JP2003229504A - 電子部品用中空パッケージの蓋材の製造方法 - Google Patents
電子部品用中空パッケージの蓋材の製造方法Info
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- JP2003229504A JP2003229504A JP2002028692A JP2002028692A JP2003229504A JP 2003229504 A JP2003229504 A JP 2003229504A JP 2002028692 A JP2002028692 A JP 2002028692A JP 2002028692 A JP2002028692 A JP 2002028692A JP 2003229504 A JP2003229504 A JP 2003229504A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品用中空パッケージの封止手段である
蓋体を、高い封止機能を維持しつつ、比較的安価に形成
するための蓋材の製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミックス又は金属製の電子部品を収
納する上面を開口部とする凹部を形成したパッケージの
上部周縁部に溶着して、その開口部を封止する蓋体に使
用する蓋材の製造方法であって、リボン状の金属芯材表
面に、封止材として、Ａｕの電解めっき層とＳｎの電解
めっき層を交互に積層し、最下層と最上層とをＡｕ電解
めっき層としためっき層を形成した後、熱処理を行い、
そのめっきされたＡｕとＳｎとを共晶させた後、プレス
加工により所要寸法に打ち抜いて蓋体とする。または、
リボン状の金属芯材表面に、封止材として、ＡｕとＳｎ
との合金の電解めっき層を形成した後、ブレス加工によ
り所要寸法に打ち抜いて蓋体とする。
蓋体を、高い封止機能を維持しつつ、比較的安価に形成
するための蓋材の製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミックス又は金属製の電子部品を収
納する上面を開口部とする凹部を形成したパッケージの
上部周縁部に溶着して、その開口部を封止する蓋体に使
用する蓋材の製造方法であって、リボン状の金属芯材表
面に、封止材として、Ａｕの電解めっき層とＳｎの電解
めっき層を交互に積層し、最下層と最上層とをＡｕ電解
めっき層としためっき層を形成した後、熱処理を行い、
そのめっきされたＡｕとＳｎとを共晶させた後、プレス
加工により所要寸法に打ち抜いて蓋体とする。または、
リボン状の金属芯材表面に、封止材として、ＡｕとＳｎ
との合金の電解めっき層を形成した後、ブレス加工によ
り所要寸法に打ち抜いて蓋体とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子回路、半導体、
圧電振動子等の種々の電子部品を収納する電子部品用中
空パッケージの蓋体に使用する蓋材の製造方法に関す
る。
圧電振動子等の種々の電子部品を収納する電子部品用中
空パッケージの蓋体に使用する蓋材の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】係る電子部品用中空パッケージは、通
常、収納部が上面を開口部とする凹部を形成した電子部
品を収納するパッケージ本体と、パッケージ本体の上面
周縁部に溶着されてその開口部を封止する蓋体とを備え
ている。
常、収納部が上面を開口部とする凹部を形成した電子部
品を収納するパッケージ本体と、パッケージ本体の上面
周縁部に溶着されてその開口部を封止する蓋体とを備え
ている。
【０００３】この蓋体は、外気の侵入を遮断し、パッケ
ージ本体内に収納した電子部品の腐食を防ぐためのもの
で、通常、パッケージ本体に形成された凹部上面の開口
部の周縁部に溶着して封止するものである。
ージ本体内に収納した電子部品の腐食を防ぐためのもの
で、通常、パッケージ本体に形成された凹部上面の開口
部の周縁部に溶着して封止するものである。
【０００４】前記パッケージ本体は、蓋体のろう材層が
パッケージ本体の開口部側となるように蓋体とパッケー
ジ本体との周縁部を一致させて載置し、蓋体を加熱し、
そのろう材層を溶融させ、パッケージ本体の上面周縁部
に溶着することで、その凹部開口面を封止するものであ
る。蓋体の加熱方法としては、加熱工具を押し当てた
り、組み立てたパッケージの全体を加熱炉で加熱したり
する等の方法が採られる。
パッケージ本体の開口部側となるように蓋体とパッケー
ジ本体との周縁部を一致させて載置し、蓋体を加熱し、
そのろう材層を溶融させ、パッケージ本体の上面周縁部
に溶着することで、その凹部開口面を封止するものであ
る。蓋体の加熱方法としては、加熱工具を押し当てた
り、組み立てたパッケージの全体を加熱炉で加熱したり
する等の方法が採られる。
【０００５】パッケージ本体を蓋体で封止するのは、収
納された電子部品が使用環境の影響を受けてその特性が
変化または劣化する等を防ぐために、収納部の気密性を
保つためのもので、そのため確実に気密封止するために
種々の手段が提案されている。
納された電子部品が使用環境の影響を受けてその特性が
変化または劣化する等を防ぐために、収納部の気密性を
保つためのもので、そのため確実に気密封止するために
種々の手段が提案されている。
【０００６】例えば、特開平２−４６７４８号公報に
は、蓋体溶着時のろう材層（ソルダー枠）のぬれ性の劣
化等を防ぐために、金属蓋とろう材層との接合面にろう
材層よりも低融点温度の金属薄膜を形成することが開示
されている。
は、蓋体溶着時のろう材層（ソルダー枠）のぬれ性の劣
化等を防ぐために、金属蓋とろう材層との接合面にろう
材層よりも低融点温度の金属薄膜を形成することが開示
されている。
【０００７】特開平４−１７４５４４号公報には、ろう
材層（ハンダ材）表面の酸化皮膜による接合性の阻害等
を防ぐために、金属薄膜を形成した蓋体の少なくとも一
部の側面部にろう材を溶着することが開示されている。
材層（ハンダ材）表面の酸化皮膜による接合性の阻害等
を防ぐために、金属薄膜を形成した蓋体の少なくとも一
部の側面部にろう材を溶着することが開示されている。
【０００８】特開平６−１３４７８号公報には、組み立
て時に位置ずれが生じないように、蓋材と枠材とを接合
するろう材を枠材と同一の金属元素を含むものとして、
比較的低温で接合した後、枠材の外側面と底面とにハン
ダ付け用Ｎｉめっきを施した部分をパッケージ本体の上
面周縁部にハンダ付けすることが示されている。
て時に位置ずれが生じないように、蓋材と枠材とを接合
するろう材を枠材と同一の金属元素を含むものとして、
比較的低温で接合した後、枠材の外側面と底面とにハン
ダ付け用Ｎｉめっきを施した部分をパッケージ本体の上
面周縁部にハンダ付けすることが示されている。
【０００９】さらに、特開２０００−３９７３号公報に
は、セラミックス製パッケージと金属蓋との間にカバー
リングを介装し、シーム溶接した際、セラミックス製パ
ッケージにクラックが発生することを防ぐために、金属
蓋の少なくとも片面の周縁部にクラッド化した金属ろう
材又はその表面にＮｉめっき層を形成したものをパッケ
ージ本体の上面周縁部上にＮｉめっきやＡｕめっきを施
したＷやＭｏ等のメタライズ部を形成した面に合せて、
シーム溶接することが開示されている。
は、セラミックス製パッケージと金属蓋との間にカバー
リングを介装し、シーム溶接した際、セラミックス製パ
ッケージにクラックが発生することを防ぐために、金属
蓋の少なくとも片面の周縁部にクラッド化した金属ろう
材又はその表面にＮｉめっき層を形成したものをパッケ
ージ本体の上面周縁部上にＮｉめっきやＡｕめっきを施
したＷやＭｏ等のメタライズ部を形成した面に合せて、
シーム溶接することが開示されている。
【００１０】さらには、特開２００１−１１０９２２号
公報には、セラミックベースのパッケージ本体の開口部
に、タングステンのメタライズ層を設け、その上に、ニ
ッケルめっき層と、シールリングと、ニッケルめっき層
と、金めっき層の５層の接合層を設け、これに、鉄−ニ
ッケル−コバルトからなり、その表面にニッケルめっき
を施した蓋体を圧力を加えながら、蓋体の周辺を抵抗溶
接するに当たっての問題点の解決手段が提案されてい
る。すなわち、このシ−ル手段の形成に当たっての抵抗
溶接の際に、めっき層が急激に溶けて、周辺に飛び散
り、収納電子部品に悪影響を及ぼすという問題を、接合
面に金層と錫層との共晶を含む多層構造とすることで解
決するものである。
公報には、セラミックベースのパッケージ本体の開口部
に、タングステンのメタライズ層を設け、その上に、ニ
ッケルめっき層と、シールリングと、ニッケルめっき層
と、金めっき層の５層の接合層を設け、これに、鉄−ニ
ッケル−コバルトからなり、その表面にニッケルめっき
を施した蓋体を圧力を加えながら、蓋体の周辺を抵抗溶
接するに当たっての問題点の解決手段が提案されてい
る。すなわち、このシ−ル手段の形成に当たっての抵抗
溶接の際に、めっき層が急激に溶けて、周辺に飛び散
り、収納電子部品に悪影響を及ぼすという問題を、接合
面に金層と錫層との共晶を含む多層構造とすることで解
決するものである。
【００１１】さらに、蓋体とパッケージ本体との接合封
止の効率化のために、蓋体側に金属ろう材層を設けたも
のも、特許３０７８５４４号公報と特開２０００−３９
７３号公報に開示されている。前者は、帯板状の芯材と
Ｎｉ基金属箔をロール圧下により圧接後、拡散焼鈍し、
更に、これにろう材箔をロール圧下により圧接して積層
するものであり、また、後者は、蓋体となる金属板の少
なくとも片面全体に銀系合金又は金系合金等を圧延によ
りクラッド化した金属ろう材層を設け、その表面にＮｉ
めっき層を形成するものである。
止の効率化のために、蓋体側に金属ろう材層を設けたも
のも、特許３０７８５４４号公報と特開２０００−３９
７３号公報に開示されている。前者は、帯板状の芯材と
Ｎｉ基金属箔をロール圧下により圧接後、拡散焼鈍し、
更に、これにろう材箔をロール圧下により圧接して積層
するものであり、また、後者は、蓋体となる金属板の少
なくとも片面全体に銀系合金又は金系合金等を圧延によ
りクラッド化した金属ろう材層を設け、その表面にＮｉ
めっき層を形成するものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、係る従
来の蓋体とパッケージ本体との接合封止手段において、
とくに、蓋体に金属ろう材層を施すタイプのものは、一
般的に圧延によってクラッド化したもので、圧延のよう
な機械的な手段でクラッド材化することを前提とするも
ので、比較的大きい設備を要しコスト的にも余計な費用
を要し、また、クラッドによる各層の接合状態も不十分
になる場合が多い。
来の蓋体とパッケージ本体との接合封止手段において、
とくに、蓋体に金属ろう材層を施すタイプのものは、一
般的に圧延によってクラッド化したもので、圧延のよう
な機械的な手段でクラッド材化することを前提とするも
ので、比較的大きい設備を要しコスト的にも余計な費用
を要し、また、クラッドによる各層の接合状態も不十分
になる場合が多い。
【００１３】本発明が解決しようとする課題は、電子部
品用中空パッケージの封止手段である蓋体を、高い封止
機能を維持しつつ、比較的安価に形成するための蓋材の
製造方法を提供することにある。
品用中空パッケージの封止手段である蓋体を、高い封止
機能を維持しつつ、比較的安価に形成するための蓋材の
製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
又は金属製の電子部品を収納する上面を開口部とする凹
部を形成したパッケージの上部周縁部に溶着して、その
開口部を封止する蓋体に使用する蓋材の製造方法であっ
て、リボン状の金属芯材表面に、封止材として、Ａｕの
電解めっき層とＳｎの電解めっき層を交互に積層し、最
下層と最上層とをＡｕ電解めっき層としためっき層を形
成した後、熱処理を行い、そのめっきされたＡｕとＳｎ
とを共晶させた後、プレス加工により所要寸法に打ち抜
いて蓋体とすることを特徴とする。
又は金属製の電子部品を収納する上面を開口部とする凹
部を形成したパッケージの上部周縁部に溶着して、その
開口部を封止する蓋体に使用する蓋材の製造方法であっ
て、リボン状の金属芯材表面に、封止材として、Ａｕの
電解めっき層とＳｎの電解めっき層を交互に積層し、最
下層と最上層とをＡｕ電解めっき層としためっき層を形
成した後、熱処理を行い、そのめっきされたＡｕとＳｎ
とを共晶させた後、プレス加工により所要寸法に打ち抜
いて蓋体とすることを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、セラミックス又は金属製
の電子部品を収納する上面を開口部とする凹部を形成し
たパッケージの上部周縁部に溶着して、その開口部を封
止する蓋体に使用する蓋材の製造方法であって、リボン
状の金属芯材表面に、封止材として、ＡｕとＳｎとの合
金の電解めっき層を形成した後、ブレス加工により所要
寸法に打ち抜いて蓋体とすることを特徴とする。
の電子部品を収納する上面を開口部とする凹部を形成し
たパッケージの上部周縁部に溶着して、その開口部を封
止する蓋体に使用する蓋材の製造方法であって、リボン
状の金属芯材表面に、封止材として、ＡｕとＳｎとの合
金の電解めっき層を形成した後、ブレス加工により所要
寸法に打ち抜いて蓋体とすることを特徴とする。
【００１６】この際の封止材としてのめっき層の膜厚
は、そのパッケージ上面の状況、即ち、蓋体との封止接
合の難易性により、そのめっき厚みが決められる。普遍
的には１８〜３８μｍの厚みがあれば支障となることは
ないが、ＡｕとＳｎとの共晶反応、めっきコストそして
電子部品用中空パッケージ本体との溶着性の確保の点か
ら１０〜４０μｍの範囲で選択することができる。
は、そのパッケージ上面の状況、即ち、蓋体との封止接
合の難易性により、そのめっき厚みが決められる。普遍
的には１８〜３８μｍの厚みがあれば支障となることは
ないが、ＡｕとＳｎとの共晶反応、めっきコストそして
電子部品用中空パッケージ本体との溶着性の確保の点か
ら１０〜４０μｍの範囲で選択することができる。
【００１７】このように、ＡｕとＳｎからなる金属ろう
材層をクラッドとして形成することに代えて、めっき手
段を採用することによって、コストが格段に低減すると
共に、共晶化することによって、金属ろう材の融点を低
下せしめて作業性が向上する。
材層をクラッドとして形成することに代えて、めっき手
段を採用することによって、コストが格段に低減すると
共に、共晶化することによって、金属ろう材の融点を低
下せしめて作業性が向上する。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を実施例に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１９】蓋体の基材として、図１に示すように、幅
１６．５ｍｍ、厚み０．１ｍｍのＮｉ４２％―Ｆｅ残部
からなる４２アロイ材をリボン状の金属芯材１として使
用した。リボン状の金属芯材１の両側端部には送給用の
連続パイロット穴２をプレスにより打ち抜き加工したも
のを予め脱脂、酸活性化処理等の予備処理を行なった
後、本発明に基づいて、ストライプ状連続電解めっき装
置を用いてリボン状の金属芯材１にめっき層３を形成し
た。
１６．５ｍｍ、厚み０．１ｍｍのＮｉ４２％―Ｆｅ残部
からなる４２アロイ材をリボン状の金属芯材１として使
用した。リボン状の金属芯材１の両側端部には送給用の
連続パイロット穴２をプレスにより打ち抜き加工したも
のを予め脱脂、酸活性化処理等の予備処理を行なった
後、本発明に基づいて、ストライプ状連続電解めっき装
置を用いてリボン状の金属芯材１にめっき層３を形成し
た。
【００２０】実施例１
この例は、電解めっきによる積層めっきを形成する例を
示す。先ず、送給されてくる４２アロイ材を第１工程で
下地めっき層としてＮｉめっきを１〜３μｍ厚に施し
た。この下地めっきは後のめっき層の付着性に係わるも
ので使用基材によっては不要の場合もあるが、コストの
面からその厚みは０．１〜６μｍの範囲で選択すると良
い。Ｎｉめっき層形成後、電解Ａｕフラッシュめっきを
０．０１〜０．１μｍ施した。このＡｕフラッシュめっ
き層は後のめっき層の積層を確実なものとするとともに
最終のめっき厚みを調整するもので０．０１〜０．５μ
ｍの範囲で選択すると良い。なお、Ａｕの純度は９９．
９９％のものを使用した。
示す。先ず、送給されてくる４２アロイ材を第１工程で
下地めっき層としてＮｉめっきを１〜３μｍ厚に施し
た。この下地めっきは後のめっき層の付着性に係わるも
ので使用基材によっては不要の場合もあるが、コストの
面からその厚みは０．１〜６μｍの範囲で選択すると良
い。Ｎｉめっき層形成後、電解Ａｕフラッシュめっきを
０．０１〜０．１μｍ施した。このＡｕフラッシュめっ
き層は後のめっき層の積層を確実なものとするとともに
最終のめっき厚みを調整するもので０．０１〜０．５μ
ｍの範囲で選択すると良い。なお、Ａｕの純度は９９．
９９％のものを使用した。
【００２１】引き続き、第２工程の封止材のめっき処理
を行なった。その第１槽はＡｕめっき、第２槽はＳｎめ
っき、第３槽はＡｕめっき、第４槽はＳｎめっきと順次
めっき処理を行ない、最終槽はＡｕめっきとした。夫々
の原料の純度は、Ａｕ、Ｓｎとも９９．９９％。めっき
浴はＡｕめっきは中性浴、その電流密度は２〜５０Ａ／
ｄｍ２、Ｓｎめっきは酸性浴、その電流密度は２〜２０
Ａ／ｄｍ２で、図１に示すめっき処理を行なった。第２
工程で形成しためっき層は電子部品用中空パッケージを
密封する際の封止材となるものであるので、そのパッケ
ージ上面の状況、即ち、蓋体との封止接合の難易性によ
り、１０〜４０μｍの範囲内でそのめっき厚みが決めら
れる。また、Ａｕめっき層及びＳｎめっき層の比率は各
層毎の合計重量比でＡｕを８０±５％、残りをＳｎとな
るように夫々の層形成時のめっき付着量を通板速度の設
定を行なうことで調節した。なお、蓋体として使用する
ものであるので、積層めっきは、基材の片面に必要なマ
スキングを施して行なえば良いが、両面にめっきを施し
ても良い。
を行なった。その第１槽はＡｕめっき、第２槽はＳｎめ
っき、第３槽はＡｕめっき、第４槽はＳｎめっきと順次
めっき処理を行ない、最終槽はＡｕめっきとした。夫々
の原料の純度は、Ａｕ、Ｓｎとも９９．９９％。めっき
浴はＡｕめっきは中性浴、その電流密度は２〜５０Ａ／
ｄｍ２、Ｓｎめっきは酸性浴、その電流密度は２〜２０
Ａ／ｄｍ２で、図１に示すめっき処理を行なった。第２
工程で形成しためっき層は電子部品用中空パッケージを
密封する際の封止材となるものであるので、そのパッケ
ージ上面の状況、即ち、蓋体との封止接合の難易性によ
り、１０〜４０μｍの範囲内でそのめっき厚みが決めら
れる。また、Ａｕめっき層及びＳｎめっき層の比率は各
層毎の合計重量比でＡｕを８０±５％、残りをＳｎとな
るように夫々の層形成時のめっき付着量を通板速度の設
定を行なうことで調節した。なお、蓋体として使用する
ものであるので、積層めっきは、基材の片面に必要なマ
スキングを施して行なえば良いが、両面にめっきを施し
ても良い。
【００２２】次いで、第３工程の熱処理を行なう。この
工程はＡｕめっき層とＳｎめっき層との交互からなる積
層めっきに共晶反応を起させて合金化するものである。
熱処理には非酸化電気炉、真空炉若しくは水素雰囲気炉
を用いて行なう。積層めっき終了後、引き続き、熱処理
炉内において２６５℃、３０分間の条件で通板させた。
その通板条件はＡｕ、Ｓｎの比率、封止材に求められる
接着性を発揮できる共晶反応の進度により、１８０〜４
９０℃、５〜７２０分間の範囲で選択すると良い。熱処
理終了後、常温まで冷却した後、図１の４に示す電子部
品用中空パッケージに求められる寸法、形状にプレス加
工により連続的に打ち抜いて製品の蓋体として保管箱や
収納袋に集積して置くか、熱処理後の基材を巻戻して、
コイル材の形態として出荷又は製品へのプレス加工を行
なうまで保管して置く。
工程はＡｕめっき層とＳｎめっき層との交互からなる積
層めっきに共晶反応を起させて合金化するものである。
熱処理には非酸化電気炉、真空炉若しくは水素雰囲気炉
を用いて行なう。積層めっき終了後、引き続き、熱処理
炉内において２６５℃、３０分間の条件で通板させた。
その通板条件はＡｕ、Ｓｎの比率、封止材に求められる
接着性を発揮できる共晶反応の進度により、１８０〜４
９０℃、５〜７２０分間の範囲で選択すると良い。熱処
理終了後、常温まで冷却した後、図１の４に示す電子部
品用中空パッケージに求められる寸法、形状にプレス加
工により連続的に打ち抜いて製品の蓋体として保管箱や
収納袋に集積して置くか、熱処理後の基材を巻戻して、
コイル材の形態として出荷又は製品へのプレス加工を行
なうまで保管して置く。
【００２３】実施例２
この例は、本発明としてＡｕとＳｎとのめっきを合金の
電解めっきを適用した例を示す。
電解めっきを適用した例を示す。
【００２４】実施例１と同じ基材を用い、送給されてく
る基材を第１工程と同様の手段でＮｉめっきを１〜３μ
ｍ厚に施して、下地めっき層を形成した。この下地めっ
きは後のめっき層の付着性に係わるもので使用基材によ
っては不要の場合もあるが、コストの面からその厚みは
０．１〜６μｍの範囲で選択すると良い。
る基材を第１工程と同様の手段でＮｉめっきを１〜３μ
ｍ厚に施して、下地めっき層を形成した。この下地めっ
きは後のめっき層の付着性に係わるもので使用基材によ
っては不要の場合もあるが、コストの面からその厚みは
０．１〜６μｍの範囲で選択すると良い。
【００２５】下地めっきに引き続き、第２工程の封止材
のめっき処理を行なって１５〜４０μｍの範囲でＡｕ−
Ｓｎの合金メッキ層を析出させた。めっき液は、酸性浴
でｐＨ３．５〜４．５とし、液温は４５〜７０℃、電流
密度は１．０〜８．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間は５〜２
０分間として、めっき処理を行なった。以降の処理は熱
処理を行なわない以外は第１実施例と同様である。尚、
めっき液の比率は質量比で、Ａｕ８０％：Ｓｎ２０％と
したが、Ａｕを８０±５％、残りをＳｎとなるよう必要
に応じ調整して良い。
のめっき処理を行なって１５〜４０μｍの範囲でＡｕ−
Ｓｎの合金メッキ層を析出させた。めっき液は、酸性浴
でｐＨ３．５〜４．５とし、液温は４５〜７０℃、電流
密度は１．０〜８．０Ａ／ｄｍ２、めっき時間は５〜２
０分間として、めっき処理を行なった。以降の処理は熱
処理を行なわない以外は第１実施例と同様である。尚、
めっき液の比率は質量比で、Ａｕ８０％：Ｓｎ２０％と
したが、Ａｕを８０±５％、残りをＳｎとなるよう必要
に応じ調整して良い。
【００２６】めっき終了後、引き続き、実施例１同様、
プレス加工により連続的に打ち抜いて蓋体とした。
プレス加工により連続的に打ち抜いて蓋体とした。
【００２７】上記の実施例によって得た蓋材から得た蓋
体をＮ２ガス雰囲気中の炉内で、２９０〜３１０℃に３
０秒間保持しつつ、５．８８×１０４Ｐａで加圧するこ
とで、セラミックス製中空パッケージ本体の開口部を封
止した。なお、この中空パッケージ本体の上面周縁部に
Ｗを使用したメタライズ面を作り、この上面に下地Ｎｉ
めっき層形成後、最上層にＡｕめっきを施したものを用
いた。その封止後の中空パッケージを１．３３×１０
−７Ｐａの雰囲気中で気密性を試験した結果を表１に示
す。
体をＮ２ガス雰囲気中の炉内で、２９０〜３１０℃に３
０秒間保持しつつ、５．８８×１０４Ｐａで加圧するこ
とで、セラミックス製中空パッケージ本体の開口部を封
止した。なお、この中空パッケージ本体の上面周縁部に
Ｗを使用したメタライズ面を作り、この上面に下地Ｎｉ
めっき層形成後、最上層にＡｕめっきを施したものを用
いた。その封止後の中空パッケージを１．３３×１０
−７Ｐａの雰囲気中で気密性を試験した結果を表１に示
す。
【００２８】
【表１】
同表に見られるように、実施例１に係る試験１〜３は、
接合状態、密閉度共に良好であった。また、合金めっき
に係る試験４、５は、めっき厚みが２５μｍの合金電解
めっきが、Ａｕ−Ｓｎ合金の濡れ性の点で部分的に不都
合はあったが、密閉度は申し分ないものであつた。
接合状態、密閉度共に良好であった。また、合金めっき
に係る試験４、５は、めっき厚みが２５μｍの合金電解
めっきが、Ａｕ−Ｓｎ合金の濡れ性の点で部分的に不都
合はあったが、密閉度は申し分ないものであつた。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、従来、一般的な圧延クラッド
法により製造されているものに比べ、めっき法により製
造するので設備費が安価である。特に、ＡｕとＳｎとを
積層しためっき層の場合、容易かつ、確実に共晶化を図
れる上、めっき液槽を順次通るものであるので、めっき
液の汚れ等が少なくて済むことからも、電子部品用中空
パッケージの封止を行なうことのできる蓋体を比較的安
価に製造することができる。
法により製造されているものに比べ、めっき法により製
造するので設備費が安価である。特に、ＡｕとＳｎとを
積層しためっき層の場合、容易かつ、確実に共晶化を図
れる上、めっき液槽を順次通るものであるので、めっき
液の汚れ等が少なくて済むことからも、電子部品用中空
パッケージの封止を行なうことのできる蓋体を比較的安
価に製造することができる。
【図１】本発明による蓋体（蓋材）の製造の実施例を示
す。
す。
１ リボン状の金属芯材
２ 送給用の連続パイロット穴
３ めっき層
４ 蓋体
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(72)発明者 原 房利
長野県諏訪郡下諏訪町5197番地
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス又は金属製の電子部品を収
納する上面を開口部とする凹部を形成したパッケージの
上部周縁部に溶着して、その開口部を封止する蓋体に使
用する蓋材の製造方法であって、 リボン状の金属芯材表面に、封止材として、Ａｕの電解
めっき層とＳｎの電解めっき層を交互に積層し、最下層
と最上層とをＡｕ電解めっき層としためっき層を形成し
た後、熱処理を行い、そのめっきされたＡｕとＳｎとを
共晶させた後、プレス加工により所要寸法に打ち抜いて
蓋体とする電子部品用中空パッケージの蓋体に使用する
蓋材の製造方法。 - 【請求項２】 セラミックス又は金属製の電子部品を収
納する上面を開口部とする凹部を形成したパッケージの
上部周縁部に溶着して、その開口部を封止する蓋体に使
用する蓋材の製造方法であって、 リボン状の金属芯材表面に、封止材として、ＡｕとＳｎ
との合金の電解めっき層を形成した後、ブレス加工によ
り所要寸法に打ち抜いて蓋体とする電子部品用中空パッ
ケージの蓋体に使用する蓋材の製造方法。 - 【請求項３】 めっき層が、１０〜４０μｍの膜厚を有
する請求項１又は２に記載の電子部品用中空パッケージ
の蓋体に使用する蓋材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002028692A JP2003229504A (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 電子部品用中空パッケージの蓋材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002028692A JP2003229504A (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 電子部品用中空パッケージの蓋材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229504A true JP2003229504A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27749792
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002028692A Pending JP2003229504A (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 電子部品用中空パッケージの蓋材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003229504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120915A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料 |
| JP2010199600A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-09-09 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料およびその製造方法 |
| US8551623B2 (en) | 2007-02-26 | 2013-10-08 | Neomax Materials Co., Ltd. | Airtightly sealing cap, electronic component storing package and method for manufacturing electronic component storing package |
-
2002
- 2002-02-05 JP JP2002028692A patent/JP2003229504A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120915A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料 |
| JP4636849B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2011-02-23 | 株式会社徳力本店 | 封止材料 |
| US8551623B2 (en) | 2007-02-26 | 2013-10-08 | Neomax Materials Co., Ltd. | Airtightly sealing cap, electronic component storing package and method for manufacturing electronic component storing package |
| JP2010199600A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-09-09 | Tokuriki Honten Co Ltd | 封止材料およびその製造方法 |
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