JP2003255022A - 半導体テスト装置 - Google Patents
半導体テスト装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テストのコストを抑えながら、半導体デバイ
スの低振幅で高速な信号線の測定をより実動作に近い状
態で行うことを目的とする。 【解決手段】 切り替えスイッチ３を設けて、被測定デ
バイス２への入力信号を、実動作時に接続される他デバ
イス５からの入力信号か、あるいは、測定装置６からの
入力信号かを選択できる構成にすることにより、ＤＣ的
な低速信号レベルの測定時には測定装置６と接続して測
定を行い、測定装置６からの入力信号では対応できない
ような高速信号の測定時には、他デバイス５と接続して
被測定デバイス２を高速動作させ、その出力信号のみを
測定装置６で測定することにより、テストのコストを抑
えながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の測
定をより実動作に近い状態で行うことができる。
スの低振幅で高速な信号線の測定をより実動作に近い状
態で行うことを目的とする。 【解決手段】 切り替えスイッチ３を設けて、被測定デ
バイス２への入力信号を、実動作時に接続される他デバ
イス５からの入力信号か、あるいは、測定装置６からの
入力信号かを選択できる構成にすることにより、ＤＣ的
な低速信号レベルの測定時には測定装置６と接続して測
定を行い、測定装置６からの入力信号では対応できない
ような高速信号の測定時には、他デバイス５と接続して
被測定デバイス２を高速動作させ、その出力信号のみを
測定装置６で測定することにより、テストのコストを抑
えながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の測
定をより実動作に近い状態で行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速シリアルバス
規格ＩＥＥＥ１３９４等の半導体デバイスの低振幅で高
速な信号線の信号を測定する半導体テスト装置に関する
ものである。
規格ＩＥＥＥ１３９４等の半導体デバイスの低振幅で高
速な信号線の信号を測定する半導体テスト装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＥＥＥ１３９４等の半導体デ
バイスの低振幅で高速な信号線は、特開平１０−１７０
６０６のように、直接信号線を試験することができない
ために、ループバック手法を用いたり、高速に対応した
非常に高価な半導体テスト装置を用いて測定する必要が
あった。
バイスの低振幅で高速な信号線は、特開平１０−１７０
６０６のように、直接信号線を試験することができない
ために、ループバック手法を用いたり、高速に対応した
非常に高価な半導体テスト装置を用いて測定する必要が
あった。
【０００３】ところが、ループバック手法を用いた測定
方法では、実際の高速入出力信号線が外部に正常に入出
力されているかが正確にはわからず、実際には正常に動
作しない半導体デバイスであっても判別できないことが
あるといった問題点があった。
方法では、実際の高速入出力信号線が外部に正常に入出
力されているかが正確にはわからず、実際には正常に動
作しない半導体デバイスであっても判別できないことが
あるといった問題点があった。
【０００４】また、高速な半導体テスト装置を用いた場
合には、半導体テスト装置が非常に高価であるため、テ
ストのコストが高くなることにより、半導体デバイスの
価格が上昇してしまうという問題点があった。
合には、半導体テスト装置が非常に高価であるため、テ
ストのコストが高くなることにより、半導体デバイスの
価格が上昇してしまうという問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記問題点を解決する
ために、本発明の半導体テスト装置は、テストのコスト
を抑えながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線
の測定をより実動作に近い状態で行うことを目的とす
る。
ために、本発明の半導体テスト装置は、テストのコスト
を抑えながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線
の測定をより実動作に近い状態で行うことを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載の半導体テスト装置は、１ま
たは２以上の被測定デバイスと、前記被測定デバイスに
信号の送受信が可能で前記被測定デバイスの信号を直接
測定する測定装置と、前記被測定デバイスと接続して動
作可能な１または２以上のデバイスと、前記被測定デバ
イスの信号の内１または２以上の任意の信号の信号線を
前記デバイスに接続するか前記測定装置に接続するかを
前記測定装置の制御信号によって制御する１または２以
上の切り替えスイッチと、前記切り替えスイッチと前記
デバイスの接続を中継する接続部とを有し、直流特性測
定時には前記切り替えスイッチにより前記被測定デバイ
スを前記測定装置に接続して前記測定装置により前記被
測定デバイスを直接動作させて直流特性を測定し、高速
動作する信号の測定時には前記切り替えスイッチにより
前記被測定デバイスの前記任意の信号の信号線を前記デ
バイスに接続して前記測定装置により前記被測定デバイ
スを動作させて高速動作する信号を測定することを特徴
とする。
に、本発明の請求項１記載の半導体テスト装置は、１ま
たは２以上の被測定デバイスと、前記被測定デバイスに
信号の送受信が可能で前記被測定デバイスの信号を直接
測定する測定装置と、前記被測定デバイスと接続して動
作可能な１または２以上のデバイスと、前記被測定デバ
イスの信号の内１または２以上の任意の信号の信号線を
前記デバイスに接続するか前記測定装置に接続するかを
前記測定装置の制御信号によって制御する１または２以
上の切り替えスイッチと、前記切り替えスイッチと前記
デバイスの接続を中継する接続部とを有し、直流特性測
定時には前記切り替えスイッチにより前記被測定デバイ
スを前記測定装置に接続して前記測定装置により前記被
測定デバイスを直接動作させて直流特性を測定し、高速
動作する信号の測定時には前記切り替えスイッチにより
前記被測定デバイスの前記任意の信号の信号線を前記デ
バイスに接続して前記測定装置により前記被測定デバイ
スを動作させて高速動作する信号を測定することを特徴
とする。
【０００７】請求項２記載の半導体テスト装置は、１ま
たは２以上の被測定デバイスと、前記被測定デバイスに
信号の送受信が可能で前記被測定デバイスの信号を直接
測定する測定装置と、前記被測定デバイスと接続して動
作可能な１または２以上のデバイスと、前記被測定デバ
イスの信号の内１または２以上の任意の信号の信号線を
前記デバイスに接続するか前記測定装置に接続するかを
前記測定装置の制御信号によって制御する１または２以
上の切り替えスイッチと、前記切り替えスイッチと前記
デバイスの接続を中継する接続部とを有し、直流特性測
定時には前記切り替えスイッチにより前記被測定デバイ
スを前記測定装置に接続して前記測定装置により前記被
測定デバイスを直接動作させて直流特性を測定し、高速
動作する信号の測定時には前記切り替えスイッチにより
前記被測定デバイスを前記デバイスに接続して動作させ
て高速動作する信号を測定することを特徴とする。
たは２以上の被測定デバイスと、前記被測定デバイスに
信号の送受信が可能で前記被測定デバイスの信号を直接
測定する測定装置と、前記被測定デバイスと接続して動
作可能な１または２以上のデバイスと、前記被測定デバ
イスの信号の内１または２以上の任意の信号の信号線を
前記デバイスに接続するか前記測定装置に接続するかを
前記測定装置の制御信号によって制御する１または２以
上の切り替えスイッチと、前記切り替えスイッチと前記
デバイスの接続を中継する接続部とを有し、直流特性測
定時には前記切り替えスイッチにより前記被測定デバイ
スを前記測定装置に接続して前記測定装置により前記被
測定デバイスを直接動作させて直流特性を測定し、高速
動作する信号の測定時には前記切り替えスイッチにより
前記被測定デバイスを前記デバイスに接続して動作させ
て高速動作する信号を測定することを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の半導体テスト装置は、請求
項１または請求項２記載の半導体テスト装置において、
前記被測定デバイスと、前記接続部と、前記切り替えス
イッチと、前記デバイスを同一基板上に実装することを
特徴とする。
項１または請求項２記載の半導体テスト装置において、
前記被測定デバイスと、前記接続部と、前記切り替えス
イッチと、前記デバイスを同一基板上に実装することを
特徴とする。
【０００９】請求項４記載の半導体テスト装置は、請求
項１または請求項２または請求項３記載の半導体テスト
装置において、前記デバイスと前記切り替えスイッチ間
の配線長が前記測定装置と前記切り替えスイッチ間の配
線長より短いことを特徴とする。
項１または請求項２または請求項３記載の半導体テスト
装置において、前記デバイスと前記切り替えスイッチ間
の配線長が前記測定装置と前記切り替えスイッチ間の配
線長より短いことを特徴とする。
【００１０】請求項５記載の半導体テスト装置は、請求
項１または請求項２または請求項３または請求項４記載
の半導体テスト装置において、前記被測定デバイスと前
記切り替えスイッチ間の配線長と前記切り替えスイッチ
と前記デバイス間の配線長の合計が前記測定装置と前記
切り替えスイッチ間の配線長より短いことを特徴とす
る。
項１または請求項２または請求項３または請求項４記載
の半導体テスト装置において、前記被測定デバイスと前
記切り替えスイッチ間の配線長と前記切り替えスイッチ
と前記デバイス間の配線長の合計が前記測定装置と前記
切り替えスイッチ間の配線長より短いことを特徴とす
る。
【００１１】請求項６記載の半導体テスト装置は、請求
項１または請求項２または請求項３または請求項４また
は請求項５記載の半導体テスト装置において、前記信号
線が対を成す差動信号の信号線を含むことを特徴とす
る。
項１または請求項２または請求項３または請求項４また
は請求項５記載の半導体テスト装置において、前記信号
線が対を成す差動信号の信号線を含むことを特徴とす
る。
【００１２】以上の構成により、テストのコストを抑え
ながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の測定
をより実動作に近い状態で行うことができる。
ながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の測定
をより実動作に近い状態で行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図を
用いて説明する。図１は本発明の半導体テスト装置の構
成図であり、図５は本発明の半導体テスト装置における
測定フロー図である。
用いて説明する。図１は本発明の半導体テスト装置の構
成図であり、図５は本発明の半導体テスト装置における
測定フロー図である。
【００１４】図１において、１は半導体テスト装置、２
は測定される半導体デバイスである被測定デバイス、３
は被測定デバイス２の信号１０を、信号１４を介して測
定装置に接続して被測定デバイス２の測定を行うか、信
号１１を介して接続部に接続して通常動作させるかを制
御信号１３によって切り替える切り替えスイッチ、４は
切り替えスイッチ３からの信号１１と、他デバイス５へ
接続する信号１２を接続する接続部、５は被測定デバイ
ス２と高速信号の授受が可能な他デバイス、６は低速信
号を測定できる測定装置である。１５は被測定デバイス
２から出力される信号であり、被測定デバイス２が高速
動作した結果を出力する信号である。
は測定される半導体デバイスである被測定デバイス、３
は被測定デバイス２の信号１０を、信号１４を介して測
定装置に接続して被測定デバイス２の測定を行うか、信
号１１を介して接続部に接続して通常動作させるかを制
御信号１３によって切り替える切り替えスイッチ、４は
切り替えスイッチ３からの信号１１と、他デバイス５へ
接続する信号１２を接続する接続部、５は被測定デバイ
ス２と高速信号の授受が可能な他デバイス、６は低速信
号を測定できる測定装置である。１５は被測定デバイス
２から出力される信号であり、被測定デバイス２が高速
動作した結果を出力する信号である。
【００１５】ここで、図５に示すように、高速信号測定
とＤＣ信号測定を信号の接続を切り替えて行うことがで
きる。まず、被測定デバイス２の高速信号を測定する際
には（Ｂ）、制御信号１３によって切り替えスイッチ３
を制御し、被測定デバイス２の信号１０を接続部へと接
続して他デバイス５と接続して実動作時のインピーダン
スとし、他デバイス５との高速信号を授受して被測定デ
バイス２を動作させ、高速動作した結果を被測定デバイ
ス２の信号１５から得ることができる。次に、ＤＣ的な
低速信号を測定する際には（Ａ）、制御信号１３によっ
て切り替えスイッチ３を制御し、被測定デバイス２の信
号１０を測定装置６に接続し、測定装置にて直接測定す
ることが可能となる。ここで、この高速信号の測定と低
速信号の測定の順番は不同である。
とＤＣ信号測定を信号の接続を切り替えて行うことがで
きる。まず、被測定デバイス２の高速信号を測定する際
には（Ｂ）、制御信号１３によって切り替えスイッチ３
を制御し、被測定デバイス２の信号１０を接続部へと接
続して他デバイス５と接続して実動作時のインピーダン
スとし、他デバイス５との高速信号を授受して被測定デ
バイス２を動作させ、高速動作した結果を被測定デバイ
ス２の信号１５から得ることができる。次に、ＤＣ的な
低速信号を測定する際には（Ａ）、制御信号１３によっ
て切り替えスイッチ３を制御し、被測定デバイス２の信
号１０を測定装置６に接続し、測定装置にて直接測定す
ることが可能となる。ここで、この高速信号の測定と低
速信号の測定の順番は不同である。
【００１６】以上のように、測定装置６の制御信号１３
により切り替えスイッチ３を切り替えて、測定したい目
的に応じて測定することが可能となる。測定したい信号
線のＤＣ的な低速信号レベルを測定する際には、制御信
号１３にて切り替えスイッチ３を測定装置６に切り替え
て測定し、測定したい信号線の高速信号の授受を確認し
たい場合には、制御信号１３にて切り替えスイッチ３を
他デバイス５に切り替えて測定することが可能となる。
したがって、テストのコストを抑えながら、半導体デバ
イスの低振幅で高速な信号線の測定をより実動作に近い
状態で行うことができる。
により切り替えスイッチ３を切り替えて、測定したい目
的に応じて測定することが可能となる。測定したい信号
線のＤＣ的な低速信号レベルを測定する際には、制御信
号１３にて切り替えスイッチ３を測定装置６に切り替え
て測定し、測定したい信号線の高速信号の授受を確認し
たい場合には、制御信号１３にて切り替えスイッチ３を
他デバイス５に切り替えて測定することが可能となる。
したがって、テストのコストを抑えながら、半導体デバ
イスの低振幅で高速な信号線の測定をより実動作に近い
状態で行うことができる。
【００１７】図２は本発明の測定対象と切替部を基板に
搭載した半導体テスト装置の構成図である。図のよう
に、１枚の基板７上に被測定デバイス２と切り替えスイ
ッチ３と接続部４と他デバイス５が実装され、測定装置
６と接続されている。このため、図１と同様の測定が可
能であるり、さらに、基板７を入れ替えることによって
容易に測定対象を変更することができる。したがって、
テストのコストを抑えながら、半導体デバイスの低振幅
で高速な信号線の測定をより実動作に近い状態で行うこ
とができる。
搭載した半導体テスト装置の構成図である。図のよう
に、１枚の基板７上に被測定デバイス２と切り替えスイ
ッチ３と接続部４と他デバイス５が実装され、測定装置
６と接続されている。このため、図１と同様の測定が可
能であるり、さらに、基板７を入れ替えることによって
容易に測定対象を変更することができる。したがって、
テストのコストを抑えながら、半導体デバイスの低振幅
で高速な信号線の測定をより実動作に近い状態で行うこ
とができる。
【００１８】図３は本発明の半導体テスト装置における
各部間の接続配線長の違いによる効果を説明する図であ
る。図において、Ｘは他デバイス５から切り替えスイッ
チ３までの長さを、Ｙは測定装置６から切り替えスイッ
チ３までの長さを、Ｚは被測定デバイス２から切り替え
スイッチ３までの長さと切り替えスイッチ３から他デバ
イス５までの長さの和を示している。
各部間の接続配線長の違いによる効果を説明する図であ
る。図において、Ｘは他デバイス５から切り替えスイッ
チ３までの長さを、Ｙは測定装置６から切り替えスイッ
チ３までの長さを、Ｚは被測定デバイス２から切り替え
スイッチ３までの長さと切り替えスイッチ３から他デバ
イス５までの長さの和を示している。
【００１９】ここで、被測定デバイス２が他デバイス５
と接続されている時、Ｘ＜Ｙであるとすると、被測定デ
バイス２が測定装置６と接続されている場合より配線長
が短いことがわかるので、被測定デバイス２が他デバイ
ス５と接続されている時の方が被測定デバイス２が測定
装置６と接続されている時より負荷が小さいことを示
し、被測定デバイス２が他デバイス５と接続されている
方が、高速動作に適した構成となる。また、Ｚ＜Ｙであ
る場合には、Ｘ＜Ｙに比して更に負荷が小さいことを示
すため、より高速動作に適した構成であることを示す。
したがって、このような構成において、高速信号を測定
する場合は、測定装置６からの入力信号により被測定デ
バイス２を動作させるより、他デバイス５と接続して被
測定デバイス２を動作させる方が高速動作に適してお
り、信号１５を測定装置６で測定することにより、動作
結果を確認することができ、テストのコストを抑えなが
ら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の測定をよ
り実動作に近い状態で行うことができる。
と接続されている時、Ｘ＜Ｙであるとすると、被測定デ
バイス２が測定装置６と接続されている場合より配線長
が短いことがわかるので、被測定デバイス２が他デバイ
ス５と接続されている時の方が被測定デバイス２が測定
装置６と接続されている時より負荷が小さいことを示
し、被測定デバイス２が他デバイス５と接続されている
方が、高速動作に適した構成となる。また、Ｚ＜Ｙであ
る場合には、Ｘ＜Ｙに比して更に負荷が小さいことを示
すため、より高速動作に適した構成であることを示す。
したがって、このような構成において、高速信号を測定
する場合は、測定装置６からの入力信号により被測定デ
バイス２を動作させるより、他デバイス５と接続して被
測定デバイス２を動作させる方が高速動作に適してお
り、信号１５を測定装置６で測定することにより、動作
結果を確認することができ、テストのコストを抑えなが
ら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の測定をよ
り実動作に近い状態で行うことができる。
【００２０】図４は本発明の被測定デバイスが差動信号
を有する場合の半導体テスト装置の構成図である。図に
おいて、被測定デバイス２からの信号１０、信号１６が
対になって差動信号を示し、切り替えスイッチ３、切り
替えスイッチ８により、他デバイス５に接続するか測定
装置６に接続するかを切り替える。これにより、差動信
号を接続する場合であっても抵抗１８を介して差動をな
すことができるため、高速信号測定の際には、切り替え
スイッチ３、切り替えスイッチ８により被測定デバイス
２を接続部４を介して他デバイス５に接続して実動作時
のインピーダンスとし、被測定デバイス２を動作させて
信号１５を測定装置６で測定する。また、低速信号測定
の際には、切り替えスイッチ３、切り替えスイッチ８に
より被測定デバイス２を直接測定装置６に接続し、被測
定デバイス２を動作させて信号１５を測定装置６で測定
することが可能となる。したがって、テストのコストを
抑えながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の
測定をより実動作に近い状態で行うことができる。
を有する場合の半導体テスト装置の構成図である。図に
おいて、被測定デバイス２からの信号１０、信号１６が
対になって差動信号を示し、切り替えスイッチ３、切り
替えスイッチ８により、他デバイス５に接続するか測定
装置６に接続するかを切り替える。これにより、差動信
号を接続する場合であっても抵抗１８を介して差動をな
すことができるため、高速信号測定の際には、切り替え
スイッチ３、切り替えスイッチ８により被測定デバイス
２を接続部４を介して他デバイス５に接続して実動作時
のインピーダンスとし、被測定デバイス２を動作させて
信号１５を測定装置６で測定する。また、低速信号測定
の際には、切り替えスイッチ３、切り替えスイッチ８に
より被測定デバイス２を直接測定装置６に接続し、被測
定デバイス２を動作させて信号１５を測定装置６で測定
することが可能となる。したがって、テストのコストを
抑えながら、半導体デバイスの低振幅で高速な信号線の
測定をより実動作に近い状態で行うことができる。
【００２１】ここでは、被測定デバイス，切り替えスイ
ッチ，接続部，他デバイスが１つの場合について説明し
たが、それぞれが、複数個搭載される半導体テスト装置
であっても同様に対応することができる。
ッチ，接続部，他デバイスが１つの場合について説明し
たが、それぞれが、複数個搭載される半導体テスト装置
であっても同様に対応することができる。
【００２２】また、ここでは、高速信号測定時には、他
デバイスの出力信号により被測定デバイスを動作させる
場合について説明したが、実動作のインピーダンスにし
たい信号線のみを他デバイスに接続し、被測定デバイス
の動作は測定装置からの入力信号により行って測定する
ことも可能である。
デバイスの出力信号により被測定デバイスを動作させる
場合について説明したが、実動作のインピーダンスにし
たい信号線のみを他デバイスに接続し、被測定デバイス
の動作は測定装置からの入力信号により行って測定する
ことも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体テスト装
置によると、切り替えスイッチを設けて、被測定デバイ
スへの入力信号を、実動作時に接続される他デバイスか
らの入力信号か、あるいは、測定装置からの入力信号か
を選択できる構成にすることにより、ＤＣ的な低速信号
レベルの測定時には測定装置と接続して測定を行い、測
定装置からの入力信号では対応できないような高速信号
の測定時には、他デバイスと接続して被測定デバイスを
高速動作させ、その出力信号のみを測定装置で測定する
ことにより、テストのコストを抑えながら、半導体デバ
イスの低振幅で高速な信号線の測定をより実動作に近い
状態で行うことができる。
置によると、切り替えスイッチを設けて、被測定デバイ
スへの入力信号を、実動作時に接続される他デバイスか
らの入力信号か、あるいは、測定装置からの入力信号か
を選択できる構成にすることにより、ＤＣ的な低速信号
レベルの測定時には測定装置と接続して測定を行い、測
定装置からの入力信号では対応できないような高速信号
の測定時には、他デバイスと接続して被測定デバイスを
高速動作させ、その出力信号のみを測定装置で測定する
ことにより、テストのコストを抑えながら、半導体デバ
イスの低振幅で高速な信号線の測定をより実動作に近い
状態で行うことができる。
【図１】本発明の半導体テスト装置の構成図
【図２】本発明の測定対象と切替部を基板に搭載した半
導体テスト装置の構成図
導体テスト装置の構成図
【図３】本発明の半導体テスト装置における各部間の接
続配線長の違いによる効果を説明する図
続配線長の違いによる効果を説明する図
【図４】本発明の被測定デバイスが差動信号を有する場
合の半導体テスト装置の構成図
合の半導体テスト装置の構成図
【図５】本発明の半導体テスト装置における測定フロー
図
図
Ｘ 接続部から切り替えスイッチまでの配線長
Ｙ 測定装置から切り替えスイッチまでの配線長
Ｚ 被測定デバイスから切り替えスイッチまでの配線
長と切り替えスイッチから接続部までの配線長の合計 １ 半導体テスト装置 ２ 被測定デバイス ３ 切り替えスイッチ ４ 接続部 ５ 他デバイス ６ 測定装置 ７ 基板 ８ 切り替えスイッチ １０ 信号 １１ 信号 １２ 信号 １３ 制御信号 １４ 信号 １５ 信号 １６ 信号 １８ 抵抗
長と切り替えスイッチから接続部までの配線長の合計 １ 半導体テスト装置 ２ 被測定デバイス ３ 切り替えスイッチ ４ 接続部 ５ 他デバイス ６ 測定装置 ７ 基板 ８ 切り替えスイッチ １０ 信号 １１ 信号 １２ 信号 １３ 制御信号 １４ 信号 １５ 信号 １６ 信号 １８ 抵抗
Claims (6)
- 【請求項１】１または２以上の被測定デバイスと、 前記被測定デバイスに信号の送受信が可能で前記被測定
デバイスの信号を直接測定する測定装置と、 前記被測定デバイスと接続して動作可能な１または２以
上のデバイスと、 前記被測定デバイスの信号の内１または２以上の任意の
信号の信号線を前記デバイスに接続するか前記測定装置
に接続するかを前記測定装置の制御信号によって制御す
る１または２以上の切り替えスイッチと、 前記切り替えスイッチと前記デバイスの接続を中継する
接続部とを有し、 直流特性測定時には前記切り替えスイッチにより前記被
測定デバイスを前記測定装置に接続して前記測定装置に
より前記被測定デバイスを直接動作させて直流特性を測
定し、高速動作する信号の測定時には前記切り替えスイ
ッチにより前記被測定デバイスの前記任意の信号の信号
線を前記デバイスに接続して前記測定装置により前記被
測定デバイスを動作させて高速動作する信号を測定する
ことを特徴とする半導体テスト装置。 - 【請求項２】１または２以上の被測定デバイスと、 前記被測定デバイスに信号の送受信が可能で前記被測定
デバイスの信号を直接測定する測定装置と、 前記被測定デバイスと接続して動作可能な１または２以
上のデバイスと、 前記被測定デバイスの信号の内１または２以上の任意の
信号の信号線を前記デバイスに接続するか前記測定装置
に接続するかを前記測定装置の制御信号によって制御す
る１または２以上の切り替えスイッチと、 前記切り替えスイッチと前記デバイスの接続を中継する
接続部とを有し、 直流特性測定時には前記切り替えスイッチにより前記被
測定デバイスを前記測定装置に接続して前記測定装置に
より前記被測定デバイスを直接動作させて直流特性を測
定し、高速動作する信号の測定時には前記切り替えスイ
ッチにより前記被測定デバイスを前記デバイスに接続し
て動作させて高速動作する信号を測定することを特徴と
する半導体テスト装置。 - 【請求項３】前記被測定デバイスと、前記接続部と、前
記切り替えスイッチと、前記デバイスを同一基板上に実
装することを特徴とする請求項１または請求項２記載の
半導体テスト装置。 - 【請求項４】前記デバイスと前記切り替えスイッチ間の
配線長が前記測定装置と前記切り替えスイッチ間の配線
長より短いことを特徴とする請求項１または請求項２ま
たは請求項３記載の半導体テスト装置。 - 【請求項５】前記被測定デバイスと前記切り替えスイッ
チ間の配線長と前記切り替えスイッチと前記デバイス間
の配線長の合計が前記測定装置と前記切り替えスイッチ
間の配線長より短いことを特徴とする請求項１または請
求項２または請求項３または請求項４記載の半導体テス
ト装置。 - 【請求項６】前記信号線が対を成す差動信号の信号線を
含むことを特徴とする請求項１または請求項２または請
求項３または請求項４または請求項５記載の半導体テス
ト装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002061237A JP2003255022A (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 半導体テスト装置 |
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| JP2002061237A JP2003255022A (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 半導体テスト装置 |
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560949B2 (en) | 2006-03-31 | 2009-07-14 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test |
| US8098073B2 (en) * | 2007-09-27 | 2012-01-17 | Lsi Corporation | System for terminating high speed input/output buffers in an automatic test equipment environment to enable external loopback testing |
| CN108362994A (zh) * | 2013-10-12 | 2018-08-03 | 深圳市爱德特科技有限公司 | 一种基于高低速测试分离的测试装置 |
-
2002
- 2002-03-07 JP JP2002061237A patent/JP2003255022A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560949B2 (en) | 2006-03-31 | 2009-07-14 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test |
| US8098073B2 (en) * | 2007-09-27 | 2012-01-17 | Lsi Corporation | System for terminating high speed input/output buffers in an automatic test equipment environment to enable external loopback testing |
| CN108362994A (zh) * | 2013-10-12 | 2018-08-03 | 深圳市爱德特科技有限公司 | 一种基于高低速测试分离的测试装置 |
| CN108362996A (zh) * | 2013-10-12 | 2018-08-03 | 深圳市爱德特科技有限公司 | 一种“近距离测试”理论及方法 |
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