JP2003192389A - ガラス加工方法及びガラス加工装置 - Google Patents

ガラス加工方法及びガラス加工装置

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JP2003192389A
JP2003192389A JP2001392606A JP2001392606A JP2003192389A JP 2003192389 A JP2003192389 A JP 2003192389A JP 2001392606 A JP2001392606 A JP 2001392606A JP 2001392606 A JP2001392606 A JP 2001392606A JP 2003192389 A JP2003192389 A JP 2003192389A
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glass
glass material
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etching
processing
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Atsushi Uchiumi
淳 内海
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は容易に且つ安定して平滑な表面が得ら
れることを課題とする。 【解決手段】ガラス材料表面に予めフッ素をドープした
層を形成する工程と、そのガラス材料をエッチング液に
浸漬して加工する工程とを具備することを特徴とするガ
ラス加工方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス加工方法及び
ガラス加工装置に関し、特にウェットエッチングにより
容易に且つ再現性良く平滑な加工表面を得るためのガラ
ス加工方法及びガラス加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知の如く、ウェットエッチングにより
ガラスを加工する場合、通常フッ酸が用いられている。
SiOの場合、次式 SiO + 6HF → HSiF + 2H
O の反応により溶解する。ここで、反応生成物であるH
SiFがエッチング表面付近において多量に生成する
ため、反応が妨げられて一様なエッチング反応が起こり
難くなり、平滑な加工面を得ることが難しくなる。この
ため、これを防ぐために、エッチング液を攪拌したり、
フッ酸に硫酸を混合する手段が採用されている。また、
フッ化アンモニウムをフッ酸に混合することにより、エ
ッチング液のpH値を一定に保ちエッチング特性を安定
化させることも一つの手段として用いられており、その
ときの反応は以下のようになる。
【0003】SiO + 6HF → HSiF
+ 2HO HSiF + 2NH → (NHSi
しかしながら、これらのエッチング溶液は混合溶液であ
り、混合比及び温度によるエッチング速度への影響が大
きくなるため、その管理が煩雑であり、また再現性の良
い加工が難しくなる。そのため、容易にかつ安定して平
滑な表面が得られるガラス加工方法が必要となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情を考
慮してなされたもので、ガラス材料表面に予めフッ素を
ドープした層を形成した後、そのガラス材料をエッチン
グ液に浸漬して加工することにより、従来のように管理
が煩雑等なることなく、容易に且つ安定して平滑な表面
が得られるガラス加工方法を提供することを目的とす
る。
【0005】また、本発明は、ガラス材料を浸漬するた
めのエッチング液を収容しかつ該エッチング液の濃度む
らを抑制する攪拌機能を有する攪拌槽と、この攪拌槽中
のエッチング液の温度分布を抑制する恒温槽と、ガラス
材料のエッチング液に対する引き上げ速度を調節可能な
自動移動装置と、この自動移動装置を制御するコントロ
ーラとを具備した構成にすることにより、容易に且つ安
定して平滑な表面が得られるガラス加工装置を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス材料表
面に予めフッ素をドープした層を形成する工程と、その
ガラス材料をエッチング液に浸漬して加工する工程とを
具備することを特徴とするガラス加工方法である。
【0007】また、本発明は、ガラス材料を浸漬するた
めのエッチング液を収容しかつ該エッチング液の濃度む
らを抑制する攪拌機能を有する攪拌槽と、この攪拌槽中
のエッチング液の温度分布を抑制する恒温槽と、ガラス
材料のエッチング液に対する引き上げ速度を調節可能な
自動移動装置と、この自動移動装置を制御するコントロ
ーラとを具備することを特徴とするガラス加工装置であ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に、本発明について更に詳し
く説明する。まず、本発明の実施例に係るガラス加工装
置について図1を参照して説明する。図中の符番1は、
ガラス材料としての光ファイバー2を浸漬するためのエ
ッチング液3を収容した攪拌槽を示す。この攪拌槽1の
底部には、前記エッチング液3の濃度むらを抑制するた
めの攪拌機(攪拌棒)4が配置されている。また、攪拌
槽1のエッチング液3には、熱電対5が浸漬されてい
る。前記攪拌槽1は、エッチング液3の温度分布を抑制
するための恒温槽6により保護されている。ここで、恒
温槽6には、前記攪拌槽1内のエッチング液3の温度を
上げるためのヒータ13が配置されているとともに、こ
のヒータ13の温度を調節する調節器7が配置されてい
る。この調節器7には前記熱電対5及びヒータ13が電
気的に接続され、熱電対5からの測定値によりフィード
バック制御するようになっている。
【0009】前記光ファイバー2は、試料ホルダー8の
一端側に把持されている。前記試料ホルダー8の他端
は、自動移動装置9に連結されている。この自動移動装
置9により、前記ホルダー8が上下に動いて光ファイバ
ー2をエッチング液面に対して垂直に上下させるように
なっている。従って、光ファイバー2の引き上げ速度が
調節できる。この自動移動装置9には、該装置9を制御
するコントローラ10に電気的に接続されている。この
コントローラ10により、自動移動装置9に信号を送
り、試料ホルダー8を上下動及び静止させるようになっ
ている。
【0010】このように、本発明に係るガラス加工装置
は、光ファイバー2を浸漬するためのエッチング液3を
収容しかつ該エッチング液3の濃度むらを抑制する攪拌
機4を備えた攪拌槽6と、この攪拌槽6中のエッチング
液3の温度分布を抑制する恒温槽6と、光ファイバー2
のエッチング液3に対する引き上げ速度を調節可能な自
動移動装置9と、この自動移動装置9を制御するコント
ローラ10とを具備している。
【0011】こうしたガラス加工装置を用いてガラス加
工する場合は、ガラス材料表面に予めフッ素をドープし
た層を形成した後、そのガラス材料をエッチング液に浸
漬することにより細径加工、テーパ加工等の加工を行
う。
【0012】図2は、本発明に係るガラス材料の一例を
示すもので、ガラス11の表面にフッ素ドープ層11a
が形成された構成となっている。
【0013】
【実施例】以下、本発明の各実施例について説明する。
なお、下記実施例で述べる構成部材の材料や径、時間等
の数値は一例を示すもので、本発明の権利範囲はこれに
限らない。
【0014】(実施例1)本実施例1では、ガラス材料
として、クラッド径330μm、コア系300μmのS
iOコアの光ファイバーを用いた。その断面を顕微鏡
で撮影したところ、図3に示すとおりになった。図3
中、符番12は中心部に存在するSiOコア部であ
り、符番14はそのコア部の外周に形成されて、やや黒
く見えるフッ素ドープしたSiOクラッド層である。
【0015】上記ガラス材料を濃度46%のフッ酸水溶
液に一定時間浸漬することにより、細径化加工を行っ
た。ここで、エッチング加工は、図1に示すように光フ
ァイバー2を試料ホルダー8に固定し、エッチング液3
に垂直に浸漬することにより行なった。この時のエッチ
ング時間は94分である。また、エッチング液3の温度
は室温程度(20〜24℃)であり、攪拌機4によりエ
ッチング液3を渦ができない程度に攪拌した。その加工
表面を光学顕微鏡を用いて観察したところ、図5に示す
ような写真のn式図が得られた。図5中の符番15は、
光ファイバー2の周面(加工表面)を示す。図5より、
加工表面15が平滑であることが確認できた。
【0016】また、本実施例1と比較するために、外径
250μmのSiOのみの光ファイバーを用いて40
分間同様のエッチング加工をしたときの加工表面を光学
顕微鏡で観察したところ、図6に示す写真の模式図が得
られた(比較例)。図6より、比較例の場合の加工表面
16はやや凹凸面になっていることが確認された。これ
らの結果より、本実施例1によれば、比較例と比べ平滑
なエッチング加工表面が得られることが分かった。
【0017】(実施例2)本実施例2では、実施例1と
同様のガラス材料を用いて、テーパ加工を行なった。即
ち、長さ120mmの試料を試料ホルダー6へ固定し、
自動移動装置9により光ファイバー2をエッチング液表
面と垂直になるように降下し、100mm分を浸漬し
た。その後、引き上げ速度約0.54mm/minで5
0mm引き上げた。このときの形状を図4に示す。図4
より、光ファイバー中央付近の長さ50mmに渡って、
テーパ形状となる加工ができているのが分かる。このテ
ーパ形状となっている一部を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、図7に示すような写真の模式図が得られた。図7よ
り、本発明に係る加工方法によれば平滑なテーパ加工表
面17が得られることが分かる。
【0018】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ガ
ラス材料表面に予めフッ素をドープした層を形成した
後、そのガラス材料をエッチング液に浸漬して加工する
ことにより、従来のように管理が煩雑等なることなく、
容易に且つ安定して平滑な表面が得られるガラス加工方
法を提供できる。
【0019】また、本発明によれば、ガラス材料を浸漬
するためのエッチング液を収容しかつ該エッチング液の
濃度むらを抑制する攪拌機能を有する攪拌槽と、この攪
拌槽中のエッチング液の温度分布を抑制する恒温槽と、
ガラス材料のエッチング液に対する引き上げ速度を調節
可能な自動移動装置と、この自動移動装置を制御するコ
ントローラとを具備した構成にすることにより、容易に
且つ安定して平滑な表面が得られるガラス加工装置を提
供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明に係るガラス加工装置の説明
図。
【図2】図2は、本発明に係るガラス材料の一例を示す
説明図。
【図3】図3は、本発明に係るガラス加工方法によるガ
ラス材料の断面を顕微鏡で観察したときの写真。
【図4】図4は、本発明に係るガラス加工方法によりガ
ラス材料にテーパ加工を行なったときの試料長さと径と
の関係を示す特性図。
【図5】図5は、本発明に係るガラス加工方法によりガ
ラス材料に細径化加工を行なったときの加工表面の模式
図。
【図6】図6は、従来に係るガラス加工方法によりガラ
ス材料に細径化加工を行なったときの加工表面の模式
図。
【図7】図7は、従来に係るガラス加工方法によりガラ
ス材料にテーパ加工を行なったときの加工表面の模式
図。
【符号の説明】
1…攪拌槽、 2…光ファイバー(試料)、 3…エッチング液、 4…攪拌機、 5…熱電対、 6…恒温槽、 7…調節器、 8…試料ホルダー、 9…自動移動装置、 10…コントローラ、 11…ガラス、 11a…フッ素ドープ層、 12…SiOコア部、 13…ヒータ、 14…SiOクラッド層、 15,16,17…加工表面。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス材料表面に予めフッ素をドープし
    た層を形成する工程と、そのガラス材料をエッチング液
    に浸漬して加工する工程とを具備することを特徴とする
    ガラス加工方法。
  2. 【請求項2】 ガラス材料を浸漬するためのエッチング
    液を収容しかつ該エッチング液の濃度むらを抑制する攪
    拌機能を有する攪拌槽と、この攪拌槽中のエッチング液
    の温度分布を抑制する恒温槽と、ガラス材料のエッチン
    グ液に対する引き上げ速度を調節可能な自動移動装置
    と、この自動移動装置を制御するコントローラとを具備
    することを特徴とするガラス加工装置。
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WO2009119826A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 古河電気工業株式会社 板材の製造方法および板材

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