JP2003234651A - 位相同期ループ回路 - Google Patents
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Abstract
化、高速論理回路としての低しきい値化の方向にある。
この時、スイッチング時にスイッチングトランジスタの
オフリーク電流の影響を受けて電圧制御発振器の制御電
圧が急速に変化する問題がある。このためチャネル長の
長いトランジスタを使用する方法もあるが、応答速度が
低下する問題がある。これらの問題がなく、低電圧かつ
高速で制御電圧への影響がない安定な位相同期ループ回
路の実現が課題となっていた。 【解決手段】本発明においてはチャージポンプの出力に
新たにMOSトランジスタによるスイッチを追加し、こ
れにより位相同期ループ回路の開閉を行なう。この構造
によりチャージポンプの応答速度を低下させずにリーク
電流の小さいトランジスタの使用が可能となる。同時に
スイッチ両端の電位差を小さくすることが出来、リーク
電流をさらに小さくすることが出来る。
Description
とそれに使用されるチャージポンプに関するものであ
る。
各種通信システムの局部発振器等に使用されている。図
5は無線通信システムの局部発振器に使用されるPLL
の回路構成例を示している。PLLはフィードバック回
路であるから一般的には図5のように閉ループで動作し
ているが、その使用されるシステムの中で開ループにし
て使用する場合がある。たとえば、FSK変調を行うと
きにPLLを閉ループ状態にして、出力周波数を搬送波
周波数にロックしたあと、PLLを開ループにし、電圧
制御発振器(以下、VCO)の制御電圧入力端子に直接変
調信号を加算して変調波を生成する、などに使用され
る。PLLに使用されるチャージポンプは位相比較器で
検出された位相差をVCOの制御信号に変換するために
使用される。その回路はCMOSプロセスでは図6に示
すような簡単な構成で実現可能である。位相比較器とし
て図4に示す一般的な回路を使用し、PLLが閉ループ
時の動作を図5により簡単に説明する。位相比較器1の
入力端子fpに入力される基準信号が、入力端子frに
入力される比較信号に対し位相が進んでいる間は位相比
較器1の出力端子puから0または負電位(以下、Lo
w)が出力され、図6におけるチャージポンプ9のPM
OSトランジスタ23(M3)がオンし、ループフィル
タ10の容量に電荷を供給する。これによりVCO11
の制御電圧が上昇しVCO11の出力周波数をあげるこ
とで位相を一致させるように働く。反対に入力端子fp
に入力される基準信号が比較信号に対し位相が遅れてい
る間は出力端子pdからLowが出力され、チャージポ
ンプ9のNMOSトランジスタ24(M4)がオンし、
ループフィルタの容量から電荷を引き抜く。これにより
VCO11の制御電圧が下降し、VCO11の出力周波
数を下げることで位相を一致させるように働く。
る方法として最も簡単なのがチャージポンプ9をオフに
する方法である。外部より入力される制御信号によって
チャージポンプ9のPMOSトランジスタ23(M
3)、NMOSトランジスタ24(M4)を位相比較器
1の出力信号にかかわらず両者オフとなるように制御す
れば、ループフィルタ10の容量から電荷の出入りはな
くなるため制御電圧は一定に保持され、VCO11の出
力周波数はほぼ一定に保たれる。
によって制御電圧入力端子vcの入力電圧に変調信号を
加算すると、加算された電圧分だけ出力周波数が変動す
るためFSK変調波が得られることになる。
流のアンバランスが起こるため電流源を使用したり、チ
ャージポンプの応答速度を速めるためスイッチを差動化
するなどの対策がとられている。
々微細化が進んでおり、またこれに伴う電源電圧の低下
が進んでいる。また、論理回路の高速化を狙った低しき
い値化も行われており、MOSトランジスタのオフリー
ク電流が大きくなる。そのような状況下で図6の回路に
おいて、PMOSトランジスタ23(M3)とNMOS
トランジスタ24(M4)を両方オフすることによって
開ループ状態としたときに、PMOSトランジスタ23
(M3)とNMOSトランジスタ24(M4)のオフリ
ーク電流によってループフィルタ10の容量に蓄積され
ていた電荷が流出または流入し、VCO11の制御電圧
が急速に変化するという問題がある。図8はPMOSト
ランジスタ23(M3)とNMOSトランジスタ24
(M4)との両者をオフした時669のオフリーク電流
によって容量に保持された電圧が変化する様子をシミュ
レーションした例で、100μsの間に0.15V以上
の電圧変動を生じている。この問題を解決するためにP
MOSトランジスタ23(M3)とNMOSトランジス
タ24(M4)のオフリーク電流を小さくするためにチ
ャネル長の長いトランジスタを使用する方法も考えられ
るが、この場合M3とM4のトランジスタサイズが大き
くなるため、チャージポンプの応答速度が低下するとい
う別の問題が発生する。
てなされたものであり、本発明の請求項1においては、
位相比較器と、チャージポンプと、ループフィルタと、
電圧制御発振器とからなる構成で、この位相比較器には
基準信号と前記電圧制御発振器の出力信号または前記電
圧制御発振器の出力信号を分周した信号とが入力され、
前記位相比較器の出力が前記チャージポンプに入力さ
れ、前記チャージポンプの出力が前記ループフィルタに
入力され、前記ループフィルタの出力が前記電圧制御発
振器の制御電圧端子に入力された構成の位相同期ループ
回路であって、前記のチャージポンプは、前記位相比較
器の出力に基づき、正の電流の出力を制御する第1のス
イッチと、負の電流の出力を制御する第2のスイッチ
と、前記第1、第2のスイッチにより制御された電流の
前記ループフィルタへの出力を制御する第3のスイッチ
を備え、この第3のスイッチを開閉することで位相同期
ループ回路の開閉を制御する構成としている。
と、チャージポンプと、ループフィルタと、電圧制御発
振器とからなっており、この位相比較器には基準信号と
前記電圧制御発振器の出力信号または前記電圧制御発振
器の出力信号を分周した信号とが入力され、前記位相比
較器の出力がチャージポンプに入力され、チャージポン
プの出力が前記ループフィルタに入力され、前記ループ
フィルタの出力が前記電圧制御発振器の制御電圧端子に
入力される位相同期ループ回路において、前記のチャー
ジポンプは正の電流出力を制御する第1のスイッチと、
負の電流出力を制御する第2のスイッチと、前記第1、
第2のスイッチにより制御された電流の前記ループフィ
ルタへの出力を制御する第3のスイッチと、前記3つの
スイッチを制御する制御回路とを備え、前記制御回路は
前記位相比較器の出力と前記位相同期ループ回路を開閉
する制御信号が入力され、前記制御信号が前記位相同期
ループ回路を閉ループとする時には前記第1と前記第2
のスイッチを前記位相比較器の出力により制御して前記
第3のスイッチを閉じる信号を発生し、開ループとする
時には前記第1と前記第2のスイッチを閉じて前記第3
のスイッチを開く信号を発生する構成としている。
請求項1にかかる第1の実施の形態を示した回路図であ
る。図1の比較信号入力端子frにはPLLに使用され
るVCO(図5;11)の出力またはVCOの出力の分
周信号が入力され、基準信号入力端子fpにはPLLの
基準信号が入力される。チャージポンプ出力(out)
にはループフィルタ(図5;10)が接続され、PLL
イネーブル制御信号入力端子ctにはPLLの開ループ
/閉ループを制御する信号が入力される。なお、トラン
ジスタスイッチ4はPLLを開ループまたは閉ループの
切り換えを行なうためのもので、ゲートにはPLLイネ
ーブル制御信号が入力される。また、図1の位相比較器
1は図4に示されるような一般的な位相比較器である。
タ2(M1)のゲート端子(up)には位相比較器1の
pu端子出力が、NMOSトランジスタ3(M2)のゲ
ート端子dwには位相比較器1のpd端子出力の反転信
号が入力されており、PLLを閉ループ動作させるとき
には、PLLイネーブル制御信号入力端子ctに論理”
1”を示す高電位(以下、Hi)を入力するとトランジ
スタスイッチ4がオンして通常のPLLの閉ループ動作
となる。
Lイネーブル信号制御信号入力ctにLowを入力する
とトランジスタスイッチ4はオフする。この場合、トラ
ンジスタスイッチ4がオフしているため、ループフィル
タ10に保持されている電荷は変化しないためVCOの
制御電圧は一定に保たれる。
にかかる第2の実施の形態を示した回路図である。図2
の比較信号入力端子(fr)にはPLLに使用されるV
CO(図5;11)の出力またはこのVCO出力の分周
信号が入力され、基準信号入力端子(fp)にはPLL
の基準信号が入力される。制御回路5はPLLループの
開閉を制御する部分で、入力側端子up、dwと出力側
端子pi、niとの接続状況をイネーブル制御信号入力
端子(enable)に入力された制御信号(ct)が
PLLのループ開またはループ閉を制御する信号として
入力される。なお、位相比較器1には図4に示すような
一般的な構成の比較器を使用でき、チャージポンプ出力
端子(out)にはループフィルタ10が接続される。
図3は図2に示す制御回路5の一例である。図に示すよ
うに、イネーブル制御信号入力端子(enable)の
電位でNOR回路13およびNAND回路14の制御を
行なうことによりPLLループの開閉を制御している。
させるときには、PLLイネーブル制御信号入力端子
(enable)にHiを入力するとトランジスタスイ
ッチ8はオンし、PMOSトランジスタ6(M1)のゲ
ートには位相比較器のpu出力端子からの信号が、NM
OSトランジスタ7(M2)のゲートには位相比較器の
pd出力端子からの信号の反転信号が入力され、通常の
PLLの閉ループ動作となる。
Lイネーブル信号制御信号入力端子(enable)に
Lowを入力するとトランジスタスイッチ8はオフし、
PMOSトランジスタ6(M1)のゲート端子にはLo
wが、NMOSトランジスタ7(M2)のゲート端子に
はHiが入力される。
しているため、ループフィルタに保持されている電荷は
変化しないためVCOの制御電圧は一定に保たれる。ま
た、PMOSトランジスタ6(M1)とNMOSトラン
ジスタ7(M2)のドレイン電圧V1はほぼ電源電圧V
DDと接地電位GNDの中間電圧になるためトランジス
タスイッチでのリークも小さくなる。
ョン結果を示す。横軸は時間で縦軸は容量に保持された
電圧の時間変化を示している。図7の点線(従来例1)
は参考に示した従来例のシミュレーション結果であり、
破線(実施例1)は第1の実施の形態の回路を使用した
場合のシミュレーション結果である。従来例は図8と同
じであるが本実施の形態の結果との差をわかりやすくす
るために縦軸は対数表示としている。従来例ではPMO
Sトランジスタ2(M1)とNMOSトランジスタ3
(M2)のオフリークの差によって電圧が時間により大
きく変化しているが、本発明の回路では第1の実施の形
態の場合で従来例に比べて2桁程度、第2の実施の形態
の場合で更に2桁程度リークによる電圧変動が小さくな
ることが解る。
り、リーク電流が大きくなる傾向のCMOSプロセスに
おいて、比較的リーク電流の大きなCMOSトランジス
タを用いてもオフ時の出力リーク電流の小さいPLL用
のチャージポンプを構成することが出来る。
相比較器とチャージポンプ部の回路図。
相比較器とチャージポンプ部の回路図。
図。
例に示す回路をそれぞれ使用したときの保持電圧の時間
変化のシミュレーション結果を示す時間−電圧変動特性
図。
圧の時間変化のシミュレーション結果を示す時間−電圧
変動特性図。
(VCO) 12:可変分周器 13、14:NAND回
路 15、16:反転回路
Claims (2)
- 【請求項1】位相比較器と、チャージポンプと、ループ
フィルタと、電圧制御発振器とからなり、前記位相比較
器には基準信号と前記電圧制御発振器の出力信号または
前記電圧制御発振器の出力信号を分周した信号とが入力
され、前記位相比較器の出力が前記チャージポンプに入
力され、前記チャージポンプの出力が前記ループフィル
タに入力され、前記ループフィルタの出力が前記電圧制
御発振器の制御電圧端子に入力される位相同期ループ回
路において、前記チャージポンプは、前記位相比較器の
出力に基づき、正の電流の出力を制御する第1のスイッ
チと、負の電流の出力を制御する第2のスイッチと、前
記第1、第2のスイッチにより制御された電流の前記ル
ープフィルタへの出力を制御する第3のスイッチを備
え、前記第3のスイッチを開閉することで位相同期ルー
プ回路の開閉を制御することを特徴とする位相同期ルー
プ回路。 - 【請求項2】位相比較器と、チャージポンプと、ループ
フィルタと、電圧制御発振器とからなり、前記位相比較
器には基準信号と前記電圧制御発振器の出力信号または
前記電圧制御発振器の出力信号を分周した信号とが入力
され、前記位相比較器の出力が前記チャージポンプに入
力され、前記チャージポンプの出力が前記ループフィル
タに入力され、前記ループフィルタの出力が前記電圧制
御発振器の制御電圧端子に入力される位相同期ループ回
路において、前記チャージポンプは正の電流の出力を制
御する第1のスイッチと、負の電流の出力を制御する第
2のスイッチと、前記第1、第2のスイッチにより制御
された電流の前記ループフィルタへの出力を制御する第
3のスイッチと、前記3つのスイッチを制御する制御回
路とを備え、前記制御回路は前記位相比較器の出力と前
記位相同期ループ回路を開閉する制御信号が入力され、
前記制御信号が前記位相同期ループ回路を閉ループとす
る時には前記第1と前記第2のスイッチを前記位相比較
器の出力により制御し、かつ前記第3のスイッチを閉じ
る信号を発生し、開ループとする時には前記第1と前記
第2のスイッチを閉じ、かつ前記第3のスイッチを開く
信号を発生することを特徴とする位相同期ループ回路。
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