JP2002316362A - 積層体の製造方法 - Google Patents
積層体の製造方法Info
- Publication number
- JP2002316362A JP2002316362A JP2001123639A JP2001123639A JP2002316362A JP 2002316362 A JP2002316362 A JP 2002316362A JP 2001123639 A JP2001123639 A JP 2001123639A JP 2001123639 A JP2001123639 A JP 2001123639A JP 2002316362 A JP2002316362 A JP 2002316362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminate
- polymer plate
- substrate
- polymer
- activated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接着剤を用いずに基材と高分子板を積層する積
層体の製造方法の提供。 【解決手段】基材および高分子板の互いに対向する面を
極低圧下で活性化処理を施した後、積層接合して積層体
を得る。
層体の製造方法の提供。 【解決手段】基材および高分子板の互いに対向する面を
極低圧下で活性化処理を施した後、積層接合して積層体
を得る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、接着剤を用いずに
基材と高分子板を積層する積層体の製造方法に関する。
基材と高分子板を積層する積層体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プリント配線板などの基材に
高分子などの板を積層した積層体が数多く提案されてお
り、その積層方法として接着剤を用いて接合する方法が
提案されている。
高分子などの板を積層した積層体が数多く提案されてお
り、その積層方法として接着剤を用いて接合する方法が
提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の積層法では、接着剤層による電気的特性の
劣化を招いたり、接着剤の耐熱が低いため積層体として
の耐熱性が制限されたり、接着剤層分の厚みや重量が増
し、軽量・薄型化に向かないなどの問題があった。
ような従来の積層法では、接着剤層による電気的特性の
劣化を招いたり、接着剤の耐熱が低いため積層体として
の耐熱性が制限されたり、接着剤層分の厚みや重量が増
し、軽量・薄型化に向かないなどの問題があった。
【０００４】本発明は、上記のような技術的背景に鑑
み、接着剤を用いずに基材と高分子板を積層する積層体
の製造方法を提供することを課題とする。
み、接着剤を用いずに基材と高分子板を積層する積層体
の製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の積層体の
製造方法は、真空槽内で基材および高分子板の互いに対
向させる面側を活性化処理し、ついで該真空槽内で活性
化処理された面同士が対向するように該基材および該高
分子板を当接して重ね合わせて圧接することを特徴とす
る製造方法である。この場合、活性化処理が、１０〜１
×１０−３Paの極低圧不活性ガス雰囲気中で、前記基材
および前記高分子板をアース接地した一方の電極Ａと接
触させ、絶縁支持した他の電極Ｂとの間に１〜５０MHz
の交流を印加してグロー放電を行わせ、かつグロー放電
によって生じたプラズマ中に露出する前記基材および前
記高分子板のそれぞれの面積を、電極Ｂの面積の１／３
以下となるようにスパッタエッチング処理することが好
ましい。
製造方法は、真空槽内で基材および高分子板の互いに対
向させる面側を活性化処理し、ついで該真空槽内で活性
化処理された面同士が対向するように該基材および該高
分子板を当接して重ね合わせて圧接することを特徴とす
る製造方法である。この場合、活性化処理が、１０〜１
×１０−３Paの極低圧不活性ガス雰囲気中で、前記基材
および前記高分子板をアース接地した一方の電極Ａと接
触させ、絶縁支持した他の電極Ｂとの間に１〜５０MHz
の交流を印加してグロー放電を行わせ、かつグロー放電
によって生じたプラズマ中に露出する前記基材および前
記高分子板のそれぞれの面積を、電極Ｂの面積の１／３
以下となるようにスパッタエッチング処理することが好
ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の製造方法を説明
する。
する。
【０００７】図１は、本発明の製造方法を用いた積層体
の一実施形態を示す概略断面図であり、基材２８の片面
に高分子板２６を積層した例を示している。図２は、本
発明の製造方法を用いた積層体の他の一実施形態を示す
概略断面図であり、基材２８の両面に高分子板２４、２
６を積層した例を示している。
の一実施形態を示す概略断面図であり、基材２８の片面
に高分子板２６を積層した例を示している。図２は、本
発明の製造方法を用いた積層体の他の一実施形態を示す
概略断面図であり、基材２８の両面に高分子板２４、２
６を積層した例を示している。
【０００８】高分子板２６の材質としては、積層体を製
造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、積層
体の用途により適宜選択して用いることができる。例え
ば、プラスチックなどの有機高分子物質やプラスチック
に繊維などを混ぜた混合体が適用される。積層体をフレ
キシブルプリント基板などに適用する場合には、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル、ナイロンなどの芳香族ポリアミ
ドなどが用いることができる。
造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、積層
体の用途により適宜選択して用いることができる。例え
ば、プラスチックなどの有機高分子物質やプラスチック
に繊維などを混ぜた混合体が適用される。積層体をフレ
キシブルプリント基板などに適用する場合には、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル、ナイロンなどの芳香族ポリアミ
ドなどが用いることができる。
【０００９】プラスチックとしては、例えば、アクリル
樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾ
グアナミン樹脂など）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウ
レタン樹脂、液晶ポリマー、ＥＥＡ樹脂（エチレンとエ
チルアクリレートのランダム共重合体）、ＡＡＳ樹脂、
ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル、ブタジエン及びスチレ
ンを組合せた樹脂）、ＡＣＳ樹脂、ＡＳ樹脂（スチレン
−アクリロニトリル共重合体樹脂）、アイオノマー樹
脂、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エ
ポキシ樹脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェ
ノール樹脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリ
アセタール、ポリアリレート、ポリアミド（６ナイロ
ン、１１ナイロン、１２ナイロン、６６ナイロン、６１
０ナイロン、６１２ナイロンなど）、ポリアミドイミ
ド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル
（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキン
ジメルテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレー
ト、ポリトリメチレンナフタレートなど）、ポリオレフ
ィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリカー
ボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリサル
ホン、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リブタジエン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどが
適用できる。
樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾ
グアナミン樹脂など）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウ
レタン樹脂、液晶ポリマー、ＥＥＡ樹脂（エチレンとエ
チルアクリレートのランダム共重合体）、ＡＡＳ樹脂、
ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル、ブタジエン及びスチレ
ンを組合せた樹脂）、ＡＣＳ樹脂、ＡＳ樹脂（スチレン
−アクリロニトリル共重合体樹脂）、アイオノマー樹
脂、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エ
ポキシ樹脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェ
ノール樹脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリ
アセタール、ポリアリレート、ポリアミド（６ナイロ
ン、１１ナイロン、１２ナイロン、６６ナイロン、６１
０ナイロン、６１２ナイロンなど）、ポリアミドイミ
ド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル
（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキン
ジメルテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレー
ト、ポリトリメチレンナフタレートなど）、ポリオレフ
ィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリカー
ボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリサル
ホン、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リブタジエン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどが
適用できる。
【００１０】また高分子板２６の厚みも積層体の用途に
より適宜選定される。例えば、１〜１０００μｍであ
る。１μｍ未満の場合には高分子板としての製造が難し
くなり、１０００μｍを超えると積層体としての製造が
難しくなる。積層体の用途がフレキシブルプリント基板
であれば、例えば３〜３００μｍの範囲のものが適用さ
れる。３μｍ未満の場合には機械的強度が乏しく、３０
０μｍを超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、１
０〜１５０μｍである。より好ましくは、２０〜７５μ
ｍである。
より適宜選定される。例えば、１〜１０００μｍであ
る。１μｍ未満の場合には高分子板としての製造が難し
くなり、１０００μｍを超えると積層体としての製造が
難しくなる。積層体の用途がフレキシブルプリント基板
であれば、例えば３〜３００μｍの範囲のものが適用さ
れる。３μｍ未満の場合には機械的強度が乏しく、３０
０μｍを超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、１
０〜１５０μｍである。より好ましくは、２０〜７５μ
ｍである。
【００１１】高分子板２４の材質としては、積層体を製
造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、積層
体の用途により適宜選定され、高分子板２６に適用でき
るものは選定可能であり、高分子板２４の材質や厚みは
高分子板２６と同じでも良いし異なっていても良い。
造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、積層
体の用途により適宜選定され、高分子板２６に適用でき
るものは選定可能であり、高分子板２４の材質や厚みは
高分子板２６と同じでも良いし異なっていても良い。
【００１２】基材２８は、積層体を製造可能な金属、無
機質、有機質からなる素材であれば特にその種類は限定
されず、積層体の用途により適宜選択して用いることが
できる。例えば、前記の高分子板やリジッドプリント配
線板やフレキシブルプリント配線板などである。基材が
プリント配線板の場合、表層に保護膜等が無く配線部が
露出しているものも用いることができる。基材が高分子
板の場合、高分子板２６に適用できるものは選定可能で
あり、基材の材質や厚みは、積層される高分子板２６と
同じでも良いし異なっていても良い。
機質、有機質からなる素材であれば特にその種類は限定
されず、積層体の用途により適宜選択して用いることが
できる。例えば、前記の高分子板やリジッドプリント配
線板やフレキシブルプリント配線板などである。基材が
プリント配線板の場合、表層に保護膜等が無く配線部が
露出しているものも用いることができる。基材が高分子
板の場合、高分子板２６に適用できるものは選定可能で
あり、基材の材質や厚みは、積層される高分子板２６と
同じでも良いし異なっていても良い。
【００１３】図１に示す積層体の製造方法について説明
する。真空槽内に、あらかじめ所定の大きさに切り出さ
れた高分子板２６および基材２８を設置し、それぞれ活
性化処理装置で活性化処理する。
する。真空槽内に、あらかじめ所定の大きさに切り出さ
れた高分子板２６および基材２８を設置し、それぞれ活
性化処理装置で活性化処理する。
【００１４】活性化処理は、以下のようにして実施す
る。すなわち、真空槽内に装填された高分子板２６、基
材２８をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触
させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に極低圧不活性
ガス雰囲気好ましくはアルゴンガス中で、１〜５０MHz
の交流を印加してグロー放電を行わせ、かつグロー放電
によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触し
た高分子板２６、基材２８のそれぞれの面積が、電極Ｂ
の面積の１／３以下で、スパッタエッチング処理する。
不活性ガスの圧力の範囲は好ましくは９×１０４〜１×
１０ー３Paであり、より好ましくは１０〜１×１０−３
Paである。なお不活性ガス圧力が１×１０ −３Pa未満で
は安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困
難であり、１０Paを超えると活性化処理効率が低下す
る。印加する交流は、１MHz未満では安定したグロー放
電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、
５０MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑とな
り好ましくない。また、効率よくエッチングするために
は電極Ａの面積を電極Ｂの面積より小さくする必要があ
り、１／３以下とすることにより充分な効率でエッチン
グ可能となる。
る。すなわち、真空槽内に装填された高分子板２６、基
材２８をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触
させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に極低圧不活性
ガス雰囲気好ましくはアルゴンガス中で、１〜５０MHz
の交流を印加してグロー放電を行わせ、かつグロー放電
によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触し
た高分子板２６、基材２８のそれぞれの面積が、電極Ｂ
の面積の１／３以下で、スパッタエッチング処理する。
不活性ガスの圧力の範囲は好ましくは９×１０４〜１×
１０ー３Paであり、より好ましくは１０〜１×１０−３
Paである。なお不活性ガス圧力が１×１０ −３Pa未満で
は安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困
難であり、１０Paを超えると活性化処理効率が低下す
る。印加する交流は、１MHz未満では安定したグロー放
電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、
５０MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑とな
り好ましくない。また、効率よくエッチングするために
は電極Ａの面積を電極Ｂの面積より小さくする必要があ
り、１／３以下とすることにより充分な効率でエッチン
グ可能となる。
【００１５】その後、これら活性化処理された高分子板
２６と基材２８を、活性化処理された面が対向するよう
にして両者を当接して重ね合わせて圧接ユニットで圧接
して積層接合する。また必要により、加熱圧接をしても
良い。加熱温度をＴ（℃）、溶融温度をＴｍ（℃）とす
ると、Ｔ＜Ｔｍが好ましい。特にガラス転移点が存在す
る材質、例えば液晶ポリマー等では、ガラス転移温度を
Ｔｇ（℃）とすると、Ｔｇ＜Ｔ＜Ｔｍが好ましい。より
好ましくは、Ｔｇ＋２０＜Ｔ＜Ｔｍ−２０である。この
ように積層接合することにより、積層体２０が形成され
て、図１に示す積層体２０が製造される。
２６と基材２８を、活性化処理された面が対向するよう
にして両者を当接して重ね合わせて圧接ユニットで圧接
して積層接合する。また必要により、加熱圧接をしても
良い。加熱温度をＴ（℃）、溶融温度をＴｍ（℃）とす
ると、Ｔ＜Ｔｍが好ましい。特にガラス転移点が存在す
る材質、例えば液晶ポリマー等では、ガラス転移温度を
Ｔｇ（℃）とすると、Ｔｇ＜Ｔ＜Ｔｍが好ましい。より
好ましくは、Ｔｇ＋２０＜Ｔ＜Ｔｍ−２０である。この
ように積層接合することにより、積層体２０が形成され
て、図１に示す積層体２０が製造される。
【００１６】次に図２に示す積層体２２は、上記説明に
おいて、基材２８の代わりに積層体２０を用いることで
同様にして製造される。
おいて、基材２８の代わりに積層体２０を用いることで
同様にして製造される。
【００１７】このようにして製造された積層体に、必要
により残留応力の除去または低減のために熱処理を施し
てもよい。この熱処理の際には、接合強度の低下の原因
となりうる有害ガス（例えば、酸素など）が高分子板を
透過する可能性があるため、真空中または減圧状態もし
くは還元性雰囲気中で行うことが好ましい。
により残留応力の除去または低減のために熱処理を施し
てもよい。この熱処理の際には、接合強度の低下の原因
となりうる有害ガス（例えば、酸素など）が高分子板を
透過する可能性があるため、真空中または減圧状態もし
くは還元性雰囲気中で行うことが好ましい。
【００１８】なお積層体の製造にはバッチ処理を用いる
ことができる。真空槽内に、あらかじめ所定の大きさに
切り出された高分子板や基材を複数装填して活性化処理
装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理す
べき面を対向または並置した状態などで設置または把持
して固定して活性化処理を行い、さらに高分子板や基材
を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理
後に設置または把持したまま圧接し、高分子板や基材を
保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置
などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより積層で
きる。
ことができる。真空槽内に、あらかじめ所定の大きさに
切り出された高分子板や基材を複数装填して活性化処理
装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理す
べき面を対向または並置した状態などで設置または把持
して固定して活性化処理を行い、さらに高分子板や基材
を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理
後に設置または把持したまま圧接し、高分子板や基材を
保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置
などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより積層で
きる。
【００１９】本発明の製造方法を用いた積層体に基材と
してプリント配線板を用いた場合、高分子板に回路パタ
ーンを形成し、スルーホールや層間の導通加工などを施
して回路の多層化を図ることが可能であり、この多層化
を図った積層体をさらに基材として用いてより多層のプ
リント配線板を得ることができる。また予め回路パター
ンなどを形成した高分子板や金属などの導電性の板を積
層した高分子板を基材に積層することも可能である。こ
のためプリント配線板（リジッドプリント配線板やフレ
キシブルプリント配線板など）などに好適であり、ＩＣ
カード、ＣＳＰ（チップサイズパッケージまたはチップ
スケールパッケージ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレ
イ）などのＩＣパッケージなどにも適用できる。
してプリント配線板を用いた場合、高分子板に回路パタ
ーンを形成し、スルーホールや層間の導通加工などを施
して回路の多層化を図ることが可能であり、この多層化
を図った積層体をさらに基材として用いてより多層のプ
リント配線板を得ることができる。また予め回路パター
ンなどを形成した高分子板や金属などの導電性の板を積
層した高分子板を基材に積層することも可能である。こ
のためプリント配線板（リジッドプリント配線板やフレ
キシブルプリント配線板など）などに好適であり、ＩＣ
カード、ＣＳＰ（チップサイズパッケージまたはチップ
スケールパッケージ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレ
イ）などのＩＣパッケージなどにも適用できる。
【００２０】
【実施例】以下に、実施例を説明する。 （実施例１）高分子板２６として厚み５０μｍの液晶ポ
リマーフィルムを用い、基材２８として厚み５０μｍの
液晶ポリマーフィルムを用いた。両液晶ポリマーフィル
ムを積層体製造装置にセットし、これらの液晶ポリマー
フィルムを、真空槽内の活性化処理ユニット内（アルゴ
ンガス雰囲気で、10-2〜10-1Pa）でスパッタエッチング
法によりそれぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処
理した液晶ポリマーフィルムを、圧接ユニットで活性化
処理面同士を当接して重ね合わせて圧接し、積層体２０
を製造した。
リマーフィルムを用い、基材２８として厚み５０μｍの
液晶ポリマーフィルムを用いた。両液晶ポリマーフィル
ムを積層体製造装置にセットし、これらの液晶ポリマー
フィルムを、真空槽内の活性化処理ユニット内（アルゴ
ンガス雰囲気で、10-2〜10-1Pa）でスパッタエッチング
法によりそれぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処
理した液晶ポリマーフィルムを、圧接ユニットで活性化
処理面同士を当接して重ね合わせて圧接し、積層体２０
を製造した。
【００２１】（実施例２）高分子板２６として厚み５０
μｍの液晶ポリマーフィルムを用い、基材２８として厚
み５０μｍのポリイミドフィルムを用いた。液晶ポリマ
ーフィルムとポリイミドフィルムを積層体製造装置にセ
ットし、液晶ポリマーフィルムとポリイミドフィルム
を、真空槽内の活性化処理ユニット内（アルゴンガス雰
囲気で、10-1〜10Pa）でスパッタエッチング法によりそ
れぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処理した液晶
ポリマーフィルムとポリイミドフィルムを、圧接ユニッ
トで活性化処理面同士を当接して重ね合わせて圧接し、
積層体２０を製造した。
μｍの液晶ポリマーフィルムを用い、基材２８として厚
み５０μｍのポリイミドフィルムを用いた。液晶ポリマ
ーフィルムとポリイミドフィルムを積層体製造装置にセ
ットし、液晶ポリマーフィルムとポリイミドフィルム
を、真空槽内の活性化処理ユニット内（アルゴンガス雰
囲気で、10-1〜10Pa）でスパッタエッチング法によりそ
れぞれ活性化処理した。次にこれら活性化処理した液晶
ポリマーフィルムとポリイミドフィルムを、圧接ユニッ
トで活性化処理面同士を当接して重ね合わせて圧接し、
積層体２０を製造した。
【００２２】（実施例３）基材２８として厚み５０μｍ
の液晶ポリマーフィルムの上に厚み１８μｍの銅箔を積
層し回路形成したものを用い、高分子板２６の代わりに
厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルムの上に厚み１８μ
ｍの銅箔を積層した積層板を用いた。基材と積層板を積
層体製造装置にセットし、基材の回路形成側と積層板の
液晶ポリマーフィルム側を、真空槽内の活性化処理ユニ
ット内（アルゴンガス雰囲気で、10 -2〜10-1Pa）でスパ
ッタエッチング法によりそれぞれ活性化処理した。次に
これら活性化処理した基材の回路形成側と積層板の液晶
ポリマーフィルム側を、圧接ユニットで活性化処理面同
士を当接して重ね合わせて圧接し、積層体２０を製造し
た。次にスルーホール加工、メッキによる導通加工なら
びに表層の回路形成を行い回路基板を製造した。
の液晶ポリマーフィルムの上に厚み１８μｍの銅箔を積
層し回路形成したものを用い、高分子板２６の代わりに
厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルムの上に厚み１８μ
ｍの銅箔を積層した積層板を用いた。基材と積層板を積
層体製造装置にセットし、基材の回路形成側と積層板の
液晶ポリマーフィルム側を、真空槽内の活性化処理ユニ
ット内（アルゴンガス雰囲気で、10 -2〜10-1Pa）でスパ
ッタエッチング法によりそれぞれ活性化処理した。次に
これら活性化処理した基材の回路形成側と積層板の液晶
ポリマーフィルム側を、圧接ユニットで活性化処理面同
士を当接して重ね合わせて圧接し、積層体２０を製造し
た。次にスルーホール加工、メッキによる導通加工なら
びに表層の回路形成を行い回路基板を製造した。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の積層体の製
造方法は、基材と高分子板の互いに対向させる表面を活
性化処理した後、活性化処理面同士を対向するように当
接し重ね合わせて圧接して形成したものである。このた
め、接着剤を用いておらず、より一層の軽量化や薄型化
が図れ、回路基板などへの適用も好適である。
造方法は、基材と高分子板の互いに対向させる表面を活
性化処理した後、活性化処理面同士を対向するように当
接し重ね合わせて圧接して形成したものである。このた
め、接着剤を用いておらず、より一層の軽量化や薄型化
が図れ、回路基板などへの適用も好適である。
【図１】本発明の製造方法を用いた積層体の一実施形態
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】本発明の製造方法を用いた積層体の他の一実施
形態を示す概略断面図である。
形態を示す概略断面図である。
２０ 積層体 ２２ 積層体 ２４ 高分子板 ２６ 高分子板 ２８ 基材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大澤 真司 山口県下松市東豊井1296番地の１ 東洋鋼 鈑株式会社技術研究所内 Ｆターム(参考） 4F211 AD05 AD32 AG03 AH36 AM28 TA13 TA16 TH24 TQ04
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽内で基材および高分子板の互いに
対向させる面側を活性化処理し、ついで該真空槽内で活
性化処理された面同士が対向するように該基材および該
高分子板を当接して重ね合わせて圧接することを特徴と
する基材と高分子板を積層してなる積層体の製造方法。 - 【請求項２】 前記活性化処理が１０〜１×１０−３Pa
の極低圧不活性ガス雰囲気中で、前記基材および前記高
分子板をアース接地した一方の電極Ａと接触させ、絶縁
支持した他の電極Ｂとの間に１〜５０MHzの交流を印加
してグロー放電を行わせ、かつグロー放電によって生じ
たプラズマ中に露出する前記基材および前記高分子板の
それぞれの面積を、電極Ｂの面積の１／３以下となるよ
うにスパッタエッチング処理することを特徴とする請求
項１に記載の積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001123639A JP2002316362A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001123639A JP2002316362A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 積層体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002316362A true JP2002316362A (ja) | 2002-10-29 |
Family
ID=18973165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001123639A Withdrawn JP2002316362A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002316362A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004078460A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Kuraray Co., Ltd. | プラスチックの接着方法 |
| JP2007216689A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-08-30 | Kuraray Co Ltd | プラスチックの接着方法 |
| JP2010076141A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Tokai Univ | 異種熱可塑性樹脂成型体の製造方法および異種熱可塑性樹脂成型体 |
| JP2013188677A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Asahi Fr R&D Co Ltd | マイクロ化学チップ |
-
2001
- 2001-04-20 JP JP2001123639A patent/JP2002316362A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004078460A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Kuraray Co., Ltd. | プラスチックの接着方法 |
| US8580069B2 (en) | 2003-03-07 | 2013-11-12 | Kuraray Co., Ltd. | Plastic bonding method |
| JP2007216689A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-08-30 | Kuraray Co Ltd | プラスチックの接着方法 |
| JP2010076141A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Tokai Univ | 異種熱可塑性樹脂成型体の製造方法および異種熱可塑性樹脂成型体 |
| JP2013188677A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Asahi Fr R&D Co Ltd | マイクロ化学チップ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11483934B2 (en) | Metal substrate and method of manufacturing the same | |
| US10212829B2 (en) | Method of manufacturing metal substrate | |
| WO2002017379A1 (fr) | Bande adhesive destinee a etre utilisee pour un substrat de connexion de semi-conducteurs et feuille stratifiee revetue de cuivre utilisant ladite bande | |
| JP2002316362A (ja) | 積層体の製造方法 | |
| JPWO2002085621A1 (ja) | 積層板およびその積層板を用いた部品 | |
| JP2002316379A (ja) | 積層体および積層体を用いた部品 | |
| JP3825323B2 (ja) | 高分子板積層材の製造方法 | |
| KR100583666B1 (ko) | 고분자판 도전판 접합체 및 고분자판 도전판 접합체를 이용한 부품 | |
| JPS61224492A (ja) | フレキシブルプリント回路基板 | |
| JP4117829B2 (ja) | 導電層積層材の製造方法および導電層積層材を用いた部品の製造方法 | |
| JP2003200548A (ja) | 高分子板積層材および高分子板積層材を用いた部品 | |
| JP2004071865A (ja) | 抵抗層積層材および抵抗層積層材を用いた部品 | |
| JP2003136626A (ja) | 導電層積層材および導電層積層材を用いた部品 | |
| JP2005324466A (ja) | 低熱膨張積層材および低熱膨張積層材を用いた部品 | |
| JP2003136665A (ja) | 導電層積層材の製造方法および導電層積層材を用いた部品の製造方法 | |
| JP2004071866A (ja) | 抵抗層積層材の製造方法および抵抗層積層材を用いた部品の製造方法 | |
| JP2007069617A (ja) | フレキシブル金属箔積層板の製造方法 | |
| JP2002273824A (ja) | 接着剤付き銅箔積層体およびその作製方法 | |
| JP2004174901A (ja) | 基体層積層材および基体層積層材を用いた部品 | |
| JP2004128460A (ja) | 抵抗層積層体の製造方法および抵抗層積層体を用いた部品の製造方法 | |
| JP2002273794A (ja) | 高分子板導電板接合体の製造方法 | |
| CN111278241A (zh) | 一种电压机用复合膜及其使用方法 | |
| JP2004128458A (ja) | 抵抗層積層体および抵抗層積層体を用いた部品 | |
| JP2004243702A (ja) | 合金層積層体の製造方法および合金層積層体を用いた部品の製造方法 | |
| JP2004042332A (ja) | 抵抗層接合材の製造方法および抵抗層接合材を用いた部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080701 |