JP2003253157A - 貯蔵安定性に優れたチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液 - Google Patents
貯蔵安定性に優れたチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液Info
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- JP2003253157A JP2003253157A JP2002054642A JP2002054642A JP2003253157A JP 2003253157 A JP2003253157 A JP 2003253157A JP 2002054642 A JP2002054642 A JP 2002054642A JP 2002054642 A JP2002054642 A JP 2002054642A JP 2003253157 A JP2003253157 A JP 2003253157A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 種々の形状のものとして、１００℃以下の低
温で膜形成でき、光触媒、殺菌材、抗菌材等として有用
な貯蔵安定性に優れたチタニア及びチタニア系複合酸化
物塗布溶液を得る。 【解決手段】 加水分解性を有するチタニウム化合物を
ジケトン化合物で修飾して貯蔵安定性を改善し、かつ金
属酸化物を含むゲル体を１００℃以下の温度で水分と反
応させて形成した膜の光触媒活性を損なわないようにし
たチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液を調製す
る。
温で膜形成でき、光触媒、殺菌材、抗菌材等として有用
な貯蔵安定性に優れたチタニア及びチタニア系複合酸化
物塗布溶液を得る。 【解決手段】 加水分解性を有するチタニウム化合物を
ジケトン化合物で修飾して貯蔵安定性を改善し、かつ金
属酸化物を含むゲル体を１００℃以下の温度で水分と反
応させて形成した膜の光触媒活性を損なわないようにし
たチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液を調製す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、貯蔵安定性に優れ
たチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液に関する
ものである。さらに詳しくは、本発明は、光触媒、殺菌
材、抗菌材等として有用で、しかも種々の形状のものと
して、１００℃以下の低温で膜形成できる貯蔵安定性に
優れたチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液に関
するものである。
たチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液に関する
ものである。さらに詳しくは、本発明は、光触媒、殺菌
材、抗菌材等として有用で、しかも種々の形状のものと
して、１００℃以下の低温で膜形成できる貯蔵安定性に
優れたチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】チタニウム（Ｔｉ）の酸化物としてのチ
タニア、特にアナターゼ型チタニアは、光分解触媒、光
電池の電極材料等として知られているものであって、近
年では、光反応作用による殺菌材、抗菌材としても有用
であることが注目されている。これらチタニアの光触媒
活性を長期間安定して発揮するには、各種基材上に結着
剤を用いることなく固定化する必要があり、固定化方法
が種々提案されている。
タニア、特にアナターゼ型チタニアは、光分解触媒、光
電池の電極材料等として知られているものであって、近
年では、光反応作用による殺菌材、抗菌材としても有用
であることが注目されている。これらチタニアの光触媒
活性を長期間安定して発揮するには、各種基材上に結着
剤を用いることなく固定化する必要があり、固定化方法
が種々提案されている。
【０００３】例えば、チタニウムイソプロポキシドのエ
タノール溶液に希塩酸を加え、ディップコーティングに
より透明導電性酸化スズ膜をコートしたガラス基板上に
チタニア（ＴｉＯ2 ）膜を形成し、さらに５００℃で熱
処理を行うことによってアナターゼ微結晶が析出した薄
膜が作製できることと、得られた薄膜が光電気化学膜と
して作用することが報告されている（T.Yoko, K.Kamiya
and S.Sakka, 窯業協会誌、９５（１９８７）１５
０．）。
タノール溶液に希塩酸を加え、ディップコーティングに
より透明導電性酸化スズ膜をコートしたガラス基板上に
チタニア（ＴｉＯ2 ）膜を形成し、さらに５００℃で熱
処理を行うことによってアナターゼ微結晶が析出した薄
膜が作製できることと、得られた薄膜が光電気化学膜と
して作用することが報告されている（T.Yoko, K.Kamiya
and S.Sakka, 窯業協会誌、９５（１９８７）１５
０．）。
【０００４】一方、ＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系に関しては、
ビスアセチルアセトナートチタニウムジイソプロポキシ
ドあるいはビスアセト酢酸エチルチタニウムジイソプロ
ポキシドとケイ酸を用いてＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系複合酸
化物が作製されることと、アナターゼ相を析出させるた
めには９４ｍｏｌ％ＴｉＯ2 を含む場合には５００℃以
上、８９〜６７ｍｏｌ％ＴｉＯ2 を含む場合には７５０
℃以上の高温での熱処理が必要であること、さらに５０
ｍｏｌ％ＴｉＯ2 を含む場合には１０００℃以上で熱処
理を行っても非晶質であることが報告されている（Y.Ab
e, N.Sugimoto,Y.Nagano, and T.Misono, J.Non-Crys
t.,１０４（１９８８）１６４．）。
ビスアセチルアセトナートチタニウムジイソプロポキシ
ドあるいはビスアセト酢酸エチルチタニウムジイソプロ
ポキシドとケイ酸を用いてＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系複合酸
化物が作製されることと、アナターゼ相を析出させるた
めには９４ｍｏｌ％ＴｉＯ2 を含む場合には５００℃以
上、８９〜６７ｍｏｌ％ＴｉＯ2 を含む場合には７５０
℃以上の高温での熱処理が必要であること、さらに５０
ｍｏｌ％ＴｉＯ2 を含む場合には１０００℃以上で熱処
理を行っても非晶質であることが報告されている（Y.Ab
e, N.Sugimoto,Y.Nagano, and T.Misono, J.Non-Crys
t.,１０４（１９８８）１６４．）。
【０００５】しかし、アナターゼ型ＴｉＯ2 を生成する
ためには、ＴｉＯ2 単成分でも４５０℃以上の高温熱処
理を必要とし、さらにＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系等の複合酸
化物の系においてはさらに高い熱処理や煩雑な操作が必
要であった。従って、例えば有機高分子基板などの耐熱
性の低い基板や高温や減圧および高圧に弱い生体組織に
アナターゼ型チタニア及びアナターゼ型チタニアを含む
複合酸化物を膜形成することは基本的に不可能であっ
た。
ためには、ＴｉＯ2 単成分でも４５０℃以上の高温熱処
理を必要とし、さらにＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 系等の複合酸
化物の系においてはさらに高い熱処理や煩雑な操作が必
要であった。従って、例えば有機高分子基板などの耐熱
性の低い基板や高温や減圧および高圧に弱い生体組織に
アナターゼ型チタニア及びアナターゼ型チタニアを含む
複合酸化物を膜形成することは基本的に不可能であっ
た。
【０００６】この問題点を解決するものとして、加水分
解性を有するチタニウム化合物等を出発原料に、一部を
加水分解させた溶液を基材に塗布し金属酸化物を含むゲ
ル体を形成し、その後このゲル体を１００℃以下の温度
で水分と反応させることを特徴とするアナターゼ型チタ
ニア及びアナターゼ型チタニアを含む複合酸化物の膜形
成方法が報告されている（A.Matsuda, Y.Kotani, T.Kog
ure, M.Tatsumisagoand T.Minami, J.Am.Ceram.Soc.,
８３（２０００）２２９．）。
解性を有するチタニウム化合物等を出発原料に、一部を
加水分解させた溶液を基材に塗布し金属酸化物を含むゲ
ル体を形成し、その後このゲル体を１００℃以下の温度
で水分と反応させることを特徴とするアナターゼ型チタ
ニア及びアナターゼ型チタニアを含む複合酸化物の膜形
成方法が報告されている（A.Matsuda, Y.Kotani, T.Kog
ure, M.Tatsumisagoand T.Minami, J.Am.Ceram.Soc.,
８３（２０００）２２９．）。
【０００７】しかしながら、前記方法で作製した塗布溶
液は２０℃以上の温度における貯蔵安定性の面に関して
不十分で、汎用品として実用に供するには困難な面があ
った。すなわち、塗布溶液の安定性が悪いため、塗布溶
液作製後直ちに膜を形成するか、塗布溶液作製後５℃以
下の温度で低温保存する必要があった。従って、製造設
備面ないし流通面からみれば、塗布溶液作製後直ちに膜
形成するための設備を塗布溶液製造設備に隣接して設置
するか、塗布溶液作製後の低温保存設備・低温制御可能
な輸送方法の採用・低温制御可能な受け入れ設備を設置
する必要があり、製造面・コスト面の両面で制約を受け
るものであった。
液は２０℃以上の温度における貯蔵安定性の面に関して
不十分で、汎用品として実用に供するには困難な面があ
った。すなわち、塗布溶液の安定性が悪いため、塗布溶
液作製後直ちに膜を形成するか、塗布溶液作製後５℃以
下の温度で低温保存する必要があった。従って、製造設
備面ないし流通面からみれば、塗布溶液作製後直ちに膜
形成するための設備を塗布溶液製造設備に隣接して設置
するか、塗布溶液作製後の低温保存設備・低温制御可能
な輸送方法の採用・低温制御可能な受け入れ設備を設置
する必要があり、製造面・コスト面の両面で制約を受け
るものであった。
【０００８】また、前記方法で作製した塗布溶液は、エ
タノール等の溶媒で希釈することにより２０℃以上の温
度における貯蔵安定性を向上させることができるもの
の、希釈しない塗布溶液に比べて、その希釈塗布溶液か
らクラックや剥離を生じることなく得られる薄膜の厚み
が薄くなり、希釈しない塗布溶液から得られる薄膜と同
等の光触媒活性が得られないという欠点があった。
タノール等の溶媒で希釈することにより２０℃以上の温
度における貯蔵安定性を向上させることができるもの
の、希釈しない塗布溶液に比べて、その希釈塗布溶液か
らクラックや剥離を生じることなく得られる薄膜の厚み
が薄くなり、希釈しない塗布溶液から得られる薄膜と同
等の光触媒活性が得られないという欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、以
上の従来技術の問題点を解消し、より温和な条件の低い
温度で、しかも常圧においてアナターゼ型チタニア及び
アナターゼ型チタニアを含む複合酸化物の膜を形成で
き、なおかつ２０℃以上の温度での貯蔵安定性に優れた
塗布溶液を提供することを課題としている。
上の従来技術の問題点を解消し、より温和な条件の低い
温度で、しかも常圧においてアナターゼ型チタニア及び
アナターゼ型チタニアを含む複合酸化物の膜を形成で
き、なおかつ２０℃以上の温度での貯蔵安定性に優れた
塗布溶液を提供することを課題としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するものとして、加水分解性を有するチタニウム化
合物をジケトン化合物で修飾して貯蔵安定性を改善し、
かつ金属酸化物を含むゲル体を１００℃以下の温度で水
分と反応させて形成した膜の光触媒活性を損なわないこ
とを特徴とするチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布
溶液を提供する。
解決するものとして、加水分解性を有するチタニウム化
合物をジケトン化合物で修飾して貯蔵安定性を改善し、
かつ金属酸化物を含むゲル体を１００℃以下の温度で水
分と反応させて形成した膜の光触媒活性を損なわないこ
とを特徴とするチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布
溶液を提供する。
【００１１】本発明のチタニア及びチタニア系複合酸化
物塗布溶液は、塗布溶液の２０℃以上の温度における貯
蔵安定性が著しく改良されることにより、塗布溶液作製
後直ちに膜を形成したり、塗布溶液作製後５℃以下の温
度で低温保存するなどの制約なく透明なアナターゼ型チ
タニア及びアナターゼ型チタニア含有複合酸化物薄膜を
種々基板上に低温プロセスで形成することが可能となる
ため、その応用分野が極めて広く有望である。
物塗布溶液は、塗布溶液の２０℃以上の温度における貯
蔵安定性が著しく改良されることにより、塗布溶液作製
後直ちに膜を形成したり、塗布溶液作製後５℃以下の温
度で低温保存するなどの制約なく透明なアナターゼ型チ
タニア及びアナターゼ型チタニア含有複合酸化物薄膜を
種々基板上に低温プロセスで形成することが可能となる
ため、その応用分野が極めて広く有望である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、以上のとおりの特徴を
もつものであるが、以下に詳しくその実施の形態につい
て説明する。まず再度、本発明の基本について説明する
と、本発明のチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶
液は、加水分解性を有するチタニウム化合物をジケトン
化合物で修飾して貯蔵安定性を改善し、かつ金属酸化物
を含むゲル体を１００℃以下の温度で水分と反応させて
形成した膜の光触媒活性を損なわないことを可能とする
ものである。
もつものであるが、以下に詳しくその実施の形態につい
て説明する。まず再度、本発明の基本について説明する
と、本発明のチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶
液は、加水分解性を有するチタニウム化合物をジケトン
化合物で修飾して貯蔵安定性を改善し、かつ金属酸化物
を含むゲル体を１００℃以下の温度で水分と反応させて
形成した膜の光触媒活性を損なわないことを可能とする
ものである。
【００１３】本発明における加水分解性を有するチタニ
ウム化合物としては各種のものであってよく、たとえ
ば、テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ
3 ）2）4 ）、テトラノルマルブトキシチタン（Ｔｉ
（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ）4）、テトラキス（２−
エチルヘキシルオキシ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ
（Ｃ 2 Ｈ5 ）Ｃ4 Ｈ9 ）4 ）、テトラステアリルオキシ
チタン（Ｔｉ（ＯＣl8Ｈ37） 4 ）、ジイソプロポキシビ
スアセチルアセトナートチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（Ｃ
Ｈ 3 ）2 ）2 （ＯＣ（ＣＨ3 ）ＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）、
ジイソプロポキシビスアセテート酢酸エチルチタン（Ｔ
ｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3 ）2 ）2 ）（ＯＣ（ＯＣ2 Ｈ5）Ｃ
ＨＣＯＣＨ3 ）2 ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）など
の金属アルコキシド、有機酸金属塩、金属塩化物もしく
はこれらの誘導体が挙げられる。出発原料としては、こ
れらのうち１種類あるいは２種類以上を組み合わせて使
用することもできる。なかでも、比較的、水分との反応
性が高いテトライソプロポキシチタン、テトラノルマル
ブトキシチタン、四塩化チタンなどか好ましい。
ウム化合物としては各種のものであってよく、たとえ
ば、テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ
3 ）2）4 ）、テトラノルマルブトキシチタン（Ｔｉ
（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ）4）、テトラキス（２−
エチルヘキシルオキシ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ
（Ｃ 2 Ｈ5 ）Ｃ4 Ｈ9 ）4 ）、テトラステアリルオキシ
チタン（Ｔｉ（ＯＣl8Ｈ37） 4 ）、ジイソプロポキシビ
スアセチルアセトナートチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（Ｃ
Ｈ 3 ）2 ）2 （ＯＣ（ＣＨ3 ）ＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）、
ジイソプロポキシビスアセテート酢酸エチルチタン（Ｔ
ｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3 ）2 ）2 ）（ＯＣ（ＯＣ2 Ｈ5）Ｃ
ＨＣＯＣＨ3 ）2 ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）など
の金属アルコキシド、有機酸金属塩、金属塩化物もしく
はこれらの誘導体が挙げられる。出発原料としては、こ
れらのうち１種類あるいは２種類以上を組み合わせて使
用することもできる。なかでも、比較的、水分との反応
性が高いテトライソプロポキシチタン、テトラノルマル
ブトキシチタン、四塩化チタンなどか好ましい。
【００１４】また、チタニアを含む複合酸化物を合成す
る際には、目的、用途等に応じてＳｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｐ，
Ｔａ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｖ，Ｗ等の各種金属のアルコキシ
ド、有機酸金属塩、金属酸化物もしくはこれらの誘導体
と組み合わせて複合酸化物を構成することができる。こ
れらの出発原料も、１種もしくは２種類以上を組み合わ
せて使用することができる。
る際には、目的、用途等に応じてＳｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｐ，
Ｔａ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｖ，Ｗ等の各種金属のアルコキシ
ド、有機酸金属塩、金属酸化物もしくはこれらの誘導体
と組み合わせて複合酸化物を構成することができる。こ
れらの出発原料も、１種もしくは２種類以上を組み合わ
せて使用することができる。
【００１５】また、加水分解性を有するチタニウム化合
物を修飾して貯蔵安定性を改善するジケトン化合物とし
ては各種のものであってよく、たとえば、ジアセチル
（ＣＨ 3 ＣＯＣＯＣＨ3 ）、アセチルベンゾイル（ＣＨ
3 ＣＯＣＯＣ6 Ｈ5 ）等のα−ジケトンや、アセチルア
セトン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＣＨ3 ）、アセト酢酸エ
チル（ＣＨ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣ2 Ｈ5 ）、ベンゾイル
アセトン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＣ6 Ｈ5 ）等のβ−ジ
ケトンや、アセトニルアセトン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ 2 ＣＨ
2 ＣＯＣＨ3 ）等のγ−ジケトンあるいは２，６−ヘプ
タンジオン（ＣＨ 3 ＣＯ（ＣＨ2 ）3 ＣＯＣＨ3 ）等の
δ−ジケトンもしくはこれらジケトン化合物の誘導体が
挙げられる。これらは１種もしくは２種類以上を組み合
わせて使用することができる。
物を修飾して貯蔵安定性を改善するジケトン化合物とし
ては各種のものであってよく、たとえば、ジアセチル
（ＣＨ 3 ＣＯＣＯＣＨ3 ）、アセチルベンゾイル（ＣＨ
3 ＣＯＣＯＣ6 Ｈ5 ）等のα−ジケトンや、アセチルア
セトン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＣＨ3 ）、アセト酢酸エ
チル（ＣＨ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣ2 Ｈ5 ）、ベンゾイル
アセトン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＣ6 Ｈ5 ）等のβ−ジ
ケトンや、アセトニルアセトン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ 2 ＣＨ
2 ＣＯＣＨ3 ）等のγ−ジケトンあるいは２，６−ヘプ
タンジオン（ＣＨ 3 ＣＯ（ＣＨ2 ）3 ＣＯＣＨ3 ）等の
δ−ジケトンもしくはこれらジケトン化合物の誘導体が
挙げられる。これらは１種もしくは２種類以上を組み合
わせて使用することができる。
【００１６】出発原料およびジケトン化合物は、溶媒に
溶解し、必要に応じて酸あるいは塩基の触媒を用いて加
水分解を行う。その際の溶媒としてメタノール、エタノ
ール、２−プロパノール、１−ブタノールなどのアルコ
ール類の他、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の炭化水
素や、ハロゲン化炭素、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）、アセトニトリル、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の各種有機
溶媒が挙げられる。加水分解触媒としては、塩酸、硝
酸、酢酸、硫酸、リン酸などの鉱酸や有機酸、またアン
モニア、アミンなどの塩基が例示できる。
溶解し、必要に応じて酸あるいは塩基の触媒を用いて加
水分解を行う。その際の溶媒としてメタノール、エタノ
ール、２−プロパノール、１−ブタノールなどのアルコ
ール類の他、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の炭化水
素や、ハロゲン化炭素、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）、アセトニトリル、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の各種有機
溶媒が挙げられる。加水分解触媒としては、塩酸、硝
酸、酢酸、硫酸、リン酸などの鉱酸や有機酸、またアン
モニア、アミンなどの塩基が例示できる。
【００１７】そして、本発明においては、最終的に得ら
れるチタニア及びチタニア系複合酸化物の比表面積や細
孔特性を制御することを目的として加水分解性を有する
チタニウム化合物を少なくとも含む溶液に有機高分子を
添加することができる。得られるゲル体を金属酸化物と
有機高分子を含む有機無機複合体とし、さらにこの有機
高分子を溶媒で溶出することで比表面積や細孔特性を制
御されたチタニア及びチタニア系複合酸化物が合成でき
る。また、ゲル体へ予め添加した有機高分子は、温水処
理によって溶出し、有機高分子がゲル中で占有していた
体積が空孔となり温水の浸透を容易にし、ゲル体内部の
チタニア結晶の析出を促進する作用をする。
れるチタニア及びチタニア系複合酸化物の比表面積や細
孔特性を制御することを目的として加水分解性を有する
チタニウム化合物を少なくとも含む溶液に有機高分子を
添加することができる。得られるゲル体を金属酸化物と
有機高分子を含む有機無機複合体とし、さらにこの有機
高分子を溶媒で溶出することで比表面積や細孔特性を制
御されたチタニア及びチタニア系複合酸化物が合成でき
る。また、ゲル体へ予め添加した有機高分子は、温水処
理によって溶出し、有機高分子がゲル中で占有していた
体積が空孔となり温水の浸透を容易にし、ゲル体内部の
チタニア結晶の析出を促進する作用をする。
【００１８】このような有機高分子としては、ポリエチ
レングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテト
ラメチレングリコールなどのポリエーテルグリコール
類、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ヒドロキシプロ
ピルセルロースなどのセルロース類、ポリビニルアルコ
ール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニルなどの水溶性を
有する有機高分子が例示できる。なかでも、温水によっ
て容易に溶出することができるポリエーテルグリコール
類が好ましい。添加する有機高分子の量は、最終的に得
られるチタニア及びチタニア系複合酸化物の比表面積、
細孔特性あるいはチタニア結晶の分散性によって変える
ことができる。有機高分子の添加量が多くなるほど比表
面積、細孔体積は大きくなる。また、比表面積、細孔体
積は大きくなるほどチタニア結晶の析出が促進され、そ
の分散性もよくなる。なお、有機高分子は複合酸化物に
対して質量比で任意の割合とすることができるが、合成
や用途機能性等の観点から1 ０以下の範囲にすることが
好ましい。
レングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテト
ラメチレングリコールなどのポリエーテルグリコール
類、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ヒドロキシプロ
ピルセルロースなどのセルロース類、ポリビニルアルコ
ール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニルなどの水溶性を
有する有機高分子が例示できる。なかでも、温水によっ
て容易に溶出することができるポリエーテルグリコール
類が好ましい。添加する有機高分子の量は、最終的に得
られるチタニア及びチタニア系複合酸化物の比表面積、
細孔特性あるいはチタニア結晶の分散性によって変える
ことができる。有機高分子の添加量が多くなるほど比表
面積、細孔体積は大きくなる。また、比表面積、細孔体
積は大きくなるほどチタニア結晶の析出が促進され、そ
の分散性もよくなる。なお、有機高分子は複合酸化物に
対して質量比で任意の割合とすることができるが、合成
や用途機能性等の観点から1 ０以下の範囲にすることが
好ましい。
【００１９】この発明による加水分解性を有するチタニ
ウム化合物をジケトン化合物で修飾して貯蔵安定性を改
善したチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液は、
光触媒活性を損なうことなく透明なアナターゼ型チタニ
ア及びアナターゼ型チタニア系複合酸化物薄膜を種々基
体上に低温プロセスで形成することが可能となるため、
その応用分野が極めて広く有望である。
ウム化合物をジケトン化合物で修飾して貯蔵安定性を改
善したチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液は、
光触媒活性を損なうことなく透明なアナターゼ型チタニ
ア及びアナターゼ型チタニア系複合酸化物薄膜を種々基
体上に低温プロセスで形成することが可能となるため、
その応用分野が極めて広く有望である。
【００２０】
【実施例】以下に実施例を示し、さらに詳しくこの発明
について説明する。 ［実施例１］シリコンテトラエトキシド１モルに対して
エチルアルコール５モルからなる溶液を調製した。この
溶液に希塩酸を添加し室温で３０分間攪拌することによ
り加水分解をおこなった。ここでシリコンテトラエトキ
シドに対する水およびＨＣｌのモル比は４および０．０
６とした。さらにこの溶液に、最終的に二酸化チタニウ
ムと二酸化珪素との酸化物のモル比が１６．５：８３．
５になるようにアセチルアセトンで化学修飾したチタニ
ウムテトラノルマルブトキシドを溶解し３０分間攪拌し
て加水分解をおこなった。チタニウムテトラノルマルブ
トキシドに対するアセチルアセトンのモル比は２とし
た。この溶液に平均分子量が６００のポリエチレングリ
コール（ＰＥＧ）を最終生成酸化物である二酸化チタニ
ウムおよび二酸化珪素に対する質量比で（ＰＥＧ）／
（ＴｉＯ2 ＋ＳｉＯ2 ）＝１．０になるように加え均一
に溶解したものを塗布溶液１とした。 ［実施例２］実施例１において、シリコンテトラエトキ
シドに対する水およびＨＣｌのモル比を２および０．１
８とすること以外は、実施例１と同様に調製したものを
塗布溶液２とした。 ［実施例３］実施例１において、ポリエチレングリコー
ルを加えないこと以外は、実施例１と同様に調製したも
のを塗布溶液３とした。 ［実施例４］チタニウムテトラノルマルブトキシド１モ
ルに対してアセチルアセトン２モル、エチルアルコール
５モルからなる溶液を調製した。この溶液に希塩酸を添
加し室温で３０分間攪拌することにより加水分解をおこ
なった。ここでチタニウムテトラノルマルブトキシドに
対する水およびＨＣｌのモル比は４および０．０６とし
た。この溶液に平均分子量が６００のポリエチレングリ
コール（ＰＥＧ）を最終生成酸化物である二酸化チタニ
ウムにたいする重量比で（ＰＥＧ）／（ＴｉＯ 2 ）＝
１．０になるように加え均一に溶解したものを塗布溶液
４とした。 ［実施例５］実施例４において、ポリエチレングリコー
ル（ＰＥＧ）を加えないこと以外は、実施例４と同様に
調製したものを塗布溶液５とした。 ［比較例１］実施例１において、アセチルアセトンを加
えないこと以外は、実施例１と同様に調製したものを比
較塗布溶液１とした。 ［比較例２］実施例２において、アセチルアセトンを加
えないこと以外は、実施例２と同様に調製したものを比
較塗布溶液２とした。 ［比較例３］実施例４において、アセチルアセトンを加
えないこと以外は、実施例４と同様に調製したものを比
較塗布溶液３とした。 ［成膜方法および薄膜中のアナターゼ型チタニアの観
察］上記、塗布溶液１〜５と比較塗布溶液１〜３中に硼
珪酸ガラス基板を浸漬して、基板上に塗布した。これら
を９０℃で３０分間加熱して乾燥をおこない１６．５Ｔ
ｉＯ2 ・８３．５ＳｉＯ2 ゲル膜を得た。これを９７℃
の温水に１時間浸漬して薄膜（薄膜１〜５と比較薄膜１
〜３）を得た。
について説明する。 ［実施例１］シリコンテトラエトキシド１モルに対して
エチルアルコール５モルからなる溶液を調製した。この
溶液に希塩酸を添加し室温で３０分間攪拌することによ
り加水分解をおこなった。ここでシリコンテトラエトキ
シドに対する水およびＨＣｌのモル比は４および０．０
６とした。さらにこの溶液に、最終的に二酸化チタニウ
ムと二酸化珪素との酸化物のモル比が１６．５：８３．
５になるようにアセチルアセトンで化学修飾したチタニ
ウムテトラノルマルブトキシドを溶解し３０分間攪拌し
て加水分解をおこなった。チタニウムテトラノルマルブ
トキシドに対するアセチルアセトンのモル比は２とし
た。この溶液に平均分子量が６００のポリエチレングリ
コール（ＰＥＧ）を最終生成酸化物である二酸化チタニ
ウムおよび二酸化珪素に対する質量比で（ＰＥＧ）／
（ＴｉＯ2 ＋ＳｉＯ2 ）＝１．０になるように加え均一
に溶解したものを塗布溶液１とした。 ［実施例２］実施例１において、シリコンテトラエトキ
シドに対する水およびＨＣｌのモル比を２および０．１
８とすること以外は、実施例１と同様に調製したものを
塗布溶液２とした。 ［実施例３］実施例１において、ポリエチレングリコー
ルを加えないこと以外は、実施例１と同様に調製したも
のを塗布溶液３とした。 ［実施例４］チタニウムテトラノルマルブトキシド１モ
ルに対してアセチルアセトン２モル、エチルアルコール
５モルからなる溶液を調製した。この溶液に希塩酸を添
加し室温で３０分間攪拌することにより加水分解をおこ
なった。ここでチタニウムテトラノルマルブトキシドに
対する水およびＨＣｌのモル比は４および０．０６とし
た。この溶液に平均分子量が６００のポリエチレングリ
コール（ＰＥＧ）を最終生成酸化物である二酸化チタニ
ウムにたいする重量比で（ＰＥＧ）／（ＴｉＯ 2 ）＝
１．０になるように加え均一に溶解したものを塗布溶液
４とした。 ［実施例５］実施例４において、ポリエチレングリコー
ル（ＰＥＧ）を加えないこと以外は、実施例４と同様に
調製したものを塗布溶液５とした。 ［比較例１］実施例１において、アセチルアセトンを加
えないこと以外は、実施例１と同様に調製したものを比
較塗布溶液１とした。 ［比較例２］実施例２において、アセチルアセトンを加
えないこと以外は、実施例２と同様に調製したものを比
較塗布溶液２とした。 ［比較例３］実施例４において、アセチルアセトンを加
えないこと以外は、実施例４と同様に調製したものを比
較塗布溶液３とした。 ［成膜方法および薄膜中のアナターゼ型チタニアの観
察］上記、塗布溶液１〜５と比較塗布溶液１〜３中に硼
珪酸ガラス基板を浸漬して、基板上に塗布した。これら
を９０℃で３０分間加熱して乾燥をおこない１６．５Ｔ
ｉＯ2 ・８３．５ＳｉＯ2 ゲル膜を得た。これを９７℃
の温水に１時間浸漬して薄膜（薄膜１〜５と比較薄膜１
〜３）を得た。
【００２１】アナターゼ型チタニアの確認は、各薄膜の
一部表面を電界放射型走査電子顕微鏡で写真撮影するこ
とで行った。図１〜図８に、塗布溶液１〜５および比較
塗布溶液１〜３から形成した薄膜１〜５および比較薄膜
１〜３の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示
す。図１〜図８から、各薄膜は１０〜３０ｎｍのアナタ
ーゼ微結晶からなる透光性チタニアになっていることが
わかった。 ［塗布溶液の２０℃貯蔵安定性評価方法および結果］塗
布溶液１〜５と比較塗布溶液１〜３の２０℃貯蔵安定性
評価方法とその結果を以下に説明する。
一部表面を電界放射型走査電子顕微鏡で写真撮影するこ
とで行った。図１〜図８に、塗布溶液１〜５および比較
塗布溶液１〜３から形成した薄膜１〜５および比較薄膜
１〜３の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示
す。図１〜図８から、各薄膜は１０〜３０ｎｍのアナタ
ーゼ微結晶からなる透光性チタニアになっていることが
わかった。 ［塗布溶液の２０℃貯蔵安定性評価方法および結果］塗
布溶液１〜５と比較塗布溶液１〜３の２０℃貯蔵安定性
評価方法とその結果を以下に説明する。
【００２２】塗布溶液の２０℃貯蔵安定性は、作製直後
の各塗布溶液２５０ｍＬを密封容器に入れ２０℃±２℃
に制御した恒温器内に静置保管し、２４時間毎に取り出
してＪＩＳ Ｋ５４００．４．５．３（塗料一般試験方
法［回転粘度計法］）に準じる方法で粘度測定を行い比
較評価する。粘度測定は粘度が１００ｍＰａ・ｓ以上に
なった時点で終了する。
の各塗布溶液２５０ｍＬを密封容器に入れ２０℃±２℃
に制御した恒温器内に静置保管し、２４時間毎に取り出
してＪＩＳ Ｋ５４００．４．５．３（塗料一般試験方
法［回転粘度計法］）に準じる方法で粘度測定を行い比
較評価する。粘度測定は粘度が１００ｍＰａ・ｓ以上に
なった時点で終了する。
【００２３】表１に、塗布溶液１〜５と比較塗布溶液１
〜３の２０℃貯蔵時の粘度測定結果および粘度が１００
ｍＰａ・ｓ以上となった日数を示す。
〜３の２０℃貯蔵時の粘度測定結果および粘度が１００
ｍＰａ・ｓ以上となった日数を示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１に示す２０℃貯蔵時の粘度測定結果か
ら以下のことがわかる。アセチルアセトンを添加せずに
調製した比較塗布溶液について見た場合、比較塗布溶液
１に対し比較塗布溶液２の２０℃貯蔵安定性は約１２倍
に向上している。この原因としては、比較塗布溶液１に
対し比較塗布溶液２の調製において、シリコンテトラエ
トキシドに対する水のモル比を４から２に減じて加水分
解速度を抑制するとともに、シリコンテトラエトキシド
に対するＨＣｌのモル比を０．０６から０．１８に増や
してチタニウム種の酸による解膠作用を促進させて重縮
合反応を抑制しているためと考えられる。
ら以下のことがわかる。アセチルアセトンを添加せずに
調製した比較塗布溶液について見た場合、比較塗布溶液
１に対し比較塗布溶液２の２０℃貯蔵安定性は約１２倍
に向上している。この原因としては、比較塗布溶液１に
対し比較塗布溶液２の調製において、シリコンテトラエ
トキシドに対する水のモル比を４から２に減じて加水分
解速度を抑制するとともに、シリコンテトラエトキシド
に対するＨＣｌのモル比を０．０６から０．１８に増や
してチタニウム種の酸による解膠作用を促進させて重縮
合反応を抑制しているためと考えられる。
【００２６】また、比較塗布溶液１に対しシリコンテト
ラエトキシドを使用せずにチタニウムテトラノルマルブ
トキシド単独で調製した比較塗布溶液３の２０℃貯蔵安
定性はほぼ同等である。アセチルアセトンを添加してチ
タニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾して調製
した塗布溶液とアセチルアセトンを添加せずに調製した
比較塗布溶液について比較すると、塗布溶液１および２
の２０℃貯蔵安定性は、アセチルアセトンを添加してい
ない比較塗布溶液１および２に対し約３倍に向上し、比
較塗布溶液１に対し塗布溶液２は約３６倍に向上してい
る。この原因としては、塗布溶液１については、チタニ
ウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾したアセチル
アセトンの立体効果・電子的効果によりチタニウム種の
重縮合反応を抑制しているためと考えられ、塗布溶液２
については、シリコンテトラエトキシドに対する水のモ
ル比を４から２に減じて加水分解速度を抑制するととも
に、シリコンテトラエトキシドに対するＨＣｌのモル比
を０．０６から０．１８に増やしてチタニウム種の酸に
よる解膠作用を促進させて重縮合反応を抑制している効
果とチタニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾し
たアセチルアセトンの立体効果・電子的効果とが複合的
に作用しているためと考えられる。
ラエトキシドを使用せずにチタニウムテトラノルマルブ
トキシド単独で調製した比較塗布溶液３の２０℃貯蔵安
定性はほぼ同等である。アセチルアセトンを添加してチ
タニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾して調製
した塗布溶液とアセチルアセトンを添加せずに調製した
比較塗布溶液について比較すると、塗布溶液１および２
の２０℃貯蔵安定性は、アセチルアセトンを添加してい
ない比較塗布溶液１および２に対し約３倍に向上し、比
較塗布溶液１に対し塗布溶液２は約３６倍に向上してい
る。この原因としては、塗布溶液１については、チタニ
ウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾したアセチル
アセトンの立体効果・電子的効果によりチタニウム種の
重縮合反応を抑制しているためと考えられ、塗布溶液２
については、シリコンテトラエトキシドに対する水のモ
ル比を４から２に減じて加水分解速度を抑制するととも
に、シリコンテトラエトキシドに対するＨＣｌのモル比
を０．０６から０．１８に増やしてチタニウム種の酸に
よる解膠作用を促進させて重縮合反応を抑制している効
果とチタニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾し
たアセチルアセトンの立体効果・電子的効果とが複合的
に作用しているためと考えられる。
【００２７】アセチルアセトンを添加してチタニウムテ
トラノルマルブトキシドを化学修飾して調製した塗布溶
液について見た場合、塗布溶液１に対しポリエチレング
リコール（ＰＥＧ）を添加することなく調製した塗布溶
液３の２０℃貯蔵安定性はほぼ同等である。塗布溶液１
に対しシリコンテトラエトキシドを使用せずにチタニウ
ムテトラノルマルブトキシド単独で調製した塗布溶液４
の２０℃貯蔵安定性もほぼ同等である。また、塗布溶液
４に対しポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を添加する
ことなく調製した塗布溶液５の２０℃貯蔵安定性もほぼ
同等である。
トラノルマルブトキシドを化学修飾して調製した塗布溶
液について見た場合、塗布溶液１に対しポリエチレング
リコール（ＰＥＧ）を添加することなく調製した塗布溶
液３の２０℃貯蔵安定性はほぼ同等である。塗布溶液１
に対しシリコンテトラエトキシドを使用せずにチタニウ
ムテトラノルマルブトキシド単独で調製した塗布溶液４
の２０℃貯蔵安定性もほぼ同等である。また、塗布溶液
４に対しポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を添加する
ことなく調製した塗布溶液５の２０℃貯蔵安定性もほぼ
同等である。
【００２８】以上の２０℃貯蔵安定性評価結果から、ア
セチルアセトンを添加してチタニウムテトラノルマルブ
トキシドを化学修飾して調製したチタニア及びチタニア
系複合酸化物塗布溶液はアセチルアセトンを添加せずに
調製したチタニア及びチタニア系複合酸化物比較塗布溶
液に対して２０℃の貯蔵安定性が約３倍に向上すること
がわかった。 ［薄膜の光触媒活性評価方法および結果］薄膜１〜５と
比較薄膜１〜３の光触媒活性評価方法とその結果を以下
に説明する。
セチルアセトンを添加してチタニウムテトラノルマルブ
トキシドを化学修飾して調製したチタニア及びチタニア
系複合酸化物塗布溶液はアセチルアセトンを添加せずに
調製したチタニア及びチタニア系複合酸化物比較塗布溶
液に対して２０℃の貯蔵安定性が約３倍に向上すること
がわかった。 ［薄膜の光触媒活性評価方法および結果］薄膜１〜５と
比較薄膜１〜３の光触媒活性評価方法とその結果を以下
に説明する。
【００２９】薄膜の光触媒活性は、メチレンブルー水溶
液を入れた透明セルに各薄膜を形成した基板を挿入して
紫外線照射した際のメチレンブルー分解率を経時的に調
べて比較評価した。まず、暗所にて硼珪酸ガラス製の透
明光学セル（縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、深さ４５ｍｍ）
に１×１０-5ｍｏｌ／Ｌのメチレンブルー水溶液を２ｍ
Ｌ入れた後、無アルカリガラス基板（幅９ｍｍ×長さ３
０ｍｍ×厚み１ｍｍ）の片表面に成膜（成膜面積＝０．
９ｃｍ2 ［幅９ｍｍ×長さ１０ｍｍ］）した薄膜形成試
料を成膜面がメチレンブルー水溶液に接するようセル壁
面に密着挿入する。この時点を評価開始とし、３０分毎
にメチレンブルー水溶液の濃度を分光光度計を用いて波
長６６７ｎｍの吸光度より求めた。なお、評価開始から
３０分間は暗所に静置し、その後１２０分間は紫外線を
照射し合計１５０分間の評価を行った。紫外線は、色ガ
ラスフィルターで波長３５０ｎｍ以下の光をカットして
薄膜形成試料の背面の受光強度が６５ｍＷ／ｃｍ2 とな
るように照射した。
液を入れた透明セルに各薄膜を形成した基板を挿入して
紫外線照射した際のメチレンブルー分解率を経時的に調
べて比較評価した。まず、暗所にて硼珪酸ガラス製の透
明光学セル（縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、深さ４５ｍｍ）
に１×１０-5ｍｏｌ／Ｌのメチレンブルー水溶液を２ｍ
Ｌ入れた後、無アルカリガラス基板（幅９ｍｍ×長さ３
０ｍｍ×厚み１ｍｍ）の片表面に成膜（成膜面積＝０．
９ｃｍ2 ［幅９ｍｍ×長さ１０ｍｍ］）した薄膜形成試
料を成膜面がメチレンブルー水溶液に接するようセル壁
面に密着挿入する。この時点を評価開始とし、３０分毎
にメチレンブルー水溶液の濃度を分光光度計を用いて波
長６６７ｎｍの吸光度より求めた。なお、評価開始から
３０分間は暗所に静置し、その後１２０分間は紫外線を
照射し合計１５０分間の評価を行った。紫外線は、色ガ
ラスフィルターで波長３５０ｎｍ以下の光をカットして
薄膜形成試料の背面の受光強度が６５ｍＷ／ｃｍ2 とな
るように照射した。
【００３０】表２に、薄膜１〜５と比較薄膜１〜３の３
０分毎のメチレンブルー分解率を示す。
０分毎のメチレンブルー分解率を示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２に示すメチレンブルー分解率測定結果
から以下のことがわかる。アセチルアセトンを添加して
チタニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾した塗
布溶液１〜５より得た薄膜１〜５は、アセチルアセトン
を添加していない比較塗布溶液１〜３より得た比較薄膜
１〜３に比べ光触媒活性を示すメチレンブルー分解率が
ほぼ同等になることがわかった。
から以下のことがわかる。アセチルアセトンを添加して
チタニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾した塗
布溶液１〜５より得た薄膜１〜５は、アセチルアセトン
を添加していない比較塗布溶液１〜３より得た比較薄膜
１〜３に比べ光触媒活性を示すメチレンブルー分解率が
ほぼ同等になることがわかった。
【００３３】以上の結果から、アセチルアセトンを添加
してチタニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾し
て調製した塗布溶液は、アセチルアセトンを添加するこ
となく調製した比較塗布溶に比べ２０℃貯蔵安定性が約
３倍に向上し、それら塗布溶液から形成した薄膜のメチ
レンブルー分解率がほぼ同等になること、つまり、アセ
チルアセトンを添加してチタニウムテトラノルマルブト
キシドを化学修飾して調製した塗布溶液は、光触媒活性
を損なうことなく貯蔵安定性が向上するものであること
がわかった。
してチタニウムテトラノルマルブトキシドを化学修飾し
て調製した塗布溶液は、アセチルアセトンを添加するこ
となく調製した比較塗布溶に比べ２０℃貯蔵安定性が約
３倍に向上し、それら塗布溶液から形成した薄膜のメチ
レンブルー分解率がほぼ同等になること、つまり、アセ
チルアセトンを添加してチタニウムテトラノルマルブト
キシドを化学修飾して調製した塗布溶液は、光触媒活性
を損なうことなく貯蔵安定性が向上するものであること
がわかった。
【００３４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明のチ
タニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液は、２０℃以
上の温度における貯蔵安定性に優れることにより、塗布
溶液作製後直ちに膜を形成したり、塗布溶液作製後５℃
以下の温度で低温保存するなどの製造工程上の制約なく
透明なアナターゼ型チタニア及びアナターゼ型チタニア
含有複合酸化物薄膜を種々基板上に低温プロセスで形成
することが可能となる。貯蔵安定性に優れ種々の形状の
ものとして１００℃以下の低温で膜形成でき、光触媒、
殺菌材、抗菌材等として有用である。
タニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液は、２０℃以
上の温度における貯蔵安定性に優れることにより、塗布
溶液作製後直ちに膜を形成したり、塗布溶液作製後５℃
以下の温度で低温保存するなどの製造工程上の制約なく
透明なアナターゼ型チタニア及びアナターゼ型チタニア
含有複合酸化物薄膜を種々基板上に低温プロセスで形成
することが可能となる。貯蔵安定性に優れ種々の形状の
ものとして１００℃以下の低温で膜形成でき、光触媒、
殺菌材、抗菌材等として有用である。
【図１】本発明の実施例１の塗布溶液１から形成した薄
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
【図２】本発明の実施例２の塗布溶液２から形成した薄
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
【図３】本発明の実施例３の塗布溶液３から形成した薄
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
【図４】本発明の実施例４の塗布溶液４から形成した薄
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
【図５】本発明の実施例５の塗布溶液５から形成した薄
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
膜の一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した
図である。
【図６】比較例１の比較塗布溶液１から形成した薄膜の
一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した図で
ある。
一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した図で
ある。
【図７】比較例２の比較塗布溶液２から形成した薄膜の
一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した図で
ある。
一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した図で
ある。
【図８】比較例３の比較塗布溶液３から形成した薄膜の
一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した図で
ある。
一部表面の電界放射型走査電子顕微鏡写真を示した図で
ある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０７Ｆ 7/28 Ｃ０７Ｆ 7/28 Ｆ ４Ｈ０４９
Ｃ０９Ｄ 5/00 Ｃ０９Ｄ 5/00 Ｚ ４Ｊ０３８
Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｒ
// Ｃ０１Ｂ 33/00 Ｃ０１Ｂ 33/00
Ｃ０７Ｃ 31/30 Ｃ０７Ｃ 31/30
49/92 49/92
(71)出願人 399017692
辰巳砂 昌弘
大阪府堺市大美野128−16
(71)出願人 599072703
松田 厚範
大阪府河内長野市緑ケ丘中町12−５
(72)発明者 高本 尚祺
大阪府大阪市西淀川区大野３丁目７番196
号 古河機械金属株式会社内
(72)発明者 永井 隆
大阪府大阪市西淀川区大野３丁目７番196
号 古河機械金属株式会社内
(72)発明者 工藤 善弘
大阪府大阪市西淀川区大野３丁目７番196
号 古河機械金属株式会社内
(72)発明者 吉田 豊
大阪府大阪市西淀川区大野３丁目７番196
号 古河機械金属株式会社内
(72)発明者 南 努
大阪府大阪狭山市大野台二丁目７番１号
(72)発明者 辰巳砂 昌弘
大阪府堺市大美野128−16
(72)発明者 忠永 清治
大阪府堺市長曾根町286−１ フローネ中
央401号
(72)発明者 松田 厚範
大阪府河内長野市緑ヶ丘中町12−５
Ｆターム(参考） 4D075 BB26Z CA34 CA47 DC18
EB01 EC02
4G047 CA02 CB06 CC03
4G072 AA50 GG02 JJ26 JJ46 UU15
UU30
4H006 AA03 AB03 AB40
4H011 AA02 BA01 BB18
4H049 VN05 VP01 VQ18 VQ24 VR44
VU31 VU33
4J038 HA211 JC38 MA08 NA05
NA26
Claims (2)
- 【請求項１】 加水分解性を有するチタニウム化合物を
ジケトン化合物で修飾して貯蔵安定性を改善し、かつ金
属酸化物を含むゲル体を１００℃以下の温度で水分と反
応させて形成した膜の光触媒活性を損なわないことを特
徴とするチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液。 - 【請求項２】 加水分解性を有するチタニウム化合物が
チタニウムのアルコキシドである請求項１記載のチタニ
ア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054642A JP2003253157A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 貯蔵安定性に優れたチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054642A JP2003253157A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 貯蔵安定性に優れたチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003253157A true JP2003253157A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28665742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002054642A Pending JP2003253157A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 貯蔵安定性に優れたチタニア及びチタニア系複合酸化物塗布溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003253157A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005113142A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Nippon Soda Co., Ltd. | 光触媒活性薄膜 |
| WO2006088079A1 (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Nippon Soda Co., Ltd. | 有機無機複合体 |
| JP2006257070A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-09-28 | Nippon Soda Co Ltd | 液状抗菌剤組成物 |
| JP2007126354A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-05-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高誘電性薄膜用コーティング溶液及びこれを用いた誘電薄膜の製造方法、並びにこの製造方法により製造される誘電薄膜およびこの誘電薄膜を含むエンベッディドキャパシタ |
| WO2008066095A1 (fr) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Andes Electric Co., Ltd. | Procédé de production d'oxyde métallique |
| WO2012032868A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Hoya株式会社 | 表面修飾チタニア粒子の製造方法、チタニア粒子分散液およびチタニア粒子分散樹脂 |
Citations (6)
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