JP2009025054A - 半導体検査回路、および半導体検査方法 - Google Patents

半導体検査回路、および半導体検査方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体デバイスのAC特性の検査において、LSIテスタの少数の測定ユニットで半導体デバイスの多数本の検査対象端子を同時に検査することができる半導体検査回路を提供する。
【解決手段】半導体検査回路100は、半導体デバイス200の1本の端子203に接続する信号線101と、半導体デバイス200の複数の端子205に信号線101を接続するスイッチ回路102と、信号線101の末端に接続する抵抗器103と、を備え、半導体デバイス200上に形成されている。この構成により、入力信号のAC特性の検査を行う場合には、スイッチ回路102をオン状態にして、LSIテスタ300が生成するテスト信号を端子203へ入力することで、そのテスト信号を信号線101を経由して各端子205へ入力することができ、複数の検査対象の端子205を同時に検査することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体デバイス(LSI)のAC特性の検査に寄与する半導体検査回路、および半導体検査方法に関する。
半導体デバイスのAC特性の検査では、半導体デバイスの入出力信号の伝播遅延時間や、セットアップ時間、ホールド時間、応答時間等の測定が行われる。また、その検査構成は、半導体デバイスの電源端子と検査対象端子に対してLSIテスタの電源ユニットと測定ユニットをそれぞれ1対1に接続する構成が一般的である。
半導体デバイスのAC特性の具体的な検査方法について、論理LSI等のACタイミング特性の検査を例に簡単に説明すると、入力信号のACタイミング特性を検査する場合には、検査対象端子(入力端子または入出力端子)にテスト信号を入力するとともに、クロック端子に、予めテスト信号との間に一定の位相差を設けたクロック信号を入力して、検査対象端子に接続する初段のフリップフロップでラッチされた信号と期待値とを比較することによって、基準信号に対する入力信号の遅延時間や位相差を測定する。一方、出力信号のACタイミング特性を検査する場合には、半導体デバイスの内部回路を動作させ、検査対象端子(出力端子または入出力端子)から出力される出力信号を所望のタイミングで期待値と比較することによって、基準信号に対する出力信号の遅延時間や位相差を測定する。
また、半導体デバイスのAC特性の検査では、検査コストを抑制するために、複数個の半導体デバイスを同時に検査する手法が採られている。すなわち、各半導体デバイスの電源端子と検査対象端子に対してLSIテスタの電源ユニットと測定ユニットをそれぞれ1対1に接続し、各半導体デバイスに対して同じタイミングで電源、信号を供給することにより、複数個の半導体デバイスの同時検査を実現している。
しかしながら、近年、半導体デバイスの多ピン化がますます進み、複数個の半導体デバイスを同時に検査する際に、LSIテスタが備える測定ユニットの数が足りない場合が増えてきた。これは、従来のAC特性の検査では、検査する半導体デバイスの検査対象端子数と同時検査する半導体デバイスの個数の積以上の測定ユニットが必要となるためである。
一方、半導体デバイスの多ピン化に対して、半導体デバイスの1本の端子から各検査対象端子に接続する経路を半導体デバイス内に設けることで、少数本の端子を用いて多数本の検査対象端子のAC特性を検査する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
この方法によれば、LSIテスタの測定ユニットに接続させる半導体デバイスの端子数を抑制することができるので、少数の測定ユニットで半導体デバイスのAC特性を検査でき、同時に検査できる半導体デバイスの個数を増加することが可能となる。
しかしながら、半導体デバイスの1本の端子から各検査対象端子に接続する経路を半導体デバイス内に設けるのみでは、検査対象端子を1端子ずつ検査することになり、検査時間が増大し、検査効率が向上しないという問題があった。
特開平10−288647号公報
本発明は、上記問題点に鑑み、半導体デバイスのAC特性の検査において、少数の測定ユニットで半導体デバイスの多数本の検査対象端子を同時に検査することができ、検査効率を向上させることができる半導体検査回路、および半導体検査方法を提供することを目的とする。
本発明の請求項1記載の半導体検査回路は、半導体デバイスの検査対象の端子へ入力される入力信号のAC特性の検査に用いる半導体検査回路であって、当該半導体デバイスの1本の検査対象外の端子に接続する信号線と、前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記検査対象の端子に前記信号線を接続する第1のスイッチ回路と、前記信号線の末端に接続する抵抗器と、を備え、少なくとも前記信号線と前記第1のスイッチ回路は、当該半導体デバイス上に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の請求項2記載の半導体検査回路は、請求項1記載の半導体検査回路であって、前記信号線の末端を前記抵抗器に接続する第2のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項3記載の半導体検査回路は、請求項1もしくは2のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記抵抗器は、当該半導体デバイスの外部に設けられることを特徴とする。
また、本発明の請求項4記載の半導体検査回路は、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記信号線を前記検査対象外の端子に接続する第3のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項5記載の半導体検査回路は、半導体デバイスの検査対象の端子へ入力される入力信号のAC特性の検査に用いる半導体検査回路であって、当該半導体デバイスの1本の検査対象外の端子に接続する信号線と、前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記検査対象の端子に前記信号線を接続する第1のスイッチ回路と、前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記信号線を経由して前記検査対象の端子に入力される信号の論理値または遅延量を変更可能な入力条件設定回路と、前記信号線の末端に接続する抵抗器と、を備え、少なくとも前記信号線、前記第1のスイッチ回路、および前記入力条件設定回路は、当該半導体デバイス上に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の請求項6記載の半導体検査回路は、請求項5記載の半導体検査回路であって、前記信号線の末端を前記抵抗器に接続する第2のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項7記載の半導体検査回路は、請求項5もしくは6のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記抵抗器は、当該半導体デバイスの外部に設けられることを特徴とする。
また、本発明の請求項8記載の半導体検査回路は、請求項5ないし7のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記信号線を前記検査対象外の端子に接続する第3のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項9記載の半導体検査回路は、半導体デバイスの検査対象の端子から出力される出力信号のAC特性の検査に用いる半導体検査回路であって、前記検査対象の端子ごとに設けられた第1、第2の入力ピン、クロックピンおよび出力ピンを有するセレクタ付フリップフロップ回路と、前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記セレクタ付フリップフロップ回路の第1の入力ピンに接続する第1の信号線と、前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記検査対象の端子に前記第1の信号線を接続する第1のスイッチ回路と、隣接する前記セレクタ付フリップフロップ回路の一方の出力ピンと他方の第2の入力ピンとを接続する第2の信号線と、当該半導体デバイスの1本の検査対象外の端子と所定の前記セレクタ付フリップフロップ回路の出力ピンとを接続する第3の信号線と、前記セレクタ付フリップフロップ回路のクロックピンに接続する第4の信号線と、当該半導体デバイスの内部クロックツリーを経由したクロック信号が出力される基準端子に前記第4の信号線を接続する第2のスイッチ回路と、前記第4の信号線の末端に接続する抵抗器と、を備え、少なくともセレクタ付フリップフロップ回路、第1〜第4の信号線、および第1、第2のスイッチ回路は、当該半導体デバイス上に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の請求項10記載の半導体検査回路は、請求項9記載の半導体検査回路であって、前記抵抗器は、当該半導体デバイスの外部に設けられることを特徴とする。
また、本発明の請求項11記載の半導体検査回路は、請求項9もしくは10のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記第3の信号線を前記検査対象外の端子に接続する第3のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする。
また、本発明の請求項12記載の半導体検査方法は、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体検査回路を用いた半導体デバイスの検査方法であって、前記第1のスイッチ回路を操作して前記信号線を前記検査対象の端子に接続する工程と、前記検査対象の端子に接続された前記信号線へ、前記検査対象外の端子を介してテスト信号を入力するとともに、当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を外部から入力するための基準端子へ、前記テスト信号との間に所望の位相差を有するクロック信号を入力して、前記検査対象の端子に接続する初段のフリップフロップで信号をラッチさせる工程と、前記初段のフリップフロップでラッチされた信号と期待値との比較を行う工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の請求項13記載の半導体検査方法は、請求項5ないし8のいずれかに記載の半導体検査回路を用いた半導体デバイスの検査方法であって、前記第1のスイッチ回路を操作して前記信号線を前記検査対象の端子に接続するとともに、前記入力条件設定回路の論理値または遅延量の設定を行う工程と、前記検査対象の端子に接続された前記信号線へ、前記検査対象外の端子を介してテスト信号を入力するとともに、当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を外部から入力するための基準端子へ、前記テスト信号との間に所望の位相差を有するクロック信号を入力して、前記検査対象の端子に接続する初段のフリップフロップで信号をラッチさせる工程と、前記初段のフリップフロップでラッチされた信号と期待値との比較を行う工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の請求項14記載の半導体検査方法は、請求項9ないし11のいずれかに記載の半導体検査回路を用いた半導体デバイスの検査方法であって、当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を当該半導体デバイスへ供給し、前記基準端子から出力されたクロック信号の遅延量を測定する工程と、前記第1のスイッチ回路を操作して前記第1の信号線を前記検査対象の端子に接続し、前記第2のスイッチ回路を操作して前記第4の信号線を前記基準端子に接続し、かつ前記セレクタ付フリップフロップ回路を操作して、前記セレクタ付フリップフロップ回路が有するフリップフロップのデータ入力ピンと第1の入力ピンとを接続させる工程と、当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を当該半導体デバイスへ供給する工程と、前記検査対象の端子に接続する最終段のフリップフロップから信号が出力される際に、測定した前記遅延量を基にした所望のタイミングで前記基準端子へクロック信号を入力して、前記検査対象の端子から出力される信号を前記セレクタ付フリップフロップ回路が有するフリップフロップにラッチさせる工程と、前記セレクタ付フリップフロップ回路を操作して、前記セレクタ付フリップフロップ回路が有するフリップフロップのデータ入力ピンの接続先を第2の入力ピンへ切り替え、前記セレクタ付フリップフロップ回路によりラッチされた信号を前記検査対象外の端子へシリアルに送信させる工程と、前記検査対象外の端子へシリアルに送信された信号と期待値との比較を行う工程と、を有することを特徴とする。
本発明の好ましい形態によれば、半導体デバイスのAC特性の検査において、少数の測定ユニットで半導体デバイスの多数本の端子を同時に検査することができ、検査効率を向上させることができる。また、同時に検査する半導体デバイスの個数を増加することができるため、設備費用の抑制や検査コストの低減を図ることができる。
すなわち、信号線の末端に抵抗器(終端抵抗)を設けたので、信号線において信号が反射するのを抑制でき、検査対象の端子へ入力される入力信号のAC特性の検査において、LSIテスタに接続する1本の検査対象外の端子を通じて各検査対象の端子に同時にテスト信号を入力でき、少数の測定ユニットで半導体デバイスの多数本の端子を同時に検査することができる。
また、入力条件設定回路を設けることで、検査対象の端子ごとに論理値や遅延量が異なる信号を、各検査対象の端子へ同時に入力することができ、各検査対象の端子をそれぞれ異なる条件で検査することができ、同時に検査できる端子数を増加させることができる。
また、セレクタ付フリップフロップ回路を設けることで、検査対象の端子から出力される出力信号のAC特性の検査において、各検査対象の端子から出力される信号をラッチして、そのラッチした信号をLSIテスタに接続する1本の検査対象外の端子へシリアルに送信することができ、少数の測定ユニットで半導体デバイスの多数本の端子を同時に検査することができる。
(実施の形態1)
図1に、本発明の実施の形態1における半導体検査回路を備えた半導体デバイスの検査構成の概略を示す。本実施の形態1における半導体検査回路は、主に、半導体デバイス(LSI)の入出力信号のAC特性の検査に用いられる。なお、LSIテスタおよび半導体デバイスについては、その構成の一部を図示している。
本実施の形態1では、複数の入出力端子の各々に初段フリップフロップおよび最終段フリップフロップが接続された構成の半導体デバイスの入出力信号のACタイミング特性を検査する場合を例に説明するが、無論、本発明にかかる半導体検査回路は、このような構成の半導体デバイスに限定して用いられるものではない。
図1に示すように、半導体検査回路100は、被測定デバイスである半導体デバイス200の内部に設けられる。半導体デバイス200は、検査時に、半導体デバイス200とLSIテスタ300とを接続するインターフェースの機能を担うロードボード400に搭載される。なお、半導体デバイス200はウェハ上に実装された状態であってもよいし、パッケージに封止された状態であってもよい。以下、LSIテスタ300、半導体デバイス200、半導体検査回路100の順に説明する。
LSIテスタ300において、電源ユニット301は、半導体デバイス200へ供給する電力を生成する。電源ユニット301は、ロードボード400を介して、半導体デバイス200に設けられた電源端子201のパッド202に接続する。
また、第1の測定ユニット302は、半導体デバイス200へ供給するテスト信号(ロジック信号)を任意のタイミングで生成する機能と、半導体デバイス200から出力される出力信号(ロジック信号)を観測する機能とを有する。第1の測定ユニット302は、ロードボード400を介して、半導体デバイス200に設けられた第1の入出力端子203のパッド204に接続する。
第1の測定ユニット302は、具体的には、LSIテスタ300内部で生成される基準信号を基に、任意のタイミングでテスト信号を生成するドライバ303と、出力信号と規定値とを比較して、出力信号の論理値を観測するコンパレータ304とからなる。LSIテスタ300は、コンパレータ304の観測結果(出力信号の論理値)と期待値とを所望のタイミングで比較して、出力信号の基準信号に対する遅延時間や、出力信号と基準信号との位相差等を測定する。
また、第2の測定ユニット305は、半導体デバイス200へ供給するクロック信号を任意のタイミングで生成する機能と、半導体デバイス200から出力されるクロック信号、すなわち半導体デバイス200の内部クロックツリーを経由したクロック信号(出力クロック信号と称す)を観測する機能とを有する。第2の測定ユニット305は、ロードボード400を介して、半導体デバイス200に設けられたクロック端子209のパッド210に接続する。
第2の測定ユニット305は、具体的には、LSIテスタ300内部で生成される基準信号を基に、任意のタイミングでクロック信号を生成するドライバ306と、出力クロック信号と規定値とを比較して、その立ち上がりや、立ち下りを観測するコンパレータ307とからなる。LSIテスタ300は、コンパレータ307の観測結果から、出力クロック信号の立ち上がりや立ち下りのタイミングを観測し、出力クロック信号の基準信号に対する遅延時間や、出力クロック信号と基準信号との位相差等を測定する。
続いて、半導体デバイス200について説明する。半導体デバイス200は、外部端子として、LSIテスタ300の電源ユニット301に接続する電源端子201と、LSIテスタ300の第1の測定ユニット302に接続する第1の入出力端子203と、検査対象の端子である第2の入出力端子205と、LSIテスタ300の第2の測定ユニット305に接続するクロック端子(基準端子)209と、を備える。これらの端子は、外部回路と接続するためのパッドを少なくとも備える。また、ここでは、第2の入出力端子205およびクロック端子209は、自身のパッド206、210に接続する入力バッファ(ゲート)207、211および出力バッファ(トライステートバッファ)208、212を備える。
第2の入出力端子205のパッド206は、入力バッファ207を介して初段フリップフロップ213のデータ入力ピンに接続する。また第2の入出力端子205のパッド206は、出力バッファ208を介して最終段フリップフロップ214のデータ出力ピンに接続する。
また、クロック端子209のパッド210は、入力バッファ211および出力バッファ212を介して、半導体デバイス200の内部クロックツリー215に接続する。このクロック端子209は、半導体デバイス200の内部回路を動作させるためのクロック信号を外部から入力し、かつ半導体デバイス200の内部クロックツリー215を経由したクロック信号(出力クロック信号)を外部へ出力するための端子である。初段フリップフロップ213や最終段フリップフロップ214のクロックピンは、内部クロックツリー215に接続している。
なお、ここでは、1個の半導体デバイスを検査する場合について説明するが、無論、同時に複数個の半導体デバイスを検査することもできる。この場合、各半導体デバイスに対して、電源ユニット301、測定ユニット302、305をそれぞれ接続することになる。
また、ここでは、1つのクロック端子209においてクロック信号の入出力が行われる構成を例に説明するが、無論、外部からのクロック信号を入力する端子と、外部へクロック信号を出力する端子とを別異に設けた構成であってもよい。
続いて、半導体検査回路100について説明する。半導体検査回路100において、信号線101は、主部と分岐部からなり、主部の一端が、LSIテスタ300の第1の測定ユニット302に接続する第1の入出力端子(検査対象外の端子)203のパッド204付近に接続する。また分岐部は、第2の入出力端子205ごとに設けられ、スイッチ回路(第1のスイッチ回路)102を介して第2の入出力端子205のパッド206付近に接続する。また、主部の末端には抵抗器(終端抵抗)103が設けられている。これらの信号線101、スイッチ回路102、抵抗器103は、半導体デバイス200上に形成されている。
この構成により、入力信号のACタイミング特性の検査時には、検査対象の第2の入出力端子205に接続するスイッチ回路102をオン状態にして、LSIテスタ300から第1の入出力端子203へ供給されたテスト信号を、信号線101の経路を通じて、検査対象の第2の入出力端子205のゲート(入力バッファ207)に入力することが可能となる。
また、出力信号のACタイミング特性の検査時には、検査対象の第2の入出力端子205に接続するスイッチ回路102をオン状態にして、その第2の入出力端子205の出力バッファ208から出力された出力信号を、信号線101の経路を通じて、第1の入出力端子203へ入力して、LSIテスタ300へ送信することが可能となる。
また、半導体デバイス200の通常動作時には、スイッチ回路102をオフ状態にして、第2の入出力端子205を信号線101から切り離すことができ、半導体デバイス200の通常動作時に、半導体検査回路100が、半導体デバイス200の内部回路の動作に影響を与えることはない。
また、複数の検査対象端子のうち必要な端子のみを信号線101に接続することができ、テスト信号を同時に入力する必要がない端子を信号線101から切り離すことができる。また、出力信号のACタイミング特性の検査時には、出力信号を取り出す検査対象端子のみを信号線101に接続することができる。
なお、スイッチ回路102のオン/オフの制御については、例えば半導体デバイス200の内部に、LSIテスタ300において任意に生成される指示信号に従ってスイッチ回路102のオン/オフを制御する制御回路(図示せず)を設けることで、スイッチ回路102のオン/オフを任意に設定することが可能となる。
また、信号線101の末端に設けられた抵抗器103は、第1の入出力端子203と信号線101との接続点から最も離れた位置にある第2の入出力端子205付近に位置する。この抵抗器103によって、信号線101を伝送する信号がロジック信号等のパルス信号や正弦波状の交流信号であっても、その反射を抑制することが可能となる。
なお、ACタイミング特性の検査は、検査対象端子のパッドと初段または最終段のフリップフロップとの間を伝送する信号の遅延時間を観測する試験であるので、検査対象端子のパッドの極力近くに信号線101を接続するのが望ましい。また、波形の歪のない信号を信号線101において伝送するために、信号線101とスイッチ回路102との間の距離を極力短くするのが好ましい。よって、半導体検査回路100は、検査対象端子のパッドが形成されている領域の下の領域に形成するのが好適である。
続いて、本発明の実施の形態1における半導体検査方法であるACタイミング特性の検査方法について説明する。入力信号のACタイミング特性の検査では、半導体デバイス200の検査対象端子へテスト信号を供給するとともに、半導体デバイス200のクロック端子209へ所望のタイミングでクロック信号を供給して、初段フリップフロップ213においてラッチされた信号と期待値とを比較することによって、入力信号の基準信号に対する遅延時間や、入力信号と基準信号との位相差等を測定する。一方、出力信号のACタイミング特性の検査では、半導体デバイス200の内部回路を動作させ、半導体デバイス200からの出力信号を所望のタイミングで期待値と比較することによって、出力信号の基準信号に対する遅延時間や位相差を測定する。
入力信号のACタイミング特性検査の一例について、図2を参照しながら詳細に説明する。まず、LSIテスタ300は、被測定デバイスである半導体デバイス200への電力供給を開始し(電源投入)、半導体デバイス200へリセット信号を印加した後(ステップS201)、半導体デバイス200を、入力信号のACタイミング特性の検査を実施する状態(テストモード)に遷移させる(ステップS202)。
次に、LSIテスタ300は、同時に検査する入出力端子205に接続しているスイッチ回路102を操作してオン状態にし、同時に検査する検査対象端子に信号線101を接続させる(ステップS203)。これにより、信号線101と複数の検査対象端子とがスイッチ回路102を通じて接続された状態となる。
次に、LSIテスタ300は、第1の測定ユニット302において、入力信号のACタイミング特性を検査するためのテスト信号を生成して、そのテスト信号を第1の入出力端子203を介して信号線101へ入力するとともに、第2の測定ユニット305において所望のタイミングでクロック信号を生成して、そのクロック信号をクロック端子209を介して内部クロックツリー215へ入力する(ステップS204)。このとき、クロック信号とテスト信号との間に所望の位相差を設ける。この位相差の設定値が、検査するACタイミング特性値であり、例えばセットアップ時間やホールド時間が該当する。
第1の測定ユニット302において生成されたテスト信号は、信号線101を経て、同時に検査する第2の入出力端子205の入力バッファ(ゲート)207に入力される。入力バッファ207に入力されたテスト信号は、初段フリップフロップ213のデータ入力ピンへ入力される。一方、第2の測定ユニット305において生成されたクロック信号は、内部クロックツリー215の一部を経て初段フリップフロップ213のクロックピンへ入力される。
初段フリップフロップ213は、クロック信号の立ち上がりまたは立ち下がりのタイミングで、データ入力ピンに入力された信号をラッチする(ステップS205)。この初段フリップフロップ213がラッチした信号は、半導体デバイス200の内部に予め設けられた比較回路(図示せず)において期待値と比較される(ステップS206)。期待値は、テスト信号の論理値である。この比較結果から、入力信号の基準信号に対する遅延時間等を測定することができる。なお、初段フリップフロップ213がラッチした信号を半導体デバイス200の外部端子(図示せず)からLSIテスタ300へ送信して、LSIテスタ300において期待値と比較する構成としてもよい。
続いて、出力信号のACタイミング特性検査の一例について説明する。LSIテスタ300は、まず、半導体デバイス200への電力供給を開始し、半導体デバイス200へリセット信号を印加した後、半導体デバイス200を、出力信号のACタイミング特性の検査を実施する状態(テストモード)に遷移させる。
次に、LSIテスタ300は、テスト信号を同時に入力する必要がある入出力端子205に接続しているスイッチ回路102を操作してオン状態にし、その入出力端子205に信号線101を接続させる。
次に、LSIテスタ300は、第1の測定ユニット302において、出力信号のACタイミング特性を検査するためのテスト信号を生成して、そのテスト信号を第1の入出力端子203を介して信号線101へ入力するとともに、第2の測定ユニット305において、半導体デバイス200の内部回路を動作させるためのクロック信号を生成して、そのクロック信号をクロック端子209を介して内部クロックツリー215へ入力する。
第1の測定ユニット302において生成されたテスト信号は、信号線101を経て、オン状態のスイッチ回路102に接続する第2の入出力端子205の入力バッファ(ゲート)207に入力される。入力バッファ207に入力されたテスト信号は、半導体デバイス200の内部回路へ入力される。
このテスト信号とクロック信号によって、半導体デバイス200の内部回路が動作する。その結果、1個の最終段フリップフロップ214のみから出力信号が出力される場合、LSIテスタ300は、その最終段フリップフロップ214に接続する入出力端子205から出力信号を取り出すために、その入出力端子205に接続するスイッチ回路102をオン状態にする。また、複数の最終段フリップフロップ214から出力信号が出力される場合には、LSIテスタ300は、それらの最終段フリップフロップ214に接続する入出力端子205のうちの任意の1つに接続するスイッチ回路102をオン状態にして、その入出力端子205から出力信号を取り出す。
検査対象の入出力端子205から取り出された出力信号は、LSIテスタ300の第1の測定ユニット302へ送信される。第1の測定ユニット302は、その出力信号を観測する。LSIテスタ300は、出力信号の論理値と期待値(テスト信号の論理値)とを所望のタイミングで比較して、その比較結果から、出力信号の基準信号に対する遅延時間等を測定する。ここで、所望のタイミングと基準信号の立ち上がり、または立ち下りのタイミングとの位相差が、検査するACタイミング特性値であり、例えばセットアップ時間やホールド時間が該当する。
なお、本実施の形態1では、出力信号のACタイミング特性の検査方法として、LSIテスタにおいて生成したテスト信号を、第1の入出力端子203を介して半導体デバイス200の内部回路へ入力する場合について説明したが、第1の入出力端子203以外の他の端子を介して入力する構成としてもよいし、半導体デバイス200の内部に予め設けたテスト信号生成回路によりテスト信号を生成する構成としてもよい。
また、本実施の形態1では、半導体デバイスの入出力信号がロジック信号の場合、すなわち半導体デバイスが論理LSI等である場合について説明したが、無論、入出力信号が、ロジック信号以外のパルス信号であっても同様に実施できる。また、アナログ・デジタル混載LSI等においても同様に実施できる。アナログ・デジタル混載LSI等の場合、LSIテスタは、テスト信号として、例えば正弦波状の交流信号を任意のタイミングで生成する。またLSIテスタは、半導体デバイスから出力される交流信号(出力信号)の電圧と規定値とを比較して、その電圧を観測する。LSIテスタは、その観測結果から、半導体デバイスから出力される交流信号の基準信号に対する遅延時間等を測定する。
以上のように、半導体検査回路100を被測定デバイスである半導体デバイス200の内部に設けることで、半導体デバイス200の少数本の端子を用いて、半導体デバイス200のAC特性を検査することができる。特に、入力信号のAC特性の検査においては、多数本の端子を同時に検査することができる。
続いて、本実施の形態1の変形例について説明する。なお、各変形例における半導体検査方法は、図1に示す半導体検査回路を用いた半導体検査方法と同様であるので、その説明は省略する。
図3は、本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第1変形例を備えた半導体デバイスの検査構成の概略を示す図である。但し、図1に基づいて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、説明を省略する。
図3に示すように、この半導体検査回路の第1変形例は、信号線101の末端と抵抗器103との間に、信号線101の末端を抵抗器103に接続するスイッチ回路(第2のスイッチ回路)104を設けた点が、図1に示す半導体検査回路と異なる。
この構成により、AC特性を検査する場合には、スイッチ回路104をオン状態にして信号線101と抵抗器103とを接続することで、ロジック信号等のパルス信号や交流信号の反射を抑制することができ、DC特性を検査する場合には、スイッチ回路104をオフ状態にして信号線101を抵抗器103から切り離すことで、抵抗器103による電流の分流や電圧の分圧を考慮することなく、DC特性の検査が可能となる。
なお、スイッチ回路104のオン/オフの制御については、例えば半導体デバイス200の内部に、LSIテスタ300において任意に生成される指示信号に従ってスイッチ回路104のオン/オフを制御する制御回路を設けることで、スイッチ回路104のオン/オフを任意に設定することが可能となる。
続いて、本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第2変形例について説明する。図4は、本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第2変形例を備えた半導体デバイスの検査構成の概略を示す図である。但し、図1に基づいて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、説明を省略する。
図4に示すように、この半導体検査回路の第2変形例は、半導体デバイス200の外部に、すなわちロードボード400上に、信号線101の末端に接続する抵抗器401を実装して設けた点が図1に示す半導体検査回路と異なる。具体的には、ロードボード400上の抵抗器401にロードボード400を通じて接続する半導体デバイス200の外部端子216のパッド217に、信号線101の末端が接続している。
このように構成すれば、信号線101の末端に接続する抵抗器を半導体デバイス200上に形成する必要がなくなるので、半導体デバイス間での終端抵抗の特性バラツキの抑制や、半導体デバイスの回路面積の削減を図ることができる。
なお、外部端子216がテスト専用の端子である場合には、図4に示すように、信号線101を外部端子216に直接接続してもよいが、外部端子216が実使用に用いる端子である場合には、信号線101を外部端子216に接続するスイッチ回路を設けることによって、実使用時に、信号線101と外部端子216との接続を切り離す構成としてもよい。
続いて、本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第3変形例について説明する。図5は、本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第3変形例を備えた半導体デバイスの検査構成の概略を示す図である。但し、図1に基づいて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、説明を省略する。
図5に示すように、この半導体検査回路の第3変形例は、LSIテスタ300に接続する第1の入出力端子203のパッド204付近に信号線101を接続するスイッチ回路(第3のスイッチ回路)105を設けた点が、図1に示す半導体検査回路と異なる。
この構成によれば、AC特性を検査する場合には、スイッチ回路105をオン状態にして信号線101と第1の入出力端子203とを接続することができ、実使用時には、信号線101を第1の入出力端子203から切り離すことができる。したがって、信号線101に接続する第1の入出力端子203は検査専用の端子である必要は無く、実使用が可能な外部端子で構成することが可能となる。
なお、スイッチ回路105のオン/オフの制御については、例えば半導体デバイス200の内部に、LSIテスタ300において任意に生成される指示信号に従ってスイッチ回路105のオン/オフを制御する制御回路を設けることで、スイッチ回路105のオン/オフを任意に設定することが可能となる。
以上のように、本実施の形態1によれば、入力信号のAC特性の検査において、1つの入出力端子から複数の入出力端子にテスト信号を同時に入力することができ、少数本の端子を用いて、多数本の端子を同時に検査することが可能となる。なお、本実施の形態1では、検査対象端子が入出力端子である場合について説明したが、入力端子や出力端子についても同様に実施することができる。
(実施の形態2)
図6に、本発明の実施の形態2における半導体検査回路を備えた半導体デバイスの検査構成の概略を示す。但し、前述した実施の形態1において説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、説明を省略する。なお、LSIテスタおよび半導体デバイスについては、その構成の一部を図示している。
本実施の形態2における半導体検査回路は、主に、半導体デバイス(LSI)の入力信号のAC特性の検査に用いられる。本実施の形態2では、複数の入出力端子の各々に初段フリップフロップおよび最終段フリップフロップが接続された構成の半導体デバイスの入力信号のACタイミング特性を検査する場合を例に説明するが、無論、本発明にかかる半導体検査回路は、このような構成の半導体デバイスに限定して用いられるものではない。
図6に示すように、半導体検査回路110は、信号線101を経由して検査対象端子(第2の入出力端子205)に入力される信号の入力条件(論理値や遅延量)を変更可能な入力条件設定回路111を備える点が、前述した実施の形態1と異なる。
すなわち、前述した実施の形態1では、入力信号のACタイミング特性の検査時に各検査対象端子に同時に入力されるテスト信号は同一の信号であったが、本実施の形態2では、入力条件設定回路111により、検査対象端子に同時に入力されるテスト信号の論理値を検査対象端子ごとに設定することが可能となる。また前述した実施の形態1では、入力信号のACタイミング特性の検査時に、各検査対象端子に同一の入力タイミングでテスト信号が入力されたが、本実施の形態2では、入力条件設定回路111により、検査対象端子ごとに入力タイミング(遅延量)を設定することが可能となる。
入力条件設定回路111は、例えば図7に示すようなバッファ112、インバータ113、セレクタ114からなる論理回路や、例えば図8に示すような複数個の遅延素子115を直列接続してなる遅延回路で構成することができる。また、図示しないが、図7に示す論理回路と図8に示す遅延回路を組み合わせた回路で構成することもできる。このように入力条件設定回路111を構成すれば、例えば半導体デバイス200の内部に、LSIテスタ300において任意に生成される指示信号に従って入力条件設定回路111を制御する制御回路を設けることで、入力条件を任意に設定することが可能となる。
なお、入力信号のACタイミング特性の検査は、検査対象端子のパッドと初段のフリップフロップとの間を伝送する信号の遅延時間を観測する試験であるので、検査対象端子のパッドの極力近くに信号線101を接続するのが望ましい。また、波形の歪のない信号を信号線101において伝送するために、信号線101とスイッチ回路102との間の距離を極力短くするのが好ましい。よって、半導体検査回路110は、検査対象端子のパッドが形成されている領域の下の領域に形成するのが好適である。
続いて、本発明の実施の形態2における半導体検査方法である入力信号のACタイミング特性の検査方法の一例について、図9を参照しながら説明する。まず、LSIテスタ300は、被測定デバイスである半導体デバイス200への電力供給を開始し(電源投入)、半導体デバイス200へリセット信号を印加した後(ステップS901)、半導体デバイス200を、入力信号のACタイミング特性の検査を実施する状態(テストモード)に遷移させる(ステップS902)。
次に、LSIテスタ300は、入力条件設定回路111の論理値や遅延量の設定を行う(ステップS903)。すなわち、検査対象端子である入出力端子205ごとにテスト信号の論理値や入力タイミング(遅延量)を設定する。
次に、LSIテスタ300は、同時に検査する入出力端子205に接続しているスイッチ回路(第1のスイッチ回路)102を操作してオン状態にし、同時に検査する検査対象端子に信号線101を接続させる(ステップS904)。これにより、信号線101と複数の検査対象端子とが入力条件設定回路111およびスイッチ回路102を通じて接続された状態となる。
次に、LSIテスタ300は、第1の測定ユニット302において、入力信号のACタイミング特性を検査するためのテスト信号を生成して、そのテスト信号を第1の入出力端子203を介して信号線101へ入力するとともに、第2の測定ユニット305において所望のタイミングでクロック信号を生成して、そのクロック信号をクロック端子209を介して内部クロックツリー215へ入力する(ステップS905)。このとき、クロック信号とテスト信号との間に所望の位相差を設ける。この位相差の設定値が、検査するACタイミング特性値であり、例えばセットアップ時間やホールド時間が該当する。なお、入力条件設定回路111によりテスト信号の入力タイミングを変更できる場合は、入力条件設定回路111により各検査対象端子のACタイミング特性値を設定することができる。
第1の測定ユニット302において生成されたテスト信号は、信号線101および入力条件設定回路111を経て、同時に検査する第2の入出力端子205の入力バッファ(ゲート)207に入力される。したがって、第2の入出力端子205の入力バッファ207には、入力条件設定回路111により論理値や遅延量が設定されたテスト信号が入力される。入力バッファ207に入力されたテスト信号は、初段フリップフロップ213のデータ入力ピンへ入力される。
一方、第2の測定ユニット305において生成されたクロック信号は、内部クロックツリー215の一部を経て初段フリップフロップ213のクロックピンへ入力される。
初段フリップフロップ213は、クロック信号の立ち上がりまたは立ち下がりのタイミングで、データ入力ピンに入力された信号をラッチする(ステップS906)。この初段フリップフロップ213がラッチした信号は、半導体デバイス200の内部に予め設けられた比較回路(図示せず)において期待値と比較される(ステップS907)。期待値は、テスト信号の論理値である。なお、初段フリップフロップ213がラッチした信号を半導体デバイス200の外部端子(図示せず)からLSIテスタ300へ送信して、LSIテスタ300において期待値と比較する構成としてもよい。この比較結果から、入力信号の基準信号に対する遅延時間等を測定することができる。
なお、本実施の形態2では、半導体デバイスの入力信号がロジック信号の場合、すなわち半導体デバイスが論理LSI等である場合について説明したが、無論、入力信号が、ロジック信号以外のパルス信号であっても同様に実施できる。また、アナログ・デジタル混載LSI等においても同様に実施できる。アナログ・デジタル混載LSI等の場合、入力条件設定回路111は、テスト信号である交流信号の位相を遅らせる構成等にすればよい。
以上のように、本実施の形態2によれば、入力信号のAC特性の検査において、各検査対象端子の入力条件(論理値や遅延量等)を設定することができるので、より多くの端子を同時に検査することが可能となる。
なお、前述した実施の形態1における半導体検査回路と同様に、信号線101の末端と抵抗器103との間に、信号線101の末端を抵抗器103に接続するスイッチ回路(第2のスイッチ回路)を設けたり(変形例1)、半導体デバイス200の外部に、信号線101の末端に接続する抵抗器を設けたり(変形例2)、LSIテスタ300に接続する第1の入出力端子203のパッド204付近に信号線101を接続するスイッチ回路(第3のスイッチ回路)を設けたり(変形例3)してもよい。
また、本実施の形態2では、検査対象端子が入出力端子である場合について説明したが、入力端子についても同様に実施することができる。また、検査対象端子である第2の入出力端子205のパッド206の近傍に配置するスイッチ回路102の構成を、第2の入出力端子205が入力条件設定回路111を介して信号線101に接続する状態、第2の入出力端子205が信号線101に直接接続する状態、および第2の入出力端子205が信号線101から切り離される状態のうちのいずれかの状態を選択可能な構成にすれば、前述の実施の形態1と同様に、出力信号のACタイミング特性の検査を実施することが可能となる。
(実施の形態3)
図10に、本発明の実施の形態3における半導体検査回路を備えた半導体デバイスの検査構成の概略を示す。但し、前述した実施の形態1において説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、説明を省略する。なお、LSIテスタおよび半導体デバイスについては、その構成の一部を図示している。
本実施の形態3における半導体検査回路は、半導体デバイス(LSI)の出力信号のAC特性の検査に用いられる。本実施の形態3では、複数の入出力端子の各々に初段フリップフロップおよび最終段フリップフロップが接続された構成の半導体デバイスの出力信号のACタイミング特性を検査する場合を例に説明するが、無論、本発明にかかる半導体検査回路は、このような構成の半導体デバイスに限定して用いられるものではない。
半導体検査回路120は、複数の最終段フリップフロップ214から出力された出力信号を、それらに接続する入出力端子205から取り出して、LSIテスタ300に接続する入出力端子203へシリアル転送する点が前述した実施の形態1と異なる。
以下、半導体検査回路120について具体的に説明する。図10において、検査対象の入出力端子205ごとに設けられたセレクタ付フリップフロップ回路121は、第1、第2の入力ピン、クロックピン、および出力ピンを有し、その第1の入力ピンには、第1の信号線122が接続している。この第1の信号線122は、第1のスイッチ回路123を介して、検査対象の第2の入出力端子205のパッド206近傍に接続する。また、隣接するセレクタ付フリップフロップ回路121の一方の出力ピンと他方の第2の入力ピンが第2の信号線124を介して接続しており、LSIテスタ300に接続する検査対象外の第1の入出力端子203付近に位置する最終段のセレクタ付フリップフロップ回路121の出力ピンは、第3の信号線125を介して第1の入出力端子203のパッド204近傍に接続している。
また、セレクタ付フリップフロップ回路121のクロックピンには第4の信号線126が接続しており、第4の信号線126は、第2のスイッチ回路127を介して、基準端子であるクロック端子209に接続する。また、第4の信号線126の末端には抵抗器(終端抵抗)128が設けられている。
これらのセレクタ付フリップフロップ回路121、第1の信号線122〜第4の信号線126、第1のスイッチ回路123、第2のスイッチ回路127、および抵抗器128は、半導体デバイス200上に形成されている。
この構成により、第2の入出力端子205の出力バッファ208から出力された出力信号を、第1の信号線122を通して、セレクタ付フリップフロップ回路121へ入力し、その出力信号をセレクタ付フリップフロップ回路121においてラッチすることができる。また、セレクタ付フリップフロップ回路121を第2の信号線124により直列に接続して、各セレクタ付フリップフロップ回路121がラッチした信号を、第2の信号線124および第3の信号線125を通して、第1の入出力端子203へシリアルに伝送することができる。
また、セレクタ付フリップフロップ回路121は、フリップフロップ129とセレクタ130からなり、セレクタ130の第1、第2の入力ピンが、セレクタ付フリップフロップ回路121の第1、第2の入力ピンとなる。セレクタ130の出力ピンは、後段のフリップフロップ129のデータ入力ピンに接続しており、セレクタ130により選択された入力ピンへ入力される信号がフリップフロップ129のデータ入力ピンへ伝播される構成となっている。また、フリップフロップ129のデータ出力ピンが、セレクタ付フリップフロップ回路121の出力ピンとなり、フリップフロップ129のクロックピンが、セレクタ付フリップフロップ回路121のクロックピンとなる。
なお、セレクタ130の制御は、例えば半導体デバイス200の内部に、LSIテスタ300において任意に生成される指示信号に従ってセレクタ130による入力ピンの選択を制御する制御回路を設けることで実現できる。
以上の構成により、出力信号のACタイミング特性の検査を行う場合には、第1のスイッチ回路123および第2のスイッチ回路127をオン状態にして、検査対象の第2の入出力端子205の出力バッファ208から出力される出力信号をセレクタ付フリップフロップ回路121においてラッチすることが可能となる。
また、半導体デバイス200の通常動作時には、第1のスイッチ回路123および第2のスイッチ回路127をオフ状態にして、検査対象の入出力端子205およびクロック端子209を半導体検査回路120から切り離すことができ、半導体デバイス200の通常動作時に、半導体検査回路120が、半導体デバイス200の内部回路の動作に影響を与えることはない。また、複数の検査対象端子のうち必要な端子のみを半導体検査回路120に接続することができる。
なお、第1のスイッチ回路123と第2のスイッチ回路127のオン/オフの制御については、例えば半導体デバイス200の内部に、LSIテスタ300において任意に生成される指示信号に従って第1のスイッチ回路123と第2のスイッチ回路127のオン/オフを制御する制御回路を設けることで、第1のスイッチ回路123と第2のスイッチ回路127のオン/オフを任意に設定することが可能となる。
また、第4の信号線126の末端に設けられた抵抗器128は、クロック端子209と第4の信号線126との接続点から最も離れた位置にある第2の入出力端子205付近に位置する。この抵抗器128によって、第4の信号線126を伝送するクロック信号の反射を抑制することが可能となる。
なお、出力信号のACタイミング特性の検査は、検査対象端子のパッドと最終段のフリップフロップとの間を伝送する信号の遅延時間を観測する試験であるので、検査対象端子のパッドの極力近くに第1の信号線122を接続するのが望ましい。また、波形の歪のない信号を各信号線122、124、125、126において伝送するために、各信号線122、124、125、126の長さは極力短くするのが好ましい。よって、半導体検査回路120は、検査対象端子の下に実装するのが好適である。
続いて、本発明の実施の形態3における半導体検査方法である出力信号のACタイミング特性の検査方法の一例について、図11を参照しながら説明する。まず、LSIテスタ300は、半導体デバイス200への電力供給を開始し(電源投入)、半導体デバイス200へリセット電圧を印加した後(ステップS1101)、半導体デバイス200を、出力信号のACタイミング特性の検査を実施する状態(テストモード)に遷移させる(ステップS1102)。
次に、LSIテスタ300は、半導体デバイス200の内部回路を動作させ、内部クロックツリー215を経由したクロック信号(出力クロック信号)をクロック端子209から出力させる(ステップS1103)。半導体デバイス200の内部回路を動作させる際には、LSIテスタ300は、半導体デバイス200の内部回路を動作させるためのクロック信号を生成して、その生成したクロック信号を半導体デバイス200へ供給する。なお、半導体デバイス200の内部回路を動作させるためのデータ信号は、LSIテスタ300が生成してもよいし、半導体デバイス200の内部で発生させてよい。
次に、LSIテスタ300は、クロック端子209からの出力クロック信号を第2の測定ユニット305で観測し、その観測結果から、出力クロック信号の基準信号に対する遅延時間(遅延量)等を測定する(ステップS1104)。
次に、LSIテスタ300は、第1のスイッチ回路123を操作してオン状態にし、セレクタ付フリップフロップ回路121(第1の信号線122)を第2の入出力端子205に接続し、第2のスイッチ回路127を操作してオン状態にし、第4の信号線126を基準端子であるクロック端子209に接続し、かつセレクタ付フリップフロップ回路121のセレクタ130を操作して、フリップフロップ129のデータ入力ピンと検査対象の入出力端子205(第1の入力ピン)とを接続させる(ステップS1105)。
次に、LSIテスタ300は、再度、半導体デバイス200の内部回路を動作させて、最終段フリップフロップ214から出力信号を出力させる(ステップS1106)。このとき、クロック端子209の出力バッファ212をディセーブル状態にしておく。また、半導体デバイス200の内部回路を動作させる際には、LSIテスタ300は、半導体デバイス200の内部回路を動作させるためのクロック信号を生成して、その生成したクロック信号を半導体デバイス200へ供給する。なお、半導体デバイス200の内部回路を動作させるためのデータ信号は、LSIテスタ300が生成してもよいし、半導体デバイス200の内部で発生させてよい。
そして、LSIテスタ300は、最終段フリップフロップ214から出力信号が出力される際に、ステップS1104で測定した遅延時間等を基にした所望のタイミングでクロック信号をクロック端子209へ入力する。ここで、クロック端子209へ入力する所望のタイミングとステップS1104で測定した基準信号の立ち上がり、または立ち下りのタイミングとの位相差が、検査するACタイミング特性値であり、例えばセットアップ時間やホールド時間が該当する。
この結果、検査対象の入出力端子205の出力バッファ208から出力された出力信号がセレクタ付フリップフロップ回路121のフリップフロップ129のデータ入力ピンに入力され、第2の測定ユニット305により生成されたクロック信号がセレクタ付フリップフロップ回路121のフリップフロップ129のクロックピンに入力される。フリップフロップ129は、クロックピンに入力されるクロック信号の立ち上がりまたは立ち下りのタイミングで、データ入力ピンに入力された出力信号をラッチする(ステップS1107)。
次に、LSIテスタ300は、セレクタ付フリップフロップ回路121をシフト動作させる(ステップS1108)。すなわち、LSIテスタ300は、セレクタ付フリップフロップ回路121のセレクタ130を操作して、フリップフロップ129のデータ入力ピンの接続先を第2の入力ピンへ切り替える。そして、第2の測定ユニット305においてクロック信号を生成して、各セレクタ付フリップフロップ回路121によりラッチされた出力信号を、第1の入出力端子203へシリアルに送信させる。
この第1の入力端子203へ入力された出力信号は、LSIテスタ300の第1の測定ユニット302へシリアルに送信される。LSIテスタ300は、第1の測定ユニット302において、その送信された出力信号を観測し、出力信号の論理値と期待値とを比較して、その比較結果から、出力信号の基準信号に対する遅延時間等を測定する。期待値は、テスト信号の論理値である。
以上のように、本実施の形態3によれば、出力信号のAC特性の検査において、複数の検査対象端子から同時に出力される出力信号を、1つの入出力端子からシリアルにLSIテスタへ送信することができ、少数本の端子を用いて、多数本の端子を同時に検査することが可能となる。
なお、前述した実施の形態1における半導体検査回路の変形例2、3と同様に、半導体デバイス200の外部に、第4の信号線126の末端に接続する抵抗器を設けたり、LSIテスタ300に接続する第1の入出力端子203のパッド204付近に第3の信号線125を接続するスイッチ回路(第3のスイッチ回路)を設けたりしてもよい。
また、本実施の形態3では、検査対象端子が入出力端子である場合について説明したが、出力端子についても同様に実施することができる。また、本実施の形態3では、半導体デバイスの出力信号がロジック信号の場合、すなわち半導体デバイスが論理LSI等である場合について説明したが、無論、出力信号が、ロジック信号以外のパルス信号であっても同様に実施できる。
本発明にかかる半導体検査回路、および半導体検査方法によれば、少数のリソースで半導体デバイスの多数本の端子を同時に検査することができ、半導体デバイスの検査効率を向上させることができ、検査コストや設備費用を削減することが可能となり、半導体デバイスの検査に有用である。
本発明の実施の形態1における半導体検査回路を備えた半導体デバイスの検査構成の一例を示す概略図 本発明の実施の形態1における半導体検査方法の一例を示すフローチャート図 本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第1変形例を備えた半導体デバイスの検査構成の一例を示す概略図 本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第2変形例を備えた半導体デバイスの検査構成の一例を示す概略図 本発明の実施の形態1における半導体検査回路の第3変形例を備えた半導体デバイスの検査構成の一例を示す概略図 本発明の実施の形態2における半導体検査回路を備えた半導体デバイスの検査構成の一例を示す概略図 本発明の実施の形態2における半導体検査回路が具備する入力条件設定回路の一構成例を示す図 本発明の実施の形態2における半導体検査回路が具備する入力条件設定回路の一構成例を示す図 本発明の実施の形態2における半導体検査方法の一例を示すフローチャート図 本発明の実施の形態3における半導体検査回路を備えた半導体デバイスの検査構成の一例を示す概略図 本発明の実施の形態3における半導体検査方法の一例を示すフローチャート図
符号の説明
100、110、120 半導体検査回路
101 信号線
102 スイッチ回路
103 抵抗器
104 スイッチ回路
105 スイッチ回路
111 入力条件設定回路
112 バッファ
113 インバータ
114 セレクタ
115 遅延素子
121 セレクタ付フリップフロップ回路
122 第1の信号線
123 第1のスイッチ回路
124 第2の信号線
125 第3の信号線
126 第4の信号線
127 第2のスイッチ回路
128 抵抗器
129 フリップフロップ
130 セレクタ
200 半導体デバイス
201 電源端子
202、204、206、210、217 パッド
203 第1の入出力端子
205 第2の入出力端子
207、211 入力バッファ
208、212 出力バッファ
209 クロック端子
213 初段フリップフロップ
214 最終段フリップフロップ
215 内部クロックツリー
216 外部端子
300 LSIテスタ
301 電源ユニット
302 第1の測定ユニット
303 ドライバ
304 コンパレータ
305 第2の測定ユニット
306 ドライバ
307 コンパレータ
400 ロードボード
401 抵抗器

Claims (14)

  1. 半導体デバイスの検査対象の端子へ入力される入力信号のAC特性の検査に用いる半導体検査回路であって、
    当該半導体デバイスの1本の検査対象外の端子に接続する信号線と、
    前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記検査対象の端子に前記信号線を接続する第1のスイッチ回路と、
    前記信号線の末端に接続する抵抗器と、
    を備え、少なくとも前記信号線と前記第1のスイッチ回路は、当該半導体デバイス上に形成されていることを特徴とする半導体検査回路。
  2. 請求項1記載の半導体検査回路であって、前記信号線の末端を前記抵抗器に接続する第2のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする半導体検査回路。
  3. 前記抵抗器は、当該半導体デバイスの外部に設けられることを特徴とする請求項1もしくは2のいずれかに記載の半導体検査回路。
  4. 請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記信号線を前記検査対象外の端子に接続する第3のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする半導体検査回路。
  5. 半導体デバイスの検査対象の端子へ入力される入力信号のAC特性の検査に用いる半導体検査回路であって、
    当該半導体デバイスの1本の検査対象外の端子に接続する信号線と、
    前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記検査対象の端子に前記信号線を接続する第1のスイッチ回路と、
    前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記信号線を経由して前記検査対象の端子に入力される信号の論理値または遅延量を変更可能な入力条件設定回路と、
    前記信号線の末端に接続する抵抗器と、
    を備え、少なくとも前記信号線、前記第1のスイッチ回路、および前記入力条件設定回路は、当該半導体デバイス上に形成されていることを特徴とする半導体検査回路。
  6. 請求項5記載の半導体検査回路であって、前記信号線の末端を前記抵抗器に接続する第2のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする半導体検査回路。
  7. 前記抵抗器は、当該半導体デバイスの外部に設けられることを特徴とする請求項5もしくは6のいずれかに記載の半導体検査回路。
  8. 請求項5ないし7のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記信号線を前記検査対象外の端子に接続する第3のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする半導体検査回路。
  9. 半導体デバイスの検査対象の端子から出力される出力信号のAC特性の検査に用いる半導体検査回路であって、
    前記検査対象の端子ごとに設けられた第1、第2の入力ピン、クロックピンおよび出力ピンを有するセレクタ付フリップフロップ回路と、
    前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記セレクタ付フリップフロップ回路の第1の入力ピンに接続する第1の信号線と、
    前記検査対象の端子ごとに設けられ、前記検査対象の端子に前記第1の信号線を接続する第1のスイッチ回路と、
    隣接する前記セレクタ付フリップフロップ回路の一方の出力ピンと他方の第2の入力ピンとを接続する第2の信号線と、
    当該半導体デバイスの1本の検査対象外の端子と所定の前記セレクタ付フリップフロップ回路の出力ピンとを接続する第3の信号線と、
    前記セレクタ付フリップフロップ回路のクロックピンに接続する第4の信号線と、
    当該半導体デバイスの内部クロックツリーを経由したクロック信号が出力される基準端子に前記第4の信号線を接続する第2のスイッチ回路と、
    前記第4の信号線の末端に接続する抵抗器と、
    を備え、少なくともセレクタ付フリップフロップ回路、第1〜第4の信号線、および第1、第2のスイッチ回路は、当該半導体デバイス上に形成されていることを特徴とする半導体検査回路。
  10. 前記抵抗器は、当該半導体デバイスの外部に設けられることを特徴とする請求項9記載の半導体検査回路。
  11. 請求項9もしくは10のいずれかに記載の半導体検査回路であって、前記第3の信号線を前記検査対象外の端子に接続する第3のスイッチ回路をさらに備えることを特徴とする半導体検査回路。
  12. 請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体検査回路を用いた半導体デバイスの検査方法であって、
    前記第1のスイッチ回路を操作して前記信号線を前記検査対象の端子に接続する工程と、
    前記検査対象の端子に接続された前記信号線へ、前記検査対象外の端子を介してテスト信号を入力するとともに、当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を外部から入力するための基準端子へ、前記テスト信号との間に所望の位相差を有するクロック信号を入力して、前記検査対象の端子に接続する初段のフリップフロップで信号をラッチさせる工程と、
    前記初段のフリップフロップでラッチされた信号と期待値との比較を行う工程と、
    を有することを特徴とする半導体検査方法。
  13. 請求項5ないし8のいずれかに記載の半導体検査回路を用いた半導体デバイスの検査方法であって、
    前記第1のスイッチ回路を操作して前記信号線を前記検査対象の端子に接続するとともに、前記入力条件設定回路の論理値または遅延量の設定を行う工程と、
    前記検査対象の端子に接続された前記信号線へ、前記検査対象外の端子を介してテスト信号を入力するとともに、当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を外部から入力するための基準端子へ、前記テスト信号との間に所望の位相差を有するクロック信号を入力して、前記検査対象の端子に接続する初段のフリップフロップで信号をラッチさせる工程と、
    前記初段のフリップフロップでラッチされた信号と期待値との比較を行う工程と、
    を有することを特徴とする半導体検査方法。
  14. 請求項9ないし11のいずれかに記載の半導体検査回路を用いた半導体デバイスの検査方法であって、
    当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を当該半導体デバイスへ供給し、前記基準端子から出力されたクロック信号の遅延量を測定する工程と、
    前記第1のスイッチ回路を操作して前記第1の信号線を前記検査対象の端子に接続し、前記第2のスイッチ回路を操作して前記第4の信号線を前記基準端子に接続し、かつ前記セレクタ付フリップフロップ回路を操作して、前記セレクタ付フリップフロップ回路が有するフリップフロップのデータ入力ピンと第1の入力ピンとを接続させる工程と、
    当該半導体デバイスの内部回路を動作させるためのクロック信号を当該半導体デバイスへ供給する工程と、
    前記検査対象の端子に接続する最終段のフリップフロップから信号が出力される際に、測定した前記遅延量を基にした所望のタイミングで前記基準端子へクロック信号を入力して、前記検査対象の端子から出力される信号を前記セレクタ付フリップフロップ回路が有するフリップフロップにラッチさせる工程と、
    前記セレクタ付フリップフロップ回路を操作して、前記セレクタ付フリップフロップ回路が有するフリップフロップのデータ入力ピンの接続先を第2の入力ピンへ切り替え、前記セレクタ付フリップフロップ回路によりラッチされた信号を前記検査対象外の端子へシリアルに送信させる工程と、
    前記検査対象外の端子へシリアルに送信された信号と期待値との比較を行う工程と、
    を有することを特徴とする半導体検査方法。
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