JP2003264166A - 基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置及び基板処理装置 - Google Patents

基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置及び基板処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 例えば、基板の絶縁体として用いたｌｏｗ−
ｋ膜等の多孔質体膜の内部に残存する水分も除去し乾燥
させることができる基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置
及び基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 ウエット処理後の基板を脱水乾燥する基
板の脱水乾燥方法であって、装置間を搬送するキャリア
１０内に基板１５を収容設置した状態で、乾燥した気体
に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複
合させて基板１５を脱水及び乾燥させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程等
で使用されるウエット処理工程後の基板を脱水乾燥させ
る基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置及び基板処理装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程において、ウエッ
ト処理工程後の基板の脱水乾燥には、基板を高速回転さ
せ、その遠心力で表面に付着する水分を除去乾燥させる
スピンドライヤや基板にＮ2ガスを吹き付けて乾燥させ
るＮ2ガスブロー方法がある。
【０００３】近年、半導体デバイスの高速化に伴い、基
板上の絶縁体としてｌｏｗ−ｋ膜と呼ばれるものが使用
されるようになった。このｌｏｗ−ｋ膜の多くにはその
製造方法により組織構造が多孔質でかつ、親水性、吸水
性の物性を示す。このような材質のｌｏｗ−ｋ膜を使用
し、半導体を製造する処理工程において超純水などを使
用する洗浄工程のようなウエット処理工程の後、基板の
脱水乾燥に上記従来のスピンドライヤやＮ2ガスブロー
方法を用いた場合、ｌｏｗ−ｋ膜の内部に水分子が残存
してしまう問題がある。
【０００４】ｌｏｗ−ｋ膜の内部に水分子が残存した場
合、残存した水分子がｌｏｗ−ｋ膜を膨潤させｌｏｗ−
ｋ膜の形状を変形させたり、後工程で超真空を利用する
処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保することの
障害になるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので上記問題点を除去し、例えば、基板
の絶縁体として用いたｌｏｗ−ｋ膜等の吸水性を有する
膜の内部に残存する水分も除去し乾燥させることができ
る基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置及び基板処理装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、ウエット処理後の基板を脱水
乾燥する基板の脱水乾燥方法であって、装置間を搬送す
るキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回
転させることなく脱水及び乾燥させることを特徴とす
る。
【０００７】上記のように、装置間を搬送するキャリア
内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させるこ
となく脱水及び乾燥させるので、基板の処理工程とは分
離して基板の脱水及び乾燥ができるから、基板処理装置
の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏ
ｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の場合
は、該膜内部に存在する水分も十分除去されるから、該
膜を膨潤変形させたり、後工程で超真空を利用する処理
工程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害に
ならない。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板の脱水乾燥方法において、キャリア内に収容設置
した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真
空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥
させることを特徴とする。
【０００９】上記のように、キャリア内に収容設置した
基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に
曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させ
るので、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜
を有する基板の該膜内部に存在する水分も効果的に除去
できる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の基板の脱水乾燥方法において、ウエット処理後
の基板をキャリアに収容する前に、スピンドライ等によ
り一次乾燥させることを特徴とする。
【００１１】上記のように、ウエット処理後の基板をキ
ャリアに収容する前に、スピンドライ等により一次乾燥
させるので、基板表面に付着している水分はこの一次乾
燥で除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の
多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分もキャリア内
の脱水及び乾燥で効果的に除去される。しかも一次乾燥
で多くの水分が除去されているから、キャリア内での脱
水及び乾燥の負荷は少なくて済む。
【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３
のいずれか１項に記載の基板の脱水乾燥方法において、
基板には吸水性のある膜が形成されていることを特徴と
する。
【００１３】上記のように、基板には吸水性のある膜が
形成されている場合、特に該膜が基板表面に露出してい
る場合、スピンドライ等の乾燥では、吸水性の膜内にあ
る水分は簡単に除去できないが、装置間を搬送するキャ
リア内に基板を収容設置して行う脱水及び乾燥では、基
板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、脱
水及び乾燥を行えるから吸水性のある膜内にある水分も
十分除去でき、後工程で超真空を利用する処理工程に対
し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とならな
い。
【００１４】請求項５に記載の発明は、ウエット処理後
の基板を脱水乾燥する基板の脱水乾燥装置であって、装
置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態
で、該基板を回転させることなく該基板を脱水及び乾燥
させる脱水・乾燥手段を設け、脱水・乾燥手段はキャリ
ア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、
加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板
を脱水及び乾燥させることを特徴とする。
【００１５】上記のように脱水・乾燥手段により、装置
間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、
該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させるので、
請求項１の発明と同様、基板の処理工程とは分離して基
板の脱水及び乾燥ができるから、基板処理装置の基板処
理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜
等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の場合は、該多孔
質体膜内部に存在する水分も十分除去されるから、該膜
を膨潤変形させたり、後工程で超真空を利用する処理工
程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とな
らない。また、キャリア内に収容設置した基板を、乾燥
した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこ
れらを複合させて基板を脱水及び乾燥させるので、請求
項２に記載の発明と同様、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多
孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に存在する水
分も効果的に除去される。
【００１６】請求項６に記載の発明は、ウエット処理工
程を含む複数の処理工程を有し、該複数の処理工程を経
て基板を処理する基板処理装置において、最終の処理工
程を経て処理された基板を請求項５に記載の脱水乾燥装
置を用いて脱水及び乾燥させることを特徴とする。
【００１７】上記のように、最終の処理工程を経て処理
された基板を請求項５に記載の脱水乾燥装置を用いて脱
水及び乾燥させるので、基板処理装置の基板処理時間に
影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔
質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に残存する水分
も十分に除去され、脱水及び乾燥する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る基板の脱水
乾燥方法を実施する脱水乾燥装置の概略構成例を示す図
である。図１において、１０は半導体製造設備の装置間
を基板を収容設置して搬送するためのキャリアである。
該キャリア１０は一側部に開口部が形成されたキャリア
本体（筐体）１１と、該開口部を密閉する蓋体１２とを
具備し、該キャリア本体１１内は蓋体１２に設けられた
逆止弁１３を介して真空源１４に接続できるようになっ
ている。また、キャリア本体１１内には、複数枚の基板
１５を所定の間隔を設けて収容設置できるようになって
いる。
【００１９】上記キャリア１０のキャリア本体１１内
に、図１（ａ）に示すように基板１５を収容設置し、該
キャリア本体１１を逆止弁１３を介して真空源１４に接
続し、内部の真空度を上げることにより、基板１５は高
い真空度の真空に曝されることになる。これにより、例
えば、超純水などを使用する洗浄工程のようなウエット
処理工程の後、基板の表面にｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で
親水性、吸水性の膜の内部に残存する水分も脱水でき、
乾燥させることができる。また、特に基板１５の表面に
このような親水性、吸水性の膜が露出している場合、ウ
エット処理により該膜が水分子を取り込んでしまうた
め、十分な脱水・乾燥が必要となる。そこで基板１５は
ウエット処理工程の後、キャリアに収容する前にスピン
ドライ等の乾燥手段により一次乾燥されていることが、
キャリア１０内での脱水及び乾燥の負荷を軽減させ、十
分な脱水及び乾燥を行わせるためにも望ましい。この一
次乾燥手段としては、Ｎ2ガスのブロー、マランゴニ乾
燥法やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いた引き
抜き乾燥法等がある。
【００２０】なお、脱水乾燥の後は、図１（ｂ）に示す
ように逆止弁１３から真空源１４を切離し、キャリア本
体１１を真空状態にしておく。なお、上記例では逆止弁
１３を蓋体１２に設けたが、逆止弁１３はキャリア本体
１１の側壁に設けてもよいことは当然である。
【００２１】また、図示は省略するが、基板１５を加熱
してもよく、この場合はキャリア本体１１内に高温のＮ
2ガス等を封入したり、輻射熱源を設けて基板１５に輻
射熱を照射する等すればよい。また、キャリア本体１１
内を真空に保ちつつ、基板１５に輻射熱を照射して基板
１５を加熱してもよい。また、キャリア本体１１内を真
空源１４に接続して真空にし、脱水乾燥させた後、上記
乾燥気体や高温気体をキャリア本体１１内に封入すると
いうように、基板１５を真空や乾燥気体や高温気体に曝
したり、加熱することを複合させてもよい。これによ
り、より効果的に基板１５の脱水乾燥が可能となる。な
お、上記例では、キャリア本体１１の開口部を蓋体１２
で閉塞することにより、内部を気密状態にしているが、
キャリア１０の全体をカバーで覆い内部を気密状態とし
てもよい。
【００２２】図２は本発明に係る基板の脱水乾燥方法を
実施する脱水乾燥装置の他の概略構成例を示す図であ
る。１０は図１と同様、半導体製造設備の装置間を基板
１５を収容設置して搬送するためのキャリアである。該
キャリア１０は一側部に開口部が形成されたキャリア本
体１１を有し、該キャリア本体１１の開口部を蓋体１２
で閉塞することにより、内部が気密状態になる。該キャ
リア本体１１内は複数の基板１５を所定の間隔で収容設
置するための基板収納室１６が設けられ、該基板収納室
１６の側壁１７とキャリア本体１１の内壁面の間に気体
循環路１８が設けられている。該気体循環路１８内には
ファン１９、脱水フィルタ２０、ＨＥＰＡフィルタ２１
が設置されている。脱水フィルタ２０は気体中の水分を
除去するフィルタであり、ＨＥＰＡフィルタ２１は気体
中の粒子を捕集除去するエアフィルタである。
【００２３】図２に示す脱水乾燥装置において、キャリ
ア本体１１内の基板収納室１６に基板１５を収容設置
し、開口部を蓋体１２で閉塞して密封し、更にキャリア
本体１１内に乾燥したＮ2ガス等の乾燥気体を封入し、
ファン１９を運転することにより、基板収納室１６の乾
燥気体は気体循環路１８を通って循環する。これによ
り、基板１５、特に多孔質で親水性、吸水性の膜を有す
る基板１５の該膜内に存在する水分を効果的に脱水乾燥
させることができる。そしてこの循環する気体中の水分
は脱水フィルタ２０で、粒子はＨＥＰＡフィルタ２１で
除去される。なお、上記例では、キャリア本体１１の開
口部を蓋体１２で閉塞することにより、内部を気密状態
にしているが、キャリア１０の全体をカバーで覆い内部
を気密状態としてもよい。
【００２４】図３は本発明に係る基板の脱水乾燥方法を
実施する脱水乾燥装置の他の概略構成例を示す図であ
る。１０は図１と同様、半導体製造設備の装置間を基板
を収容設置して搬送するためのキャリアである。該キャ
リア１０は一側部に開口部が形成されたキャリア本体１
１を有し、該キャリア本体１１の開口部を蓋体１２で閉
塞することにより、内部が気密状態になる。該キャリア
本体１１内は複数の基板１５を所定の間隔で収容設置す
るための基板収納室１６が設けられ、基板収納室１６の
上部にファン１９、脱水フィルタ２０及びＨＥＰＡフィ
ルタ２１が順次配置された気体導入室２２が配置されて
いる。また、気体導入室２２上部のキャリア本体１１の
側壁には開口１１ａが、基板収納室１６底部のキャリア
本体１１側壁には開口１１ｂが設けられている。
【００２５】図３に示す脱水乾燥装置において、キャリ
ア本体１１内の基板収納室１６に基板１５を収容設置
し、開口部を蓋体１２で閉塞して密封し、ファン１９を
運転することにより、開口１１ａから気体導入室２２内
に乾燥気体又は高温気体を導入し、更に脱水フィルタ２
０及びＨＥＰＡフィルタ２１で該気体中の水分及び粒子
が除去され、基板収納室１６内に導入し、開口１１ｂか
ら排出される。これにより、基板収納室１６に収容設置
された基板１５、特に多孔質で親水性、吸水性の膜を有
する基板１５の該多孔質体内に存在する水分を効果的に
脱水乾燥させることができる。
【００２６】図４は本発明に係る基板の脱水乾燥方法を
実施する脱水乾燥装置を具備する基板処理装置の概略構
成例を示す図である。図示するように基板処理装置３０
は、洗浄等のウエット処理を含む各種の処理を行う基板
処理室３１に隣接して、内部に基板１５を収容設置した
キャリア１０を搬入搬出するロード／アンロード（Ｌ／
ＵＬ）室３２が配置された構成である。
【００２７】ロード／アンロード室３２には、内部に基
板１５を収容設置したキャリア１０を載置するキャリア
載置台３３が設けられている。そしてキャリア載置台３
３に載置された、キャリア１０内に収容設置された基板
１５に乾燥気体又は高温気体を供給する（吹き付ける）
ための気体導入路３４が設けられている。該気体導入路
３４にはファン１９、脱水フィルタ２０及びＨＥＰＡフ
ィルタ２１が配置されている。
【００２８】図４に示す基板処理装置において、基板処
理室３１で各種処理が実施され、洗浄処理され、スピン
乾燥された基板１５は図示しないロボット等によりキャ
リア１０内に収容設置される。この状態で気体導入路３
４に配置されたファン１９を運転することにより、乾燥
気体又は高温気体が気体導入路３４に流れ込み、脱水フ
ィルタ２０及びＨＥＰＡフィルタ２１を通って水分及び
粒子が除去され、キャリア１０内に収容設置された基板
１５に吹き付けられる。これにより、基板１５、特に多
孔質で親水性、吸水性の膜を有する基板１５の該膜内に
存在する水分を効果的に脱水乾燥させることができる。
【００２９】なお、気体導入路３４は、矢印Ａに示すよ
うに昇降できるようになっており、キャリア載置台３３
に載置されたキャリア１０内から基板１５を搬出搬入す
るときは下降させ、乾燥気体又は高温気体を吹き付ける
ときはその気体出口がキャリア１０に対向する位置まで
上昇させる。
【００３０】上記図１乃至図４に示す例では、基板１５
をキャリア１０内に収容設置し、基板１５やキャリア１
０を回転することなく脱水及び乾燥を行うので、基板１
５やキャリア１０を回転するための機構を必要としない
ため、構成が簡単となる。
【００３１】半導体製造装置は、一般的に図４に示すよ
うに基板を処理する基板処理室３１、該基板処理室３１
の間で基板の受け渡し及び装置と外部でキャリア１０に
収容設置された基板１５の受け渡しをするロード／アン
ロード室３２が設けられている。このような装置の一例
としてＣＭＰ（化学機械的研磨）装置がある。ＣＭＰ装
置は一般的に枚葉式であり、研磨装置により研磨した基
板１５を洗浄・乾燥（スピンドライ等）してキャリア１
０に戻すようにしている。そして乾燥した基板１５を収
容設置したキャリア１０をロード／アンロード室３２に
搬入搬出する所謂ドライイン／ドライアウト方式が採用
されている。
【００３２】上記のように、基板処理室３１からキャリ
ア１０に収容される基板１５はスピンドライ等により乾
燥しているが、ｌｏｗ−ｋ膜のように多孔質体膜を有す
る基板１５であっては該多孔質体膜の内部に残存する水
分を脱水乾燥させたほうが望ましい場合がある。そこ
で、図５に示すように、第１工程４１及び第２工程４２
を有する基板処理装置４０において、第２工程４２の後
に真空乾燥機構４３を設け、第１工程４１の研磨処理工
程で研磨処理した基板を第２工程４２である洗浄・乾燥
（スピンドライ等）処理工程で洗浄乾燥した後、真空乾
燥機構４３で脱水乾燥を行い、該脱水乾燥を行った基板
１５をキャリア１０に収容するとよい。
【００３３】上記真空乾燥機構４３としては、基板が収
容できる真空チャンバーを具備し、該真空チャンバー内
に第２工程４２で洗浄・乾燥された基板１５を収容し、
その後、該真空チャンバー内の真空度を上げて高い真空
度にし、基板１５を高真空度に曝し、真空乾燥させる構
成のものを用いる。これにより、第２工程４２で洗浄さ
れスピンドライ等で乾燥させた基板１５の多孔質で親水
性、吸水性の膜内に残存する水分を脱水乾燥させること
が可能となる。
【００３４】また、上記真空乾燥機構４３に替え、図示
は省略するが、加熱乾燥用の加熱チャンバーを具備する
加熱乾燥機構を用い、該加熱チャンバーに第２工程４２
で洗浄・乾燥された基板１５を収容したのちに、加熱チ
ャンバー内を加熱し乾燥するようにしてもよい。加熱チ
ャンバーを使用する場合は、基板１５は熱により酸化が
促進されるため、チャンバー内の雰囲気を不活性ガスに
置換する必要がある。上記のように、真空乾燥機構又は
加熱乾燥機構のいずれの方法を用いる場合においても、
チャンバー内を気密にし、雰囲気を置換する必要がある
ため、乾燥機構はチャンバー内の容量が小さくて済む枚
葉処理の機構を使用することが望ましい。
【００３５】上記のように真空乾燥機構４３を用いる方
法は、真空チャンバー内を真空にするのに時間がかか
り、又は加熱乾燥機構を用いる方法は、加熱チャンバー
内を加熱し、加熱したチャンバー内を冷却するのに時間
がかかる。そこで図６に示すように、第２工程４２の後
に３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３を
配置し、第２工程４２で洗浄・乾燥させた基板を３台の
真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３に分散収容
して、該３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３
−３を並行して運転し、脱水乾燥させる。
【００３６】基板処理装置を図６に示すように構成する
ことにより、第１工程（研磨処理）４１、第２工程（洗
浄・乾燥工程）４２のタクトタイムが短い場合には、基
板処理装置４０の処理速度を低下させることなく、基板
１５を処理できる。但し、この場合は基板処理装置４０
に３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３を
配置するので装置が大型化する恐れがある。なお、３台
の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３に替え、
それぞれ加熱乾燥用の加熱チャンバーを具備する加熱乾
燥機構を用いてもよい。
【００３７】図５に示すように、第２工程（洗浄・乾燥
工程）４２の次に１台の真空乾燥機構４３又は１台の加
熱乾燥機構を配置する場合は処理時間が長くなり、図６
に示すように、第２工程（洗浄・乾燥工程）４２の次に
３台の真空乾燥機構４３−１〜３又は３台の加熱乾燥機
構を配置する場合は装置が大型化する恐れがある。そこ
で図１乃至図３に示すように、キャリア１０に収容され
た基板１５を脱水乾燥する装置を用いると、処理時間を
長くすることなく、装置を大型化することなく、脱水乾
燥させることが可能となる。
【００３８】本発明に係る基板処理装置としては、ＣＭ
Ｐ装置のほかに、ウエットエッチング装置や洗浄装置等
のウエット処理工程を有する装置に適用可能である。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば、下記のような優れた効果が得られる。
【００４０】請求項１に記載の発明によれば、装置間を
搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基
板を回転させることなく脱水及び乾燥させるので、基板
の処理工程とは分離して基板の脱水及び乾燥ができるか
ら、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることな
く、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有
する基板の場合は、該膜内部に存在する水分も十分除去
されるから、該多孔質体膜を膨潤変形させたり、後工程
で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空
度を確保するのに障害とならないように十分に脱水乾燥
させることが可能となる。
【００４１】請求項２に記載の発明によれば、キャリア
内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加
熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を
脱水及び乾燥させるので、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多
孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に存在する水
分も十分に除去することが可能となる。
【００４２】請求項３に記載の発明によれば、ウエット
処理後の基板をキャリアに収容する前に、スピンドライ
等により一次乾燥させるので、基板表面に付着している
水分はこの一次乾燥で除去され、残った水分、例えば、
ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する
水分もキャリア内の脱水及び乾燥で十分に除去すること
が可能となる。しかも一次乾燥で多くの水分が除去され
ているから、キャリア内での脱水及び乾燥の負荷は少な
くて済むから、十分な脱水及び乾燥の実現が可能とな
る。
【００４３】請求項４に記載の発明によれば、基板には
吸水性の膜が形成されている場合、スピンドライ等の乾
燥では、吸水性のある膜内にある水分は簡単に除去でき
ないが、ここでは装置間を搬送するキャリア内に基板を
収容設置して脱水及び乾燥を行うから、基板処理装置の
基板処理時間に影響を与えることなく、脱水及び乾燥を
行えるから吸水性のある膜内にある水分も十分に除去す
ることが可能で、後工程で超真空を利用する処理工程に
対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とならな
いように脱水乾燥することが可能となる。
【００４４】請求項５に記載の発明によれば、脱水・乾
燥手段により、装置間を搬送するキャリア内に基板を収
容設置した状態で、該基板を回転させることなく脱水及
び乾燥させるので、請求項１の発明と同様、基板の処理
工程とは分離して基板の脱水及び乾燥ができるから、基
板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、例
えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基
板の場合は、該多孔質体膜内部に存在する水分も十分に
除去し、該膜を膨潤変形させたり、後工程で超真空を利
用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保する
のに障害とならないように脱水乾燥させることが可能と
なる。また、キャリア内に収容設置した基板を、乾燥し
た気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれ
らを複合させて基板を脱水及び乾燥させるので、請求項
２に記載の発明と同様、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔
質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に存在する水分
もより効果的に除去することが可能となる。
【００４５】請求項６に記載の発明によれば、最終の処
理工程を経て処理された基板を請求項５に記載の脱水乾
燥装置を用いて脱水及び乾燥させるので、基板処理装置
の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏ
ｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内
部に残存する水分も十分に除去し、脱水乾燥することが
可能となる。しかも基板を脱水及び乾燥させる機構を処
理装置内に設ける必要がないから、基板処理装置の大型
化も抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る脱水乾燥装置の概略構成例を示す
図である。
【図２】本発明に係る脱水乾燥装置の他の概略構成例を
示す図である。
【図３】本発明に係る脱水乾燥装置の他の概略構成例を
示す図である。
【図４】本発明に係る脱水乾燥装置を具備する基板処理
装置の概略構成例を示す図である。
【図５】本発明に係る脱水乾燥装置を具備する基板処理
装置の概略構成例を示す図である。
【図６】本発明に係る脱水乾燥装置を具備する基板処理
装置の概略構成例を示す図である。
【符号の説明】
１０ キャリア １１ キャリア本体（筐体） １２ 蓋体 １３ 逆止弁 １４ 真空源 １５ 基板 １６ 基板収納室 １７ 側壁 １８ 気体循環路 １９ ファン ２０ 脱水フィルタ ２１ ＨＥＰＡフィルタ ２２ 気体導入室 ３０ 基板処理装置 ３１ 基板処理室 ３２ ロード／アンロード室 ３３ キャリア載置台 ３４ 気体導入路 ４０ 基板処理装置 ４１ 第１工程 ４２ 第２工程 ４３ 真空乾燥機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ６５Ｄ 85/86 Ｂ６５Ｄ 85/38 Ｒ Ｆターム(参考） 3E096 AA06 BA16 BB03 CA02 CB03 DA26 DA30 FA40 GA01 3L113 AB08 AC01 AC23 AC67 BA34

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエット処理後の基板を脱水乾燥する基
    板の脱水乾燥方法であって、 装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態
    で、該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させるこ
    とを特徴とする基板の脱水乾燥方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板の脱水乾燥方法に
    おいて、 前記キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に
    曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合
    させて基板を脱水及び乾燥させることを特徴とする基板
    の脱水乾燥方法。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の基板の脱水乾燥
    方法において、 前記ウエット処理後の基板を前記キャリアに収容する前
    に、スピンドライ等により一次乾燥させることを特徴と
    する基板の脱水乾燥方法。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
    基板の脱水乾燥方法において、 前記基板には吸水性のある膜が形成されていることを特
    徴とする基板の脱水乾燥方法。
  5. 【請求項５】 ウエット処理後の基板を脱水乾燥する基
    板の脱水乾燥装置であって、 装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態
    で、該基板を回転させることなく該基板を脱水及び乾燥
    させる脱水・乾燥手段を設け、 前記脱水・乾燥手段は前記キャリア内に収容設置した基
    板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝
    し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させる
    ことを特徴とする基板の脱水乾燥装置。
  6. 【請求項６】 ウエット処理工程を含む複数の処理工程
    を有し、該複数の処理工程を経て基板を処理する基板処
    理装置において、 最終の前記処理工程を経て処理された基板を請求項５に
    記載の脱水乾燥装置を用いて脱水及び乾燥させることを
    特徴とする基板処理装置。
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