JP2003202051A - 除振装置 - Google Patents

除振装置

Info

Publication number
JP2003202051A
JP2003202051A JP2002000014A JP2002000014A JP2003202051A JP 2003202051 A JP2003202051 A JP 2003202051A JP 2002000014 A JP2002000014 A JP 2002000014A JP 2002000014 A JP2002000014 A JP 2002000014A JP 2003202051 A JP2003202051 A JP 2003202051A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
air
manufacturing
vibration isolation
vibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002000014A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Kato
宏昭 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2002000014A priority Critical patent/JP2003202051A/ja
Priority to US10/329,828 priority patent/US7073644B2/en
Publication of JP2003202051A publication Critical patent/JP2003202051A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16FSPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
    • F16F15/00Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion
    • F16F15/02Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems
    • F16F15/023Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems using fluid means
    • F16F15/027Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems using fluid means comprising control arrangements
    • F16F15/0275Control of stiffness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 給気圧の変動の影響を受けず、空気ばねの内
圧を適切に制御可能にする。 【解決手段】 除振台1のアクチュエータとしての空気
ばね2と、該空気ばね2の内圧を制御する圧力制御弁と
しての空気弁3と、空気弁3への給気圧を検出する圧力
センサ4とを有し、圧力センサ4の検出信号に応じて空
気弁3を駆動する駆動手段を備え、空気弁3の該駆動手
段への入力信号に、圧力センサ4の検出信号に応じて可
変なゲイン補償を行う可変ゲイン補償手段を設けてあ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体製造装
置において使用されて、アクチュエータに空気ばねを用
いた除振装置及び除振方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子顕微鏡や、半導体製造装置等の精密
機器の高精度化に伴い、それらを搭載する精密除振装置
の高性能化が求められている。特に、半導体製造装置に
おいては、適切かつ迅速な露光を行うために、設置床振
動など外部から伝達する振動を極力排除する除振装置が
必要である。半導体製造装置では、半導体ウエハを露光
する際に露光用XYステージが完全停止の状態になけれ
ばならないからである。また、露光用XYステージは、
ステップアンドリピートという間欠動作を特徴としてい
るために、繰り返しのステップ動作が除振台自身の振動
を励起する。したがって除振装置には、外部振動に対す
る除振性能と搭載機器自身の動作により発生する振動に
対する制振性能とをバランスよく実現することが求めら
れる。
【0003】このような要求に対して、除振台の振動を
振動センサで検出し、その検出信号に応じてアクチュエ
ータで除振台を駆動する、いわゆるアクティブ方式の除
振装置が実用化されている。アクティブ方式の除振装置
は、ばね及びダンパ特性を有する支持機構だけで構成さ
れた受動的な除振装置では困難な、除振性能と制振性能
のバランスのとれた実現を可能にする。アクティブ方式
の除振装置ではアクチュエータとして空気ばねを用いる
ことが一般的である。空気ばねは、大推力の発生が容易
であり、半導体製造装置本体のような重量物を十分に支
持することができる。また、除振装置は、空気ばねを用
いることで、その固有振動数を数Hz程度の低周波に設
定して、外部振動に対する十分な除振性能を確保できる
からである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】空気ばねはその内圧に
応じて推力を発生する。内圧は圧力制御可能な空気弁に
よって制御される。空気弁は、その圧力制御範囲が、供
給される高圧空気の給気圧から大気開放の排気圧までで
あり、与えられる入力信号に応じて出力である圧力を発
生する。すなわち出力圧を発生するこのような空気弁の
問題点は、給気圧が変動すると空気弁の出力圧もその影
響を受けて変動することである。
【0005】高圧空気は減圧器などの給気圧安定化機構
を介して空気弁へ供給されるが、空気弁の動作によって
空気弁を流れる高圧空気の流量が変化するため、給気圧
は流量に応じて変動してしまう。空気弁は振動センサの
検出信号に応じて駆動されるが、除振装置は固有振動数
が数Hz以上であって、振動センサの検出信号は主に数
HZ以上の周波数成分から構成される。空気弁もこのよ
うな周波数帯域で動作するものの、減圧弁などの給気圧
安定化機構の応答性は一般に除振装置の固有振動数と比
べて格段に低い。給気圧安定化機構は給気圧を一定に保
つように動作するものの、高速に動作する空気弁の流量
変化に追従するほどの応答性を確保することは、その構
造からいって不可能である。空気弁は内部で絞り機構を
通して給気圧を減圧し、これを出力圧としている。よっ
て、給気圧が低下すると出力圧もその影響を受けて低下
する。あるいは給気圧が上昇すると出力圧も同様に上昇
する。空気弁が動作すると高圧空気を供給する給気圧安
定化機構の動作が間に合わず、給気圧が変動して、空気
弁に与える入力信号に対して所望の出力圧を発生できな
いという問題があった。空気ばねの内圧を適切に制御で
きないため、給気圧の変動が除振装置の性能を著しく劣
化させるという問題があった。
【0006】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものである。すなわち本発明の目的は、給気圧の変動
の影響を受けず、空気ばねの内圧を適切に制御できる除
振装置及び除振方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る除振装置は、空気ばねと、空気ばねの
内圧を制御する圧力制御弁と、圧力制御弁への給気圧を
検出する圧力センサとを有し、圧力センサの検出信号に
応じて圧力制御を駆動することを特徴とする。また、本
発明に係る除振方法は、除振台を支持する空気ばねの内
圧を制御する圧力制御弁を用い、前記圧力制御弁への給
気圧を圧力センサで検出し、前記圧力センサの検出信号
に応じて前記圧力制御弁を駆動することを特徴とする。
【0008】これによって、給気圧の変動の影響を受け
ずに、空気ばねの内圧を適切に制御することができる。
給気圧変動の補償手段としては、圧力制御弁の駆動手段
への入力信号に、圧力センサの検出信号に応じて可変な
ゲイン補償を行うか、あるいは、圧力制御弁の駆動手段
への入力信号に、圧力センサの検出信号に応じたオフセ
ットを加算する。
【0009】複数台の空気ばねで除振台を支持する場合
は、圧力制御弁にのみ給気を行う給気管路に圧力センサ
を設置する。給気圧変動の状態は給気管路の分岐によっ
て異なるため、圧力センサをそれぞれの圧力制御弁にの
み給気を行う給気管路に設置して、各空気ばねにおいて
圧力センサの検出信号に応じて圧力制御弁を駆動する。
これによってそれぞれの空気ばねの内圧を適切に制御す
ることができる。
【0010】また、本発明に係る露光装置及び半導体製
造装置は、上記除振装置を有し、または上記除振方法を
用いることを特徴とする。
【0011】また、本発明は、露光装置を含む各種プロ
セス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程
と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導
体デバイスを製造する工程とを有する半導体デバイス製
造方法にも適用可能である。この場合、前記製造装置群
をローカルエリアネットワークで接続する工程と、前記
ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の
外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくと
も1台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有
することが好ましい。前記露光装置のベンダもしくはユ
ーザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の
半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介して
データ通信して生産管理を行うことが好ましい。
【0012】また、本発明は、前記露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
1台に関する情報をデータ通信することを可能にした半
導体製造工場にも適用される。
【0013】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた前記露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有することを特徴としてもよい。
【0014】また、本発明は、前記露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることが好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】(除振装置及び除振方法の実施形
態)本発明に係る除振装置及び除振方法の実施形態につ
いて、図面に基づき詳細に説明する。
【0016】図1は本発明の実施形態に係る除振装置の
構成を示す図である。除振台1は空気ばね2により設置
床から浮上支持されている。空気ばね2の内圧は圧力制
御が可能な圧力制御弁としての空気弁3によって制御さ
れる。このアクティブ方式の除振装置では、アクチュエ
ータである空気ばね2が、除振台1に制振力を付与し
て、除振台1の振動抑制と浮上位置の制御を行ってい
る。
【0017】この除振装置は、除振台1の振動を振動セ
ンサで検出して、振動センサの検出信号に応じて空気弁
3を駆動することにより除振台1の振動を抑制する。こ
の目的に供する振動センサとして加速度センサ5が除振
台1に設置されている。加速度センサ5は除振台1の振
動を検出する。また、この除振装置は、除振台1の浮上
位置を一定状態に保つため、変位センサ6が除振台1の
浮上位置を検出して、変位センサ6の検出信号に応じて
空気弁3を駆動する。圧力センサ4は空気弁3の給気圧
を検出する。給気圧とは、減圧弁などの圧力一定化機構
を介して空気弁3に供給される高圧空気の圧力である。
【0018】空気弁3の動作を図5に基づいて説明す
る。空気弁3は、給気ポートI、排気ポートE、及び出
力ポートOを有する3ポート弁である。空気弁3は給気
ポートIから高圧空気を供給される。給気ポートIの給
気圧は圧力センサ4で検出される。排気ポートEは通常
大気開放される。出力ポートOは空気ばね2に接続され
ており、空気弁3の出力圧は空気ばね2の内圧と一致す
る。給気ポートIと出力ポートOの間と、出力ポートO
と排気ポートEの間にそれぞれの絞り機構11,12が
あり、これら絞り機構11,12の流路抵抗の比によっ
て出力圧が定まる。絞り機構11,12はその流路抵抗
が可変であって、主な機構としてはノズル・フラッパ型
やピボット型などがある。ノズル・フラッパ型の場合、
フラッパを駆動してそれぞれの絞り機構11,12の流
路抵抗を可変としている。動作流体である高圧空気は給
気ポートIから排気ポートEへと定常的に排気される。
【0019】空気弁3の入出力特性を図6に示す。縦軸
の記号Psoは給気圧であり、空気弁3は、入力信号に応
じてゼロからPsoまでの出力圧を発生する。入力信号と
出力圧はほぼ比例する。図7は動作流体である高圧空気
の流量と入力信号の線図である。空気弁3の絞り機構1
1,12の流路抵抗が可変であるため、空気弁3の動作
に応じて高圧空気の流れに対する流路抵抗が変化する。
よって、入力信号に応じて流量は図7のように変化す
る。
【0020】高圧空気は減圧器などの給気圧安定化機構
を介して空気弁3へ供給される。給気圧安定化機構は、
流量にかかわらず給気圧を一定に保つように動作する。
空気弁3の動作が定常状態にあれば給気圧は一定であ
る。しかしながら、一般にいって減圧弁など給気圧安定
化機構は空気弁3に比べて応答性が低く、十分な応答性
を確保することはその構造からいって不可能である。除
振装置において、空気弁3は加速度センサ5の検出信号
をフィードバックして高速に動作する。よって、空気弁
3の動作に応じて流量が高速に変化するため、給気圧安
定化機構による給気圧の補正が間に合わず、給気圧が過
渡的に変動してしまう。図5に示したように、空気弁3
は給気圧を絞り機構11で減圧して出力圧を発生してい
るので、給気圧が変動すると出力圧もそれに比例して変
動してしまう。給気圧が上昇すると出力圧もそれに比例
して上昇する。逆に給気圧が下降すると出力圧も同様に
下降する。空気弁3が入力信号に対して所望の出力圧を
発生するためには、このような給気圧変動の影響を排除
するように、適切な補償を行う必要がある。
【0021】本実施形態に係る除振装置は、給気圧を圧
力センサ4で検出し、その検出信号に応じて空気弁3を
駆動することを特徴としている。すなわち、除振装置
は、空気弁3を駆動する駆動手段7への入力信号に、給
気圧に応じて可変なゲイン補償を行うことを特徴とす
る。
【0022】可変ゲイン補償手段8を用いた空気弁3の
制御系の構成を図2に示す。図において、記号Psoは平
衡状態の給気圧、Ps は圧力センサ4でリアルタイムに
検出する給気圧、iは空気弁3の駆動回路7へ入力する
入力信号であり、io は給気圧がPsoで不変であると仮
定した場合の入力信号である。駆動手段7は入力信号i
に応じて空気弁を駆動するためのパワー増幅器である。
駆動手段7の前段において、可変ゲイン補償手段8は空
気弁3の出力圧に対する給気圧変動の影響を排除するよ
うに動作する。
【0023】図8の入力信号−出力圧線図を用いて可変
ゲイン補償手段8の動作原理を説明する。空気弁3の出
力圧は、平衡状態において入力信号iにほぼ比例してゼ
ロから給気圧Psoまでの出力圧を発生する。空気弁3の
動作によって過渡的に給気圧がPs に低下すると、発生
可能な出力圧はゼロからPs までに制限される。よっ
て、入力信号に対する出力圧のゲインはPsoからPs
低下する。給気圧がPsに低下してもPsoの平衡状態の
ゲインを維持するためには、入力信号に対して給気圧の
比Pso/Ps を乗じてこのようなゲインの低下を補正す
る。
【0024】本実施形態に係る除振装置は、変位センサ
6や加速度センサ5の検出信号に応じて空気弁3を駆動
し、除振台1の振動抑制及び浮上位置の制御を行う。図
2において、入力信号io は、変位センサ6や加速度セ
ンサ5の検出信号に適切な補償を施して生成する。アク
チュエータである空気ばね2の内圧は空気弁3で制御さ
れるので、給気圧の状態によって出力圧のゲインが変動
しては、振動抑制及び浮上位置の制御が適切になされな
い。図8で説明した動作原理に基づいて、可変ゲイン補
償手段8は入力信号io に対して(1)式の演算を行い
駆動回路7への入力信号iを生成する。
【0025】i=(Pso/Ps )×io (1) これにより、給気圧にかかわらず、入力信号io に対す
る出力圧のゲインが常に一定である。よって、空気弁3
の給気圧の変動に影響されず、空気ばね2の内圧は適切
に制御することができる。なお、(1)式から分かるよ
うに、Pso=P s であって給気圧が平衡状態から変動し
ていない場合は、可変ゲイン補償手段8はゲインが1と
なるので、入力信号io に対する補償は行われない。
【0026】次に、給気圧を圧力センサ4で検出し、そ
の検出信号に応じて空気弁3を駆動する除振装置であ
り、空気弁3を駆動する駆動手段7への入力信号に、給
気圧に応じてオフセット信号を加算することを特徴とす
る除振装置について説明する。オフセット加算手段9を
用いた空気弁3の制御系の構成を図3に示す。空気弁3
を駆動する駆動手段7の前段において、オフセット加算
手段9は、空気弁3の出力圧に対する給気圧変動の影響
を補償するように、オフセット信号Δiを生成する。
【0027】図9の入力信号−出力圧線図を用いてオフ
セット加算手段9の動作原理を説明する。給気圧がPso
で不変の場合、入力信号io に対する出力圧をPo とす
る。給気圧がPs に低下しても、出力圧がPo で不変で
あるために入力信号に加算すべきオフセット信号をΔi
とする。オフセット信号Δiは、(2)式で示されるよ
うに、給気圧PsoとPs 、及び入力信号io によって定
まる。
【0028】 Δi=(Pso/Ps −1)×io (2) 給気圧がPsoからPs へ低下するのに伴ない、入力信号
をio からio +Δiへと変更すれば、出力圧はPo
不変である。
【0029】オフセット加算手段9は、(2)式の演算
式に基づいてオフセット信号Δiを生成する。駆動手段
7への入力信号iは、(3)式で示すように、入力信号
oとオフセット信号Δiの和である。
【0030】i=io +Δi (3) (3)式のように駆動手段7への入力信号io にオフセ
ット信号Δiを加算するので、出力圧は給気圧によらず
常に一定である。よって、空気弁3の給気圧の変動に影
響されず、空気ばね2の内圧を適切に制御することがで
きる。なお、(2)式から分かるように、Pso=Ps
あって給気圧が平衡状態から変動していない場合は、オ
フセット信号はゼロであり、入力信号io に対する補償
は行われない。
【0031】次に、複数台の空気ばねで除振台を支持す
る場合の本発明による除振装置について説明する。通
常、空気ばね2は、除振台1を安定に支持するために、
除振台1の重心位置を挟んでほぼ対称に3台以上配置す
る。本実施形態に係る除振装置は、給気圧を検出する圧
力センサをそれぞれの空気弁のみに給気を行う給気管路
に設置することを特徴とする除振装置である。
【0032】図4は4台の空気ばね2a,2b,2c,
2dで除振台1を支持する場合の実施形態の例を示す図
である。除振台1は、4台の空気ばね2a,2b,2
c,2dによって、その四隅を支持されている。空気ば
ね2a,2b,2c,2dの内圧は空気弁3a,3b,
3c,3dでそれぞれ制御される。高圧空気は一つの給
気口から集中的に供給されるが、給気管路15は各空気
ばね2a,2b,2c,2dの近くで分岐してそれぞれ
の空気弁3a,3b,3c,3dに高圧空気を供給して
いる。また、排気管路16はそれぞれの空気弁3a,3
b,3c,3dの排気を束ねて一つの排気口へ集中的に
導いている。
【0033】図4に示すように、圧力センサ4a,4
b,4c,4dは給気口から分岐してそれぞれ空気弁3
a,3b,3c,3dのみに給気を行う給気管路15に
設置されている。それぞれの空気弁3a,3b,3c,
3dで駆動の動作が異なれば、それによる給気圧変動も
給気管路15の分岐によって異なる。空気弁の出力圧特
性は空気弁のごく近傍における給気管路の給気圧で定ま
るので、それぞれの空気弁3a,3b,3c,3dにお
いて出力圧から給気圧変動の影響を排除するためには、
給気圧を検出する圧力センサ4a,4b,4c,4d
は、それぞれの空気弁3a,3b,3c,3dのごく近
傍における給気管路に設置しなければならない。すなわ
ち、圧力センサ4a,4b,4c,4dは給気口から分
岐してそれぞれ空気弁3a,3b,3c,3dのみに給
気を行う管路に設置する。
【0034】空気弁3aは圧力センサ4aが検出する給
気圧の検出信号に応じて駆動する。空気弁3aの出力圧
から給気圧変動の影響を排除するための補償手段として
は、図2及び図3に示したいずれの補償手段を用いても
よい。同様にして、空気弁3b,3c,3dはそれぞれ
圧力センサ4b,4c,4dの検出信号に応じて駆動す
る。これによって、複数台の空気ばねで除振台を支持す
る除振装置であっても、給気圧の変動の影響を排除し
て、それぞれの空気ばね2a,2b,2c,2dの内圧
は適切に制御することができる。
【0035】なお、図4の実施形態においては、4台の
空気ばね2a〜2dで除振台1を支持する除振装置を開
示しているが、本発明は空気ばねの台数によらず好適に
実施することができる。
【0036】また、本発明に係る除振装置を有する半導
体製造装置は、逐次露光方式や走査露光式などの露光方
式を問わず、様々な方式の半導体製造装置において好適
に実施することができる。
【0037】(露光装置の実施形態)次に前述した実施
形態の除振装置を有するステージ装置としてレチクルス
テージ及びウエハステージの少なくともいずれかを搭載
した走査型露光装置の実施形態を、図10を用いて説明
する。
【0038】鏡筒定盤96は、床または基盤91からダ
ンパ98を介して支持されている。また、鏡筒定盤96
は、レチクルステージ定盤94を支持すると共に、レチ
クルステージ95とウエハステージ93の間に位置する
投影光学系97を支持している。
【0039】ウエハステージ93は、床または基盤91
から支持されたステージ定盤92上に支持され、ウエハ
を載置して位置決めを行う。また、レチクルステージ9
5は、鏡筒定盤96に支持されたレチクルステージ定盤
94上に支持され、回路パターンが形成されたレチクル
を搭載して移動可能である。レチクルステージ95上に
搭載されたレチクルをウエハステージ93上のウエハに
露光する露光光は、照明光学系99から発生される。
【0040】なお、ウエハステージ93は、レチクルス
テージ95と同期して走査される。レチクルステージ9
5とウエハステージ93の走査中、両者の位置はそれぞ
れ干渉計によって継続的に検出され、レチクルステージ
95とウエハステージ93の駆動部にそれぞれフィード
バックされる。これによって、両者の走査開始位置を正
確に同期させるとともに、定速走査領域の走査速度を高
精度で制御することができる。投影光学系97に対して
両者が走査している間に、ウエハ上にはレチクルパター
ンが露光され、回路パターンが転写される。
【0041】本実施形態では、前述の実施形態に係る除
振装置を適用したステージ装置としてレチクルステージ
及びウエハステージの少なくともいずれかを用いている
ため、圧力制御弁への給気圧が変動しても、その影響で
圧力制御弁の出力圧が変動することがなく、空気ばねの
内圧を適切に制御することが可能となり、高速・高精度
な露光が可能となる。
【0042】(半導体生産システムの実施形態)次に、
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス(ICやLS
I等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等)の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。
【0043】図11は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査
装置等)を想定している。事業所101内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム1
08、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結
んでイントラネット等を構築するローカルエリアネット
ワーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム
108は、LAN109を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット105に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。
【0044】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各
製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム107とが設けられている。各工場1
02〜104に設けられたホスト管理システム107
は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワーク
であるインターネット105に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のLAN111からイ
ンターネット105を介してベンダの事業所101側の
ホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム108のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット105を介して、各製造装置1
06の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場102〜104とベンダの事業所101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。
【0045】さて、図12は本実施形態の全体システム
を図11とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図12では
製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はLAN206で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理
がされている。
【0046】一方、露光装置メーカ210、レジスト処
理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ
(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム21
1,221,231を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム205と、各装置のベンダの管理システム2
11,221,231とは、外部ネットワーク200で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット200を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【0047】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図13に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種401、シリアルナンバー402、トラブルの件名4
03、発生日404、緊急度405、症状406、対処
法407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜
412を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
【0048】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図14は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【0049】図15は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
圧力制御弁への給気圧が変動しても、その影響で圧力制
御弁の出力圧が変動することがなく、空気ばねの内圧を
適切に制御した除振装置及び除振方法を提供することが
できる。すなわち、除振台へ付与する制振力を好適に制
御できる除振装置及び除振方法と、この除振装置を有す
るか、またはこの除振方法を用いる高精度な半導体製造
装置とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る除振装置の実施形態を好適に示
す図である。
【図2】 本発明の実施形態に係る可変ゲイン補償手段
を用いた制御系の構成を示す図である。
【図3】 本発明の実施形態に係るオフセット加算手段
を用いた制御系の構成を示す図である。
【図4】 本発明の実施形態に係る圧力制御弁としての
空気弁と圧力センサの配置を示す図である。
【図5】 本発明の実施形態に係る空気弁の構造を示す
図である。
【図6】 本発明の実施形態に係る空気弁の出力圧特性
を示す図である。
【図7】 本発明の実施形態に係る空気弁の流量特性を
示す図である。
【図8】 本発明の実施形態に係る空気弁への給気圧と
空気弁のゲインを示す図である。
【図9】 本発明の実施形態に係る給気圧と入力信号の
オフセットを示す図である。
【図10】 本発明に係る除振装置を適用した露光装置
の実施形態を示す立面図である。
【図11】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムをある角度から見た概念図である。
【図12】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図13】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図14】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
【図15】 ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
1:除振台、2:空気ばね、2a,2b,2c,2d:
空気ばね、3:空気弁(圧力制御弁)、3a,3b,3
c,3d:空気弁、4:圧力センサ、4a,4b,4
c,4d:圧力センサ、5:加速度センサ、6:変位セ
ンサ、7:駆動手段、8:可変ゲイン補償手段、9:オ
フセット加算手段、11,12:絞り機構、15:給気
管路、16:排気管路、E:排気ポート、I:給気ポー
ト、O:出力ポート、Pso:平衡状態の給気圧、Ps
給気圧、i:駆動回路への入力信号、io :給気圧がP
soで不変であると仮定した場合の入力信号、Po :給気
圧Psoと入力信号io に対する出力圧、Δi:オフセッ
ト信号。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 空気ばねと、前記空気ばねの内圧を制御
    する圧力制御弁と、前記圧力制御弁への給気圧を検出す
    る圧力センサとを有し、前記圧力センサの検出信号に応
    じて前記圧力制御弁を駆動する駆動手段を備えることを
    特徴とする除振装置。
  2. 【請求項2】 前記圧力制御弁の駆動手段への入力信号
    に、前記圧力センサの検出信号に応じて可変なゲイン補
    償を行う可変ゲイン補償手段を有することを特徴とする
    請求項1に記載の除振装置。
  3. 【請求項3】 前記圧力制御弁の駆動手段への入力信号
    に、前記圧力センサの検出信号に応じたオフセット信号
    を加算するオフセット加算手段を有することを特徴とす
    る請求項1に記載の除振装置。
  4. 【請求項4】 複数台の空気ばねで除振台を支持し、そ
    れぞれの圧力制御弁のみに給気を行う給気管路に圧力セ
    ンサを設置したことを特徴とする請求項1〜3のいずれ
    かに記載の除振装置。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の除振装
    置を有することを特徴とする露光装置。
  6. 【請求項6】 請求項1〜4のいずれかに記載の除振装
    置を有することを特徴とする半導体製造装置。
  7. 【請求項7】 除振台を支持する空気ばねの内圧を制御
    する圧力制御弁を用い、前記圧力制御弁への給気圧を圧
    力センサで検出し、前記圧力センサの検出信号に応じて
    前記圧力制御弁を駆動することを特徴とする除振方法。
  8. 【請求項8】 請求項5に記載の露光装置を含む各種プ
    ロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程
    と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導
    体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする
    半導体デバイス製造方法。
  9. 【請求項9】 前記製造装置群をローカルエリアネット
    ワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワ
    ークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
    で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデ
    ータ通信する工程とをさらに有することを特徴とする請
    求項8に記載の半導体デバイス製造方法。
  10. 【請求項10】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
    が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
    てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
    情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
    体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
    タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項9に
    記載の半導体デバイス製造方法。
  11. 【請求項11】 請求項5に記載の露光装置を含む各種
    プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
    ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
    ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
    するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
    1台に関する情報をデータ通信することを可能にしたこ
    とを特徴とする半導体製造工場。
  12. 【請求項12】 半導体製造工場に設置された請求項5
    に記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
    ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
    ワークに接続された保守データベースを提供する工程
    と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
    介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
    程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
    記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
    る工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方
    法。
  13. 【請求項13】 請求項5に記載の露光装置において、
    ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
    トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
    らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
    ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
    徴とする露光装置。
  14. 【請求項14】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
    続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
    保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
    ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
    ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
    能にすることを特徴とする請求項13に記載の露光装
    置。
JP2002000014A 2002-01-04 2002-01-04 除振装置 Pending JP2003202051A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002000014A JP2003202051A (ja) 2002-01-04 2002-01-04 除振装置
US10/329,828 US7073644B2 (en) 2002-01-04 2002-12-27 Anti-vibration system for use in exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002000014A JP2003202051A (ja) 2002-01-04 2002-01-04 除振装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003202051A true JP2003202051A (ja) 2003-07-18

Family

ID=27640547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002000014A Pending JP2003202051A (ja) 2002-01-04 2002-01-04 除振装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7073644B2 (ja)
JP (1) JP2003202051A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015195069A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 富士通株式会社 ストレージ装置、ストレージ装置の製造方法及びその測定方法
KR102065175B1 (ko) * 2018-04-27 2020-01-10 주식회사 네츄럴프리텍 차량용 금융 자동화 기기의 진동 억제 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003202051A (ja) * 2002-01-04 2003-07-18 Canon Inc 除振装置
US7355674B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
CN1318775C (zh) * 2005-01-18 2007-05-30 哈尔滨工业大学 带有电磁阻尼器的空气弹簧隔振基础
CN100465794C (zh) * 2006-10-09 2009-03-04 中南大学 一种步进扫描光刻机隔振系统模拟试验装置
CN100456140C (zh) * 2006-11-24 2009-01-28 中南大学 一种用于步进扫描光刻机的精密隔振系统
JP5064316B2 (ja) * 2008-07-01 2012-10-31 特許機器株式会社 除振装置
US20100052356A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Caterpillar Inc. Suspension system for a seat assembly including an array of fluid chambers and machine using same
NL2005013A (en) * 2009-07-31 2011-02-02 Asml Netherlands Bv Positioning system, lithographic apparatus and method.
TW201321587A (zh) * 2011-11-30 2013-06-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 集裝箱資料中心防震裝置及其防震方法
DE202012003315U1 (de) * 2012-03-30 2012-04-16 Simatec Siebmaschinentechnik Gmbh Siebmaschine zum Klassieren oder Aufbereiten von Kies, Sand oder dergleichen
CN103047514B (zh) * 2012-12-19 2015-04-22 哈尔滨工业大学 基于气浮零位基准和激光自准直测量的气浮隔振平台
CN105888745B (zh) * 2016-06-02 2017-07-28 东方电气集团东方汽轮机有限公司 一种汽轮机浮动式阀门支架结构
DE102017128230A1 (de) * 2017-11-29 2019-05-29 Spaleck GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Lagereinrichtung für eine Schwingmaschine, Schwingmaschine und Verfahren zum Betreiben einer Schwingmaschine

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3224489B2 (ja) * 1995-03-28 2001-10-29 キヤノン株式会社 空気バネ式除振装置
JP3825869B2 (ja) * 1997-03-19 2006-09-27 キヤノン株式会社 能動除振装置
JPH11141599A (ja) * 1997-11-07 1999-05-25 Canon Inc 除振装置
JP3389860B2 (ja) * 1998-04-23 2003-03-24 住友金属工業株式会社 振動抑制制御方法
JP4165844B2 (ja) * 1998-11-18 2008-10-15 キヤノン株式会社 除振装置
JP2000208402A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Canon Inc 除振装置
JP2000274482A (ja) * 1999-01-18 2000-10-03 Canon Inc 能動的除振装置、露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
JP4416250B2 (ja) * 2000-02-09 2010-02-17 キヤノン株式会社 アクティブ除振装置及び露光装置
JP2002089619A (ja) * 2000-09-14 2002-03-27 Canon Inc アクティブ除振装置、モード行列の算出方法およびこれらを用いた露光装置
JP2002364702A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Canon Inc 除振装置およびそれを有する半導体製造装置
JP2003202051A (ja) * 2002-01-04 2003-07-18 Canon Inc 除振装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015195069A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 富士通株式会社 ストレージ装置、ストレージ装置の製造方法及びその測定方法
KR102065175B1 (ko) * 2018-04-27 2020-01-10 주식회사 네츄럴프리텍 차량용 금융 자동화 기기의 진동 억제 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7073644B2 (en) 2006-07-11
US20030146554A1 (en) 2003-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003202051A (ja) 除振装置
JP3902942B2 (ja) 除振装置及びその制御方法、並びに該除振装置を有する露光装置
US7275627B1 (en) Active vibration suppression apparatus, control method therefor, and exposure apparatus having active vibration suppression apparatus
US7232257B2 (en) Hydrostatic bearing and stage apparatus using same
JP2001304332A (ja) 能動制振装置
JP2002008971A (ja) 移動装置、ステージ及び露光装置
US6954041B2 (en) Supporting apparatus having a plurality of magnets that generate a floating force and method, stage apparatus, and exposure apparatus
JP2006344685A (ja) 露光装置
JP2001221278A (ja) アクティブ除振装置及び露光装置
JP2002286083A (ja) 除振装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場およびデバイス製造装置の保守方法
JP2003264134A (ja) ステージ制御装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4165844B2 (ja) 除振装置
JP2003232398A (ja) 除振装置の調整方法および除振装置
JP2002075855A (ja) 自重補償装置およびこれを用いたステージ装置並びに露光装置およびそれを用いたデバイス製造方法
JP2001345248A (ja) 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2002364702A (ja) 除振装置およびそれを有する半導体製造装置
JP2001140972A (ja) 除振装置
JP2002025886A (ja) ステップ&スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場
JP2002367893A (ja) 露光装置
JP4323751B2 (ja) 移動位置決め装置及びそれを備える露光装置
JP2005322720A (ja) ステージ制御装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JP2002222758A (ja) ステージ装置およびそれを用いた露光装置
JP2003214486A (ja) 除振装置及び圧力制御装置
JP2003120747A (ja) 除振装置及び露光装置
JP2001355669A (ja) 除振装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060306

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060719