JP2003229334A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔Info
- Publication number
- JP2003229334A JP2003229334A JP2002027321A JP2002027321A JP2003229334A JP 2003229334 A JP2003229334 A JP 2003229334A JP 2002027321 A JP2002027321 A JP 2002027321A JP 2002027321 A JP2002027321 A JP 2002027321A JP 2003229334 A JP2003229334 A JP 2003229334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- aluminum foil
- foil
- aluminum
- ppm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングピットを適当数均一に分散分布さ
せ、高い静電容量を得ることができる電解コンデンサ用
アルミニウム箔を提供する。 【解決手段】 Ｆｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕ≦０．０３０質量％で
あって、かつ、Ａｌ4 Ｃ 3 を２０質量ppm 以上、２００
０質量ppm 以下含有することを特徴とする電解コンデン
サ用アルミニウム箔。直流エッチングに供される上記の
電解コンデンサ用アルミニウム箔。望ましくは、箔厚さ
が５０μｍ以上、２００μｍ以下である。
せ、高い静電容量を得ることができる電解コンデンサ用
アルミニウム箔を提供する。 【解決手段】 Ｆｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕ≦０．０３０質量％で
あって、かつ、Ａｌ4 Ｃ 3 を２０質量ppm 以上、２００
０質量ppm 以下含有することを特徴とする電解コンデン
サ用アルミニウム箔。直流エッチングに供される上記の
電解コンデンサ用アルミニウム箔。望ましくは、箔厚さ
が５０μｍ以上、２００μｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング処理に
よりピット形成して表面積を増大させた箔の表面に陽極
酸化皮膜を形成するアルミニウム箔であって、高い静電
容量を得ることができる電解コンデンサ用アルミニウム
箔に関する。なお本明細書において質量％、質量ppm を
以下単に％、ppm という。
よりピット形成して表面積を増大させた箔の表面に陽極
酸化皮膜を形成するアルミニウム箔であって、高い静電
容量を得ることができる電解コンデンサ用アルミニウム
箔に関する。なお本明細書において質量％、質量ppm を
以下単に％、ppm という。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウムは、化学的あるいは電気化
学的なエッチング処理によりエッチングピットを形成し
て表面積の増大が容易にでき、その表面に化成処理と呼
称される陽極酸化処理を施すことにより良質な陽極酸化
皮膜が形成できる。しかもこの皮膜が誘電体となるとこ
ろから、薄く圧延したアルミニウム箔をエッチング処理
し、その表面に使用電圧に応じた種々の化成電圧で化成
処理して陽極酸化皮膜を形成することにより、使用電圧
に適合する各種のコンデンサが製造されている。
学的なエッチング処理によりエッチングピットを形成し
て表面積の増大が容易にでき、その表面に化成処理と呼
称される陽極酸化処理を施すことにより良質な陽極酸化
皮膜が形成できる。しかもこの皮膜が誘電体となるとこ
ろから、薄く圧延したアルミニウム箔をエッチング処理
し、その表面に使用電圧に応じた種々の化成電圧で化成
処理して陽極酸化皮膜を形成することにより、使用電圧
に適合する各種のコンデンサが製造されている。
【０００３】上記エッチング処理で形成するエッチング
ピットは、使用電圧に応じた化成電圧の高低に適した形
状に穿孔される。即ち、使用電圧の高い中高圧用のコン
デンサに使用する場合は、化成電圧を高くして厚い化成
皮膜を形成する必要があるので、厚い化成皮膜でエッチ
ングピットが埋まらないように、エッチングピット形成
は直流による電気化学的エッチング処理により行い、エ
ッチングピット形状をトンネルタイプとする。使用電圧
の低い低圧用コンデンサに使用する場合には付与する化
成皮膜が中高圧用のように厚くないため、ピット形態は
海綿状あるいはカリフラワー状と呼ばれる微細な凹凸で
あり、表面積の拡大率は中高圧用のトンネルピットより
大きい。このようなピットは塩素イオンを含んだ水溶液
中での交流エッチングにより得られる。
ピットは、使用電圧に応じた化成電圧の高低に適した形
状に穿孔される。即ち、使用電圧の高い中高圧用のコン
デンサに使用する場合は、化成電圧を高くして厚い化成
皮膜を形成する必要があるので、厚い化成皮膜でエッチ
ングピットが埋まらないように、エッチングピット形成
は直流による電気化学的エッチング処理により行い、エ
ッチングピット形状をトンネルタイプとする。使用電圧
の低い低圧用コンデンサに使用する場合には付与する化
成皮膜が中高圧用のように厚くないため、ピット形態は
海綿状あるいはカリフラワー状と呼ばれる微細な凹凸で
あり、表面積の拡大率は中高圧用のトンネルピットより
大きい。このようなピットは塩素イオンを含んだ水溶液
中での交流エッチングにより得られる。
【０００４】中高圧用のエッチングではエッチング処理
を一次、二次の二段階で行い、一次エッチングでは直流
を印加して細いトンネル状の初期ピットを形成し、次い
で二次エッチングでは初期ピットの径を拡大している。
を一次、二次の二段階で行い、一次エッチングでは直流
を印加して細いトンネル状の初期ピットを形成し、次い
で二次エッチングでは初期ピットの径を拡大している。
【０００５】表面積を拡大するとコンデンサの静電容量
を大きくできることから、一次エッチングで形成される
初期ピットを数多く発生させることが必要である。しか
も、二次エッチングで径を拡大させる時にエッチングピ
ットが合体しないように、初期ピットは適当な数で均一
に分散分布している必要がある。エッチングピットは電
気化学的な開始点を得て発生するものであるから、先ず
初期ピットの開始点を適当数均一に分散分布させておか
なければならない。
を大きくできることから、一次エッチングで形成される
初期ピットを数多く発生させることが必要である。しか
も、二次エッチングで径を拡大させる時にエッチングピ
ットが合体しないように、初期ピットは適当な数で均一
に分散分布している必要がある。エッチングピットは電
気化学的な開始点を得て発生するものであるから、先ず
初期ピットの開始点を適当数均一に分散分布させておか
なければならない。
【０００６】初期ピットの開始点として、箔表面にγ−
Ａｌ2 Ｏ3 を形成させること（特公昭５８−３４９２
５）や、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 を酸化皮膜中に存在させること
（特開平１０−２７７３２）が提案されている。
Ａｌ2 Ｏ3 を形成させること（特公昭５８−３４９２
５）や、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 を酸化皮膜中に存在させること
（特開平１０−２７７３２）が提案されている。
【０００７】しかしながら、γ−Ａｌ2 Ｏ3 またはＭｇ
Ａｌ2 Ｏ4 を用いたのみでは十分に均一なエッチングピ
ットは得られず、また、酸化皮膜中にのみ存在するこれ
らの化合物は、エッチング中に酸化皮膜が欠落すると、
初期ピットの開始点としての役割を果たし得ないもので
あった。
Ａｌ2 Ｏ4 を用いたのみでは十分に均一なエッチングピ
ットは得られず、また、酸化皮膜中にのみ存在するこれ
らの化合物は、エッチング中に酸化皮膜が欠落すると、
初期ピットの開始点としての役割を果たし得ないもので
あった。
【０００８】また、エッチングピットの開始点を付与す
るものとして、γ−Ａｌ2 Ｏ3 と、電解コンデンサ中高
圧用アルミニウム箔に通常添加される元素であるＰｂを
組み合わせること（特開２０００−２１６０６４）や、
さらにＦｅ，Ｓｉ，Ｃｕを組み合わせること（特開２０
００−２９７３３７）が提案されている。
るものとして、γ−Ａｌ2 Ｏ3 と、電解コンデンサ中高
圧用アルミニウム箔に通常添加される元素であるＰｂを
組み合わせること（特開２０００−２１６０６４）や、
さらにＦｅ，Ｓｉ，Ｃｕを組み合わせること（特開２０
００−２９７３３７）が提案されている。
【０００９】しかしながら、上記の方法を用いても、エ
ッチング中に酸化皮膜が欠落するとγ−Ａｌ2 Ｏ3 が初
期ピットの開始点としての役割を果たし得なくなること
は変わらず、静電容量の大幅な向上をもたらす十分に均
一なエッチングピットを得ることができなかった。
ッチング中に酸化皮膜が欠落するとγ−Ａｌ2 Ｏ3 が初
期ピットの開始点としての役割を果たし得なくなること
は変わらず、静電容量の大幅な向上をもたらす十分に均
一なエッチングピットを得ることができなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔における従来の問題を解決する為
になされたものであり、その目的は、エッチングピット
を適当数均一に分散分布させ、高い静電容量を得ること
ができる電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供するこ
とにある。
ンサ用アルミニウム箔における従来の問題を解決する為
になされたものであり、その目的は、エッチングピット
を適当数均一に分散分布させ、高い静電容量を得ること
ができる電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究した結果、箔の表層に導入し
たＡｌ4 Ｃ3 が初期ピットの開始点になること、また、
その開始点がエッチング中に欠落することがなく、エッ
チングピットを適当数均一に分散分布させ得るという新
規な事実を見出し、これに基づいて本発明を完成させ
た。
を解決するために鋭意研究した結果、箔の表層に導入し
たＡｌ4 Ｃ3 が初期ピットの開始点になること、また、
その開始点がエッチング中に欠落することがなく、エッ
チングピットを適当数均一に分散分布させ得るという新
規な事実を見出し、これに基づいて本発明を完成させ
た。
【００１２】すなわち、本発明は、Ｆｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕ≦
０．０３０％であって、かつ、Ａｌ 4 Ｃ3 を２０ppm 以
上、２０００ppm 以下含有することを特徴とする電解コ
ンデンサ用アルミニウム箔である。
０．０３０％であって、かつ、Ａｌ 4 Ｃ3 を２０ppm 以
上、２０００ppm 以下含有することを特徴とする電解コ
ンデンサ用アルミニウム箔である。
【００１３】さらに好ましくは、上記電解コンデンサ用
アルミニウム箔は直流エッチングに供されるものが好ま
しい。
アルミニウム箔は直流エッチングに供されるものが好ま
しい。
【００１４】なお、本発明において、アルミニウム箔中
のＡｌ4 Ｃ3 含有量は、社団法人軽金属協会発行の文献
「アルミニウム中の微量成分の分析方法」に従って測定
した。すなわち、アルミニウム箔中のＡｌ4 Ｃ3 含有量
とは、アルミニウム箔をＮａＯＨ溶液で全量溶解させ、
発生したガスのメタン濃度をガスクロマトグラフにて定
量し、それをアルミニウム箔重量に対するＡｌ4 Ｃ3 重
量に換算したものをいう。
のＡｌ4 Ｃ3 含有量は、社団法人軽金属協会発行の文献
「アルミニウム中の微量成分の分析方法」に従って測定
した。すなわち、アルミニウム箔中のＡｌ4 Ｃ3 含有量
とは、アルミニウム箔をＮａＯＨ溶液で全量溶解させ、
発生したガスのメタン濃度をガスクロマトグラフにて定
量し、それをアルミニウム箔重量に対するＡｌ4 Ｃ3 重
量に換算したものをいう。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に用いることができるアル
ミニウム箔の組成はＦｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕ≦０．０３０％と
する。例えば、化成電圧２００Ｖ程度以上で処理するよ
うな中高圧コンデンサ用アルミニウム箔の場合は、好ま
しくはＳｉ５〜６０ppm 、Ｆｅ５〜６０ppm 、Ｃｕ２０
〜１８０ppm を含有するアルミニウムや、ＪＩＳ Ｈ
２１１１に記載される方法に準じて測定されるＡｌ純度
９９．９７％以上のアルミニウムの他、更にＺｎ，Ｇａ
等の元素を任意に選択して含有させたアルミニウム合金
でもよい。Ｆｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕが０．０３０％を越えれば
エッチング時の無効溶解（表面積の増大に寄与しない溶
解）を引き起こし、静電容量が低くなってしまうととも
に、化成皮膜の健全さが損なわれ漏れ電流が大きくなる
ので好ましくない。好ましくは０．０２０％以下、更に
好ましくは０．０１５％以下である。
ミニウム箔の組成はＦｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕ≦０．０３０％と
する。例えば、化成電圧２００Ｖ程度以上で処理するよ
うな中高圧コンデンサ用アルミニウム箔の場合は、好ま
しくはＳｉ５〜６０ppm 、Ｆｅ５〜６０ppm 、Ｃｕ２０
〜１８０ppm を含有するアルミニウムや、ＪＩＳ Ｈ
２１１１に記載される方法に準じて測定されるＡｌ純度
９９．９７％以上のアルミニウムの他、更にＺｎ，Ｇａ
等の元素を任意に選択して含有させたアルミニウム合金
でもよい。Ｆｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕが０．０３０％を越えれば
エッチング時の無効溶解（表面積の増大に寄与しない溶
解）を引き起こし、静電容量が低くなってしまうととも
に、化成皮膜の健全さが損なわれ漏れ電流が大きくなる
ので好ましくない。好ましくは０．０２０％以下、更に
好ましくは０．０１５％以下である。
【００１６】なお、Ｐｂは中高圧コンデンサ用アルミニ
ウム箔には通常添加される元素であり、本発明のアルミ
ニウム箔にもＰｂを添加することが好ましい。即ちＰｂ
は箔の表面積増大のためのエッチング処理に使用する電
解液との反応を促進して、初期のエッチングピット数を
増加させる効果があるので、Ａｌ4 Ｃ3 の効果と相まっ
て、静電容量が高いアルミニウム箔を得る上で有利であ
る。
ウム箔には通常添加される元素であり、本発明のアルミ
ニウム箔にもＰｂを添加することが好ましい。即ちＰｂ
は箔の表面積増大のためのエッチング処理に使用する電
解液との反応を促進して、初期のエッチングピット数を
増加させる効果があるので、Ａｌ4 Ｃ3 の効果と相まっ
て、静電容量が高いアルミニウム箔を得る上で有利であ
る。
【００１７】特にＰｂの含有量を箔の表面から０．１μ
ｍの深さ部分に４０ppm 〜２０００ppm とすると好まし
い。箔の表面から０．１μｍの深さ部分に含有されるＰ
ｂ量が下限値未満であると上記の効果が少なく、一方、
上限値を超えると箔表面の過剰溶解を誘起し、静電容量
の高い箔が得難くなる。
ｍの深さ部分に４０ppm 〜２０００ppm とすると好まし
い。箔の表面から０．１μｍの深さ部分に含有されるＰ
ｂ量が下限値未満であると上記の効果が少なく、一方、
上限値を超えると箔表面の過剰溶解を誘起し、静電容量
の高い箔が得難くなる。
【００１８】上記のＰｂ量を達成するには、アルミニウ
ム溶湯中にＰｂを例えば４ppm 以下添加し、箔の最終熱
処理を４７０℃程度以上の加熱温度で行う。
ム溶湯中にＰｂを例えば４ppm 以下添加し、箔の最終熱
処理を４７０℃程度以上の加熱温度で行う。
【００１９】Ａｌ4 Ｃ3 を均一に分散分布させるには、
例えば、アルミニウム箔上に蒸着等によりカーボンを均
一に付与した後、エネルギーを与えてアルミニウムとカ
ーボンを反応させ、Ａｌ4 Ｃ3 粒子を形成させる方法、
アルミニウム溶湯中にＡｌ4Ｃ3 粒子を添加する方法、
圧延油中に含まれるカーボンを利用したり、圧延油中に
Ａｌ4 Ｃ3 粒子を添加する方法、板または箔表面にＡｌ
4 Ｃ3 粒子をスプレーする方法等が考えられるがそれら
に限るものではない。蒸着カーボンを利用する場合は化
成電圧に応じた適当な数のＡｌ4 Ｃ3 は、蒸着するカー
ボンの量で制御することができる。カーボン付与後のエ
ネルギー付与は連続して行う必要はなく、通常の箔製造
工程を挟んで行っても良い。
例えば、アルミニウム箔上に蒸着等によりカーボンを均
一に付与した後、エネルギーを与えてアルミニウムとカ
ーボンを反応させ、Ａｌ4 Ｃ3 粒子を形成させる方法、
アルミニウム溶湯中にＡｌ4Ｃ3 粒子を添加する方法、
圧延油中に含まれるカーボンを利用したり、圧延油中に
Ａｌ4 Ｃ3 粒子を添加する方法、板または箔表面にＡｌ
4 Ｃ3 粒子をスプレーする方法等が考えられるがそれら
に限るものではない。蒸着カーボンを利用する場合は化
成電圧に応じた適当な数のＡｌ4 Ｃ3 は、蒸着するカー
ボンの量で制御することができる。カーボン付与後のエ
ネルギー付与は連続して行う必要はなく、通常の箔製造
工程を挟んで行っても良い。
【００２０】Ａｌ4 Ｃ3 は一般的に水溶液に対して活性
な物質であり、周囲のアルミニウムとの間に電位差を生
じやすく、電解エッチング時にＡｌ4 Ｃ3 周辺からピッ
ト開始点を形成することができる。なお、Ａｌ4 Ｃ3 の
存在位置は酸化皮膜中に限られるものではなくメタル内
部にも存在し、エッチング中に酸化皮膜が欠落あるいは
溶解した後も新たなＡｌ4 Ｃ3 が次々にピット開始点を
付与することができる。
な物質であり、周囲のアルミニウムとの間に電位差を生
じやすく、電解エッチング時にＡｌ4 Ｃ3 周辺からピッ
ト開始点を形成することができる。なお、Ａｌ4 Ｃ3 の
存在位置は酸化皮膜中に限られるものではなくメタル内
部にも存在し、エッチング中に酸化皮膜が欠落あるいは
溶解した後も新たなＡｌ4 Ｃ3 が次々にピット開始点を
付与することができる。
【００２１】Ａｌ4 Ｃ3 の含有量は２０ppm 以上、２０
００ppm 以下、好ましくは３０ppm以上、１０００ppm
以下、さらに好ましくは６０ppm 以上、４００ppm 以下
である。Ａｌ4 Ｃ3 の含有量が２０ppm 未満であると、
エッチングピットの発生数が不十分であり、従来の箔に
対して著しい静電容量向上効果が得られない。また、２
０００ppm を超えるとエッチングピットの発生数が過剰
となり、表面に欠落部ができたりエッチングピットが合
体したりすることにより、却って静電容量の低下を招く
ので好ましくない。
００ppm 以下、好ましくは３０ppm以上、１０００ppm
以下、さらに好ましくは６０ppm 以上、４００ppm 以下
である。Ａｌ4 Ｃ3 の含有量が２０ppm 未満であると、
エッチングピットの発生数が不十分であり、従来の箔に
対して著しい静電容量向上効果が得られない。また、２
０００ppm を超えるとエッチングピットの発生数が過剰
となり、表面に欠落部ができたりエッチングピットが合
体したりすることにより、却って静電容量の低下を招く
ので好ましくない。
【００２２】ピット開始点が箔の表面であることから、
Ａｌ4 Ｃ3 は表面から深さ１μｍ以内、好ましくは０．
５μｍ以内に存在するとより効果的である。
Ａｌ4 Ｃ3 は表面から深さ１μｍ以内、好ましくは０．
５μｍ以内に存在するとより効果的である。
【００２３】また、同じ表面積であっても箔厚が大きく
なると、アルミニウム箔単位重量あたりの静電容量は低
くなる。２００μｍを超える箔厚は、最近の電解コンデ
ンサ小型化の要求に反するものである。一方、箔厚が５
０μｍ未満では、エッチング後の強度が使用に耐えない
までに低下する。
なると、アルミニウム箔単位重量あたりの静電容量は低
くなる。２００μｍを超える箔厚は、最近の電解コンデ
ンサ小型化の要求に反するものである。一方、箔厚が５
０μｍ未満では、エッチング後の強度が使用に耐えない
までに低下する。
【００２４】中高圧コンデンサ用アルミニウム箔の直流
一次エッチング処理で使用する電解液は、塩酸、硫酸、
燐酸、硝酸等が含有する酸水溶液等の公知の液でよく、
特に限定されるものではない。電解液の温度が高いと反
応が促進されて好ましいが、高温に過ぎると反応が速す
ぎて箔表面の溶解が激しく均一な初期トンネルピットを
形成し難くなる。好ましい液温度は６０〜９５℃であ
る。また好ましい処理時間は２〜４分程度である。電気
量は１５〜３０クローン／cm2 、電流密度は１００〜３
００mA／cm2 が好ましい。
一次エッチング処理で使用する電解液は、塩酸、硫酸、
燐酸、硝酸等が含有する酸水溶液等の公知の液でよく、
特に限定されるものではない。電解液の温度が高いと反
応が促進されて好ましいが、高温に過ぎると反応が速す
ぎて箔表面の溶解が激しく均一な初期トンネルピットを
形成し難くなる。好ましい液温度は６０〜９５℃であ
る。また好ましい処理時間は２〜４分程度である。電気
量は１５〜３０クローン／cm2 、電流密度は１００〜３
００mA／cm2 が好ましい。
【００２５】二次エッチング処理による初期トンネルピ
ット径の拡大処理は、直流電解処理、化学処理、または
両者を併用して、一次エッチングで形成した初期ピット
の径を拡大して表面積を増大させる。
ット径の拡大処理は、直流電解処理、化学処理、または
両者を併用して、一次エッチングで形成した初期ピット
の径を拡大して表面積を増大させる。
【００２６】二次エッチング処理の条件は、本発明を限
定するものではないが、例えば電解液としては、塩酸に
少量の硫酸、燐酸、蓚酸等を加えた酸水溶液や硝酸を加
えた酸水溶液が好ましい。電解液の温度は６０〜９５
℃、電流密度は６０〜２００mA／cm2 が好ましい。処理
時間は、トンネルピットの拡径の寸法にもよるが２〜２
０分程度が適当である。
定するものではないが、例えば電解液としては、塩酸に
少量の硫酸、燐酸、蓚酸等を加えた酸水溶液や硝酸を加
えた酸水溶液が好ましい。電解液の温度は６０〜９５
℃、電流密度は６０〜２００mA／cm2 が好ましい。処理
時間は、トンネルピットの拡径の寸法にもよるが２〜２
０分程度が適当である。
【００２７】エッチング処理によりピットを形成して表
面積を増大させたアルミニウム箔に、この箔を陽極とし
た化成処理を施す。化成処理は公知の条件で行えばよ
く、例えば電解液としては、硼酸アンモニウム、燐酸ア
ンモニウム、有機酸アンモニウムなどの緩衝溶液を用い
て、コンデンサの用途によって約２００Ｖ以上の電圧を
一段または多段階で印加して化成皮膜すなわち誘電体皮
膜を形成する。
面積を増大させたアルミニウム箔に、この箔を陽極とし
た化成処理を施す。化成処理は公知の条件で行えばよ
く、例えば電解液としては、硼酸アンモニウム、燐酸ア
ンモニウム、有機酸アンモニウムなどの緩衝溶液を用い
て、コンデンサの用途によって約２００Ｖ以上の電圧を
一段または多段階で印加して化成皮膜すなわち誘電体皮
膜を形成する。
【００２８】中高圧コンデンサ用アルミニウム箔は、エ
ッチング処理に先だって、アルミニウム箔の表面を脱脂
および表面調整等のために酸またはアルカリ液による処
理を行ってもよい。この処理は、例えば処理液としては
０．０５〜１モル／リットルの硝酸または苛性ソーダ水
溶液を用い、温度は４０〜６０℃で処理する。
ッチング処理に先だって、アルミニウム箔の表面を脱脂
および表面調整等のために酸またはアルカリ液による処
理を行ってもよい。この処理は、例えば処理液としては
０．０５〜１モル／リットルの硝酸または苛性ソーダ水
溶液を用い、温度は４０〜６０℃で処理する。
【００２９】以上本発明を中高圧電解コンデンサ用のア
ルミニウム箔に限って説明したが、本発明はこれに限定
するものではなく、低圧用箔についても適用できる。
ルミニウム箔に限って説明したが、本発明はこれに限定
するものではなく、低圧用箔についても適用できる。
【００３０】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 〔試料の作製〕Ｐｂ０．８ppm 、Ｆｅ：０．００１％、
Ｓｉ：０．００１％、Ｃｕ：０．００５％を含有するア
ルミニウム溶湯を半連続鋳造して厚さ５３０mmの鋳塊を
得、該鋳塊を６００℃×１０時間均質化処理した後、鋳
塊温度５２０℃で熱間圧延を開始し、厚さ６mmの熱間圧
延板とした。次いで冷間圧延を行い１０６μｍの箔と
し、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）で箔表面を洗浄した
後、アルゴンガス雰囲気中で５３０℃×６時間の最終焼
鈍を施した。該アルミニウム箔を試料０とした。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 〔試料の作製〕Ｐｂ０．８ppm 、Ｆｅ：０．００１％、
Ｓｉ：０．００１％、Ｃｕ：０．００５％を含有するア
ルミニウム溶湯を半連続鋳造して厚さ５３０mmの鋳塊を
得、該鋳塊を６００℃×１０時間均質化処理した後、鋳
塊温度５２０℃で熱間圧延を開始し、厚さ６mmの熱間圧
延板とした。次いで冷間圧延を行い１０６μｍの箔と
し、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）で箔表面を洗浄した
後、アルゴンガス雰囲気中で５３０℃×６時間の最終焼
鈍を施した。該アルミニウム箔を試料０とした。
【００３１】以上のようにして得られたアルミニウム箔
に、真空蒸着装置（日本電子製 ＪＥＥ−４Ｘ）を用い
て３０Ａで、カーボンを蒸着により付与した。カーボン
付与量を蒸着時間により変化させた該アルミニウム箔
に、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー（スペクタ・フィジックス社
製、ＧＣＲ−１３０）照射によりエネルギーを付与し、
試料１〜１１とした。 〔Ａｌ4 Ｃ3 の測定〕試料１〜１１を２０％ＮａＯＨ溶
液に全量溶解して発生したガスを捕集し、捕集ガスをフ
レームイオン化検出器付高感度ガスクロマトグラフにて
メタン濃度を定量し、Ａｌ4 Ｃ3 含有量に換算した。結
果を表１に示す。 〔エッチング処理〕各試料に対してエッチング処理し、
箔表面積を増大した。以下に処理条件を示す。 〈処理条件〉 ・一次エッチング 液：１モル／リットル塩酸、３モル／リットル硫酸混合
液、８０℃ 電解：ＤＣ２００mA／cm2 ×２分 ・二次エッチング 液：２モル／リットル塩酸、０．０１モル／リットル蓚
酸混合液、８５℃ 電解：ＤＣ６０mA／cm2 ×９分 エッチング後、硼酸系水溶液で２００Ｖ化成処理を施し
た。 〔箔の静電容量の測定〕各試料に対して静電容量を硼酸
アンモニウム水溶液中で測定した。無処理の試料０を１
００とした場合の相対値を表１に示す。
に、真空蒸着装置（日本電子製 ＪＥＥ−４Ｘ）を用い
て３０Ａで、カーボンを蒸着により付与した。カーボン
付与量を蒸着時間により変化させた該アルミニウム箔
に、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー（スペクタ・フィジックス社
製、ＧＣＲ−１３０）照射によりエネルギーを付与し、
試料１〜１１とした。 〔Ａｌ4 Ｃ3 の測定〕試料１〜１１を２０％ＮａＯＨ溶
液に全量溶解して発生したガスを捕集し、捕集ガスをフ
レームイオン化検出器付高感度ガスクロマトグラフにて
メタン濃度を定量し、Ａｌ4 Ｃ3 含有量に換算した。結
果を表１に示す。 〔エッチング処理〕各試料に対してエッチング処理し、
箔表面積を増大した。以下に処理条件を示す。 〈処理条件〉 ・一次エッチング 液：１モル／リットル塩酸、３モル／リットル硫酸混合
液、８０℃ 電解：ＤＣ２００mA／cm2 ×２分 ・二次エッチング 液：２モル／リットル塩酸、０．０１モル／リットル蓚
酸混合液、８５℃ 電解：ＤＣ６０mA／cm2 ×９分 エッチング後、硼酸系水溶液で２００Ｖ化成処理を施し
た。 〔箔の静電容量の測定〕各試料に対して静電容量を硼酸
アンモニウム水溶液中で測定した。無処理の試料０を１
００とした場合の相対値を表１に示す。
【００３２】表１の結果から、本発明に係るアルミニウ
ム箔実施例（試料３〜１０）は適切な範囲のＡｌ4 Ｃ3
を含有していて、静電容量の高いことが判る。一方、Ａ
ｌ4Ｃ3 含有量が本発明範囲より少ないアルミニウム箔
比較例（試料１、２）は、静電容量の低いことが判る。
また、Ａｌ4 Ｃ3 含有量が本発明範囲より多いアルミニ
ウム箔比較例（試料１１）は、溶解量が激しく静電容量
が低くなっていることが判る。
ム箔実施例（試料３〜１０）は適切な範囲のＡｌ4 Ｃ3
を含有していて、静電容量の高いことが判る。一方、Ａ
ｌ4Ｃ3 含有量が本発明範囲より少ないアルミニウム箔
比較例（試料１、２）は、静電容量の低いことが判る。
また、Ａｌ4 Ｃ3 含有量が本発明範囲より多いアルミニ
ウム箔比較例（試料１１）は、溶解量が激しく静電容量
が低くなっていることが判る。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明の電解コンデンサ用アルミニウム
箔は、エッチングピットが均一に適当数穿孔されている
ことにより、静電容量の高いコンデンサが製作できる。
箔は、エッチングピットが均一に適当数穿孔されている
ことにより、静電容量の高いコンデンサが製作できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 足高 善也
大阪府大阪市中央区久太郎町３丁目６番８
号 東洋アルミニウム株式会社内
(72)発明者 佐伯 雅之
静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号
日本軽金属株式会社グループ技術センター
内
(72)発明者 片野 雅彦
静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号
日本軽金属株式会社グループ技術センター
内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕ≦０．０３０質量％で
あって、かつ、Ａｌ 4 Ｃ3 を２０質量ppm 以上、２００
０質量ppm 以下含有することを特徴とする電解コンデン
サ用アルミニウム箔。 - 【請求項２】 直流エッチングに供される請求項１記載
の電解コンデンサ用アルミニウム箔。 - 【請求項３】 箔厚さが５０μｍ以上、２００μｍ以下
であることを特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ
用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002027321A JP4125521B2 (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002027321A JP4125521B2 (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229334A true JP2003229334A (ja) | 2003-08-15 |
| JP4125521B2 JP4125521B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=27748878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002027321A Expired - Fee Related JP4125521B2 (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4125521B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227904A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-09-06 | Sachiko Ono | エッチング用アルミニウム基材及びそれを用いた電解コンデンサ用アルミニウム電極材 |
| CN102279139A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-14 | 新疆众和股份有限公司 | 铝电解电容器用阳极电子铝箔表面溶解度的检测方法及其测试水溶液 |
| JP4965455B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-07-04 | 東洋アルミニウム株式会社 | 電極構造体、コンデンサおよび電極構造体の製造方法 |
| CN101713033B (zh) * | 2009-11-23 | 2012-09-26 | 山东南山铝业股份有限公司 | 一种铝箔熔铸生产工艺 |
| US9048027B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Aluminum foil for aluminum electrolytic capacitor electrode and method for manufacturing the same |
-
2002
- 2002-02-04 JP JP2002027321A patent/JP4125521B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4965455B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-07-04 | 東洋アルミニウム株式会社 | 電極構造体、コンデンサおよび電極構造体の製造方法 |
| JP2007227904A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-09-06 | Sachiko Ono | エッチング用アルミニウム基材及びそれを用いた電解コンデンサ用アルミニウム電極材 |
| CN101713033B (zh) * | 2009-11-23 | 2012-09-26 | 山东南山铝业股份有限公司 | 一种铝箔熔铸生产工艺 |
| US9048027B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Aluminum foil for aluminum electrolytic capacitor electrode and method for manufacturing the same |
| CN102279139A (zh) * | 2011-07-25 | 2011-12-14 | 新疆众和股份有限公司 | 铝电解电容器用阳极电子铝箔表面溶解度的检测方法及其测试水溶液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4125521B2 (ja) | 2008-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101195458B1 (ko) | 금속의 표면처리 방법 | |
| WO2009130765A1 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法 | |
| JP2006322040A (ja) | アルミニウム又はアルミニウム合金の耐食処理方法 | |
| EP1800321A1 (en) | Electrode sheet for capacitors, method of manufacturing the same, and electrolytic capacitor | |
| EP4151759A1 (en) | Method for forming linear groove and method for producing grain-oriented electromagnetic steel sheet | |
| EP3389064B1 (en) | Method for manufacturing aluminum electrolytic capacitor electrode | |
| CN113174553B (zh) | 一种电子束重熔与微弧氧化相结合提高镁合金耐蚀性的方法 | |
| JP2003229334A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JPH07235457A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 | |
| JP2009084658A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔 | |
| JP5104525B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP3995406B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| CN112662905A (zh) | 一种提高镁抗氧化性能的方法 | |
| JP3473683B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP3130054B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP4539912B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JP2006222201A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP3537127B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP4497595B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム合金箔 | |
| JP5397884B2 (ja) | 真空機器用表面処理アルミニウム材の製造方法 | |
| JP2007169689A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP2007277602A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP3945597B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム材 | |
| JPH07235458A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 | |
| JP2019130583A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040803 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080422 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080508 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4125521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |