JPH05275609A - 半導体モジュール基板 - Google Patents
半導体モジュール基板Info
- Publication number
- JPH05275609A JPH05275609A JP6808892A JP6808892A JPH05275609A JP H05275609 A JPH05275609 A JP H05275609A JP 6808892 A JP6808892 A JP 6808892A JP 6808892 A JP6808892 A JP 6808892A JP H05275609 A JPH05275609 A JP H05275609A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layers
- semiconductor chip
- module substrate
- semiconductor
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- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】モジュール基板内に少なくとも１つの半導体チ
ップ１を入れることによって、基板外の影響を受けずに
低雑音、高密度実装が可能な基板を作成する。 【構成】４、５、６、７、８層で構成される基板と、
９、１０層で構成される基板との間に半導体チップ１を
入れ、ボンディング３によって半導体チップ１と基板内
のパターン層７に接続することにより、外部の影響を受
けず信頼性の高い半導体チップ１を得ることができ、且
つ、外部パターン層４、１０に電子部品を搭載する。
ップ１を入れることによって、基板外の影響を受けずに
低雑音、高密度実装が可能な基板を作成する。 【構成】４、５、６、７、８層で構成される基板と、
９、１０層で構成される基板との間に半導体チップ１を
入れ、ボンディング３によって半導体チップ１と基板内
のパターン層７に接続することにより、外部の影響を受
けず信頼性の高い半導体チップ１を得ることができ、且
つ、外部パターン層４、１０に電子部品を搭載する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを利用した
高周波通信用モジュール基板に関する。
高周波通信用モジュール基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板は、図２のように部品面の上
面とはんだ付面の下面の基板外側の２面にしか電子部品
が搭載できなかった。この為、高周波通信用基板では、
電子部品の密度が高まり、近接の電子部品や外部からの
影響により、高周波信号にノイズが乗り易く、ノイズ対
策にパターンの引き回しやシールドによるノイズの遮断
をしなければならなかった。
面とはんだ付面の下面の基板外側の２面にしか電子部品
が搭載できなかった。この為、高周波通信用基板では、
電子部品の密度が高まり、近接の電子部品や外部からの
影響により、高周波信号にノイズが乗り易く、ノイズ対
策にパターンの引き回しやシールドによるノイズの遮断
をしなければならなかった。
【０００３】公知例としては、”アースと基板”、伊藤
健一著、日刊工業新聞社（１９８３）ＰＰ４０に記載さ
れている。
健一著、日刊工業新聞社（１９８３）ＰＰ４０に記載さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記により、モジュー
ル基板を設計するには、ノイズが乗らないように考慮し
た基板の大きさを必要とした。
ル基板を設計するには、ノイズが乗らないように考慮し
た基板の大きさを必要とした。
【０００５】しかしながら、小型化を求められている高
周波通信ではモジュール基板を小さくする必要があり、
高密度な電子部品実装と同時に、ノイズの低減が求めら
れている。
周波通信ではモジュール基板を小さくする必要があり、
高密度な電子部品実装と同時に、ノイズの低減が求めら
れている。
【０００６】本発明の目的は、モジュール基板における
ノイズの低減と基板の縮小をすることにある。
ノイズの低減と基板の縮小をすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体チッ
プを基板の中に入れることと、信号線を基板の内層に通
し、ワイヤーボンディングでこの半導体チップに接続す
る基板構造で達成される。
プを基板の中に入れることと、信号線を基板の内層に通
し、ワイヤーボンディングでこの半導体チップに接続す
る基板構造で達成される。
【０００８】
【作用】半導体チップを基板の中に入れ信号線を基板内
部に通すと、基板のＧＮＤ層のシールド効果により外部
からのノイズは低減される。半導体チップを基板内部に
取り付けることで、基板外に半導体パッケージを重ねて
搭載することができる為、基板面積を縮小することが可
能である。
部に通すと、基板のＧＮＤ層のシールド効果により外部
からのノイズは低減される。半導体チップを基板内部に
取り付けることで、基板外に半導体パッケージを重ねて
搭載することができる為、基板面積を縮小することが可
能である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図１は、本発明の一実施例である半導体チップ
１をモジュール基板の中に入れた時の断面図である。こ
こで、４、７、１０層は、信号が送れるパターン層であ
る。
明する。図１は、本発明の一実施例である半導体チップ
１をモジュール基板の中に入れた時の断面図である。こ
こで、４、７、１０層は、信号が送れるパターン層であ
る。
【００１０】半導体チップ１は、基板層５と接着剤２に
より固定されている。この半導体チップ１は、ワイヤー
ボンディング３によって、信号パターン層７に基板内で
直接接続されている。これにより、半導体チップ１の信
号は、モジュール基板の外部にでることはなく、外部か
らの雑音の影響を受けない。
より固定されている。この半導体チップ１は、ワイヤー
ボンディング３によって、信号パターン層７に基板内で
直接接続されている。これにより、半導体チップ１の信
号は、モジュール基板の外部にでることはなく、外部か
らの雑音の影響を受けない。
【００１１】また、ＩＣパッケージを利用しているので
はなくワイヤーボンディングを直接チップと信号パター
ン間に接続していることより、ＩＣのパッケージ、リー
ド、はんだの部分数が不要でモジュール全体の信頼性も
高まる。
はなくワイヤーボンディングを直接チップと信号パター
ン間に接続していることより、ＩＣのパッケージ、リー
ド、はんだの部分数が不要でモジュール全体の信頼性も
高まる。
【００１２】内部の信号パターン層７は、スルーホール
１２、１３を通して、外部パターン層４、１０に接続す
ることができる。パターン層４、１０では、抵抗や容量
などの電子部品素子１４や半導体パッケージ１１が接続
されている。これにより、層の違いにより半導体チップ
と半導体パッケージを重ねて搭載することも可能であ
る。
１２、１３を通して、外部パターン層４、１０に接続す
ることができる。パターン層４、１０では、抵抗や容量
などの電子部品素子１４や半導体パッケージ１１が接続
されている。これにより、層の違いにより半導体チップ
と半導体パッケージを重ねて搭載することも可能であ
る。
【００１３】以上のように構成される半導体モジュール
基板の製造方法について説明する。
基板の製造方法について説明する。
【００１４】まず、モジュール基板を図３に示すように
１６層と１７層の２つに分けて製造する。その時の図３
の矢印の方向から見た図を図４に示す。１６層は、４、
５、６、７、８層、１７層は９、１０層を以後表わす。
その時、１６層の６、７層は、埋め込む半導体チップの
大きさを、８層はこれに、ワイヤーボンディングを付け
た時の面積を考慮して切り抜く。１６層と１７層ができ
たならば、スルーホール１２、１３を製造する。次に、
半導体チップ１をモジュール基板層５に、接着剤２によ
り固定する。そしてボンディングを、半導体チップ１と
７層の信号パターンの任意の点とをボンディングする。
その次の工程には、１６層と１７層を接着する。この時
に８層には、切り込み穴１５を半導体チップ１を囲むよ
うに入れ、そこに接着剤を入れておき接着すると、１６
層と１７層を完全に密閉した形などもできる。また、半
導体パッケージ１１や電子部品素子１４を４層と１０層
のパターン層に接続することも可能である。
１６層と１７層の２つに分けて製造する。その時の図３
の矢印の方向から見た図を図４に示す。１６層は、４、
５、６、７、８層、１７層は９、１０層を以後表わす。
その時、１６層の６、７層は、埋め込む半導体チップの
大きさを、８層はこれに、ワイヤーボンディングを付け
た時の面積を考慮して切り抜く。１６層と１７層ができ
たならば、スルーホール１２、１３を製造する。次に、
半導体チップ１をモジュール基板層５に、接着剤２によ
り固定する。そしてボンディングを、半導体チップ１と
７層の信号パターンの任意の点とをボンディングする。
その次の工程には、１６層と１７層を接着する。この時
に８層には、切り込み穴１５を半導体チップ１を囲むよ
うに入れ、そこに接着剤を入れておき接着すると、１６
層と１７層を完全に密閉した形などもできる。また、半
導体パッケージ１１や電子部品素子１４を４層と１０層
のパターン層に接続することも可能である。
【００１５】本発明は図１、３、４の実施例に限定され
ず、図５のように８層に階段状に製造し、それにシール
ドケースの蓋１８を被せて完全に密閉してから１６層と
１７層とを接着する方法などもある。
ず、図５のように８層に階段状に製造し、それにシール
ドケースの蓋１８を被せて完全に密閉してから１６層と
１７層とを接着する方法などもある。
【００１６】
【発明の効果】本発明により、外部からの影響を受けず
に、モジュール基板内で半導体チップを駆動することが
でき、ノイズの低減とモジュール基板の縮小、信頼性の
向上が可能となる。
に、モジュール基板内で半導体チップを駆動することが
でき、ノイズの低減とモジュール基板の縮小、信頼性の
向上が可能となる。
【図１】本発明による半導体モジュール基板実施例の断
面図である。
面図である。
【図２】従来の基板の断面図である。
【図３】本発明による半導体モジュール基板組立断面図
である。
である。
【図４】本発明による半導体モジュール基板組立上面図
である。
である。
【図５】本発明による半導体モジュール基板実施例の断
面図である。
面図である。
１…半導体チップ、 ２…接着剤、 ３…ワイヤーボンディング、 ４…パターン層、 ５…基板層、 ６…基板層、 ７…パターン層、 ８…基板層、 ９…基板層、 １０…パターン層、 １１…半導体パッケージ、 １２…スルーホール、 １３…スルーホール、 １４…電子部品素子、 １５…切り込み穴、 １６…基板、 １７…基板、 １８…シールドケースの蓋。
フロントページの続き (72)発明者 松田 弘成 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地株式 会社日立製作所情報通信事業部内
Claims (1)
- 【請求項１】外部パターンと内部パターンと空洞層印刷
配線板と、１個以上の半導体チップで構成されるモジュ
ール基板において、該印刷配線板内の空洞に、前記半導
体チップを取付け、さらに、該印刷配線板表面にも電子
部品を取り付けたことを特徴とする半導体モジュール基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6808892A JPH05275609A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 半導体モジュール基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6808892A JPH05275609A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 半導体モジュール基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275609A true JPH05275609A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13363638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6808892A Pending JPH05275609A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 半導体モジュール基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275609A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0732107A2 (en) * | 1995-03-16 | 1996-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate shielding device |
| US5796165A (en) * | 1996-03-19 | 1998-08-18 | Matsushita Electronics Corporation | High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure |
| EP1324390A3 (en) * | 2001-12-21 | 2004-02-18 | Alps Electric Co., Ltd. | A high-frequency module |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP6808892A patent/JPH05275609A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0732107A2 (en) * | 1995-03-16 | 1996-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate shielding device |
| EP0732107A3 (en) * | 1995-03-16 | 1997-05-07 | Toshiba Kk | Screen device for circuit substrate |
| US5808878A (en) * | 1995-03-16 | 1998-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate shielding device |
| US5796165A (en) * | 1996-03-19 | 1998-08-18 | Matsushita Electronics Corporation | High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure |
| EP1324390A3 (en) * | 2001-12-21 | 2004-02-18 | Alps Electric Co., Ltd. | A high-frequency module |
| US6812561B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-11-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin high-frequency module having integrated circuit chip with little breakage |
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