JP2003200495A - 高分子板積層材の製造方法 - Google Patents
高分子板積層材の製造方法Info
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- B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
- B29C66/70—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
- B29C66/71—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the composition of the plastics material of the parts to be joined
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Abstract
(57)【要約】
【課題】軽量化や薄形化などに悪影響を及ぼす接着剤を
用いずに、高分子板と該高分子板より高い融点を有する
基材を積層した高分子板積層材の製造方法の提供。 【解決手段】高分子板２６と該高分子板より高い融点を
有する基材２８との互いに対向する面を、必要によりそ
れぞれ活性化処理を施した後、基材２８および高分子板
２６の接合予定面同士を対向するように当接して重ね合
わせ、プレス装置などの圧接装置により加熱圧接して積
層接合し高分子板積層材を製造する。
用いずに、高分子板と該高分子板より高い融点を有する
基材を積層した高分子板積層材の製造方法の提供。 【解決手段】高分子板２６と該高分子板より高い融点を
有する基材２８との互いに対向する面を、必要によりそ
れぞれ活性化処理を施した後、基材２８および高分子板
２６の接合予定面同士を対向するように当接して重ね合
わせ、プレス装置などの圧接装置により加熱圧接して積
層接合し高分子板積層材を製造する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、接着剤を用いずに
高分子板と該高分子板より高い融点を有する基材を積層
する高分子板積層材の製造方法に関する。
高分子板と該高分子板より高い融点を有する基材を積層
する高分子板積層材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プリント配線板などの基材に
高分子などの板を積層した積層材が数多く提案されてお
り、その積層方法として接着剤を用いて接合する方法が
提案されている。
高分子などの板を積層した積層材が数多く提案されてお
り、その積層方法として接着剤を用いて接合する方法が
提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の積層法では、接着剤層による電気的特性の
劣化を招いたり、接着剤の耐熱性が悪いために積層材と
しての耐熱性が制限されたり、接着剤層分の厚みや重量
が増し軽量・薄型化に向かないなどの問題があった。
ような従来の積層法では、接着剤層による電気的特性の
劣化を招いたり、接着剤の耐熱性が悪いために積層材と
しての耐熱性が制限されたり、接着剤層分の厚みや重量
が増し軽量・薄型化に向かないなどの問題があった。
【０００４】本発明は、上記のような技術的背景に鑑
み、軽量化や薄形化などに悪影響を及ぼす接着剤を用い
ずに、高分子板と該高分子板より高い融点を有する基材
を積層する高分子板積層材の製造方法を提供することを
課題とする。
み、軽量化や薄形化などに悪影響を及ぼす接着剤を用い
ずに、高分子板と該高分子板より高い融点を有する基材
を積層する高分子板積層材の製造方法を提供することを
課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題に対する第１の
解決手段として本発明の高分子板積層材の製造方法は、
基材の少なくとも片面に高分子板を積層してなる高分子
板積層材であって、高分子板と該高分子板より高い融点
を有する基材とのそれぞれの接合される面同士が対向す
るように当接して重ね合わせて加熱圧接する製造方法と
した。
解決手段として本発明の高分子板積層材の製造方法は、
基材の少なくとも片面に高分子板を積層してなる高分子
板積層材であって、高分子板と該高分子板より高い融点
を有する基材とのそれぞれの接合される面同士が対向す
るように当接して重ね合わせて加熱圧接する製造方法と
した。
【０００６】前記課題に対する第２の解決手段として本
発明の高分子板積層材の製造方法は、基材の少なくとも
片面に高分子板を積層してなる高分子板積層材であっ
て、高分子板と該高分子板より高い融点を有する基材の
それぞれの接合される面を予め活性化処理を施した後、
該高分子板および該基材の活性化処理面同士が対向する
ように当接して重ね合わせて加熱圧接する製造方法とし
た。
発明の高分子板積層材の製造方法は、基材の少なくとも
片面に高分子板を積層してなる高分子板積層材であっ
て、高分子板と該高分子板より高い融点を有する基材の
それぞれの接合される面を予め活性化処理を施した後、
該高分子板および該基材の活性化処理面同士が対向する
ように当接して重ね合わせて加熱圧接する製造方法とし
た。
【０００７】前記課題に対する第３の解決手段として本
発明の高分子板積層材の製造方法は、前記第２の解決手
段における活性化処理が、プラズマ放電処理である製造
方法とした。また前記第２の解決手段における活性化処
理が、前記高分子板および前記基材をそれぞれ絶縁支持
された一方の電極Ａと接触させ、アース接地された他の
電極Ｂとの間に、１〜５０ＭＨｚの交流を印加して放電
を行わせ、放電によって生じたプラズマ中に露出される
電極Ａと接触した前記高分子板、前記基材のそれぞれの
面積が、電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッ
タエッチング処理する製造方法とした。
発明の高分子板積層材の製造方法は、前記第２の解決手
段における活性化処理が、プラズマ放電処理である製造
方法とした。また前記第２の解決手段における活性化処
理が、前記高分子板および前記基材をそれぞれ絶縁支持
された一方の電極Ａと接触させ、アース接地された他の
電極Ｂとの間に、１〜５０ＭＨｚの交流を印加して放電
を行わせ、放電によって生じたプラズマ中に露出される
電極Ａと接触した前記高分子板、前記基材のそれぞれの
面積が、電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッ
タエッチング処理する製造方法とした。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の製造方法を説明
する。図１は、本発明の製造方法を用いた高分子板積層
材の一実施形態を示す概略断面図であり、基材２８の片
面に高分子板２６を積層した例を示している。図２は、
本発明の製造方法を用いた高分子板積層材の他の一実施
形態を示す概略断面図であり、基材２８の両面に高分子
板２４、２６を積層した例を示している。
する。図１は、本発明の製造方法を用いた高分子板積層
材の一実施形態を示す概略断面図であり、基材２８の片
面に高分子板２６を積層した例を示している。図２は、
本発明の製造方法を用いた高分子板積層材の他の一実施
形態を示す概略断面図であり、基材２８の両面に高分子
板２４、２６を積層した例を示している。
【０００９】高分子板２６の材質としては、高分子板積
層材を製造可能な素材であれば特にその種類は限定され
ず、高分子板積層材の用途により適宜選択して用いるこ
とができる。例えば、プラスチックなどの有機高分子物
質やプラスチックに粉末や繊維などを混ぜた混合体が適
用される。高分子板積層材をフレキシブルプリント基板
などに適用する場合には、ポリイミド、ポリエーテルイ
ミド、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステ
ル、ナイロンなどの芳香族ポリアミドなどを用いること
ができる。
層材を製造可能な素材であれば特にその種類は限定され
ず、高分子板積層材の用途により適宜選択して用いるこ
とができる。例えば、プラスチックなどの有機高分子物
質やプラスチックに粉末や繊維などを混ぜた混合体が適
用される。高分子板積層材をフレキシブルプリント基板
などに適用する場合には、ポリイミド、ポリエーテルイ
ミド、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステ
ル、ナイロンなどの芳香族ポリアミドなどを用いること
ができる。
【００１０】プラスチックとしては、例えば、アクリル
樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾ
グアナミン樹脂など）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウ
レタン樹脂、液晶ポリマー、ＥＥＡ樹脂（Ethylene Eth
ylacrylate 樹脂）、ＡＡＳ樹脂（Acrylonitrile Acryl
ate Styrene 樹脂）、ＡＢＳ樹脂（Acrylonitrile Buta
diene Styrene 樹脂）、ＡＣＳ樹脂（Acrylnitrile Chl
orinated Polyethylene Styrene樹脂）、ＡＳ樹脂（Acr
ylnitrile Styrene樹脂）、アイオノマー樹脂、エチレ
ンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エポキシ樹
脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェノール樹
脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリアセター
ル、ポリアリレート、ポリアミド（６ナイロン、１１ナ
イロン、１２ナイロン、６６ナイロン、６１０ナイロ
ン、６１２ナイロンなど）、ポリアミドイミド、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル（ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレート、ポリシクロヘキンジメルテレフ
タレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリ
メチレンナフタレートなど）、ポリオレフィン（ポリエ
チレン、ポリプロピレンなど）、ポリカーボネート、ポ
リクロロトリフルオロエチレン、ポリサルホン、ポリス
チレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエ
ン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどを適用するこ
とができる。
樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾ
グアナミン樹脂など）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウ
レタン樹脂、液晶ポリマー、ＥＥＡ樹脂（Ethylene Eth
ylacrylate 樹脂）、ＡＡＳ樹脂（Acrylonitrile Acryl
ate Styrene 樹脂）、ＡＢＳ樹脂（Acrylonitrile Buta
diene Styrene 樹脂）、ＡＣＳ樹脂（Acrylnitrile Chl
orinated Polyethylene Styrene樹脂）、ＡＳ樹脂（Acr
ylnitrile Styrene樹脂）、アイオノマー樹脂、エチレ
ンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エポキシ樹
脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェノール樹
脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリアセター
ル、ポリアリレート、ポリアミド（６ナイロン、１１ナ
イロン、１２ナイロン、６６ナイロン、６１０ナイロ
ン、６１２ナイロンなど）、ポリアミドイミド、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル（ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレート、ポリシクロヘキンジメルテレフ
タレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリ
メチレンナフタレートなど）、ポリオレフィン（ポリエ
チレン、ポリプロピレンなど）、ポリカーボネート、ポ
リクロロトリフルオロエチレン、ポリサルホン、ポリス
チレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエ
ン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどを適用するこ
とができる。
【００１１】また高分子板２６の厚みも高分子板積層材
の用途により適宜選定することができる。例えば、１〜
１０００μｍである。１μｍ未満の場合には高分子板と
しての製造が難しくなり、１０００μｍを超えると高分
子板積層材としての製造が難しくなる。高分子板積層材
の用途がフレキシブルプリント基板であれば、例えば３
〜３００μｍの範囲のものを適用することができる。３
μｍ未満の場合には機械的強度が乏しく、３００μｍを
超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、１０〜１５
０μｍである。より好ましくは、２０〜７５μｍであ
る。
の用途により適宜選定することができる。例えば、１〜
１０００μｍである。１μｍ未満の場合には高分子板と
しての製造が難しくなり、１０００μｍを超えると高分
子板積層材としての製造が難しくなる。高分子板積層材
の用途がフレキシブルプリント基板であれば、例えば３
〜３００μｍの範囲のものを適用することができる。３
μｍ未満の場合には機械的強度が乏しく、３００μｍを
超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、１０〜１５
０μｍである。より好ましくは、２０〜７５μｍであ
る。
【００１２】高分子板２４の材質としては、高分子板積
層材を製造可能な素材であれば特にその種類は限定され
ず、高分子板積層材の用途により適宜選定され、高分子
板２６に適用できるものは選定可能であり、高分子板２
４の材質や厚みは高分子板２６と同じでも良いし異なっ
ていても良い。
層材を製造可能な素材であれば特にその種類は限定され
ず、高分子板積層材の用途により適宜選定され、高分子
板２６に適用できるものは選定可能であり、高分子板２
４の材質や厚みは高分子板２６と同じでも良いし異なっ
ていても良い。
【００１３】基材２８は、高分子板積層材を製造可能な
金属、無機質、有機質からなる素材であれば特にその種
類は限定されず、高分子板積層材の用途により適宜選択
して用いることができる。例えば、前記の高分子板やリ
ジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板な
どである。基材がプリント配線板の場合、表層に保護膜
等が無く配線部が露出しているものも用いることができ
る。基材２８としては特に高分子板の場合、高分子板２
６に適用できるものの中で高分子板２４、２６よりも融
点が高いものを選定する必要がある。なお基材の材質や
厚みは、積層される高分子板２４、２６と同じでも良い
し異なっていても良い。
金属、無機質、有機質からなる素材であれば特にその種
類は限定されず、高分子板積層材の用途により適宜選択
して用いることができる。例えば、前記の高分子板やリ
ジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板な
どである。基材がプリント配線板の場合、表層に保護膜
等が無く配線部が露出しているものも用いることができ
る。基材２８としては特に高分子板の場合、高分子板２
６に適用できるものの中で高分子板２４、２６よりも融
点が高いものを選定する必要がある。なお基材の材質や
厚みは、積層される高分子板２４、２６と同じでも良い
し異なっていても良い。
【００１４】高分子板２４、２６および基材２８の耐熱
温度は、熱分解温度、融点、軟化点、ガラス転移点など
で規定することが可能であり、高分子板積層材の用途や
材質により適宜選択して用いることができる。さらに軟
化点としては材質により、荷重たわみ温度、加熱たわみ
温度、ビカット軟化温度などを適用することができる。
基材２８としてその融点を積層される高分子板の融点よ
り高いものを選択することにより、活性化処理や積層接
合の際に基材２８に悪影響を及ぼすことなく高分子板積
層材を製造することが可能である。例えば基材２８がプ
リント配線板であった場合には、高分子板積層材の製造
時に基材２８の融点付近または融点を超える温度が基材
２８に加わった際に、配線部がプリント配線板より剥離
したり、あるいはプリント配線板の配線部に接合加圧時
の応力が加わって断線に至ったりするなどの悪影響が生
じる恐れがある。このため基材２８は、積層される高分
子板より充分に高い融点を有していることが好ましい。
さらに基材２８と積層される高分子板の融点の温度差
は、例えば３０℃以上が好ましい。３０℃未満では基材
２８に与える影響を抑えることが難しい。より好ましく
は、４０℃以上である。また基材２８に与える影響を無
くすためには融点の温度差は大きいほどよいが、あまり
大きすぎると高分子板積層材としての耐熱性が向上でき
ないため融点の温度差を１００℃以下とすることが好ま
しい。より好ましくは６０℃以下である。なお熱固定温
度を変えたり組成の一部を変更したりすることなどによ
り積層される高分子板の融点を変えることができる。
温度は、熱分解温度、融点、軟化点、ガラス転移点など
で規定することが可能であり、高分子板積層材の用途や
材質により適宜選択して用いることができる。さらに軟
化点としては材質により、荷重たわみ温度、加熱たわみ
温度、ビカット軟化温度などを適用することができる。
基材２８としてその融点を積層される高分子板の融点よ
り高いものを選択することにより、活性化処理や積層接
合の際に基材２８に悪影響を及ぼすことなく高分子板積
層材を製造することが可能である。例えば基材２８がプ
リント配線板であった場合には、高分子板積層材の製造
時に基材２８の融点付近または融点を超える温度が基材
２８に加わった際に、配線部がプリント配線板より剥離
したり、あるいはプリント配線板の配線部に接合加圧時
の応力が加わって断線に至ったりするなどの悪影響が生
じる恐れがある。このため基材２８は、積層される高分
子板より充分に高い融点を有していることが好ましい。
さらに基材２８と積層される高分子板の融点の温度差
は、例えば３０℃以上が好ましい。３０℃未満では基材
２８に与える影響を抑えることが難しい。より好ましく
は、４０℃以上である。また基材２８に与える影響を無
くすためには融点の温度差は大きいほどよいが、あまり
大きすぎると高分子板積層材としての耐熱性が向上でき
ないため融点の温度差を１００℃以下とすることが好ま
しい。より好ましくは６０℃以下である。なお熱固定温
度を変えたり組成の一部を変更したりすることなどによ
り積層される高分子板の融点を変えることができる。
【００１５】図１に示す高分子板積層材の製造方法につ
いて、グロー放電による活性化処理を用いた場合につい
て説明する。真空槽内に、あらかじめ所定の大きさに切
り出された高分子板２６および基材２８を設置し、それ
ぞれ活性化処理装置で活性化処理する。
いて、グロー放電による活性化処理を用いた場合につい
て説明する。真空槽内に、あらかじめ所定の大きさに切
り出された高分子板２６および基材２８を設置し、それ
ぞれ活性化処理装置で活性化処理する。
【００１６】グロー放電による活性化処理は、以下のよ
うにして実施する。すなわち、真空槽内に装填された高
分子板２６、基材２８をそれぞれ絶縁支持された一方の
電極Ａと接触させ、アース接地された他の電極Ｂとの間
に、減圧状態または大気圧程度の不活性ガス雰囲気好ま
しくはアルゴンガス中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加
してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプ
ラズマ中に露出される電極Ａと接触した高分子板２６、
基材２８のそれぞれの面積が、電極Ｂの面積の１／３以
下となるようにスパッタエッチング処理する。不活性ガ
ス雰囲気は１×１０ー３〜１０Ｐａの範囲が好ましい。
なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定し
たグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であ
り、１０Ｐａを超えると活性化処理効率が低下する。印
加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を
維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、５０
ＭＨｚを超えると発振しやすく電力の供給系が複雑とな
り好ましくない。また、効率よくエッチングするために
は電極Ａの面積を電極Ｂの面積より小さくする必要があ
り、１／３以下とすることにより充分な効率でエッチン
グ可能となる。
うにして実施する。すなわち、真空槽内に装填された高
分子板２６、基材２８をそれぞれ絶縁支持された一方の
電極Ａと接触させ、アース接地された他の電極Ｂとの間
に、減圧状態または大気圧程度の不活性ガス雰囲気好ま
しくはアルゴンガス中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加
してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプ
ラズマ中に露出される電極Ａと接触した高分子板２６、
基材２８のそれぞれの面積が、電極Ｂの面積の１／３以
下となるようにスパッタエッチング処理する。不活性ガ
ス雰囲気は１×１０ー３〜１０Ｐａの範囲が好ましい。
なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定し
たグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であ
り、１０Ｐａを超えると活性化処理効率が低下する。印
加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を
維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、５０
ＭＨｚを超えると発振しやすく電力の供給系が複雑とな
り好ましくない。また、効率よくエッチングするために
は電極Ａの面積を電極Ｂの面積より小さくする必要があ
り、１／３以下とすることにより充分な効率でエッチン
グ可能となる。
【００１７】その後、これら活性化処理された高分子板
２６と基材２８を、活性化処理された面が対向するよう
にして両者を当接して重ね合わせて圧接ユニットで加熱
圧接して積層接合する。加熱温度をＴ（℃）、高分子板
２６の融点をＴｍ（℃）とすると、Ｔ＜Ｔｍが好まし
い。特にガラス転移点が存在する材質、例えば液晶ポリ
マーなどでは、ガラス転移温度をＴｇ（℃）とすると、
Ｔｇ＜Ｔ＜Ｔｍが好ましい。より好ましくは、Ｔｇ＋２
０＜Ｔ＜Ｔｍ−２０である。このように積層接合するこ
とにより、基材２８に悪影響を及ぼすことなく高分子板
積層材２０を形成できて、図１に示す高分子板積層材２
０を製造することができる。
２６と基材２８を、活性化処理された面が対向するよう
にして両者を当接して重ね合わせて圧接ユニットで加熱
圧接して積層接合する。加熱温度をＴ（℃）、高分子板
２６の融点をＴｍ（℃）とすると、Ｔ＜Ｔｍが好まし
い。特にガラス転移点が存在する材質、例えば液晶ポリ
マーなどでは、ガラス転移温度をＴｇ（℃）とすると、
Ｔｇ＜Ｔ＜Ｔｍが好ましい。より好ましくは、Ｔｇ＋２
０＜Ｔ＜Ｔｍ−２０である。このように積層接合するこ
とにより、基材２８に悪影響を及ぼすことなく高分子板
積層材２０を形成できて、図１に示す高分子板積層材２
０を製造することができる。
【００１８】次に図２に示す高分子板積層材２２は、上
記説明において、基材２８の代わりに高分子板積層材２
０を用いることで同様にして製造することができる。
記説明において、基材２８の代わりに高分子板積層材２
０を用いることで同様にして製造することができる。
【００１９】このようにして製造された高分子板積層材
に、必要により残留応力の除去または低減のために熱処
理を施してもよい。この熱処理の際には、接合強度の低
下の原因となりうる有害ガス（例えば、酸素など）が高
分子板を透過する可能性があるため、真空中または減圧
状態もしくは還元性雰囲気中で行うことが好ましい。
に、必要により残留応力の除去または低減のために熱処
理を施してもよい。この熱処理の際には、接合強度の低
下の原因となりうる有害ガス（例えば、酸素など）が高
分子板を透過する可能性があるため、真空中または減圧
状態もしくは還元性雰囲気中で行うことが好ましい。
【００２０】なお高分子板積層材の製造にはバッチ処理
を用いることができる。真空槽内に、あらかじめ所定の
大きさに切り出された高分子板や基材を複数装填して活
性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置
に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置ま
たは把持して固定して活性化処理を行い、さらに高分子
板や基材を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活
性化処理後に設置または把持したまま加熱圧接し、高分
子板や基材を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合に
はプレス装置などの圧接装置に搬送して加熱圧接を行う
ことにより達成することができる。
を用いることができる。真空槽内に、あらかじめ所定の
大きさに切り出された高分子板や基材を複数装填して活
性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置
に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置ま
たは把持して固定して活性化処理を行い、さらに高分子
板や基材を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活
性化処理後に設置または把持したまま加熱圧接し、高分
子板や基材を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合に
はプレス装置などの圧接装置に搬送して加熱圧接を行う
ことにより達成することができる。
【００２１】さらに本発明の高分子板積層材の製造方法
では、グロー放電による活性化処理を用いた場合の他に
も、コロナ放電などのプラズマ放電による活性化処理を
用いる場合や活性化処理を用いない場合も可能である。
コロナ放電を利用する場合、減圧状態のみならず大気圧
付近でも活性化処理が可能であり、雰囲気も不活性ガス
中のみならず空気中でも可能である。なお活性化処理の
要否ならびに種類は、高分子板積層材の構成や用途によ
り適宜選定することができる。
では、グロー放電による活性化処理を用いた場合の他に
も、コロナ放電などのプラズマ放電による活性化処理を
用いる場合や活性化処理を用いない場合も可能である。
コロナ放電を利用する場合、減圧状態のみならず大気圧
付近でも活性化処理が可能であり、雰囲気も不活性ガス
中のみならず空気中でも可能である。なお活性化処理の
要否ならびに種類は、高分子板積層材の構成や用途によ
り適宜選定することができる。
【００２２】本発明の製造方法を用いた高分子板積層材
に基材としてプリント配線板を用いた場合、高分子板に
回路パターンを形成し、スルーホールや層間の導通加工
などを施して回路の多層化を図ることが可能であり、こ
の多層化を図った高分子板積層材をさらに基材として用
いてより多層のプリント配線板を得ることができる。ま
た予め回路パターンなどを形成した高分子板や金属など
の導電性の板を積層した高分子板を基材に積層すること
も可能である。このためプリント配線板（リジッドプリ
ント配線板やフレキシブルプリント配線板など）などに
好適であり、ＩＣカード（Integrated Circuitカー
ド）、ＣＳＰ（Chip Size PackageまたはChip Scall Pa
ckage、チップサイズパッケージまたはチップスケール
パッケージ）やＢＧＡ（Ball Grid Array、ボールグリ
ッドアレイ）などのＩＣパッケージなどにも応用でき
る。
に基材としてプリント配線板を用いた場合、高分子板に
回路パターンを形成し、スルーホールや層間の導通加工
などを施して回路の多層化を図ることが可能であり、こ
の多層化を図った高分子板積層材をさらに基材として用
いてより多層のプリント配線板を得ることができる。ま
た予め回路パターンなどを形成した高分子板や金属など
の導電性の板を積層した高分子板を基材に積層すること
も可能である。このためプリント配線板（リジッドプリ
ント配線板やフレキシブルプリント配線板など）などに
好適であり、ＩＣカード（Integrated Circuitカー
ド）、ＣＳＰ（Chip Size PackageまたはChip Scall Pa
ckage、チップサイズパッケージまたはチップスケール
パッケージ）やＢＧＡ（Ball Grid Array、ボールグリ
ッドアレイ）などのＩＣパッケージなどにも応用でき
る。
【００２３】
【実施例】以下に、実施例を説明する。
（実施例１）高分子板２６として厚み５０μｍの液晶ポ
リマーフィルム（融点２８０℃）を用い、基材２８とし
て厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（融点３２５
℃）を用いた。両液晶ポリマーフィルムを高分子板積層
材製造装置にセットし、液晶ポリマーフィルム２６、２
８を、真空装内の活性化処理ユニット内でスパッタエッ
チング法によりそれぞれ活性化処理した。次にこれら活
性化処理した液晶ポリマーフィルム２６、２８を、圧接
ユニットで活性化処理面同士を当接して重ね合わせて加
熱圧接し、高分子板積層材２０を製造した。
リマーフィルム（融点２８０℃）を用い、基材２８とし
て厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（融点３２５
℃）を用いた。両液晶ポリマーフィルムを高分子板積層
材製造装置にセットし、液晶ポリマーフィルム２６、２
８を、真空装内の活性化処理ユニット内でスパッタエッ
チング法によりそれぞれ活性化処理した。次にこれら活
性化処理した液晶ポリマーフィルム２６、２８を、圧接
ユニットで活性化処理面同士を当接して重ね合わせて加
熱圧接し、高分子板積層材２０を製造した。
【００２４】（実施例２）基材２８として厚み５０μｍ
の液晶ポリマーフィルム（融点３２５℃）の上に厚み１
８μｍの銅箔を積層し回路形成したものを用い、高分子
板２６として厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（融
点２８０℃）を用いた。基材２８と液晶ポリマーフィル
ム２６を高分子板積層材製造装置にセットし、基材２８
の回路形成側と液晶ポリマーフィルム２６を、真空装内
の活性化処理ユニット内でスパッタエッチング法により
それぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処理した基
材２８の回路形成側と液晶ポリマーフィルム２６を、圧
接ユニットで活性化処理面同士を当接して重ね合わせて
加熱圧接し、高分子板積層材２０を製造した。
の液晶ポリマーフィルム（融点３２５℃）の上に厚み１
８μｍの銅箔を積層し回路形成したものを用い、高分子
板２６として厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（融
点２８０℃）を用いた。基材２８と液晶ポリマーフィル
ム２６を高分子板積層材製造装置にセットし、基材２８
の回路形成側と液晶ポリマーフィルム２６を、真空装内
の活性化処理ユニット内でスパッタエッチング法により
それぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処理した基
材２８の回路形成側と液晶ポリマーフィルム２６を、圧
接ユニットで活性化処理面同士を当接して重ね合わせて
加熱圧接し、高分子板積層材２０を製造した。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の高分子板積
層材の製造方法は、高分子板および該高分子板より高い
融点を有する基材のそれぞれの接合される面同士が対向
するように当接して重ね合わせて加熱圧接する製造方法
である。このため接着剤を用いておらず、より一層の軽
量化や薄形化が図れ、回路基板などへの適用も好適であ
る。
層材の製造方法は、高分子板および該高分子板より高い
融点を有する基材のそれぞれの接合される面同士が対向
するように当接して重ね合わせて加熱圧接する製造方法
である。このため接着剤を用いておらず、より一層の軽
量化や薄形化が図れ、回路基板などへの適用も好適であ
る。
【図１】本発明の製造方法を用いた高分子板積層材の一
実施形態を示す概略断面図である。
実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の製造方法を用いた高分子板積層材の他
の一実施形態を示す概略断面図である。
の一実施形態を示す概略断面図である。
２０ 高分子板積層材
２２ 高分子板積層材
２４ 高分子板
２６ 高分子板
２８ 基材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０８Ｊ 7/00 ＣＥＺ Ｃ０８Ｊ 7/00 ＣＥＺ
// Ｂ２９Ｋ 101:12 Ｂ２９Ｋ 101:12
Ｂ２９Ｌ 9:00 Ｂ２９Ｌ 9:00
Ｃ０８Ｌ 101:00 Ｃ０８Ｌ 101:00
(72)発明者 大澤 真司
山口県下松市東豊井1296番地の１ 東洋鋼
鈑株式会社技術研究所内
Ｆターム(参考） 4F073 AA01 AA32 BA06 BA10 BA15
BA18 BA19 BA20 BA21 BA22
BA23 BA24 BA25 BA26 BA28
BA29 BA31 BA32 BA33 BA34
BB02 BB11 CA01 CA49 CA65
GA01 GA11 HA03 HA05 HA12
4F100 AK01B AK01C AS00A AS00B
AS00C AT00A BA03 BA06
BA10B BA10C BA15 BA26
EJ17 EJ42 EJ61 GB41 GB43
JA04A JA04B JA04C JJ03
JL03
4F211 AD05 AD32 AG01 AG03 AH36
TA01 TA13 TC01 TH02 TH03
TH24 TN07 TQ04
Claims (4)
- 【請求項１】 基材の少なくとも片面に高分子板を積層
してなる高分子板積層材の製造方法であって、高分子板
と該高分子板より高い融点を有する基材とのそれぞれの
接合される面同士が対向するように当接して重ね合わせ
て加熱圧接することを特徴とする高分子板積層材の製造
方法。 - 【請求項２】 基材の少なくとも片面に高分子板を積層
してなる高分子板積層材の製造方法であって、高分子板
と該高分子板より高い融点を有する基材とのそれぞれの
接合される面を予め活性化処理を施した後、該高分子板
および該基材の活性化処理面同士が対向するように当接
して重ね合わせて加熱圧接することを特徴とする高分子
板積層材の製造方法。 - 【請求項３】 前記活性化処理が、プラズマ放電処理で
あることを特徴とする請求項２に記載の高分子板積層材
の製造方法。 - 【請求項４】 前記活性化処理が、前記高分子板および
前記基材をそれぞれ絶縁支持された一方の電極Ａと接触
させ、アース接地された他の電極Ｂとの間に、１〜５０
ＭＨｚの交流を印加して放電を行わせ、放電によって生
じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した前記高分
子板、前記基材のそれぞれの面積が、電極Ｂの面積の１
／３以下となるようにスパッタエッチング処理すること
を特徴とする請求項２に記載の高分子板積層材の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002000224A JP3825323B2 (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | 高分子板積層材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002000224A JP3825323B2 (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | 高分子板積層材の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003200495A true JP2003200495A (ja) | 2003-07-15 |
| JP3825323B2 JP3825323B2 (ja) | 2006-09-27 |
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ID=27640675
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|---|---|---|---|
| JP2002000224A Expired - Fee Related JP3825323B2 (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | 高分子板積層材の製造方法 |
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| JP (1) | JP3825323B2 (ja) |
Citations (10)
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| JPH02307750A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-20 | Reader:Kk | 熱封緘性積層フィルム |
| JPH0542603A (ja) * | 1991-04-05 | 1993-02-23 | Kuraray Co Ltd | 積層体の製造方法 |
| JPH0667596B2 (ja) * | 1989-04-03 | 1994-08-31 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 重合体積層構造体の層間接着方法 |
| JPH0770335A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 熱可塑性ポリイミド接着法およびその装置 |
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| JPH09309150A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Kuraray Co Ltd | 積層体の製造方法 |
| JP2000286537A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Kuraray Co Ltd | 回路基板およびその製造方法 |
| JP2001049002A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-20 | Kuraray Co Ltd | 熱可塑性液晶ポリマーフィルムおよびその製造方法 |
| JP3190547B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2001-07-23 | エイチエヌエイ・ホールディングス・インコーポレーテッド | モノリシツクｌｃｐポリマーマイクロエレクトニクス配線モジユール |
-
2002
- 2002-01-07 JP JP2002000224A patent/JP3825323B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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