JP2003234619A - 折り返し型ミキサ回路 - Google Patents

折り返し型ミキサ回路

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JP2003234619A
JP2003234619A JP2002030644A JP2002030644A JP2003234619A JP 2003234619 A JP2003234619 A JP 2003234619A JP 2002030644 A JP2002030644 A JP 2002030644A JP 2002030644 A JP2002030644 A JP 2002030644A JP 2003234619 A JP2003234619 A JP 2003234619A
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series circuit
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Mamoru Ugajin
守 宇賀神
Tsuneo Tsukahara
恒夫 束原
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ミキサ回路は二つの信号の積を求める回路であ
り、このため従来は、ギルバート回路のように、それぞ
れの信号用のトランジスタを2段重ねにした直列回路構
成が用いられていた。このため、電源電圧の低電圧化が
困難となっており、低電圧でも高周波動作が安定に行い
得るミキサ回路の実現が課題となっていた。 【解決手段】ミキシングを行う二つの差動信号入力に対
し、それぞれの入力回路を構成するトランジスタに逆極
性のトランジスタを使用し、これらを並列接続すること
により低電圧動作を可能としている。また、出力のコモ
ンモード電圧をフィードバックし、設定電圧と比較する
ことにより抵抗値、トランジスタ特性のばらつきを補正
しDCレベルの安定した中間周波出力が得られるように
した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無線通信等におけ
るキャリア信号の周波数変換を行うためのミキサ回路に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】無線通信送受信機における周波数変換に
はミキサ回路が使用されている。このミキサ回路の基本
動作は、2つのアナログ信号の乗算により周波数変換を
行うものであり、集積化したミキサ回路として、ギルバ
ートセル型のミキサ回路が広く使用されている。
【0003】図9にMOSFETを使用した従来用いら
れてきたギルバートセル型のミキサ回路の構成を示す。
MN1、MN2は第1の差動対1Aを構成するNchM
OSトランジスタであり、そのゲートに差動のローカル
信号LOが印加される。MN3、MN4は第2の差動対
2Aを構成するNchMOSトランジスタであり、その
ゲートにも同じ差動のローカル信号LOが印加される。
MN8、MN9は第3の差動対3Bを構成するNchM
OSトランジスタであり、そのゲートに差動の高周波信
号RFが印加される。MN22は電流源として機能する
NchMOSトランジスタで、そのゲートには上記各差
動回路に流れる電流値を制御するバイアス電圧Vbia
sが印加されている。また、RL1、RL2は差動対1
A、2Aを構成するトランジスタで互に共通に接続され
ている負荷抵抗である。
【0004】このように、従来のギルバートセル型のミ
キサ回路では、トランジスタMN8、MN9が高周波信
号を差動電流信号に変換し、トランジスタMN1〜MN
4がその電流パスをローカル信号に応じてスイッチング
することによって、高周波信号とローカル信号の乗算結
果が、負荷抵抗の一端に差動の中間周波信号IFとして
出力される。
【0005】ところで、携帯無線端末は電池駆動である
ので、小型・軽量化のためには低電圧動作が望まれてい
るが、このギルバートセル型のミキサ回路は、電流源を
含めると、3段のトランジスタと負荷抵抗とが縦接続さ
れる形になることから、電源電圧VDDとして最低でも
1.5Vが必要であった。
【0006】特に高周波信号を増幅するためには、ロー
カル信号LOが印加されるMN1〜MN4および高周波
信号RFが印加されるMN8、MN9にそれぞれ0.5
V程度の電圧印加が必要であり、更に電圧を下げようと
すると高周波動作が困難となり、無線通信には適用でき
なくなるという問題が生じる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、電源電
圧が1.5V以下では動作不能となるため、携帯無線端
末に適用するとき、乾電池(1.5V)あるいはNiC
d系の2次電池(1.2V)が直列に2本以上必要とな
り、小型・軽量化が困難となっていた。
【0008】本発明は以上のような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、1V程度の低い電圧のもとで
も正常動作が可能で、直流レベルの安定な出力が得られ
るミキサ回路を提供することである。
【0009】
【問題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては請求項1においては、第1の差動
信号、例えばローカル信号、を受容する1対のトランジ
スタからなる差動トランジスタ対とトランジスタ電流源
とを直列接続した第1の直列回路と、前記第1の直列回
路と同一構成の第2の直列回路と、高周波信号等第2の
差動信号を受容し、前記の第1および第2の直列回路と
は極性の異なる1対のトランジスタからなる差動トラン
ジスタ対とトランジスタ電流源とを直列接続した第3の
直列回路とを有している。ここで、第1の電源端子、例
えば正の電源電圧、と第2の電源端子、例えば接地電
位、との間に前記第1の直列回路と前記第2の直列回路
をそれぞれ負荷抵抗を介して挿入し、前記第3の直列回
路における差動出力の一方を、前記第1の直列回路の差
動トランジスタ対と直列回路を構成しているトランジス
タ電流源との結合点に結合し、前記第3の直列回路にお
ける差動出力の他の一方を前記第2の直列回路の差動ト
ランジスタ対とトランジスタ電流源との結合点に結合す
る。ここで、前記各負荷抵抗と前記の第1および第2の
各直列回路との結合点から、前記第1の差動信号と前記
第2の差動信号との積を差動型で出力する構成としてい
る。
【0010】請求項2においては、前記の第1および第
2の直列回路に含まれるそれぞれのトランジスタ電流源
の電流をカレントミラー回路により折り返すことで前記
第3の直列回路の電流量を設定する構成としている。
【0011】請求項3においては、前記第1の差動信号
入力と前記第2の差動信号入力との積の差動出力におけ
るコモンモードDCレベルを、各差動出力毎に抵抗を介
して引き出し、前記引き出した差動出力をコモンモード
フィードバック回路を介して前記第3の直列回路の電流
源にフィードバックし、前記コモンモードフィードバッ
ク回路により前記第3の直列回路の電流量を設定する構
成としている。
【0012】請求項4においては、前記のコモンモード
フィードバック回路が、第4の差動トランジスタ対と、
前記第4の差動トランジスタ対を構成する各トランジス
タにトランジスタ電流源を直列接続した第4の直列回路
と、前記第4のトランジスタ対とは極性の異なる第5の
トランジスタ対とを有し、前記第5のトランジスタ対を
構成するそれぞれのトランジスタのゲートとドレインが
直結され、前記第4と第5のトランジスタ対のドレイン
どうしがそれぞれ接続される構成となっている。ここ
で、前記第4のトランジスタ対における第1のトランジ
スタのゲートに前記の積出力のコモンモードDCレベル
が入力され、前記第4のトランジスタ対における第2の
トランジスタのゲートに出力DCレベルの目標値が設定
電圧として入力され、前記第4のトランジスタ対におけ
る第2のトランジスタのドレイン電圧を前記第3の直列
回路におけるトランジスタ電流源のゲートにフィードバ
ックする構成としている。
【0013】請求項5においては、請求項1乃至4のい
ずれか1項に記載の構成で、前記第1および第2の直列
回路を構成するトランジスタとしてNchMOSFET
を使用し、前記第3の直列回路を構成するトランジスタ
としてPchMOSFETを使用する構成としている。
【0014】請求項6においては、請求項1乃至4のい
ずれか1項に記載の構成で、前記第1および第2の直列
回路を構成するトランジスタとしてPchMOSFET
を使用し、前記第3の直列回路を構成するトランジスタ
としてNchMOSFETを使用する構成としている。
【0015】
【発明実施の形態】[第1の実施の形態]図1は本発明
による第1の実施の形態である折り返し型ミキサ回路を
示す。図9に示したものと同じものには同じ符号を付し
た。MN1、MN2は第1の差動対1Aを構成するNc
hMOSトランジスタであり、そのゲートには差動のロ
ーカル信号LOが印加される。MN3、MN4は第2の
差動対2Aを構成するNchMOSトランジスタであ
り、そのゲートにはNchMOSトランジスタMN1と
MN2の場合と同じ差動のローカル信号LOが印加され
る。MP1、MP2は第3の差動対3Aを構成するPc
hMOSトランジスタであり、そのゲートには差動の高
周波信号RFが印加される。MN5、MN6は電流源と
して機能するNchMOSトランジスタであり、MP3
はMP4と共にカレントミラー回路を形成しており電流
源としての機能を有するPchMOSトランジスタであ
る。また、RL1、RL2は差動対1A、2Aに共通の
負荷抵抗である。
【0016】本第1の実施の形態では、PchMOSト
ランジスタMP1、MP2により差動電流信号に変換さ
れた高周波信号RFが、電流源であるNchMOSトラ
ンジスタMN5、MN6により折り返される。NchM
OSトランジスタMN1〜MN4がその電流パスをロー
カル信号LOに応じてスイッチングすることによって、
高周波信号RFとローカル信号LOの乗算結果が、負荷
抵抗の一端に差動の中間周波(IF)信号として出力さ
れる。
【0017】本第1の実施の形態では、大きなDC電圧
を必要とするローカル信号LOが印加されるNchMO
SトランジスタMN1〜MN4、および高周波信号RF
が印加されているPchMOSトランジスタMP1〜M
P2が折り返されている。このため、1V程度の電源電
圧でもそれぞれに十分な電圧を供給することで高周波信
号RFを増幅することができる。また、NchMOSト
ランジスタMN7およびPchMOSトランジスタMP
3、MP4は折り返し型のカレントミラー回路を構成し
ており、これら各トランジスタMN7、MP3、MP4
のサイズ比を調整することで、PchMOSトランジス
タMP1、MP2およびNchMOSトランジスタMN
1〜MN4に流れる電流を最適に分配できる。[第2の
実施の形態]図2は本発明による第2の実施の形態であ
る折り返し型ミキサ回路である。
【0018】本実施の形態は、前記の第1の実施の形態
の、全てのNMOSトランジスタをPMOSトランジス
タに置き換え、全てのPMOSトランジスタをNMOS
トランジスタに置き換え、接地電位と電源電位の接続を
入れ替えたものである。本実施の形態は、第1の実施の
形態と同様の効果をもつ折り返し型ミキサ回路である。
【0019】[第3の実施の形態]図3は本発明による
第3の実施の形態における折り返し型ミキサ回路を示
し、図4は図3に示すコモンモードフィードバック回路
部分を具体化した回路図である。
【0020】本第3の実施の形態においては、前記第1
の実施の形態における差動中間周波信号IF出力のコモ
ンモードを値の等しい抵抗RC1、RC2により抽出し
ている。このコモンモード電圧Vcmが図4に示すコモ
ンモードフィードバック回路のNchMOSトランジス
タMN12のゲートに入力され、フィードバック出力が
図3のPchMOSトランジスタMP3のゲートg3に
入力されることでコモンモード電圧が設定電圧Vsと等
しくなるように制御される。ここで、NchMOSトラ
ンジスタMN14は本回路における定電流源を構成して
おり、バイアス電圧Vbiasで制御される。本第3の
実施の形態により、抵抗値およびトランジスタ特性がプ
ロセスによりばらついた場合でもDCレベルの安定した
差動中間周波出力IFが得られる。
【0021】また図5は図3に示すコモンモードフィー
ドバック回路を具体化した第2の回路例を示す回路図
で、本コモンモードフィードバック回路での同様の効果
が得られる。 [第4の実施の形態]図6は本発明による第4の実施の
形態である折り返し型ミキサ回路を示し、図7および図
8は図6に示すコモンモードフィードバック回路を具体
化した回路図である。本第4の実施の形態は、前記第1
の実施の形態における差動中間周波出力IFのコモンモ
ード電圧Vcmを値の等しい抵抗RC1、RC2により
抽出している。このコモンモード電圧Vcmが図7また
は図8に示すコモンモードフィードバック回路のPch
MOSトランジスタMP16またはMP19のゲートに
入力され、フィードバック出力が図6のNchMOSト
ランジスタMN5、MN6のゲートに入力されることで
コモンモード電圧Vcmが設定電圧Vsと等しくなるよ
うに制御される。本第4の実施の形態によっても、抵抗
値およびトランジスタ特性がプロセスによりばらついた
場合でもDCレベルの安定したIF出力が得られる。
【0022】以上述べた第3および第4の実施の形態で
は、前記の第1の実施の形態による折り返し型ミキサ回
路にコモンモードフィードバック回路を付加したが、前
記の第2の実施形態の折り返し型ミキサ回路にコモンモ
ードフィードバック回路を付加することもできる。その
場合、コモンモードフィードバック回路に用いられる全
てのトランジスタの極性を反転し、VDDと接地への接
続を逆にすればよい。
【0023】
【発明の効果】以上述べた実施の形態第1乃至第4のい
ずれかによれば、大きな電源電圧を必要とする高周波信
号RFおよびローカル信号LOの入力トランジスタ対を
並列接続することで、1V程度の低電圧ミキサ回路が実
現できる。
【0024】
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態による折り返し型ミキサ回路
の回路図。
【図2】第2の実施の形態による折り返し型ミキサ回路
の回路図。
【図3】第3の実施の形態によるコモンモードフィード
バック回路のついた折り返し型ミキサ回路の構成図。
【図4】第3の実施の形態に用いる第1のコモンモード
フィードバック回路の回路図。
【図5】第3の実施の形態に用いる第2のコモンモード
フィードバック回路の回路図。
【図6】第4の実施の形態におけるコモンモードフィー
ドバック回路のついた折り返し型ミキサ回路の構成図。
【図7】第4の実施の形態に用いる第3のコモンモード
フィードバック回路の回路図。
【図8】第4の実施の形態に用いる第4のコモンモード
フィードバック回路の回路図。
【図9】従来用いられてきたミキサ回路の回路図。
【符号の説明】
1A、2A、3A、1B、2B、3B:トランジスタ対 g3、g56:フィードバック出力 LO :ローカル信号 MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、M
N7、MN8、MN9、MN10、MN11、MN1
2、MN13、MN14、MN15、MN16、MN1
7、MN18、MN19、MN20、MN21、MN2
2:NchMOSトランジスタ MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、M
P7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP1
2、MP13、MP14、MP15、MP16、MP1
7、MP18、MP19、MP20、MP21:Pch
MOSトランジスタ RC1、RC2:コモンモード電圧引出し抵抗 RL1、Rl2:負荷抵抗 RF :高周波信号 Vbias:バイアス電圧 Vcm :コモンモード電圧 VDD :電源電圧 Vs :設定電圧

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の差動信号を受容する1対のトランジ
    スタからなる差動トランジスタ対とトランジスタ電流源
    とを直列接続した第1の直列回路と、 前記第1の直列回路と同一構成の第2の直列回路と、 第2の差動信号を受容し、前記第1および前記第2の直
    列回路とは極性の異なる1対のトランジスタからなる差
    動トランジスタ対とトランジスタ電流源とを直列接続し
    た第3の直列回路とを有し、 第1の電源端子と第2の電源端子との間に前記第1の直
    列回路と前記第2の直列回路をそれぞれ負荷抵抗を介し
    て挿入し、 前記第3の直列回路における差動出力の一方を、前記第
    1の直列回路の差動トランジスタ対とトランジスタ電流
    源との結合点と結合し、 前記第3の直列回路における差動出力の他の一方を前記
    第2の直列回路の差動トランジスタ対とトランジスタ電
    流源との結合点に結合し、 前記各負荷抵抗と前記第1および前記第2の各直列回路
    との結合点から、前記第1の差動信号と前記第2の差動
    信号との積を差動型で出力することを特徴とする折り返
    し型ミキサ回路。
  2. 【請求項2】前記第1および前記第2の直列回路に含ま
    れる前記トランジスタ電流源の電流をカレントミラー回
    路により折り返すことで前記第3の直列回路の電流量を
    設定することを特徴とする請求項1記載の折り返し型ミ
    キサ回路。
  3. 【請求項3】前記第1の差動信号と前記第2の差動信号
    との積の差動出力におけるコモンモードDCレベルを、
    各差動出力毎に抵抗を介して引き出し、前記引き出した
    差動出力をコモンモードフィードバック回路を介して前
    記第3の直列回路の電流源にフィードバックし、前記コ
    モンモードフィードバック回路により前記第3の直列回
    路の電流量を設定することを特徴とする請求項1記載の
    折り返し型ミキサ回路。
  4. 【請求項4】前記コモンモードフィードバック回路が、 第4の差動トランジスタ対と、前記第4の差動トランジ
    スタ対を構成する各トランジスタにトランジスタ電流源
    を直列接続した第4の直列回路と、 前記第4のトランジスタ対とは極性の異なる第5のトラ
    ンジスタ対とを有し、 前記第5のトランジスタ対を構成するそれぞれのトラン
    ジスタのゲートとドレインが直結され、 前記第4と第5のトランジスタ対のドレイン同士がそれ
    ぞれ接続され、 前記第4のトランジスタ対における第1のトランジスタ
    のゲートに前記積出力のコモンモードDCレベルが入力
    され、 前記第4のトランジスタ対における第2のトランジスタ
    のゲートに出力DCレベルの目標値が設定電圧として入
    力され、 前記第4のトランジスタ対における第2のトランジスタ
    のドレイン電圧を前記第3の直列回路におけるトランジ
    スタ電流源のゲートにフィードバックすることを特徴と
    する請求項3記載の折り返し型ミキサ回路。
  5. 【請求項5】前記第1および第2の直列回路を構成する
    トランジスタがNchMOSFETであり、前記第3の
    直列回路を構成するトランジスタがPchMOSFET
    であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれ
    か1項に記載の折り返し型ミキサ回路。
  6. 【請求項6】前記第1および第2の直列回路を構成する
    トランジスタがPchMOSFETであり、前記第3の
    直列回路を構成するトランジスタがNchMOSFET
    であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれ
    か1項に記載の折り返し型ミキサ回路。
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