JP5428216B2 - シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5428216B2 JP5428216B2 JP2008161736A JP2008161736A JP5428216B2 JP 5428216 B2 JP5428216 B2 JP 5428216B2 JP 2008161736 A JP2008161736 A JP 2008161736A JP 2008161736 A JP2008161736 A JP 2008161736A JP 5428216 B2 JP5428216 B2 JP 5428216B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- oxide film
- central portion
- forming
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
図1は、実施の形態1にかかるシリコンウェハの構造について示す断面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかるシリコンウェハは、おもて面側の中央部が低酸素濃度シリコン層2であり、バルク領域、裏面側および外周端部が高酸素濃度シリコン層3である、シリコンウェハ1である。
つぎに実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図8〜図11は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。まず、図8に示すように、CZウェハ12に熱酸化処理を行い、CZウェハ12の全面に熱酸化膜22を形成する。ついで、図9に示すように、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって、CZウェハ12のおもて面側の中央部の上に形成された熱酸化膜22を除去し、開口部23を形成する。
つぎに、実施の形態3にかかる半導体装置について説明する。図12は、実施の形態3にかかる半導体装置の構造について示す断面図である。図12に示すように、実施の形態3にかかる半導体装置においては、シリコンウェハ1の裏面側が除去されて、シリコンウェハ1の厚さが薄くなっている。したがって、実施の形態3にかかる半導体装置は、例えば低耐圧かつ低損失の縦型IGBTを製造する際に用いることができる。
つぎに、実施の形態4にかかる半導体装置について説明する。図13は、実施の形態4にかかる半導体装置の構造について示す断面図である。図13に示すように、実施の形態3にかかる半導体装置においては、シリコンウェハ1の外周端部に、中央部よりも厚いリブ構造が形成されている。したがって、実施の形態4にかかる半導体装置は、大口径のウェハに縦型IGBTを製造する際や、実施の形態3よりもさらに低耐圧かつ低損失の縦型IGBTを製造する際に、用いることができる。
2 低酸素濃度シリコン層
3 高酸素濃度シリコン層
4 おもて面素子構造
Claims (12)
- シリコンウェハの中央部のおもて面側に設けられた低酸素濃度層と、
前記シリコンウェハの中央部の裏面側、バルク領域および外周端部に設けられ、前記低酸素濃度層より酸素濃度が高い高酸素濃度層と、
前記シリコンウェハの前記中央部の裏面側の選択的な薄化処理によって形成された、前記シリコンウェハの前記外周端部が前記中央部よりも厚いリブ構造と、
を備え、
前記低酸素濃度層が前記シリコンウェハの前記中央部の裏面に露出されていることを特徴とするシリコンウェハ。 - 前記低酸素濃度層は、前記シリコンウェハの前記中央部のおもて面から裏面にかけての全域に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハ。
- 前記低酸素濃度層に、素子構造が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンウェハを用いた半導体装置。
- フローティングゾーン法により製造されたシリコンウェハの全面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記シリコンウェハの素子構造が形成される面の上に形成された前記酸化膜を除去し、前記シリコンウェハの中央部のおもて面を露出する開口部を形成する開口部形成工程と、
非酸化性雰囲気において、熱処理を行い、前記開口部を除く前記シリコンウェハと前記酸化膜との界面において、当該酸化膜から当該シリコンウェハへ酸素原子を内方拡散させる拡散工程と、
前記拡散工程の終了後に、前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
前記酸化膜除去工程の後に、前記シリコンウェハの裏面側の前記中央部を薄化し、当該シリコンウェハの裏面側の当該中央部に前記拡散工程前の酸素濃度を維持する領域を露出させ、かつ当該シリコンウェハの外周端部に当該中央部よりも厚いリブ構造を形成するリブ構造形成工程と、
を含むことを特徴とするシリコンウェハの製造方法。 - チョクラルスキー法により製造されたシリコンウェハの全面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記シリコンウェハの素子構造が形成される面の上に形成された前記酸化膜を除去し、前記シリコンウェハの中央部のおもて面を露出する開口部を形成する開口部形成工程と、
非酸化性雰囲気において、熱処理を行い、前記開口部を介して前記シリコンウェハから前記シリコンウェハ外へ酸素原子を外方拡散させる拡散工程と、
前記拡散工程の終了後に、前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
前記酸化膜除去工程の後に、前記シリコンウェハの裏面側の前記中央部を薄化し、当該シリコンウェハの裏面側の当該中央部に前記酸素原子を外方拡散させた領域を露出させ、かつ当該シリコンウェハの外周端部に当該中央部よりも厚いリブ構造を形成するリブ構造形成工程と、
を含むことを特徴とするシリコンウェハの製造方法。 - フローティングゾーン法により製造されたシリコンウェハの全面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記シリコンウェハの素子構造が形成される面の上に形成された前記酸化膜を除去し、前記シリコンウェハの中央部のおもて面を露出する開口部を形成する開口部形成工程と、
非酸化性雰囲気において、熱処理を行い、前記開口部を除く前記シリコンウェハと前記酸化膜との界面において、当該酸化膜から当該シリコンウェハへ酸素原子を内方拡散させる拡散工程と、
前記拡散工程の終了後に、前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
前記酸化膜除去工程の後に、前記シリコンウェハの裏面側の全面を薄化し、当該シリコンウェハの裏面側に前記拡散工程前の酸素濃度を維持する領域を露出させる薄化工程と、
前記薄化工程の後に、前記シリコンウェハの裏面側の前記中央部を薄化し、当該シリコンウェハの外周端部に当該中央部よりも厚いリブ構造を形成するリブ構造形成工程と、
を含むことを特徴とするシリコンウェハの製造方法。 - チョクラルスキー法により製造されたシリコンウェハの全面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記シリコンウェハの素子構造が形成される面の上に形成された前記酸化膜を除去し、前記シリコンウェハの中央部のおもて面を露出する開口部を形成する開口部形成工程と、
非酸化性雰囲気において、熱処理を行い、前記開口部を介して前記シリコンウェハから前記シリコンウェハ外へ酸素原子を外方拡散させる拡散工程と、
前記拡散工程の終了後に、前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
前記酸化膜除去工程の後に、前記シリコンウェハの裏面側の全面を薄化し、当該シリコンウェハの裏面側に前記酸素原子を外方拡散させた領域を露出させる薄化工程と、
前記薄化工程の後に、前記シリコンウェハの裏面側の前記中央部を薄化し、当該シリコンウェハの外周端部に当該中央部よりも厚いリブ構造を形成するリブ構造形成工程と、
を含むことを特徴とするシリコンウェハの製造方法。 - 前記非酸化性雰囲気は、不活性ガスと、前記不活性ガスに対して3%以下の水素ガスと、を混合させた混合ガスであることを特徴とする請求項4〜7のいずれか一つに記載のシリコンウェハの製造方法。
- 前記酸化膜除去工程と前記リブ構造形成工程との間に、
前記シリコンウェハに熱処理を行い、欠陥の析出核を形成する欠陥形成工程と、
前記シリコンウェハに前記欠陥形成工程よりも高温の熱処理を行い、前記欠陥を成長させて、酸素析出物または結晶欠陥を形成する欠陥成長工程と、
を含むことを特徴とする請求項4または5に記載のシリコンウェハの製造方法。 - 前記酸化膜除去工程と前記薄化工程との間に、
前記シリコンウェハに熱処理を行い、欠陥の析出核を形成する欠陥形成工程と、
前記シリコンウェハに前記欠陥形成工程よりも高温の熱処理を行い、前記欠陥を成長させて、酸素析出物または結晶欠陥を形成する欠陥成長工程と、
を含むことを特徴とする請求項6または7に記載のシリコンウェハの製造方法。 - 請求項4、5または9に記載のシリコンウェハの製造方法における、
前記酸化膜除去工程と前記リブ構造形成工程の間に、
前記シリコンウェハの前記中央部のおもて面に、カソード構造を形成するカソード構造形成工程を含み、
前記リブ構造形成工程の後に、
前記シリコンウェハの前記中央部の裏面に、アノード構造を形成するアノード構造形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6、7または10に記載のシリコンウェハの製造方法における、
前記酸化膜除去工程と前記薄化工程の間に、
前記シリコンウェハの前記中央部のおもて面に、カソード構造を形成するカソード構造形成工程を含み、
前記リブ構造形成工程の後に、
前記シリコンウェハの前記中央部の裏面に、アノード構造を形成するアノード構造形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008161736A JP5428216B2 (ja) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008161736A JP5428216B2 (ja) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010003899A JP2010003899A (ja) | 2010-01-07 |
JP5428216B2 true JP5428216B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=41585366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008161736A Expired - Fee Related JP5428216B2 (ja) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5428216B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100928897B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2009-11-30 | 재단법인대구경북과학기술원 | 홉 카운트를 고려한, 무선 멀티홉 네트워크에서 데이터패킷을 전송하는 방법과 장치 및 무선 멀티홉 네트워크시스템 |
WO2012020498A1 (ja) | 2010-08-12 | 2012-02-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN103384910B (zh) * | 2012-02-23 | 2017-05-24 | 富士电机株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
JP6135666B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-05-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9499921B2 (en) | 2012-07-30 | 2016-11-22 | Rayton Solar Inc. | Float zone silicon wafer manufacturing system and related process |
JP6024400B2 (ja) | 2012-11-07 | 2016-11-16 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及びアンテナスイッチモジュール |
JP6111720B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2017-04-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
AU2015219029A1 (en) * | 2014-02-18 | 2016-09-01 | Rayton Solar Inc. | Float zone silicon wafer manufacturing system |
JP6881292B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2021-06-02 | 信越半導体株式会社 | 再結合ライフタイムの制御方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63142822A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2934111B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1999-08-16 | シャープ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JPH0969526A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4149014B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2008-09-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3427751B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2003-07-22 | 株式会社デンソー | 半導体チップの薄肉加工方法および薄肉加工用エッチング装置 |
JP3620528B2 (ja) * | 2001-12-12 | 2005-02-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP2006294691A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Toshiba Corp | 半導体基板及び半導体装置とその製造方法 |
JP5011740B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2012-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-06-20 JP JP2008161736A patent/JP5428216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010003899A (ja) | 2010-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5428216B2 (ja) | シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP4605876B2 (ja) | シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 | |
JP6237848B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板の製造方法及びエピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板 | |
US7704318B2 (en) | Silicon wafer, SOI substrate, method for growing silicon single crystal, method for manufacturing silicon wafer, and method for manufacturing SOI substrate | |
JP5076326B2 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
WO2002025716A1 (fr) | Tranche de silicium et son procede de fabrication | |
JP2001144275A (ja) | 貼り合わせsoiウエーハの製造方法および貼り合わせsoiウエーハ | |
JP2000272995A (ja) | シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ | |
JPH10223640A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
JP5103745B2 (ja) | 高周波ダイオードおよびその製造方法 | |
US7211141B2 (en) | Method for producing a wafer | |
JPWO2005024917A1 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
TW200945421A (en) | Method of manufacturing silicon substrate | |
TWI442478B (zh) | 矽基板及其製造方法 | |
JP2010040588A (ja) | シリコンウェーハ | |
JP2013030723A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5965607B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JPH06295913A (ja) | シリコンウエハの製造方法及びシリコンウエハ | |
JP2003073191A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
CN115135817B (zh) | 半导体硅晶片的制造方法 | |
JP2009212351A (ja) | シリコン基板とその製造方法 | |
JPH0897221A (ja) | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ | |
JP2005064256A (ja) | エピタキシャルウエーハの製造方法 | |
JP2000235982A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JPS6218710A (ja) | エピタキシヤルウエハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091112 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5428216 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |