である。
要部斜視図である。
【図５】本実施例の光導波路デバイスの基板に下クラッ
ド層を成膜した状態を示した要部斜視図である。
ド層を成膜した状態を示した要部斜視図である。
【図６】本実施例で下クラッド層の上にコア層を一様に
形成した状態を表わした要部斜視図である。
形成した状態を表わした要部斜視図である。
【図７】本実施例で使用するフォト・マスクのパターン
を示した要部平面図である。
を示した要部平面図である。
【図８】本実施例で図７に示したコア層をエッチングし
た後の状態を示す光導波路デバイスの要部斜視図であ
る。
た後の状態を示す光導波路デバイスの要部斜視図であ
る。
【図９】切断用壁の残り量としての厚さとこれによる過
剰損失との関係を表わした特性図である。
剰損失との関係を表わした特性図である。
【図１０】本発明の第１の変形例としての光導波路デバ
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
【図１１】本発明の第２の変形例における光導波路デバ
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
【図１２】第２の変形例で切断した後の光導波路デバイ
スについて光の等価および反射の様子を示した説明図で
ある。
スについて光の等価および反射の様子を示した説明図で
ある。
【図１３】本発明の第３の変形例における光導波路デバ
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
【図１４】本発明の第４の変形例における光導波路デバ
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
イスの切断前の状態を表わした要部平面図である。
【図１５】本発明の第５の変形例における光導波路デバ
イスとしてのプレーナ光波回路をその基板面から所定の
高さの位置で水平に切断した断面図である。
イスとしてのプレーナ光波回路をその基板面から所定の
高さの位置で水平に切断した断面図である。
【図１６】図１５に示した光導波路デバイスの切断前の
コアのパターンを示した平面図である。
コアのパターンを示した平面図である。
【図１７】２本の導波路の切断後の切断用壁にフィルタ
を挿入した例を示した平面図および側面図である。
を挿入した例を示した平面図および側面図である。
【図１８】導波路の切断後の切断用壁に光ファイバの端
面を対向させる例を示した平面図および側面図である。
面を対向させる例を示した平面図および側面図である。
【図１９】２つの光導波路デバイスの切断用壁同士を直
接対向させて光学的に結合させた例を示した平面図およ
び側面図である。
接対向させて光学的に結合させた例を示した平面図およ
び側面図である。
【図２０】光導波路デバイスと発光素子あるいは受光素
子等の光学素子とが光学的に結合した例を示した平面図
および側面図である。
子等の光学素子とが光学的に結合した例を示した平面図
および側面図である。
【図２１】光導波路デバイスと発光素子あるいは受光素
子等の光学素子とが光学的に結合する他の例を示した平
面図および側面図である。
子等の光学素子とが光学的に結合する他の例を示した平
面図および側面図である。
【図２２】基板上にコアおよびクラッドを形成する場合
の製作プロセスの一例を表わした工程説明図である。
の製作プロセスの一例を表わした工程説明図である。
【図２３】埋め込み型導波路の断面構造を示した説明図
である。
である。
【図２４】リッジ型導波路の断面構造を示した説明図で
ある。
ある。
【図２５】ストリップ装荷型導波路の断面構造を示した
説明図である。
説明図である。
【図２６】光導波路デバイスの硬さに応じて加工の手法
を変える従来の提案の第１のステップを表わした断面図
である。
を変える従来の提案の第１のステップを表わした断面図
である。
【図２７】図２６に示した提案の第２のステップを表わ
した断面図である。
した断面図である。
【図２８】ある光導波路デバイスの端部近傍を表わした
要部斜視図である。
要部斜視図である。
【図２９】図２８に示した光導波路デバイスを導波路上
面側から見た上面図である。
面側から見た上面図である。
【図３０】反応性イオンエッチングの製造プロセスの概
要を表わした説明図である。
要を表わした説明図である。
【図３１】ブレードを用いた光導波路デバイスの切断の
様子を表わした説明図である。
様子を表わした説明図である。
【図３２】反応性イオンエッチングを行った場合のエッ
チング後の端面の変化を表わした上面図であり、このう
ち同図（ａ）は導波路部分の平面図、同図（ｂ）この導
波路部分を斜め上方から見た斜視図である。
チング後の端面の変化を表わした上面図であり、このう
ち同図（ａ）は導波路部分の平面図、同図（ｂ）この導
波路部分を斜め上方から見た斜視図である。
【図３３】ブレードあるいはダイシングソーで光導波路
デバイスを切断した場合の導波路部分の端部近傍を示し
た平面図である。
デバイスを切断した場合の導波路部分の端部近傍を示し
た平面図である。
１０１、３０１、３１１、３２１、３３１、３４１ 光
導波路デバイス １０３、１９１、１９２、１９５、３０２、３０３、３
１２、３２３、３２４、３３２、３４２ 導波路部分 １０５、１９４、１９７、１９８、２０３、２０４ 破
線（切断箇所） １０６、１９３、１９６、２０１、２０２、３０４、３
０５、３１３、３２５、３２６、３３３、３４３ 切断
用壁(切断用部材) １１３ コア層 １２１ フォト・マスク １２２ Ｔ字型のパターン １７１ プレーナ光波回路 １７９ 誘電体多層膜
導波路デバイス １０３、１９１、１９２、１９５、３０２、３０３、３
１２、３２３、３２４、３３２、３４２ 導波路部分 １０５、１９４、１９７、１９８、２０３、２０４ 破
線（切断箇所） １０６、１９３、１９６、２０１、２０２、３０４、３
０５、３１３、３２５、３２６、３３３、３４３ 切断
用壁(切断用部材) １１３ コア層 １２１ フォト・マスク １２２ Ｔ字型のパターン １７１ プレーナ光波回路 １７９ 誘電体多層膜
Claims (26)
- 【請求項１】 光を伝播するコアと、 このコアを所定の角度で横断するように配置され、その
長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアを
横断している箇所で一定している所定幅の切断用部材と
を具備することを特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項２】 光を伝播するコアと、 このコアを所定の角度で横断するように配置され、その
長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくともコアを
横断している箇所で一様に変化している所定幅の切断用
部材とを具備することを特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項３】 光を伝播するコアと、 このコアとＴ字型の形状となるようにコアの一端に所定
の角度をなして接続され、その長手方向と一致する切断
箇所の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所
で一定している所定幅の切断用部材とを具備することを
特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項４】 光を伝播するコアと、 このコアとＴ字型の形状となるようにコアの一端に所定
の角度をなして接続され、その長手方向と一致する切断
箇所の高さが少なくともコアの端部と接続している箇所
で一様に変化している所定幅の切断用部材とを具備する
ことを特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項５】前記コアと切断用部材は同一の材質で形成
されていることを特徴とする請求項１〜請求項４記載の
光導波路デバイス。 - 【請求項６】 前記コアと切断用部材は、同一のプロセ
スで一体として形成されていることを特徴とする請求項
５記載の光導波路デバイス。 - 【請求項７】 前記コアおよび切断用部材の周囲はクラ
ッドで覆われていることを特徴とする請求項６記載の光
導波路デバイス。 - 【請求項８】 前記コアおよび切断用部材の少なくとも
基板側はクラッドで覆われていることを特徴とする請求
項６記載の光導波路デバイス。 - 【請求項９】 前記コアおよび切断用部材はコアと同一
の材質のコア層の上に形成されていることを特徴とする
請求項１〜請求項４記載の光導波路デバイス。 - 【請求項１０】 前記コアは互いに間隔を置いて複数本
並設されており、前記切断用部材はこれらに共通して接
続されていることを特徴とする請求項１〜請求項４記載
の光導波路デバイス。 - 【請求項１１】 前記切断用部材と接する前記コアの先
端部にはテーパが形成されていることを特徴とする請求
項１〜請求項４記載の光導波路デバイス。 - 【請求項１２】 前記テーパは前記切断用部材に近づく
ほど幅が広くなっていることを特徴とする請求項１１記
載の光導波路デバイス。 - 【請求項１３】 前記テーパは前記切断用部材に近づく
ほど幅が狭くなっていることを特徴とする請求項１１記
載の光導波路デバイス。 - 【請求項１４】 前記切断方向は、前記コアの長手方向
と９０度となっていることを特徴とする請求項１〜請求
項４記載の光導波路デバイス。 - 【請求項１５】 前記切断方向は、前記コアの長手方向
と直交する方向に対して−１０度〜１０度の角度となっ
ていることを特徴とする請求項１〜請求項４記載の光導
波路デバイス。 - 【請求項１６】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状のコア層を形成するコア層形成工程と、 このコア層形成工程で形成されたコア層の、光を伝播す
るコアとこのコアを所定の角度で横断するように配置さ
れその長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくとも
コアを横断している箇所で一定している所定幅の切断用
部材の部分以外の部分を所定の深さで除去する除去工程
と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項１７】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状のコア層を形成するコア層形成工程と、 このコア層形成工程で形成されたコア層の、光を伝播す
るコアとこのコアを所定の角度で横断するように配置さ
れその長手方向と一致する切断箇所の高さが少なくとも
コアを横断している箇所で一様に変化している所定幅の
切断用部材の部分以外の部分を所定の深さで除去する除
去工程と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項１８】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状のコア層を形成するコア層形成工程と、 このコア層形成工程で形成されたコア層の、光を伝播す
るコアとこのコアとＴ字型の形状となるようにコアの一
端に所定の角度をなして接続されその長手方向と一致す
る切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続してい
る箇所で一定している所定幅の切断用部材の部分以外の
部分を所定の深さで除去する除去工程と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項１９】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状のコア層を形成するコア層形成工程と、 このコア層形成工程で形成されたコア層の、光を伝播す
るコアとこのコアとＴ字型の形状となるようにコアの一
端に所定の角度をなして接続されその長手方向と一致す
る切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続してい
る箇所で一様に変化している所定幅の切断用部材の部分
以外の部分を所定の深さで除去する除去工程と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項２０】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状の第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、 この第１のコア層形成工程で形成された第１のコア層の
上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工程と、 この第２のコア層形成工程で形成されたコア層の、光を
伝播するコアとこのコアを所定の角度で横断するように
配置されその長手方向と一致する切断箇所の高さが少な
くともコアを横断している箇所で一定している所定幅の
切断用部材の部分以外の部分を所定の深さで除去する除
去工程と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項２１】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状の第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、 この第１のコア層形成工程で形成された第１のコア層の
上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工程と、 この第２のコア層形成工程で形成されたコア層の、光を
伝播するコアとこのコアを所定の角度で横断するように
配置されその長手方向と一致する切断箇所の高さが少な
くともコアを横断している箇所で一様に変化している所
定幅の切断用部材の部分以外の部分を所定の深さで除去
する除去工程と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項２２】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状の第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、 この第１のコア層形成工程で形成された第１のコア層の
上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工程と、 この第２のコア層形成工程で形成されたコア層の、光を
伝播するコアとこのコアとＴ字型の形状となるようにコ
アの一端に所定の角度をなして接続されその長手方向と
一致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続
している箇所で一定している所定幅の切断用部材の部分
以外の部分を所定の深さで除去する除去工程と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項２３】 基板上にクラッドを形成するクラッド
形成工程と、 このクラッド形成工程で形成されたクラッドの上に平板
状の第１のコア層を形成する第１のコア層形成工程と、 この第１のコア層形成工程で形成された第１のコア層の
上に第２のコア層を形成する第２のコア層形成工程と、 この第２のコア層形成工程で形成されたコア層の、光を
伝播するコアとこのコアとＴ字型の形状となるようにコ
アの一端に所定の角度をなして接続されその長手方向と
一致する切断箇所の高さが少なくともコアの端部と接続
している箇所で一様に変化している所定幅の切断用部材
の部分以外の部分を所定の深さで除去する除去工程と、 この除去工程で除去した後の切断用部材における前記切
断箇所を切断する切断工程とを具備することを特徴とす
る光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項２４】 前記切断工程では少なくとも反応性イ
オンエッチングを用いて切断あるいは切削を行うことを
特徴とする請求項１６〜請求項２３記載の光導波路デバ
イスの製造方法。 - 【請求項２５】 前記切断工程では少なくともダイシン
グソーを用いて切断あるいは切削を行うことを特徴とす
る請求項１６〜請求項２３記載の光導波路デバイスの製
造方法。 - 【請求項２６】 前記切断工程では少なくとも研磨装置
を用いて研磨を行うことを特徴とする請求項１６〜請求
項２３記載の光導波路デバイスの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068967A JP3666463B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法 |
| US10/385,665 US20030174995A1 (en) | 2002-03-13 | 2003-03-12 | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
| US10/387,130 US7197220B2 (en) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
| US11/723,504 US7477823B2 (en) | 2002-03-13 | 2007-03-20 | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
| US12/314,278 US7672559B2 (en) | 2002-03-13 | 2008-12-08 | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068967A JP3666463B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003270465A true JP2003270465A (ja) | 2003-09-25 |
| JP3666463B2 JP3666463B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=28034989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002068967A Expired - Fee Related JP3666463B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20030174995A1 (ja) |
| JP (1) | JP3666463B2 (ja) |
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| US20030174995A1 (en) | 2003-09-18 |
| US20030235384A1 (en) | 2003-12-25 |
| US7672559B2 (en) | 2010-03-02 |
| JP3666463B2 (ja) | 2005-06-29 |
| US7477823B2 (en) | 2009-01-13 |
| US20070183731A1 (en) | 2007-08-09 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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