JP2003258396A - 電子デバイス及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器 - Google Patents

電子デバイス及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器

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JP2003258396A JP2002054139A JP2002054139A JP2003258396A JP 2003258396 A JP2003258396 A JP 2003258396A JP 2002054139 A JP2002054139 A JP 2002054139A JP 2002054139 A JP2002054139 A JP 2002054139A JP 2003258396 A JP2003258396 A JP 2003258396A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気的な導通を確実にする電子デバイス及び
その製造方法、半導体装置並びに電子機器を提供するこ
とにある。 【解決手段】 第1の電子部品10に形成された第1の
グループの端子12と、第2の電子部品20に形成され
た第2のグループの端子22とを、オーバーラップする
ように位置合わせして電気的に接続する。第1及び第2
の電子部品10,20の一方は、スケール30を有す
る。第1及び第2の電子部品10,20の他方は、基準
マーク40を有する。第1及び第2のグループの端子1
2,22の位置合わせは、スケール30及び基準マーク
40によって、第1及び第2の電子部品10,20の相
対的な位置を測定しながら行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス及び
その製造方法、半導体装置並びに電子機器に関する。
【0002】
【背景技術】従来、液晶パネルにフレキシブルプリント
基板を接続するCOF実装のように、多数の電極同士を
接続する場合、位置ズレが生じると電極間の導通を採る
ことができなくなる。特に、フレキシブルプリント基板
のような薄い樹脂フィルムに形成された電極は、樹脂フ
ィルムが熱や湿気によって膨張・収縮しやすいため、電
極の位置ズレをなくすことは難しかった。
【0003】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、電気的な導通を確実にする電子デバイ
ス及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器を提供
することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る電子
デバイスの製造方法は、第1の電子部品に形成された3
つ以上の端子からなる第1のグループの端子と、第2の
電子部品に形成された3つ以上の端子からなる第2のグ
ループの端子とを、オーバーラップするように位置合わ
せして電気的に接続することを含み、前記第1及び第2
の電子部品の一方は、スケールを有し、前記第1及び第
2の電子部品の他方は、基準マークを有し、前記第1及
び第2のグループの端子の位置合わせは、前記スケール
及び前記基準マークによって、前記第1及び第2の電子
部品の相対的な位置を測定しながら行う。
【0005】本発明によれば、スケール及び基準マーク
によって、第1及び第2の電子部品の位置合わせを簡単
に行うことができ、それに伴って、第1及び第2のグル
ープの端子の位置合わせも簡単に行うことができる。
【0006】(2)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせ
を、前記第1及び第2の電子部品の相対的な回転位置を
合わせた後に行ってもよい。
【0007】(3)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第1及び第2の電子部品の相対的な回転位置
を、前記スケール及び前記基準マークを使用して合わせ
てもよい。
【0008】(4)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせ
は、二次元座標系で、前記第1及び第2の電子部品を、
XY座標軸の一方に沿って移動させた後にXY座標軸の
他方に沿って移動させて行ってもよい。
【0009】(5)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記スケール及び前記基準マークによって、前記X
Y座標軸の一方に沿った方向における前記第1及び第2
のグループの端子の相対的な位置を測定してもよい。
【0010】(6)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記スケール及び前記基準マークによって、前記X
Y座標軸の両方に沿った方向における前記第1及び第2
のグループの端子の相対的な位置を測定してもよい。
【0011】(7)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記スケール及び前記基準マークは、前記XY座標
軸の一方に沿った方向の、前記第1及び第2のグループ
の端子の相対的な位置を測定する第1のスケール及び第
1の基準マークと、前記XY座標軸の他方に沿った方向
の、前記第1及び第2のグループの端子の相対的な位置
を測定する第2のスケール及び第2の基準マークと、を
含んでもよい。
【0012】(8)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第1の電子部品は、一対の第1のマークを有
し、前記第2の電子部品は、一対の第2のマークを有
し、(a)設計の段階で、前記第1のグループの各端子
は、第1の点を通る複数の第1の線のいずれかに沿って
延びるように設計され、前記第1のグループの端子は、
前記第1の点を通る第1のY軸に対して線対称になるよ
うに配列されるように設計され、前記第2のグループの
各端子は、第2の点を通る複数の第2の線のいずれかに
沿って延びるように設計され、前記第2のグループの端
子は、前記第2の点を通る第2のY軸に対して線対称に
なるように配列されるように設計され、前記複数の第1
の線の配列と、前記複数の第2の線の配列とは、同一に
なるように設計され、前記第1のマークは、前記第1の
Y軸に直交し、かつ、前記第1のグループの端子に交差
する第1のX軸上に位置するように設計され、前記第2
のマークは、前記第2のY軸に直交し、かつ、前記第2
のグループの端子に交差する第2のX軸上に位置するよ
うに設計され、設計上の前記第1及び第2のグループの
端子がオーバーラップするときに、それぞれの前記第1
のマークは、1つの前記第2のマークと一致するように
設計され、(b)前記第1及び第2のグループの端子の
位置合わせ工程は、前記第1及び第2の電子部品を、前
記第1及び第2のX軸が一致し、かつ、前記第1及び第
2のY軸が一致するように配置し、前記第1及び第2の
点の間の近似距離だけ、前記第1及び第2の電子部品
を、前記第1及び第2の点の接近する方向であって前記
第1及び第2のY軸に沿って移動させることを含んでも
よい。
【0013】これによれば、第1又は第2の電子部品が
膨張又は収縮して、第1及び第2のグループの端子を設
計通りに位置合わせすることができなくても、第1及び
第2のマークを使用して、簡単な動作で位置合わせを行
うことができる。
【0014】(9)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記一対の第1のマークは、前記第1のY軸に対し
て線対称の位置に配置され、前記一対の第2のマーク
は、前記第2のY軸に対して線対称の位置に配置され、
前記第1及び第2の電子部品を、前記第1及び第2のY
軸が一致するように配置する工程は、設計上オーバーラ
ップする一方の前記第1マークと一方の前記第2のマー
クとの間の第1の距離と、設計上オーバーラップする他
方の前記第1マークと他方の前記第2のマークとの間の
第2の距離と、が等しくなるように、前記第1及び第2
の電子部品を移動させることを含んでもよい。
【0015】(10)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記第1及び第2の電子部品を、前記第1及び第
2のY軸が一致するように配置する工程は、前記第1の
距離ΔW1を測定し、前記第2の距離ΔW2を測定し、前
記第1及び第2の距離ΔW1,ΔW2が、いずれも、(Δ
1+ΔW2)/2となるように前記第1及び第2の電子
部品を移動させることを含んでもよい。
【0016】(11)この電子デバイスの製造方法にお
いて、設計上の前記第1のグループの端子のうち線対称
の位置にある一対の端子間の距離Wに対する、設計上の
前記第1のXY軸の交点と前記第1の点との間の距離D
の比率D/Wを、前記第1及び第2のグループの端子の
位置合わせ工程の前に取得することをさらに含み、前記
距離Wは、設計上の前記第2のグループの端子のうち線
対称の位置にある一対の端子間の距離でもあり、前記比
率D/Wは、設計上の前記第2のXY軸の交点と前記第
2の点との間の距離Dの比率でもあり、前記第1のグル
ープの端子のうち前記距離Wの基準となった前記一対の
端子の位置合わせ時の距離W′又はその近似値となる距
離W1と、前記第2のグループの端子のうち前記距離W
の基準となった前記一対の端子の位置合わせ時の距離
W″又はその近似値となる距離W2と、の差ΔWを算出
し、 ΔY=(D/W)×ΔW の式によって前記第1及び第2の点の間の近似距離ΔY
を算出してもよい。
【0017】(12)この電子デバイスの製造方法にお
いて、算出される前記差ΔWは、前記距離W1と前記距
離W2との差であり、前記距離W1は、前記一対の第1の
マーク間の距離であり、前記距離W2は、前記一対の第
2のマーク間の距離であってもよい。
【0018】(13)この電子デバイスの製造方法にお
いて、 ΔW=ΔW1+ΔW2 の式によって、前記差ΔWを算出してもよい。
【0019】(14)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記一対の第1のマークは、前記第1のグループ
の端子のうち前記距離Wの基準となった前記一対の端子
に対して、他の端子よりも近い位置に配置され、前記一
対の第2のマークは、前記第2のグループの端子のうち
前記距離Wの基準となった前記一対の端子に対して、他
の端子よりも近い位置に配置されていてもよい。
【0020】(15)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記一対の第1のマークは、前記第1の電子部品
の端部に配置され、前記一対の第2のマークは、前記第
2の電子部品の端部に配置されていてもよい。
【0021】(16)この電子デバイスの製造方法にお
いて、算出される前記差ΔWは、前記距離W′と前記距
離W″との差であり、前記一対の第1のマークのそれぞ
れは、前記第1のグループの端子のうち前記距離Wの基
準となった前記一対の端子のそれぞれの一部であり、前
記一対の第2のマークのそれぞれは、前記第2のグルー
プの端子のうち前記距離Wの基準となった前記一対の端
子のそれぞれの一部であってもよい。
【0022】(17)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記第1のグループの端子のうち、配列方向の両
端に位置する一対の端子が、前記距離Wの基準となり、
前記第2のグループの端子のうち、配列方向の両端に位
置する一対の端子が、前記距離Wの基準といてもよい。
【0023】(18)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記第1のグループの端子の設計上の前記距離W
と、位置合わせ時の前記距離W′とがほぼ等しく、前記
第1のグループの端子の設計上の前記第1のXY軸の交
点と前記第1の点との間の距離Dと、位置合わせ時にお
ける前記第1のXY軸の交点と前記第1の点との間の距
離D′と、がほぼ等しく、 W′=W D′=D とみなして、前記差ΔWを算出してもよい。
【0024】(19)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせ
工程の前に、前記第1及び第2の点の間の前記近似距離
ΔYを予め取得しておき、前記第1及び第2のグループ
の端子の位置合わせ工程で、前記第1及び第2の点の間
の前記近似距離ΔYを読み出して使用してもよい。
【0025】(20)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記第1のマークは、前記第1のグループの端子
と同じ材料で形成され、前記第2のマークは、前記第2
のグループの端子と同じ材料で形成されていてもよい。
【0026】(21)この電子デバイスの製造方法にお
いて、前記第1及び第2の電子部品の位置合わせを自動
制御によって行ってもよい。
【0027】(22)本発明に係る電子デバイスは、上
記方法によって製造されたものである。
【0028】(23)本発明に係る電子機器は、上記電
子デバイスを有する。
【0029】(24)本発明に係る半導体装置は、3つ
以上の端子を含む基板と、前記基板に実装された半導体
チップと、を含む半導体装置であって、前記基板は、前
記基板の表面に設けられたスケールを含む。
【0030】(25)この半導体装置において、前記ス
ケールは、直行するXY座標軸のうち、X軸に沿った方
向に設けられた第1のスケールと、Y軸に沿った方向に
設けられた前記第2のスケールと、を含む。
【0031】(26)この半導体装置において、前記ス
ケールは、前記端子と同じ材料からなる。
【0032】(27)この半導体装置において、前記ス
ケールは、少なくとも前記基板の外周のうち、対向する
2辺に沿って設けられる。
【0033】(28)本発明に係る電子デバイスは、上
記半導体装置を有する。
【0034】(29)本発明に係る電子機器は、上記電
子デバイスを有する。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0036】(第1の実施の形態)図1(A)〜図6
は、本発明の第1の実施の形態に係る電子デバイス及び
その製造方法を説明する図である。
【0037】(設計の段階)図1(A)は、設計段階の
電子デバイスの分解図であり、図1(B)は、図1
(A)の一部拡大図である。電子デバイスは、複数の電
子部品(第1及び第2の電子部品10,20)を有す
る。図1(A)に示す第1の電子部品10は、電気光学
パネル(例えば液晶パネル・エレクトロルミネッセンス
パネル等)である。第1の電子部品10は第1のグルー
プの端子12を有する。第1の電子部品10の基板(例
えばガラス基板)14に、第1のグループの端子12が
形成されている。基板14は透明基板であることが好ま
しい。第1のグループの端子12は、3つ以上の端子か
らなり、配線パターンの一部であってもよい。第1の電
子部品10は、一対の第1のマーク16を有する。第1
のマーク16は、第1のグループの端子12と同じ材料
で形成してもよいし、基板14に形成された貫通穴又は
凹部であってもよい。一対の第1のマーク16は、第1
の電子部品10(基板14)の端部(例えば、第1のグ
ループの全ての端子12よりも外側)に配置されてい
る。例えば、スケールは、フレキシブル基板の外周のう
ち、対向する2辺に沿って設けられている。
【0038】図1(A)に示す第2の電子部品20は、
例えば、COF(Chip On Film)実装やTCP(Tape C
arrier Package)が適用された半導体装置である。第2
の電子部品20は、集積回路(例えば半導体チップ)2
8を有していてもよい。集積回路28は、第1の電子部
品10を制御するためのものである。第2の電子部品2
0は第2のグループの端子22を有する。第2の電子部
品20の基板(例えば樹脂からなるフレキシブル基板)
24に、第2のグループの端子22が形成されている。
図1(A)では、基板24の裏面に第2のグループの端
子22が形成されている。第2のグループの端子22
は、3つ以上の端子からなり、配線パターンの一部であ
ってもよい。第2の電子部品20は、一対の第2のマー
ク26を有する。第2のマーク26は、第2のグループ
の端子22と同じ材料で形成してもよいし、基板24に
形成された貫通穴又は凹部であってもよい。一対の第2
のマーク26は、第2の電子部品20(基板24)の端
部(例えば、第2のグループの全ての端子22よりも外
側)に配置されている。第1及び第2のマーク16,2
6のそれぞれの形状は、リング状、角リング状、円形、
X状のいずれであってもよい。
【0039】第1及び第2の電子部品10,20の一方
は、スケール30を有する。本実施の形態では、スケー
ル30は、基板14に形成されている。例えば、基板1
4において、基板24と重ねられる辺に沿った方向(幅
方向)の両端部に、スケール30が形成されている。ス
ケール30は、第1のグループの端子12と同じ材料
(例えばITO(Indium Tin Oxide))で形成してもよ
い。この場合には、基板形成工程を簡略化することがで
きる。図1(B)に示すように、スケール30は、XY
座標軸のうち一方(例えばY軸)に沿った方向における
第1及び第2のグループの端子12,22の相対的な位
置を測定するための第1のスケール32と、XY座標軸
のうち他方(例えばX軸)に沿った方向における第1及
び第2のグループの端子12,22の相対的な位置を測
定するための第2のスケール34と、を含んでもよい。
本実施の形態で、XY座標軸とは、二次元座標系を構成
する2つの座標軸であり、XY座標軸は直交する。
【0040】第1及び第2の電子部品10,20の他方
は、基準マーク40を有する。本実施の形態では、基準
マーク40は、基板24に形成されている。例えば、基
板24において、基板14と重ねられる辺に沿った方向
(幅方向)の両端部に、基準マーク40が形成されてい
る。図1(B)に示すように、基準マーク40は、第2
のグループの端子22と同じ材料(例えば銅、金などの
金属)で形成してもよい。基準マーク40は、XY座標
軸のうち一方(例えばY軸)に沿った方向における第1
及び第2のグループの端子12,22の相対的な位置を
測定するための第1の基準マーク42と、XY座標軸の
うち他方(例えばX軸)に沿った方向における第1及び
第2のグループの端子12,22の相対的な位置を測定
するための第2の基準マーク44と、を含んでもよい。
第1及び第2の基準マーク42,44は、ラインであっ
てもよい。マーク40は、第1及び第2の基準マーク4
2,44が一体化した形状であってもよい。
【0041】第1のスケール32及び第1の基準マーク
42によって、XY座標軸のうち一方(例えばY軸)に
沿った方向における第1及び第2のグループの端子1
2,22の相対的な位置を測定することができる。第2
のスケール34及び第2の基準マーク44によって、X
Y座標軸のうち他方(例えばX軸)に沿った方向におけ
る第1及び第2のグループの端子12,22の相対的な
位置を測定することができる。
【0042】図2は、第1及び第2のグループの端子の
設計を説明する図である。第1のグループの端子12の
それぞれは、第1の点P1を通る複数の第1の線L1のい
ずれかに沿って延びるように設計されている。第1のグ
ループの端子12は、第1の点P1を通る第1のY軸Y1
に対して線対称に配列されるように設計されている。第
2のグループの端子22のそれぞれは、第2の点P2
通る複数の第2の線L2のいずれかに沿って延びるよう
に設計されている。第2のグループの端子22は、第2
の点P2を通る第2のY軸Y2に対して線対称に配列され
るように設計されている。そして、複数の第1の線L1
の配列と、複数の第2の線L2の配列とは、同一になる
ように設計されている。
【0043】一対の第1のマーク16は、第1のX軸X
1上に位置するように設計されている。第1のX軸X
1は、第1のY軸Y1に直交し、かつ、第1のグループの
端子12に交差する。一対の第1のマーク16は、第1
のY軸Y1に対して線対称の位置に配置されている。
【0044】一対の第2のマーク26は、第2のX軸X
2上に位置するように設計されている。第2のX軸X
2は、第2のY軸Y2に直交し、かつ、第2のグループの
端子22に交差する。一対の第2のマーク26は、第2
のY軸Y2に対して線対称の位置に配置されている。
【0045】設計上の第1及び第2のグループの端子1
2,22がオーバーラップするときに、それぞれの第1
のマーク16は、1つの第2のマーク26と一致するよ
うに設計されている。設計上の第1のグループの端子1
2のうち線対称の位置にある一対の端子間の距離Wは、
設計上の第2のグループの端子22のうち線対称の位置
にある一対の端子間の距離でもある。第1のグループの
端子12のうち、配列方向の両端に位置する一対の端子
が、距離Wの基準となっていてもよい。第2のグループ
の端子22のうち、配列方向の両端に位置する一対の端
子が、距離Wの基準となっていてもよい。設計上の第1
のXY軸X1,Y1の交点と第1の点P1との間の距離D
は、設計上の第2のXY軸X2,Y2の交点と第2の点P
2との間の距離でもある。
【0046】一対の第1のマーク16は、第1のグルー
プの端子12のうち距離Wの基準となった一対の端子に
対して、他の端子よりも近い位置に配置されている。一
対の第2のマーク26は、第2のグループの端子22の
うち距離Wの基準となった一対の端子に対して、他の端
子よりも近い位置に配置されている。
【0047】(位置合わせ方法)図3(A)〜図3
(C)は、第1及び第2のグループの端子の位置合わせ
方法を説明する図である。設計の段階では、第1及び第
2のマーク16,26を合わせれば、第1及び第2のグ
ループの端子12,22が一致する。しかし、実際に位
置合わせを行う段階で、第1のグループの端子12を支
持する部材(例えば基板14)と、第2のグループの端
子22を支持する部材(例えば基板24)と、が異なる
比率で膨張又は収縮する場合がある。その原因として、
基板14、24の熱膨張率や吸湿性の違いが挙げられ
る。そして、基板14,24が異なる比率で膨張又は収
縮することで、第1及び第2のグループの端子12,2
2にずれが生じる。その場合の位置合わせの方法を以下
説明する。
【0048】図3(A)に示すように、第1及び第2の
電子部品10,20の相対的な回転位置を合わせる。す
なわち、第1及び第2の電子部品10,20を、二次元
座標系においてXY座標軸に沿ってのみ移動させれば、
回転させることなく位置合わせができるように配置す
る。回転位置は、設計段階でのスケール30及び基準マ
ーク40を基準にして合わせてもよい。詳しくは、設計
段階で第1及び第2のグループの端子12,22が一致
するときに、スケール30及び基準マーク40によって
測定される位置(測定値)に、第1及び第2の電子部品
10,20を配置する。
【0049】本実施の形態では、第1のスケール32及
び第1の基準マーク42が、基板14,24における重
ねられる辺に沿った方向(幅方向)の両端部に形成され
ている。そこで、一方側の第1のスケール32及び第1
の基準マーク42によって設計段階で測定される値と、
他方側の第1のスケール32及び第1の基準マーク42
によって設計段階で測定される値と、が得られる位置に
第1及び第2の電子部品10,20を配置する。こうし
て、第1及び第2の電子部品10,20の相対的な回転
位置を、スケール30及び基準マーク40を使用して合
わせることができる。この時点では、二次元座標系で、
第1及び第2の電子部品は、相対的にXY座標軸に沿っ
た方向にずれていてもよい。
【0050】次に、第1及び第2の電子部品10,20
を、二次元座標系でXY座標軸の少なくとも一方に沿っ
て、相対的に移動させる。例えば、図3(B)に示すよ
うに、第1及び第2の電子部品10,20を、X座標軸
(基板14,24における重ねられる辺に沿った方向
(幅方向))に沿って、相対的に移動させる。例えば、
第1及び第2の電子部品10,20を、基板14,24
の重ねられる辺に沿った方向(幅方向)における中心が
一致するように位置合わせする。
【0051】具体的には、図3(A)に示す状態で、一
方側の第1のスケール32及び第1の基準マーク42に
よって位置を測定して第1の測定値を取得し、他方側の
第1のスケール32及び第1の基準マーク42によって
位置を測定して第2の測定値を取得する。そして、第1
及び第2の測定値から、第1及び第2の電子部品10,
20を、どちらの方向にどれだけ相対的に移動させれば
よいかを算出する。例えば、第1及び第2の測定値の平
均値を算出する。算出された値に従って、第1及び第2
の電子部品10,20を相対的に移動させて、図3
(B)に示すように、第1及び第2の電子部品10,2
0における幅方向の位置合わせする。
【0052】次に、図3(C)に示すように、第1及び
第2の電子部品10,20を、Y座標軸(基板14,2
4における重ねられる辺に交差(例えば直交)する方
向)に沿って、相対的に移動させる。こうして、第1及
び第2のグループの端子12,22を位置合わせする。
ここで、位置合わせに必要な移動量(移動距離)を、近
似距離ΔYとしてもよい。近似距離ΔYは、演算によっ
て求められる。以下その演算方法を説明する。
【0053】(近似距離ΔYの演算方法)本実施の形態
では、近似距離ΔYは、予め取得しておいて、位置合わ
せを行うときにこれを読み出して使用する。したがっ
て、以下の工程は、上述した位置合わせの工程を行う前
に予め行っておく。
【0054】図4は、位置合わせの段階での第1及び第
2のグループの端子を説明する図である。例えば、第1
の電子部品10において、設計段階での上述した距離W
(図2参照)は、位置合わせの段階で距離W′となって
いる。また、設計段階での上述した距離Dは、位置合わ
せの段階で距離D′となっている。第2の電子部品20
において、設計段階での上述した距離Wは、位置合わせ
の段階で距離W″となっている。また、設計段階での上
述した距離Dは、位置合わせの段階で距離D″となって
いる。
【0055】本実施の形態では、第1の電子部品10に
おいて、第1のグループの端子12を支持する部材(基
板14)は、熱や湿気等によって変形しにくい材料(例
えばガラス)で形成されている。したがって、距離W,
W′がほぼ等しく、距離D,D′が近似しているので、 W′=W D′=D の関係があるものとみなす。
【0056】一方、第2の電子部品20において、第2
のグループの端子22を支持する部材(基板24)は、
基板14と比較して、熱や湿気等によって変形しやすい
材料(例えばポリイミド等の樹脂)で形成されている。
したがって、距離W,W″が異なり、距離D,D″が異
なっており、 W″≠W D″≠D の関係がある。
【0057】また、第1及び第2のマーク16,26
は、それぞれ、第1及び第2のグループの端子12,2
2に近い位置に形成されている。そこで、一対の第1の
マーク16間の距離W1を、距離W′の近似距離とし、
一対の第2のマーク26間の距離W2を、距離W″の近
似距離として使用する。すなわち、 W′=W1 W″=W2 の関係があるものとみなす。
【0058】本実施の形態では、距離W′としてその近
似距離W1を使用し、距離W″としてその近似距離W2
使用する。また、位置合わせの前に、距離Wに対する距
離D(図2参照)の比率D/Wを取得しておく。
【0059】図5に示すように、第1及び第2の電子部
品10,20を、第1及び第2のX軸X1,X2が一致す
るように配置する。例えば、位置合わせのための装置
(製造装置)が有するXY座標系で、そのX軸上に第1
及び第2のマーク16,26を配置すれば、第1及び第
2のX軸X1,X2が一致する。位置合わせを自動制御で
行う場合には、第1及び第2のマーク16,26を、少
なくとも1つの(例えば一対の)カメラ(図示せず)で
撮像して画像を認識し、コンピュータにて第1及び第2
の電子部品10,20の移動量及び移動方向を演算す
る。
【0060】また、第1及び第2の電子部品10,20
を、第1及び第2のY軸Y1,Y2が一致するように配置
する。詳しくは、設計上オーバーラップする一方の第1
マーク16と一方の第2のマーク26との間の第1の距
離ΔW1と、設計上オーバーラップする他方の第1マー
ク16と他方の第2のマーク26との間の第2の距離Δ
2と、が等しくなるように、第1及び第2の電子部品
10,20を移動させる。例えば、第1の距離ΔW1
測定し、第2の距離ΔW2を測定し、第1及び第2の距
離ΔW1,ΔW2が、いずれも、 (ΔW1+ΔW2)/2 となるように第1及び第2の電子部品10,20を移動
させる。ここでの演算もコンピュータで行ってもよい。
【0061】次に、第1及び第2の点P1,P2の間の距
離(例えば近似距離ΔY)を算出する。例えば、第1の
グループの端子12のうち距離Wの基準となった一対の
端子の位置合わせ時の距離W′の近似値となる距離W1
と、第2のグループの端子22のうち距離Wの基準とな
った一対の端子の位置合わせ時の距離W″の近似値とな
る距離W2と、の差ΔWを算出する。なお、差ΔWは、
距離W1と距離W2との差から算出してもよい。あるい
は、 ΔW=ΔW1+ΔW2 の式によって、差ΔWを算出してもよい。
【0062】そして、 ΔY=(D/W)×ΔW の式によって第1及び第2の点の間の近似距離ΔYを算
出することができる。ここでの演算もコンピュータで行
ってもよい。取得した近似距離ΔYは、その後に連続し
て行われる位置合わせ工程で繰り返して使用することが
できる。
【0063】近似距離ΔYが算出されると、これを使用
して、図3(C)に示すように、第1及び第2の電子部
品10,20を移動させる。言い換えると、図5に示す
ように、第1及び第2の点P1,P2の間の距離(本実施
の形態では近似距離ΔY)だけ、第1及び第2の電子部
品10,20を、第1及び第2の点P1,P2の接近する
方向であって第1及び第2のY軸Y1,Y2に沿って移動
させる。こうして、第1及び第2の点P1,P2を一致さ
せると、第1のグループの各端子12の一部が、第2の
グループのいずれかの端子22の一部とオーバーラップ
するようになる。すなわち、第1及び第2のグループの
端子12,22を位置合わせすることができる。
【0064】(電気的な接続)そして、第1及び第2の
グループの端子12,22を、電気的に接続する。その
電気的な接続には、異方性導電膜や異方性導電ペースト
を使用してもよいし、金属接合を適用してもよいし、絶
縁性の接着剤による圧着を適用してもよい。以上の工程
によって、第1及び第2の電子部品10,20を電気的
に接続することができ、図6に示すように電子デバイス
が得られる。
【0065】本実施の形態によれば、第1又は第2の電
子部品10,20が異なる比率で膨張又は収縮して、第
1及び第2のグループの端子12,22を設計通りに位
置合わせすることができなくても、簡単な動作で位置合
わせを行うことができる。本実施の形態は、マニュアル
で位置合わせをするときに適用することができる。ま
た、位置合わせを自動化した場合には、本実施の形態を
適用することで、正しく位置合わせが行われているかど
うかを検査することができる。さらに、本実施の形態で
は、第1及び第2のグループの端子12,22が、平行
にならないように配列されているが、これらが平行に配
列されている場合に本実施の形態を適用してもよい。
【0066】(第2の実施の形態)図7(A)〜図7
(B)は、本発明の第2の実施の形態に係る電子デバイ
スの製造方法を説明する図である。詳しくは、図7
(A)は、設計段階での、第1及び第2のグループの端
子並びに第1及び第2のマークを説明する図である。図
7(B)は、位置合わせの段階での、第1及び第2のグ
ループの端子並びに第1及び第2のマークを説明する図
である。
【0067】本実施の形態では、第1の電子部品50に
おいて、一対の第1のマーク56のそれぞれは、第1の
グループの端子52のうち距離Wの基準となった一対の
端子のそれぞれの一部である。すなわち、第1のグルー
プのいずれかの端子52上に、第1のマーク56が位置
している。また、第2の電子部品60において、一対の
第2のマーク66のそれぞれは、第2のグループの端子
62のうち距離Wの基準となった一対の端子のそれぞれ
の一部である。すなわち、第2のグループのいずれかの
端子62上に、第2のマーク66が位置している。それ
以外の構成は、第1の実施の形態で説明した通りであ
る。
【0068】上述した第1の実施の形態では、差ΔW
は、距離W1と距離W2とから、あるいは、第1の距離Δ
1と第2の距離ΔW2から算出した。一方、本実施の形
態では、算出される差ΔWは、距離W′と距離W″との
差である。したがって、近似距離ΔYが、第1及び第2
の点P1,P2の間の真の距離に近くなる。それ以外の効
果については、第1の実施の形態で説明した内容が該当
する。
【0069】上述した電子デバイスを有する電子機器と
して、図8にはノート型パーソナルコンピュータ100
0が示され、図9には携帯電話2000が示されてい
る。
【0070】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)及び図1(B)は、本発明の第1の
実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図
である。
【図2】図2は、本発明の第1の実施の形態に係る電子
デバイスの製造方法を説明する図である。
【図3】図3(A)〜図3(C)は、本発明の第1の実
施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図で
ある。
【図4】図4は、本発明の第1の実施の形態に係る電子
デバイスの製造方法を説明する図である。
【図5】図5は、本発明の第1の実施の形態に係る電子
デバイスの製造方法を説明する図である。
【図6】図6は、本発明の第1の実施の形態に係る電子
デバイスを示す図である。
【図7】図7(A)及び図7(B)は、本発明の第2の
実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図
である。
【図8】図8は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。
【図9】図9は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。
【符号の説明】
10 第1の電子部品 12 第1のグループの端子 16 第1のマーク 20 第2の電子部品 22 第2のグループの端子 26 第2のマーク 30 スケール 32 第1のスケール 34 第2のスケール 40 基準マーク 42 第1の基準マーク 44 第2の基準マーク 50 第1の電子部品 52 第1のグループの端子 56 第1のマーク 60 第2の電子部品 62 第2のグループの端子 66 第2のマーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA51 GA57 MA32 MA35 NA15 NA16 PA06 5E317 AA05 GG11 GG16 5E338 AA12 AA18 CC10 DD12 DD32 EE43 EE44 5E344 AA02 AA22 BB02 BB04 BB20 CD04 DD02 DD06 EE21 EE23

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の電子部品に形成された3つ以上の
    端子からなる第1のグループの端子と、第2の電子部品
    に形成された3つ以上の端子からなる第2のグループの
    端子とを、オーバーラップするように位置合わせして電
    気的に接続することを含み、 前記第1及び第2の電子部品の一方は、スケールを有
    し、 前記第1及び第2の電子部品の他方は、基準マークを有
    し、 前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせは、前
    記スケール及び前記基準マークによって、前記第1及び
    第2の電子部品の相対的な位置を測定しながら行う電子
    デバイスの製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせを、前
    記第1及び第2の電子部品の相対的な回転位置を合わせ
    た後に行う電子デバイスの製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記第1及び第2の電子部品の相対的な回転位置を、前
    記スケール及び前記基準マークを使用して合わせる電子
    デバイスの製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項2又は請求項3記載の電子デバイ
    スの製造方法において、 前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせは、二
    次元座標系で、前記第1及び第2の電子部品を、XY座
    標軸の一方に沿って移動させた後にXY座標軸の他方に
    沿って移動させて行う電子デバイスの製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記スケール及び前記基準マークによって、前記XY座
    標軸の一方に沿った方向における前記第1及び第2のグ
    ループの端子の相対的な位置を測定する電子デバイスの
    製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項4記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記スケール及び前記基準マークによって、前記XY座
    標軸の両方に沿った方向における前記第1及び第2のグ
    ループの端子の相対的な位置を測定する電子デバイスの
    製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記スケール及び前記基準マークは、 前記XY座標軸の一方に沿った方向の、前記第1及び第
    2のグループの端子の相対的な位置を測定する第1のス
    ケール及び第1の基準マークと、 前記XY座標軸の他方に沿った方向の、前記第1及び第
    2のグループの端子の相対的な位置を測定する第2のス
    ケール及び第2の基準マークと、 を含む電子デバイスの製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項4から請求項7のいずれかに記載
    の電子デバイスの製造方法において、 前記第1の電子部品は、一対の第1のマークを有し、 前記第2の電子部品は、一対の第2のマークを有し、 (a)設計の段階で、 前記第1のグループの各端子は、第1の点を通る複数の
    第1の線のいずれかに沿って延びるように設計され、 前記第1のグループの端子は、前記第1の点を通る第1
    のY軸に対して線対称になるように配列されるように設
    計され、 前記第2のグループの各端子は、第2の点を通る複数の
    第2の線のいずれかに沿って延びるように設計され、 前記第2のグループの端子は、前記第2の点を通る第2
    のY軸に対して線対称になるように配列されるように設
    計され、 前記複数の第1の線の配列と、前記複数の第2の線の配
    列とは、同一になるように設計され、 前記第1のマークは、前記第1のY軸に直交し、かつ、
    前記第1のグループの端子に交差する第1のX軸上に位
    置するように設計され、 前記第2のマークは、前記第2のY軸に直交し、かつ、
    前記第2のグループの端子に交差する第2のX軸上に位
    置するように設計され、 設計上の前記第1及び第2のグループの端子がオーバー
    ラップするときに、それぞれの前記第1のマークは、1
    つの前記第2のマークと一致するように設計され、 (b)前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせ
    工程は、 前記第1及び第2の電子部品を、前記第1及び第2のX
    軸が一致し、かつ、前記第1及び第2のY軸が一致する
    ように配置し、 前記第1及び第2の点の間の近似距離だけ、前記第1及
    び第2の電子部品を、前記第1及び第2の点の接近する
    方向であって前記第1及び第2のY軸に沿って移動させ
    ることを含む電子デバイスの製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項8記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記一対の第1のマークは、前記第1のY軸に対して線
    対称の位置に配置され、 前記一対の第2のマークは、前記第2のY軸に対して線
    対称の位置に配置され、 前記第1及び第2の電子部品を、前記第1及び第2のY
    軸が一致するように配置する工程は、 設計上オーバーラップする一方の前記第1マークと一方
    の前記第2のマークとの間の第1の距離と、設計上オー
    バーラップする他方の前記第1マークと他方の前記第2
    のマークとの間の第2の距離と、が等しくなるように、
    前記第1及び第2の電子部品を移動させることを含む電
    子デバイスの製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項9記載の電子デバイスの製造方
    法において、 前記第1及び第2の電子部品を、前記第1及び第2のY
    軸が一致するように配置する工程は、 前記第1の距離ΔW1を測定し、 前記第2の距離ΔW2を測定し、 前記第1及び第2の距離ΔW1,ΔW2が、いずれも、 (ΔW1+ΔW2)/2 となるように前記第1及び第2の電子部品を移動させる
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
  11. 【請求項11】 請求項8から請求項10のいずれかに
    記載の電子デバイスの製造方法において、 設計上の前記第1のグループの端子のうち線対称の位置
    にある一対の端子間の距離Wに対する、設計上の前記第
    1のXY軸の交点と前記第1の点との間の距離Dの比率
    D/Wを、前記第1及び第2のグループの端子の位置合
    わせ工程の前に取得することをさらに含み、 前記距離Wは、設計上の前記第2のグループの端子のう
    ち線対称の位置にある一対の端子間の距離でもあり、 前記比率D/Wは、設計上の前記第2のXY軸の交点と
    前記第2の点との間の距離Dの比率でもあり、 前記第1のグループの端子のうち前記距離Wの基準とな
    った前記一対の端子の位置合わせ時の距離W′又はその
    近似値となる距離W1と、前記第2のグループの端子の
    うち前記距離Wの基準となった前記一対の端子の位置合
    わせ時の距離W″又はその近似値となる距離W2と、の
    差ΔWを算出し、 ΔY=(D/W)×ΔW の式によって前記第1及び第2の点の間の近似距離ΔY
    を算出する電子デバイスの製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項11記載の電子デバイスの製造
    方法において、 算出される前記差ΔWは、前記距離W1と前記距離W2
    の差であり、 前記距離W1は、前記一対の第1のマーク間の距離であ
    り、 前記距離W2は、前記一対の第2のマーク間の距離であ
    る電子デバイスの製造方法。
  13. 【請求項13】 請求項10を引用する請求項12記載
    の電子デバイスの製造方法において、 ΔW=ΔW1+ΔW2 の式によって、前記差ΔWを算出する電子デバイスの製
    造方法。
  14. 【請求項14】 請求項12又は請求項13記載の電子
    デバイスの製造方法において、 前記一対の第1のマークは、前記第1のグループの端子
    のうち前記距離Wの基準となった前記一対の端子に対し
    て、他の端子よりも近い位置に配置され、 前記一対の第2のマークは、前記第2のグループの端子
    のうち前記距離Wの基準となった前記一対の端子に対し
    て、他の端子よりも近い位置に配置されている電子デバ
    イスの製造方法。
  15. 【請求項15】 請求項11から請求項14のいずれか
    に記載の電子デバイスの製造方法において、 前記一対の第1のマークは、前記第1の電子部品の端部
    に配置され、 前記一対の第2のマークは、前記第2の電子部品の端部
    に配置されている電子デバイスの製造方法。
  16. 【請求項16】 請求項11記載の電子デバイスの製造
    方法において、 算出される前記差ΔWは、前記距離W′と前記距離W″
    との差であり、 前記一対の第1のマークのそれぞれは、前記第1のグル
    ープの端子のうち前記距離Wの基準となった前記一対の
    端子のそれぞれの一部であり、 前記一対の第2のマークのそれぞれは、前記第2のグル
    ープの端子のうち前記距離Wの基準となった前記一対の
    端子のそれぞれの一部である電子デバイスの製造方法。
  17. 【請求項17】 請求項11から請求項16のいずれか
    に記載の電子デバイスの製造方法において、 前記第1のグループの端子のうち、配列方向の両端に位
    置する一対の端子が、前記距離Wの基準となり、 前記第2のグループの端子のうち、配列方向の両端に位
    置する一対の端子が、前記距離Wの基準となる電子デバ
    イスの製造方法。
  18. 【請求項18】 請求項11から請求項17のいずれか
    に記載の電子デバイスの製造方法において、 前記第1のグループの端子の設計上の前記距離Wと、位
    置合わせ時の前記距離W′とがほぼ等しく、 前記第1のグループの端子の設計上の前記第1のXY軸
    の交点と前記第1の点との間の距離Dと、位置合わせ時
    における前記第1のXY軸の交点と前記第1の点との間
    の距離D′と、がほぼ等しく、 W′=W D′=D とみなして、前記差ΔWを算出する電子デバイスの製造
    方法。
  19. 【請求項19】 請求項11から請求項18のいずれか
    に記載の電子デバイスの製造方法において、 前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせ工程の
    前に、前記第1及び第2の点の間の前記近似距離ΔYを
    予め取得しておき、 前記第1及び第2のグループの端子の位置合わせ工程
    で、前記第1及び第2の点の間の前記近似距離ΔYを読
    み出して使用する電子デバイスの製造方法。
  20. 【請求項20】 請求項8から請求項19のいずれかに
    記載の電子デバイスの製造方法において、 前記第1のマークは、前記第1のグループの端子と同じ
    材料で形成され、 前記第2のマークは、前記第2のグループの端子と同じ
    材料で形成されている電子デバイスの製造方法。
  21. 【請求項21】 請求項1から請求項20のいずれかに
    記載の電子デバイスの製造方法において、 前記第1及び第2の電子部品の位置合わせを自動制御に
    よって行う電子デバイスの製造方法。
  22. 【請求項22】 請求項1から請求項21のいずれかに
    記載された方法によって製造された電子デバイス。
  23. 【請求項23】 請求項22記載の電子デバイスを有す
    る電子機器。
  24. 【請求項24】 3つ以上の端子を含む基板と、前記基
    板に実装された半導体チップと、を含む半導体装置であ
    って、 前記基板は、前記基板の表面に設けられたスケールを含
    む半導体装置。
  25. 【請求項25】請求項24記載の半導体装置において、 前記スケールは、直行するXY座標軸のうち、X軸に沿
    った方向に設けられた第1のスケールと、Y軸に沿った
    方向に設けられた前記第2のスケールと、を含む半導体
    装置。
  26. 【請求項26】 請求項24又は25に記載の半導体装
    置において、 前記スケールは、前記端子と同じ材料からなる半導体装
    置。
  27. 【請求項27】 請求項24から26のいずれかに記載
    の半導体装置において、 前記スケールは、少なくとも前記基板の外周のうち、対
    向する2辺に沿って設けられる半導体装置。
  28. 【請求項28】 請求項24から請求項27のいずれか
    に記載の半導体装置を含む電子デバイス。
  29. 【請求項29】 請求項28記載の電子デバイスを有す
    る電子機器。
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