JP2003188337A - 高周波モジュール - Google Patents

高周波モジュール

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 性能が良く、薄型で、ＩＣチップの破損の少
ない高周波モジュールを提供する。 【解決手段】 本発明の高周波モジュールは、複数枚の
セラミック薄板２が積層されて形成された絶縁基体１
と、この絶縁基体１の上面に形成された絶縁層７とを備
え、絶縁層７の上面には、薄膜によって形成された配線
パターン８と、この配線パターン８に接続され、薄膜に
よって形成された少なくとも抵抗、又は／及びコンデン
サからなる電気部品９とで構成される薄膜回路１０が形
成されため、従来に比して、電気部品が精度良く形成で
きて、性能の良好な高周波モジュールを提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話機に使用さ
れる送受信ユニットや電圧制御発振器等に使用して好適
な高周波モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波モジュールは、積層されて
形成された絶縁基体の表面や層間には、厚膜によって配
線パターンが形成されると共に、絶縁基体の表面と層間
には、厚膜によって抵抗やコンデンサからなる電気部品
が形成されている。また、絶縁基体の表面に形成された
配線パターンには、半導体からなるＩＣチップが搭載さ
れて、ＩＣチップが絶縁基体の表面から露出、突出した
状態で取り付けられた構成となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波モジュー
ルは、厚膜によって電気部品が形成されているため、そ
のバラツキが大きく、性能が悪くなるという問題があ
る。また、ＩＣチップが絶縁基体の表面に搭載されてい
るため、厚みが大きくなって、薄型に不適であると共
に、露出状態にあるＩＣチップに外力がかかりやすく、
破損を招くという問題がある。
【０００４】そこで、本発明は性能が良く、薄型で、Ｉ
Ｃチップの破損の少ない高周波モジュールを提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の解決手段として、複数枚のセラミック薄板が積
層されて形成された絶縁基体と、この絶縁基体の上面に
形成された絶縁層とを備え、前記絶縁層の上面には、薄
膜によって形成された配線パターンと、この配線パター
ンに接続され、薄膜によって形成された少なくとも抵
抗、又は／及びコンデンサからなる電気部品とで構成さ
れる薄膜回路が形成され、前記絶縁基体は、少なくとも
層間に形成された導電体と、厚み方向に形成された第
１，第２の接続導体と、前記導電体に接続された状態
で、側面に形成された電極部とを有し、前記第１の接続
導体が前記配線パターンに接続されると共に、前記第２
の接続導体が前記絶縁基体内に収納されたＩＣチップと
前記配線パターンとに接続された構成とした。
【０００６】また、第２の解決手段として、前記絶縁基
体が低温で焼成可能な前記セラミック薄板で形成される
と共に、前記絶縁層がガラス、又はポリイミドで形成さ
れた構成とした。また、第３の解決手段として、前記接
続導体の上端は、前記絶縁基体の上面から突出した突出
部を有し、この突出部が前記絶縁層の表面と面一、又は
前記絶縁層の表面から突出して、前記突出部に前記配線
パターンを導通させた構成とした。
【０００７】また、第４の解決手段として、前記ＩＣチ
ップを収納する前記絶縁基体の凹部には、絶縁材からな
る封止材が充填された構成とした。また、第５の解決手
段として、前記ＩＣチップがベアチップで形成された構
成とした。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の高周波モジュールの図面
を説明すると、図１は本発明の高周波モジュールの斜視
図、図２は本発明の高周波モジュールの要部の断面図で
ある。
【０００９】次に、本発明の高周波モジュールの構成を
図１，図２に基づいて説明すると、平板状の絶縁基体１
は、複数枚のセラミック薄板２が積層されて形成され、
その下面には、複数個の凹部１ａが設けられると共に、
絶縁基体１の厚み方向には、複数個の孔１ｂが設けられ
ている。
【００１０】また、絶縁基体１の層間と、凹部１ａの底
面には、銀等の導電材からなる導電体３が設けられてお
り、これ等の導電体３は、孔１ｂに対応した位置で形成
されている。
【００１１】銀等の導電材からなる第１，第２の接続導
体４，５は、絶縁基体１の孔１ｂに充填されて形成さ
れ、第１の接続導体４は、層間に形成された導電体３に
接続されると共に、第２の接続導体５は、凹部１ａの底
面に設けられた導電体３に接続されている。
【００１２】そして、この第１，第２の接続導体４，５
の上端は、絶縁基体１の上面から僅かに突出した突出部
４ａ、５ａを有する。また、絶縁基体１の側面には、銀
等の導電材からなる複数の電極部６が設けられ、この電
極部６は、層間に形成された導電体３に接続された状態
で、絶縁基体１の厚み方向に形成されると共に、絶縁基
体１の下面に跨って形成されている。
【００１３】このような構成を有する絶縁基体１の製造
は、低温（１０００℃以下）で焼成可能なグリーンシー
ト（生状態）からなる複数枚のセラミック薄板２が積層
されると共に、銀ペーストからなる導電体３に導通する
ように、銀ペーストからなる第１，第２の接続導体４，
５を孔１ｂに充填し、且つ、導電体３に導通した状態
で、銀ペーストからなる電極部６を側面に形成する。
【００１４】次に、これを焼成すると、セラミック薄板
２は焼結して、ブロック体からなる絶縁基体１が形成さ
れると共に、銀ペーストが焼成されて、導電体３と第
１，第２の接続導体４，５、及び電極部６が形成され
る。この時、第１，第２の接続導体４，５の上端の突出
部４ａ、５ａは、絶縁基体１の上面から突出した状態で
形成される。
【００１５】絶縁層７は、ガラス、ポリイミド、ＳｉＯ
２、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アモルファスフッ
素樹脂、窒化シリコン、エポキシ樹脂等からなり、この
絶縁層７は、第１，第２の接続導体４，５の突出部４
ａ、５ａの先端を除く絶縁基体１の上面に形成されてい
る。そして、絶縁層７が形成された際、突出部４ａ、５
ａの先端部は、絶縁層７の表面と面一、或いは絶縁層７
の表面から僅かに突出した状態となっている。
【００１６】この絶縁層７の表面には、蒸着等によって
薄膜形成された配線パターン８が設けられると共に、こ
の配線パターン８に接続された状態で、絶縁層７の表面
には、薄膜によって抵抗９ａ、コンデンサ９ｂ、及びイ
ンダクタ９ｃからなる電気部品９が形成されて、絶縁層
７の表面には、薄膜回路１０が形成されている。
【００１７】また、絶縁層７の表面に配線パターン８が
形成された際、配線パターン８は、第１，第２の接続導
体４，５の突出部４ａ、５ａに導通した状態で形成され
て、配線パターン８が第１の接続導体４と導電体３を介
して、側面に位置する電極部６に電気的に導出された構
成となる。
【００１８】半導体のベアチップからなるＩＣチップ１
１は、絶縁基体１の凹部１ａ内に収納され、ＩＣチップ
１１のワイヤ１１ａと引出電極１１ｂがそれぞれ導電体
３に接続される。その結果、ＩＣチップ１１は、導電体
３と第２の接続導体５とを介して配線パターン８に接続
された構成となる。
【００１９】絶縁材からなる封止材１２は、絶縁基体１
の凹部１ａに充填されて、ＩＣチップ１１を封止してお
り、これによって、ＩＣチップ１１が外気、及び外力か
ら保護されると共に、封止材１２の下面が絶縁基体１の
下面と一致して、絶縁基体１の搭載時における安定を図
っている。
【００２０】このような構成を有する高周波モジュール
は、電子機器の回路基板上に載置され、絶縁基体１の側
面に設けられた電極部６が回路基板上の導電パターンに
半田付けされて、高周波モジュールは、取付、配線が行
われるようになっている。
【００２１】
【発明の効果】本発明の高周波モジュールは、複数枚の
セラミック薄板が積層されて形成された絶縁基体と、こ
の絶縁基体の上面に形成された絶縁層とを備え、絶縁層
の上面には、薄膜によって形成された配線パターンと、
この配線パターンに接続され、薄膜によって形成された
少なくとも抵抗、又は／及びコンデンサからなる電気部
品とで構成される薄膜回路が形成されため、従来に比し
て、電気部品が精度良く形成できて、性能の良好な高周
波モジュールを提供できる。また、絶縁基体内には、Ｉ
Ｃチップが収納されているため、従来に比して、薄型に
できると共に、ＩＣチップの破損の少ないものが提供で
きる。
【００２２】また、絶縁基体が低温で焼成可能なセラミ
ック薄板で形成されため、銀による導電体、接続導体、
及び電極部が形成できて、電気損失が少なく、回路基板
への半田付けの確実なものが得られる。また、絶縁層が
ガラス、又はポリイミドで形成されたため、表面が滑ら
かで、薄膜による配線パターンや電気部品が高精度に形
成できる。
【００２３】また、接続導体の上端は、絶縁基体の上面
から突出した突出部を有し、この突出部が絶縁層の表面
と面一、又は絶縁層の表面から突出して、突出部に配線
パターンを導通させたため、接続導体と配線パターンの
導通が容易となり、生産性の良好なものが得られる。
【００２４】また、ＩＣチップを収納する絶縁基体の凹
部には、絶縁材からなる封止材が充填されたため、ＩＣ
チップの保護が確実となり、ＩＣチップの破損のより少
ないものが得られる。
【００２５】また、ＩＣチップがベアチップで形成され
たため、ＩＣチップが安価となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波モジュールの斜視図。
【図２】本発明の高周波モジュールの要部の断面図。
【符号の説明】
１ 絶縁基体 １ａ 凹部 １ｂ 孔 ２ セラミック薄板 ３ 導電体 ４ 第１の接続導体 ５ 第２の接続導体 ６ 電極部 ７ 絶縁層 ８ 配線パターン ９ 電気部品 ９ａ 抵抗 ９ｂ コンデンサ ９ｃ インダクタ １０ 薄膜回路 １１ ＩＣチップ １１ａ ワイヤ １１ｂ 引出電極

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数枚のセラミック薄板が積層されて形
    成された絶縁基体と、この絶縁基体の上面に形成された
    絶縁層とを備え、前記絶縁層の上面には、薄膜によって
    形成された配線パターンと、この配線パターンに接続さ
    れ、薄膜によって形成された少なくとも抵抗、又は／及
    びコンデンサからなる電気部品とで構成される薄膜回路
    が形成され、前記絶縁基体は、少なくとも層間に形成さ
    れた導電体と、厚み方向に形成された第１，第２の接続
    導体と、前記導電体に接続された状態で、側面に形成さ
    れた電極部とを有し、前記第１の接続導体が前記配線パ
    ターンに接続されると共に、前記第２の接続導体が前記
    絶縁基体内に収納されたＩＣチップと前記配線パターン
    とに接続されたことを特徴とする高周波モジュール。
  2. 【請求項２】 前記絶縁基体が低温で焼成可能な前記セ
    ラミック薄板で形成されると共に、前記絶縁層がガラ
    ス、又はポリイミドで形成されたことを特徴とする請求
    項１記載の高周波モジュール。
  3. 【請求項３】 前記接続導体の上端は、前記絶縁基体の
    上面から突出した突出部を有し、この突出部が前記絶縁
    層の表面と面一、又は前記絶縁層の表面から突出して、
    前記突出部に前記配線パターンを導通させたことを特徴
    とする請求項１、又は２記載の高周波モジュール。
  4. 【請求項４】 前記ＩＣチップを収納する前記絶縁基体
    の凹部には、絶縁材からなる封止材が充填されたことを
    特徴とする請求項１から３の何れかに記載の高周波モジ
    ュール。
  5. 【請求項５】 前記ＩＣチップがベアチップで形成され
    たことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の高
    周波モジュール。
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