JP2003242610A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決すべき課題】薄膜コイルの最内周のコイル巻回体
の端部とバックギャップの橋絡部との短絡を有効に防止
しつつコイル巻回体の間隔を狭くし、磁路長を短くした
薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】下部ポールおよび上部ポールとを磁極部分
ではライトギャップ膜を介して対向させ、バックギャッ
プで橋絡部を介して結合し、下部ポールおよび上部ポー
ルの間に配設された部分を有する薄膜コイルが、層間絶
縁膜で分離され、自己整合的に形成された第１および第
２の薄膜コイル半部を有し、それらの最内周のコイル巻
回体の端部を他の部分の幅よりも広くし、これら端部と
バックギャップの橋絡部との間に層間絶縁膜よりも厚い
絶縁膜を設けて短絡を防止する。
の端部とバックギャップの橋絡部との短絡を有効に防止
しつつコイル巻回体の間隔を狭くし、磁路長を短くした
薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】下部ポールおよび上部ポールとを磁極部分
ではライトギャップ膜を介して対向させ、バックギャッ
プで橋絡部を介して結合し、下部ポールおよび上部ポー
ルの間に配設された部分を有する薄膜コイルが、層間絶
縁膜で分離され、自己整合的に形成された第１および第
２の薄膜コイル半部を有し、それらの最内周のコイル巻
回体の端部を他の部分の幅よりも広くし、これら端部と
バックギャップの橋絡部との間に層間絶縁膜よりも厚い
絶縁膜を設けて短絡を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法、特に薄膜コイルを具える書き込み用
の誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、読み出し用の磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド素子とを積層した複合型薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法に関するものである。本発明
は特に、読み出し用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素
子として巨大磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子を用い、誘
導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルのコイル巻回体ピ
ッチを狭くしてヨーク長をきわめて短くして優れたオー
バーライト特性やNLTSを有すると共に高い飽和磁束密度
の磁性材料より成る微細なトラックポールによって記録
トラック巾を狭くし、したがって磁気記録媒体の面記録
密度を向上することができる複合型薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関するものである。
よびその製造方法、特に薄膜コイルを具える書き込み用
の誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、読み出し用の磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド素子とを積層した複合型薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法に関するものである。本発明
は特に、読み出し用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素
子として巨大磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子を用い、誘
導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルのコイル巻回体ピ
ッチを狭くしてヨーク長をきわめて短くして優れたオー
バーライト特性やNLTSを有すると共に高い飽和磁束密度
の磁性材料より成る微細なトラックポールによって記録
トラック巾を狭くし、したがって磁気記録媒体の面記録
密度を向上することができる複合型薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ハードディスク装置の面記録密度の
向上に伴って薄膜磁気ヘッドの性能の向上も求められて
いる。特に最近のＧＭＲ（Giant Magneto-Resistive）
素子を用いた磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子において
は、面記録密度は１００ギガビット／インチ２ にも達
する勢いである。上述したように、複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、磁気記録媒体への情報の書き込みを目的
とする誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、磁気記録媒体から
の情報の読み出しを目的とする磁気抵抗効果を利用した
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子とを積層した構成となっ
ている。この内、磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子として
は、外部磁界が与えられたときに通常のＭＲ素子に比べ
て５〜１５倍の大きな磁気抵抗変化を示すＧＭＲ素子が
用いられている。このようなＧＭＲ素子の性能をさらに
向上させるために、磁気抵抗膜について種々の工夫が提
案されている。
向上に伴って薄膜磁気ヘッドの性能の向上も求められて
いる。特に最近のＧＭＲ（Giant Magneto-Resistive）
素子を用いた磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子において
は、面記録密度は１００ギガビット／インチ２ にも達
する勢いである。上述したように、複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、磁気記録媒体への情報の書き込みを目的
とする誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、磁気記録媒体から
の情報の読み出しを目的とする磁気抵抗効果を利用した
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子とを積層した構成となっ
ている。この内、磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子として
は、外部磁界が与えられたときに通常のＭＲ素子に比べ
て５〜１５倍の大きな磁気抵抗変化を示すＧＭＲ素子が
用いられている。このようなＧＭＲ素子の性能をさらに
向上させるために、磁気抵抗膜について種々の工夫が提
案されている。
【０００３】一般に、ＭＲ膜は磁気抵抗効果を示す磁性
体を膜にしたもので、単層構造となっている。これに対
して多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多層構
造となっている。ＧＭＲ膜において比較的構造が簡単
で、弱い磁界で大きな抵抗変化が得られる特長があり、
量産に適したものとしてスピンバルブＧＭＲ膜が知られ
ている。さらに、再生ヘッド素子としての特性は、上述
した材料の選択の他にパターン巾で決定されている。こ
のパターン巾はＭＲハイトやトラック巾であるが、トラ
ック巾はフォトリソグラフィ・プロセスで決定され、Ｍ
Ｒハイトはエアー・ベアリング・サーフェイス（ＡＢ
Ｓ）を形成する際の研磨量によって決定される。
体を膜にしたもので、単層構造となっている。これに対
して多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多層構
造となっている。ＧＭＲ膜において比較的構造が簡単
で、弱い磁界で大きな抵抗変化が得られる特長があり、
量産に適したものとしてスピンバルブＧＭＲ膜が知られ
ている。さらに、再生ヘッド素子としての特性は、上述
した材料の選択の他にパターン巾で決定されている。こ
のパターン巾はＭＲハイトやトラック巾であるが、トラ
ック巾はフォトリソグラフィ・プロセスで決定され、Ｍ
Ｒハイトはエアー・ベアリング・サーフェイス（ＡＢ
Ｓ）を形成する際の研磨量によって決定される。
【０００４】一方、再生用ヘッド素子の性能の向上に伴
って記録用ヘッド素子の性能向上も求められている。面
記録密度を高くするには、トラック密度を高くする必要
があるが、そのためには記録用ヘッド素子の磁極部分に
ついて半導体加工技術を利用して微細加工を施してトラ
ック巾をサブミクロンオーダー，特に０．２μｍ以下と
狭くする必要がある。しかしながら、半導体微細加工技
術を利用してトラック巾を狭くしてゆくと、磁極部分が
微細化されて十分な量の磁束が得られなくなるという問
題がある。このように、再生ヘッド素子としてはＭＲ膜
をＧＭＲ膜に変更し、さらに磁気抵抗感度の高い材料を
選択することで、比較的容易に所望の高い面記録密度に
対応することができる。
って記録用ヘッド素子の性能向上も求められている。面
記録密度を高くするには、トラック密度を高くする必要
があるが、そのためには記録用ヘッド素子の磁極部分に
ついて半導体加工技術を利用して微細加工を施してトラ
ック巾をサブミクロンオーダー，特に０．２μｍ以下と
狭くする必要がある。しかしながら、半導体微細加工技
術を利用してトラック巾を狭くしてゆくと、磁極部分が
微細化されて十分な量の磁束が得られなくなるという問
題がある。このように、再生ヘッド素子としてはＭＲ膜
をＧＭＲ膜に変更し、さらに磁気抵抗感度の高い材料を
選択することで、比較的容易に所望の高い面記録密度に
対応することができる。
【０００５】一方、１００ギガビット／インチ２ 程度
のきわめて高い面記録密度を実現するには、記録媒体で
ある磁気ディスクに保持力の大きな材料を使用する必要
がある。その理由は、保持力の大きな材料を使用しない
と、記録密度が高くなるのに伴って、熱ゆらぎ現象によ
って書きこまれたデータが消失してしまうためである。
このように高い保持力を有する材料を使用する場合に
は、書き込みには大きな磁束が必要とされるので、誘導
型薄膜磁気ヘッド素子としても大きな磁束を発生できる
ものが要求されることになる。誘導型薄膜磁気ヘッド素
子が発生する磁束を増大させる一般的な方法は、飽和磁
束密度の大きな磁性材料（Hi-Bs材料で飽和磁束密度が
1.8T（テスラ）以上）でトラックポールを形成すること
である。従来、飽和磁束密度の大きな磁性材料として
は、飽和磁束密度が1.0TのNiFe(80:20)や1.5TのNiFe(4
5:55)が一般的であり、最近では1.8 Tから2.0 TのCoNiF
eなどがあるが、微細化されたトラックポールとして安
定した状態で使用するには、1.8T程度の飽和磁束密度を
有する磁性材料を使用するのが一般である。しかし、上
述したようにトラックポールの幅をサブミクロンオーダ
と狭くした場合には、このような磁性材料では書き込み
に必要な大きな磁束を安定して得ることができず、さら
に飽和磁束密度の高い磁性材料を使用することが望まれ
ている。従来、トラックポールを高飽和磁束密度の磁性
材料で形成する場合には一般的にメッキ法が採用されて
いるが、幅の狭いトラックポールを安定に形成するに
は、スパッタ法を採用するのが有利である。そのような
観点から、飽和磁束密度が2.0TのFeNや2.4TのFeCoのス
パッタ膜でトラックポールを形成するのが有力である。
のきわめて高い面記録密度を実現するには、記録媒体で
ある磁気ディスクに保持力の大きな材料を使用する必要
がある。その理由は、保持力の大きな材料を使用しない
と、記録密度が高くなるのに伴って、熱ゆらぎ現象によ
って書きこまれたデータが消失してしまうためである。
このように高い保持力を有する材料を使用する場合に
は、書き込みには大きな磁束が必要とされるので、誘導
型薄膜磁気ヘッド素子としても大きな磁束を発生できる
ものが要求されることになる。誘導型薄膜磁気ヘッド素
子が発生する磁束を増大させる一般的な方法は、飽和磁
束密度の大きな磁性材料（Hi-Bs材料で飽和磁束密度が
1.8T（テスラ）以上）でトラックポールを形成すること
である。従来、飽和磁束密度の大きな磁性材料として
は、飽和磁束密度が1.0TのNiFe(80:20)や1.5TのNiFe(4
5:55)が一般的であり、最近では1.8 Tから2.0 TのCoNiF
eなどがあるが、微細化されたトラックポールとして安
定した状態で使用するには、1.8T程度の飽和磁束密度を
有する磁性材料を使用するのが一般である。しかし、上
述したようにトラックポールの幅をサブミクロンオーダ
と狭くした場合には、このような磁性材料では書き込み
に必要な大きな磁束を安定して得ることができず、さら
に飽和磁束密度の高い磁性材料を使用することが望まれ
ている。従来、トラックポールを高飽和磁束密度の磁性
材料で形成する場合には一般的にメッキ法が採用されて
いるが、幅の狭いトラックポールを安定に形成するに
は、スパッタ法を採用するのが有利である。そのような
観点から、飽和磁束密度が2.0TのFeNや2.4TのFeCoのス
パッタ膜でトラックポールを形成するのが有力である。
【０００６】図１〜９に、従来の標準的な複合型薄膜磁
気ヘッドの一例としてＧＭＲ素子を有するものの順次の
製造工程を示す断面図である。これらの図面において、
Ａはエアベアリング面に垂直な平面で切って示す断面図
であり、Ｂはエアーベアリング面に平行な平面で切って
示す断面図である。なおこの例は、磁気抵抗効果型の読
取用の薄膜磁気ヘッドの上に誘導型の書込用薄膜磁気ヘ
ッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドである。
気ヘッドの一例としてＧＭＲ素子を有するものの順次の
製造工程を示す断面図である。これらの図面において、
Ａはエアベアリング面に垂直な平面で切って示す断面図
であり、Ｂはエアーベアリング面に平行な平面で切って
示す断面図である。なおこの例は、磁気抵抗効果型の読
取用の薄膜磁気ヘッドの上に誘導型の書込用薄膜磁気ヘ
ッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドである。
【０００７】図１Ａ，１Ｂに示すように、AlTiCより成
る基板１の上に、例えばアルミナより成る絶縁膜２を約
２〜３μｍの膜厚に堆積し、さらにその上に再生用のＧ
ＭＲヘッド素子に対する磁気シールドを行うための磁性
材料より成る下部シールド膜３を形成する。次に、この
下部シールド膜３の上に３０〜３５ｎｍの膜厚のアルミ
ナより成る下部シールドギャップ膜４をスパッタリング
により形成した後、所定の層構造を有するＧＭＲ膜５を
形成し、さらにこのＧＭＲ膜に対する引出し電極６を、
リフトオフによって形成する。その後、アルミナのスパ
ッタリングにより上部シールドギャップ膜７を３０〜３
５ｎｍの膜厚に形成し、その上にＧＭＲ素子の上部磁気
シールド膜として作用する磁性材料膜８を、約３μｍの
膜厚に形成する。
る基板１の上に、例えばアルミナより成る絶縁膜２を約
２〜３μｍの膜厚に堆積し、さらにその上に再生用のＧ
ＭＲヘッド素子に対する磁気シールドを行うための磁性
材料より成る下部シールド膜３を形成する。次に、この
下部シールド膜３の上に３０〜３５ｎｍの膜厚のアルミ
ナより成る下部シールドギャップ膜４をスパッタリング
により形成した後、所定の層構造を有するＧＭＲ膜５を
形成し、さらにこのＧＭＲ膜に対する引出し電極６を、
リフトオフによって形成する。その後、アルミナのスパ
ッタリングにより上部シールドギャップ膜７を３０〜３
５ｎｍの膜厚に形成し、その上にＧＭＲ素子の上部磁気
シールド膜として作用する磁性材料膜８を、約３μｍの
膜厚に形成する。
【０００８】次に、再生用のＧＭＲヘッド素子と記録用
の誘導型薄膜磁気ヘッド素子を磁気的に分離して再生用
ＧＭＲヘッド素子の再生出力中のノイズを抑圧するため
のアルミナより成る分離膜９を約０．３μｍの膜厚に形
成した後、記録用ヘッド素子の下部ポール１０を１．５
〜２．０μｍの膜厚に形成する。この下部ポール１０
は、CoNiFeのメッキ法で形成されている。なお、図面で
は各部の膜厚の比率は実際のものとは必ずしも一致して
おらず、例えば分離膜９の膜厚は厚く描いてある。
の誘導型薄膜磁気ヘッド素子を磁気的に分離して再生用
ＧＭＲヘッド素子の再生出力中のノイズを抑圧するため
のアルミナより成る分離膜９を約０．３μｍの膜厚に形
成した後、記録用ヘッド素子の下部ポール１０を１．５
〜２．０μｍの膜厚に形成する。この下部ポール１０
は、CoNiFeのメッキ法で形成されている。なお、図面で
は各部の膜厚の比率は実際のものとは必ずしも一致して
おらず、例えば分離膜９の膜厚は厚く描いてある。
【０００９】次に、図２Ａ，２Ｂに示すように、下部ポ
ール１０の上に非磁性材料より成るライトギャップ膜１
１を、例えば１００ｎｍの膜厚に形成し、さらにその上
に高飽和磁束密度の磁性材料であるパーマロイより成る
上部トラックポール１２を所定のパターンにしたがって
形成する。これと同時に下部ポール１０と、後に形成さ
れる上部ポールとを磁気的に連結してバックギャップを
形成するための橋絡部１３を形成する。これら上部ポー
ル１２および橋絡部１３は、メッキによりおよそ３〜４
μｍの膜厚に形成する。
ール１０の上に非磁性材料より成るライトギャップ膜１
１を、例えば１００ｎｍの膜厚に形成し、さらにその上
に高飽和磁束密度の磁性材料であるパーマロイより成る
上部トラックポール１２を所定のパターンにしたがって
形成する。これと同時に下部ポール１０と、後に形成さ
れる上部ポールとを磁気的に連結してバックギャップを
形成するための橋絡部１３を形成する。これら上部ポー
ル１２および橋絡部１３は、メッキによりおよそ３〜４
μｍの膜厚に形成する。
【００１０】その後、実効書込みトラック巾の広がりを
防止するために、すなわちデータの書込み時に下部ポー
ル１０において磁束が広がるのを防止するために、上部
トラックポール１２の周囲のライトギャップ膜１１およ
びその下側の下部ポール１０をイオンミリングによって
エッチングしていわゆるトリム構造を形成する。その
後、全体の上に厚さ３μｍ程度のアルミナ絶縁膜１４を
形成し、化学機械研磨（ＣＭＰ）により表面を平坦とし
た状態を図３Ａ，３Ｂに示す。
防止するために、すなわちデータの書込み時に下部ポー
ル１０において磁束が広がるのを防止するために、上部
トラックポール１２の周囲のライトギャップ膜１１およ
びその下側の下部ポール１０をイオンミリングによって
エッチングしていわゆるトリム構造を形成する。その
後、全体の上に厚さ３μｍ程度のアルミナ絶縁膜１４を
形成し、化学機械研磨（ＣＭＰ）により表面を平坦とし
た状態を図３Ａ，３Ｂに示す。
【００１１】次に、図４Ａ，４Ｂに示すように、平坦と
した表面に、Cuより成る薄膜コイルを電解メッキにより
形成するために、Cuより成る１００ｎｍ程度の薄いシー
ド層１５をスパッタにより形成し、その上に所定の開口
パターンを有するフォトレジスト膜を形成した後、第１
層目の薄膜コイル１６を硫酸銅のメッキ液を用いる電解
メッキにより所定のパターンにしたがって１．５μｍの
膜厚に形成する。その後，フォトレジスト膜を除去した
後、シード層１５をアルゴンイオンビームを用いるイオ
ンミリングによって除去した様子を図５Ａ，５Ｂに示
す。このようにシード層１５を除去し、コイル巻回体相
互を分離して１つのコイル状の導体を形成する。このイ
オンビームミリングの際には、薄膜コイル１６のコイル
巻回体の底部にあるシード層１５が薄膜コイルよりも外
方に突出して残るのを抑止するために、イオンビームミ
リングは５〜１０°の角度を以て行なうようにしてい
る。このように、イオンビームミリングを垂直に近い角
度で行うと、イオンビームの衝撃によって飛散したシー
ド層１５の材料が再付着するようになるので、順次のコ
イル巻回体の間隔は広くしなければならない。
した表面に、Cuより成る薄膜コイルを電解メッキにより
形成するために、Cuより成る１００ｎｍ程度の薄いシー
ド層１５をスパッタにより形成し、その上に所定の開口
パターンを有するフォトレジスト膜を形成した後、第１
層目の薄膜コイル１６を硫酸銅のメッキ液を用いる電解
メッキにより所定のパターンにしたがって１．５μｍの
膜厚に形成する。その後，フォトレジスト膜を除去した
後、シード層１５をアルゴンイオンビームを用いるイオ
ンミリングによって除去した様子を図５Ａ，５Ｂに示
す。このようにシード層１５を除去し、コイル巻回体相
互を分離して１つのコイル状の導体を形成する。このイ
オンビームミリングの際には、薄膜コイル１６のコイル
巻回体の底部にあるシード層１５が薄膜コイルよりも外
方に突出して残るのを抑止するために、イオンビームミ
リングは５〜１０°の角度を以て行なうようにしてい
る。このように、イオンビームミリングを垂直に近い角
度で行うと、イオンビームの衝撃によって飛散したシー
ド層１５の材料が再付着するようになるので、順次のコ
イル巻回体の間隔は広くしなければならない。
【００１２】さらに、図６Ａ，６Ｂに示すように、この
第１層目の薄膜コイル１６を絶縁分離した状態で保持す
る絶縁膜１７をフォトレジストにより形成し、図７Ａ，
７Ｂに示すように、Cuより成るシード層１８を形成し、
電解メッキによって第２層目の薄膜コイル１９を所定の
パターンにしたがって１．５μｍの膜厚に形成する。次
に、シード層１８をイオンミリングよって除去した後、
第２層目の薄膜コイル１９を絶縁分離して支持するフォ
トレジストより成る絶縁膜２０を形成し、上部トラック
ポール１２および橋絡部１３と連結するようにパーマロ
イより成る上部ポール２１を約３μｍの膜厚に形成し、
全体をアルミナより成るオーバーコート膜２２で覆った
様子を図８Ａ，８Ｂに示す。なお、第１層目および第２
層目の薄膜コイル１６および１９の内周端同士を電気的
に接続するための接続部２３は、第２層目の薄膜コイル
１９を形成するときに同時形成する。最後に、ＧＭＲ膜
５、ライトギャップ１１、上部トラックポール１２など
が露出する端面を研磨してエアーベアリング面ＡＢＳを
形成し、スライダを完成する。実際の薄膜磁気ヘッドの
製造においては、上述した構造をウエファに多数形成し
た後、多数の薄膜磁気ヘッドが配列されたバーにウエフ
ァを分割し、このバーの側面を研磨してエアベアリング
面ＡＢＳを得るようにしている。
第１層目の薄膜コイル１６を絶縁分離した状態で保持す
る絶縁膜１７をフォトレジストにより形成し、図７Ａ，
７Ｂに示すように、Cuより成るシード層１８を形成し、
電解メッキによって第２層目の薄膜コイル１９を所定の
パターンにしたがって１．５μｍの膜厚に形成する。次
に、シード層１８をイオンミリングよって除去した後、
第２層目の薄膜コイル１９を絶縁分離して支持するフォ
トレジストより成る絶縁膜２０を形成し、上部トラック
ポール１２および橋絡部１３と連結するようにパーマロ
イより成る上部ポール２１を約３μｍの膜厚に形成し、
全体をアルミナより成るオーバーコート膜２２で覆った
様子を図８Ａ，８Ｂに示す。なお、第１層目および第２
層目の薄膜コイル１６および１９の内周端同士を電気的
に接続するための接続部２３は、第２層目の薄膜コイル
１９を形成するときに同時形成する。最後に、ＧＭＲ膜
５、ライトギャップ１１、上部トラックポール１２など
が露出する端面を研磨してエアーベアリング面ＡＢＳを
形成し、スライダを完成する。実際の薄膜磁気ヘッドの
製造においては、上述した構造をウエファに多数形成し
た後、多数の薄膜磁気ヘッドが配列されたバーにウエフ
ァを分割し、このバーの側面を研磨してエアベアリング
面ＡＢＳを得るようにしている。
【００１３】図９は、上述したようにして形成した従来
の複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示す断面図お
よび平面図である。下部ポール１０は広い面積を有して
いるが、上部トラックポール１２および上部ポール２１
は下部ポールよりも狭い面積を有している。書込み用ヘ
ッド素子の性能を決定する要因の一つにスロートハイト
ＴＨがある。このスロートハイトＴＨは、エアーベアリ
ング面ＡＢＳから絶縁膜１４のエッジまでの磁極部分の
距離であり、この距離をできるだけ短くすることが望ま
れている。また、再生用ヘッド素子の性能を決定する要
因の一つにＭＲハイトＭＲＨがある。このＭＲハイト
（ＭＲＨ）は、端面がエアーベアリング面ＡＢＳに露出
するＭＲ膜５の、エアーベアリング面から測った距離で
あり、薄膜磁気ヘッドの製造工程においては、エアーベ
アリング面ＡＢＳを研磨して形成する際の研磨量を制御
することによって所望のＭＲハイトＭＲＨを得るように
している。
の複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示す断面図お
よび平面図である。下部ポール１０は広い面積を有して
いるが、上部トラックポール１２および上部ポール２１
は下部ポールよりも狭い面積を有している。書込み用ヘ
ッド素子の性能を決定する要因の一つにスロートハイト
ＴＨがある。このスロートハイトＴＨは、エアーベアリ
ング面ＡＢＳから絶縁膜１４のエッジまでの磁極部分の
距離であり、この距離をできるだけ短くすることが望ま
れている。また、再生用ヘッド素子の性能を決定する要
因の一つにＭＲハイトＭＲＨがある。このＭＲハイト
（ＭＲＨ）は、端面がエアーベアリング面ＡＢＳに露出
するＭＲ膜５の、エアーベアリング面から測った距離で
あり、薄膜磁気ヘッドの製造工程においては、エアーベ
アリング面ＡＢＳを研磨して形成する際の研磨量を制御
することによって所望のＭＲハイトＭＲＨを得るように
している。
【００１４】上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハ
イトＭＲＨと共に薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因
としてエイペックスアングルθがある。このエイペック
スアングルθは、薄膜コイル１６を絶縁分離する絶縁膜
１７の側面の接線と上部ポール２８の上面との成す角度
として規定されるものであり、薄膜磁気ヘッドの微細化
を達成するためにはこのエイペックスアングルθをでき
るだけ大きくすることが要求されている。
イトＭＲＨと共に薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因
としてエイペックスアングルθがある。このエイペック
スアングルθは、薄膜コイル１６を絶縁分離する絶縁膜
１７の側面の接線と上部ポール２８の上面との成す角度
として規定されるものであり、薄膜磁気ヘッドの微細化
を達成するためにはこのエイペックスアングルθをでき
るだけ大きくすることが要求されている。
【００１５】
【発明が解決すべき課題】上述したような従来の複合型
薄膜磁気ヘッドにおける問題点について以下に説明す
る。薄膜コイル１６、１９を絶縁膜１７、２０によって
絶縁分離して保持するように形成した後、上部ポール２
１を形成するが、この際絶縁膜１７、２０のエッジの立
ち上がりに沿って上部ポール２１を所定のパターンにし
たがって形成する必要がある。このために約７〜１０μ
ｍの段差に上部ポール２１のパターンを規定するための
フォトレジストを３〜４μｍの膜厚で形成している。こ
こで、絶縁膜１６，１９のエッジ部分においては最低で
も３μｍの膜厚のフォトレジストが必要であるとする
と、このエッジの低部では８〜１０μｍの厚いフォトレ
ジストが形成されることになる。記録ヘッドのトラック
巾はトラックポール１２の巾によって主として規定され
るので、上部ポール２１は上部ポールほど微細加工が必
要ではないが、トラック巾をサブミクロンと微細化する
場合、特に０．２μｍ程度とする場合には、上部ポール
２１の磁極部分もサブミクロンオーダの微細化が要求さ
れるようになる。
薄膜磁気ヘッドにおける問題点について以下に説明す
る。薄膜コイル１６、１９を絶縁膜１７、２０によって
絶縁分離して保持するように形成した後、上部ポール２
１を形成するが、この際絶縁膜１７、２０のエッジの立
ち上がりに沿って上部ポール２１を所定のパターンにし
たがって形成する必要がある。このために約７〜１０μ
ｍの段差に上部ポール２１のパターンを規定するための
フォトレジストを３〜４μｍの膜厚で形成している。こ
こで、絶縁膜１６，１９のエッジ部分においては最低で
も３μｍの膜厚のフォトレジストが必要であるとする
と、このエッジの低部では８〜１０μｍの厚いフォトレ
ジストが形成されることになる。記録ヘッドのトラック
巾はトラックポール１２の巾によって主として規定され
るので、上部ポール２１は上部ポールほど微細加工が必
要ではないが、トラック巾をサブミクロンと微細化する
場合、特に０．２μｍ程度とする場合には、上部ポール
２１の磁極部分もサブミクロンオーダの微細化が要求さ
れるようになる。
【００１６】上述したように、上部ポール２１をメッキ
により所定のパターンに形成する際には、１０μｍ以上
の高低差のある上部トラックポール１２と絶縁膜１７，
２０の表面にフォトレジストを均一の膜厚にコーティン
グし、このフォトレジストに対して露光を行って上部ポ
ール２１の、サブミクロン巾の磁極部分を規定するパタ
ーンを形成する必要がある。すなわち、８〜１０μｍの
膜厚を有するフォトレジストでサブミクロンオーダのパ
ターンを形成する必要がある。上部ポール２１をメッキ
で形成するためには、シード層と呼ばれる薄いパーマロ
イ電極膜をスパッタリングにより予め形成しており、こ
のパーマロイ膜によりフォトリソグラフィの露光時の光
が反射される結果としてパターンの崩れが発生し、サブ
ミクロンオーダの微細なパターンを正確に形成すること
は非常に困難であった。
により所定のパターンに形成する際には、１０μｍ以上
の高低差のある上部トラックポール１２と絶縁膜１７，
２０の表面にフォトレジストを均一の膜厚にコーティン
グし、このフォトレジストに対して露光を行って上部ポ
ール２１の、サブミクロン巾の磁極部分を規定するパタ
ーンを形成する必要がある。すなわち、８〜１０μｍの
膜厚を有するフォトレジストでサブミクロンオーダのパ
ターンを形成する必要がある。上部ポール２１をメッキ
で形成するためには、シード層と呼ばれる薄いパーマロ
イ電極膜をスパッタリングにより予め形成しており、こ
のパーマロイ膜によりフォトリソグラフィの露光時の光
が反射される結果としてパターンの崩れが発生し、サブ
ミクロンオーダの微細なパターンを正確に形成すること
は非常に困難であった。
【００１７】上述したように、面記録密度を向上するた
めには磁極部分の微細化が必要であるが、これに伴って
少なくとも微細化された磁極部分を飽和磁束密度の高い
磁性材料で形成する必要がある。このような磁性材料と
しては、一般的にFeN, FeCoが知られているが、これら
の磁性材料はスパッタリングによって所定のパターンを
有する膜として形成することが困難である。スパッタリ
ングによって形成した磁性膜をパターニングするにはイ
オンミリングが用いられているが、エッチングレートが
低いと共にサブミクロンオーダのトラック巾を精度良く
制御することはできない。
めには磁極部分の微細化が必要であるが、これに伴って
少なくとも微細化された磁極部分を飽和磁束密度の高い
磁性材料で形成する必要がある。このような磁性材料と
しては、一般的にFeN, FeCoが知られているが、これら
の磁性材料はスパッタリングによって所定のパターンを
有する膜として形成することが困難である。スパッタリ
ングによって形成した磁性膜をパターニングするにはイ
オンミリングが用いられているが、エッチングレートが
低いと共にサブミクロンオーダのトラック巾を精度良く
制御することはできない。
【００１８】また、飽和磁束密度の高い磁性材料として
NiFe, CoNiFe、FeCoなども知られており、これらの磁性
材料はメッキ法によって比較的簡単に所望のパターンに
形成できる。例えば、NiFeでは、その組成比率をFeリッ
チ（５０％以上）とすることで、１．５〜１．６テスラ
（Ｔ）が得られ、比較的安定した組成コントロールも可
能である。しかしながら、面記録密度が１インチ平方当
たり８０〜１００Ｇｂとなるとトラック巾は０．２μｍ
以下のものが要求され、それに伴って飽和磁束密度のさ
らに高い磁性材料の使用が要求されるようになってき
た。そのためメッキ法によって磁性膜を形成する場合に
は、CoNiFeを用いることが有力視されているが、１．８
〜２．０Ｔ程度の磁気性能しか得られない。１インチ当
たり８０〜１００Ｇｂ程度の面記録密度を実現しようと
すると、２Ｔ程度の高飽和磁束密度を有する他の磁性材
料が望ましい。
NiFe, CoNiFe、FeCoなども知られており、これらの磁性
材料はメッキ法によって比較的簡単に所望のパターンに
形成できる。例えば、NiFeでは、その組成比率をFeリッ
チ（５０％以上）とすることで、１．５〜１．６テスラ
（Ｔ）が得られ、比較的安定した組成コントロールも可
能である。しかしながら、面記録密度が１インチ平方当
たり８０〜１００Ｇｂとなるとトラック巾は０．２μｍ
以下のものが要求され、それに伴って飽和磁束密度のさ
らに高い磁性材料の使用が要求されるようになってき
た。そのためメッキ法によって磁性膜を形成する場合に
は、CoNiFeを用いることが有力視されているが、１．８
〜２．０Ｔ程度の磁気性能しか得られない。１インチ当
たり８０〜１００Ｇｂ程度の面記録密度を実現しようと
すると、２Ｔ程度の高飽和磁束密度を有する他の磁性材
料が望ましい。
【００１９】誘導型薄膜磁気ヘッドの高周波数特性を決
める要因の一つに磁路長がある。この磁路長は、スロー
トハイト零の位置からバックギャップまでの距離として
定義されるが、この磁路長を短くすることによって高周
波数特性を向上することができる。薄膜コイルの順次の
コイル巻回体の間隔、すなわちコイルピッチを短くする
ことによって磁路長を短くすることができるが限界があ
る。そこで上述したように薄膜コイルを２層構造とする
ことが行われている。従来、２層構造の薄膜コイルを形
成する際には、１層目の薄膜コイルを形成した後、フォ
トレジスト絶縁膜を約２μｍの厚さに形成している。こ
の絶縁膜の外周面は丸みを帯びたものとなるので、２層
目の薄膜コイルを形成する際に、この傾斜部にも電解メ
ッキ用のシード層を形成すると、これを所定のパターン
にイオンミリングでエッチングする際に傾斜部の影の部
分は正確なエッチングが行われなくなり、コイル巻回体
が短絡してしまう恐れがある。したがって、２層目の薄
膜コイルは、絶縁膜の平坦部に形成する必要がある。
める要因の一つに磁路長がある。この磁路長は、スロー
トハイト零の位置からバックギャップまでの距離として
定義されるが、この磁路長を短くすることによって高周
波数特性を向上することができる。薄膜コイルの順次の
コイル巻回体の間隔、すなわちコイルピッチを短くする
ことによって磁路長を短くすることができるが限界があ
る。そこで上述したように薄膜コイルを２層構造とする
ことが行われている。従来、２層構造の薄膜コイルを形
成する際には、１層目の薄膜コイルを形成した後、フォ
トレジスト絶縁膜を約２μｍの厚さに形成している。こ
の絶縁膜の外周面は丸みを帯びたものとなるので、２層
目の薄膜コイルを形成する際に、この傾斜部にも電解メ
ッキ用のシード層を形成すると、これを所定のパターン
にイオンミリングでエッチングする際に傾斜部の影の部
分は正確なエッチングが行われなくなり、コイル巻回体
が短絡してしまう恐れがある。したがって、２層目の薄
膜コイルは、絶縁膜の平坦部に形成する必要がある。
【００２０】例えば、第１層目の薄膜コイルの膜厚が２
〜３μｍで、その上に形成されるフォトレジスト絶縁膜
の膜厚が２μｍであるとし、その傾斜部のエイペックス
アングルが４５〜５５°であるとすると、スロートハイ
ト零の基準位置から第１層目の薄膜コイルの外周面まで
の距離のほぼ２倍の６〜８μｍの距離だけは、第２層目
の薄膜コイルの外周面をスロートハイト零の基準位置か
ら後退させる必要があり、それだけ磁路長が長くなって
しまう。例えば、薄膜コイルのライン／スペースを１．
５μｍ／０．５μｍとし、合計で１１個のコイル巻回体
を２層の薄膜コイルで形成する場合、第１層目に６つの
コイル巻回体を形成し、第２層目に５つのコイル巻回体
を形成することになり、薄膜コイルが占める長さは１
１．５μｍとなる。したがって、従来の薄膜磁気ヘッド
においては、磁路長を短くすることができず、高周波数
特性の改善が阻害されている。
〜３μｍで、その上に形成されるフォトレジスト絶縁膜
の膜厚が２μｍであるとし、その傾斜部のエイペックス
アングルが４５〜５５°であるとすると、スロートハイ
ト零の基準位置から第１層目の薄膜コイルの外周面まで
の距離のほぼ２倍の６〜８μｍの距離だけは、第２層目
の薄膜コイルの外周面をスロートハイト零の基準位置か
ら後退させる必要があり、それだけ磁路長が長くなって
しまう。例えば、薄膜コイルのライン／スペースを１．
５μｍ／０．５μｍとし、合計で１１個のコイル巻回体
を２層の薄膜コイルで形成する場合、第１層目に６つの
コイル巻回体を形成し、第２層目に５つのコイル巻回体
を形成することになり、薄膜コイルが占める長さは１
１．５μｍとなる。したがって、従来の薄膜磁気ヘッド
においては、磁路長を短くすることができず、高周波数
特性の改善が阻害されている。
【００２１】上述したようにして形成された従来の複合
型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に書き込み用の誘導型
薄膜磁気ヘッドの微細化の点で問題がある。すなわち、
図９に示すように、下部ポール１０および上部ポール２
１の、薄膜コイル１６，１９のコイル巻回体を囲む部分
の長さである磁路長ＬＭ を短くすることによって、誘
導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux Rise
Time）や非線形トランジションシフト（Non-linear
Transition Shift:NLTS）特性や重ね書き（Over Writ
e) 特性などを改善できることが知られている。この磁
路長ＬＭ を短くするためには、薄膜コイル１６，１９
の、下部ポール１０および上部ポール２１によって囲ま
れる部分のコイル巾ＬＣ を短くする必要があるが、従
来の薄膜磁気ヘッドでは、以下に説明するようにこのコ
イル巾ＬＣ を短くすることができなかった。
型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に書き込み用の誘導型
薄膜磁気ヘッドの微細化の点で問題がある。すなわち、
図９に示すように、下部ポール１０および上部ポール２
１の、薄膜コイル１６，１９のコイル巻回体を囲む部分
の長さである磁路長ＬＭ を短くすることによって、誘
導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux Rise
Time）や非線形トランジションシフト（Non-linear
Transition Shift:NLTS）特性や重ね書き（Over Writ
e) 特性などを改善できることが知られている。この磁
路長ＬＭ を短くするためには、薄膜コイル１６，１９
の、下部ポール１０および上部ポール２１によって囲ま
れる部分のコイル巾ＬＣ を短くする必要があるが、従
来の薄膜磁気ヘッドでは、以下に説明するようにこのコ
イル巾ＬＣ を短くすることができなかった。
【００２２】誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル巾ＬＣ を
短くするためには、薄膜コイルの各コイル巻回体の巾を
小さくするとともに順次のコイル巻回体の間隔を狭くす
る必要があるが、薄膜コイルの電気抵抗を小さくするた
めには、コイル巻回体の巾を短くすることには制限があ
る。すなわち、薄膜コイルの抵抗値を低くするために、
導電率の高い銅を用いても、薄膜コイルの高さは２〜３
μm に制限されるので、コイル巻回体の幅を１．５μm
よりも狭くすることができない。これよりもコイル巻
回体の幅を狭くすると、発熱によってＧＭＴ膜１５の特
性が劣化する恐れがある。さらに、下部ポール１０や上
部ポール２１も加熱されて膨張し、ポール突出という現
象が生じ、薄膜磁気ヘッドと記録媒体とが衝突するとい
う大きな問題を引き起こすこともある。したがって、コ
イル巻回体の幅を狭くすることなく、コイル幅ＬＣ を
短くするには、コイル巻回体の間隔を狭くする必要があ
る。
短くするためには、薄膜コイルの各コイル巻回体の巾を
小さくするとともに順次のコイル巻回体の間隔を狭くす
る必要があるが、薄膜コイルの電気抵抗を小さくするた
めには、コイル巻回体の巾を短くすることには制限があ
る。すなわち、薄膜コイルの抵抗値を低くするために、
導電率の高い銅を用いても、薄膜コイルの高さは２〜３
μm に制限されるので、コイル巻回体の幅を１．５μm
よりも狭くすることができない。これよりもコイル巻
回体の幅を狭くすると、発熱によってＧＭＴ膜１５の特
性が劣化する恐れがある。さらに、下部ポール１０や上
部ポール２１も加熱されて膨張し、ポール突出という現
象が生じ、薄膜磁気ヘッドと記録媒体とが衝突するとい
う大きな問題を引き起こすこともある。したがって、コ
イル巻回体の幅を狭くすることなく、コイル幅ＬＣ を
短くするには、コイル巻回体の間隔を狭くする必要があ
る。
【００２３】しかし、従来の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、薄膜コイルのコイル巻回体１６，１９の間隔を狭く
することができない。以下、その理由を説明する。上述
したように硫酸銅を用いる電解メッキ法により薄膜コイ
ルのコイル巻回体を形成しているが、シード層の上に形
成したフォトレジスト膜に形成した開口内に、ウエファ
全体に亘って均一に銅を堆積させるためにシード層を１
００ｎｍの膜厚で形成し、このシード層が露出している
開口内に選択的に銅が堆積されるように電解メッキ処理
を施してコイル巻回体を形成した後、個々のコイル巻回
体を分離するために、シード層を選択的に除去してい
る。このシード層の除去には、上述したように、コイル
巻回体をマスクとして、例えばアルゴンを用いるイオン
ビームミリングを採用している。
は、薄膜コイルのコイル巻回体１６，１９の間隔を狭く
することができない。以下、その理由を説明する。上述
したように硫酸銅を用いる電解メッキ法により薄膜コイ
ルのコイル巻回体を形成しているが、シード層の上に形
成したフォトレジスト膜に形成した開口内に、ウエファ
全体に亘って均一に銅を堆積させるためにシード層を１
００ｎｍの膜厚で形成し、このシード層が露出している
開口内に選択的に銅が堆積されるように電解メッキ処理
を施してコイル巻回体を形成した後、個々のコイル巻回
体を分離するために、シード層を選択的に除去してい
る。このシード層の除去には、上述したように、コイル
巻回体をマスクとして、例えばアルゴンを用いるイオン
ビームミリングを採用している。
【００２４】ここで、コイル巻回体間のシード層を除去
するには、イオンビームミリングを基体表面に対して垂
直な方向から行なうのが良いが、このようにすると、エ
ッチングされた銅の残渣の再付着が発生し、順次のコイ
ル巻回体間の絶縁不良が起こるので、コイル巻回体の間
隔を狭くすることができない。このような欠点を除去し
ようとして、５〜１０°の角度を以てイオンビームミリ
ングを行うと、フォトレジスト膜の影の部分にはイオン
が十分に照射されず、シード層が部分的に残ってしま
う。したがって、コイル巻回体間の絶縁不良を回避する
ためには、コイル巻回体の間の間隔を狭くすることがで
きない。したがって、従来では、コイル巻回体間の間隔
を０．３〜０．５μm と広くしており、これよりも狭
くするには上に述べているように新たな困難な問題が発
生し、コイル巻回体の間隔を狭くすることができなかっ
た。
するには、イオンビームミリングを基体表面に対して垂
直な方向から行なうのが良いが、このようにすると、エ
ッチングされた銅の残渣の再付着が発生し、順次のコイ
ル巻回体間の絶縁不良が起こるので、コイル巻回体の間
隔を狭くすることができない。このような欠点を除去し
ようとして、５〜１０°の角度を以てイオンビームミリ
ングを行うと、フォトレジスト膜の影の部分にはイオン
が十分に照射されず、シード層が部分的に残ってしま
う。したがって、コイル巻回体間の絶縁不良を回避する
ためには、コイル巻回体の間の間隔を狭くすることがで
きない。したがって、従来では、コイル巻回体間の間隔
を０．３〜０．５μm と広くしており、これよりも狭
くするには上に述べているように新たな困難な問題が発
生し、コイル巻回体の間隔を狭くすることができなかっ
た。
【００２５】さらに、上述した電解メッキ法によって薄
膜コイル１６，１９を形成する際には、薄膜コイルの膜
厚の均一性を確保するために、硫酸銅のようなメッキ液
を攪拌する必要があるが、ここで薄膜コイルのコイル巻
回体の間隔を狭くするためにフォトレジスト膜の開口を
画成する壁の幅を薄くすると、電解液の攪拌によってこ
の薄い壁が倒壊してしまい、薄膜コイルを正確に形成す
ることができず、この点からも薄膜コイルのコイル巻回
体の間隔を狭くすることができなかった。
膜コイル１６，１９を形成する際には、薄膜コイルの膜
厚の均一性を確保するために、硫酸銅のようなメッキ液
を攪拌する必要があるが、ここで薄膜コイルのコイル巻
回体の間隔を狭くするためにフォトレジスト膜の開口を
画成する壁の幅を薄くすると、電解液の攪拌によってこ
の薄い壁が倒壊してしまい、薄膜コイルを正確に形成す
ることができず、この点からも薄膜コイルのコイル巻回
体の間隔を狭くすることができなかった。
【００２６】誘導型薄膜磁気ヘッドのＮＬＴＳ特性を向
上するために、薄膜コイルのコイル巻回数を多くするこ
とが考えられる。しかし、磁路長を短くしたままでコイ
ル巻回数を多くするには、薄膜コイル層の層数を４層、
５層と多くする必要があり、これによってエイペックス
アングルが大きくなってしまい、狭トラック幅を達成す
ることができなくなるという問題があった。エイペック
スアングルを所定の範囲に収めるためには、薄膜コイル
層の層数は３層以下、好適には２層以下とするのが望ま
しいが、これではコイル巻回数を多くすることはでき
ず、したがってＮＬＴＳ特性を改善することができな
い。
上するために、薄膜コイルのコイル巻回数を多くするこ
とが考えられる。しかし、磁路長を短くしたままでコイ
ル巻回数を多くするには、薄膜コイル層の層数を４層、
５層と多くする必要があり、これによってエイペックス
アングルが大きくなってしまい、狭トラック幅を達成す
ることができなくなるという問題があった。エイペック
スアングルを所定の範囲に収めるためには、薄膜コイル
層の層数は３層以下、好適には２層以下とするのが望ま
しいが、これではコイル巻回数を多くすることはでき
ず、したがってＮＬＴＳ特性を改善することができな
い。
【００２７】さらに、上述したように２層の薄膜コイル
を設ける場合、第２層目の薄膜コイル１９の外周近傍で
は絶縁膜１７が平坦ではなく湾曲しているので、第２層
目の薄膜コイル１９が垂直に形成されなくなる。例え
ば、０．３μｍ以下のスペースを持った薄膜コイルを
１．５μｍ以上の膜厚で形成する場合、上述したように
垂直に形成されない薄膜コイルのコイル巻回体の間に存
在するシード層１８にはアルゴンイオンが有効に入って
いかず、またウエファの中心部と周辺部とではイオンミ
リングの角度が異なることから、シード層１８が十分に
エッチングされずに残ってしまうことがしばしばある。
さらに、コイル巻回体のスペースが狭い場合、イオンミ
リングのアルゴン粒子がこの狭いスペースに入っていっ
たとしても、アルゴン粒子と一緒に運び去られたCu粒子
が再びコイル巻回体の側壁に付着することがある。この
ようなエッチング残滓があると、コイル巻回体が短絡さ
れてしまう恐れがある。
を設ける場合、第２層目の薄膜コイル１９の外周近傍で
は絶縁膜１７が平坦ではなく湾曲しているので、第２層
目の薄膜コイル１９が垂直に形成されなくなる。例え
ば、０．３μｍ以下のスペースを持った薄膜コイルを
１．５μｍ以上の膜厚で形成する場合、上述したように
垂直に形成されない薄膜コイルのコイル巻回体の間に存
在するシード層１８にはアルゴンイオンが有効に入って
いかず、またウエファの中心部と周辺部とではイオンミ
リングの角度が異なることから、シード層１８が十分に
エッチングされずに残ってしまうことがしばしばある。
さらに、コイル巻回体のスペースが狭い場合、イオンミ
リングのアルゴン粒子がこの狭いスペースに入っていっ
たとしても、アルゴン粒子と一緒に運び去られたCu粒子
が再びコイル巻回体の側壁に付着することがある。この
ようなエッチング残滓があると、コイル巻回体が短絡さ
れてしまう恐れがある。
【００２８】特公昭５５−４１０１２号公報には、第１
および第２の薄膜コイル半部を層間絶縁膜を介して交互
に配置した薄膜コイルが開示されている。この公報の第
７図には、第１層目の薄膜コイルの第１および第２の薄
膜コイル半部を左巻きに構成し、第２層目の薄膜コイル
の第１および第２の薄膜コイル半部を右巻きに形成し、
内側の接点パッド同士および外側の接点パッド同士を接
続することによって同一方向に電流が流れるようにした
構成が示されている。しかしながら、この従来の薄膜コ
イルでは、第１の薄膜コイル半部を形成した後、全体に
亘って層間絶縁膜および導電膜をスパッタまたは蒸着に
よって形成し、さらにその上に選択的にマスクを形成
し、導電膜の、第１の薄膜コイル半部の上に形成されて
いる部分を選択的にエッチングし、第１の薄膜コイル半
部の順次のコイル巻回体の間のスペースを埋める部分を
残して第２の薄膜コイル半部を形成している。したがっ
て、第１および第２の薄膜コイル半部は自己整合的に形
成されておらず、コイル巻回体の間隔をサブミクロンの
オーダまで微細化することはできない。
および第２の薄膜コイル半部を層間絶縁膜を介して交互
に配置した薄膜コイルが開示されている。この公報の第
７図には、第１層目の薄膜コイルの第１および第２の薄
膜コイル半部を左巻きに構成し、第２層目の薄膜コイル
の第１および第２の薄膜コイル半部を右巻きに形成し、
内側の接点パッド同士および外側の接点パッド同士を接
続することによって同一方向に電流が流れるようにした
構成が示されている。しかしながら、この従来の薄膜コ
イルでは、第１の薄膜コイル半部を形成した後、全体に
亘って層間絶縁膜および導電膜をスパッタまたは蒸着に
よって形成し、さらにその上に選択的にマスクを形成
し、導電膜の、第１の薄膜コイル半部の上に形成されて
いる部分を選択的にエッチングし、第１の薄膜コイル半
部の順次のコイル巻回体の間のスペースを埋める部分を
残して第２の薄膜コイル半部を形成している。したがっ
て、第１および第２の薄膜コイル半部は自己整合的に形
成されておらず、コイル巻回体の間隔をサブミクロンの
オーダまで微細化することはできない。
【００２９】本発明者は、上述した問題を少なくとも軽
減するために、アメリカ特許第6,191,916および6,204,9
97において、第１の薄膜コイル半部をシード層を用いる
電解メッキで形成した後、全体に亘って薄い層間絶縁膜
およびシード層を形成し、第１の薄膜コイル半部の順次
のコイル巻回体の間のスペースに開口を有するフォトレ
ジスト膜を形成し、これをマスクとして電解メッキを施
して第２の薄膜コイル半部を形成する方法を提案してい
る。このような薄膜コイルの製造方法によれば、第１お
よび第２の薄膜コイル半部を電解メッキによって正確に
形成することができる。しかしながら、第２の薄膜コイ
ル半部を形成するために所定のパターンの開口を有する
フォトレジスト膜を用いているので、第１および第２の
薄膜コイル半部を自己整合的に形成することはできず、
したがって順次のコイル巻回体の間のスペースをクオー
ターミクロンオーダと狭くすることは困難である。
減するために、アメリカ特許第6,191,916および6,204,9
97において、第１の薄膜コイル半部をシード層を用いる
電解メッキで形成した後、全体に亘って薄い層間絶縁膜
およびシード層を形成し、第１の薄膜コイル半部の順次
のコイル巻回体の間のスペースに開口を有するフォトレ
ジスト膜を形成し、これをマスクとして電解メッキを施
して第２の薄膜コイル半部を形成する方法を提案してい
る。このような薄膜コイルの製造方法によれば、第１お
よび第２の薄膜コイル半部を電解メッキによって正確に
形成することができる。しかしながら、第２の薄膜コイ
ル半部を形成するために所定のパターンの開口を有する
フォトレジスト膜を用いているので、第１および第２の
薄膜コイル半部を自己整合的に形成することはできず、
したがって順次のコイル巻回体の間のスペースをクオー
ターミクロンオーダと狭くすることは困難である。
【００３０】上述したように、第１および第２の薄膜コ
イル半部の最内周のコイル巻回体の端部は配線を介して
それぞれ所定の部位に接続されているが、このためにこ
れらコイル巻回体の端部の幅を広くしている。しかしな
がら、これら第１および第２の薄膜コイル半部の最内周
のコイル巻回体の端部の幅を広くしても、これら端部
は、層間絶縁膜を介してバックギャップを構成する磁性
材料より成る橋絡部に隣接しているので、これらの間を
良好に絶縁分離することができず、第１および第２の薄
膜コイル半部が短絡してしまう恐れがある。一方、この
ような短絡を防止できる程度に層間絶縁膜の膜厚を厚く
すると、コイル巾Ｌｃ を短くすることができない。
イル半部の最内周のコイル巻回体の端部は配線を介して
それぞれ所定の部位に接続されているが、このためにこ
れらコイル巻回体の端部の幅を広くしている。しかしな
がら、これら第１および第２の薄膜コイル半部の最内周
のコイル巻回体の端部の幅を広くしても、これら端部
は、層間絶縁膜を介してバックギャップを構成する磁性
材料より成る橋絡部に隣接しているので、これらの間を
良好に絶縁分離することができず、第１および第２の薄
膜コイル半部が短絡してしまう恐れがある。一方、この
ような短絡を防止できる程度に層間絶縁膜の膜厚を厚く
すると、コイル巾Ｌｃ を短くすることができない。
【００３１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、誘導型
薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの最内周のコイル巻回体の
端部での短絡を有効に防止しつつコイル巻回体の間隔を
狭くしてコイル巾ＬＣを狭くし、その結果として磁路長
ＬＭ を短くして性能を改善できる薄膜磁気ヘッドおよ
びそのような薄膜磁気ヘッドを容易且つ正確に製造でき
る方法を提供しようとするものである。
薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの最内周のコイル巻回体の
端部での短絡を有効に防止しつつコイル巻回体の間隔を
狭くしてコイル巾ＬＣを狭くし、その結果として磁路長
ＬＭ を短くして性能を改善できる薄膜磁気ヘッドおよ
びそのような薄膜磁気ヘッドを容易且つ正確に製造でき
る方法を提供しようとするものである。
【００３２】本発明の他の目的は、磁路長を短くして高
周波数特性を改善すると共にクオーターミクロンオーダ
の微細なポールチップを有し、サイドライトを防止しつ
つ、面記録密度を向上することができる薄膜磁気ヘッド
およびそのような薄膜磁気ヘッドを正確且つ容易に製造
できる方法を提供しようとするものである。
周波数特性を改善すると共にクオーターミクロンオーダ
の微細なポールチップを有し、サイドライトを防止しつ
つ、面記録密度を向上することができる薄膜磁気ヘッド
およびそのような薄膜磁気ヘッドを正確且つ容易に製造
できる方法を提供しようとするものである。
【００３３】本発明による薄膜磁気ヘッドは、磁気記録
媒体と対向する磁極部分を有する磁性材料より成る下部
ポールと、この下部ポールの磁極部分の端面とともにエ
アベアリング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリ
ング面から離れたバックギャップにおいて下部ポールと
磁気的に連結された磁性材料より成る上部ポールと、少
なくとも前記エアベアリング面において下部ポールの磁
極部分と上部ポールの磁極部分との間に介挿された非磁
性材料より成るライトギャップ膜と、前記下部ポールお
よび上部ポールの間に、絶縁分離された状態で配設され
た部分を有する薄膜コイルと、前記下部ポール、上部ポ
ール、ライトギャップ膜および薄膜コイルを支持する基
体とを具える薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜コイル
が、所定の間隔を置いて形成されたコイル巻回体を有す
る第１の薄膜コイル半部と、この第１の薄膜コイル半部
の順次のコイル巻回体の間に、第１の薄膜コイル半部の
コイル巻回体と自己整合的に形成されたコイル巻回体を
有する第２の薄膜コイル半部と、これら第１および第２
の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体間のスペースを
埋めるように形成された層間絶縁膜と、前記第１および
第２の薄膜コイル半部のいずれか一方の最内周のコイル
巻回体と、他方の薄膜コイル半部の最外周のコイル巻回
体との間を電気的に接続するジャンパ配線とを具えるも
のである。
媒体と対向する磁極部分を有する磁性材料より成る下部
ポールと、この下部ポールの磁極部分の端面とともにエ
アベアリング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリ
ング面から離れたバックギャップにおいて下部ポールと
磁気的に連結された磁性材料より成る上部ポールと、少
なくとも前記エアベアリング面において下部ポールの磁
極部分と上部ポールの磁極部分との間に介挿された非磁
性材料より成るライトギャップ膜と、前記下部ポールお
よび上部ポールの間に、絶縁分離された状態で配設され
た部分を有する薄膜コイルと、前記下部ポール、上部ポ
ール、ライトギャップ膜および薄膜コイルを支持する基
体とを具える薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜コイル
が、所定の間隔を置いて形成されたコイル巻回体を有す
る第１の薄膜コイル半部と、この第１の薄膜コイル半部
の順次のコイル巻回体の間に、第１の薄膜コイル半部の
コイル巻回体と自己整合的に形成されたコイル巻回体を
有する第２の薄膜コイル半部と、これら第１および第２
の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体間のスペースを
埋めるように形成された層間絶縁膜と、前記第１および
第２の薄膜コイル半部のいずれか一方の最内周のコイル
巻回体と、他方の薄膜コイル半部の最外周のコイル巻回
体との間を電気的に接続するジャンパ配線とを具えるも
のである。
【００３４】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドは、磁
気記録媒体と対向する磁極部分を有する磁性材料より成
る下部ポールと、この下部ポールの磁極部分の端面とと
もにエアベアリング面を構成する磁極部分を有し、エア
ベアリング面から離れたバックギャップにおいて磁性材
料より成る橋絡部を介して下部ポールと磁気的に連結さ
れた磁性材料より成る上部ポールと、少なくとも前記エ
アベアリング面において下部ポールの磁極部分と上部ポ
ールの磁極部分との間に介挿された非磁性材料より成る
ライトギャップ膜と、前記下部ポールおよび上部ポール
の間に、絶縁分離された状態で配設された部分を有する
薄膜コイルと、前記下部ポールおよび上部ポール、ライ
トギャップ膜および薄膜コイルを支持する基体とを具え
る薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜コイルが、所定の
間隔を置いて形成されたコイル巻回体を有する第１の薄
膜コイル半部と、この第１の薄膜コイル半部の順次のコ
イル巻回体の間に、第１の薄膜コイル半部のコイル巻回
体と自己整合的に形成されたコイル巻回体を有する第２
の薄膜コイル半部と、これら第１および第２の薄膜コイ
ル半部の順次のコイル巻回体間のスペースを埋めるよう
に形成された層間絶縁膜とを有し、前記第１および第２
の薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体の端部を他の
部分の幅よりも広くし、これら端部と前記バックギャッ
プの橋絡部との間に前記層間絶縁膜よりも厚い絶縁膜を
設けたものである。
気記録媒体と対向する磁極部分を有する磁性材料より成
る下部ポールと、この下部ポールの磁極部分の端面とと
もにエアベアリング面を構成する磁極部分を有し、エア
ベアリング面から離れたバックギャップにおいて磁性材
料より成る橋絡部を介して下部ポールと磁気的に連結さ
れた磁性材料より成る上部ポールと、少なくとも前記エ
アベアリング面において下部ポールの磁極部分と上部ポ
ールの磁極部分との間に介挿された非磁性材料より成る
ライトギャップ膜と、前記下部ポールおよび上部ポール
の間に、絶縁分離された状態で配設された部分を有する
薄膜コイルと、前記下部ポールおよび上部ポール、ライ
トギャップ膜および薄膜コイルを支持する基体とを具え
る薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜コイルが、所定の
間隔を置いて形成されたコイル巻回体を有する第１の薄
膜コイル半部と、この第１の薄膜コイル半部の順次のコ
イル巻回体の間に、第１の薄膜コイル半部のコイル巻回
体と自己整合的に形成されたコイル巻回体を有する第２
の薄膜コイル半部と、これら第１および第２の薄膜コイ
ル半部の順次のコイル巻回体間のスペースを埋めるよう
に形成された層間絶縁膜とを有し、前記第１および第２
の薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体の端部を他の
部分の幅よりも広くし、これら端部と前記バックギャッ
プの橋絡部との間に前記層間絶縁膜よりも厚い絶縁膜を
設けたものである。
【００３５】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドは、基
板と、この基板によって支持され、エアーベアリング面
を規定するように積層された誘導型薄膜磁気ヘッド素子
を具える薄膜磁気ヘッドであって、前記誘導型薄膜磁気
ヘッド素子が、前記エアーベアリング面から内方に延在
する磁性材料より成る下部ポールと、この下部ポールの
一方の表面上に、前記エアーベアリング面から少なくと
もトラックポールの長さに相当する距離だけ内方に延在
するように形成された非磁性材料より成るライトギャッ
プ膜と、このライトギャップ膜の、前記下部ポールと接
触する表面とは反対側の表面に、前記エアーベアリング
面からスロートハイト零の基準位置まで延在するように
形成された磁性材料より成る下部トラックポールと、こ
の下部トラックポールのスロートハイト零の基準位置を
規定する内方端面と接触する外方端面を有し、前記下部
トラックポールの、前記ライトギャップ膜と接触する第
１の表面とは反対側の第２の表面と同一面となるように
平坦化された表面を構成するように形成された第１の非
磁性材料膜と、前記下部トラックポールおよび第１の非
磁性材料膜の平坦化された表面に、前記エアーベアリン
グ面から前記第１の非磁性材料膜の内方端面を超えて内
方に延在するように形成され、先端がエアーベアリング
面に露出するトラックポール部と、これに連続し、トラ
ックポール部よりも幅の広いコンタクト部とを有する磁
性材料より成る上部トラックポールと、前記下部トラッ
クポール、第１の非磁性材料膜および上部トラックポー
ルの整列された側面を囲み、前記上部トラックポール
の、前記下部トラックポールおよび第１の非磁性材料膜
の平坦化された表面と接触する第１の表面とは反対側の
第２の表面と同一面となるように平坦化された表面を有
する第２の非磁性材料膜と、前記第２の非磁性材料膜
の、前記第１の非磁性材料膜および前記上部トラックポ
ールのコンタクト部の互いに整列された端面と接触する
端面よりも内側において電気的に絶縁分離された状態で
形成された薄膜コイルと、一端が前記上部トラックポー
ルのコンタクト部と磁気的に連結され、他端がエアーベ
アリング面とは反対側のバックギャップにおいて磁性材
料より成る橋絡部を介して前記下部ポールと磁気的に連
結され、下部ポールと共に前記薄膜コイルの一部分を囲
むように形成された磁性材料より成る上部ポールと、を
具え、前記薄膜コイルが、所定の間隔を置いて形成され
たコイル巻回体を有する第１の薄膜コイル半部と、この
第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体の間に、第
１の薄膜コイル半部のコイル巻回体と自己整合的に形成
されたコイル巻回体を有する第２の薄膜コイル半部と、
これら第１および第２の薄膜コイル半部の順次のコイル
巻回体間のスペースを埋めるように形成された層間絶縁
膜と、前記第１および第２の薄膜コイル半部のいずれか
一方の最内周のコイル巻回体と、他方の薄膜コイル半部
の最外周のコイル巻回体との間を電気的に接続するジャ
ンパ配線とを具えるものである。
板と、この基板によって支持され、エアーベアリング面
を規定するように積層された誘導型薄膜磁気ヘッド素子
を具える薄膜磁気ヘッドであって、前記誘導型薄膜磁気
ヘッド素子が、前記エアーベアリング面から内方に延在
する磁性材料より成る下部ポールと、この下部ポールの
一方の表面上に、前記エアーベアリング面から少なくと
もトラックポールの長さに相当する距離だけ内方に延在
するように形成された非磁性材料より成るライトギャッ
プ膜と、このライトギャップ膜の、前記下部ポールと接
触する表面とは反対側の表面に、前記エアーベアリング
面からスロートハイト零の基準位置まで延在するように
形成された磁性材料より成る下部トラックポールと、こ
の下部トラックポールのスロートハイト零の基準位置を
規定する内方端面と接触する外方端面を有し、前記下部
トラックポールの、前記ライトギャップ膜と接触する第
１の表面とは反対側の第２の表面と同一面となるように
平坦化された表面を構成するように形成された第１の非
磁性材料膜と、前記下部トラックポールおよび第１の非
磁性材料膜の平坦化された表面に、前記エアーベアリン
グ面から前記第１の非磁性材料膜の内方端面を超えて内
方に延在するように形成され、先端がエアーベアリング
面に露出するトラックポール部と、これに連続し、トラ
ックポール部よりも幅の広いコンタクト部とを有する磁
性材料より成る上部トラックポールと、前記下部トラッ
クポール、第１の非磁性材料膜および上部トラックポー
ルの整列された側面を囲み、前記上部トラックポール
の、前記下部トラックポールおよび第１の非磁性材料膜
の平坦化された表面と接触する第１の表面とは反対側の
第２の表面と同一面となるように平坦化された表面を有
する第２の非磁性材料膜と、前記第２の非磁性材料膜
の、前記第１の非磁性材料膜および前記上部トラックポ
ールのコンタクト部の互いに整列された端面と接触する
端面よりも内側において電気的に絶縁分離された状態で
形成された薄膜コイルと、一端が前記上部トラックポー
ルのコンタクト部と磁気的に連結され、他端がエアーベ
アリング面とは反対側のバックギャップにおいて磁性材
料より成る橋絡部を介して前記下部ポールと磁気的に連
結され、下部ポールと共に前記薄膜コイルの一部分を囲
むように形成された磁性材料より成る上部ポールと、を
具え、前記薄膜コイルが、所定の間隔を置いて形成され
たコイル巻回体を有する第１の薄膜コイル半部と、この
第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体の間に、第
１の薄膜コイル半部のコイル巻回体と自己整合的に形成
されたコイル巻回体を有する第２の薄膜コイル半部と、
これら第１および第２の薄膜コイル半部の順次のコイル
巻回体間のスペースを埋めるように形成された層間絶縁
膜と、前記第１および第２の薄膜コイル半部のいずれか
一方の最内周のコイル巻回体と、他方の薄膜コイル半部
の最外周のコイル巻回体との間を電気的に接続するジャ
ンパ配線とを具えるものである。
【００３６】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドは、基
板と、この基板によって支持され、エアーベアリング面
を規定するように積層された誘導型薄膜磁気ヘッド素子
を具える薄膜磁気ヘッドであって、前記誘導型薄膜磁気
ヘッド素子が、前記基板上に、エアーベアリング面から
内方に延在するように形成された磁性材料より成る下部
ポールと、この下部ポールの一方の表面上に、前記エア
ーベアリング面からスロートハイト零の基準位置まで延
在するように形成された磁性材料より成る下部トラック
ポールと、前記下部ポールの一方の表面上に、前記エア
ーベアリング面から離れた位置においてバックギャップ
を構成するように形成された磁性材料より成る橋絡部
と、前記下部ポールの一方の表面上に、下部ポールとは
反対側の表面が前記下部トラックポールの表面と同一面
となるように形成された薄膜コイルと、前記下部トラッ
クポールおよび薄膜コイルの平坦な表面の上に平坦に形
成された非磁性材料より成るライトギャップ膜と、この
ライトギャップ膜の、前記下部トラックポールと接触す
る側とは反対側の表面に形成され、前記下部トラックポ
ールと整列する上部トラックポールが一体的に形成され
ているとともに前記橋絡部と接触するように形成された
磁性材料より成る上部ポールと、を具え、前記薄膜コイ
ルが、所定の間隔を置いて形成されたコイル巻回体を有
する第１の薄膜コイル半部と、この第１の薄膜コイル半
部の順次のコイル巻回体の間に、第１の薄膜コイル半部
のコイル巻回体と自己整合的に形成されたコイル巻回体
を有する第２の薄膜コイル半部と、これら第１および第
２の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体間のスペース
を埋めるように形成された層間絶縁膜とを有し、前記第
１および第２の薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体
の端部を他の部分の幅よりも広くし、これら端部と前記
バックギャップの橋絡部との間に前記層間絶縁膜よりも
厚い絶縁膜設けたもの。
板と、この基板によって支持され、エアーベアリング面
を規定するように積層された誘導型薄膜磁気ヘッド素子
を具える薄膜磁気ヘッドであって、前記誘導型薄膜磁気
ヘッド素子が、前記基板上に、エアーベアリング面から
内方に延在するように形成された磁性材料より成る下部
ポールと、この下部ポールの一方の表面上に、前記エア
ーベアリング面からスロートハイト零の基準位置まで延
在するように形成された磁性材料より成る下部トラック
ポールと、前記下部ポールの一方の表面上に、前記エア
ーベアリング面から離れた位置においてバックギャップ
を構成するように形成された磁性材料より成る橋絡部
と、前記下部ポールの一方の表面上に、下部ポールとは
反対側の表面が前記下部トラックポールの表面と同一面
となるように形成された薄膜コイルと、前記下部トラッ
クポールおよび薄膜コイルの平坦な表面の上に平坦に形
成された非磁性材料より成るライトギャップ膜と、この
ライトギャップ膜の、前記下部トラックポールと接触す
る側とは反対側の表面に形成され、前記下部トラックポ
ールと整列する上部トラックポールが一体的に形成され
ているとともに前記橋絡部と接触するように形成された
磁性材料より成る上部ポールと、を具え、前記薄膜コイ
ルが、所定の間隔を置いて形成されたコイル巻回体を有
する第１の薄膜コイル半部と、この第１の薄膜コイル半
部の順次のコイル巻回体の間に、第１の薄膜コイル半部
のコイル巻回体と自己整合的に形成されたコイル巻回体
を有する第２の薄膜コイル半部と、これら第１および第
２の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体間のスペース
を埋めるように形成された層間絶縁膜とを有し、前記第
１および第２の薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体
の端部を他の部分の幅よりも広くし、これら端部と前記
バックギャップの橋絡部との間に前記層間絶縁膜よりも
厚い絶縁膜設けたもの。
【００３７】このような本発明による薄膜磁気ヘッドに
おいては、前記第１の薄膜コイル半部が電解メッキで形
成したコイル巻回体を有し、前記第２の薄膜コイル半部
がＣＶＤで形成したコイル巻回体を有するものとするの
が好適である。この場合、第１の薄膜コイル半部が銅の
電解メッキで形成したコイル巻回体を有し、前記第２の
薄膜コイル半部がCu-CVDで形成したコイル巻回体を有す
るものとするのが特に好適であるが、第１および第２の
薄膜コイル半部の双方を、銅の電解メッキ膜で形成する
こともできる。さらに、前記第１および第２の薄膜コイ
ル半部の隣接するコイル巻回体間に配設された前記層間
絶縁膜の膜厚を、０．０３〜０．１５μmとするのが好
適である。また、この層間絶縁膜は、アルミナ、酸化シ
リコンおよび窒化シリコンなどの無機絶縁材料で形成す
ることができ、特にアルミナ-CVDで形成するのが好適で
ある。
おいては、前記第１の薄膜コイル半部が電解メッキで形
成したコイル巻回体を有し、前記第２の薄膜コイル半部
がＣＶＤで形成したコイル巻回体を有するものとするの
が好適である。この場合、第１の薄膜コイル半部が銅の
電解メッキで形成したコイル巻回体を有し、前記第２の
薄膜コイル半部がCu-CVDで形成したコイル巻回体を有す
るものとするのが特に好適であるが、第１および第２の
薄膜コイル半部の双方を、銅の電解メッキ膜で形成する
こともできる。さらに、前記第１および第２の薄膜コイ
ル半部の隣接するコイル巻回体間に配設された前記層間
絶縁膜の膜厚を、０．０３〜０．１５μmとするのが好
適である。また、この層間絶縁膜は、アルミナ、酸化シ
リコンおよび窒化シリコンなどの無機絶縁材料で形成す
ることができ、特にアルミナ-CVDで形成するのが好適で
ある。
【００３８】このように本発明による薄膜磁気ヘッドに
おいては、前記薄膜コイルを第１および第２の薄膜コイ
ル半部を以て構成し、第１の薄膜コイル半部の順次のコ
イル巻回体の間に第２の薄膜コイル半部の順次のコイル
巻回体を層間絶縁膜を介して自己整合的に配置すること
ができ、これら第１および第２の薄膜コイル半部のコイ
ル巻回体間の間隔をきわめて小さくすることができ、し
たがって磁路長を短くすることができ、その結果として
磁束立ち上がり時間やＮＬＴＳ特性や重ね書き特性など
を改善することができる。
おいては、前記薄膜コイルを第１および第２の薄膜コイ
ル半部を以て構成し、第１の薄膜コイル半部の順次のコ
イル巻回体の間に第２の薄膜コイル半部の順次のコイル
巻回体を層間絶縁膜を介して自己整合的に配置すること
ができ、これら第１および第２の薄膜コイル半部のコイ
ル巻回体間の間隔をきわめて小さくすることができ、し
たがって磁路長を短くすることができ、その結果として
磁束立ち上がり時間やＮＬＴＳ特性や重ね書き特性など
を改善することができる。
【００３９】本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、
前記第１および第２の薄膜コイル半部の隣接するコイル
巻回体の間隔を０．２μm以下、特に０．０３〜０．１
５μmとするのが好適である。ここで、順次のコイル巻
回体間の間隔を０．０３μmよりも狭くすると、順次の
コイル巻回体間の絶縁不良が発生する恐れがある。ま
た、順次のコイル巻回体間の間隔を０．２μmよりも大
きくしたのでは、薄膜コイルの磁路長を短縮する効果が
十分に得られない。本発明では、上述したように、順次
のコイル巻回体間の間隔を０．２μm以下、特に０．０
３〜０．１５μmと狭くすることによって、コイル巻回
体の巾を狭くすることなく上述した磁路長を、図９に示
した従来の誘導型薄膜磁気ヘッドの磁路長の半分以下と
短くすることができ、上述したアメリカ特許第6,191,91
6および6,204,997に開示された誘導型薄膜磁気ヘッドの
磁路長に比べても短くすることができ、誘導型薄膜磁気
ヘッドの性能を著しく向上することができる。
前記第１および第２の薄膜コイル半部の隣接するコイル
巻回体の間隔を０．２μm以下、特に０．０３〜０．１
５μmとするのが好適である。ここで、順次のコイル巻
回体間の間隔を０．０３μmよりも狭くすると、順次の
コイル巻回体間の絶縁不良が発生する恐れがある。ま
た、順次のコイル巻回体間の間隔を０．２μmよりも大
きくしたのでは、薄膜コイルの磁路長を短縮する効果が
十分に得られない。本発明では、上述したように、順次
のコイル巻回体間の間隔を０．２μm以下、特に０．０
３〜０．１５μmと狭くすることによって、コイル巻回
体の巾を狭くすることなく上述した磁路長を、図９に示
した従来の誘導型薄膜磁気ヘッドの磁路長の半分以下と
短くすることができ、上述したアメリカ特許第6,191,91
6および6,204,997に開示された誘導型薄膜磁気ヘッドの
磁路長に比べても短くすることができ、誘導型薄膜磁気
ヘッドの性能を著しく向上することができる。
【００４０】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドにおい
ては、前記下部トラックポールおよび上部トラックポー
ルをＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により自己整合的
に形成し、前記第２の非磁性材料膜の、前記上部トラッ
クポールの表面と同一面に平坦化された表面とは反対側
の表面を、前記ライトギャップ膜を越えて前記第１のポ
ール側へ延在させてトリム構造を形成するのが好適であ
る。また、前記薄膜コイルは、前記上部トラックポール
と第２の非磁性材料膜との同一面に平坦化された表面に
形成するのが好適である。また、上部トラックポール
は、FeN、FeCo、CoNiFe、FeAlNまたはFeZrNで形成し、
下部トラックポールは、FeN、FeCo、CoNiFe、FeAlN、Fe
ZrNまたはNiFeで形成するのが好適である。この場合、C
oNiFe、FeCo、NiFeはメッキ膜として形成し、FeN、FeC
o、FeAlNおよびFeZrNはスパッタ膜で形成することがで
きる。
ては、前記下部トラックポールおよび上部トラックポー
ルをＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により自己整合的
に形成し、前記第２の非磁性材料膜の、前記上部トラッ
クポールの表面と同一面に平坦化された表面とは反対側
の表面を、前記ライトギャップ膜を越えて前記第１のポ
ール側へ延在させてトリム構造を形成するのが好適であ
る。また、前記薄膜コイルは、前記上部トラックポール
と第２の非磁性材料膜との同一面に平坦化された表面に
形成するのが好適である。また、上部トラックポール
は、FeN、FeCo、CoNiFe、FeAlNまたはFeZrNで形成し、
下部トラックポールは、FeN、FeCo、CoNiFe、FeAlN、Fe
ZrNまたはNiFeで形成するのが好適である。この場合、C
oNiFe、FeCo、NiFeはメッキ膜として形成し、FeN、FeC
o、FeAlNおよびFeZrNはスパッタ膜で形成することがで
きる。
【００４１】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気記録媒体と対向する磁極部分を有する磁性材料
より成る下部ポールと、この下部ポールの磁極部分の端
面とともにエアベアリング面を構成する磁極部分を有
し、エアベアリング面から離れたバックギャップにおい
て磁性材料より成る橋絡部を介して下部ポールと磁気的
に連結された磁性材料より成る上部ポールと、少なくと
も前記エアベアリング面において下部ポールの磁極部分
と上部ポールの磁極部分との間に介挿された非磁性材料
より成るライトギャップ膜と、前記下部ポールおよび上
部ポールの間に、絶縁分離された状態で配設された部分
を有する薄膜コイルと、前記下部ポール、上部ポール、
ライトギャップ膜および薄膜コイルを支持する基体とを
具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、前記薄
膜コイルを形成する方法が、第１の薄膜コイル半部の複
数のコイル巻回体を所定の間隔を置いて形成する工程
と、この第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように層間
絶縁膜を形成する工程と、この層間絶縁膜の上に、その
順次のコイル巻回体のスペースを埋めるように導電材料
膜を形成する工程と、この導電材料膜の、前記第１の薄
膜コイル半部のコイル巻回体の頂面を覆う部分およびそ
の下側にある前記層間絶縁膜を除去して、第１の薄膜コ
イル半部の順次のコイル巻回体の間にこれらコイル巻回
体と自己整合的に形成され、前記層間絶縁膜によって絶
縁分離されたコイル巻回体を有する第２の薄膜コイル半
部を形成する工程と、これら第１および第２の薄膜コイ
ル半部を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、前
記第１および第２の薄膜コイル半部の一方の最内周のコ
イル巻回体と、第１および第２の薄膜コイル半部の他方
の最外周のコイル巻回体との間を電気的に接続するジャ
ンパ配線を前記上部ポールを形成する工程において、そ
の一部分を構成する磁性材料で同時に形成する工程と、
を具えるものである。
は、磁気記録媒体と対向する磁極部分を有する磁性材料
より成る下部ポールと、この下部ポールの磁極部分の端
面とともにエアベアリング面を構成する磁極部分を有
し、エアベアリング面から離れたバックギャップにおい
て磁性材料より成る橋絡部を介して下部ポールと磁気的
に連結された磁性材料より成る上部ポールと、少なくと
も前記エアベアリング面において下部ポールの磁極部分
と上部ポールの磁極部分との間に介挿された非磁性材料
より成るライトギャップ膜と、前記下部ポールおよび上
部ポールの間に、絶縁分離された状態で配設された部分
を有する薄膜コイルと、前記下部ポール、上部ポール、
ライトギャップ膜および薄膜コイルを支持する基体とを
具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、前記薄
膜コイルを形成する方法が、第１の薄膜コイル半部の複
数のコイル巻回体を所定の間隔を置いて形成する工程
と、この第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように層間
絶縁膜を形成する工程と、この層間絶縁膜の上に、その
順次のコイル巻回体のスペースを埋めるように導電材料
膜を形成する工程と、この導電材料膜の、前記第１の薄
膜コイル半部のコイル巻回体の頂面を覆う部分およびそ
の下側にある前記層間絶縁膜を除去して、第１の薄膜コ
イル半部の順次のコイル巻回体の間にこれらコイル巻回
体と自己整合的に形成され、前記層間絶縁膜によって絶
縁分離されたコイル巻回体を有する第２の薄膜コイル半
部を形成する工程と、これら第１および第２の薄膜コイ
ル半部を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、前
記第１および第２の薄膜コイル半部の一方の最内周のコ
イル巻回体と、第１および第２の薄膜コイル半部の他方
の最外周のコイル巻回体との間を電気的に接続するジャ
ンパ配線を前記上部ポールを形成する工程において、そ
の一部分を構成する磁性材料で同時に形成する工程と、
を具えるものである。
【００４２】このような薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いては、前記第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように
層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁膜の上に薄膜コ
イル形成領域を覆うように第２の絶縁膜を形成した状態
で、第３の絶縁膜を選択的に形成し、その後、前記バッ
クギャップを構成する橋絡部と、第１の薄膜コイル半部
の最内周のコイル巻回体の端部との間に、前記層間絶縁
膜よりも膜厚の厚い絶縁膜を残して、前記第３および第
２の絶縁膜を除去して第１の薄膜コイル半部の順次のコ
イル巻回体間にスペースを形成するのが好適である。
いては、前記第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように
層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁膜の上に薄膜コ
イル形成領域を覆うように第２の絶縁膜を形成した状態
で、第３の絶縁膜を選択的に形成し、その後、前記バッ
クギャップを構成する橋絡部と、第１の薄膜コイル半部
の最内周のコイル巻回体の端部との間に、前記層間絶縁
膜よりも膜厚の厚い絶縁膜を残して、前記第３および第
２の絶縁膜を除去して第１の薄膜コイル半部の順次のコ
イル巻回体間にスペースを形成するのが好適である。
【００４３】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、基板と、この基板によって支持され、エアーベ
アリング面を規定するように積層された誘導型薄膜磁気
ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法にお
いて、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
が、磁性材料より成る下部ポールを基板によって支持さ
れるように形成する工程と、この下部ポールの表面に非
磁性材料より成るライトギャップ膜を形成する工程と、
このライトギャップ膜の表面に磁性材料より成る第１の
磁性材料膜を形成する工程と、この第１の磁性材料膜
を、少なくともエアーベアリング面を規定する位置から
スロートハイト零の基準位置までの距離に等しい幅を残
すと共にバックギャップを構成する橋絡部の一部を構成
する部分を残して除去する第１のエッチング工程と、こ
の第１のエッチング工程で除去された部分に、前記スロ
ートハイト零の基準位置において前記第１の磁性材料膜
と接触するように第１の非磁性材料膜を形成する工程
と、この第１の非磁性材料膜を研磨して、前記第１の磁
性材料膜の表面と同一面となるように平坦化する工程
と、前記第１の磁性材料膜および第１の非磁性材料膜の
平坦化された表面に、少なくとも前記エアーベアリング
面を規定する位置から少なくとも前記第１の非磁性材料
膜の端面まで内方に延在するように形成されたトラック
チップ部と、これに連続し、トラックチップ部よりも幅
の広いコンタクト部とを有する磁性材料より成る上部ト
ラックポールを形成すると共に前記橋絡部の残部を形成
する第２の磁性材料膜を形成する工程と、少なくともこ
の上部トラックポールをマスクとするリアクティブ・イ
オン・エッチングを行って、前記第１の磁性材料膜およ
び第１の非磁性材料膜を選択的に除去して下部トラック
ポールを形成する第２のエッチング工程と、この第２の
エッチングによって除去された部分に第２の非磁性材料
膜を形成する工程と、この第２の非磁性材料膜を研磨し
て前記上部トラックポールの表面と同一面となるように
平坦化する工程と、この第２の非磁性材料膜の平坦な表
面に電気的に絶縁分離された状態で薄膜コイルを形成す
る工程と、一端が前記上部トラックポールのコンタクト
部と磁気的に連結され、他端がバックギャップにおいて
前記橋絡部を介して前記下部ポールと磁気的に連結さ
れ、下部ポールと共に前記薄膜コイルの一部分を囲むよ
うに磁性材料より成る上部ポールを形成する工程と、を
具え、前記薄膜コイルを形成する工程が、第１の薄膜コ
イル半部の複数のコイル巻回体を所定の間隔を置いて形
成する工程と、この第１の薄膜コイル半部の全体を覆う
ように層間絶縁膜を形成する工程と、前記バックギャッ
プの橋絡部と、第１の薄膜コイル半部の最内周のコイル
巻回体の端部との間に、前記層間絶縁膜よりも厚い第１
の絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に、そ
の順次のコイル巻回体のスペースを埋めるように導電材
料膜を形成する工程と、この導電材料膜の、前記第１の
薄膜コイル半部のコイル巻回体の頂面を覆う部分および
その下側にある前記層間絶縁膜を除去して、第１の薄膜
コイル半部の順次のコイル巻回体の間にこれらコイル巻
回体と自己整合的に形成され、前記層間絶縁膜によって
絶縁分離されたコイル巻回体を有する第２の薄膜コイル
半部を形成する工程と、これら第１および第２の薄膜コ
イル半部を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
を具えるものである。
方法は、基板と、この基板によって支持され、エアーベ
アリング面を規定するように積層された誘導型薄膜磁気
ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法にお
いて、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
が、磁性材料より成る下部ポールを基板によって支持さ
れるように形成する工程と、この下部ポールの表面に非
磁性材料より成るライトギャップ膜を形成する工程と、
このライトギャップ膜の表面に磁性材料より成る第１の
磁性材料膜を形成する工程と、この第１の磁性材料膜
を、少なくともエアーベアリング面を規定する位置から
スロートハイト零の基準位置までの距離に等しい幅を残
すと共にバックギャップを構成する橋絡部の一部を構成
する部分を残して除去する第１のエッチング工程と、こ
の第１のエッチング工程で除去された部分に、前記スロ
ートハイト零の基準位置において前記第１の磁性材料膜
と接触するように第１の非磁性材料膜を形成する工程
と、この第１の非磁性材料膜を研磨して、前記第１の磁
性材料膜の表面と同一面となるように平坦化する工程
と、前記第１の磁性材料膜および第１の非磁性材料膜の
平坦化された表面に、少なくとも前記エアーベアリング
面を規定する位置から少なくとも前記第１の非磁性材料
膜の端面まで内方に延在するように形成されたトラック
チップ部と、これに連続し、トラックチップ部よりも幅
の広いコンタクト部とを有する磁性材料より成る上部ト
ラックポールを形成すると共に前記橋絡部の残部を形成
する第２の磁性材料膜を形成する工程と、少なくともこ
の上部トラックポールをマスクとするリアクティブ・イ
オン・エッチングを行って、前記第１の磁性材料膜およ
び第１の非磁性材料膜を選択的に除去して下部トラック
ポールを形成する第２のエッチング工程と、この第２の
エッチングによって除去された部分に第２の非磁性材料
膜を形成する工程と、この第２の非磁性材料膜を研磨し
て前記上部トラックポールの表面と同一面となるように
平坦化する工程と、この第２の非磁性材料膜の平坦な表
面に電気的に絶縁分離された状態で薄膜コイルを形成す
る工程と、一端が前記上部トラックポールのコンタクト
部と磁気的に連結され、他端がバックギャップにおいて
前記橋絡部を介して前記下部ポールと磁気的に連結さ
れ、下部ポールと共に前記薄膜コイルの一部分を囲むよ
うに磁性材料より成る上部ポールを形成する工程と、を
具え、前記薄膜コイルを形成する工程が、第１の薄膜コ
イル半部の複数のコイル巻回体を所定の間隔を置いて形
成する工程と、この第１の薄膜コイル半部の全体を覆う
ように層間絶縁膜を形成する工程と、前記バックギャッ
プの橋絡部と、第１の薄膜コイル半部の最内周のコイル
巻回体の端部との間に、前記層間絶縁膜よりも厚い第１
の絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に、そ
の順次のコイル巻回体のスペースを埋めるように導電材
料膜を形成する工程と、この導電材料膜の、前記第１の
薄膜コイル半部のコイル巻回体の頂面を覆う部分および
その下側にある前記層間絶縁膜を除去して、第１の薄膜
コイル半部の順次のコイル巻回体の間にこれらコイル巻
回体と自己整合的に形成され、前記層間絶縁膜によって
絶縁分離されたコイル巻回体を有する第２の薄膜コイル
半部を形成する工程と、これら第１および第２の薄膜コ
イル半部を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
を具えるものである。
【００４４】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、基板と、この基板によって支持され、エアーベ
アリング面を規定するように積層された誘導型薄膜磁気
ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法にお
いて、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
が、磁性材料より成る下部ポールを基板によって支持さ
れるように形成する工程と、この下部ポールの上に下部
トラックポールおよびバックギャップの橋絡部を形成す
るための第１の磁性材料膜を形成する工程と、前記下部
ポールの上に、絶縁分離された状態で支持された薄膜コ
イルを形成する工程と、前記第１の磁性材料膜および薄
膜コイルの表面を平坦な同一面となるように研磨する工
程と、この平坦な表面の上に非磁性材料より成るライト
ギャップ膜を形成するための非磁性材料膜を平坦に形成
する工程と、この非磁性材料膜の平坦な表面に、上部ト
ラックポールおよび上部ポールを形成するための第２の
磁性材料膜を前記橋絡部と接触するように形成する工程
と、この第２の磁性材料膜の、上部トラックポールを形
成すべき部分に形成したマスクを用いて前記第２の磁性
材料膜を選択的にエッチングして上部トラックポールを
形成すると共に前記非磁性材料膜およびその下側の第１
の磁性材料膜を選択的に除去してライトギャップ膜およ
び下部トラックポールを形成するエッチング工程と、全
体の上に絶縁材料より成るオーバーコート膜を形成する
工程と、を具え、前記薄膜コイルを形成する工程が、前
記第１の磁性材料膜の上に、これから絶縁分離されるよ
うに第１の薄膜コイル半部の複数のコイル巻回体を所定
の間隔を置いて形成する工程と、この第１の薄膜コイル
半部の全体を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記橋絡部と、第１の薄膜コイル半部の最内周のコイル
巻回体の端部との間に、前記層間絶縁膜よりも膜厚の厚
い絶縁膜を形成する工程と、前記第１の薄膜コイル半部
を覆う前記層間絶縁膜の上に、その順次のコイル巻回体
のスペースを埋めるように導電材料膜を形成する工程
と、この導電材料膜の、前記第１の薄膜コイル半部のコ
イル巻回体の頂面を覆う部分およびその下側にある層間
絶縁膜を除去して、第１の薄膜コイル半部の順次のコイ
ル巻回体の間にこれらコイル巻回体と自己整合的に形成
され、前記層間絶縁膜によって絶縁分離されたコイル巻
回体を有する第２の薄膜コイル半部を形成する工程と、
を具えるものである。
方法は、基板と、この基板によって支持され、エアーベ
アリング面を規定するように積層された誘導型薄膜磁気
ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法にお
いて、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
が、磁性材料より成る下部ポールを基板によって支持さ
れるように形成する工程と、この下部ポールの上に下部
トラックポールおよびバックギャップの橋絡部を形成す
るための第１の磁性材料膜を形成する工程と、前記下部
ポールの上に、絶縁分離された状態で支持された薄膜コ
イルを形成する工程と、前記第１の磁性材料膜および薄
膜コイルの表面を平坦な同一面となるように研磨する工
程と、この平坦な表面の上に非磁性材料より成るライト
ギャップ膜を形成するための非磁性材料膜を平坦に形成
する工程と、この非磁性材料膜の平坦な表面に、上部ト
ラックポールおよび上部ポールを形成するための第２の
磁性材料膜を前記橋絡部と接触するように形成する工程
と、この第２の磁性材料膜の、上部トラックポールを形
成すべき部分に形成したマスクを用いて前記第２の磁性
材料膜を選択的にエッチングして上部トラックポールを
形成すると共に前記非磁性材料膜およびその下側の第１
の磁性材料膜を選択的に除去してライトギャップ膜およ
び下部トラックポールを形成するエッチング工程と、全
体の上に絶縁材料より成るオーバーコート膜を形成する
工程と、を具え、前記薄膜コイルを形成する工程が、前
記第１の磁性材料膜の上に、これから絶縁分離されるよ
うに第１の薄膜コイル半部の複数のコイル巻回体を所定
の間隔を置いて形成する工程と、この第１の薄膜コイル
半部の全体を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
前記橋絡部と、第１の薄膜コイル半部の最内周のコイル
巻回体の端部との間に、前記層間絶縁膜よりも膜厚の厚
い絶縁膜を形成する工程と、前記第１の薄膜コイル半部
を覆う前記層間絶縁膜の上に、その順次のコイル巻回体
のスペースを埋めるように導電材料膜を形成する工程
と、この導電材料膜の、前記第１の薄膜コイル半部のコ
イル巻回体の頂面を覆う部分およびその下側にある層間
絶縁膜を除去して、第１の薄膜コイル半部の順次のコイ
ル巻回体の間にこれらコイル巻回体と自己整合的に形成
され、前記層間絶縁膜によって絶縁分離されたコイル巻
回体を有する第２の薄膜コイル半部を形成する工程と、
を具えるものである。
【００４５】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法においては、前記第１の薄膜コイル半部の全体を
覆うように層間絶縁膜を形成した後、その上に、その順
次のコイル巻回体のスペースを埋めるように導電材料膜
を形成する以前に、薄膜コイル形成領域を覆うように第
１の絶縁膜を形成した状態で、第２の絶縁膜を選択的に
形成し、その後、前記第１の絶縁膜を除去して第１の薄
膜コイル半部の順次のコイル巻回体間にスペースを形成
するのが好適である。このように第１の絶縁膜で薄膜コ
イル形成領域を覆った状態で第２の絶縁膜を形成するの
で、第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体間のス
ペースに第２の絶縁膜が侵入することはなくなる。ま
た、第１の絶縁膜は、例えばウエットケミカルエッチン
グによって容易に除去することができる、フォトレジス
トやポリイミドなどの有機絶縁材料やスピン・オン・ガ
ラスで形成することによって第１の薄膜コイル半部の順
次のコイル巻回体間に容易にスペースを形成することが
できる。
造方法においては、前記第１の薄膜コイル半部の全体を
覆うように層間絶縁膜を形成した後、その上に、その順
次のコイル巻回体のスペースを埋めるように導電材料膜
を形成する以前に、薄膜コイル形成領域を覆うように第
１の絶縁膜を形成した状態で、第２の絶縁膜を選択的に
形成し、その後、前記第１の絶縁膜を除去して第１の薄
膜コイル半部の順次のコイル巻回体間にスペースを形成
するのが好適である。このように第１の絶縁膜で薄膜コ
イル形成領域を覆った状態で第２の絶縁膜を形成するの
で、第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体間のス
ペースに第２の絶縁膜が侵入することはなくなる。ま
た、第１の絶縁膜は、例えばウエットケミカルエッチン
グによって容易に除去することができる、フォトレジス
トやポリイミドなどの有機絶縁材料やスピン・オン・ガ
ラスで形成することによって第１の薄膜コイル半部の順
次のコイル巻回体間に容易にスペースを形成することが
できる。
【００４６】また、第２の薄膜コイル半部のコイル巻回
体を構成する導電膜を形成した後、それを部分的に除去
する工程は、アルカリスラリや中性スラリを用いるＣＭ
Ｐ，イオンビームミリングやスパッタエッチングなどの
ドライエッチングで行ったり、ＣＭＰで粗く除去した
後、ドライエッチングで微調整して除去することができ
る。
体を構成する導電膜を形成した後、それを部分的に除去
する工程は、アルカリスラリや中性スラリを用いるＣＭ
Ｐ，イオンビームミリングやスパッタエッチングなどの
ドライエッチングで行ったり、ＣＭＰで粗く除去した
後、ドライエッチングで微調整して除去することができ
る。
【００４７】また本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方
法においては、第１の薄膜コイル半部のコイル巻回体を
銅の電解メッキで形成し、第２の薄膜コイル半部のコイ
ル巻回体を銅のＣＶＤで形成するのが特に好適である
が、第１および第２の薄膜コイル半部の双方を銅の電解
メッキ膜で形成することもできる。
法においては、第１の薄膜コイル半部のコイル巻回体を
銅の電解メッキで形成し、第２の薄膜コイル半部のコイ
ル巻回体を銅のＣＶＤで形成するのが特に好適である
が、第１および第２の薄膜コイル半部の双方を銅の電解
メッキ膜で形成することもできる。
【００４８】また、エアーベアリング面に最も近いコイ
ル巻回体を第２の薄膜コイル半部の最外周のコイル巻回
体で構成し、バックギャップを構成する橋絡部に最も近
いコイル巻回体を第２の薄膜コイル半部の最内周のコイ
ル巻回体で構成する場合、これら第２の薄膜コイル半部
の最外周のコイル巻回体および最内周のコイル巻回体の
幅を、それ以外のコイル巻回体の幅よりも広くするのが
好適である。その理由は、第１薄膜コイル半部を形成す
る位置がずれた場合でも、これら最外周のコイル巻回体
および最内周のコイル巻回体の幅が所望の値よりも狭く
なり、抵抗値が過度に高くなる恐れがなくなるためであ
る。
ル巻回体を第２の薄膜コイル半部の最外周のコイル巻回
体で構成し、バックギャップを構成する橋絡部に最も近
いコイル巻回体を第２の薄膜コイル半部の最内周のコイ
ル巻回体で構成する場合、これら第２の薄膜コイル半部
の最外周のコイル巻回体および最内周のコイル巻回体の
幅を、それ以外のコイル巻回体の幅よりも広くするのが
好適である。その理由は、第１薄膜コイル半部を形成す
る位置がずれた場合でも、これら最外周のコイル巻回体
および最内周のコイル巻回体の幅が所望の値よりも狭く
なり、抵抗値が過度に高くなる恐れがなくなるためであ
る。
【００４９】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいては、前記第２のエッチング工程において、前記下
部トラックポールを形成した後もＲＩＥを続けて前記ラ
イトギャップ膜を選択的に除去し、さらに前記第１のポ
ールの表面を、その厚さの一部分に亘って除去してトリ
ム構造を形成するのが好適である。この場合、前記上部
トラックポールを形成する工程が、前記第１の磁性材料
膜および第１の非磁性材料膜の平坦化された表面に第２
の磁性材料膜を平坦に形成する工程と、この第２の磁性
材料膜の上に形成すべき上部トラックポールの形状に対
応したパターン形状を有するマスクを形成する工程と、
このマスクを用いたＲＩＥによって前記第２の磁性材料
膜を選択的に除去する工程とを含み、このＲＩＥを続行
して前記第１の磁性材料膜をエッチングして下部トラッ
クポールをセルフアライメントで形成することができ
る。また、前記第１の磁性材料膜をFeNまたはFeCoで形
成し、前記第２の磁性材料膜を、FeNまたはFeCoのメッ
キにより形成し、この第２の磁性材料膜および前記第１
の磁性材料膜をエッチングするＲＩＥを、Cl2 、Cl2にB
Cl2 などのホウ素系ガスを混合した混合ガスあるいはCl
2 にAr, N2 などの不活性ガスを混合した混合ガスなど
の雰囲気中で、５０℃以上、特に２００〜３００℃の高
いエッチング温度で行うのが好適である。
おいては、前記第２のエッチング工程において、前記下
部トラックポールを形成した後もＲＩＥを続けて前記ラ
イトギャップ膜を選択的に除去し、さらに前記第１のポ
ールの表面を、その厚さの一部分に亘って除去してトリ
ム構造を形成するのが好適である。この場合、前記上部
トラックポールを形成する工程が、前記第１の磁性材料
膜および第１の非磁性材料膜の平坦化された表面に第２
の磁性材料膜を平坦に形成する工程と、この第２の磁性
材料膜の上に形成すべき上部トラックポールの形状に対
応したパターン形状を有するマスクを形成する工程と、
このマスクを用いたＲＩＥによって前記第２の磁性材料
膜を選択的に除去する工程とを含み、このＲＩＥを続行
して前記第１の磁性材料膜をエッチングして下部トラッ
クポールをセルフアライメントで形成することができ
る。また、前記第１の磁性材料膜をFeNまたはFeCoで形
成し、前記第２の磁性材料膜を、FeNまたはFeCoのメッ
キにより形成し、この第２の磁性材料膜および前記第１
の磁性材料膜をエッチングするＲＩＥを、Cl2 、Cl2にB
Cl2 などのホウ素系ガスを混合した混合ガスあるいはCl
2 にAr, N2 などの不活性ガスを混合した混合ガスなど
の雰囲気中で、５０℃以上、特に２００〜３００℃の高
いエッチング温度で行うのが好適である。
【００５０】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、前記上部トラックポールを形成する工
程が、前記第１の磁性材料膜および第１の非磁性材料膜
の平坦化された表面に第２の磁性材料膜を平坦に形成す
る工程と、この第２の磁性材料膜の上に形成すべき上部
トラックポールの形状に対応したパターン形状を有する
マスクを用いて上部トラックポールを形成する工程とを
含み、この上部トラックポールをマスクとしてＲＩＥを
行って前記第１の磁性材料膜をエッチングして下部トラ
ックポールを自己整合的に形成するのが好適である。こ
の場合には上述したのと同じ条件でＲＩＥを行うことが
できる。
方法においては、前記上部トラックポールを形成する工
程が、前記第１の磁性材料膜および第１の非磁性材料膜
の平坦化された表面に第２の磁性材料膜を平坦に形成す
る工程と、この第２の磁性材料膜の上に形成すべき上部
トラックポールの形状に対応したパターン形状を有する
マスクを用いて上部トラックポールを形成する工程とを
含み、この上部トラックポールをマスクとしてＲＩＥを
行って前記第１の磁性材料膜をエッチングして下部トラ
ックポールを自己整合的に形成するのが好適である。こ
の場合には上述したのと同じ条件でＲＩＥを行うことが
できる。
【００５１】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、第１および第２の薄膜コイル半部を絶
縁する層間絶縁膜は、アルミナ-CVDで形成するのが好適
である。このアルミナ-CVD膜は、１〜２ Torrの減圧中
において、１００〜３００℃の温度、特に１５０〜２０
０°Cの温度で、Al(CH3 )3 またはAlCl3 と、H2 O, N
2 , N2 OまたはH2 O2 とを交互に断続的に噴射するアト
ミックレイヤー法で形成された減圧Al2 O3 -CVD膜とす
るのが特に好適である。このようにしてステップカバレ
ージに優れているとともにキーホールやボイドを含ま
ず、したがって膜厚を薄くしても良好な絶縁特性を有す
る層間絶縁膜を形成できる。
方法においては、第１および第２の薄膜コイル半部を絶
縁する層間絶縁膜は、アルミナ-CVDで形成するのが好適
である。このアルミナ-CVD膜は、１〜２ Torrの減圧中
において、１００〜３００℃の温度、特に１５０〜２０
０°Cの温度で、Al(CH3 )3 またはAlCl3 と、H2 O, N
2 , N2 OまたはH2 O2 とを交互に断続的に噴射するアト
ミックレイヤー法で形成された減圧Al2 O3 -CVD膜とす
るのが特に好適である。このようにしてステップカバレ
ージに優れているとともにキーホールやボイドを含ま
ず、したがって膜厚を薄くしても良好な絶縁特性を有す
る層間絶縁膜を形成できる。
【００５２】
【発明の実施の形態】図１０Ａ，１０Ｂ〜２３Ａ，２３
Ｂは、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第１の実施
例の順次の工程を示す断面図であり、Ａはエアーベアリ
ング面に垂直な断面図、Ｂは磁極部分をエアーベアリン
グ面に平行な平面で切って示す断面図である。読み取り
用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドであるＧＭＲヘッド素子
の構成およびその製造方法は従来のものとほぼ同じであ
る。図１０Ａ、１０Ｂに示すように、AlTiCより成る基
板３１の上に、アルミナより成る絶縁膜３２を約３μｍ
の膜厚に堆積し、さらにその上に読み出し用のＧＭＲヘ
ッド素子に対する磁気シールドを行うために、パーマロ
イより成る下部シールド膜３３を、フォトレジスト膜を
マスクとするメッキ法によって所定のパターンにしたが
ってほぼ２〜３μｍの膜厚に形成する。
Ｂは、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第１の実施
例の順次の工程を示す断面図であり、Ａはエアーベアリ
ング面に垂直な断面図、Ｂは磁極部分をエアーベアリン
グ面に平行な平面で切って示す断面図である。読み取り
用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドであるＧＭＲヘッド素子
の構成およびその製造方法は従来のものとほぼ同じであ
る。図１０Ａ、１０Ｂに示すように、AlTiCより成る基
板３１の上に、アルミナより成る絶縁膜３２を約３μｍ
の膜厚に堆積し、さらにその上に読み出し用のＧＭＲヘ
ッド素子に対する磁気シールドを行うために、パーマロ
イより成る下部シールド膜３３を、フォトレジスト膜を
マスクとするメッキ法によって所定のパターンにしたが
ってほぼ２〜３μｍの膜厚に形成する。
【００５３】次に、ウエファ全体の上に３〜４μｍの膜
厚のアルミナ膜を形成し、ＣＭＰによって平坦化するこ
とで下部シールド膜を露出させる。続いて、３０〜３５
ｎｍの膜厚のアルミナより成る下部シールドギャップ膜
３４をスパッタリングにより形成した後、所定の層構造
を有するＧＭＲ膜３５およびこのＧＭＲ膜に対する引出
し電極３６を、リフトオフによって形成する。その後、
アルミナのスパッタリングにより上部シールドギャップ
膜３７を３０〜３５ｎｍの膜厚に形成し、その上にＧＭ
Ｒヘッド素子の上部磁気シールド膜３８を、約１〜１．
５μｍの膜厚に形成する。
厚のアルミナ膜を形成し、ＣＭＰによって平坦化するこ
とで下部シールド膜を露出させる。続いて、３０〜３５
ｎｍの膜厚のアルミナより成る下部シールドギャップ膜
３４をスパッタリングにより形成した後、所定の層構造
を有するＧＭＲ膜３５およびこのＧＭＲ膜に対する引出
し電極３６を、リフトオフによって形成する。その後、
アルミナのスパッタリングにより上部シールドギャップ
膜３７を３０〜３５ｎｍの膜厚に形成し、その上にＧＭ
Ｒヘッド素子の上部磁気シールド膜３８を、約１〜１．
５μｍの膜厚に形成する。
【００５４】次に、再生用のＧＭＲヘッド素子と記録用
の誘導型薄膜磁気ヘッド素子を磁気的に分離して再生用
ＧＭＲヘッド素子の再生出力中のノイズを抑圧するため
のアルミナより成る分離膜３９を約０．１５〜０．３μ
ｍの膜厚に形成した後、記録用ヘッド素子の下部ポール
４０を２．０〜２．５μｍの膜厚に形成する。この下部
ポール４０は、NiFe(80%:20%)やNiFe(45%:55%)、あるい
はCoNiFe（64％：18％：18％）のメッキ膜で形成した
り、FeAlN, FeN, FeCo, FeZrNなどのスパッタ膜で形成
できるが、本例ではFeNのスパッタ膜で形成する。
の誘導型薄膜磁気ヘッド素子を磁気的に分離して再生用
ＧＭＲヘッド素子の再生出力中のノイズを抑圧するため
のアルミナより成る分離膜３９を約０．１５〜０．３μ
ｍの膜厚に形成した後、記録用ヘッド素子の下部ポール
４０を２．０〜２．５μｍの膜厚に形成する。この下部
ポール４０は、NiFe(80%:20%)やNiFe(45%:55%)、あるい
はCoNiFe（64％：18％：18％）のメッキ膜で形成した
り、FeAlN, FeN, FeCo, FeZrNなどのスパッタ膜で形成
できるが、本例ではFeNのスパッタ膜で形成する。
【００５５】次に、図１１Ａ、１１Ｂに示すように、下
部ポール４０の上に、スロートハイトゼロの基準位置を
決めるアルミナ絶縁膜４１を、０．３〜０．５μｍの膜
厚に形成し、ドライエッチングにより所定の形状とす
る。さらに、ウエファ全体にライトギャップ膜を構成す
る非磁性膜１４２を０．０８〜０．１０μｍの膜厚に形
成する。本例では、この非磁性膜１４２は、Wで形成す
るが、Ta, Mo, TiN, TaNなどの非磁性金属あるいはアル
ミナなどの非磁性無機材料で形成することもできる。
部ポール４０の上に、スロートハイトゼロの基準位置を
決めるアルミナ絶縁膜４１を、０．３〜０．５μｍの膜
厚に形成し、ドライエッチングにより所定の形状とす
る。さらに、ウエファ全体にライトギャップ膜を構成す
る非磁性膜１４２を０．０８〜０．１０μｍの膜厚に形
成する。本例では、この非磁性膜１４２は、Wで形成す
るが、Ta, Mo, TiN, TaNなどの非磁性金属あるいはアル
ミナなどの非磁性無機材料で形成することもできる。
【００５６】次に、図１２Ａ，１２Ｂに示すように、非
磁性膜１４２を選択的に除去してライトギャップ膜４２
を形成する。この際に、非磁性膜１４２の、後にバック
ギャップを構成する位置に存在する部分も選択的に除去
する。さらに、飽和磁束密度の高い磁性材料膜１４３を
スパッタ法により１〜１．５μｍの膜厚に形成する。後
述するように、この磁性材料膜１４３は後にトラックポ
ールを構成するものであり、高飽和磁束密度を有するFe
N（2.0 T）またはFeCo（2.4 T）で形成するのが好適で
あるが、本例ではFeNで形成する。このような高飽和磁
束密度を有する磁性材料を用いることによりトラック幅
をクオーターミクロンオーダ、特に０．２μｍ程度に狭
くする場合にも、十分大きな磁束を発生することができ
る。
磁性膜１４２を選択的に除去してライトギャップ膜４２
を形成する。この際に、非磁性膜１４２の、後にバック
ギャップを構成する位置に存在する部分も選択的に除去
する。さらに、飽和磁束密度の高い磁性材料膜１４３を
スパッタ法により１〜１．５μｍの膜厚に形成する。後
述するように、この磁性材料膜１４３は後にトラックポ
ールを構成するものであり、高飽和磁束密度を有するFe
N（2.0 T）またはFeCo（2.4 T）で形成するのが好適で
あるが、本例ではFeNで形成する。このような高飽和磁
束密度を有する磁性材料を用いることによりトラック幅
をクオーターミクロンオーダ、特に０．２μｍ程度に狭
くする場合にも、十分大きな磁束を発生することができ
る。
【００５７】次に、図１３Ａ，１３Ｂに示すように、Fe
Nより成る磁性材料膜１４３の上にアルミナ絶縁膜１４
４を１〜２μｍの膜厚に形成した後、その表面をＣＭＰ
によって平坦とし、さらにその上にNiFeより成るシード
層１４５を約５０ｎｍの膜厚に形成し、さらにその上に
所定のパターンを有するフォトレジストマスク１４６を
形成し、シード層１４５の露出した表面に電解メッキに
よりハードマスクを構成するNiFe膜１４７を１．０〜
2．0μｍの膜厚に形成する。フォトレジストマスク１４
６は幅の狭いトラックチップのパターンを含んでいるの
で、NiFe膜１４７も所望のトラックチップパターンを有
するものとなる。
Nより成る磁性材料膜１４３の上にアルミナ絶縁膜１４
４を１〜２μｍの膜厚に形成した後、その表面をＣＭＰ
によって平坦とし、さらにその上にNiFeより成るシード
層１４５を約５０ｎｍの膜厚に形成し、さらにその上に
所定のパターンを有するフォトレジストマスク１４６を
形成し、シード層１４５の露出した表面に電解メッキに
よりハードマスクを構成するNiFe膜１４７を１．０〜
2．0μｍの膜厚に形成する。フォトレジストマスク１４
６は幅の狭いトラックチップのパターンを含んでいるの
で、NiFe膜１４７も所望のトラックチップパターンを有
するものとなる。
【００５８】次に、図１４Ａ，１４Ｂに示すように、フ
ォトレジストマスク１４６を除去した後、NiFe膜１４７
をマスクとしてイオンミリングを施し、シード層１４５
の露出した部分を除去する。さらに、NiFe膜１４７をマ
スクとして、BCl2 ガス雰囲気中で、５０℃の温度でＲ
ＩＥを施してアルミナ絶縁膜１４４を除去した後、BCl2
、Cl2 などの塩素系ガス雰囲気中で、２００℃の温度
でＲＩＥを行い、磁性材料膜１４３を選択的に除去して
上部トラックポール４３を形成する。さらにＲＩＥを続
けて上部トラックポール４３の下側以外のライトギャッ
プ膜４２を除去し、さらにその下側にある下部ポール４
０を、その厚さの一部分に亘って選択的に除去してトリ
ム構造を形成する。このＲＩＥによりアルミナ絶縁膜４
１の表面が露出される。
ォトレジストマスク１４６を除去した後、NiFe膜１４７
をマスクとしてイオンミリングを施し、シード層１４５
の露出した部分を除去する。さらに、NiFe膜１４７をマ
スクとして、BCl2 ガス雰囲気中で、５０℃の温度でＲ
ＩＥを施してアルミナ絶縁膜１４４を除去した後、BCl2
、Cl2 などの塩素系ガス雰囲気中で、２００℃の温度
でＲＩＥを行い、磁性材料膜１４３を選択的に除去して
上部トラックポール４３を形成する。さらにＲＩＥを続
けて上部トラックポール４３の下側以外のライトギャッ
プ膜４２を除去し、さらにその下側にある下部ポール４
０を、その厚さの一部分に亘って選択的に除去してトリ
ム構造を形成する。このＲＩＥによりアルミナ絶縁膜４
１の表面が露出される。
【００５９】本例の変形例においては、シード層１４５
の露出した部分をイオンミリングで除去した後、BCl2
とCl2 との混合ガス雰囲気中で、１５０〜２００℃の温
度で、NiFe膜１４７をマスクとするＲＩＥを施してアル
ミナ絶縁膜１４４を除去し、次に磁性材料膜１４３を選
択的に除去し、さらに磁性材料膜１４３の下側以外のラ
イトギャップ膜４２を除去し、さらにその下側にある下
部ポール４０を、その厚さの一部分に亘って選択的に除
去してトリム構造を形成することもできる。
の露出した部分をイオンミリングで除去した後、BCl2
とCl2 との混合ガス雰囲気中で、１５０〜２００℃の温
度で、NiFe膜１４７をマスクとするＲＩＥを施してアル
ミナ絶縁膜１４４を除去し、次に磁性材料膜１４３を選
択的に除去し、さらに磁性材料膜１４３の下側以外のラ
イトギャップ膜４２を除去し、さらにその下側にある下
部ポール４０を、その厚さの一部分に亘って選択的に除
去してトリム構造を形成することもできる。
【００６０】さらに、その後、残存するNiFe膜１４７お
よびシード層１４５を除去した後、図１５Ａ，１５Ｂに
示すように、全体の上にアルミナ絶縁膜１４８をほぼ１
〜２μｍの膜厚に形成した後、ＣＭＰによってアルミナ
絶縁膜１４８および磁性材料膜１４３を研磨して表面を
平坦化する。このＣＭＰでは、磁性材料膜１４３の膜厚
が０．８〜１．８μｍとなるように研磨量を制御して上
部トラックポール４３を形成した状態を図１６Ａ、１６
Ｂに示す。このようにして、アルミナ絶縁膜４１のエア
ーベアリング面側の端面がＧＭＲ膜３５のＭＲハイト零
の位置ＭＲ０の近傍となると共に、スロートハイト零の
基準位置ＴＨ０ を規定するようになる。また、上部ト
ラックポール４３を形成するのと同時にバックギャップ
を構成する下部橋絡部４４が同じく磁性材料膜１４３で
形成される。上述したように、アルミナ絶縁膜１４５の
平坦な表面に、上部トラックポール４３を形成するため
のマスクとして作用するNiFe膜１４７を形成したので、
０．１〜０．３μｍの狭トラックを実現できる。
よびシード層１４５を除去した後、図１５Ａ，１５Ｂに
示すように、全体の上にアルミナ絶縁膜１４８をほぼ１
〜２μｍの膜厚に形成した後、ＣＭＰによってアルミナ
絶縁膜１４８および磁性材料膜１４３を研磨して表面を
平坦化する。このＣＭＰでは、磁性材料膜１４３の膜厚
が０．８〜１．８μｍとなるように研磨量を制御して上
部トラックポール４３を形成した状態を図１６Ａ、１６
Ｂに示す。このようにして、アルミナ絶縁膜４１のエア
ーベアリング面側の端面がＧＭＲ膜３５のＭＲハイト零
の位置ＭＲ０の近傍となると共に、スロートハイト零の
基準位置ＴＨ０ を規定するようになる。また、上部ト
ラックポール４３を形成するのと同時にバックギャップ
を構成する下部橋絡部４４が同じく磁性材料膜１４３で
形成される。上述したように、アルミナ絶縁膜１４５の
平坦な表面に、上部トラックポール４３を形成するため
のマスクとして作用するNiFe膜１４７を形成したので、
０．１〜０．３μｍの狭トラックを実現できる。
【００６１】本発明においては、幅の狭い上部トラック
ポール４３を形成するＲＩＥを、BCl2 やCl2 などの塩
素系ガス或いはCl2 にBCl2 などのホウ素系ガスを混合
した混合ガスなどの雰囲気中で、エッチング温度を５０
〜３００℃、特に１５０〜３００℃の高温で行うことで
RIEの際の再付着物の発生を防ぐことができる。このよ
うな条件でＲＩＥを行うことによってFeN、FeCoなどの
高飽和磁束密度を有する磁性材料を正確にかつ効率良く
エッチングすることができる。
ポール４３を形成するＲＩＥを、BCl2 やCl2 などの塩
素系ガス或いはCl2 にBCl2 などのホウ素系ガスを混合
した混合ガスなどの雰囲気中で、エッチング温度を５０
〜３００℃、特に１５０〜３００℃の高温で行うことで
RIEの際の再付着物の発生を防ぐことができる。このよ
うな条件でＲＩＥを行うことによってFeN、FeCoなどの
高飽和磁束密度を有する磁性材料を正確にかつ効率良く
エッチングすることができる。
【００６２】次に、第１の薄膜コイル半部を形成するた
めの銅より成るシード層１５１を５０ｎｍの膜厚に形成
し、その上に所定の開口パターンを有するフォトレジス
トマスクを形成した後、電解メッキを施して銅より成る
第１の薄膜コイル半部５１を、ライン幅を０．５μｍと
し、ライン幅よりも０．０３〜０．１５μｍだけ大きい
間隔（0．53μm〜0．65μm）で、１．５〜２．５ μｍ
の膜厚で形成し、さらにフォトレジストマスクを除去し
た後、露出するシード層１５１を除去した様子を図１６
Ａおよび１６Ｂに示す。この際、最内周のコイル巻回体
の端部５１ａの幅は他のコイル巻回体の幅よりも大きく
する。
めの銅より成るシード層１５１を５０ｎｍの膜厚に形成
し、その上に所定の開口パターンを有するフォトレジス
トマスクを形成した後、電解メッキを施して銅より成る
第１の薄膜コイル半部５１を、ライン幅を０．５μｍと
し、ライン幅よりも０．０３〜０．１５μｍだけ大きい
間隔（0．53μm〜0．65μm）で、１．５〜２．５ μｍ
の膜厚で形成し、さらにフォトレジストマスクを除去し
た後、露出するシード層１５１を除去した様子を図１６
Ａおよび１６Ｂに示す。この際、最内周のコイル巻回体
の端部５１ａの幅は他のコイル巻回体の幅よりも大きく
する。
【００６３】その後、CoNiFe膜をメッキ法によって、
２．０〜２．５μｍの膜厚に形成して、上部トラックポ
ール４３を後に形成する上部ポールと連結するための中
間ポール５２およびバックギャップを構成する下部橋絡
部４４と連結される上部橋絡部５３を形成する。さら
に、全体の上にアルミナ絶縁膜１５２を０．１μｍの膜
厚に形成する。このアルミナ絶縁膜１５２は、１〜２ T
orrの減圧中において、１００〜４００℃の温度、特に
１５０〜２００°Cの温度で、Al(CH3 )3 またはAlCl3
と、H2 O, N2 , N2 OまたはH2 O2 とを交互に断続的に
噴射するアトミックレイヤー法で形成された減圧Al2 O3
-CVD膜とするのが特に好適である。磁性材料の特性が
加熱によって劣化しないためには、３００°Ｃ以下とす
るのが良いが、短時間の加熱であれば、４００°Ｃとし
ても磁性材料の劣化は起こらないので、加熱温度を１０
０〜４００°Ｃとする。
２．０〜２．５μｍの膜厚に形成して、上部トラックポ
ール４３を後に形成する上部ポールと連結するための中
間ポール５２およびバックギャップを構成する下部橋絡
部４４と連結される上部橋絡部５３を形成する。さら
に、全体の上にアルミナ絶縁膜１５２を０．１μｍの膜
厚に形成する。このアルミナ絶縁膜１５２は、１〜２ T
orrの減圧中において、１００〜４００℃の温度、特に
１５０〜２００°Cの温度で、Al(CH3 )3 またはAlCl3
と、H2 O, N2 , N2 OまたはH2 O2 とを交互に断続的に
噴射するアトミックレイヤー法で形成された減圧Al2 O3
-CVD膜とするのが特に好適である。磁性材料の特性が
加熱によって劣化しないためには、３００°Ｃ以下とす
るのが良いが、短時間の加熱であれば、４００°Ｃとし
ても磁性材料の劣化は起こらないので、加熱温度を１０
０〜４００°Ｃとする。
【００６４】また、このアルミナ絶縁膜１５２の膜厚に
よって磁路長が左右されるため、通常は３０ｎｍから２
５０ｎｍが適当である。従来の薄膜コイルの製造方法に
おいて、順次のコイル巻回体間のスペースを２５０ｎｍ
以下にすると、露出したシード膜をイオンミリングで除
去する際，再付着のためコイル巻回体間が電気的に短絡
される恐れがあるのに対し。本発明ではそのような短絡
は発生しない。しかし、アルミナ絶縁膜１５２の膜厚を
３０ｎｍよりも薄くすると、Cu-メッキで形成した第１
の薄膜コイル半部５１と、後にCu-CVDで形成される第２
の薄膜コイル半部をＣＭＰ処理をする際に、これらの薄
膜コイル半部の間で銅が移動するスミヤ現象が発生し易
いため、コイル巻回体間が互いに電気的に短絡される恐
れがある。
よって磁路長が左右されるため、通常は３０ｎｍから２
５０ｎｍが適当である。従来の薄膜コイルの製造方法に
おいて、順次のコイル巻回体間のスペースを２５０ｎｍ
以下にすると、露出したシード膜をイオンミリングで除
去する際，再付着のためコイル巻回体間が電気的に短絡
される恐れがあるのに対し。本発明ではそのような短絡
は発生しない。しかし、アルミナ絶縁膜１５２の膜厚を
３０ｎｍよりも薄くすると、Cu-メッキで形成した第１
の薄膜コイル半部５１と、後にCu-CVDで形成される第２
の薄膜コイル半部をＣＭＰ処理をする際に、これらの薄
膜コイル半部の間で銅が移動するスミヤ現象が発生し易
いため、コイル巻回体間が互いに電気的に短絡される恐
れがある。
【００６５】次に、図１７Ａ、１７Ｂに示すように、薄
膜コイル形成領域を２．５〜３.０μｍの膜厚のフォト
レジスト膜１５３で覆い、さらに全体の上にアルミナ絶
縁膜１５４を３〜４μｍの膜厚で形成した様子を図１８
Ａ、１８Ｂに示す。この際、アルミナ絶縁膜１５４は、
上部橋絡部５３と、第１の薄膜コイル半部５１の最内周
のコイル巻回体との間にも侵入し、層間絶縁膜を構成す
るアルミナ絶縁膜１５２よりも膜厚の厚い絶縁膜が形成
されることになる。その後、アルミナ絶縁膜１５４の凸
部をアルカリスラリまたは中性スラリを用いるＣＭＰで
平坦化してフォトレジスト膜１５３を露出させた状態を
図１９Ａ、１９Ｂに示す。本例では、このＣＭＰによる
研磨量は、中間ポール５２を覆うアルミナ絶縁膜１５２
が露出するように制御するが、わずかに隠れるように研
磨しても良い。本例においては、このように後に第２の
薄膜コイル半部を形成するスペースにアルミナ絶縁膜１
５４が侵入しないようにフォトレジスト膜１５３で覆う
ことが重要であるが、フォトレジスト膜の代わりにＳＧ
Ｏ（Spin-On-Glass）膜やポリイミド樹脂膜など、アル
ミナに比べて容易に除去することができる材料を用いる
こともできる。
膜コイル形成領域を２．５〜３.０μｍの膜厚のフォト
レジスト膜１５３で覆い、さらに全体の上にアルミナ絶
縁膜１５４を３〜４μｍの膜厚で形成した様子を図１８
Ａ、１８Ｂに示す。この際、アルミナ絶縁膜１５４は、
上部橋絡部５３と、第１の薄膜コイル半部５１の最内周
のコイル巻回体との間にも侵入し、層間絶縁膜を構成す
るアルミナ絶縁膜１５２よりも膜厚の厚い絶縁膜が形成
されることになる。その後、アルミナ絶縁膜１５４の凸
部をアルカリスラリまたは中性スラリを用いるＣＭＰで
平坦化してフォトレジスト膜１５３を露出させた状態を
図１９Ａ、１９Ｂに示す。本例では、このＣＭＰによる
研磨量は、中間ポール５２を覆うアルミナ絶縁膜１５２
が露出するように制御するが、わずかに隠れるように研
磨しても良い。本例においては、このように後に第２の
薄膜コイル半部を形成するスペースにアルミナ絶縁膜１
５４が侵入しないようにフォトレジスト膜１５３で覆う
ことが重要であるが、フォトレジスト膜の代わりにＳＧ
Ｏ（Spin-On-Glass）膜やポリイミド樹脂膜など、アル
ミナに比べて容易に除去することができる材料を用いる
こともできる。
【００６６】次に、図２０Ａ、２０Ｂに示すように、ケ
ミカルウエットエッチングによってフォトレジスト絶縁
膜１５３を除去した後、Cu-CVD膜１５５を１．５〜２．
５μｍの膜厚に形成した状態を図２１Ａ、２１Ｂに示
す。さらに、Cu-CVD膜１５５をＣＭＰによって平坦化し
た様子を図２２Ａ、２２Ｂに示す。この際、ＣＭＰの研
磨量は第１の薄膜コイル半部５１の頂面に形成されてい
るアルミナ絶縁膜１５２が研磨され、この薄膜コイル半
部のコイル巻回体が表面に露出するように制御する。し
たがって、中間ポール５２および上部橋絡部５３も平坦
な表面に露出することになる。このようにCu-CVD膜１５
５をＣＭＰによって研磨する際に、第１および第２の薄
膜コイル半部５１および５４の表面を同時に研磨するの
で、アルミナ絶縁膜１５２の膜厚を上述したように３０
〜２５０ｎｍと薄くしても、ＣＭＰによってアルミナ絶
縁膜が損傷を受けることがなく、第１および第２の薄膜
コイル半部間を十分良好に絶縁分離することができる。
このようにして第１の薄膜コイル半部５１の順次のコイ
ル巻回体間の空間に第２の薄膜コイル半部５４を形成す
る。第１および第２の薄膜コイル半部５１および５４の
隣接するコイル巻回体の間にはアルミナ絶縁膜１５２が
存在するので、コイル巻回体のスペースはこのアルミナ
絶縁膜１５２の膜厚に等しくなり、上述したように本例
ではアルミナ絶縁膜１５２の膜厚を０．１μmとしたの
で、コイル巻回体間のスペースは０．１μmときわめて
狭いものとなる。
ミカルウエットエッチングによってフォトレジスト絶縁
膜１５３を除去した後、Cu-CVD膜１５５を１．５〜２．
５μｍの膜厚に形成した状態を図２１Ａ、２１Ｂに示
す。さらに、Cu-CVD膜１５５をＣＭＰによって平坦化し
た様子を図２２Ａ、２２Ｂに示す。この際、ＣＭＰの研
磨量は第１の薄膜コイル半部５１の頂面に形成されてい
るアルミナ絶縁膜１５２が研磨され、この薄膜コイル半
部のコイル巻回体が表面に露出するように制御する。し
たがって、中間ポール５２および上部橋絡部５３も平坦
な表面に露出することになる。このようにCu-CVD膜１５
５をＣＭＰによって研磨する際に、第１および第２の薄
膜コイル半部５１および５４の表面を同時に研磨するの
で、アルミナ絶縁膜１５２の膜厚を上述したように３０
〜２５０ｎｍと薄くしても、ＣＭＰによってアルミナ絶
縁膜が損傷を受けることがなく、第１および第２の薄膜
コイル半部間を十分良好に絶縁分離することができる。
このようにして第１の薄膜コイル半部５１の順次のコイ
ル巻回体間の空間に第２の薄膜コイル半部５４を形成す
る。第１および第２の薄膜コイル半部５１および５４の
隣接するコイル巻回体の間にはアルミナ絶縁膜１５２が
存在するので、コイル巻回体のスペースはこのアルミナ
絶縁膜１５２の膜厚に等しくなり、上述したように本例
ではアルミナ絶縁膜１５２の膜厚を０．１μmとしたの
で、コイル巻回体間のスペースは０．１μmときわめて
狭いものとなる。
【００６７】次に、薄膜コイルの上にアルミナ絶縁膜５
５を０．２〜０．５μｍの膜厚に形成し、各部のコンタ
クトホールを形成し、さらに両端が中間ポール５２およ
び上部橋絡部５３と接触するように、FeCoより成る上部
ポール５６をメッキ法によって２μｍの膜厚に形成し、
さらに全体の上にアルミナより成るオーバーコート膜５
７を、２０〜４０μｍの膜厚に形成した様子を図２３
Ａ，２３Ｂに示す。本例では、上部ポール５６をFeCo
で形成したが、CoNiFeやNiFe(80%:20%)や飽和磁束密度
の高い磁性材料であるNiFe(45%:55%)などのメッキ膜で
形成しても良い。また、上部ポール５６は、FeN, FeZrN
などのスパッタ膜で形成することもできる。さらに、上
部ポール５６を、無機系の絶縁膜とパーマロイなどの磁
性材料膜とを複数層、積層したもので形成することもで
き、この場合には、高周波数特性をさらに改善できる利
点がある。実際の製造工程においては、ウエファをバー
に分割し、このバーの側面を研磨してエアーベアリング
面を形成し、さらにバーを個々の薄膜磁気ヘッドに分割
するが、図２３Ａでは、エアーベアリング面を構成する
研磨面を破線Ａ−Ａで示す。バックギャップの橋絡部５
３と薄膜コイルの最内周のコイル巻回体の端部との間に
は、層間絶縁膜１５１よりも膜厚の厚いアルミナ絶縁膜
１５４によって絶縁分離されている。
５を０．２〜０．５μｍの膜厚に形成し、各部のコンタ
クトホールを形成し、さらに両端が中間ポール５２およ
び上部橋絡部５３と接触するように、FeCoより成る上部
ポール５６をメッキ法によって２μｍの膜厚に形成し、
さらに全体の上にアルミナより成るオーバーコート膜５
７を、２０〜４０μｍの膜厚に形成した様子を図２３
Ａ，２３Ｂに示す。本例では、上部ポール５６をFeCo
で形成したが、CoNiFeやNiFe(80%:20%)や飽和磁束密度
の高い磁性材料であるNiFe(45%:55%)などのメッキ膜で
形成しても良い。また、上部ポール５６は、FeN, FeZrN
などのスパッタ膜で形成することもできる。さらに、上
部ポール５６を、無機系の絶縁膜とパーマロイなどの磁
性材料膜とを複数層、積層したもので形成することもで
き、この場合には、高周波数特性をさらに改善できる利
点がある。実際の製造工程においては、ウエファをバー
に分割し、このバーの側面を研磨してエアーベアリング
面を形成し、さらにバーを個々の薄膜磁気ヘッドに分割
するが、図２３Ａでは、エアーベアリング面を構成する
研磨面を破線Ａ−Ａで示す。バックギャップの橋絡部５
３と薄膜コイルの最内周のコイル巻回体の端部との間に
は、層間絶縁膜１５１よりも膜厚の厚いアルミナ絶縁膜
１５４によって絶縁分離されている。
【００６８】図２４は、上部ポール５６を形成した後の
状態を、いくつかの絶縁膜を除去して示す斜視図であ
る。第１の薄膜コイル半部５１と、第２の薄膜コイル半
部５４とは、０．１μmのきわめて薄いアルミナ絶縁膜
１５２を介して自己整合的に形成されているので、順次
のコイル巻回体間のスペースは非常に狭いものとなり、
その結果として磁路長を著しく短くすることができる。
状態を、いくつかの絶縁膜を除去して示す斜視図であ
る。第１の薄膜コイル半部５１と、第２の薄膜コイル半
部５４とは、０．１μmのきわめて薄いアルミナ絶縁膜
１５２を介して自己整合的に形成されているので、順次
のコイル巻回体間のスペースは非常に狭いものとなり、
その結果として磁路長を著しく短くすることができる。
【００６９】さらに、スロートハイト零の基準位置ＴＨ
０ は、上部トラックポール４３とライトギャップ膜４
２を介して隣接するアルミナ絶縁膜４１のエアーベアリ
ング面側の端面で正確に規定される。また、上部トラッ
クポール４３は、きわめて幅の狭いポールチップ部４３
ａと幅の広いコンタクト部４３ｂとを有し、このコンタ
クト部が中間ポール５２と広い面積で接触しているの
で、磁束の飽和が発生することも有効に抑止される。さ
らに、上部トラックポール４３は、FeNやFeCoなどの２
Ｔ以上の高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成して
いるため、トラックポール全体の高さを低くすることが
でき、その結果として書込み時に磁束の広がりがなくな
り、高い面記録密度を実現することができる。また、上
部ポール５６はエアーベアリング面ＡＢＳから後退して
いるので、これらからの磁束の洩れもなくなりオーバー
ライト特性やＮＬＳＴ特性を改善することができる。
０ は、上部トラックポール４３とライトギャップ膜４
２を介して隣接するアルミナ絶縁膜４１のエアーベアリ
ング面側の端面で正確に規定される。また、上部トラッ
クポール４３は、きわめて幅の狭いポールチップ部４３
ａと幅の広いコンタクト部４３ｂとを有し、このコンタ
クト部が中間ポール５２と広い面積で接触しているの
で、磁束の飽和が発生することも有効に抑止される。さ
らに、上部トラックポール４３は、FeNやFeCoなどの２
Ｔ以上の高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成して
いるため、トラックポール全体の高さを低くすることが
でき、その結果として書込み時に磁束の広がりがなくな
り、高い面記録密度を実現することができる。また、上
部ポール５６はエアーベアリング面ＡＢＳから後退して
いるので、これらからの磁束の洩れもなくなりオーバー
ライト特性やＮＬＳＴ特性を改善することができる。
【００７０】上述したように、上部ポール５６のエアー
ベアリング面側の先端位置はエアーベアリング面ＡＢＳ
側から後退しているが、この距離は０．５μｍ以上とす
るのが、上部ポールから洩れる磁束によるサイドライト
を防止する上で好適である。さらに、中間ポール５２の
エアーベアリング面側の側面もエアーベアリング面ＡＢ
Ｓから後退しているので、エアーベアリング面には、上
部トラックポール４３の端面だけが露出していることに
なり、その結果としてきわめて幅の狭いトラックの書き
込みが可能となる。
ベアリング面側の先端位置はエアーベアリング面ＡＢＳ
側から後退しているが、この距離は０．５μｍ以上とす
るのが、上部ポールから洩れる磁束によるサイドライト
を防止する上で好適である。さらに、中間ポール５２の
エアーベアリング面側の側面もエアーベアリング面ＡＢ
Ｓから後退しているので、エアーベアリング面には、上
部トラックポール４３の端面だけが露出していることに
なり、その結果としてきわめて幅の狭いトラックの書き
込みが可能となる。
【００７１】図２５は、第１および第２の薄膜コイル半
部５１および５４の接続状態を線図的に示す平面図であ
り、順次のコイル巻回体間を絶縁分離するアルミナ絶縁
膜１５２は太線で示してある。第１のコイルリード１６
１は第１の薄膜コイル半部５１の最外周のコイル巻回体
に接続されており、第１の薄膜コイル５１の最内周のコ
イル巻回体の幅の広くなっている端部５１ａは、コンタ
クト部１６２を介して第１のジャンパ配線１６３の一端
に接続されている。この第１のジャンパ配線１６３の他
端は、コンタクト部１６４を介して、第２の薄膜コイル
半部５４の最外周のコイル巻回体の幅を広くした端部に
接続されている。第２の薄膜コイル半部５４の最内周の
コイル巻回体の幅の広い端部には、コンタクト部１６５
を介して第２のジャンパ配線１６８の一端に接続され、
この第２のジャンパ配線の他端は第２のコイルリード１
６８に接続されている。このように接続することにより
第１および第２の薄膜コイル半部５１および５４のコイ
ル巻回体を右回りに電流が流れることになる。第１およ
び第２のジャンパ配線１６３および１６６は上部ポール
５６を形成するときに、上部ポールを構成する磁性材料
と同じ材料で形成する。
部５１および５４の接続状態を線図的に示す平面図であ
り、順次のコイル巻回体間を絶縁分離するアルミナ絶縁
膜１５２は太線で示してある。第１のコイルリード１６
１は第１の薄膜コイル半部５１の最外周のコイル巻回体
に接続されており、第１の薄膜コイル５１の最内周のコ
イル巻回体の幅の広くなっている端部５１ａは、コンタ
クト部１６２を介して第１のジャンパ配線１６３の一端
に接続されている。この第１のジャンパ配線１６３の他
端は、コンタクト部１６４を介して、第２の薄膜コイル
半部５４の最外周のコイル巻回体の幅を広くした端部に
接続されている。第２の薄膜コイル半部５４の最内周の
コイル巻回体の幅の広い端部には、コンタクト部１６５
を介して第２のジャンパ配線１６８の一端に接続され、
この第２のジャンパ配線の他端は第２のコイルリード１
６８に接続されている。このように接続することにより
第１および第２の薄膜コイル半部５１および５４のコイ
ル巻回体を右回りに電流が流れることになる。第１およ
び第２のジャンパ配線１６３および１６６は上部ポール
５６を形成するときに、上部ポールを構成する磁性材料
と同じ材料で形成する。
【００７２】次に本発明による第２の実施例について説
明する。この第２の実施例において第１の実施例と同じ
部分には同じ符号をつけて示す。第１の実施例の図１０
と同様に、読み取り用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子
を形成し、さらに分離膜３９の上に下部ポール４０を形
成した後、その平坦な表面にライトギャップ膜を構成す
るアルミナ絶縁膜１４２を０．１μmの膜厚に形成す
る。さらに、このライトギャップ膜１４２の上に、フォ
トレジスト膜１７１を、０．３〜０．５μmの膜厚に形
成した様子を図２６Ａ，２６Ｂに示す。このフォトレジ
スト膜１７１は上述した第１の実施例のアルミナ絶縁膜
４１と同様の機能を果たすものであり、そのエアーベア
リング面側の端面でスロートハイト零の基準位置を規定
するものである。このフォトレジスト膜１７１は、W, T
a, Mo, TiN, TaNなどの非磁性金属あるいはアルミナな
どの非磁性無機材料で形成することもできる。
明する。この第２の実施例において第１の実施例と同じ
部分には同じ符号をつけて示す。第１の実施例の図１０
と同様に、読み取り用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子
を形成し、さらに分離膜３９の上に下部ポール４０を形
成した後、その平坦な表面にライトギャップ膜を構成す
るアルミナ絶縁膜１４２を０．１μmの膜厚に形成す
る。さらに、このライトギャップ膜１４２の上に、フォ
トレジスト膜１７１を、０．３〜０．５μmの膜厚に形
成した様子を図２６Ａ，２６Ｂに示す。このフォトレジ
スト膜１７１は上述した第１の実施例のアルミナ絶縁膜
４１と同様の機能を果たすものであり、そのエアーベア
リング面側の端面でスロートハイト零の基準位置を規定
するものである。このフォトレジスト膜１７１は、W, T
a, Mo, TiN, TaNなどの非磁性金属あるいはアルミナな
どの非磁性無機材料で形成することもできる。
【００７３】次に、図２７Ａ，２７Ｂに示すように、バ
ックギャップ部分の非磁性膜１４２およびフォトレジス
ト膜１７１を選択的に除去した後、上部トラックポール
を構成する飽和磁束密度の高い磁性材料膜１４３をスパ
ッタ法により１．５〜２．５μmの膜厚に形成する。第
１の実施例と同様に、この磁性材料膜１４３はFeNまた
はFeCoで形成することができる。
ックギャップ部分の非磁性膜１４２およびフォトレジス
ト膜１７１を選択的に除去した後、上部トラックポール
を構成する飽和磁束密度の高い磁性材料膜１４３をスパ
ッタ法により１．５〜２．５μmの膜厚に形成する。第
１の実施例と同様に、この磁性材料膜１４３はFeNまた
はFeCoで形成することができる。
【００７４】次に、図２８Ａ，２８Ｂに示すように、磁
性材料膜１４３の表面をＣＭＰによって平坦とした後、
アルミナ絶縁膜１７２を１〜２μmの膜厚に形成する。
さらに、このアルミナ絶縁膜１７２の上にNiFeより成る
シード層１４５を約５０ｎｍの膜厚に形成し、さらにそ
の上に所定のパターンを有するフォトレジストマスク１
４６を形成する。さらに、シード層１４５の露出した表
面に電解メッキによりハードマスクを構成するNiFe膜１
４７を１．５〜２．５μmの膜厚に形成する。その後、
フォトレジストマスク１４６を除去した後、NiFe膜１４
７をマスクとしてシード層１４５、アルミナ絶縁膜１７
２、磁性材料膜１４３、フォトレジスト膜１７１および
非磁性材料膜１４２をＲＩＥで選択的に除去する。
性材料膜１４３の表面をＣＭＰによって平坦とした後、
アルミナ絶縁膜１７２を１〜２μmの膜厚に形成する。
さらに、このアルミナ絶縁膜１７２の上にNiFeより成る
シード層１４５を約５０ｎｍの膜厚に形成し、さらにそ
の上に所定のパターンを有するフォトレジストマスク１
４６を形成する。さらに、シード層１４５の露出した表
面に電解メッキによりハードマスクを構成するNiFe膜１
４７を１．５〜２．５μmの膜厚に形成する。その後、
フォトレジストマスク１４６を除去した後、NiFe膜１４
７をマスクとしてシード層１４５、アルミナ絶縁膜１７
２、磁性材料膜１４３、フォトレジスト膜１７１および
非磁性材料膜１４２をＲＩＥで選択的に除去する。
【００７５】その後のプロセスは上述した第１の実施例
の図１５〜２２のプロセスと同様であり、最終的に図２
９Ａ，２９Ｂに示す構成が得られる。この第２の実施例
と上述した第１の実施例の相違点は、第２の実施例で
は、スロートハイトゼロの基準位置を規定する絶縁膜が
フォトレジスト膜１７１で形成されている点と、ライト
ギャップ膜４２がこのフォトレジスト膜１７１の下側に
形成されている点である。第２の実施例のその他の構成
は第１の実施例と同様である。
の図１５〜２２のプロセスと同様であり、最終的に図２
９Ａ，２９Ｂに示す構成が得られる。この第２の実施例
と上述した第１の実施例の相違点は、第２の実施例で
は、スロートハイトゼロの基準位置を規定する絶縁膜が
フォトレジスト膜１７１で形成されている点と、ライト
ギャップ膜４２がこのフォトレジスト膜１７１の下側に
形成されている点である。第２の実施例のその他の構成
は第１の実施例と同様である。
【００７６】次に、本発明による複合型薄膜磁気ヘッド
の第３の実施例について説明する。この第３の実施例
と、第１および第２の実施例との相違点は、上部トラッ
クポールが第１のトラックポールと第２のトラックポー
ルとの２層で構成されている点である。第１の実施例の
図１０に示すように、読み取り用の磁気抵抗型薄膜磁気
ヘッド素子を形成し、さらに分離膜３９の上に下部ポー
ル４０を形成した後、その平坦な表面に、ライトギャッ
プ膜を構成するアルミナ絶縁膜１４２を０．０８〜０．
１μmの膜厚に形成し、そのバックギャップ部分を選択
的に除去した後、第１のトラックポールを構成する飽和
磁束密度の高い磁性材料膜１８１をスパッタ法により
０．５〜０．８μmの膜厚に形成した様子を図３０Ａ，
３０Ｂに示す。この磁性材料膜１８１は、第１および第
２の実施例の上部トラックポール４３を構成する磁性材
料膜１４３と同様にFeNまたはFeCoで形成することがで
きるが、本例では、FeCoで形成する。
の第３の実施例について説明する。この第３の実施例
と、第１および第２の実施例との相違点は、上部トラッ
クポールが第１のトラックポールと第２のトラックポー
ルとの２層で構成されている点である。第１の実施例の
図１０に示すように、読み取り用の磁気抵抗型薄膜磁気
ヘッド素子を形成し、さらに分離膜３９の上に下部ポー
ル４０を形成した後、その平坦な表面に、ライトギャッ
プ膜を構成するアルミナ絶縁膜１４２を０．０８〜０．
１μmの膜厚に形成し、そのバックギャップ部分を選択
的に除去した後、第１のトラックポールを構成する飽和
磁束密度の高い磁性材料膜１８１をスパッタ法により
０．５〜０．８μmの膜厚に形成した様子を図３０Ａ，
３０Ｂに示す。この磁性材料膜１８１は、第１および第
２の実施例の上部トラックポール４３を構成する磁性材
料膜１４３と同様にFeNまたはFeCoで形成することがで
きるが、本例では、FeCoで形成する。
【００７７】次に、図３１Ａ，３１Ｂに示すように、薄
膜コイルを形成すべき領域の上にフォトレジスト、金属
或いはアルミナより成るマスクを形成した後、BCl2 、C
l2などの塩素系ガス雰囲気中で、２００℃の高い温度で
ＲＩＥを行い、磁性材料膜１８１を選択的に除去して帯
状にパターニングする。さらに、全体にアルミナ絶縁膜
１８２を１．０μmの膜厚に形成した後、ＣＭＰを施し
て平坦化する。このＣＭＰによる研磨量は、帯状の磁性
材料膜１８１の膜厚が０．３〜０．６μmとなるように
制御する。また、このアルミナ絶縁膜１８２のエアーベ
アリング面側の端面によってスロートハイト零の基準位
置が規定され、ＭＲハイト零の基準位置もその近傍に位
置するように構成する。また、このプロセスにおいて、
バックギャップを構成する第１の下部橋絡部４４ａが形
成される。
膜コイルを形成すべき領域の上にフォトレジスト、金属
或いはアルミナより成るマスクを形成した後、BCl2 、C
l2などの塩素系ガス雰囲気中で、２００℃の高い温度で
ＲＩＥを行い、磁性材料膜１８１を選択的に除去して帯
状にパターニングする。さらに、全体にアルミナ絶縁膜
１８２を１．０μmの膜厚に形成した後、ＣＭＰを施し
て平坦化する。このＣＭＰによる研磨量は、帯状の磁性
材料膜１８１の膜厚が０．３〜０．６μmとなるように
制御する。また、このアルミナ絶縁膜１８２のエアーベ
アリング面側の端面によってスロートハイト零の基準位
置が規定され、ＭＲハイト零の基準位置もその近傍に位
置するように構成する。また、このプロセスにおいて、
バックギャップを構成する第１の下部橋絡部４４ａが形
成される。
【００７８】その後、図３２Ａ，３２Ｂに示すように、
平坦化された表面に、第１のトラックポールを構成する
磁性材料膜１８３を、スパッタ法により０．８〜１．５
μmの膜厚に形成する。この磁性材料膜１８３もFeNまた
はFeCoで形成することができるが、本例ではNiFeで形成
する。さらに、この磁性材料膜１８３の上に、フォトリ
ソグラフィによってアルミナより成るハードマスク１８
４を所定のパターンにしたがって形成する。このハード
マスク１８４を形成するに際しては、アルミナ絶縁膜を
形成した後、NiFe膜を電解メッキによって選択的に形成
し、このNiFe膜をマスクとしてアルミナ絶縁膜をエッチ
ングして形成する。
平坦化された表面に、第１のトラックポールを構成する
磁性材料膜１８３を、スパッタ法により０．８〜１．５
μmの膜厚に形成する。この磁性材料膜１８３もFeNまた
はFeCoで形成することができるが、本例ではNiFeで形成
する。さらに、この磁性材料膜１８３の上に、フォトリ
ソグラフィによってアルミナより成るハードマスク１８
４を所定のパターンにしたがって形成する。このハード
マスク１８４を形成するに際しては、アルミナ絶縁膜を
形成した後、NiFe膜を電解メッキによって選択的に形成
し、このNiFe膜をマスクとしてアルミナ絶縁膜をエッチ
ングして形成する。
【００７９】次に、アルミナより成るハードマスク１８
４を用い、FeNより成る磁性材料膜１８３をＲＩＥによ
って選択的に除去して第２のトラックポール８３を形成
した状態を図３３Ａ、３３Ｂに示す。また、これと同時
に、第１の下部橋絡部４４ａと連結された第２の下部橋
絡部４４ｂが形成される。図３６は、ハードマスク１８
４および第２トラックポール８３の形状を示す斜視図で
ある。第２トラックポール８３は、０．１〜０．３μｍ
の巾の狭いポールチップ部８３ａと、後に形成すべき上
部ポールと連結される幅の広いコンタクト部８３ｂとを
有している。ポールチップ部８３ａは第１トラックポー
ルを構成する帯状の磁性材料膜１８１の上に位置してい
るが、コンタクト部８３ｂはアルミナ絶縁膜１８２の上
に位置している。すなわち、スロートハイト零の基準位
置ＴＨ０ は、ポールチップ部８３ａとコンタクト部８
３ｂとの境界に位置している。しかし本発明では必ずし
もそのようにする必要はなく、後述する実施例のように
スロートハイト零の基準位置ＴＨ０ を、ポールチップ
部８３ａとコンタクト部８３ｂとの境界よりもエアーベ
アリング面ＡＢＳに近づけることもできる。また、実際
の薄膜磁気ヘッドの製造においては、多数の薄膜磁気ヘ
ッド素子をウエファに配列して形成した後、ウエファ
を、それぞれが複数の薄膜磁気ヘッド素子を配列した複
数のバーに切断し、各バーの側面を研磨してエアーベア
リング面ＡＢＳを形成し、最後に個々の薄膜磁気ヘッド
に切断するようにしている。したがって図３６では第２
トラックポール８３のポールチップ部８３ａは長く描か
れている。
４を用い、FeNより成る磁性材料膜１８３をＲＩＥによ
って選択的に除去して第２のトラックポール８３を形成
した状態を図３３Ａ、３３Ｂに示す。また、これと同時
に、第１の下部橋絡部４４ａと連結された第２の下部橋
絡部４４ｂが形成される。図３６は、ハードマスク１８
４および第２トラックポール８３の形状を示す斜視図で
ある。第２トラックポール８３は、０．１〜０．３μｍ
の巾の狭いポールチップ部８３ａと、後に形成すべき上
部ポールと連結される幅の広いコンタクト部８３ｂとを
有している。ポールチップ部８３ａは第１トラックポー
ルを構成する帯状の磁性材料膜１８１の上に位置してい
るが、コンタクト部８３ｂはアルミナ絶縁膜１８２の上
に位置している。すなわち、スロートハイト零の基準位
置ＴＨ０ は、ポールチップ部８３ａとコンタクト部８
３ｂとの境界に位置している。しかし本発明では必ずし
もそのようにする必要はなく、後述する実施例のように
スロートハイト零の基準位置ＴＨ０ を、ポールチップ
部８３ａとコンタクト部８３ｂとの境界よりもエアーベ
アリング面ＡＢＳに近づけることもできる。また、実際
の薄膜磁気ヘッドの製造においては、多数の薄膜磁気ヘ
ッド素子をウエファに配列して形成した後、ウエファ
を、それぞれが複数の薄膜磁気ヘッド素子を配列した複
数のバーに切断し、各バーの側面を研磨してエアーベア
リング面ＡＢＳを形成し、最後に個々の薄膜磁気ヘッド
に切断するようにしている。したがって図３６では第２
トラックポール８３のポールチップ部８３ａは長く描か
れている。
【００８０】本実施例においては、このように狭いポー
ルチップ部８３ａを有する第２トラックポール８３を形
成するＲＩＥを、Cl2 、Cl2 にBCl2 などのホウ素系ガ
スを混合した混合ガスあるいはCl2 にO2 ,Ar, N2 など
のガスを混合した混合ガスなどの雰囲気中で、エッチン
グ温度を５０〜３００℃、特に２００〜３００℃の高温
で行うことでRIEの際の再付着物の発生を防ぐことがで
きる。このような条件で行うＲＩＥを行うことによって
FeN、FeCoなどの高飽和磁束密度を有する磁性材料を正
確にかつ効率良くエッチングすることができる。また、
第２トラックポール８３を構成する磁性材料膜１８３
は、第１トラックポールを構成する帯状の磁性材料膜１
８１とアルミナ絶縁膜１８２の平坦な表面に平坦に形成
されているので、ＲＩＥを行う際に影となるような凹凸
がなく、正確なパターニングを行うことができる。上述
した条件下でＲＩＥを行う場合には、FeN、FeCoなどの
高飽和磁束密度を有する磁性材料に対するエッチングレ
ートはアルミナに対するエッチングレートよりも高いの
で、図３６に示すように第２トラックポール８３の周辺
の磁性材料膜１８１およびアルミナ絶縁膜１８２は未だ
残っている。
ルチップ部８３ａを有する第２トラックポール８３を形
成するＲＩＥを、Cl2 、Cl2 にBCl2 などのホウ素系ガ
スを混合した混合ガスあるいはCl2 にO2 ,Ar, N2 など
のガスを混合した混合ガスなどの雰囲気中で、エッチン
グ温度を５０〜３００℃、特に２００〜３００℃の高温
で行うことでRIEの際の再付着物の発生を防ぐことがで
きる。このような条件で行うＲＩＥを行うことによって
FeN、FeCoなどの高飽和磁束密度を有する磁性材料を正
確にかつ効率良くエッチングすることができる。また、
第２トラックポール８３を構成する磁性材料膜１８３
は、第１トラックポールを構成する帯状の磁性材料膜１
８１とアルミナ絶縁膜１８２の平坦な表面に平坦に形成
されているので、ＲＩＥを行う際に影となるような凹凸
がなく、正確なパターニングを行うことができる。上述
した条件下でＲＩＥを行う場合には、FeN、FeCoなどの
高飽和磁束密度を有する磁性材料に対するエッチングレ
ートはアルミナに対するエッチングレートよりも高いの
で、図３６に示すように第２トラックポール８３の周辺
の磁性材料膜１８１およびアルミナ絶縁膜１８２は未だ
残っている。
【００８１】上述したように第２トラックポール８３を
形成した後、ハードマスク１８４をマスクとするＲＩＥ
を引き続き行い、帯状の磁性材料膜１８１を選択的に除
去して第１トラックポール８１を形成する。このよう
に、上部トラックポールをセルフアライメントで形成し
た第１のトラックポール８１および第２のトラックポー
ル８３の２層構造としたので、サブミクロンオーダのポ
ールチップを正確にかつ安定に形成することができる。
また、このＲＩＥの際に、上部トラックポールの下側以
外のアルミナ絶縁膜１８２も選択的に除去される。さら
にＲＩＥを続けて上部トラックポールの下側以外の非磁
性膜１４２を除去してライトギャップ膜４２を形成し、
さらにその下側にある下部ポール４０を、その厚さの一
部分に亘って選択的に除去してトリム構造を形成した状
態を図３７に示す。ただし、この図３７ではハードマス
ク１８４を除去した後の状態を示すものである。本例で
は、ＲＩＥによって下部ポール４０を０．３〜０．４μ
ｍの深さに除去してトリム構造を形成するが、非磁性膜
１４２までをＲＩＥで除去し、下部ポール４０をイオン
ミリングで除去しても良い。本例のように、ＲＩＥを採
用してトリム構造を形成することによって下部ポール４
０を正確にトリミングすることができ、したがってエア
ーベアリング面ＡＢＳでの磁束の広がりが少なくなり、
隣のトラックへの誤った書き込みがなくなり、サイドラ
イト有効に抑止することができる。
形成した後、ハードマスク１８４をマスクとするＲＩＥ
を引き続き行い、帯状の磁性材料膜１８１を選択的に除
去して第１トラックポール８１を形成する。このよう
に、上部トラックポールをセルフアライメントで形成し
た第１のトラックポール８１および第２のトラックポー
ル８３の２層構造としたので、サブミクロンオーダのポ
ールチップを正確にかつ安定に形成することができる。
また、このＲＩＥの際に、上部トラックポールの下側以
外のアルミナ絶縁膜１８２も選択的に除去される。さら
にＲＩＥを続けて上部トラックポールの下側以外の非磁
性膜１４２を除去してライトギャップ膜４２を形成し、
さらにその下側にある下部ポール４０を、その厚さの一
部分に亘って選択的に除去してトリム構造を形成した状
態を図３７に示す。ただし、この図３７ではハードマス
ク１８４を除去した後の状態を示すものである。本例で
は、ＲＩＥによって下部ポール４０を０．３〜０．４μ
ｍの深さに除去してトリム構造を形成するが、非磁性膜
１４２までをＲＩＥで除去し、下部ポール４０をイオン
ミリングで除去しても良い。本例のように、ＲＩＥを採
用してトリム構造を形成することによって下部ポール４
０を正確にトリミングすることができ、したがってエア
ーベアリング面ＡＢＳでの磁束の広がりが少なくなり、
隣のトラックへの誤った書き込みがなくなり、サイドラ
イト有効に抑止することができる。
【００８２】さらに、上述したようにＲＩＥによってト
リミングを行う場合には、イオンミリングに比べてトリ
ミング時間を大幅に短縮することができる。下部ポール
４０の磁性材料に対するイオンミリングのエッチングレ
ートはほぼ３００Å／ｍｉｎであるのに対し、ＲＩＥの
エッチングレートはほぼ２０００Å／ｍｉｎと速いため
である。また、第２トラックポール８３のコンタクト部
８３ｂは、スロートハイト零の基準位置ＴＨ０ の位置
或いはその近傍から幅が急に広くなっているために従来
のイオンミリングでは影ができ、トラックポールの幅が
先端に行くにしたがって狭くなってテーパーを持つよう
になるという欠点が解消され、上部トラックポールの幅
がその全長に亘って均一となり、したがってエアーベア
リング面ＡＢＳでのトラック幅を正確にかつ安定して規
定することができる。
リミングを行う場合には、イオンミリングに比べてトリ
ミング時間を大幅に短縮することができる。下部ポール
４０の磁性材料に対するイオンミリングのエッチングレ
ートはほぼ３００Å／ｍｉｎであるのに対し、ＲＩＥの
エッチングレートはほぼ２０００Å／ｍｉｎと速いため
である。また、第２トラックポール８３のコンタクト部
８３ｂは、スロートハイト零の基準位置ＴＨ０ の位置
或いはその近傍から幅が急に広くなっているために従来
のイオンミリングでは影ができ、トラックポールの幅が
先端に行くにしたがって狭くなってテーパーを持つよう
になるという欠点が解消され、上部トラックポールの幅
がその全長に亘って均一となり、したがってエアーベア
リング面ＡＢＳでのトラック幅を正確にかつ安定して規
定することができる。
【００８３】次に、全体の上にアルミナ絶縁膜１８５を
１．０〜２．０μmの膜厚に形成した後、ＣＭＰによっ
てハードマスク１８４を除去し、表面を平坦化する。こ
の状態が図３３Ａ、３３Ｂに示されている。このとき、
ＣＭＰの研磨量は第２トラックポール８３の膜厚が０．
５〜１．０μmとなるように制御する。
１．０〜２．０μmの膜厚に形成した後、ＣＭＰによっ
てハードマスク１８４を除去し、表面を平坦化する。こ
の状態が図３３Ａ、３３Ｂに示されている。このとき、
ＣＭＰの研磨量は第２トラックポール８３の膜厚が０．
５〜１．０μmとなるように制御する。
【００８４】次に、図３４に示すように、ＣＭＰによっ
て平坦化された表面に、第１の実施例と同様にして、第
１の薄膜コイル５１を形成し、中間ポール５２および上
部橋絡部５３を形成する。それ以降のプロセスは、上述
した第１の実施例の図１５〜２２のプロセスと同様であ
り、最終的に図３５Ａ，３５Ｂに示す構成が得られる。
この第３の実施例と上述した第１および第２の実施例の
相違点は、第３の実施例では、スロートハイトゼロの基
準位置を規定する絶縁膜がアルミナ絶縁膜膜１８２で形
成されている点と、ライトギャップ膜４２がこのアルミ
ナ絶縁膜１８２および第１トラックポール８１の下側に
形成されている点と、上部トラックポールが第１のトラ
ックポール８１と第２のトラックポール８３の２層構造
で形成されている点である。第３の実施例のその他の構
成は第１および第２の実施例と同様である。
て平坦化された表面に、第１の実施例と同様にして、第
１の薄膜コイル５１を形成し、中間ポール５２および上
部橋絡部５３を形成する。それ以降のプロセスは、上述
した第１の実施例の図１５〜２２のプロセスと同様であ
り、最終的に図３５Ａ，３５Ｂに示す構成が得られる。
この第３の実施例と上述した第１および第２の実施例の
相違点は、第３の実施例では、スロートハイトゼロの基
準位置を規定する絶縁膜がアルミナ絶縁膜膜１８２で形
成されている点と、ライトギャップ膜４２がこのアルミ
ナ絶縁膜１８２および第１トラックポール８１の下側に
形成されている点と、上部トラックポールが第１のトラ
ックポール８１と第２のトラックポール８３の２層構造
で形成されている点である。第３の実施例のその他の構
成は第１および第２の実施例と同様である。
【００８５】上述した第３の実施例の変形例において
は、図３８に示すように、アルミナより成るハードマス
ク１８４を用いる代わりに、電解メッキによってCoNiFe
より成る第２トラックポール１８６を所定のパターンに
形成し、この第２トラックポールをマスクとしてＲＩＥ
を行って、帯状の磁性材料膜１８１、アルミナ絶縁膜１
８２および非磁性材料膜１４２をエッチングし、さらに
下部ポール４０の表面を部分的にエッチングして、図３
９に示すように、第１トラックポール８１、ライトギャ
ップ膜４２およびトリム構造を形成する。
は、図３８に示すように、アルミナより成るハードマス
ク１８４を用いる代わりに、電解メッキによってCoNiFe
より成る第２トラックポール１８６を所定のパターンに
形成し、この第２トラックポールをマスクとしてＲＩＥ
を行って、帯状の磁性材料膜１８１、アルミナ絶縁膜１
８２および非磁性材料膜１４２をエッチングし、さらに
下部ポール４０の表面を部分的にエッチングして、図３
９に示すように、第１トラックポール８１、ライトギャ
ップ膜４２およびトリム構造を形成する。
【００８６】図４０は、本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドの第４の実施例の構成を示す断面図である。本例に
おいても、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示し
た。本例の磁極部分および薄膜コイルの構成は、第３の
実施例に示したものと同じであるが、第１の薄膜コイル
半部５１と第２の薄膜コイル半部５４とを電気的に接続
するジャンパ配線の形成方法が第３の実施例とは相違し
ている。すなわち、第３の実施例では、薄膜コイルを形
成した後、上部ポール５６を形成するのと同時にジャン
パ配線１６３を形成したが、本例では、第１トラックポ
ール８１を形成するのと同時に、第１のジャンパ配線１
９１を形成し、さらに第２トラックポール８３を形成す
るのと同時に、第１のジャンパ配線１９１の一端と接触
するように第２のジャンパ配線１９２ａを形成すると共
に第１のジャンパ配線１９１の他端と接触するように第
３のジャンパ配線１９２ｂを形成する。薄膜コイルを形
成する際に、第２のジャンパ配線１９２ａが第１の薄膜
コイル半部５１の最内周のコイル巻回体の幅を広くした
端部５１ａで構成されるコンタクト部と接触し、第３の
ジャンパ配線１９２ａが第２の薄膜コイル半部５４の最
外周のコイル巻回体の幅を広くした端部５４ａで構成さ
れるコンタクト部と接触するように構成する。また、第
１の薄膜コイル半部５１が第１のジャンパ配線１９１と
直接接触しないように、アルミナ絶縁膜１９３を形成す
る。
ッドの第４の実施例の構成を示す断面図である。本例に
おいても、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示し
た。本例の磁極部分および薄膜コイルの構成は、第３の
実施例に示したものと同じであるが、第１の薄膜コイル
半部５１と第２の薄膜コイル半部５４とを電気的に接続
するジャンパ配線の形成方法が第３の実施例とは相違し
ている。すなわち、第３の実施例では、薄膜コイルを形
成した後、上部ポール５６を形成するのと同時にジャン
パ配線１６３を形成したが、本例では、第１トラックポ
ール８１を形成するのと同時に、第１のジャンパ配線１
９１を形成し、さらに第２トラックポール８３を形成す
るのと同時に、第１のジャンパ配線１９１の一端と接触
するように第２のジャンパ配線１９２ａを形成すると共
に第１のジャンパ配線１９１の他端と接触するように第
３のジャンパ配線１９２ｂを形成する。薄膜コイルを形
成する際に、第２のジャンパ配線１９２ａが第１の薄膜
コイル半部５１の最内周のコイル巻回体の幅を広くした
端部５１ａで構成されるコンタクト部と接触し、第３の
ジャンパ配線１９２ａが第２の薄膜コイル半部５４の最
外周のコイル巻回体の幅を広くした端部５４ａで構成さ
れるコンタクト部と接触するように構成する。また、第
１の薄膜コイル半部５１が第１のジャンパ配線１９１と
直接接触しないように、アルミナ絶縁膜１９３を形成す
る。
【００８７】図４１は、本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドの第５の実施例の構成を示す断面図である。本例に
おいては、第１の薄膜コイル半部５１と第２の薄膜コイ
ル半部５４とを電気的に接続するジャンパ配線１９４を
第２トラックポール８３を形成するのと同時に形成す
る。すなわち、薄膜コイルを形成する際に、一端が第１
の薄膜コイル半部５１の最内周のコイル巻回体の幅を広
くした端部５１ａで構成されるコンタクト部と接触し、
他端が第２の薄膜コイル半部５４の最外周のコイル巻回
体の幅を広くした端部５４ａで構成されるコンタクト部
と接触されるジャンパ配線１９４を第２トラックポール
８３と同時に形成する。また、第１の薄膜コイル半部５
１がこのジャンパ配線１９４と直接接触しないようにア
ルミナ絶縁膜１９５を形成する。その他の構成は、第４
の実施例と同様である。
ッドの第５の実施例の構成を示す断面図である。本例に
おいては、第１の薄膜コイル半部５１と第２の薄膜コイ
ル半部５４とを電気的に接続するジャンパ配線１９４を
第２トラックポール８３を形成するのと同時に形成す
る。すなわち、薄膜コイルを形成する際に、一端が第１
の薄膜コイル半部５１の最内周のコイル巻回体の幅を広
くした端部５１ａで構成されるコンタクト部と接触し、
他端が第２の薄膜コイル半部５４の最外周のコイル巻回
体の幅を広くした端部５４ａで構成されるコンタクト部
と接触されるジャンパ配線１９４を第２トラックポール
８３と同時に形成する。また、第１の薄膜コイル半部５
１がこのジャンパ配線１９４と直接接触しないようにア
ルミナ絶縁膜１９５を形成する。その他の構成は、第４
の実施例と同様である。
【００８８】図４２〜４６は、本発明による複合型薄膜
磁気ヘッドの第６の実施例の順次の工程を示す断面図で
ある。本例は、上部トラックポールを第１のトラックポ
ールと第２のトラックポールとの２層構造としたもので
ある。上述した第１の実施例と同様にして読み出し用の
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子を形成した後、図４２に
示すように、上部シールド膜３８の表面にアルミナ絶縁
膜２０１を０．１５〜０．２μmの膜厚に形成する。さ
らに、このアルミナ絶縁膜２０１の上に、記録用ヘッド
素子の下部ポール４０を２．０〜２．５μmの膜厚に形
成し、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）で
所定のパターンとした後、全体の上にアルミナ絶縁膜２
０２を形成し、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって表面を
平坦化する。上述した第１の実施例と同様に、下部ポー
ル４０は、NiFe(80%:20%)やNiFe(45%:55%)、FeCo(67% :
33%)あるいはCoNiFe（64％：18％：18％）のメッキ膜
で形成したり、FeAlN, FeN, FeCo, FeZrNなどのスパッ
タ膜で形成できるが、本例ではFeNのスパッタ膜で形成
する。さらに、上述したように平坦化した表面に、ライ
トギャップ膜を構成する非磁性材料膜１４２を０．０８
〜０．１０μmの膜厚に形成する。
磁気ヘッドの第６の実施例の順次の工程を示す断面図で
ある。本例は、上部トラックポールを第１のトラックポ
ールと第２のトラックポールとの２層構造としたもので
ある。上述した第１の実施例と同様にして読み出し用の
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子を形成した後、図４２に
示すように、上部シールド膜３８の表面にアルミナ絶縁
膜２０１を０．１５〜０．２μmの膜厚に形成する。さ
らに、このアルミナ絶縁膜２０１の上に、記録用ヘッド
素子の下部ポール４０を２．０〜２．５μmの膜厚に形
成し、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）で
所定のパターンとした後、全体の上にアルミナ絶縁膜２
０２を形成し、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって表面を
平坦化する。上述した第１の実施例と同様に、下部ポー
ル４０は、NiFe(80%:20%)やNiFe(45%:55%)、FeCo(67% :
33%)あるいはCoNiFe（64％：18％：18％）のメッキ膜
で形成したり、FeAlN, FeN, FeCo, FeZrNなどのスパッ
タ膜で形成できるが、本例ではFeNのスパッタ膜で形成
する。さらに、上述したように平坦化した表面に、ライ
トギャップ膜を構成する非磁性材料膜１４２を０．０８
〜０．１０μmの膜厚に形成する。
【００８９】次に、図４３に示すように、非磁性膜１４
２の、バックギャップを構成する部分を選択的に除去し
た後、第１のトラックポールを構成する飽和磁束密度の
高い磁性材料膜１８１をスパッタ法により０．５〜０．
８μmの膜厚に形成する。この磁性材料膜１８１は第１
のトラックポールを構成するものであり、高飽和磁束密
度を有するFeNまたはFeCoで形成するのが好適である
が、本例ではFeNで形成する。
２の、バックギャップを構成する部分を選択的に除去し
た後、第１のトラックポールを構成する飽和磁束密度の
高い磁性材料膜１８１をスパッタ法により０．５〜０．
８μmの膜厚に形成する。この磁性材料膜１８１は第１
のトラックポールを構成するものであり、高飽和磁束密
度を有するFeNまたはFeCoで形成するのが好適である
が、本例ではFeNで形成する。
【００９０】次に、FeNより成る磁性材料膜１８１の上
に、所定のパターンのマスクを形成するが、このマスク
は、アルミナ、フォトレジスト、金属などで形成するこ
とができる。次に、BCl2 、Cl2 などの塩素系ガス雰囲
気中にO2 またはN2 を混入させた混合ガスを用い、５０
〜３００℃、特に２００℃の高温でＲＩＥを行い、磁性
材料膜１８１を帯状に選択的に除去する。この際、下部
橋絡部４４ａを形成する。このときのエッチングは非磁
性材料膜１４２の表面が露出するまで行う。その後、全
体の上にアルミナ絶縁膜１８５をほぼ１μmの膜厚に形
成し、さらにＣＭＰによってアルミナ絶縁膜１８５を研
磨して帯状の磁性材料膜１８１と同一平面となるように
平坦化する。このＣＭＰでは、磁性材料膜１８１の膜厚
が０．３〜０．６μｍとなるように研磨量を制御する。
このとき、磁性材料膜１８１の内方の端面と接するアル
ミナ絶縁膜１８５の端面がＧＭＲ膜３５のＭＲハイト零
の位置ＭＲ０ の近傍となるようにすると共に、スロー
トハイト零の基準位置ＴＨ ０ を規定するように構成す
る。さらに、第２のトラックポールを構成する飽和磁束
密度の高い磁性材料膜１８３を、スパッタ法によって
０．８〜１．５μｍの膜厚で形成する。この磁性材料膜
１８３も飽和磁束密度の高い磁性材料であるFeNで形成
するが、FeCoで形成することもできる。
に、所定のパターンのマスクを形成するが、このマスク
は、アルミナ、フォトレジスト、金属などで形成するこ
とができる。次に、BCl2 、Cl2 などの塩素系ガス雰囲
気中にO2 またはN2 を混入させた混合ガスを用い、５０
〜３００℃、特に２００℃の高温でＲＩＥを行い、磁性
材料膜１８１を帯状に選択的に除去する。この際、下部
橋絡部４４ａを形成する。このときのエッチングは非磁
性材料膜１４２の表面が露出するまで行う。その後、全
体の上にアルミナ絶縁膜１８５をほぼ１μmの膜厚に形
成し、さらにＣＭＰによってアルミナ絶縁膜１８５を研
磨して帯状の磁性材料膜１８１と同一平面となるように
平坦化する。このＣＭＰでは、磁性材料膜１８１の膜厚
が０．３〜０．６μｍとなるように研磨量を制御する。
このとき、磁性材料膜１８１の内方の端面と接するアル
ミナ絶縁膜１８５の端面がＧＭＲ膜３５のＭＲハイト零
の位置ＭＲ０ の近傍となるようにすると共に、スロー
トハイト零の基準位置ＴＨ ０ を規定するように構成す
る。さらに、第２のトラックポールを構成する飽和磁束
密度の高い磁性材料膜１８３を、スパッタ法によって
０．８〜１．５μｍの膜厚で形成する。この磁性材料膜
１８３も飽和磁束密度の高い磁性材料であるFeNで形成
するが、FeCoで形成することもできる。
【００９１】次に、第２トラックポールを構成するため
の飽和磁束密度の高い磁性材料膜１８３の上にアルミナ
絶縁膜を０．５〜１．５μｍの膜厚に形成した後、フォ
トリソグラフィ・プロセスによって、第２トラックポー
ルおよびバックギャップを形成すべき位置にNiFeより成
る金属マスク２０３を形成し、この金属マスクを用いて
アルミナ絶縁膜をエッチングして所定のパターンのアル
ミナより成るマスク１８４を形成する。このようにして
アルミナマスク１８４および金属マスク２０４によって
ハードマスクを形成した後、FeNより成る磁性材料膜１
８３をＲＩＥによって選択的に除去して第２トラックポ
ール８３を形成すると共に下部橋絡部４４ａと連結され
た上部橋絡部４４ｂを形成する。
の飽和磁束密度の高い磁性材料膜１８３の上にアルミナ
絶縁膜を０．５〜１．５μｍの膜厚に形成した後、フォ
トリソグラフィ・プロセスによって、第２トラックポー
ルおよびバックギャップを形成すべき位置にNiFeより成
る金属マスク２０３を形成し、この金属マスクを用いて
アルミナ絶縁膜をエッチングして所定のパターンのアル
ミナより成るマスク１８４を形成する。このようにして
アルミナマスク１８４および金属マスク２０４によって
ハードマスクを形成した後、FeNより成る磁性材料膜１
８３をＲＩＥによって選択的に除去して第２トラックポ
ール８３を形成すると共に下部橋絡部４４ａと連結され
た上部橋絡部４４ｂを形成する。
【００９２】上述したように第２トラックポール８３を
形成した後、アルミナ絶縁膜１８４、金属マスク２０３
をハードマスクとして用いるＲＩＥを引き続き行い、磁
性材料膜１８１およびアルミナ絶縁膜１８５を選択的に
除去して第１トラックポール８１を形成する。このよう
に、上部トラックポールをセルフアライメントで形成し
た第１および第２のトラックポール８１および８３の２
層構造としたので、サブミクロンオーダのポールチップ
を正確にかつ安定に形成することができる。また、この
ＲＩＥの際に、トラックポールの下側以外のアルミナ絶
縁膜１８３も選択的に除去される。さらにＲＩＥを続け
て上部トラックポールの下側以外の非磁性膜１４２を選
択的に除去してライトギャップ膜４２を形成し、さらに
その下側にある下部ポール４０を、その厚さの一部分に
亘って選択的に除去してトリム構造を形成する。本例で
は、ＲＩＥによって下部ポール４０を０．３〜０．４μ
ｍの深さに除去してトリム構造を形成するが、ライトギ
ャップ膜４２を構成する非磁性膜１４２までをＲＩＥで
除去し、下部ポール４０をイオンミリングで除去しても
良い。しかし、本例のように、ＲＩＥを採用してトリム
構造を形成することによって下部ポール４０を正確にト
リミングすることができ、したがってエアーベアリング
面ＡＢＳでの磁束の広がりが少なくなり、隣のトラック
への誤った書き込みがなくなり、サイドライト有効に抑
止することができる。さらに、リアクティブ・イオン・
エッチングによって、第１のポールの表面を、その厚さ
の一部分に亘って除去してトリム構造を形成した後、前
記第２のトラックポール、第１のトラックポールおよび
第１のポールのトリム構造を構成する側面に対してイオ
ンミリングを施してそれらの幅を細らせることもでき
る。この場合、イオンミリングを、幅を細らせるべき側
面に対して４０〜７５°の角度で行うのが好適である。
形成した後、アルミナ絶縁膜１８４、金属マスク２０３
をハードマスクとして用いるＲＩＥを引き続き行い、磁
性材料膜１８１およびアルミナ絶縁膜１８５を選択的に
除去して第１トラックポール８１を形成する。このよう
に、上部トラックポールをセルフアライメントで形成し
た第１および第２のトラックポール８１および８３の２
層構造としたので、サブミクロンオーダのポールチップ
を正確にかつ安定に形成することができる。また、この
ＲＩＥの際に、トラックポールの下側以外のアルミナ絶
縁膜１８３も選択的に除去される。さらにＲＩＥを続け
て上部トラックポールの下側以外の非磁性膜１４２を選
択的に除去してライトギャップ膜４２を形成し、さらに
その下側にある下部ポール４０を、その厚さの一部分に
亘って選択的に除去してトリム構造を形成する。本例で
は、ＲＩＥによって下部ポール４０を０．３〜０．４μ
ｍの深さに除去してトリム構造を形成するが、ライトギ
ャップ膜４２を構成する非磁性膜１４２までをＲＩＥで
除去し、下部ポール４０をイオンミリングで除去しても
良い。しかし、本例のように、ＲＩＥを採用してトリム
構造を形成することによって下部ポール４０を正確にト
リミングすることができ、したがってエアーベアリング
面ＡＢＳでの磁束の広がりが少なくなり、隣のトラック
への誤った書き込みがなくなり、サイドライト有効に抑
止することができる。さらに、リアクティブ・イオン・
エッチングによって、第１のポールの表面を、その厚さ
の一部分に亘って除去してトリム構造を形成した後、前
記第２のトラックポール、第１のトラックポールおよび
第１のポールのトリム構造を構成する側面に対してイオ
ンミリングを施してそれらの幅を細らせることもでき
る。この場合、イオンミリングを、幅を細らせるべき側
面に対して４０〜７５°の角度で行うのが好適である。
【００９３】次に、アルミナ絶縁膜１８４および金属マ
スク２０３より成るハードマスクを除去した後、図４５
に示すように、全体の表面にアルミナ絶縁膜２０４を
０．２μmの膜厚に形成する。その後、上述した実施例
と同様に、第１の薄膜コイル半部５１をシード層１５１
を用いて形成し、さらに露出しているシード層１５１を
イオンミリングで選択的に除去した後、アルミナ絶縁膜
１５２を形成する。以後のプロセスは、第１の実施例の
図１７〜２３に示したプロセスと同様であり、最終的に
図４６に示す構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。なお、図４６に示すアルミナ絶縁膜２０５は、第
１の薄膜コイル半部５１を形成した後、第２の薄膜コイ
ル半部５４を形成する以前に、薄膜コイル形成領域をフ
ォトレジスト膜１５３で薄膜コイル形成領域を覆った後
に、アルミナ絶縁膜を形成し、ＣＭＰによって処理する
ことによって形成することができる。本例でも、上述し
た第３の実施例の効果と同じ効果が得られると共に、薄
膜コイル５１，５４は、第１のトラックポール８１およ
び第２のトラックポール８３の膜厚の範囲内に形成され
ているので、中間ポール５２を設けることなく、上部ポ
ール５６を平坦に形成することができ、ヘッド全体の高
さを低くすることができる。
スク２０３より成るハードマスクを除去した後、図４５
に示すように、全体の表面にアルミナ絶縁膜２０４を
０．２μmの膜厚に形成する。その後、上述した実施例
と同様に、第１の薄膜コイル半部５１をシード層１５１
を用いて形成し、さらに露出しているシード層１５１を
イオンミリングで選択的に除去した後、アルミナ絶縁膜
１５２を形成する。以後のプロセスは、第１の実施例の
図１７〜２３に示したプロセスと同様であり、最終的に
図４６に示す構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。なお、図４６に示すアルミナ絶縁膜２０５は、第
１の薄膜コイル半部５１を形成した後、第２の薄膜コイ
ル半部５４を形成する以前に、薄膜コイル形成領域をフ
ォトレジスト膜１５３で薄膜コイル形成領域を覆った後
に、アルミナ絶縁膜を形成し、ＣＭＰによって処理する
ことによって形成することができる。本例でも、上述し
た第３の実施例の効果と同じ効果が得られると共に、薄
膜コイル５１，５４は、第１のトラックポール８１およ
び第２のトラックポール８３の膜厚の範囲内に形成され
ているので、中間ポール５２を設けることなく、上部ポ
ール５６を平坦に形成することができ、ヘッド全体の高
さを低くすることができる。
【００９４】図４７〜６０は、本発明による複合型薄膜
磁気ヘッドの第７の実施例の順次の工程を示す断面図お
よび平面図である。本例は、薄膜コイルの、下部ポール
および上部ポールで囲まれる部分の最外周および最内周
のコイル巻回体をCu-CVDあるいはCu-メッキで形成し、
その幅を他のコイル巻回体の幅よりも広くして抵抗値を
下げ、発熱を軽減したものである。さらに本例では、ラ
イトギャップ膜の下側に、下部ポールと接触するように
下部トラックポールを設け、２層の上部トラックポール
と合わせて３層構造のトラックチップ部を構成したもの
である。
磁気ヘッドの第７の実施例の順次の工程を示す断面図お
よび平面図である。本例は、薄膜コイルの、下部ポール
および上部ポールで囲まれる部分の最外周および最内周
のコイル巻回体をCu-CVDあるいはCu-メッキで形成し、
その幅を他のコイル巻回体の幅よりも広くして抵抗値を
下げ、発熱を軽減したものである。さらに本例では、ラ
イトギャップ膜の下側に、下部ポールと接触するように
下部トラックポールを設け、２層の上部トラックポール
と合わせて３層構造のトラックチップ部を構成したもの
である。
【００９５】本例においても、上述した第１の実施例と
同様に、読み出し用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子を
形成した後、図４７に示すように、上部シールド膜３８
およびアルミナより成る分離膜３９を形成した後、FeN
より成る磁性材料膜４０を1.0から２．０μmの膜厚に形
成する。さらにこの磁性材料膜４０の上に、FeNより成
る磁性材料膜をスパッタリングにより１．５μmの膜厚
に形成し、さらにその上にFeCoより成る磁性材料膜をス
パッタリングにより１．０μmの膜厚に形成した後、こ
の上側の磁性材料膜の上にフォトリソグラフィによって
金属またはアルミナより成るマスクを形成し、このマス
クを使ってその下側の磁性材料膜をエッチングして帯状
の磁性材料膜２１２を形成し、さらにエッチングを続け
て同じく帯状の磁性材料膜２１３を形成する。このマス
クはエッチングされてなくなるので、図示されていな
い。またその他の形成方法として磁性材料膜４０の上に
フォトリソグラフィーで選択的に電解メッキ法を使って
CoNiFeより成る磁性材料膜２１３を１．５μｍの膜厚に
形成し、さらにその上にCoFeより成る磁性材料膜２１２
を１．０μmの膜厚に形成しても良い。後述するよう
に、磁性材料膜２１３は下部トラックポールを構成する
ものであり、磁性材料膜２１２は磁性材料膜４０と共に
下部ポールを構成するものである。また、磁性材料膜２
１２を形成するのと同時にバックギャップにおける第１
の橋絡部４４ａが形成され、磁性材料膜２１３を形成す
るのと同時に第２の橋絡部４４ｂが形成される。
同様に、読み出し用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素子を
形成した後、図４７に示すように、上部シールド膜３８
およびアルミナより成る分離膜３９を形成した後、FeN
より成る磁性材料膜４０を1.0から２．０μmの膜厚に形
成する。さらにこの磁性材料膜４０の上に、FeNより成
る磁性材料膜をスパッタリングにより１．５μmの膜厚
に形成し、さらにその上にFeCoより成る磁性材料膜をス
パッタリングにより１．０μmの膜厚に形成した後、こ
の上側の磁性材料膜の上にフォトリソグラフィによって
金属またはアルミナより成るマスクを形成し、このマス
クを使ってその下側の磁性材料膜をエッチングして帯状
の磁性材料膜２１２を形成し、さらにエッチングを続け
て同じく帯状の磁性材料膜２１３を形成する。このマス
クはエッチングされてなくなるので、図示されていな
い。またその他の形成方法として磁性材料膜４０の上に
フォトリソグラフィーで選択的に電解メッキ法を使って
CoNiFeより成る磁性材料膜２１３を１．５μｍの膜厚に
形成し、さらにその上にCoFeより成る磁性材料膜２１２
を１．０μmの膜厚に形成しても良い。後述するよう
に、磁性材料膜２１３は下部トラックポールを構成する
ものであり、磁性材料膜２１２は磁性材料膜４０と共に
下部ポールを構成するものである。また、磁性材料膜２
１２を形成するのと同時にバックギャップにおける第１
の橋絡部４４ａが形成され、磁性材料膜２１３を形成す
るのと同時に第２の橋絡部４４ｂが形成される。
【００９６】次に、表面全体にアルミナより成る絶縁膜
２１４を０．２μｍの膜厚に形成した後、Cuより成るシ
ード膜を５０nmの膜厚に形成し、その上に所定の形状の
レジストマスクを形成した後、電解メッキにより第１の
薄膜コイル半部２１５を２．５〜３．０μmの膜厚に形
成し、レジストマスクを除去し、露出したシード層を除
去した様子を図４８に示す。ただし、図面では薄膜コイ
ル半部２１５の底部に形成されているシード層には符合
を付けていない。このとき、後に配線に対するコンタク
ト部を構成する最内周のコイル巻回体の端部２１５ａの
幅は広くする。また、本実施例においては、薄膜コイル
の、下部ポールおよび上部ポールによって囲まれる部分
においては、最外周のコイル巻回体および最内周のコイ
ル巻回体を後に形成する第２の薄膜コイル半部で構成
し、さらにそれらの幅が他の部分の幅よりも広くなるよ
うに間隔を設定する。すなわち、トラックポールを構成
する磁性材料膜２１２、２１３の端面と第１の薄膜コイ
ル半部２１５の最外周のコイル巻回体との間のスペース
の幅Ｗ１およびバックギャップを構成する橋絡部４４
ａ、４４ｂの端面と最内周のコイル巻回体との間のスペ
ースの幅Ｗ２を、順次のコイル巻回体間のスペースの幅
Ｗ３よりも広くする。本例では、薄膜コイル半部２１５
のコイル巻回体の幅が０．３μmの時、Ｗ１＝Ｗ２＝0.4
μm、Ｗ３＝0.3μmとし、最外周および最内周のコイル
巻回体の幅をそれ以外のコイル巻回体の幅よりも０．１
μmだけ広くするが、本発明においては、この差は０．
１〜０．３μmとすることができる。また、薄膜コイル
の、下部ポールおよび上部ポールによって囲まれる領域
以外のコイル巻回体の幅を広くするために、橋絡部４４
ａ、４４ｂの、エアーベアリング面側とは反対側のスペ
ースの幅Ｗ４は、上述した幅Ｗ１，Ｗ２およびＷ３より
も広くする。ただし、図面ではこれらの幅の比率を正確
に表すものではなく、大小関係を示すものである。
２１４を０．２μｍの膜厚に形成した後、Cuより成るシ
ード膜を５０nmの膜厚に形成し、その上に所定の形状の
レジストマスクを形成した後、電解メッキにより第１の
薄膜コイル半部２１５を２．５〜３．０μmの膜厚に形
成し、レジストマスクを除去し、露出したシード層を除
去した様子を図４８に示す。ただし、図面では薄膜コイ
ル半部２１５の底部に形成されているシード層には符合
を付けていない。このとき、後に配線に対するコンタク
ト部を構成する最内周のコイル巻回体の端部２１５ａの
幅は広くする。また、本実施例においては、薄膜コイル
の、下部ポールおよび上部ポールによって囲まれる部分
においては、最外周のコイル巻回体および最内周のコイ
ル巻回体を後に形成する第２の薄膜コイル半部で構成
し、さらにそれらの幅が他の部分の幅よりも広くなるよ
うに間隔を設定する。すなわち、トラックポールを構成
する磁性材料膜２１２、２１３の端面と第１の薄膜コイ
ル半部２１５の最外周のコイル巻回体との間のスペース
の幅Ｗ１およびバックギャップを構成する橋絡部４４
ａ、４４ｂの端面と最内周のコイル巻回体との間のスペ
ースの幅Ｗ２を、順次のコイル巻回体間のスペースの幅
Ｗ３よりも広くする。本例では、薄膜コイル半部２１５
のコイル巻回体の幅が０．３μmの時、Ｗ１＝Ｗ２＝0.4
μm、Ｗ３＝0.3μmとし、最外周および最内周のコイル
巻回体の幅をそれ以外のコイル巻回体の幅よりも０．１
μmだけ広くするが、本発明においては、この差は０．
１〜０．３μmとすることができる。また、薄膜コイル
の、下部ポールおよび上部ポールによって囲まれる領域
以外のコイル巻回体の幅を広くするために、橋絡部４４
ａ、４４ｂの、エアーベアリング面側とは反対側のスペ
ースの幅Ｗ４は、上述した幅Ｗ１，Ｗ２およびＷ３より
も広くする。ただし、図面ではこれらの幅の比率を正確
に表すものではなく、大小関係を示すものである。
【００９７】上述したように、Ｗ１、Ｗ２＞Ｗ３とする
理由は以下の通りである。上述したように第１の薄膜コ
イル半部２１５を形成する際にはレジストマスクを使用
するが、その位置がずれる可能性がある。例えば、レジ
ストマスクがエアーベアリング面側にずれると、磁性材
料膜２１２、２１３の端面と第１の薄膜コイル半部２１
５の最外周のコイル巻回体との間のスペースの幅Ｗ１は
狭くなり、レジストマスクがエアーベアリング面とは反
対側にずれると、バックギャップを構成する橋絡部４４
ａ、４４ｂの端面と第１の薄膜コイル半部２１５の最内
周のコイル巻回体との間のスペースの幅Ｗ２が狭くな
る。このようにスペースの幅Ｗ１あるいはＷ２がミスア
ライメント等で狭くなると、後に形成される第２の薄膜
コイル半部のコイル巻回体の幅が狭くなり、抵抗値が所
定の値よりも高くなってしまう。特に、最外周のコイル
巻回体は、その長さが他のコイル巻回体に比べて長いの
で、その幅Ｗ１が狭くなると抵抗値が非常に高くなり、
発熱する恐れがある。このようにエアーベアリング面に
近い部分での発熱は、熱膨張によってポールチップが外
側に膨らんで記録媒体と接触するポール突出（pole pro
trusion）の問題が起こる恐れがある。上述したよう
に、Ｗ１、Ｗ２＞Ｗ３とすることによって、第１の薄膜
コイル半部２１５を形成する際のレジストマスクの位置
のずれがあっても、第１の薄膜コイル半部の最外周およ
び最内周のコイル巻回体の幅が所定の幅よりも狭くなる
ことがなくなり、上述したポール突出の問題を有効に解
決することができる。さらに、第１の薄膜コイル半部２
１５を形成する際に、その最外周および最内周のコイル
巻回体と磁性材料膜２１３および橋絡部４４aとの間の
距離が長くなると、フォトリソグラフィの露光時にこれ
らの磁性材料膜および橋絡部からの反射が少なくくなる
ので、フォトリソグラフィが容易かつ正確となるという
利点もある。
理由は以下の通りである。上述したように第１の薄膜コ
イル半部２１５を形成する際にはレジストマスクを使用
するが、その位置がずれる可能性がある。例えば、レジ
ストマスクがエアーベアリング面側にずれると、磁性材
料膜２１２、２１３の端面と第１の薄膜コイル半部２１
５の最外周のコイル巻回体との間のスペースの幅Ｗ１は
狭くなり、レジストマスクがエアーベアリング面とは反
対側にずれると、バックギャップを構成する橋絡部４４
ａ、４４ｂの端面と第１の薄膜コイル半部２１５の最内
周のコイル巻回体との間のスペースの幅Ｗ２が狭くな
る。このようにスペースの幅Ｗ１あるいはＷ２がミスア
ライメント等で狭くなると、後に形成される第２の薄膜
コイル半部のコイル巻回体の幅が狭くなり、抵抗値が所
定の値よりも高くなってしまう。特に、最外周のコイル
巻回体は、その長さが他のコイル巻回体に比べて長いの
で、その幅Ｗ１が狭くなると抵抗値が非常に高くなり、
発熱する恐れがある。このようにエアーベアリング面に
近い部分での発熱は、熱膨張によってポールチップが外
側に膨らんで記録媒体と接触するポール突出（pole pro
trusion）の問題が起こる恐れがある。上述したよう
に、Ｗ１、Ｗ２＞Ｗ３とすることによって、第１の薄膜
コイル半部２１５を形成する際のレジストマスクの位置
のずれがあっても、第１の薄膜コイル半部の最外周およ
び最内周のコイル巻回体の幅が所定の幅よりも狭くなる
ことがなくなり、上述したポール突出の問題を有効に解
決することができる。さらに、第１の薄膜コイル半部２
１５を形成する際に、その最外周および最内周のコイル
巻回体と磁性材料膜２１３および橋絡部４４aとの間の
距離が長くなると、フォトリソグラフィの露光時にこれ
らの磁性材料膜および橋絡部からの反射が少なくくなる
ので、フォトリソグラフィが容易かつ正確となるという
利点もある。
【００９８】次に、図４９に示すように、表面全体にア
ルミナ絶縁膜２１６を０．１μmの膜厚に形成した後、
薄膜コイル形成領域を覆うようにレジスト膜２１７を選
択的に形成する。このアルミナ絶縁膜２１６はＣＶＤに
よって形成するのが好適である。すなわち、ウエファを
収容したＣＶＤチャンバを１〜２Torrの減圧状態に保
ち、１００〜４００°Ｃの温度で、Al(CH3 )3 またはAl
Cl3 と、H2 O, N2 , N2OあるいはH2 O2 とを交互に断続
的に噴射し、ケミカル反応によって堆積形成するアトミ
ックレイヤー法で形成するのが好適である。本例では、
１．５Torrに減圧し、温度を２５０°Ｃに保ったチャン
バに、水蒸気（H2O）とAl(CH3 )3 を約１秒間に１回の
割合で噴射させて減圧アルミナ-CVD絶縁膜２１６を形成
する。このような減圧アルミナ-CVD絶縁膜２１６は、良
好な絶縁特性を有するとともに優れたステップカバレー
ジを有している利点がある。その後薄膜コイル形成領域
を覆うフォトレジスト膜２１７を３〜４μｍの厚みで形
成する。
ルミナ絶縁膜２１６を０．１μmの膜厚に形成した後、
薄膜コイル形成領域を覆うようにレジスト膜２１７を選
択的に形成する。このアルミナ絶縁膜２１６はＣＶＤに
よって形成するのが好適である。すなわち、ウエファを
収容したＣＶＤチャンバを１〜２Torrの減圧状態に保
ち、１００〜４００°Ｃの温度で、Al(CH3 )3 またはAl
Cl3 と、H2 O, N2 , N2OあるいはH2 O2 とを交互に断続
的に噴射し、ケミカル反応によって堆積形成するアトミ
ックレイヤー法で形成するのが好適である。本例では、
１．５Torrに減圧し、温度を２５０°Ｃに保ったチャン
バに、水蒸気（H2O）とAl(CH3 )3 を約１秒間に１回の
割合で噴射させて減圧アルミナ-CVD絶縁膜２１６を形成
する。このような減圧アルミナ-CVD絶縁膜２１６は、良
好な絶縁特性を有するとともに優れたステップカバレー
ジを有している利点がある。その後薄膜コイル形成領域
を覆うフォトレジスト膜２１７を３〜４μｍの厚みで形
成する。
【００９９】次に、図５０に示すように、全体の上にア
ルミナ絶縁膜２１８を３〜４μmの膜厚に形成した後、
コイル上のアルミナ絶縁膜２１８の凸部をＣＭＰするこ
とでフォトレジスト膜２１７が露出するように研磨した
様子を図５１に示す。図５１に示すように、バックギャ
ップを構成する磁性材料より成る橋絡部４４ａ、４４ｂ
と第１の薄膜コイル半部２１５の最内周のコイル巻回体
との間にアルミナ絶縁膜２１８を残してある。また、エ
アーベアリング面側にもアルミナ絶縁膜２１８が残って
いる。
ルミナ絶縁膜２１８を３〜４μmの膜厚に形成した後、
コイル上のアルミナ絶縁膜２１８の凸部をＣＭＰするこ
とでフォトレジスト膜２１７が露出するように研磨した
様子を図５１に示す。図５１に示すように、バックギャ
ップを構成する磁性材料より成る橋絡部４４ａ、４４ｂ
と第１の薄膜コイル半部２１５の最内周のコイル巻回体
との間にアルミナ絶縁膜２１８を残してある。また、エ
アーベアリング面側にもアルミナ絶縁膜２１８が残って
いる。
【０１００】さらに、図５２に示すようにフォトレジス
ト膜２１７をウエットケミカルエッチングによって除去
した後、図５３に示すようにCu-CVD膜２１９を１．５〜
２．５μmの膜厚に形成する。次に、ＣＭＰを施して図
５４に示すように、第１の薄膜コイル半部２１５、磁性
材料膜２１４、第２の橋絡部４４ｂ、アルミナ絶縁膜２
１８を露出させて平坦な表面とする。このＣＭＰによっ
て、第１の薄膜コイル半部２１５の間にアルミナ-CVD絶
縁膜２１６を介して第２の薄膜コイル半部２２０が自己
整合的に形成される。本例では、上述したように、Ｗ
１、Ｗ２＞Ｗ３としたので、第２の薄膜コイル半部２２
０の最外周のコイル巻回体２２０ａおよび最内周のコイ
ル巻回体２２０ｂの幅は、その他のコイル巻回体の幅よ
りも広くなっている。また、図５４には示していない
が、第２の薄膜コイル半部２２０の最内周のコイル巻回
体２２０ｂの、コンタクト部を構成する端部の幅を広く
してある。本実施例においては、第２の薄膜コイル半部
２２０を上述したようにCu-CVD膜で形成したが、上述し
た実施例と同様に、第２の薄膜コイル半部を第１の薄膜
コイル半部と同じCu-メッキ膜で形成することもでき
る。
ト膜２１７をウエットケミカルエッチングによって除去
した後、図５３に示すようにCu-CVD膜２１９を１．５〜
２．５μmの膜厚に形成する。次に、ＣＭＰを施して図
５４に示すように、第１の薄膜コイル半部２１５、磁性
材料膜２１４、第２の橋絡部４４ｂ、アルミナ絶縁膜２
１８を露出させて平坦な表面とする。このＣＭＰによっ
て、第１の薄膜コイル半部２１５の間にアルミナ-CVD絶
縁膜２１６を介して第２の薄膜コイル半部２２０が自己
整合的に形成される。本例では、上述したように、Ｗ
１、Ｗ２＞Ｗ３としたので、第２の薄膜コイル半部２２
０の最外周のコイル巻回体２２０ａおよび最内周のコイ
ル巻回体２２０ｂの幅は、その他のコイル巻回体の幅よ
りも広くなっている。また、図５４には示していない
が、第２の薄膜コイル半部２２０の最内周のコイル巻回
体２２０ｂの、コンタクト部を構成する端部の幅を広く
してある。本実施例においては、第２の薄膜コイル半部
２２０を上述したようにCu-CVD膜で形成したが、上述し
た実施例と同様に、第２の薄膜コイル半部を第１の薄膜
コイル半部と同じCu-メッキ膜で形成することもでき
る。
【０１０１】次に、図５５に示すように、第２橋絡部４
４ｂと、第１および第２の薄膜コイル半部２１５および
２２０の最内周のコイル巻回体の端部を覆うようにフォ
トレジストマスク２２１を選択的に形成した後、ライト
ギャップ膜を構成するアルミナ絶縁膜２２２を０．１μ
mの膜厚に形成する。
４ｂと、第１および第２の薄膜コイル半部２１５および
２２０の最内周のコイル巻回体の端部を覆うようにフォ
トレジストマスク２２１を選択的に形成した後、ライト
ギャップ膜を構成するアルミナ絶縁膜２２２を０．１μ
mの膜厚に形成する。
【０１０２】次に、図５６に示すように、上部トラック
ポールを構成するために、FeCoまたはFeNより成る磁性
材料膜２２３を１．０μmの膜厚に形成し、さらにその
上にCoNiFeより成る磁性材料膜２２４を２〜３μｍの膜
厚で所定のパターンに形成する。その後、このCoNiFeよ
り成る磁性材料膜２２４をマスクとして、BCl2 、Cl2な
どの塩素系ガス雰囲気中で、２００℃の温度でＲＩＥを
行い、下側のFeNまたはFeCoより成る磁性材料膜２２３
を所望のパターンにエッチングして上部トラックポール
を形成する。
ポールを構成するために、FeCoまたはFeNより成る磁性
材料膜２２３を１．０μmの膜厚に形成し、さらにその
上にCoNiFeより成る磁性材料膜２２４を２〜３μｍの膜
厚で所定のパターンに形成する。その後、このCoNiFeよ
り成る磁性材料膜２２４をマスクとして、BCl2 、Cl2な
どの塩素系ガス雰囲気中で、２００℃の温度でＲＩＥを
行い、下側のFeNまたはFeCoより成る磁性材料膜２２３
を所望のパターンにエッチングして上部トラックポール
を形成する。
【０１０３】また磁性材料膜２２３，２２４を形成する
のと同時に、第１の薄膜コイル半部２１５の最内周のコ
イル巻回体の端部と第２の薄膜コイル半部２２０の最外
周のコイル巻回体の端部とを電気的に接続するための第
１のジャンパ配線と、第２の薄膜コイル半部２２０の最
内周のコイル巻回体の端部を、外部回路に接続するため
の接点パッドに接続するための第２のジャンパ配線と
を、磁性材料膜２２３，２２４と同じ磁性材料で形成す
る。すなわち、図５７に示すように、一端が第１の薄膜
コイル半部２１５の最内周のコイル巻回体の端部２１５
ａに形成されたコンタクト部２１５ｂと接触し、他端が
第２の薄膜コイル半部２２０の最外周のコイル巻回体２
２０ａの端部２２０ｃに形成されたコンタクト部２２０
ｄと接触する第１のジャンパ配線２２６と、一端が第２
の薄膜コイル半部２２０の最内周のコイル巻回体２２０
ｂの端部に形成されたコンタクト部２２０ｄと接触する
第２のジャンパ配線２２７を形成する。これらのジャン
パ配線２２６および２２７は、アルミナ絶縁膜２２２の
上に形成されることになるが、図５７ではこのアルミナ
絶縁膜は省略してある。また、第１の薄膜コイル半部２
１５の最外周のコイル巻回体の端部２１５ｃは、これと
一体的に形成された第３の配線２１５ｄによって第１の
接点パッドまで導かれている。さらに、第２のジャンパ
配線２２７の他端は、第１の薄膜コイル半部２１５と同
時に形成された第４の配線２２８のコンタクト部２２８
ａとアルミナ絶縁膜２２２に形成した開口を経て接触し
ており、この第４の配線２２８は第２の接点パッド位置
まで延在している。
のと同時に、第１の薄膜コイル半部２１５の最内周のコ
イル巻回体の端部と第２の薄膜コイル半部２２０の最外
周のコイル巻回体の端部とを電気的に接続するための第
１のジャンパ配線と、第２の薄膜コイル半部２２０の最
内周のコイル巻回体の端部を、外部回路に接続するため
の接点パッドに接続するための第２のジャンパ配線と
を、磁性材料膜２２３，２２４と同じ磁性材料で形成す
る。すなわち、図５７に示すように、一端が第１の薄膜
コイル半部２１５の最内周のコイル巻回体の端部２１５
ａに形成されたコンタクト部２１５ｂと接触し、他端が
第２の薄膜コイル半部２２０の最外周のコイル巻回体２
２０ａの端部２２０ｃに形成されたコンタクト部２２０
ｄと接触する第１のジャンパ配線２２６と、一端が第２
の薄膜コイル半部２２０の最内周のコイル巻回体２２０
ｂの端部に形成されたコンタクト部２２０ｄと接触する
第２のジャンパ配線２２７を形成する。これらのジャン
パ配線２２６および２２７は、アルミナ絶縁膜２２２の
上に形成されることになるが、図５７ではこのアルミナ
絶縁膜は省略してある。また、第１の薄膜コイル半部２
１５の最外周のコイル巻回体の端部２１５ｃは、これと
一体的に形成された第３の配線２１５ｄによって第１の
接点パッドまで導かれている。さらに、第２のジャンパ
配線２２７の他端は、第１の薄膜コイル半部２１５と同
時に形成された第４の配線２２８のコンタクト部２２８
ａとアルミナ絶縁膜２２２に形成した開口を経て接触し
ており、この第４の配線２２８は第２の接点パッド位置
まで延在している。
【０１０４】上述したように、第１および第２の接点パ
ッドは、薄膜コイルの両端にそれぞれ接続されることに
なるが、第３および第４の接点パッドは、ＧＭＲ素子の
電極膜３６に接続されることになる。また、上述したよ
うに、第１および第２のジャンパ配線２２６および２２
７を、上部ポールを構成する磁性材料膜を形成するのと
同時に形成しているので、バックギャップを構成する橋
絡部４４ａ，４４ｂと第１および第２の薄膜コイル半部
２１５および２２０の最内周のコイル巻回体の端部との
間に、層間絶縁膜よりも膜厚の厚いアルミナ絶縁膜２１
８を形成することにより、第１および第２のジャンパ配
線２２６および２２７が橋絡部４４ａ，４４ｂに接触し
て電気的に短絡するのを有効に防止することができる。
ッドは、薄膜コイルの両端にそれぞれ接続されることに
なるが、第３および第４の接点パッドは、ＧＭＲ素子の
電極膜３６に接続されることになる。また、上述したよ
うに、第１および第２のジャンパ配線２２６および２２
７を、上部ポールを構成する磁性材料膜を形成するのと
同時に形成しているので、バックギャップを構成する橋
絡部４４ａ，４４ｂと第１および第２の薄膜コイル半部
２１５および２２０の最内周のコイル巻回体の端部との
間に、層間絶縁膜よりも膜厚の厚いアルミナ絶縁膜２１
８を形成することにより、第１および第２のジャンパ配
線２２６および２２７が橋絡部４４ａ，４４ｂに接触し
て電気的に短絡するのを有効に防止することができる。
【０１０５】その後、薄膜コイル形成領域を覆うように
フォトレジストパターンを形成するか、あるいはトラッ
クポール部に開口を有するフォトレジストパターンを形
成した後、イオンミリングでアルミナ絶縁膜２２２をエ
ッチングしてライトギャップ膜２２５を形成し、磁性材
料膜２１３を選択的に除去して下部トラックポールを形
成し、さらにその下側の磁性材料膜２１２を、その厚さ
の一部分に亘って選択的に除去してトリム構造を形成し
た様子を図５８および５９に示す。また、上述したフォ
トレジストパターンに形成した開口を図５９では仮想線
で示してある。最後に、図６０に示すように、全体の上
にアルミナより成るオーバーコート膜２３０を形成す
る。
フォトレジストパターンを形成するか、あるいはトラッ
クポール部に開口を有するフォトレジストパターンを形
成した後、イオンミリングでアルミナ絶縁膜２２２をエ
ッチングしてライトギャップ膜２２５を形成し、磁性材
料膜２１３を選択的に除去して下部トラックポールを形
成し、さらにその下側の磁性材料膜２１２を、その厚さ
の一部分に亘って選択的に除去してトリム構造を形成し
た様子を図５８および５９に示す。また、上述したフォ
トレジストパターンに形成した開口を図５９では仮想線
で示してある。最後に、図６０に示すように、全体の上
にアルミナより成るオーバーコート膜２３０を形成す
る。
【０１０６】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例では、磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素
子と誘導型薄膜磁気ヘッド素子とを積層した複合型薄膜
磁気ヘッドとして形成したが、誘導型薄膜磁気ヘッドと
して構成することもできる。また、上述した実施例で
は、第１の薄膜コイル半部を電解メッキで形成し、第２
の薄膜コイル半部をCu-CVDで形成したが、第２の薄膜コ
イル半部も電気メッキで形成することもできる。しか
し、Cu-CVDは電解メッキに比べてステップカバレージが
良いので、第２の薄膜コイル半部はCu-CVDで形成するの
が好適である。さらに、上述した実施例では、第２の薄
膜コイル半部を形成するに当たり、Cu-CVD膜を厚く堆積
した後、ＣＭＰによって余分なCu-CVDを除去したが、ド
ライエッチングやイオンビームエッチングで除去した
り、ＣＭＰで粗く除去した後、イオンビームエッチング
やスパッタエッチングのようなドライエッチングで微調
整しながら除去することもできる。また、上述した実施
例では、第１の薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体
と、第２の薄膜コイル半部の最外周のコイル巻回体との
間をジャンパ配線を介して電気的に接続したが、第２の
薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体と、第１の薄膜
コイル半部の最外周のコイル巻回体との間をジャンパ配
線を介して電気的に接続することもできる。
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例では、磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド素
子と誘導型薄膜磁気ヘッド素子とを積層した複合型薄膜
磁気ヘッドとして形成したが、誘導型薄膜磁気ヘッドと
して構成することもできる。また、上述した実施例で
は、第１の薄膜コイル半部を電解メッキで形成し、第２
の薄膜コイル半部をCu-CVDで形成したが、第２の薄膜コ
イル半部も電気メッキで形成することもできる。しか
し、Cu-CVDは電解メッキに比べてステップカバレージが
良いので、第２の薄膜コイル半部はCu-CVDで形成するの
が好適である。さらに、上述した実施例では、第２の薄
膜コイル半部を形成するに当たり、Cu-CVD膜を厚く堆積
した後、ＣＭＰによって余分なCu-CVDを除去したが、ド
ライエッチングやイオンビームエッチングで除去した
り、ＣＭＰで粗く除去した後、イオンビームエッチング
やスパッタエッチングのようなドライエッチングで微調
整しながら除去することもできる。また、上述した実施
例では、第１の薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体
と、第２の薄膜コイル半部の最外周のコイル巻回体との
間をジャンパ配線を介して電気的に接続したが、第２の
薄膜コイル半部の最内周のコイル巻回体と、第１の薄膜
コイル半部の最外周のコイル巻回体との間をジャンパ配
線を介して電気的に接続することもできる。
【０１０７】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法によれば、薄膜コイルを自己整合的に正
確に形成でき、したがって薄膜コイル半部を構成するコ
イル巻回体間の間隔を従来に比べて著しく短くすること
ができる。その結果として、磁路長を短くすることがで
き、磁束立ち上がり特性やＮＬＴＳ特性や重ね書き特性
などを改善することができる。すなわち、薄膜コイル半
部のコイル巻回体間には膜厚が０．０３〜０．２５μm
ときわめて薄い絶縁層をアルミナや、酸化シリコンや窒
化シリコンなどの微細加工が可能な無機絶縁材料で形成
することができるので、コイル巻回体の間隔を、０．０
３〜０．２５μm ときわめて狭くすることができる。
この場合、第２の薄膜コイル半部はステップカバレージ
の良好なＣＶＤで形成するのが特に好適である。このよ
うにして、一層の薄膜コイルで十分大きな磁束を発生さ
せることができるので、アペックスアングルを小さくす
ることができ、トラック巾の狭くすることができる。さ
らに、第１の薄膜コイル半部を形成する際の順次のコイ
ル巻回体間の間隔は大きく取れるので、シード層を除去
するためのエッチングを良好に行なうことができ、再付
着の恐れもなくなる。
びその製造方法によれば、薄膜コイルを自己整合的に正
確に形成でき、したがって薄膜コイル半部を構成するコ
イル巻回体間の間隔を従来に比べて著しく短くすること
ができる。その結果として、磁路長を短くすることがで
き、磁束立ち上がり特性やＮＬＴＳ特性や重ね書き特性
などを改善することができる。すなわち、薄膜コイル半
部のコイル巻回体間には膜厚が０．０３〜０．２５μm
ときわめて薄い絶縁層をアルミナや、酸化シリコンや窒
化シリコンなどの微細加工が可能な無機絶縁材料で形成
することができるので、コイル巻回体の間隔を、０．０
３〜０．２５μm ときわめて狭くすることができる。
この場合、第２の薄膜コイル半部はステップカバレージ
の良好なＣＶＤで形成するのが特に好適である。このよ
うにして、一層の薄膜コイルで十分大きな磁束を発生さ
せることができるので、アペックスアングルを小さくす
ることができ、トラック巾の狭くすることができる。さ
らに、第１の薄膜コイル半部を形成する際の順次のコイ
ル巻回体間の間隔は大きく取れるので、シード層を除去
するためのエッチングを良好に行なうことができ、再付
着の恐れもなくなる。
【０１０８】さらに、ポールチップ部の上部トラックポ
ールを第１および第２のトラックポールの積層構造で形
成した実施例や、ポールチップ部を、下部トラックポー
ルと上部トラックポールの積層構造で形成した実施例に
おいては、これらを構成する磁性材料膜は平坦な表面に
平坦に形成されているので、エッチングにより正確に所
定のパターンに形成できる。しかもこれらのトラックポ
ールはセルフアライメントで形成されているので、０．
１〜０．３μmの狭い幅を有するトラックポールを正確
にかつ安定して得ることができる。また、これらのトラ
ックポールは、飽和磁束密度が高い磁性材料であるFeN
やFeCoで形成しているので、薄膜コイルで発生される磁
束が飽和することなく、微細構造として形成されたトラ
ックポールを有効に流れるので、磁束のロスが少なく、
高い面記録密度を有する記録媒体が必要とする大きな磁
束を有効に発生することができる能率の高い誘導型薄膜
磁気ヘッドが得られる。
ールを第１および第２のトラックポールの積層構造で形
成した実施例や、ポールチップ部を、下部トラックポー
ルと上部トラックポールの積層構造で形成した実施例に
おいては、これらを構成する磁性材料膜は平坦な表面に
平坦に形成されているので、エッチングにより正確に所
定のパターンに形成できる。しかもこれらのトラックポ
ールはセルフアライメントで形成されているので、０．
１〜０．３μmの狭い幅を有するトラックポールを正確
にかつ安定して得ることができる。また、これらのトラ
ックポールは、飽和磁束密度が高い磁性材料であるFeN
やFeCoで形成しているので、薄膜コイルで発生される磁
束が飽和することなく、微細構造として形成されたトラ
ックポールを有効に流れるので、磁束のロスが少なく、
高い面記録密度を有する記録媒体が必要とする大きな磁
束を有効に発生することができる能率の高い誘導型薄膜
磁気ヘッドが得られる。
【０１０９】さらに、トラックチップ部を積層構造とし
たトラックポールで形成した実施例において、上部トラ
ックポールの第２のトラックポールを形成する際のＲＩ
Ｅに対するマスクとしてCoNiFeのメッキ膜を使用する場
合には、このCoNiFeのメッキ膜のエッチングレートは、
これをマスクとしてエッチングすべきFeNやFeCoのエッ
チングレートに比べて１／３〜１／２と遅いので、ＲＩ
Ｅのマスクとして最適であり、所望の膜厚のトラックポ
ールを正確に形成することができる。また、CoNiFeのメ
ッキ膜はFeNやFeCo膜に比べて硬度が高いので、CoNiFe
のメッキ膜だけでトラックポールを形成しようとする
と、膜厚が厚くなり、内部ストレスのために剥れる恐れ
があるが、本発明では上部トラックポールは第１および
第２のトラックポールの２層構造となっているので、Co
NiFeのメッキ膜を上部トラックポール膜として使用する
場合でも、CoNiFeのメッキ膜は薄くできるので剥れの恐
れはない。
たトラックポールで形成した実施例において、上部トラ
ックポールの第２のトラックポールを形成する際のＲＩ
Ｅに対するマスクとしてCoNiFeのメッキ膜を使用する場
合には、このCoNiFeのメッキ膜のエッチングレートは、
これをマスクとしてエッチングすべきFeNやFeCoのエッ
チングレートに比べて１／３〜１／２と遅いので、ＲＩ
Ｅのマスクとして最適であり、所望の膜厚のトラックポ
ールを正確に形成することができる。また、CoNiFeのメ
ッキ膜はFeNやFeCo膜に比べて硬度が高いので、CoNiFe
のメッキ膜だけでトラックポールを形成しようとする
と、膜厚が厚くなり、内部ストレスのために剥れる恐れ
があるが、本発明では上部トラックポールは第１および
第２のトラックポールの２層構造となっているので、Co
NiFeのメッキ膜を上部トラックポール膜として使用する
場合でも、CoNiFeのメッキ膜は薄くできるので剥れの恐
れはない。
【０１１０】さらに、CoNiFeのメッキ膜だけで０．１〜
０．２μｍの狭い幅を有するトラックポールを形成しよ
うとすると、３元素の組成の制御が難しく、量産ではオ
ーバーライト不良等の多くの問題点があった。しかし、
上部トラックポールを第１および第２のトラックポール
の２層構造とした本発明の実施例においては、CoNiFeの
メッキ膜より成る第２のトラックポールの組成や膜厚が
多少変動しても、その下側の第１のトラックポールを正
確に形成できるので何ら問題はない。このようにして本
発明では、０．１〜０．２μｍの狭い幅を有するトラッ
クチップ部でありながら、磁束の飽和や洩れのない優れ
た特性を有する誘導型薄膜磁気ヘッドが得られる。
０．２μｍの狭い幅を有するトラックポールを形成しよ
うとすると、３元素の組成の制御が難しく、量産ではオ
ーバーライト不良等の多くの問題点があった。しかし、
上部トラックポールを第１および第２のトラックポール
の２層構造とした本発明の実施例においては、CoNiFeの
メッキ膜より成る第２のトラックポールの組成や膜厚が
多少変動しても、その下側の第１のトラックポールを正
確に形成できるので何ら問題はない。このようにして本
発明では、０．１〜０．２μｍの狭い幅を有するトラッ
クチップ部でありながら、磁束の飽和や洩れのない優れ
た特性を有する誘導型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【０１１１】本発明のトラックチッブ部を構成する上部
トラックポールは飽和磁束密度の高い磁性材料で形成す
ることができるので高さ（膜厚）を薄くでき、しかも２
層構造となっているので、第２のトラックポールの膜厚
を薄くすることができる。したがって第２のトラックポ
ールの形状を規定するフォトレジストのフレームパター
ンの膜厚を薄くすることができ、その結果フォトリソグ
ラフィのフォーカスをシャープとし、高感度のレジスト
を使用することができるので、高解像度のフォトリソグ
ラフィが可能となり、微細な構造の上部トラックポール
を正確に形成することができる。
トラックポールは飽和磁束密度の高い磁性材料で形成す
ることができるので高さ（膜厚）を薄くでき、しかも２
層構造となっているので、第２のトラックポールの膜厚
を薄くすることができる。したがって第２のトラックポ
ールの形状を規定するフォトレジストのフレームパター
ンの膜厚を薄くすることができ、その結果フォトリソグ
ラフィのフォーカスをシャープとし、高感度のレジスト
を使用することができるので、高解像度のフォトリソグ
ラフィが可能となり、微細な構造の上部トラックポール
を正確に形成することができる。
【０１１２】さらに、本発明の実施例では、第１のトラ
ックポールは、幅のきわめて狭いトラックポール部と、
幅の広いコンタクト部とが連続した形状となっている。
従来のイオンミリングで下部ポールを部分的にエッチン
グしてトリム構造を形成する場合、このように幅が急激
に変化するコーナーでは陰となる部分が生じ正確なエッ
チングができないが、本発明においてはＲＩＥを用いる
のでこのようなコーナー部分においても下部ポールを正
確にエッチングすることができ、トリム構造を正確に形
成することができる。
ックポールは、幅のきわめて狭いトラックポール部と、
幅の広いコンタクト部とが連続した形状となっている。
従来のイオンミリングで下部ポールを部分的にエッチン
グしてトリム構造を形成する場合、このように幅が急激
に変化するコーナーでは陰となる部分が生じ正確なエッ
チングができないが、本発明においてはＲＩＥを用いる
のでこのようなコーナー部分においても下部ポールを正
確にエッチングすることができ、トリム構造を正確に形
成することができる。
【０１１３】また、従来のイオンミリングで下部ポール
を部分的にエッチングしてトリム構造を形成する場合、
トラックポールの幅が０．１μｍほど痩せることがあ
る。特に上述したように幅が急激に変化するコーナー部
分がある場合には、コーナーに近いほど太く、離れるほ
ど痩せて細くなってしまう。エアーベアリング面を形成
する際の研磨量はＧＭＲヘッド素子のＭＲハイトによっ
て決まり、常に同じスロートハイトの位置にエアーベア
リング面が形成されるとは限らない。したがって、従来
のようにトラックポール幅が先端に向けて細くなってい
るとエアーベアリング面に露出する部分のトラックポー
ルの幅が一定にならない欠点があった。これに対して本
発明では、トラックポールの幅をその全長に亘って均一
に形成できるので、エアーベアリング面の位置が変化し
てもエアーベアリング面におけるトラックポールの幅は
常に一定となる。
を部分的にエッチングしてトリム構造を形成する場合、
トラックポールの幅が０．１μｍほど痩せることがあ
る。特に上述したように幅が急激に変化するコーナー部
分がある場合には、コーナーに近いほど太く、離れるほ
ど痩せて細くなってしまう。エアーベアリング面を形成
する際の研磨量はＧＭＲヘッド素子のＭＲハイトによっ
て決まり、常に同じスロートハイトの位置にエアーベア
リング面が形成されるとは限らない。したがって、従来
のようにトラックポール幅が先端に向けて細くなってい
るとエアーベアリング面に露出する部分のトラックポー
ルの幅が一定にならない欠点があった。これに対して本
発明では、トラックポールの幅をその全長に亘って均一
に形成できるので、エアーベアリング面の位置が変化し
てもエアーベアリング面におけるトラックポールの幅は
常に一定となる。
【０１１４】さらに、第１および第２の薄膜コイル半部
を電気的に接続するためのジャンパ配線を、上部ポール
の磁性材料で、上部ポールを形成するのと同時に形成し
た実施例では、配線形成プロセスが簡単となり、スルー
プットを向上することができる。
を電気的に接続するためのジャンパ配線を、上部ポール
の磁性材料で、上部ポールを形成するのと同時に形成し
た実施例では、配線形成プロセスが簡単となり、スルー
プットを向上することができる。
【図１】従来の複合型薄膜磁気ヘッドを製造する工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】図１の工程に続く工程を示す断面図である。
【図３】図２の工程に続く工程を示す断面図である。
【図４】図３の工程に続く工程を示す断面図である。
【図５】図４の工程に続く工程を示す断面図である。
【図６】図５の工程に続く工程を示す断面図である。
【図７】図６の工程に続く工程を示す断面図である。
【図８】図７の工程に続く工程を示す断面図である。
【図９】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面
図および平面図である。
図および平面図である。
【図１０】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第１の
実施例を製造する工程を示す断面図である。
実施例を製造する工程を示す断面図である。
【図１１】図１０の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１２】図１１の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１３】図１２の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１４】図１３の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１５】図１４の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１６】図１５の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１７】図１６の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１８】図１７の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１９】図１８の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２０】図１９の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２１】図２０の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２２】図２１の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２３】図２２の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２４】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第１の
実施例の磁極部分および薄膜コイルの構成を示す斜視図
である。
実施例の磁極部分および薄膜コイルの構成を示す斜視図
である。
【図２５】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第１の
実施例の薄膜コイルと配線との接続状態を線図的に示す
平面図である。
実施例の薄膜コイルと配線との接続状態を線図的に示す
平面図である。
【図２６】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第２の
実施例を製造する工程を示す断面図である。
実施例を製造する工程を示す断面図である。
【図２７】図２６の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２８】図２７の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図２９】図２８の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３０】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第３の
実施例を製造する工程を示す断面図である。
実施例を製造する工程を示す断面図である。
【図３１】図３０の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３２】図３１の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３３】図３２の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３４】図３３の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３５】図３４の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３６】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第３の
実施例において下部および上部トラックポールを形成す
るプロセスを示す斜視図である。
実施例において下部および上部トラックポールを形成す
るプロセスを示す斜視図である。
【図３７】図３６の工程に続く工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図３８】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第３の
実施例の変形例において下部および上部トラックポール
を形成するプロセスを示す斜視図である。
実施例の変形例において下部および上部トラックポール
を形成するプロセスを示す斜視図である。
【図３９】図３８の工程に続く工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図４０】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第４の
実施例の構成を示す断面図である。
実施例の構成を示す断面図である。
【図４１】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第５の
実施例の構成を示す断面図である。
実施例の構成を示す断面図である。
【図４２】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第６の
実施例を製造する工程を示す断面図である。
実施例を製造する工程を示す断面図である。
【図４３】図４２の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４４】図４３の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４５】図４４の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４６】図４５の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４７】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第７の
実施例を製造する工程を示す断面図である。
実施例を製造する工程を示す断面図である。
【図４８】図４７の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４９】図４８の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５０】図４９の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５１】図５０の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５２】図５１の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５３】図５２の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５４】図５３の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５５】図５４の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５６】図５５の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５７】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第７の
実施例の第１および第２の薄膜コイル半部と、これらを
接続する第１および第２のジャンパ配線の配置を示す平
面図である。
実施例の第１および第２の薄膜コイル半部と、これらを
接続する第１および第２のジャンパ配線の配置を示す平
面図である。
【図５８】図５６の工程に続く工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５９】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第７の
実施例の上部トラックポールおよびそれを形成するため
のレジスト開口を示す平面図である。
実施例の上部トラックポールおよびそれを形成するため
のレジスト開口を示す平面図である。
【図６０】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第７の
実施例のオーバーコート膜を形成した状態を示す断面図
である。
実施例のオーバーコート膜を形成した状態を示す断面図
である。
３１ 基板、 ４０ 下部ポール、 ４２ ライト
ギャップ膜、 ４３上部トラックポール、 ５１
第１の薄膜コイル半部、５１ａ 第１の薄膜コイル半部
の最内周のコイル巻回体の端部、 ５４ 第２の薄膜
コイル半部、４４、５３ 橋絡部、 ５６ 上部ポー
ル、 １６３，１６６ 配線ジャンパ
ギャップ膜、 ４３上部トラックポール、 ５１
第１の薄膜コイル半部、５１ａ 第１の薄膜コイル半部
の最内周のコイル巻回体の端部、 ５４ 第２の薄膜
コイル半部、４４、５３ 橋絡部、 ５６ 上部ポー
ル、 １６３，１６６ 配線ジャンパ
フロントページの続き
(71)出願人 501416070
エスエーイー マグネティクス（エイチ.
ケー．）リミティド
香港，ニュー テリトリーズ，クワイ チ
ュン，クワイ フン クレセント 38−
42，エスエーイー タワー
(72)発明者 佐々木 芳高
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
95035 ミリピタス サウス ヒルビュー
ドライヴ 678 ヘッドウェイ テクノ
ロジーズ インコーポレイテッド内
(72)発明者 上釜 健宏
香港 ニューテリトリーズ クワイ チュ
ン クワイ フン クレセント 38−42
エスエーイー タワー エスエーイー マ
グネティクス（エイチ．ケー．）リミティ
ド内
Ｆターム(参考） 5D033 BA07 BA13 BA32 BA41 BB43
DA03 DA04 DA08 DA31
Claims (21)
- 【請求項１】 磁気記録媒体と対向する磁極部分を有す
る磁性材料より成る下部ポールと、 この下部ポールの磁極部分の端面とともにエアベアリン
グ面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面から
離れたバックギャップにおいて下部ポールと磁気的に連
結された磁性材料より成る上部ポールと、 少なくとも前記エアベアリング面において下部ポールの
磁極部分と上部ポールの磁極部分との間に介挿された非
磁性材料より成るライトギャップ膜と、 前記下部ポールおよび上部ポールの間に、絶縁分離され
た状態で配設された部分を有する薄膜コイルと、 前記下部ポール、上部ポール、ライトギャップ膜および
薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記薄膜コイルが、所定の間隔を置いて形成されたコイ
ル巻回体を有する第１の薄膜コイル半部と、この第１の
薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体の間に、第１の薄
膜コイル半部のコイル巻回体と自己整合的に形成された
コイル巻回体を有する第２の薄膜コイル半部と、これら
第１および第２の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体
間のスペースを埋めるように形成された層間絶縁膜と、
前記第１および第２の薄膜コイル半部のいずれか一方の
最内周のコイル巻回体と、他方の薄膜コイル半部の最外
周のコイル巻回体との間を電気的に接続するジャンパ配
線とを具えるもの。 - 【請求項２】 磁気記録媒体と対向する磁極部分を有す
る磁性材料より成る下部ポールと、 この下部ポールの磁極部分の端面とともにエアベアリン
グ面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面から
離れたバックギャップにおいて磁性材料より成る橋絡部
を介して下部ポールと磁気的に連結された磁性材料より
成る上部ポールと、 少なくとも前記エアベアリング面において下部ポールの
磁極部分と上部ポールの磁極部分との間に介挿された非
磁性材料より成るライトギャップ膜と、 前記下部ポールおよび上部ポールの間に、絶縁分離され
た状態で配設された部分を有する薄膜コイルと、 前記下部ポールおよび上部ポール、ライトギャップ膜お
よび薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記薄膜コイルが、所定の間隔を置いて形成されたコイ
ル巻回体を有する第１の薄膜コイル半部と、この第１の
薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体の間に、第１の薄
膜コイル半部のコイル巻回体と自己整合的に形成された
コイル巻回体を有する第２の薄膜コイル半部と、これら
第１および第２の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体
間のスペースを埋めるように形成された層間絶縁膜とを
有し、前記第１および第２の薄膜コイル半部の最内周の
コイル巻回体の端部を他の部分の幅よりも広くし、これ
ら端部と前記バックギャップの橋絡部との間に前記層間
絶縁膜よりも厚い絶縁膜を設けたもの。 - 【請求項３】 基板と、この基板によって支持され、エ
アーベアリング面を規定するように積層された誘導型薄
膜磁気ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドであって、前
記誘導型薄膜磁気ヘッド素子が、 前記エアーベアリング面から内方に延在する磁性材料よ
り成る下部ポールと、 この下部ポールの一方の表面上に、前記エアーベアリン
グ面から少なくともトラックポールの長さに相当する距
離だけ内方に延在するように形成された非磁性材料より
成るライトギャップ膜と、 このライトギャップ膜の、前記下部ポールと接触する表
面とは反対側の表面に、前記エアーベアリング面からス
ロートハイト零の基準位置まで延在するように形成され
た磁性材料より成る下部トラックポールと、 この下部トラックポールのスロートハイト零の基準位置
を規定する内方端面と接触する外方端面を有し、前記下
部トラックポールの、前記ライトギャップ膜と接触する
第１の表面とは反対側の第２の表面と同一面となるよう
に平坦化された表面を構成するように形成された第１の
非磁性材料膜と、 前記下部トラックポールおよび第１の非磁性材料膜の平
坦化された表面に、前記エアーベアリング面から前記第
１の非磁性材料膜の内方端面を超えて内方に延在するよ
うに形成され、先端がエアーベアリング面に露出するト
ラックポール部と、これに連続し、トラックポール部よ
りも幅の広いコンタクト部とを有する磁性材料より成る
上部トラックポールと、 前記下部トラックポール、第１の非磁性材料膜および上
部トラックポールの整列された側面を囲み、前記上部ト
ラックポールの、前記下部トラックポールおよび第１の
非磁性材料膜の平坦化された表面と接触する第１の表面
とは反対側の第２の表面と同一面となるように平坦化さ
れた表面を有する第２の非磁性材料膜と、 前記第２の非磁性材料膜の、前記第１の非磁性材料膜お
よび前記上部トラックポールのコンタクト部の互いに整
列された端面と接触する端面よりも内側において電気的
に絶縁分離された状態で形成された薄膜コイルと、 一端が前記上部トラックポールのコンタクト部と磁気的
に連結され、他端がエアーベアリング面とは反対側のバ
ックギャップにおいて磁性材料より成る橋絡部を介して
前記下部ポールと磁気的に連結され、下部ポールと共に
前記薄膜コイルの一部分を囲むように形成された磁性材
料より成る上部ポールと、 を具え、前記薄膜コイルが、所定の間隔を置いて形成さ
れたコイル巻回体を有する第１の薄膜コイル半部と、こ
の第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体の間に、
第１の薄膜コイル半部のコイル巻回体と自己整合的に形
成されたコイル巻回体を有する第２の薄膜コイル半部
と、これら第１および第２の薄膜コイル半部の順次のコ
イル巻回体間のスペースを埋めるように形成された層間
絶縁膜と、前記第１および第２の薄膜コイル半部のいず
れか一方の最内周のコイル巻回体と、他方の薄膜コイル
半部の最外周のコイル巻回体との間を電気的に接続する
ジャンパ配線とを具えるもの。 - 【請求項４】 基板と、この基板によって支持され、エ
アーベアリング面を規定するように積層された誘導型薄
膜磁気ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドであって、前
記誘導型薄膜磁気ヘッド素子が、 前記基板上に、エアーベアリング面から内方に延在する
ように形成された磁性材料より成る下部ポールと、 この下部ポールの一方の表面上に、前記エアーベアリン
グ面からスロートハイト零の基準位置まで延在するよう
に形成された磁性材料より成る下部トラックポールと、 前記下部ポールの一方の表面上に、前記エアーベアリン
グ面から離れた位置においてバックギャップを構成する
ように形成された磁性材料より成る橋絡部と、 前記下部ポールの一方の表面上に、下部ポールとは反対
側の表面が前記下部トラックポールの表面と同一面とな
るように形成された薄膜コイルと、 前記下部トラックポールおよび薄膜コイルの平坦な表面
の上に平坦に形成された非磁性材料より成るライトギャ
ップ膜と、 このライトギャップ膜の、前記下部トラックポールと接
触する側とは反対側の表面に形成され、前記下部トラッ
クポールと整列する上部トラックポールが一体的に形成
されているとともに前記橋絡部と接触するように形成さ
れた磁性材料より成る上部ポールと、を具え、前記薄膜
コイルが、所定の間隔を置いて形成されたコイル巻回体
を有する第１の薄膜コイル半部と、この第１の薄膜コイ
ル半部の順次のコイル巻回体の間に、第１の薄膜コイル
半部のコイル巻回体と自己整合的に形成されたコイル巻
回体を有する第２の薄膜コイル半部と、これら第１およ
び第２の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体間のスペ
ースを埋めるように形成された層間絶縁膜とを有し、前
記第１および第２の薄膜コイル半部の最内周のコイル巻
回体の端部を他の部分の幅よりも広くし、これら端部と
前記バックギャップの橋絡部との間に前記層間絶縁膜よ
りも厚い絶縁膜設けたもの。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れかに記載の薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記第１の薄膜コイル半部が電解メッ
キで形成されたコイル巻回体を有し、前記第２の薄膜コ
イル半部がＣＶＤで形成されたコイル巻回体を有するも
の。 - 【請求項６】 請求項１〜４の何れかに記載の薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記第１および第２の薄膜コイル半部
が、電解メッキで形成されたコイル巻回体を有するも
の。 - 【請求項７】 請求項１〜４の何れかに記載の薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記第１および第２の薄膜コイル半部
の隣接するコイル巻回体間に配設された前記層間絶縁膜
の膜厚を、０．０３〜０．２５μmとしたもの。 - 【請求項８】 請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記第１および第２の薄膜コイル半部の隣接するコ
イル巻回体間に配設された前記層間絶縁膜を、アルミ
ナ、酸化シリコンおよび窒化シリコンより成る群から選
択した無機絶縁材料で形成したもの。 - 【請求項９】 請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記第１および第２の薄膜コイル半部の隣接するコ
イル巻回体間に配設された前記層間絶縁膜を、アルミナ
-CVD膜で形成したもの。 - 【請求項１０】 請求項１〜４の何れかに記載の薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記エアーベアリング面に最も近い
コイル巻回体および前記橋絡部に最も近いコイル巻回体
を、第２の薄膜コイル半部の最外周のコイル巻回体およ
び最内周のコイル巻回体で構成し、これら第２の薄膜コ
イル半部の最外周および最内周のコイル巻回体の、下部
ポールおよび上部ポールによって囲まれる部分の幅を、
第２の薄膜コイル半部の残余のコイル巻回体の幅よりも
広くしたもの。 - 【請求項１１】 請求項３または４に記載の薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記下部トラックポールおよび上部トラ
ックポールをリアクティブ・イオン・エッチングのセル
フアライメントで形成したもの。 - 【請求項１２】 請求項３または４に記載の薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記上部トラックポールおよび下部トラ
ックポールの双方または何れか一方を、FeN、FeCo、CoN
iFe、FeAlNおよびFeZrNより成る群から選択した磁性材
料で形成したもの。 - 【請求項１３】 磁気記録媒体と対向する磁極部分を有
する磁性材料より成る下部ポールと、 この下部ポールの磁極部分の端面とともにエアベアリン
グ面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面から
離れたバックギャップにおいて磁性材料より成る橋絡部
を介して下部ポールと磁気的に連結された磁性材料より
成る上部ポールと、 少なくとも前記エアベアリング面において下部ポールの
磁極部分と上部ポールの磁極部分との間に介挿された非
磁性材料より成るライトギャップ膜と、 前記下部ポールおよび上部ポールの間に、絶縁分離され
た状態で配設された部分を有する薄膜コイルと、 前記下部ポール、上部ポール、ライトギャップ膜および
薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドを
製造する方法において、 前記薄膜コイルを形成する方法が、 第１の薄膜コイル半部の複数のコイル巻回体を所定の間
隔を置いて形成する工程と、 この第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように層間絶縁
膜を形成する工程と、この層間絶縁膜の上に、その順次
のコイル巻回体のスペースを埋めるように導電材料膜を
形成する工程と、 この導電材料膜の、前記第１の薄膜コイル半部のコイル
巻回体の頂面を覆う部分およびその下側にある前記層間
絶縁膜を除去して、第１の薄膜コイル半部の順次のコイ
ル巻回体の間にこれらコイル巻回体と自己整合的に形成
され、前記層間絶縁膜によって絶縁分離されたコイル巻
回体を有する第２の薄膜コイル半部を形成する工程と、 これら第１および第２の薄膜コイル半部を覆うように第
１の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１および第２の薄膜コイル半部の一方の最内周の
コイル巻回体と、第１および第２の薄膜コイル半部の他
方の最外周のコイル巻回体との間を電気的に接続するジ
ャンパ配線を前記上部ポールを形成する工程において、
その一部分を構成する磁性材料で同時に形成する工程
と、を具えるもの。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の方法において、前
記第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように層間絶縁膜
を形成した後、この層間絶縁膜の上に薄膜コイル形成領
域を覆うように第２の絶縁膜を形成した状態で、第３の
絶縁膜を選択的に形成し、その後、前記バックギャップ
を構成する橋絡部と、第１の薄膜コイル半部の最内周の
コイル巻回体の端部との間に、前記層間絶縁膜よりも膜
厚の厚い絶縁膜を残して、前記第３および第２の絶縁膜
を除去して第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻回体
間にスペースを形成するもの。 - 【請求項１５】 基板と、この基板によって支持され、
エアーベアリング面を規定するように積層された誘導型
薄膜磁気ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドを製造する
方法において、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成す
る工程が、 磁性材料より成る下部ポールを基板によって支持される
ように形成する工程と、 この下部ポールの表面に非磁性材料より成るライトギャ
ップ膜を形成する工程と、 このライトギャップ膜の表面に磁性材料より成る第１の
磁性材料膜を形成する工程と、 この第１の磁性材料膜を、少なくともエアーベアリング
面を規定する位置からスロートハイト零の基準位置まで
の距離に等しい幅を残すと共にバックギャップを構成す
る橋絡部の一部を構成する部分を残して除去する第１の
エッチング工程と、 この第１のエッチング工程で除去された部分に、前記ス
ロートハイト零の基準位置において前記第１の磁性材料
膜と接触するように第１の非磁性材料膜を形成する工程
と、 この第１の非磁性材料膜を研磨して、前記第１の磁性材
料膜の表面と同一面となるように平坦化する工程と、 前記第１の磁性材料膜および第１の非磁性材料膜の平坦
化された表面に、少なくとも前記エアーベアリング面を
規定する位置から少なくとも前記第１の非磁性材料膜の
端面まで内方に延在するように形成されたトラックチッ
プ部と、これに連続し、トラックチップ部よりも幅の広
いコンタクト部とを有する磁性材料より成る上部トラッ
クポールを形成すると共に前記橋絡部の残部を形成する
第２の磁性材料膜を形成する工程と、 少なくともこの上部トラックポールをマスクとするリア
クティブ・イオン・エッチングを行って、前記第１の磁
性材料膜および第１の非磁性材料膜を選択的に除去して
下部トラックポールを形成する第２のエッチング工程
と、 この第２のエッチングによって除去された部分に第２の
非磁性材料膜を形成する工程と、 この第２の非磁性材料膜を研磨して前記上部トラックポ
ールの表面と同一面となるように平坦化する工程と、 この第２の非磁性材料膜の平坦な表面に電気的に絶縁分
離された状態で薄膜コイルを形成する工程と、 一端が前記上部トラックポールのコンタクト部と磁気的
に連結され、他端がバックギャップにおいて前記橋絡部
を介して前記下部ポールと磁気的に連結され、下部ポー
ルと共に前記薄膜コイルの一部分を囲むように磁性材料
より成る上部ポールを形成する工程と、を具え、 前記薄膜コイルを形成する工程が、 第１の薄膜コイル半部の複数のコイル巻回体を所定の間
隔を置いて形成する工程と、 この第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように層間絶縁
膜を形成する工程と、 前記バックギャップの橋絡部と、第１の薄膜コイル半部
の最内周のコイル巻回体の端部との間に、前記層間絶縁
膜よりも厚い第１の絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜の上に、その順次のコイル巻回体のスペ
ースを埋めるように導電材料膜を形成する工程と、 この導電材料膜の、前記第１の薄膜コイル半部のコイル
巻回体の頂面を覆う部分およびその下側にある前記層間
絶縁膜を除去して、第１の薄膜コイル半部の順次のコイ
ル巻回体の間にこれらコイル巻回体と自己整合的に形成
され、前記層間絶縁膜によって絶縁分離されたコイル巻
回体を有する第２の薄膜コイル半部を形成する工程と、 これら第１および第２の薄膜コイル半部を覆うように第
２の絶縁膜を形成する工程と、を具えるもの。 - 【請求項１６】 基板と、この基板によって支持され、
エアーベアリング面を規定するように積層された誘導型
薄膜磁気ヘッド素子を具える薄膜磁気ヘッドを製造する
方法において、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成す
る工程が、 磁性材料より成る下部ポールを基板によって支持される
ように形成する工程と、 この下部ポールの上に下部トラックポールおよびバック
ギャップの橋絡部を形成するための第１の磁性材料膜を
形成する工程と、 前記下部ポールの上に、絶縁分離された状態で支持され
た薄膜コイルを形成する工程と、 前記第１の磁性材料膜および薄膜コイルの表面を平坦な
同一面となるように研磨する工程と、 この平坦な表面の上に非磁性材料より成るライトギャッ
プ膜を形成するための非磁性材料膜を平坦に形成する工
程と、 この非磁性材料膜の平坦な表面に、上部トラックポール
および上部ポールを形成するための第２の磁性材料膜を
前記橋絡部と接触するように形成する工程と、 この第２の磁性材料膜の、上部トラックポールを形成す
べき部分に形成したマスクを用いて前記第２の磁性材料
膜を選択的にエッチングして上部トラックポールを形成
すると共に前記非磁性材料膜およびその下側の第１の磁
性材料膜を選択的に除去してライトギャップ膜および下
部トラックポールを形成するエッチング工程と、 全体の上に絶縁材料より成るオーバーコート膜を形成す
る工程と、を具え、前記薄膜コイルを形成する工程が、 前記第１の磁性材料膜の上に、これから絶縁分離される
ように第１の薄膜コイル半部の複数のコイル巻回体を所
定の間隔を置いて形成する工程と、 この第１の薄膜コイル半部の全体を覆うように層間絶縁
膜を形成する工程と、 前記橋絡部と、第１の薄膜コイル半部の最内周のコイル
巻回体の端部との間に、前記層間絶縁膜よりも膜厚の厚
い絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の薄膜コイル半部を覆う前記層間絶縁膜の上
に、その順次のコイル巻回体のスペースを埋めるように
導電材料膜を形成する工程と、 この導電材料膜の、前記第１の薄膜コイル半部のコイル
巻回体の頂面を覆う部分およびその下側にある層間絶縁
膜を除去して、第１の薄膜コイル半部の順次のコイル巻
回体の間にこれらコイル巻回体と自己整合的に形成さ
れ、前記層間絶縁膜によって絶縁分離されたコイル巻回
体を有する第２の薄膜コイル半部を形成する工程と、 を具えるもの。 - 【請求項１７】 請求項１３〜１６の何れかに記載の方
法において、前記層間絶縁膜を、１〜２ Torrの減圧中
において、１００〜４００℃の温度で、Al(CH3 )3また
はAlCl3 と、H2 O, N2 , N2 OまたはH2 O2 とを交互に
断続的に噴射し、化学反応でアルミナを堆積させるアト
ミックレイヤー法で形成するもの。 - 【請求項１８】 請求項１３〜１６の何れかに記載の方
法において、前記第１の薄膜コイル半部のコイル巻回体
を銅の電解メッキで形成し、前記第２の薄膜コイル半部
のコイル巻回体をCu-CVDで形成するもの。 - 【請求項１９】 請求項１３〜１６の何れかに記載の方
法において、前記第１および第２の薄膜コイル半部のコ
イル巻回体を、銅の電解メッキで形成するもの。 - 【請求項２０】 請求項１５または１６に記載の方法に
おいて、前記第１の磁性材料膜をFeNまたはFeCoで形成
し、前記第２の磁性材料膜を、FeNまたはFeCoまたはCoN
iFeのメッキにより所定のパターンに形成し、この第２
の磁性材料膜をマスクとして前記第１の磁性材料膜をエ
ッチングするリアクティブ・イオン・エッチングを、Cl
2 、あるいはCl2 にBCl2 などのホウ素系ガスを混合し
た混合ガスにO 2 ,Ar, N2 の少なくとも一つのガスを混
合した混合ガス雰囲気中で、５０〜３００℃のエッチン
グ温度で行うもの。 - 【請求項２１】 請求項１５または１６に記載の方法に
おいて、前記第１の磁性材料膜をFeNまたはFeCoで形成
し、前記第２の磁性材料膜をFeNまたはFeCoのスパッタ
リングで形成し、この第２の磁性材料膜上に形成したCo
NiFeのメッキ膜より成るマスクを用いて上部トラックポ
ールを形成し、さらに前記第１の磁性材料膜をエッチン
グして下部トラックポールを形成するリアクティブ・イ
オン・エッチングを、Cl2 、あるいはCl2 にBCl2 など
のホウ素系ガスを混合したガスにO2 ,Ar, N2 の少なく
とも一つのガスを混合した混合ガス雰囲気中で、５０〜
３００℃のエッチング温度で行うもの。
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| JP (1) | JP4297410B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006004604A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Headway Technologies Inc | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
| US7508629B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-03-24 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording that has a structure to suppress protrusion of an end portion of a shield layer resulting from heat generated by a coil, and method of manufacturing same |
| US8077433B2 (en) | 2008-06-03 | 2011-12-13 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head, method of manufacturing the same, head gimbal assembly, and hard disk drive |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6631546B1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Self-aligned void filling for mushroomed plating |
| JP4072395B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2008-04-09 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6762911B2 (en) * | 2002-02-11 | 2004-07-13 | Headway Technologies, Inc. | Combination type thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| JP2004086961A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
| JP2004178678A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP4079427B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2008-04-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 |
| US7397634B2 (en) * | 2003-06-23 | 2008-07-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head coil system and damascene/reactive ion etching method for manufacturing the same |
| JP2005018836A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US7154706B2 (en) * | 2003-11-07 | 2006-12-26 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| US7580222B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-08-25 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head, a head gimbal assembly and hard disk drive |
| JP2006302421A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッド |
| US7551394B2 (en) * | 2006-07-12 | 2009-06-23 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording having a multilayer shield structure and method of manufacturing same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0218445A3 (en) * | 1985-10-01 | 1989-08-30 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
| JPS62256209A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS63239608A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-10-05 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの導体コイルおよびその製造方法 |
| US5448822A (en) * | 1993-03-10 | 1995-09-12 | Quantum Corporation | Method of making a thin film magnetic head having multi-layer coils |
| JPH11259813A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Sony Corp | 薄膜コイル、磁気ヘッド及び光磁気ヘッド |
| JPH11283215A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6204997B1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-03-20 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head with a plurality of engaged thin-film coils and method of manufacturing the same |
| JP3839164B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2006-11-01 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6191918B1 (en) * | 1998-10-23 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Embedded dual coil planar structure |
| US6466401B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-10-15 | Read-Rite Corporation | Thin film write head with interlaced coil winding and method of fabrication |
-
2002
- 2002-02-08 US US10/067,911 patent/US6801407B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-04 JP JP2003027628A patent/JP4297410B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006004604A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Headway Technologies Inc | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
| US7718218B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-05-18 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head, method of manufacturing the same, head Gimbal assembly, and hard disk drive |
| US7508629B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-03-24 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording that has a structure to suppress protrusion of an end portion of a shield layer resulting from heat generated by a coil, and method of manufacturing same |
| US7656613B2 (en) | 2005-11-30 | 2010-02-02 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording having a specially configured shield layer |
| US8077433B2 (en) | 2008-06-03 | 2011-12-13 | Headway Technologies, Inc. | Thin-film magnetic head, method of manufacturing the same, head gimbal assembly, and hard disk drive |
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