JP2002134689A - 高周波モジュールならびにその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小形化が可能で、生産性が良好で、回路損失
が少なく、パワー素子の搭載自由度が拡大できる高周波
モジュールを提供する。 【解決手段】 メタルコア１０１の貫通孔１０２にガラ
ス同軸線１２１を設置し、そのメタルコア基板１１の主
面に表面弾性波素子２１、半導体デバイス２２、チップ
部品２３、コイル部品２５などの部品を搭載して、これ
らの部品の全部または一部を覆うように金属製キャップ
１２を被せ、その金属製キャップ１２の開口端をメタル
コア１０１に固着したことを特徴とする。
が少なく、パワー素子の搭載自由度が拡大できる高周波
モジュールを提供する。 【解決手段】 メタルコア１０１の貫通孔１０２にガラ
ス同軸線１２１を設置し、そのメタルコア基板１１の主
面に表面弾性波素子２１、半導体デバイス２２、チップ
部品２３、コイル部品２５などの部品を搭載して、これ
らの部品の全部または一部を覆うように金属製キャップ
１２を被せ、その金属製キャップ１２の開口端をメタル
コア１０１に固着したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波モジュール
ならびにその製造方法に係り、特に携帯電話機などの通
信機器に使用される高周波モジュールの実装技術に関す
る。
ならびにその製造方法に係り、特に携帯電話機などの通
信機器に使用される高周波モジュールの実装技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機などの通信機器の小形、軽量
化のために複数の部品を集約したモジュール化実装が進
められている。例えば特開平５−２３５６８９号公報に
記載されている実装技術では、個々にパッケージされた
表面弾性波素子（以下、ＳＡＷ素子と表記する）の個別
部品実装方式を止め、ＳＡＷ素子そのものを他の部品と
ともにモジュール基板に実装し、その全体または一部を
キャップで封止する方法が採用されている。
化のために複数の部品を集約したモジュール化実装が進
められている。例えば特開平５−２３５６８９号公報に
記載されている実装技術では、個々にパッケージされた
表面弾性波素子（以下、ＳＡＷ素子と表記する）の個別
部品実装方式を止め、ＳＡＷ素子そのものを他の部品と
ともにモジュール基板に実装し、その全体または一部を
キャップで封止する方法が採用されている。
【０００３】その概念図を図４に示した。これによる
と、高周波モジュール１０に実装されたＳＡＷ素子２１
は半導体デバイス２２や複数のチップ部品２３とともに
セラミック基板１３に搭載して接続され、全体がキャッ
プ１２で覆われて封止されている。図中の１０３はセラ
ミック基板１３の裏面に形成された外部電極である。
と、高周波モジュール１０に実装されたＳＡＷ素子２１
は半導体デバイス２２や複数のチップ部品２３とともに
セラミック基板１３に搭載して接続され、全体がキャッ
プ１２で覆われて封止されている。図中の１０３はセラ
ミック基板１３の裏面に形成された外部電極である。
【０００４】ＳＡＷ素子単体を個別にパッケージしない
ので、その分小形、軽量化が図れる。一方、ＳＡＷ素子
２１に対する気密性を確保するには高周波モジュール１
０の基板をセラミック基板１３で構成する必要がある。
その理由は、ガラスエポキシ基板のような有機材料系絶
縁物を使用した有機基板では、必ず有機材料を透過して
水分が侵入するからである。
ので、その分小形、軽量化が図れる。一方、ＳＡＷ素子
２１に対する気密性を確保するには高周波モジュール１
０の基板をセラミック基板１３で構成する必要がある。
その理由は、ガラスエポキシ基板のような有機材料系絶
縁物を使用した有機基板では、必ず有機材料を透過して
水分が侵入するからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、セラミック基
板は気密性に優れているが、有機基板に比較し次のよう
な欠点を有している。 （１）セラミック基板は寸法精度が劣るため、多数個取
りする割り基板サイズに限界があり、取数が少ない。 （２）セラミック基板は寸法精度が劣るため、多数個取
りする割り基板の部品搭載位置検出点が多く必要である
とともに、基板の反りも無視できないため部品搭載時に
個々に部品搭載面の高さを測定する必要がある。 （３）導体配線パターン精度が劣るため、高密度配線に
対応するためには配線層数を増やす必要がある。 （４）配線材料に普通タングステン系の焼結導体材料を
使用するため、配線抵抗が大きく回路損失が大きい。 （５）セラミック基板は有機基板より熱伝導性に優れて
はいるが、例えば出力増幅用トランジスタなどのパワー
素子の放熱に対して限界がある。
板は気密性に優れているが、有機基板に比較し次のよう
な欠点を有している。 （１）セラミック基板は寸法精度が劣るため、多数個取
りする割り基板サイズに限界があり、取数が少ない。 （２）セラミック基板は寸法精度が劣るため、多数個取
りする割り基板の部品搭載位置検出点が多く必要である
とともに、基板の反りも無視できないため部品搭載時に
個々に部品搭載面の高さを測定する必要がある。 （３）導体配線パターン精度が劣るため、高密度配線に
対応するためには配線層数を増やす必要がある。 （４）配線材料に普通タングステン系の焼結導体材料を
使用するため、配線抵抗が大きく回路損失が大きい。 （５）セラミック基板は有機基板より熱伝導性に優れて
はいるが、例えば出力増幅用トランジスタなどのパワー
素子の放熱に対して限界がある。
【０００６】前述のように従来の技術では、特にＳＡＷ
素子を含む部品をモジュール化するには気密性を確保す
る必要性からセラミック基板を用いていた。このため、
前記した５つの問題があった。これらのうち（１）から
（３）は低コスト化に対する生産上の課題であり、
（４）は電気特性上、（５）は実装上の課題である。
素子を含む部品をモジュール化するには気密性を確保す
る必要性からセラミック基板を用いていた。このため、
前記した５つの問題があった。これらのうち（１）から
（３）は低コスト化に対する生産上の課題であり、
（４）は電気特性上、（５）は実装上の課題である。
【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、小形化が可能で、生産性が良好で、回路損
失が少なく、パワー素子の搭載自由度が拡大できる高周
波モジュールならびにその製造方法を提供することにあ
る。
点を解消し、小形化が可能で、生産性が良好で、回路損
失が少なく、パワー素子の搭載自由度が拡大できる高周
波モジュールならびにその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の第１の手段は、メタルコアの貫通孔にガラス同
軸線を挿入し、そのメタルコア基板の主面に表面弾性波
素子、半導体デバイス、チップコンデンサ、チップ抵
抗、コイル部品など必要な部品を搭載して、これらの部
品の全部または一部を覆うように金属製キャップを被
せ、その金属製キャップの開口端を前記メタルコアに例
えば直接半田付けまたは溶接などで固着したことを特徴
とするものである。
本発明の第１の手段は、メタルコアの貫通孔にガラス同
軸線を挿入し、そのメタルコア基板の主面に表面弾性波
素子、半導体デバイス、チップコンデンサ、チップ抵
抗、コイル部品など必要な部品を搭載して、これらの部
品の全部または一部を覆うように金属製キャップを被
せ、その金属製キャップの開口端を前記メタルコアに例
えば直接半田付けまたは溶接などで固着したことを特徴
とするものである。
【０００９】第２の手段は前記第１の手段において、前
記メタルコア基板にメタルコア材として鉄−ニッケル合
金系材料を用い、絶縁層材料にフッ素樹脂または液晶ポ
リマまたはポリイミド樹脂を用い、配線主材に銅または
銅合金を用いたことを特徴とするものである。
記メタルコア基板にメタルコア材として鉄−ニッケル合
金系材料を用い、絶縁層材料にフッ素樹脂または液晶ポ
リマまたはポリイミド樹脂を用い、配線主材に銅または
銅合金を用いたことを特徴とするものである。
【００１０】第３の手段は、前記第１の手段または第２
の手段の高周波モジュールを、例えば携帯電話機などの
通信機器に装着したことを特徴とするものである。
の手段の高周波モジュールを、例えば携帯電話機などの
通信機器に装着したことを特徴とするものである。
【００１１】第４の手段は、メタルコアの所定位置に貫
通孔を形成する工程と、メタルコアの貫通孔に同軸線を
挿入してガラスで封止する工程と、そのメタルコアの表
裏面を平坦化した後に、銅または銅合金のメッキを施す
工程と、メタルコアの上に逐次積層プロセス法で配線層
を形成する工程と、キャップ封止部に相当する部分の絶
縁層をレーザビームで除去する工程とによりメタルコア
基板を得ることを特徴とするものである。
通孔を形成する工程と、メタルコアの貫通孔に同軸線を
挿入してガラスで封止する工程と、そのメタルコアの表
裏面を平坦化した後に、銅または銅合金のメッキを施す
工程と、メタルコアの上に逐次積層プロセス法で配線層
を形成する工程と、キャップ封止部に相当する部分の絶
縁層をレーザビームで除去する工程とによりメタルコア
基板を得ることを特徴とするものである。
【００１２】前述のように本発明はセラミック基板に代
えて、メタルコア基板を使用した。メタルコア基板はコ
ア部が金属板であり、この表裏面に通常の逐次積層プロ
セスで配線層を形成する。このため、セラミック基板で
問題となった寸法精度は有機基板並みに改善される。そ
の結果、従来の技術で述べた（１）から（３）の課題は
解決する。また、配線主材料に銅または銅合金を使用す
るため配線抵抗を低くでき、（４）の課題は解決する。
さらに、パワー素子の搭載部の絶縁層を除去し、パワー
素子を直接熱伝導性の良いメタルコアにダイボンドする
ことで（５）の課題は解決する。
えて、メタルコア基板を使用した。メタルコア基板はコ
ア部が金属板であり、この表裏面に通常の逐次積層プロ
セスで配線層を形成する。このため、セラミック基板で
問題となった寸法精度は有機基板並みに改善される。そ
の結果、従来の技術で述べた（１）から（３）の課題は
解決する。また、配線主材料に銅または銅合金を使用す
るため配線抵抗を低くでき、（４）の課題は解決する。
さらに、パワー素子の搭載部の絶縁層を除去し、パワー
素子を直接熱伝導性の良いメタルコアにダイボンドする
ことで（５）の課題は解決する。
【００１３】気密性の確保はメタルコア基板の貫通孔に
ガラス同軸線を用い、そのメタルコア基板の主面に表面
弾性波素子、半導体デバイス、チップコンデンサ、チッ
プ抵抗、コイル部品など必要な部品を搭載し、これらの
部品の中で気密性の必要な部分を金属製キャップで覆
い、そのメタルコアに直接半田付けまたは溶接すること
で達成される。すなわち気密性の必要な部品は、金属ま
たはガラスといった無機材料だけで封止された状態にな
るため、十分な気密性が得られる。
ガラス同軸線を用い、そのメタルコア基板の主面に表面
弾性波素子、半導体デバイス、チップコンデンサ、チッ
プ抵抗、コイル部品など必要な部品を搭載し、これらの
部品の中で気密性の必要な部分を金属製キャップで覆
い、そのメタルコアに直接半田付けまたは溶接すること
で達成される。すなわち気密性の必要な部品は、金属ま
たはガラスといった無機材料だけで封止された状態にな
るため、十分な気密性が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。なお、全図を対象に同一機能を示す要素には同
じ符号を付した。図１は本発明の第１実施形態に係る高
周波モジュールを説明するための図で、同図（ａ）にそ
の全体概念図、同図（ｂ）にそのメタルコア基板の拡大
図を示す。
明する。なお、全図を対象に同一機能を示す要素には同
じ符号を付した。図１は本発明の第１実施形態に係る高
周波モジュールを説明するための図で、同図（ａ）にそ
の全体概念図、同図（ｂ）にそのメタルコア基板の拡大
図を示す。
【００１５】図１には部品として、ＳＡＷ素子２１、半
導体デバイス２２、チップ部品２３、半導体素子２４お
よびコイル部品２５を搭載した携帯電話機用高周波モジ
ュールの例を示した。これらの部品はメタルコア基板１
１にダイボンド、ワイヤボンド、半田付け、あるいはフ
リップチップボンディング（図示せず）で基板に物理的
および電気的に接続される。特に放熱を必要とする電力
増幅用の半導体素子２４は、ベアチップをメタルコア基
板１１のメタルコア１０１〔同図（ｂ）参照〕にＡｕＳ
ｉ、ＡｕＳｎ、熱伝導接着剤などで直接ダイボンドし
て、放熱特性を確保している。メタルコア１０１は、例
えば鉄−ニッケル系金属材料などの金属で構成されてい
る。
導体デバイス２２、チップ部品２３、半導体素子２４お
よびコイル部品２５を搭載した携帯電話機用高周波モジ
ュールの例を示した。これらの部品はメタルコア基板１
１にダイボンド、ワイヤボンド、半田付け、あるいはフ
リップチップボンディング（図示せず）で基板に物理的
および電気的に接続される。特に放熱を必要とする電力
増幅用の半導体素子２４は、ベアチップをメタルコア基
板１１のメタルコア１０１〔同図（ｂ）参照〕にＡｕＳ
ｉ、ＡｕＳｎ、熱伝導接着剤などで直接ダイボンドし
て、放熱特性を確保している。メタルコア１０１は、例
えば鉄−ニッケル系金属材料などの金属で構成されてい
る。
【００１６】前記搭載部品全体を機械的に保護しかつ電
気的シールドをするためと、ＳＡＷ素子２１など耐湿性
の必要な部品の気密封止のために、鉄−ニッケル系合金
からなる金属製キャップ１２の開口端全周をメタルコア
１０１に直接半田付けないし溶接する。
気的シールドをするためと、ＳＡＷ素子２１など耐湿性
の必要な部品の気密封止のために、鉄−ニッケル系合金
からなる金属製キャップ１２の開口端全周をメタルコア
１０１に直接半田付けないし溶接する。
【００１７】図１（ｂ）に、貫通孔１２０を含むメタル
コア基板１１の拡大図を示す。メタルコア１０１の所定
位置に貫通孔１２０が形成され、貫通孔１２０に挿入さ
れた同軸線１２１がガラス１２２で封止されており、そ
の表裏面の貫通孔接続部１４０は表裏の第１配線層１３
１に接続されている。表裏面の第１配線層１３１はさら
にその外側の第２配線層１３２に接続され、高周波モジ
ュール１０内外の電気的接続を行う。各配線層は絶縁層
１３０で埋められて、配線層１１０を構成する。メタル
コア基板１１における裏面には、外部電極１０３が設け
られている。なお、図１（ｂ）には表裏の配線層数を各
２層で構成したが、各層数は任意に構成できる。
コア基板１１の拡大図を示す。メタルコア１０１の所定
位置に貫通孔１２０が形成され、貫通孔１２０に挿入さ
れた同軸線１２１がガラス１２２で封止されており、そ
の表裏面の貫通孔接続部１４０は表裏の第１配線層１３
１に接続されている。表裏面の第１配線層１３１はさら
にその外側の第２配線層１３２に接続され、高周波モジ
ュール１０内外の電気的接続を行う。各配線層は絶縁層
１３０で埋められて、配線層１１０を構成する。メタル
コア基板１１における裏面には、外部電極１０３が設け
られている。なお、図１（ｂ）には表裏の配線層数を各
２層で構成したが、各層数は任意に構成できる。
【００１８】電気的には、メタルコア１０１を通常グラ
ンドとして用いるため、グランドとの接続はグランド接
続部１５０を介し任意の場所でとることができる。メタ
ルコア１０１に対向する第１配線層１４１を信号線とす
れば、これらはマイクロストリップ線路を構成すること
ができる。第２配線層１４２をグランドに接続し、上下
で第１配線層１４１を挟めばストリップ線路構造（図示
せず）となり、高速信号用基板が構成できる。図２にメ
タルコア基板１１の製造プロセスを示す。 （ａ）：鉄−ニッケル系合金材料からなるメタルコア１
０１の所定の位置に貫通孔１０２を形成し、メタルコア
１０１の表面及び貫通孔１０２の内面に銅メッキを施
す。 （ｂ）：貫通孔１０２に同軸線１２１の入ったビーズ状
のガラス１２２を入れ高温炉で封止する。 （ｃ）：メタルコア１０１の平坦化と導電性を確保する
ため表裏面を研削・研磨し、銅メッキを施す。 （ｄ）：ポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロ
ン）、液晶ポリマシートを熱圧着あるいはポリイミドワ
ニスを塗布・硬化させて第１絶縁層１３１を形成すると
ともに、貫通孔接続部１４０およびグランド接続部１５
０の第１絶縁層１３１をレーザビームで除去する。 （ｅ）：表裏面に銅をメッキしてパターニングし、第１
配線層１４１を形成する。 （ｆ）：ポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロ
ン）、液晶ポリマシートを熱圧着あるいはポリイミドワ
ニスを塗布・硬化させ第２絶縁層１３２を形成するとと
もに、貫通孔接続部１４０および第２絶縁層１３２をレ
ーザビームで除去する。 （ｇ）第１配線層１４１の形成と同様、表裏面に銅をメ
ッキするとともにパターニングし第２配線１４２を得
る。 最後に、図１（ａ）に示した半導体素子２４の搭載部お
よびはキャップ封止部の絶縁層１３０をレーザビームで
除去し（図示せず）、直接メタルコア１０１の表面を露
出させることで放熱性および気密封止性を確保する。
ンドとして用いるため、グランドとの接続はグランド接
続部１５０を介し任意の場所でとることができる。メタ
ルコア１０１に対向する第１配線層１４１を信号線とす
れば、これらはマイクロストリップ線路を構成すること
ができる。第２配線層１４２をグランドに接続し、上下
で第１配線層１４１を挟めばストリップ線路構造（図示
せず）となり、高速信号用基板が構成できる。図２にメ
タルコア基板１１の製造プロセスを示す。 （ａ）：鉄−ニッケル系合金材料からなるメタルコア１
０１の所定の位置に貫通孔１０２を形成し、メタルコア
１０１の表面及び貫通孔１０２の内面に銅メッキを施
す。 （ｂ）：貫通孔１０２に同軸線１２１の入ったビーズ状
のガラス１２２を入れ高温炉で封止する。 （ｃ）：メタルコア１０１の平坦化と導電性を確保する
ため表裏面を研削・研磨し、銅メッキを施す。 （ｄ）：ポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロ
ン）、液晶ポリマシートを熱圧着あるいはポリイミドワ
ニスを塗布・硬化させて第１絶縁層１３１を形成すると
ともに、貫通孔接続部１４０およびグランド接続部１５
０の第１絶縁層１３１をレーザビームで除去する。 （ｅ）：表裏面に銅をメッキしてパターニングし、第１
配線層１４１を形成する。 （ｆ）：ポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロ
ン）、液晶ポリマシートを熱圧着あるいはポリイミドワ
ニスを塗布・硬化させ第２絶縁層１３２を形成するとと
もに、貫通孔接続部１４０および第２絶縁層１３２をレ
ーザビームで除去する。 （ｇ）第１配線層１４１の形成と同様、表裏面に銅をメ
ッキするとともにパターニングし第２配線１４２を得
る。 最後に、図１（ａ）に示した半導体素子２４の搭載部お
よびはキャップ封止部の絶縁層１３０をレーザビームで
除去し（図示せず）、直接メタルコア１０１の表面を露
出させることで放熱性および気密封止性を確保する。
【００１９】図３に第２実施形態に係る高周波モジュー
ルを示す。本実施形態では封止部を高周波モジュール１
０の一部に限定した構造になっている。封止部を一部に
限定することにより、高周波モジュールサイズが大きく
なった場合も封止歩留りや封止部の信頼性を損なうこと
なく生産が可能となる。なお、高周波モジュールの製造
方法は前記第１実施形態と全く同じプロセスで対応でき
る。
ルを示す。本実施形態では封止部を高周波モジュール１
０の一部に限定した構造になっている。封止部を一部に
限定することにより、高周波モジュールサイズが大きく
なった場合も封止歩留りや封止部の信頼性を損なうこと
なく生産が可能となる。なお、高周波モジュールの製造
方法は前記第１実施形態と全く同じプロセスで対応でき
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によるメタルコア基板を用いた高
周波モジュールは、 １．気密封止が可能であるため、ＳＡＷ素子や半導体素
子などをベアチップのまま搭載封止できて小形化でき
る。
周波モジュールは、 １．気密封止が可能であるため、ＳＡＷ素子や半導体素
子などをベアチップのまま搭載封止できて小形化でき
る。
【００２１】２．有機基板並みの寸法精度が得られるた
め（１）多数個取りの割り基板サイズを大きくでき、取
り数を増やせる。（２）同様に寸法精度が良いため、生
産ラインにおける個々の部品搭載位置測定および高さ測
定を省略し、基板のコーナ部だけの測定で部品搭載位置
が割り出せる。（３）同様に寸法精度が良いため、微細
配線が可能となり、配線層数を減らすことができる。こ
れらは製品コスト低減につながる。
め（１）多数個取りの割り基板サイズを大きくでき、取
り数を増やせる。（２）同様に寸法精度が良いため、生
産ラインにおける個々の部品搭載位置測定および高さ測
定を省略し、基板のコーナ部だけの測定で部品搭載位置
が割り出せる。（３）同様に寸法精度が良いため、微細
配線が可能となり、配線層数を減らすことができる。こ
れらは製品コスト低減につながる。
【００２２】３．配線材料に銅または銅合金を使うこと
で、回路損失を少なくでき電気特性の良い高周波モジュ
ールを得ることができる。
で、回路損失を少なくでき電気特性の良い高周波モジュ
ールを得ることができる。
【００２３】４．金属製のメタルコアは直接放熱が可能
であるため、パワー素子の搭載自由度が拡大できるなど
の特長を有している。
であるため、パワー素子の搭載自由度が拡大できるなど
の特長を有している。
【図１】本発明の第１実施形態に係る高周波モジュール
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２】本発明によるメタルコア基板の製造プロセスを
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る高周波モジュール
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４】従来提案された高周波モジュールの概念図であ
る。
る。
１０ 高周波モジュール １１ メタルコア基板 １２ キャップ １３ セラミック基板 ２１ ＳＡＷ素子 ２２ 半導体デバイス ２３ チップ部品 ２４ 半導体素子 ２５ コイル部品 １０１ メタルコア １０２ 貫通孔 １０３ 外部電極 １１０ 配線層 １２０ 貫通孔 １２１ 同軸線 １２２ ガラス １３０ 絶縁層 １３１ 第１絶縁層 １３２ 第２絶縁層 １４０ 貫通孔接続部 １４１ 第１配線 １４２ 第２配線 １５０ グランド接続部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中嶋 美佐男 岩手県水沢市真城字北野１番地 株式会社 日立メディアエレクトロニクス内 (72)発明者 小川 誠一 岩手県水沢市真城字北野１番地 株式会社 日立メディアエレクトロニクス内 (72)発明者 松崎 永二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 メタルコアの貫通孔にガラス同軸線を設
置し、そのメタルコア基板の主面に表面弾性波素子、半
導体デバイス、チップコンデンサ、チップ抵抗、コイル
部品など必要な部品を搭載して、これらの部品の全部ま
たは一部を覆うように金属製キャップを被せ、その金属
製キャップの開口端を前記メタルコアに固着したことを
特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波モジュールにおい
て、前記メタルコア基板にメタルコア材として鉄−ニッ
ケル合金系材料を用い、絶縁層材料にフッ素樹脂または
液晶ポリマまたはポリイミド樹脂を用い、配線主材に銅
または銅合金を用いたことを特徴とする高周波モジュー
ル。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の高周波モ
ジュールを用いたことを特徴とする通信機器。 - 【請求項４】 メタルコアの所定位置に貫通孔を形成す
る工程と、 メタルコアの貫通孔に同軸線を挿入してガラスで封止す
る工程と、 そのメタルコアの表裏面を平坦化した後に、銅または銅
合金のメッキを施す工程と、 メタルコアの上に逐次積層プロセス法で配線層を形成す
る工程と、 キャップ封止部に相当する部分の絶縁層をレーザビーム
で除去する工程とによりメタルコア基板を得ることを特
徴とする高周波モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329036A JP2002134689A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 高周波モジュールならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329036A JP2002134689A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 高周波モジュールならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134689A true JP2002134689A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18805784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000329036A Pending JP2002134689A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 高周波モジュールならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134689A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11757429B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Hybrid filter device and multiplexer |
-
2000
- 2000-10-27 JP JP2000329036A patent/JP2002134689A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11757429B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Hybrid filter device and multiplexer |
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