JP2003249621A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

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    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤの好適な引き回しを実現することにあ
る。 【解決手段】 半導体装置は、リード３２と、積み重ね
られてなる複数の半導体チップと、複数の半導体チップ
のうち第１の半導体チップ１０とリード３２とを電気的
に接続する第１のワイヤ４０と、複数の半導体チップの
うち第１の半導体チップ１０に積み重ねられた第２の半
導体チップ２０とリード３２とを電気的に接続する第２
のワイヤ５０と、第２のワイヤ５０に形成され、他の部
分よりも曲率の大きい第１及び第２の屈曲部５４、５６
と、を含み、第２のワイヤ５０は、リード３２の上方に
第１の屈曲部５４に至るように延びてなり、第１の屈曲
部５４から第２の半導体チップ２０の方向に斜め上方向
に延びてなり、第２の屈曲部５６から下方向に延びるこ
とで第２の半導体チップ２０に電気的に接続されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】複数の半導体チップを積み重ねた半導体
装置の一例として、半導体チップの電極にワイヤをボン
ディングすることで電気的な接続を図る形態が知られて
いる。上側の半導体チップに接続するワイヤは、下側の
半導体チップに接続するワイヤに接触しないようにする
ことが重要である。また、ワイヤの軌道は、全体のルー
プ形状の高さを低くし、ワイヤ長さを短くすることが重
要である。また、ワイヤと半導体チップの角部と接触を
回避する必要がある。
【０００３】本発明は、上述した課題を解決するための
ものであり、その目的は、ワイヤの好適な引き回しを実
現することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置は、リードと、積み重ねられてなる複数の半導体
チップと、前記複数の半導体チップのうち第１の半導体
チップと、前記リードと、を電気的に接続する第１のワ
イヤと、前記複数の半導体チップのうち前記第１の半導
体チップに積み重ねられた第２の半導体チップと、前記
リードと、を電気的に接続する第２のワイヤと、前記第
２のワイヤに形成され、他の部分よりも曲率の大きい第
１及び第２の屈曲部と、を含み、前記第２のワイヤは、
前記リードの上方に前記第１の屈曲部に至るように延び
てなり、前記第１の屈曲部から前記第２の半導体チップ
の方向に斜め上方向に延びてなり、前記第２の屈曲部か
ら下方向に延びることで前記第２の半導体チップに電気
的に接続されてなる。
【０００５】本発明によれば、第２のワイヤには、第１
及び第２の屈曲部が形成されている。第２の屈曲部は、
第１の屈曲部よりも第２の半導体チップ側に形成され、
かつ、第２のワイヤの最頂部となる。これによって、第
２のワイヤと第２の半導体チップの角部との距離を確保
することができ、両者の接触を回避することができる。
さらに、第１の屈曲部によって、第１及び第２のワイヤ
との距離を調整することができる。すなわち、第２のワ
イヤがリードから直接的に第２の屈曲部に延びるより
も、第２のワイヤの最頂部の高さを低くでき、かつ、第
１及び第２のワイヤの距離を確保することができる。し
たがって、低ループで最短の第２のワイヤの引き回しを
実現することができる。
【０００６】（２）この半導体装置において、前記第２
のワイヤは、前記リードにボンディングされた後に前記
第２の半導体チップの電極にボンディングされてもよ
い。
【０００７】（３）この半導体装置において、前記第１
の屈曲部は、前記第１のワイヤの高さよりも低い位置に
形成されてもよい。
【０００８】（４）この半導体装置において、前記第１
の屈曲部の接線と前記リードの面とのなす前記第２の半
導体チップ側の角度は、前記第１のワイヤの高さ方向の
中間部の接線と前記リードの面とのなす前記第１の半導
体チップ側の角度よりも小さくてもよい。
【０００９】（５）この半導体装置において、前記第２
のワイヤのうち前記第１の屈曲部よりも前記リード側の
部分の接線と、前記リードの面とのなす前記第２の半導
体チップ側の角度は、前記第１のワイヤの高さ方向の中
間部の接線と前記リードの面とのなす前記第１の半導体
チップ側の角度よりも大きくてもよい。
【００１０】これによって、第１の屈曲部を第１のワイ
ヤから離すことができるので、第１及び第２のワイヤの
間の距離を確保することができる。
【００１１】（６）この半導体装置において、前記第２
の屈曲部は、前記第１の半導体チップの内側に形成され
てもよい。
【００１２】（７）この半導体装置において、前記第２
の屈曲部は、前記第２の半導体チップよりも、少なくと
も前記第２のワイヤの幅の大きさ以上に高い位置に形成
されてもよい。
【００１３】これによって、第２のワイヤと第２の半導
体チップの角部との接触を確実に回避することができ
る。
【００１４】（８）この半導体装置において、前記第２
のワイヤは、前記第１及び第２の屈曲部をほぼ最短で結
ぶように延びてもよい。
【００１５】これによって、第２のワイヤを可能な限り
短くすることができる。
【００１６】（９）この半導体装置において、前記リー
ドは、基板で支持された配線パターンであってもよい。
【００１７】（１０）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が実装されている。
【００１８】（１１）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
【００１９】（１２）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、積み重ねられてなる複数の半導体チップのうち第
１の半導体チップと、リードと、を電気的に接続する第
１のワイヤを形成し、前記複数の半導体チップのうち前
記第１の半導体チップに積み重ねられた第２の半導体チ
ップと、前記リードと、を電気的に接続する第２のワイ
ヤを、他の部分よりも曲率の大きい第１及び第２の屈曲
部を有するように形成し、前記第２のワイヤを、前記リ
ードの上方に前記第１の屈曲部に至るように引き出し、
前記第１の屈曲部から前記第２の半導体チップの方向に
斜め上方向に引き出し、前記第２の屈曲部から下方向に
引き出すことで前記第２の半導体チップに電気的に接続
する。
【００２０】本発明によれば、第１及び第２の屈曲部を
有する第２のワイヤを形成する。第２の屈曲部は、第１
の屈曲部よりも第２の半導体チップ側に形成し、かつ、
第２のワイヤの最頂部となる。これによって、第２のワ
イヤと第２の半導体チップの角部との距離を確保するこ
とができ、両者の接触を回避することができる。さら
に、第１の屈曲部によって、第１及び第２のワイヤとの
距離を調整することができる。すなわち、第２のワイヤ
をリードから直接的に第２の屈曲部に引き出すよりも、
第２のワイヤの最頂部の高さを低くでき、かつ、第１及
び第２のワイヤの距離を確保することができる。したが
って、低ループで最短の第２のワイヤの引き回しを実現
することができる。
【００２１】（１３）この半導体装置の製造方法におい
て、第１の屈曲部を、第１のワイヤの高さよりも低い位
置に形成してもよい。
【００２２】（１４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記第１の屈曲部の接線と前記リードの面とのなす
前記第２の半導体チップ側の角度を、前記第１のワイヤ
の高さ方向の中間部の接線と前記リードの面とのなす前
記第１の半導体チップ側の角度よりも小さくするよう
に、前記第２のワイヤを形成してもよい。
【００２３】（１５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記第２のワイヤのうち前記第１の屈曲部よりも前
記リード側の部分の接線と、前記リードの面とのなす前
記第２の半導体チップ側の角度を、前記第１のワイヤの
高さ方向の中間部の接線と前記リードの面とのなす前記
第１の半導体チップ側の角度よりも大きくするように、
前記第２のワイヤを形成してもよい。
【００２４】これによって、第１の屈曲部を第１のワイ
ヤから離すことができるので、第１及び第２のワイヤの
間の距離を確保することができる。
【００２５】（１６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記第２の屈曲部を、前記第１の半導体チップの内
側に形成してもよい。
【００２６】（１７）この半導体装置の製造方法におい
て、前記第２の屈曲部を、前記第２の半導体チップより
も、少なくとも前記第２のワイヤの幅の大きさ以上に高
い位置に形成してもよい。
【００２７】これによって、第２のワイヤと第２の半導
体チップの角部との接触を確実に回避することができ
る。
【００２８】（１８）この半導体装置の製造方法におい
て、前記第２のワイヤを、前記第１及び第２の屈曲部を
ほぼ最短で結ぶように引き出してもよい。
【００２９】これによって、第２のワイヤを可能な限り
短くすることができる。
【００３０】（１９）この半導体装置の製造方法におい
て、前記リードは、基板で支持された配線パターンであ
ってもよい。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の
実施の形態に限定されるものではない。
【００３２】図１〜図４は、本発明の実施の形態に係る
半導体装置及びその製造方法を示す図である。図１は、
本実施の形態に係る半導体装置を示す図であり、図２
は、図１の部分拡大図である。本実施の形態に係る半導
体装置は、複数の半導体チップ（第１及び第２の半導体
チップ１０、２０を含む）と、基板３０と、複数の半導
体チップにボンディングされた複数のワイヤ（第１及び
第２のワイヤ４０、５０を含む）と、を含む。
【００３３】複数の半導体チップは、立体的に積み重ね
られている。半導体装置１は、スタック型（又は三次元
実装型）の半導体装置と呼ばれる。図１に示す例では、
複数の半導体チップは２つ（第１及び第２の半導体チッ
プ１０、２０のみ）であるが、複数の半導体チップは３
つ以上であってもよい。第１及び第２の半導体チップ１
０、２０とは、複数の半導体チップのうち上下に直接的
に積み重ねられた２つを指す。半導体チップは、例え
ば、フラッシュメモリ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＡＳＩＣ
又はＭＰＵなどであってもよい。複数の半導体チップの
組み合わせとして、例えば、ＡＳＩＣとフラッシュメモ
リとＳＲＡＭ、ＳＲＡＭ同士、ＤＲＡＭ同士、あるいは
フラッシュメモリとＳＲＡＭなどがある。
【００３４】第１の半導体チップ１０の形状は限定され
ないが、図１に示すように直方体（立方体を含む）をな
すことが多い。半導体チップ１０は、集積回路（図示し
ない）を有し、集積回路と電気的に接続されている少な
くとも１つ（多くの場合複数）の電極１２を有する。電
極１２は、第１の半導体チップ１０の面に薄く平らに形
成されたパッドである。図２に示すように、電極１２
は、第１の半導体チップ１０の面の端部（例えば外形の
２辺又は４辺の近く）に形成されてもよい。電極１２
は、アルミニウム系又は銅系の金属で形成されることが
多い。なお、第１の半導体チップ１０には、電極の中央
部を避けて端部を覆って、パッシベーション膜（図示し
ない）が形成されている。パッシベーション膜は、例え
ば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成する
ことができる。
【００３５】図１に示す例では、第２の半導体チップ２
０の外形は、第１の半導体チップ１０の外形よりも小さ
い。こうすることで、第２の半導体チップ２０を、第１
の半導体チップ１０上に、電極１２を避けて搭載するこ
とができる。第２の半導体チップ２０は、第１の半導体
チップ１０の中央部に搭載されることが好ましい。
【００３６】第２の半導体チップ２０は電極２２を有
し、電極２２上にバンプ２４が設けられている。バンプ
２４が設けられることで、第２のワイヤ５０のセカンド
ボンディングを行う場合に、下地となる電極２２を損傷
させずに、第２のワイヤ５０と電極２２とを電気的に接
続することができる。バンプ２４は、第２のワイヤ５０
と同一材料（例えば金）で形成されることが好ましい。
【００３７】基板３０は、半導体装置のインターポーザ
と呼ばれる。基板３０は、有機系（ポリイミド基板）又
は無機系（セラミック基板、ガラス基板）のいずれの材
料から形成されてもよく、これらの複合構造（ガラスエ
ポキシ基板）から形成されてもよい。基板３０は、単層
又は多層基板のいずれでもよい。
【００３８】基板３０は、複数の配線からなる配線パタ
ーン（リード）３２を有する。配線パターン３２には、
電気的な接続部（例えばランド）が形成されている。電
気的な接続部は、平らな面に形成されることが多い。配
線パターン３２は、基板１０のいずれか一方又は両面か
ら電気的接続を図れるように形成される。例えば、図１
に示すように、基板３０に複数の貫通孔３４が形成され
ることで、基板３０の両面から電気的接続を図れるよう
にしてもよい。貫通孔３４は、導電材料で埋められても
よいし、内壁面にメッキされてスルーホールとなってい
てもよい。
【００３９】図１に示すように、第１の半導体チップ１
０は、電極１２が上側（基板３０とは反対側）を向いて
実装されている。第２の半導体チップ２０は、電極２２
が上側（第１の半導体チップ１０とは反対側）を向いて
実装されている。
【００４０】第１のワイヤ４０は、第１の半導体チップ
１０と配線パターン３２とを電気的に接続する。第１の
半導体チップ１０には、電極１２の個数に対応して、複
数の第１のワイヤ４０が設けられる。第１のワイヤ４０
は、ボールボンディング法を適用することで形成されて
もよい。詳しくは、ツール（例えばキャピラリ）の外部
に引き出された第１のワイヤ４０の先端部がボール状に
溶融されて、その先端部が電極１２に熱圧着される（超
音波振動も併用すると好ましい）ことで、第１のワイヤ
４０が電極１２に電気的に接続されてもよい。その場
合、第１のワイヤ４０の先端部はバンプ４２となる。そ
の後、第１のワイヤ４０は、配線パターン３２にボンデ
ィングされる。
【００４１】変形例として、第１のワイヤ４０は、基板
３０の配線パターン３２にボンディングされた後に第１
の半導体チップ１０の電極１２にボンディングされるこ
とで形成されてもよい。その場合、ボンディング前に、
第１の半導体チップ１０の電極１２上に、電極１２の損
傷を防止するため、バンプを設けておくことが好まし
い。なお、第１のワイヤ４０の形態（例えばループ形
状）はこれらの内容に限定されない。
【００４２】第２のワイヤ５０は、第２の半導体チップ
２０と配線パターン３２とを電気的に接続する。第２の
半導体チップ２０には、電極２２の個数に対応して、複
数の第２のワイヤ５０が設けられる。第２のワイヤ５０
は、第１のワイヤ４０と共通の配線に電気的に接続され
てもよいし、異なる配線に電気的に接続されてもよい。
第２のワイヤ４０もボールボンディング法を適用するこ
とで形成されてもよい。図２に示すように、第２のワイ
ヤ５０を、基板３０の配線パターン３２に最初にボンデ
ィングした場合には、配線パターン３２上にバンプ５２
が設けられる。その後、第２のワイヤ５０は、電極２２
上のバンプ２４にボンディングされる。
【００４３】第２のワイヤ５０は、第１及び第２の屈曲
部５４、５６を有する。第１及び第２の屈曲部５４、５
６は、第２のワイヤ５０の他の部分よりも曲率が大きい
（又は曲率半径が小さい）。言い換えれば、第２のワイ
ヤ５０のうち曲率の最大の部分が、第１又は第２の屈曲
部５４、５６のいずれか一方に相当し、曲率の２番目に
大きい部分がいずれか他方に相当する。第１及び第２の
屈曲部５４、５６は、いずれが最大の曲率であっても構
わない。
【００４４】第１の屈曲部５４は、第２の屈曲部５６よ
りも基板３０（詳しくは配線パターン３２）側に形成さ
れている。すなわち、第２のワイヤ５０には、第１の屈
曲部５４が形成され、第１の屈曲部５４よりも第２の半
導体チップ２０側に第２の屈曲部５６が形成されてい
る。
【００４５】図２に示すように、第１の屈曲部５４は、
基板３０（詳しくは配線パターン３２）の上方に配置さ
れてもよい。図２に示す例では、第１の屈曲部５４は、
配線パターン３２の接合部（例えばバンプ５２）から平
面的にずれた位置に形成されている。すなわち、第２の
ワイヤ５０は、配線パターン３２から第２の半導体チッ
プ２０に近づく方向に斜めに延びている。その場合、第
２のワイヤ５０のうち第１の屈曲部５４よりも配線パタ
ーン３２側の部分の接線Ｌ1（実際には複数の接線のい
ずれか１つ）と、配線パターン３２の面（又は基板３０
の面）と、のなす角度θ1（第２の半導体チップ側の角
度）は、自由に決定することができる。そして、角度θ
1は、第１のワイヤ４０の高さ方向の中間部４４（例え
ば高さ方向の中点及びその付近）の接線Ｌ3（実際には
複数の接線のいずれか１つ）と、配線パターン３２の面
（又は基板３０の面）と、のなす角度θ3（第１の半導
体チップ側の角度）よりも大きいことが好ましい。こう
することで、第１の屈曲部５４を第１のワイヤ４０から
離すことができるので、第１及び第２のワイヤ４０、５
０の間の距離を確保することができる。
【００４６】変形例として、第２のワイヤ５０が配線パ
ターン３２からほぼ真上に延びることで、第１の屈曲部
５４が配線パターン３２の接合部（例えばバンプ５２）
のほぼ真上に形成されてもよい。
【００４７】図２に示すように、第１の屈曲部５４は、
第１のワイヤ４０の高さよりも低い位置に形成されても
よい。第１の屈曲部５４の高さ方向の位置は、配線パタ
ーン３２上の第１及び第２のワイヤ４０、５０の各接合
部間の距離や、第２のワイヤ５０の第１の屈曲部５４に
至るまでの傾斜角度などを考慮して決めればよい。ある
いは、第１の屈曲部５４は、第２の半導体チップ２０の
高さよりも低い位置に形成されてもよい。
【００４８】図２に示す例では、第１の屈曲部５４の接
線Ｌ2と、配線パターン３２の面（又は基板３０の面）
と、のなす角度θ2（第２の半導体チップ側の角度）
は、上述の第１のワイヤ４０の角度θ3よりも小さい。
すなわち、 θ1＞θ3＞θ2 の関係を有してもよい。こうすることで、第２のワイヤ
５０を、第１のワイヤ４０と接触するのを回避できる程
度に上方に引き上げるとともに、ループ形状の高さを可
能な限り低くすることができる。
【００４９】第２のワイヤ５０は、第１の屈曲部５４か
ら第２の半導体チップ２０の方向に、斜め上方向（基板
３０とは反対方向）に延びている。すなわち、第２のワ
イヤ５０は、配線パターン３２の面（又は基板３０の
面）と平行な面を基準として、それよりも斜め上方向に
延びている。
【００５０】第２の屈曲部５６は、第２のワイヤ５０の
最頂部となる。すなわち、第２の屈曲部５６の接線（図
示しない）は、配線パターン３２の面（又は基板３０の
面）と平行になる。図２に示すように、第２の屈曲部５
６は、第１の半導体チップ１０の内側に配置されてもよ
い。すなわち、第２の屈曲部５６は、第１の半導体チッ
プ１０の平面視において、第１の半導体チップ１０の範
囲内に配置されてもよい。
【００５１】第２の屈曲部５６は、第２の半導体チップ
２０の面よりも高い位置に配置されている。第２の屈曲
部５６は、第２の半導体チップ２０よりも、少なくとも
第２のワイヤ５０の幅（径）の大きさ以上に高い位置に
形成されている。こうすることで、図２に示すように、
第２のワイヤ５０と第２の半導体チップ２０の角部（エ
ッジ）２６との接触を確実に回避することができる。例
えば、第２の屈曲部５６は、第２のワイヤ５０の幅（例
えば約２５μｍ）の大きさの約１〜２倍の高さ（例えば
約２５〜５０μｍ）に配置されてもよい。
【００５２】第２のワイヤ５０は、第２の屈曲部５６か
ら下方向（基板３０の方向）に延びている。詳しくは、
第２のワイヤ５０は、配線パターン３２の面（又は基板
３０の面）と平行な面を基準としてそれよりも下方向に
延びて、第２の半導体チップ２０の電極２２（図２では
電極２２上のバンプ２４）に電気的に接続されている。
【００５３】第２のワイヤ５０は、第１及び第２の屈曲
部５４、５６をほぼ最短で結ぶように延びている。すな
わち、第２のワイヤ５０のうち、第１及び第２の屈曲部
５４、５６の間の部分は、直線になっていてもよい。こ
うすることで、第２のワイヤを可能な限り短くすること
ができる。
【００５４】図１に示す例では、半導体装置１は、基板
３０上で、第１及び第２の半導体チップ１０、２０を封
止する封止部６０を有する。封止部６０は、樹脂封止部
であってもよい。封止には、金型を使用すればよい。例
えば、トランスファモールドを適用して、基板３０上に
封止部６０を形成してもよい。あるいは、ポッティング
法を適用することで封止部６０を形成してもよい。
【００５５】図１に示す例では、半導体装置１は、複数
の外部端子６２を有する。外部端子６２は、ハンダボー
ルであってもよい。外部端子６２は、配線パターン３２
に電気的に接続されている。貫通穴３４の位置に外部端
子６２が形成されてもよい。第１及び第２の半導体チッ
プ１０、２０と電気的に接続される配線パターン３２を
所定形状にパターニングすることで、外部端子６２を基
板３０における平面的に広がる領域に設けることができ
る。すなわち、半導体装置にピッチ変換されてなる外部
端子６２を設けることができるので、回路基板（マザー
ボード）への搭載を容易に行うことができる。
【００５６】変形例として、基板３０の配線パターン３
２の一部を延出し、そこから外部接続を図るようにして
もよい。配線パターン３２の一部をコネクタのリードと
したり、コネクタを基板３０上に実装してもよい。さら
に、積極的に外部端子６２を形成せず回路基板への実装
時に回路基板側に塗布されるハンダクリームを利用し、
その溶融時の表面張力で結果的に外部端子を形成しても
よい。その半導体装置は、いわゆるランドグリッドアレ
イ型の半導体装置である。
【００５７】上述の例とは別に、配線パターン３２に換
えて、リードフレームを加工して形成されたリードに、
複数の半導体チップを電気的に接続してもよい。その場
合、リードは、部材に支持されずに自由端になってい
る。リードはインナーリード及びアウターリードを有
し、インナーリードの部分に第１及び第２のワイヤ４
０、５０がボンディングされる。第１及び第２の半導体
チップ１０、２０は、ダイパッドに搭載してもよい。あ
るいは、ダイパッドが形成されない場合には、放熱部材
（例えばヒートシンク）を設けて、そこに第１及び第２
の半導体チップ１０、２０を搭載してもよい。
【００５８】本実施の形態に係る半導体装置によれば、
第２のワイヤ５０には、第１及び第２の屈曲部５４、５
６が形成されている。第２の屈曲部５６は、第１の屈曲
部５４よりも第２の半導体チップ２０側に形成され、か
つ、第２のワイヤ５０の最頂部となる。これによって、
第２のワイヤ５０と第２の半導体チップ２０の角部との
距離を確保することができ、両者の接触を回避すること
ができる。さらに、第１の屈曲部５４によって、第１及
び第２のワイヤ４０、５０との距離を調整することがで
きる。すなわち、第２のワイヤ５０がリード（配線パタ
ーン３２）から直接的に第２の屈曲部５６に延びるより
も、第２のワイヤ５０の最頂部の高さを低くでき、か
つ、第１及び第２のワイヤ４０、５０の距離を確保する
ことができる。これによって、第２のワイヤ５０が倒れ
にくくなり、また、封止工程で封止材で流されるのを防
止することができる。したがって、低ループで最短の第
２のワイヤ５０の引き回しを実現することができる。
【００５９】図３及び図４は、本実施の形態に係る半導
体装置の製造方法の一部を示す図である。本実施の形態
に係る半導体装置の製造方法は、上述の内容から選択し
たいずれかの構成に至るために必要なプロセスを含み、
上述の内容と重複する部分は省略する。
【００６０】図３に示すように、基板３０に第１及び第
２の半導体チップ１０、２０を搭載した後、第１の半導
体チップ１０と配線パターン３２とを第１のワイヤ４０
によって電気的に接続する。第１のワイヤ４０の形成工
程は、すでに周知の内容を適用することができる。
【００６１】第２のワイヤ５０が支持されたツール（例
えばキャピラリ）を用意する。第２のワイヤ５０は、金
などの導電材料で形成されている。ツール７０は、穴を
有し、穴７２の内側に第２のワイヤ５０が挿通されてい
る。ツール７０は、図示しない支持体（例えば超音波ホ
ーン）によって、図示しない製造装置の本体（ワイヤボ
ンダー）に支持されている。第２のワイヤ５０は、クラ
ンパ７４の開閉によって、上下方向に移動可能になって
いる。そして、ツール７０の開口端部７６が第２のワイ
ヤ５０の一部（ボール状に形成される先端部）を押圧で
きるようになっている。
【００６２】ツール７０を、配線パターン３２の上方に
配置し、第２のワイヤ５０のうち、ツール７０の外部に
引き出された先端部をボール状（又は塊状）に形成す
る。熱エネルギー（例えば放電又はガス炎）によって、
先端部を溶融させてボール状に形成してもよい。
【００６３】そして、図３に示すように、第２のワイヤ
５０を配線パターン３２にボンディングする。その後
に、第２のワイヤ５０を、第１及び第２の屈曲部５４、
５６を形成して、第２の半導体チップ２０の方向に引き
出す。第２の半導体チップ２０の電極２２上にバンプ２
４を形成しておけば、ボンディング時に電極２２を損傷
させずに済む。
【００６４】図４に示すように、第２のワイヤ５０の一
部をバンプ２４にボンディングする。詳しくは、開口端
部７６における第２のワイヤ５０がすでに引き出された
側で、第２のワイヤ５０の一部をボンディングする。そ
の後、第２のワイヤ５０をバンプ２４上で引きちぎる。
こうして、第２のワイヤ５０を、第１のワイヤ４０の上
方に形成することができる。なお、第１のワイヤ４０も
上述と同様の工程で形成してもよい。
【００６５】本実施の形態の半導体装置の製造方法によ
れば、上述の効果を達成することができる。
【００６６】図５には、上述の実施の形態を適用した回
路基板が示されている。半導体装置１は、回路基板１０
００に実装されている。回路基板１０００には、例え
ば、ガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが
一般的である。回路基板１０００には例えば銅等からな
る配線パターン１１００が所望の回路となるように形成
されていて、配線パターン１１００と半導体装置の外部
端子６２とが接合されている。
【００６７】本発明の実施の形態に係る半導体装置を有
する電子機器として、図６にはノート型パーソナルコン
ピュータ２０００が示され、図７には携帯電話３０００
が示されている。
【００６８】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置
を示す図である。
【図２】図２は、図１の部分拡大図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る回路基板を
示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１の半導体チップ ２０ 第２の半導体チップ ３０ 基板 ３２ 配線パターン ４０ 第１のワイヤ ５０ 第２のワイヤ ５４ 第１の屈曲部 ５６ 第２の屈曲部

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードと、 積み重ねられてなる複数の半導体チップと、 前記複数の半導体チップのうち第１の半導体チップと、
    前記リードと、を電気的に接続する第１のワイヤと、 前記複数の半導体チップのうち前記第１の半導体チップ
    に積み重ねられた第２の半導体チップと、前記リード
    と、を電気的に接続する第２のワイヤと、 前記第２のワイヤに形成され、他の部分よりも曲率の大
    きい第１及び第２の屈曲部と、 を含み、 前記第２のワイヤは、前記リードの上方に前記第１の屈
    曲部に至るように延びてなり、前記第１の屈曲部から前
    記第２の半導体チップの方向に斜め上方向に延びてな
    り、前記第２の屈曲部から下方向に延びることで前記第
    ２の半導体チップに電気的に接続されてなる半導体装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記第２のワイヤは、前記リードにボンディングされた
    後に前記第２の半導体チップの電極にボンディングされ
    てなる半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
    置において、 前記第１の屈曲部は、前記第１のワイヤの高さよりも低
    い位置に形成されてなる半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
    の半導体装置において、 前記第１の屈曲部の接線と前記リードの面とのなす前記
    第２の半導体チップ側の角度は、前記第１のワイヤの高
    さ方向の中間部の接線と前記リードの面とのなす前記第
    １の半導体チップ側の角度よりも小さい半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
    の半導体装置において、 前記第２のワイヤのうち前記第１の屈曲部よりも前記リ
    ード側の部分の接線と、前記リードの面とのなす前記第
    ２の半導体チップ側の角度は、前記第１のワイヤの高さ
    方向の中間部の接線と前記リードの面とのなす前記第１
    の半導体チップ側の角度よりも大きい半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
    の半導体装置において、 前記第２の屈曲部は、前記第１の半導体チップの内側に
    形成されてなる半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
    の半導体装置において、 前記第２の屈曲部は、前記第２の半導体チップよりも、
    少なくとも前記第２のワイヤの幅の大きさ以上に高い位
    置に形成されてなる半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
    の半導体装置において、 前記第２のワイヤは、前記第１及び第２の屈曲部をほぼ
    最短で結ぶように延びてなる半導体装置。
  9. 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれかに記載
    の半導体装置において、 前記リードは、基板で支持された配線パターンである半
    導体装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれかに記
    載の半導体装置が実装された回路基板。
  11. 【請求項１１】 請求項１から請求項９のいずれかに記
    載の半導体装置を有する電子機器。
  12. 【請求項１２】 積み重ねられてなる複数の半導体チッ
    プのうち第１の半導体チップと、リードと、を電気的に
    接続する第１のワイヤを形成し、 前記複数の半導体チップのうち前記第１の半導体チップ
    に積み重ねられた第２の半導体チップと、前記リード
    と、を電気的に接続する第２のワイヤを、他の部分より
    も曲率の大きい第１及び第２の屈曲部を有するように形
    成し、 前記第２のワイヤを、前記リードの上方に前記第１の屈
    曲部に至るように引き出し、前記第１の屈曲部から前記
    第２の半導体チップの方向に斜め上方向に引き出し、前
    記第２の屈曲部から下方向に引き出すことで前記第２の
    半導体チップに電気的に接続する半導体装置の製造方
    法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体装置の製造方
    法において、 第１の屈曲部を、第１のワイヤの高さよりも低い位置に
    形成する半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２又は請求項１３に記載の半
    導体装置の製造方法において、 前記第１の屈曲部の接線と前記リードの面とのなす前記
    第２の半導体チップ側の角度を、前記第１のワイヤの高
    さ方向の中間部の接線と前記リードの面とのなす前記第
    １の半導体チップ側の角度よりも小さくするように、前
    記第２のワイヤを形成する半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１２から請求項１４のいずれか
    に記載の半導体装置の製造方法において、 前記第２のワイヤのうち前記第１の屈曲部よりも前記リ
    ード側の部分の接線と、前記リードの面とのなす前記第
    ２の半導体チップ側の角度を、前記第１のワイヤの高さ
    方向の中間部の接線と前記リードの面とのなす前記第１
    の半導体チップ側の角度よりも大きくするように、前記
    第２のワイヤを形成する半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１２から請求項１５のいずれか
    に記載の半導体装置の製造方法において、 前記第２の屈曲部を、前記第１の半導体チップの内側に
    形成する半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１２から請求項１６のいずれか
    に記載の半導体装置の製造方法において、 前記第２の屈曲部を、前記第２の半導体チップよりも、
    少なくとも前記第２のワイヤの幅の大きさ以上に高い位
    置に形成する半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１２から請求項１７のいずれか
    に記載の半導体装置の製造方法において、 前記第２のワイヤを、前記第１及び第２の屈曲部をほぼ
    最短で結ぶように引き出す半導体装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１２から請求項１８のいずれか
    に記載の半導体装置の製造方法において、 前記リードは、基板で支持された配線パターンである半
    導体装置の製造方法。
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