JP2003218180A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 半導体ウェーハ上にある、一つまたは複数の半導体デバイス（以下「ＤＵＴ」という）のウェーハレベルのテストを実施するための方法であって、
自身の表面に複数の端子を有し、一つまたは複数のテスト信号を半導体デバイスとテスト回路に接続することができる、能動電子部品を設けること、
コントローラからの前記能動電子部品を制御するための複数の制御信号を供給すること、及び、
半導体ウェーハ上の半導体デバイス（ＤＵＴ）の複数の端子の幾つかと、前記能動電子部品の複数の端子の対応する幾つかとの間で、選択された電気的接続を実現するための複数のスプリング接触エレメントを設けること、
を含む方法。
【請求項２】 前記スプリング接触エレメントが前記ＤＵＴに取り付けられる請求項１の方法。
【請求項３】 前記スプリング接触エレメントが前記能動電子部品に取り付けられる請求項１の方法。
【請求項４】 スプリング接触エレメントが、前記ＤＵＴ又は前記能動電子部品のどちらか一方に取り付けられ、及び前記ＤＵＴ又は前記能動電子部品のもう一方に接続可能な自立型の弾性要素からなり、さらに、前記自立型の弾性要素を前記ＤＵＴ又は前記能動電子部品のもう一方に接続して、前記ＤＵＴ及び前記能動電子部品の間に、直接の電気的接続を実現するための手段を設ける請求項２または３の方法。
【請求項５】 前記能動電子部品が、単一のＤＵＴに選択された電気的接続を行う請求項１の方法。
【請求項６】 前記半導体ウェーハ上に複数のＤＵＴを設けること、及び、
前記能動電子部品と、前記複数のＤＵＴの第１の複数のＤＵＴのうちの一つまたは複数の対応する端子との間に、選択された直接の電気的接続を行うための手段を設けることをさらに含む請求項１の方法。
【請求項７】 複数の制御信号に接続された複数の能動電子部品であって複数の能動電子部品の幾つかが前記半導体ウェーハ上の複数のＤＵＴの幾つかに対応する、複数の能動電子部品を設けること、及び、
第１の複数の能動電子部品と、前記複数のＤＵＴの第２の複数のＤＵＴのうちの一つまたは複数の対応する端子との間に、選択された直接の電気的接続を実現するための手段を設けることをさらに含む請求項１の方法。
【請求項８】 前記半導体ウェーハ上の実質的にすべてのＤＵＴに、選択された直接の電気的接続を行うのに十分な複数の能動電子デバイスをさらに含む請求項７の方法。
【請求項９】 前記半導体ウェーハの領域内の実質的にすべてのＤＵＴに、選択された直接の電気的接続を行うのに十分な複数の能動電子デバイスをさらに含む請求項７の方法。
【請求項１０】 前記能動電子部品がＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）である請求項１の方法。
【請求項１１】 前記制御信号を用いて、選択された一つまたは複数のＤＵＴをテストするために前記能動電子部品を選択的に制御することをさらに含む請求項１、５、６、７、８または９の方法。
【請求項１２】 テスト情報を生成し、前記ＤＵＴへの選択された直接の電気的接続を実現するための前記手段を介して、前記能動電子部品から前記ＤＵＴへ前記テスト情報を伝えることをさらに含む請求項１、５、６、７、８または９の方法。
【請求項１３】 ＤＵＴの応答によるテスト結果を収集し、前記能動電子部品によって該テスト結果を伝えることをさらに含む請求項１２の方法。
【請求項１４】 ホストコントローラを前記能動電子部品に接続することをさらに含む請求項１の方法。
【請求項１５】 前記複数の制御信号によって、前記ＤＵＴをテストするためのテスト信号を、一つまたは複数の能動電子部品に供給することをさらに含み、前記複数の制御信号は、テストすべき一つまたは複数のＤＵＴへの直接の接続を行うために必要とされるラインの数より少ない請求項１４の方法。
【請求項１６】 電源を設けること、及び、
前記電源を一つまたは複数の前記能動電子部品に接続することをさらに含む請求項１の方法。
【請求項１７】 前記能動電子部品内に電圧調整を設けることをさらに含む請求項１６の方法。
【請求項１８】 前記能動電子部品の前記端子がキャプチャパッドである請求項１の方法。
【請求項１９】 前記能動電子部品の前記端子がキャプチャ特徴である請求項１の方法。
【請求項２０】 前記能動電子部品を相互接続基板に取り付けることをさらに含む請求項１の方法。
【請求項２１】 第１の温度で前記ＤＵＴに関する第１のテストを実施し、第２の温度で前記ＤＵＴに関する第２のテストを実施する請求項１の方法。
【請求項２２】 前記能動電子部品を前記ＤＵＴとは異なる温度に保持することをさらに含む請求項１の方法。
【請求項２３】 スプリング接触エレメントが複合相互接続要素から構成される請求項１の方法。
【請求項２４】 半導体ウェーハ上にある、一つまたは複数の半導体デバイス（ＤＵＴ）のウェーハレベルのテストを実施するための装置であって、
自身の表面に一つまたは複数の端子を有し、一つまたは複数のテスト信号を半導体デバイスとテスト回路に接続することができる、能動電子部品と、
コントローラからの前記能動電子部品を制御するための複数の制御信号と、
半導体ウェーハ上の半導体デバイス（ＤＵＴ）の複数の端子の幾つかと、前記能動電子部品の複数の端子の対応する幾つかとの間で、選択された電気的接続を実現するための複数のスプリング接触エレメントと、
を含む装置。
【請求項２５】 前記スプリング接触エレメントがＤＵＴに取り付けられる請求項２４の装置。
【請求項２６】 前記スプリング接触エレメントが前記能動電子部品に取り付けられる請求項２４の装置。
【請求項２７】 スプリング接触エレメントが、前記ＤＵＴ又は前記能動電子部品のどちらか一方に取り付けられ、及び前記ＤＵＴ又は前記能動電子部品のもう一方に接続可能な自立型の弾性要素からなり、さらに、前記自立型の弾性要素を前記ＤＵＴ又は前記能動電子部品のもう一方に接続して、前記ＤＵＴ及び前記能動電子部品の間に、直接の電気的接続を実現するための手段が設けられる請求項２５または２６の装置。
【請求項２８】 前記能動電子部品が、単一のＤＵＴに選択された電気的接続を行う請求項２４の装置。
【請求項２９】 前記半導体ウェーハ上の複数のＤＵＴと、
前記能動電子部品と、前記複数のＤＵＴの第１の複数のＤＵＴのうちの一つまたは複数の対応する端子との間に、選択された直接の電気的接続を行うための手段とをさらに含む請求項２４の装置。
【請求項３０】 前記半導体ウェーハ上の複数のＤＵＴと、
複数の能動電子部品と、
第１の複数の能動電子部品と、前記複数のＤＵＴの第２の複数のＤＵＴのうちの一つまたは複数の対応する端子との間に、選択された直接の電気的接続を実現するための手段とをさらに含む請求項２４の装置。
【請求項３１】 前記半導体ウェーハ上の実質的にすべてのＤＵＴに、選択された直接の電気的接続を行うのに十分な複数の能動電子デバイスをさらに含む請求項３０の装置。
【請求項３２】 前記半導体ウェーハの領域内の実質的にすべてのＤＵＴに、選択された直接の電気的接続を行うのに十分な複数の能動電子デバイスをさらに含む請求項３０の装置。
【請求項３３】 前記能動電子部品がＡＳＩＣである請求項２６の装置。
【請求項３４】 選択された一つまたは複数のＤＵＴをテストするために前記能動電子部品を選択的に制御するための手段をさらに含む請求項２６、３０、３１、３２、３３または３４の装置。
【請求項３５】 テスト情報を生成するための手段と、前記ＤＵＴへの選択された直接の電気的接続を実現するための前記手段を介して、前記能動電子部品によってそのテスト情報を伝えるための手段とをさらに含む請求項２６、３０、３１、３２、３３または３４の装置。
【請求項３６】 ＤＵＴの応答によるテスト結果を収集するための手段と、前記能動電子部品によって該テスト結果を伝えるための手段とをさらに含む請求項３５の装置。
【請求項３７】 前記能動電子部品に接続されたホストコントローラをさらに含む請求項２４の装置。
【請求項３８】 前記ホストコントローラを、一つまたは複数の能動電子部品に接続する共通の少数のラインをさらに含み、前記共通の少数ラインは、テストすべき一つまたは複数のＤＵＴへの直接の接続を行うために必要とされるラインの数より少ない請求項３７の装置。
【請求項３９】 前記一つまたは複数の能動電子部品に接続された電源をさらに含む請求項２４の装置。
【請求項４０】 前記能動電子部品内に電圧調整手段をさらに含む請求項３９の装置。
【請求項４１】 前記能動電子部品の前記端子がキャプチャパッドである請求項２４の装置。
【請求項４２】 前記能動電子部品の前記端子がキャプチャ特徴である請求項２４の装置。
【請求項４３】 相互接続基板をさらに含み、前記能動電子部品が該相互接続基板に取り付けられる請求項２４の装置。
【請求項４４】 動作時のＤＵＴに対して第１及び第２の温度を与えるための温度補正手段をさらに含む請求項２４の装置。
【請求項４５】 前記能動電子部品を、前記ＤＵＴの温度に依存しない温度に保持するための手段をさらに含む請求項２４の装置。
【請求項４６】 スプリング接触エレメントが、複合相互接続要素から構成される請求項２４の装置。
【請求項４７】 前記能動電子デバイスと前記ＤＵＴとを接続する前に、該能動電子デバイスを該ＤＵＴに位置合わせすることをさらに含む請求項１の方法。
【請求項４８】 前記能動電子デバイスを前記ＤＵＴに位置合わせするための調整機構をさらに含む請求項２４の装置。

Claims (1)

1. 半導体ウェーハ上にある複数の半導体デバイス（DUT）のウェーハレベルのバーンイン及びテストを実施するための方法であって、
   自身の表面に端子を有する複数の能動電子部品を設けることと、
   前記複数のDUTの端子と前記能動電子部品の端子との間で直接の電気的接続を実現するための手段を設けることと
   からなる方法。