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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008511141A (ja) * 2004-08-20 2008-04-10 セミツール， インコーポレイテッド 半導体被処理物を薄肉化するためのシステム
SG126885A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-29 Disco Corp Semiconductor wafer and processing method for same
JP5390740B2 (ja) * 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP5011740B2 (ja) * 2006-02-02 2012-08-29 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4667263B2 (ja) * 2006-02-02 2011-04-06 シャープ株式会社 シリコンウエハの製造方法
JP2007243080A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP5168920B2 (ja) * 2007-01-31 2013-03-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法およびマーキング装置
JP2009096698A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Toshiba Corp ウェーハ及びその製造方法
JP5428216B2 (ja) * 2008-06-20 2014-02-26 富士電機株式会社 シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法
JP5668270B2 (ja) 2008-12-11 2015-02-12 富士電機株式会社 半導体素子の製造方法
JP2010205761A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP5431777B2 (ja) 2009-04-20 2014-03-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5556431B2 (ja) 2010-06-24 2014-07-23 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015060852A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び製造装置
US9893058B2 (en) 2015-09-17 2018-02-13 Semiconductor Components Industries, Llc Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure
US11342189B2 (en) 2015-09-17 2022-05-24 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor packages with die including cavities and related methods
US10879359B2 (en) * 2018-03-02 2020-12-29 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Silicon carbide epitaxial wafer having a thick silicon carbide layer with small wrapage and manufacturing method thereof
CN118472042B (zh) * 2024-07-10 2024-09-06 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 改进型场效应晶体管及其制造方法

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