JP2003209179A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 下部電極と、
   前記下部電極上に形成され、結晶配向方向が異なる少なくとも２つの誘電体膜を含み、前記誘電体膜が浮遊電極によって互いに隔てられたキャパシタ誘電体膜と、
   前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極と
   を有することを特徴とする容量素子。
2. 下部電極と、
   前記下部電極上に形成された第１の誘電体膜と、
   前記第１の誘電体膜上に形成された第１の浮遊電極と、
   前記第１の浮遊電極上に形成され、前記第１の誘電体膜とは結晶配向方向が異なる第２の誘電体膜と、
   前記第２の誘電体膜上に形成された上部電極と
   を有することを特徴とする容量素子。
3. 請求項２記載の容量素子において、
   前記第１の誘電体膜と前記下部電極との界面における界面準位密度は、前記下部電極上に前記第２の誘電体膜を形成した場合における前記第２の誘電体膜と前記下部電極との界面における界面準位密度よりも低い
   ことを特徴とする容量素子。
4. 請求項２又は３記載の容量素子において、
   前記第１の誘電体膜を構成する誘電体材料と前記第２の誘電体膜を構成する誘電体材料とが異なっている
   ことを特徴とする容量素子。
5. 請求項２乃至４のいずれか１項に記載の容量素子において、
   前記第２の誘電体膜上に形成された第２の浮遊電極と、前記第２の浮遊電極上に形成され、前記第２の誘電体膜とは結晶配向方向の異なる第３の誘電体膜とを更に有する
   ことを特徴とする容量素子。
6. 請求項５記載の容量素子において、
   前記第３の誘電体膜と前記上部電極との界面における界面準位密度は、前記第２の誘電体膜上に前記上部電極を形成した場合における前記第２の誘電体膜と前記上部電極との界面における界面準位密度よりも低い
   ことを特徴とする容量素子。
7. 請求項５又は６記載の容量素子において、
   前記第１の誘電体膜の結晶配向方向と前記第３の誘電体膜の結晶配向方向とがほぼ等しい
   ことを特徴とする容量素子。
8. 請求項６又は７記載の容量素子において、
   前記第２の誘電体膜を構成する誘電体材料と前記第３の誘電体膜を構成する誘電体材料とが異なっている
   ことを特徴とする容量素子。
9. 請求項２乃至８のいずれか１項に記載の容量素子において、
   前記第１乃至第３の誘電体膜は、ペロブスカイト型又はパイロクロア型の結晶構造を有する酸化物誘電体膜である
   ことを特徴とする容量素子。
10. 下部電極上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、
    前記第１の誘電体膜上に、浮遊電極を形成する工程と、
    前記浮遊電極上に、前記第１の誘電体膜とは結晶配向方向の異なる第２の誘電体膜を形成する工程と、
    前記第２の誘電体膜上に、上部電極を形成する工程と
    を有することを特徴とする容量素子の製造方法。