JP2003258153A - 半導体パッケージの実装構造 - Google Patents
半導体パッケージの実装構造Info
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- JP2003258153A JP2003258153A JP2002058560A JP2002058560A JP2003258153A JP 2003258153 A JP2003258153 A JP 2003258153A JP 2002058560 A JP2002058560 A JP 2002058560A JP 2002058560 A JP2002058560 A JP 2002058560A JP 2003258153 A JP2003258153 A JP 2003258153A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップの発熱による熱応力によって半
導体パッケージに反りが発生し、半田接続の信頼性が低
下する。 【解決手段】 半導体チップがキャリア基板に搭載され
た半導体パッケージにおいて、半導体チップのキャリア
基板との接続面とは反対側の面に、低熱膨張基板と高熱
膨張基板とを組み合わせたバイメタル構造の基板を備え
付ける。該基板の体熱膨張基板側を半導体チップの面に
対向させるように設置することで、半導体チップおよび
キャリア基板からなる半導体パッケージの熱応力による
反りを相殺でき、半導体パッケージの半田接続信頼性を
高めることができる。
導体パッケージに反りが発生し、半田接続の信頼性が低
下する。 【解決手段】 半導体チップがキャリア基板に搭載され
た半導体パッケージにおいて、半導体チップのキャリア
基板との接続面とは反対側の面に、低熱膨張基板と高熱
膨張基板とを組み合わせたバイメタル構造の基板を備え
付ける。該基板の体熱膨張基板側を半導体チップの面に
対向させるように設置することで、半導体チップおよび
キャリア基板からなる半導体パッケージの熱応力による
反りを相殺でき、半導体パッケージの半田接続信頼性を
高めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の実装構造に関し、特に、半導体パッケージにおける半
田接続の信頼性を向上させる実装構造に関する。
の実装構造に関し、特に、半導体パッケージにおける半
田接続の信頼性を向上させる実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のコンピュータ装置においては、Ｌ
ＳＩなどの半導体チップが搭載された配線基板に半田ボ
ールを取り付けてパッケージを形成し、それをさらに配
線基板へと接続して構成さてれている。
ＳＩなどの半導体チップが搭載された配線基板に半田ボ
ールを取り付けてパッケージを形成し、それをさらに配
線基板へと接続して構成さてれている。
【０００３】たとえば、U.S.Patent No 4,825,284で実
施されている例を以下に説明する。図４を参照すると、
従来の半導体パッケージでは、半導体チップ２１が半田
ボール２２の溶着によってキャリア基板２４に接続され
ており、半導体チップ２１とキャリア基板２４との間の
ギャップには樹脂２３が注入されている構造となってい
る。ここで、樹脂２３は、半導体チップ２１とキャリア
基板２４との熱膨張ミスマッチによる熱応力を緩和する
ために注入されている。
施されている例を以下に説明する。図４を参照すると、
従来の半導体パッケージでは、半導体チップ２１が半田
ボール２２の溶着によってキャリア基板２４に接続され
ており、半導体チップ２１とキャリア基板２４との間の
ギャップには樹脂２３が注入されている構造となってい
る。ここで、樹脂２３は、半導体チップ２１とキャリア
基板２４との熱膨張ミスマッチによる熱応力を緩和する
ために注入されている。
【０００４】また、図５を参照すると、従来の他の半導
体パッケージでは、半導体チップ２１およびキャリア基
板２４で構成される半導体パッケージ２７における熱応
力による反りを緩和するために、半導体チップ２１の裏
面にキャリア基板２４と同様の材質を用いた基板２８を
設置するものもある。
体パッケージでは、半導体チップ２１およびキャリア基
板２４で構成される半導体パッケージ２７における熱応
力による反りを緩和するために、半導体チップ２１の裏
面にキャリア基板２４と同様の材質を用いた基板２８を
設置するものもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に半導体パッケー
ジは、自身のＯＮ／ＯＦＦ動作によって発生する熱によ
り半導体チップ２１とキャリア基板２４とがそれぞれ膨
張収縮を繰り返すことになる。しかしながら、半導体チ
ップ２１の熱膨張係数が３．５ｐｐｍであるのに対し、
キャリア基板２４の熱膨張係数はプリント板の場合で１
６ｐｐｍである。したがって、従来の半導体パッケージ
２７では、半導体チップ２１とキャリア基板２４との熱
膨張係数の差によって膨張収縮を繰り返す度にパッケー
ジ２７全体に応力がかかり反りが発生してしまう。
ジは、自身のＯＮ／ＯＦＦ動作によって発生する熱によ
り半導体チップ２１とキャリア基板２４とがそれぞれ膨
張収縮を繰り返すことになる。しかしながら、半導体チ
ップ２１の熱膨張係数が３．５ｐｐｍであるのに対し、
キャリア基板２４の熱膨張係数はプリント板の場合で１
６ｐｐｍである。したがって、従来の半導体パッケージ
２７では、半導体チップ２１とキャリア基板２４との熱
膨張係数の差によって膨張収縮を繰り返す度にパッケー
ジ２７全体に応力がかかり反りが発生してしまう。
【０００６】この反りによる応力は、半田ボール２５に
対してキャリア基板２４と垂直な方向に繰り返しかかる
こととなり、やがては半田ボール２５がキャリア基板２
４から剥がれてしまう。半田ボール２５がキャリア基板
２４から剥離すると、半導体パッケージ２７と配線基板
２６との電気的な接続が無くなり、半導体チップ２１へ
の電源供給あるいは信号伝達が断絶してしまう。このよ
うに、従来の半導体パッケージでは、繰り返し発生する
応力によって半導体パッケージの接続信頼性が著しく低
下するという問題を有していた。
対してキャリア基板２４と垂直な方向に繰り返しかかる
こととなり、やがては半田ボール２５がキャリア基板２
４から剥がれてしまう。半田ボール２５がキャリア基板
２４から剥離すると、半導体パッケージ２７と配線基板
２６との電気的な接続が無くなり、半導体チップ２１へ
の電源供給あるいは信号伝達が断絶してしまう。このよ
うに、従来の半導体パッケージでは、繰り返し発生する
応力によって半導体パッケージの接続信頼性が著しく低
下するという問題を有していた。
【０００７】また、従来の他の半導体パッケージのよう
に、半導体チップ２１の裏面にキャリア基板２４と同じ
材質の基板を設けた場合では、基板２８の熱膨張による
反りが半導体パッケージ全体に発生する反りに対して相
殺する方向に働くとは必ずしも限らず、また、半導体パ
ッケージの反りを相殺するだけの応力を持ち合わせずに
反りを十分に低減できない場合もあるという問題があっ
た。
に、半導体チップ２１の裏面にキャリア基板２４と同じ
材質の基板を設けた場合では、基板２８の熱膨張による
反りが半導体パッケージ全体に発生する反りに対して相
殺する方向に働くとは必ずしも限らず、また、半導体パ
ッケージの反りを相殺するだけの応力を持ち合わせずに
反りを十分に低減できない場合もあるという問題があっ
た。
【０００８】本発明の目的は、半導体パッケージ全体の
反りを着実に抑えることにより半田ボールにかかる応力
を抑制し、信頼性の高い半導体パッケージの実装構造を
提供することにある。
反りを着実に抑えることにより半田ボールにかかる応力
を抑制し、信頼性の高い半導体パッケージの実装構造を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、回路面に半田ボールを有する半導体チッ
プを内部に電気配線を有するキャリア基板に搭載してな
る半導体パッケージの実装構造において、前記半導体チ
ップの回路面の形成されていない面に熱膨張係数の相異
なる基板を複数重ねて張り合わせた基板が具備されてな
る。
に、本発明は、回路面に半田ボールを有する半導体チッ
プを内部に電気配線を有するキャリア基板に搭載してな
る半導体パッケージの実装構造において、前記半導体チ
ップの回路面の形成されていない面に熱膨張係数の相異
なる基板を複数重ねて張り合わせた基板が具備されてな
る。
【００１０】また、前記熱膨張係数の異なる基板を重ね
て張り合わせた基板は、その熱膨張係数の低い側が前記
半導体チップの回路面の形成されていない面に対向する
ように具備されてなる。
て張り合わせた基板は、その熱膨張係数の低い側が前記
半導体チップの回路面の形成されていない面に対向する
ように具備されてなる。
【００１１】もしくは、前記熱膨張係数の異なる基板を
重ねて張り合わせた基板は、それぞれ異なる熱膨張係数
を有する２枚の基板が張り合わされ、前記２枚の基板の
うち熱膨張係数の低い方の基板が、前記半導体チップの
回路面の形成されていない面と対向するように具備され
てなる。
重ねて張り合わせた基板は、それぞれ異なる熱膨張係数
を有する２枚の基板が張り合わされ、前記２枚の基板の
うち熱膨張係数の低い方の基板が、前記半導体チップの
回路面の形成されていない面と対向するように具備され
てなる。
【００１２】または、本発明の半導体パッケージの実装
構造は、回路面に半田ボールを有する半導体チップを内
部に電気配線を有するキャリア基板に搭載してなる半導
体パッケージにおいて、熱応力により所定の方向に膨張
する基板を、該膨張する方向が熱応力によって前記半導
体パッケージが膨張する方向とは逆方向となるように、
前記半導体チップの前記キャリア基板に搭載される面と
は異なる面に具備してなる。
構造は、回路面に半田ボールを有する半導体チップを内
部に電気配線を有するキャリア基板に搭載してなる半導
体パッケージにおいて、熱応力により所定の方向に膨張
する基板を、該膨張する方向が熱応力によって前記半導
体パッケージが膨張する方向とは逆方向となるように、
前記半導体チップの前記キャリア基板に搭載される面と
は異なる面に具備してなる。
【００１３】さらに、前記熱応力により所定の方向に膨
張する基板は、熱膨張係数の異なる基板が張り合わされ
てなる。
張する基板は、熱膨張係数の異なる基板が張り合わされ
てなる。
【００１４】または、本発明の半導体パッケージの実装
構造は、半導体チップと該半導体チップを搭載するキャ
リア基板と、熱膨張係数の異なる基板が張り合わされて
なるバイメタル基板とを有し、前記バイメタル基板は、
熱膨張係数の低い面を前記半導体チップの前記キャリア
基板に搭載される面とは異なる面に対向するように前記
半導体チップに搭載されてなる。
構造は、半導体チップと該半導体チップを搭載するキャ
リア基板と、熱膨張係数の異なる基板が張り合わされて
なるバイメタル基板とを有し、前記バイメタル基板は、
熱膨張係数の低い面を前記半導体チップの前記キャリア
基板に搭載される面とは異なる面に対向するように前記
半導体チップに搭載されてなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に本発明の半導体パッケージの
実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】図１を参照すると、本発明の半導体パッケ
ージは、半導体チップ１、キャリア基板２、基板１５を
有してなる。
ージは、半導体チップ１、キャリア基板２、基板１５を
有してなる。
【００１７】基板１５は、熱膨張係数の低い低熱膨張基
板３および熱膨張係数の高い高熱膨張基板４が張り合わ
されてなるバイメタルで構成されている。
板３および熱膨張係数の高い高熱膨張基板４が張り合わ
されてなるバイメタルで構成されている。
【００１８】半導体チップ１の回路面には信号の入出力
や電源の供給を行う接続パッド５が設けられており、さ
らに該接続パッド５の各々には半田ボール６が取り付け
られている。半田ボール３の組成としては、Ｓｎ／Ｐｂ
合金や、Ｓｎ／Ｂｉ／Ａｇ合金、Ｓｎ／Ａｇ合金、Ｓｎ
／Ａｇ／Ｃｕ合金等が使用される。
や電源の供給を行う接続パッド５が設けられており、さ
らに該接続パッド５の各々には半田ボール６が取り付け
られている。半田ボール３の組成としては、Ｓｎ／Ｐｂ
合金や、Ｓｎ／Ｂｉ／Ａｇ合金、Ｓｎ／Ａｇ合金、Ｓｎ
／Ａｇ／Ｃｕ合金等が使用される。
【００１９】一方、キャリア基板２は、Ｃｕなどの電気
伝導体で形成された内部配線７を有し、その表面には接
続パッド８が具備されている。この接続パッド８はそれ
ぞれ内部配線７によって、キャリア基板２内部に設けら
れた電源層や配線基板１１との接続に用いられる接続パ
ッド９と電気的に接続される。接続パッド９の各々に
は、半田ボール１０が取り付けられる。該半田ボール１
０の組成としては、Ｓｎ／Ｐｂ合金や、Ｓｎ／Ｂｉ／Ａ
ｇ合金、Ｓｎ／Ａｇ合金、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ合金等が使
用される。
伝導体で形成された内部配線７を有し、その表面には接
続パッド８が具備されている。この接続パッド８はそれ
ぞれ内部配線７によって、キャリア基板２内部に設けら
れた電源層や配線基板１１との接続に用いられる接続パ
ッド９と電気的に接続される。接続パッド９の各々に
は、半田ボール１０が取り付けられる。該半田ボール１
０の組成としては、Ｓｎ／Ｐｂ合金や、Ｓｎ／Ｂｉ／Ａ
ｇ合金、Ｓｎ／Ａｇ合金、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ合金等が使
用される。
【００２０】また、Ｃｕなどの電気伝導体で形成された
内部配線１２を有する配線基板１１の表面には接続パッ
ド１３が具備されており、接続パッド１３はそれぞれ内
部配線１２によって、配線基板１１内部に設けられた電
源層や他の部品と電気的な接続が行われる。
内部配線１２を有する配線基板１１の表面には接続パッ
ド１３が具備されており、接続パッド１３はそれぞれ内
部配線１２によって、配線基板１１内部に設けられた電
源層や他の部品と電気的な接続が行われる。
【００２１】このような構造によって、キャリア基板２
および配線基板１１から半導体チップ１へ電源供給が行
われ、また、半導体チップ１との電気信号のインプット
／アウトプットがキャリア基板２の内部配線７および配
線基板１１の内部配線１２を介して行われる。
および配線基板１１から半導体チップ１へ電源供給が行
われ、また、半導体チップ１との電気信号のインプット
／アウトプットがキャリア基板２の内部配線７および配
線基板１１の内部配線１２を介して行われる。
【００２２】半導体チップ１とキャリア基板２との接合
点は樹脂１４によって封止され、熱膨張によって発生す
る応力が吸収される。
点は樹脂１４によって封止され、熱膨張によって発生す
る応力が吸収される。
【００２３】半導体チップ１の回路面と反対の面には、
熱膨張係数の低い低熱膨張基板３と熱膨張係数の高い高
熱膨張基板４とが組み合わされ接続されたバイメタル基
板１５が、低熱膨張基板３側を半導体チップ１と接する
ようにして取り付けられる。
熱膨張係数の低い低熱膨張基板３と熱膨張係数の高い高
熱膨張基板４とが組み合わされ接続されたバイメタル基
板１５が、低熱膨張基板３側を半導体チップ１と接する
ようにして取り付けられる。
【００２４】高熱膨張基板４と低熱膨張基板３の組み合
わせとしては、それぞれ、ＦＲ５とアルミナや、銅と鉄
の組み合わせ等が考えられる。これらの組み合わせは一
例に過ぎず、熱膨張係数の異なるものであれば利用可能
であり、これらに限定される必要はない。
わせとしては、それぞれ、ＦＲ５とアルミナや、銅と鉄
の組み合わせ等が考えられる。これらの組み合わせは一
例に過ぎず、熱膨張係数の異なるものであれば利用可能
であり、これらに限定される必要はない。
【００２５】図２は、低熱膨張基板３と高熱膨張基板４
とを張り合わせた基板１５と、それ以外の半導体チップ
１およびキャリア基板２で構成される半導体パッケージ
１６をそれぞれ冷却したときの反りの方向を示したもの
である。
とを張り合わせた基板１５と、それ以外の半導体チップ
１およびキャリア基板２で構成される半導体パッケージ
１６をそれぞれ冷却したときの反りの方向を示したもの
である。
【００２６】低熱膨張基板３と高熱膨張基板４とを張り
合わせた基板１５では、高熱膨張基板４の熱膨張係数が
低熱膨張基板３の熱膨張係数よりも大きいため、冷却に
よって高熱膨張基板４が低熱膨張基板３に比べて大きく
収縮する。その結果、基板２０は高熱膨張基板４側へと
反ることになる。これに対して、半導体パッケージ１６
では、半導体チップ１の熱膨張係数がキャリア基板２に
対して小さいため、冷却によって半導体パッケージ１６
はキャリア基板２側へと反ることになる。従って、基板
１５を半導体パッケージ１６に張り合わせた場合、反り
の方向がそれぞれ逆方向となって打ち消し合い、反りが
相殺されて半導体パッケージの反りが抑制されることに
なる。
合わせた基板１５では、高熱膨張基板４の熱膨張係数が
低熱膨張基板３の熱膨張係数よりも大きいため、冷却に
よって高熱膨張基板４が低熱膨張基板３に比べて大きく
収縮する。その結果、基板２０は高熱膨張基板４側へと
反ることになる。これに対して、半導体パッケージ１６
では、半導体チップ１の熱膨張係数がキャリア基板２に
対して小さいため、冷却によって半導体パッケージ１６
はキャリア基板２側へと反ることになる。従って、基板
１５を半導体パッケージ１６に張り合わせた場合、反り
の方向がそれぞれ逆方向となって打ち消し合い、反りが
相殺されて半導体パッケージの反りが抑制されることに
なる。
【００２７】以上の説明においては、基板１５を２枚の
異なる熱膨張係数を有する基板を張り合わせて構成され
るものとして説明を行ったが、それぞれが異なる熱膨張
係数を有する基板を複数用いて張り合わせる構成しても
よい。
異なる熱膨張係数を有する基板を張り合わせて構成され
るものとして説明を行ったが、それぞれが異なる熱膨張
係数を有する基板を複数用いて張り合わせる構成しても
よい。
【００２８】図３は、低熱膨張基板３と高熱膨張基板４
とを張り合わせた基板１５と、それ以外の部分である半
導体パッケージ１６をそれぞれ加熱したときの反りの方
向を示したものである。
とを張り合わせた基板１５と、それ以外の部分である半
導体パッケージ１６をそれぞれ加熱したときの反りの方
向を示したものである。
【００２９】低熱膨張基板３と高熱膨張基板４とを張り
合わせた基板１５では、加熱されると高熱膨張基板４が
低熱膨張基板３に比べ大きく膨張するため、低熱膨張基
板３側に引きつけられて低熱膨張基板３へ反ることとな
る。これに対して、半導体パッケージ１６は、半導体チ
ップ１の熱膨張係数がキャリア基板２に対して小さいた
め、半導体チップ１側へ反ることになる。従って、これ
ら基板１５および半導体パッケージ１６を張り合わせた
場合、反りの方向がそれぞれ逆方向となり反りが相殺さ
れるため半導体パッケージ１６の反りが抑制されること
となる。
合わせた基板１５では、加熱されると高熱膨張基板４が
低熱膨張基板３に比べ大きく膨張するため、低熱膨張基
板３側に引きつけられて低熱膨張基板３へ反ることとな
る。これに対して、半導体パッケージ１６は、半導体チ
ップ１の熱膨張係数がキャリア基板２に対して小さいた
め、半導体チップ１側へ反ることになる。従って、これ
ら基板１５および半導体パッケージ１６を張り合わせた
場合、反りの方向がそれぞれ逆方向となり反りが相殺さ
れるため半導体パッケージ１６の反りが抑制されること
となる。
【００３０】このように、本発明の実施の形態によれ
ば、半導体チップ１とキャリア基板２との熱膨張係数の
違いによって半導体パッケージ１６全体に発生する反り
を大幅に低減でき、電気的な接続不良の発生を防止する
ことができる。また、低熱膨張基板３と高熱膨張基板４
との組み合わせを変更することで、半導体パッケージ１
６に発生する反りの度合いに応じた基板１５を用意する
ことが可能である。さらには、低熱膨張基板３および高
熱膨張基板４に伝熱性に優れた材質を用いることによっ
て、半導体チップ１が発生する熱を効率よく逃すことも
可能となる。
ば、半導体チップ１とキャリア基板２との熱膨張係数の
違いによって半導体パッケージ１６全体に発生する反り
を大幅に低減でき、電気的な接続不良の発生を防止する
ことができる。また、低熱膨張基板３と高熱膨張基板４
との組み合わせを変更することで、半導体パッケージ１
６に発生する反りの度合いに応じた基板１５を用意する
ことが可能である。さらには、低熱膨張基板３および高
熱膨張基板４に伝熱性に優れた材質を用いることによっ
て、半導体チップ１が発生する熱を効率よく逃すことも
可能となる。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よると、第１の効果は、熱応力によるパッケージ全体の
反りを緩和させ、半田の破壊を防止して半田接続の信頼
性を向上させることができる。第２の効果は、低熱膨張
基板と高熱膨張基板との組み合わせにより半導体パッケ
ージの反りに応じた反りを発生する基板を容易に作成で
きるため、半導体パッケージの反りを的確に相殺できる
点にある。また、第３の効果は、基板はバイメタルで構
成されるため伝熱性に優れており、半導体チップの放熱
を容易にするという効果もある。
よると、第１の効果は、熱応力によるパッケージ全体の
反りを緩和させ、半田の破壊を防止して半田接続の信頼
性を向上させることができる。第２の効果は、低熱膨張
基板と高熱膨張基板との組み合わせにより半導体パッケ
ージの反りに応じた反りを発生する基板を容易に作成で
きるため、半導体パッケージの反りを的確に相殺できる
点にある。また、第３の効果は、基板はバイメタルで構
成されるため伝熱性に優れており、半導体チップの放熱
を容易にするという効果もある。
【図１】本発明の半導体パッケージの実施の形態の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における冷却時の様子を表
す図である。
す図である。
【図３】本発明の実施の形態における加熱時の様子を表
す図である。
す図である。
【図４】従来の半導体パッケージの構成を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の他の半導体パッケージの構成を示す図で
ある。
ある。
１，２１ 半導体チップ
２，２４ キャリア基板
３ 低熱膨張基板
４ 高熱膨張基板
５，８，９，１３ 接続パッド
６，１０，２５ 半田ボール
７，１２ 内部配線
１１，２６ 配線基板
１４，２３ 樹脂
１５ 基板
１６，２７ 半導体パッケージ
２８ 基板
Claims (6)
- 【請求項１】 回路面に半田ボールを有する半導体チッ
プを内部に電気配線を有するキャリア基板に搭載してな
る半導体パッケージの実装構造において、 前記半導体チップの回路面の形成されていない面に熱膨
張係数の相異なる基板を複数重ねて張り合わせた基板が
具備されてなることを特徴とする半導体パッケージの実
装構造。 - 【請求項２】 前記熱膨張係数の異なる基板を重ねて張
り合わせた基板は、その熱膨張係数の低い側が前記半導
体チップの回路面の形成されていない面に対向するよう
に具備されてなることを特徴とする請求項１記載の半導
体パッケージの実装構造。 - 【請求項３】 前記熱膨張係数の異なる基板を重ねて張
り合わせた基板は、それぞれ異なる熱膨張係数を有する
２枚の基板が張り合わされ、 前記２枚の基板のうち熱膨張係数の低い方の基板が、前
記半導体チップの回路面の形成されていない面と対向す
るように具備されてなることを特徴とする請求項１記載
の半導体パッケージの実装構造。 - 【請求項４】 回路面に半田ボールを有する半導体チッ
プを内部に電気配線を有するキャリア基板に搭載してな
る半導体パッケージの実装構造において、 熱応力により所定の方向に膨張する基板を、該膨張する
方向が熱応力によって前記半導体パッケージが膨張する
方向とは逆方向となるように、前記半導体チップの前記
キャリア基板に搭載される面とは異なる面に具備してな
ることを特徴とする半導体パッケージの実装構造。 - 【請求項５】 前記熱応力により所定の方向に膨張する
基板は、熱膨張係数の異なる基板が張り合わされてなる
ことを特徴とする請求項３記載の半導体パッケージの実
装構造。 - 【請求項６】 半導体チップと該半導体チップを搭載す
るキャリア基板と、熱膨張係数の異なる基板が張り合わ
されてなるバイメタル基板とを有し、 前記バイメタル基板は、熱膨張係数の低い面を前記半導
体チップの前記キャリア基板に搭載される面とは異なる
面に対向するように前記半導体チップに搭載されてなる
ことを特徴とする半導体パッケージの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002058560A JP2003258153A (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 半導体パッケージの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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