JP2003187738A

JP2003187738A - 電子分光装置および電子分光器ならびに試料分析方法

Info

Publication number: JP2003187738A
Application number: JP2001387653A
Authority: JP
Inventors: Toyohiko Tazawa; 澤豊彦田
Original assignee: Jeol Ltd
Current assignee: Jeol Ltd
Priority date: 2001-12-20
Filing date: 2001-12-20
Publication date: 2003-07-04

Abstract

(57)【要約】【課題】試料のガス反応処理を分析室で行え、その場
合でも、Ｓ／Ｎ比の良いスペクトルを短時間に得ること
ができる電子分光装置および電子分光器ならびに試料分
析方法を提供する。【解決手段】試料７のガス反応処理を行う場合、まず
オペレータは、微小領域分析を行う場合と同様、開口径
調整機構２８を調整して、視野制限絞り２７の開口径を
たとえば250μｍ〜300μｍ程度に小さくする。このよう
な絞り調整により、試料へガス照射を行っても、そのガ
スは視野制限絞り２７で食止められて、アナライザ２１
内部へのガス流入を防止することができる。この結果、
アナライザ内でのＭＣＰ放電を防止することができ、試
料分析を行った際に、放電ノイズを含まないスペクトル
を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光電子分光装置
などの電子分光装置、および光電子分光装置などに用い
られる電子分光器、ならびに電子分光装置における試料
分析方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光電子分光装置は、Ｘ線を試料表面に
照射し、その照射により試料から放出される光電子を電
子分光器で分析してエネルギースペクトルを得る装置で
ある。この得られたスペクトルを解析することによっ
て、試料表面の元素およびその元素の化学状態を知るこ
とができる。

【０００３】さて、最近の光電子分光装置の中には、ガ
ス反応処理による試料表面の化学状態変化を観察できる
ように構成されているものがある。

【０００４】その１つに、分析室と仕切弁などで隔離さ
れたガス反応室を備えた光電子分光装置があり、そのガ
ス反応室には、ガス照射手段と試料加熱機構が備えられ
ている。このようなガス反応処理機構を備えた光電子分
光装置においては、以下の手順で試料分析が行われる。加熱ホルダに装着された試料が試料交換室に配置さ
れ、試料交換室が予備排気される。試料が試料交換室からガス反応室に移動され、試料が
加熱されて試料表面が清浄化される。清浄化された試料が分析室に移動され、ガス反応処理
以前の試料表面状態を把握するためにXPS(X-ray Photoe
lectron Spectroscopy)測定が行われる。試料がガス反応室に移動され、所定の条件において、
試料に対してガス反応処理が行われる。たとえば、試料
が500〜800℃程度に加熱された状態で、ガス照射手段に
よるガス照射（酸素や一酸化炭素などのガス照射）が試
料に対して行われる。ガス反応処理が行われた試料が再び分析室に移動さ
れ、試料表面の化学状態変化を観察するためにXPS測定
が行われる。必要に応じて、が繰り返される。

【０００５】また、ガス反応処理機構を備えた別の光電
子分光装置として、図１に示すものがある。この装置で
は、専用のガス反応セル100が分析室チャンバ101に取り
付けられており、試料103がセル内の加熱ヒータ102上に
置かれている。そして、ガス照射手段104がセル内に設
けられており、また、セル内は排気装置105によって排
気されるようになっている。

【０００６】このような図１の装置においては、試料10
3のガス反応処理はセル内で行われる。すなわち、試料1
03がヒータ102によって加熱された状態で、ガス照射手
段104によるガス照射が試料103に対して行われる。

【０００７】また、試料103のXPS測定時には、Ｘ線源10
6によるＸ線照射が試料103に対して行われる。この際、
セル100の微小開口ｈを通過したＸ線のみが試料103を照
射する。そして、このＸ線照射によって試料103から光
電子が発生し、前記微小開口ｈを通過した光電子は、電
子分光器107のインプットレンズ（減速レンズ）108に取
り込まれる。

【０００８】なお、前記インプットレンズ108の試料側
先端には、微小開口を持つ絞り109が取付けられてお
り、この絞り109は、ガス照射手段104によるガスのアナ
ライザ110への侵入を低減するために設けられている。

【０００９】以上、従来のガス反応処理機構を備えた光
電子分光装置を、２つの例を挙げて説明した。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述
した２つの方式は、それぞれ以下の問題を有している。

【００１１】まず、分析室と異なるガス反応室でガス反
応処理を行う方式は、以下の問題を有している。 (1)ガス反応処理が分析室とは別のガス反応室で行われ
るので、ガス反応直後の動的な試料表面の化学状態を分
析することができない。すなわち、ガス反応室から分析
室に試料を移動させるのに時間がかかるので、分析時点
での試料温度はガス反応時よりかなり下がってしまい、
ガス反応時と大きく異なる状態に試料がおかれる。 (2)繰り返しガス反応処理を行うためには、その都度試
料の移動操作が必要となり、そのような操作はオペレー
タにとって面倒な作業である。また、その各回の試料移
動操作が同じように行われないと、分析時の試料状態を
一定に保つことができない。

【００１２】一方、ガス反応セルを用いる方式は、以下
の問題を有している。 (1)ガス反応セルの微小開口から光電子を取り出してお
り、さらに、インプットレンズ先端には、ガス侵入防止
用の絞りが配置されている。このため、試料表面から発
生した光電子の一部しか、電子分光器に取り込まれな
い。この結果、測定強度が不足し、信号対雑音比の大き
い質の良いスペクトルが得られない。 (2)(1)に関連して、信頼性の高いスペクトルを得るため
には長時間のスペクトル測定を行う必要がある。このた
め、高速なスペクトル測定が行えない。

【００１３】本発明はこのような点に鑑みて成されたも
のであり、その目的は、試料のガス反応処理を分析室で
行え、その場合でも、Ｓ／Ｎ比の良いスペクトルを短時
間に得ることができる電子分光装置および電子分光器な
らびに試料分析方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この目的を達成する本
発明の電子分光装置は、分析室に配置される試料に１次
線を照射する照射手段と、前記分析室に配置され、前記
試料にガスを照射するガス照射手段と、次の(a)〜(e)の
構成を有する電子分光器と、(a)開口径を変えられるよ
うに構成された視野制限絞り、(b)前記１次線照射によ
って前記試料から放出された電子線を、前記視野制限絞
り上に結像させるための第１レンズ、(c)前記視野制限
絞りを通過した電子線を減速させてアナライザの入射ス
リット上に結像させるための第２レンズ、(d)前記入射
スリットを通過した電子をそのエネルギーによって選別
するアナライザ、(e)前記アナライザで選別された電子
を検出する検出器、前記分析室を排気する排気手段とを
備えている。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実
施の形態について説明する。

【００１６】図２は、本発明の電子分光装置の一例を示
したものであり、光電子分光装置を示したものである。

【００１７】まず、図２の装置構成について説明する
と、１は分析室チャンバである。分析室チャンバ１の内
部の分析室２は、排気装置３により超高真空に排気され
ている。分析室２の真空度は真空ゲージ４でモニタされ
ており、真空ゲージ４の検出出力は制御装置５に供給さ
れている。

【００１８】６は光電子励起Ｘ線源（照射手段）であ
り、Ｘ線源６は分析室チャンバ１に取り付けられてい
る。このＸ線源６は、分析室２に配置された試料７にＸ
線（１次線）を照射して、光電子を励起するための励起
光源である。Ｘ線源６は、Ｘ線源電源８を介して前記制
御装置５に接続されている。

【００１９】前記試料７は試料加熱ホルダ９に保持され
ていて、試料加熱ホルダ９は試料ステージ１０上に置か
れている。試料ステージ１０は分析室チャンバ１に取り
付けられており、試料ステージ位置調整機構１１を調整
することによって、試料ステージ１０をｘ，ｙおよびｚ
方向に移動させることができる。

【００２０】なお、前記試料加熱ホルダ９は、試料７を
加熱するためのヒータ（図示せず）を内蔵している。こ
のヒータは、ヒータ線ｈを介して、試料ステージ１０上
の電流供給部１２に接続されている。電流供給部１２
は、加熱電源１３を介して前記制御装置５に接続されて
いる。

【００２１】１４は磁界型結像レンズであり、結像レン
ズ１４は試料７の下方に配置されている。この結像レン
ズ１４は試料ステージ１０に取り付けられている。

【００２２】また、１５はガス照射手段であり、ガス照
射手段１５は分析室チャンバ１に取り付けられている。
このガス照射手段１５は、ガス導入バルブ１６とガス照
射キャピラリ１７で構成されている。

【００２３】前記ガス導入バルブ１６は、ガス供給源１
８からの反応ガス（たとえば、酸素や一酸化炭素などの
ガス）を前記ガス照射キャピラリ１７に導入するための
バルブであり、このバルブとして、ガスの流量を調整で
きるバリアブルリークバルブが用いられている。なお、
前記ガス供給源１８には、ガスの流量をより精度よく調
整するためにマスフローコントローラが配置されてお
り、また、ガス供給源１８は前記制御装置５に接続され
ている。

【００２４】一方、前記ガス照射キャピラリ１７は、バ
ルブ１６からの反応ガスを試料７上にガイドするための
細管であり、その先端はガスの発散を低減するために漏
斗状に形成されている。

【００２５】また、図２において、１９は電子分光器で
あり、電子分光器１９は分析室チャンバ１に取り付けら
れている。この電子分光器１９は、インプットレンズ２
０と、インプットレンズ２０からの電子をエネルギー分
析するためのアナライザ２１と、アナライザ２１で選別
された電子を検出する検出器２２で構成されている。

【００２６】筒状のインプットレンズ２０は、試料側か
ら順に、筒状の接地電極２３、筒状の電極（主倍率制御
レンズ）Ｌ1、筒状の接地電極２４、筒状の電極（補助
倍率制御レンズ）Ｌ2、筒状の接地電極２５、筒状の電
極（結像レンズ）Ｌ3、筒状の接地電極２６、筒状の電
極（減速レンズ）ＬRを備えている。なお、これらの各
電極は、隣の電極と所定の間隔を置いて配置されてい
る。

【００２７】また、インプットレンズ２０は円形の視野
制限絞り２７を有している。この視野制限絞り２７は、
前記補助倍率制御レンズＬ2と結像レンズＬ3間に、イン
プットレンズ２０の筒内を仕切るように配置されてい
る。視野制限絞り２７の開口ａの中心は、インプットレ
ンズ２０の光軸Ｏ上に位置している。

【００２８】そして、視野制限絞り２７として、図３に
示すような虹彩絞りが用いられており、開口径調整機構
２８を調整することによって、視野制限絞り２７の開口
径を連続して変えることができる。このため、視野制限
絞り２７が完全に閉じられると、その左右のインプット
レンズ内の空間は、絞り２７によって真空的に完全に遮
断される。なお、視野制限絞り２７は、試料面上で発生
した光電子を取り込む領域を制限するために設けられて
おり、この絞りによって、試料上の分析領域が制限され
る。

【００２９】さらに、インプットレンズ２０は円形の角
度制限絞り２９を有している。この角度制限絞り２９
は、前記視野制限絞り２７と結像レンズＬ3間に、イン
プットレンズ２０の筒内を仕切るように配置されてい
る。角度制限絞り２９の開口ｂの中心は、インプットレ
ンズ２０の光軸Ｏ上に位置している。

【００３０】そして、角度制限絞り２９としても、図３
に示すような虹彩絞りが用いられており、開口径調整機
構３０を調整することによって、角度制限絞り２９の開
口径を連続して変えることができる。このため、角度制
限絞り２９が完全に閉じられると、その左右のインプッ
トレンズ内の空間は、絞り２９によって真空的に完全に
遮断される。なお、角度制限絞り２９は、視野制限絞り
２７を通過した光電子の取込角度を制限するために設け
られており、この角度制限絞りによって、レンズ系の球
面収差によるボケを低減し、試料上の分析領域の精度を
保証することができる。

【００３１】なお、図２のインプットレンズ２０におい
ては、主倍率制御レンズＬ1と補助倍率制御レンズＬ2で
本発明の第１レンズが構成されており、結像レンズＬ3
と減速レンズＬRで本発明の第２レンズが構成されてい
る。

【００３２】また、図２において、３１はアナライザ２
１の入射スリット、３２は電源ユニットである。この電
源ユニット３２は、電子分光器１９の各構成要素に印加
する電圧と、前記結像レンズ１４のコイルに流れる電流
とを制御するためのものである。

【００３３】そして、前記制御装置５は、前記電源ユニ
ット３２、検出器２２および表示装置３３に接続されて
いる。

【００３４】以上、図２の装置構成について説明した。
以下、図２の電子分光装置において、試料７に対してガ
ス反応処理を行い、ガス反応処理後の試料表面を分析す
る場合について説明する。

【００３５】試料７のガス反応処理を行う場合、まずオ
ペレータは、微小領域分析を行う場合と同様、開口径調
整機構２８を調整して、視野制限絞り２７の開口径をた
とえば250μｍ〜300μｍ程度に小さくする。このような
絞り調整により、試料へガス照射を行っても、そのガス
は視野制限絞り２７で食止められて、アナライザ２１内
部へのガス流入を防止することができる。この結果、ア
ナライザ内での又はＭＣＰの検出器の放電を防止するこ
とができ、試料分析を行った際に、放電ノイズを含まな
いスペクトルを得ることができる。

【００３６】一方、前記角度制限絞り２９の開口径は、
たとえば1ｍｍ〜2ｍｍ程度に設定される。試料へのガス
照射時には、この角度制限絞り２９も視野制限絞り２７
と同様に差動絞りとして機能し、アナライザ内部へのガ
ス流入を防止する。

【００３７】こうして、視野制限絞り２７と角度制限絞
り２９の開口径の調整が済むと、オペレータは、制御装
置５に対して、ガス反応処理の指示入力を行う。する
と、制御装置５は、試料７を所定温度（たとえば500
℃）に加熱するための加熱信号を加熱電源１３に送る。
加熱電源１３は、その加熱信号に基づいて電流供給部１
２を制御する。この結果、試料７を500℃に加熱するた
めの電流が、電流供給部１２から、試料加熱ホルダ９の
ヒータに流される。

【００３８】こうして、試料７が所定温度に加熱される
と、制御装置５は、試料７に所定量のガス導入を行うた
めのガス導入信号をガス供給源１８に送る。ガス供給源
１８は、そのガス導入信号に基づいてガス導入バルブ１
６を制御する。すなわち、ガス供給源１８は、所定時間
だけ、ガス導入バルブ１６を所定量だけ開ける。この結
果、所定量の反応ガス（たとえば酸素）が、ガス供給源
１８から、ガス導入バルブ１６とガス照射キャピラリ１
７を介して試料７に導入される。

【００３９】以上、試料７のガス反応処理について説明
した。

【００４０】さて、このような試料へのガス照射の直後
においては、分析室２の真空度は一時的に低下する。こ
の分析室２の真空度は制御装置５で常に監視されてお
り、制御装置５は、分析室２の真空度が回復すると、試
料７にＸ線照射を行うためのＸ線照射信号をＸ線源電源
８に送る。また、制御装置５は、電子分光器１９の各構
成要素に所定の電圧を印加するための電圧制御信号を電
源ユニット３２に供給する。

【００４１】前記Ｘ線照射信号を受けたＸ線源電源８
は、そのＸ線照射信号に基づいてＸ線源６を制御する。
この結果、Ｘ線源６からＸ線が発生し、試料７にＸ線が
照射される。なお、このＸ線照射時においても、上述し
た試料加熱は引き続いて行われるので、試料分析時にお
ける試料温度は、試料のガス反応時と同じ温度に保たれ
る。

【００４２】一方、前記電圧制御信号を受けた電源ユニ
ット３２は、その電圧制御信号に基づいて電子分光器１
９を制御する。すなわち、電源ユニット３２は、Ｘ線照
射によって試料７から発生した電子線が前記視野制限絞
り２７上に結像するように、前記主倍率制御レンズＬ1
に電圧Ｖ1を印加すると共に、前記補助倍率制御レンズ
Ｌ2に電圧Ｖ2を印加する。

【００４３】また、電源ユニット３２は、視野制限絞り
２７と角度制限絞り２９を通過した前記電子線が減速す
るように、前記減速レンズＬRに電圧ＶRを印加する。ま
た、電源ユニット３２は、視野制限絞り２７と角度制限
絞り２９を通過して前記減速レンズＬRで減速された電
子線が、入射スリット３１上に結像するように、前記結
像レンズＬ3に電圧Ｖ3を印加する。

【００４４】さらに、電源ユニット３２は、前記アナラ
イザ２１と前記検出器２２に所定の電圧を印加する。な
お、以下に述べる例では、前記結像レンズ１４のコイル
には、電流は流されない。

【００４５】さて、上述したように試料７にＸ線が照射
されると、光電子が試料表面から放出される。そして、
この光電子による電子線は、主倍率制御レンズＬ1と補
助倍率制御レンズＬ2によって、視野制限絞り２７上に
結像される。

【００４６】このように、試料表面で発生した電子線は
視野制限絞り２７上に結像されるので、上述したように
視野制限絞り２７の開口径がかなり小さく設定されてい
ても、多くの電子線が視野制限絞り２７の開口ａを通過
する。そして、図２の装置においては、従来の図１の装
置のように、インプットレンズ２０の試料側先端にガス
侵入防止用絞りが配置されていないので（配置する必要
がないので）、視野制限絞り２７の開口ａを通過する電
子線量はかなり多い。

【００４７】なお、本発明における第１レンズは、主倍
率制御レンズＬ1と補助倍率制御レンズＬ2の２段レンズ
で構成されているので、このレンズＬ1とＬ2に印加する
電圧を変更すれば、そのレンズ倍率を変更することがで
きる。その際、電子線が視野制限絞り２７上に常に結像
するように、レンズＬ1とＬ2に印加する電圧の組み合わ
せが変更される。

【００４８】そして、前記視野制限絞り２７の開口ａを
通過し、さらに角度制限絞り２９の開口ｂを通過した電
子線は、結像レンズＬ3と減速レンズＬRによって、減速
されてアナライザの入射スリット３１上に結像される。
図２の装置においては、アナライザ２１の分析エネルギ
ーに応じて減速レンズＬRへの印加電圧が変更される
と、常に電子線が入射スリット３１上に結像するよう
に、それに伴って結像レンズＬ3への印加電圧が変更さ
れる。

【００４９】なお、図４は、インプットレンズ２０の光
電子取り込みに関する光線図を模式的に示したものであ
る。ここで、Ｄ1〜Ｄ3は回折面の位置を示しており、Ｉ
1〜Ｉ3は実像位置を示している。

【００５０】さて、入射スリット３１を通過した電子
は、アナライザ２１でエネルギー分光される。なお、分
析中にアラナイザ内部の排気が必要な場合は、アナライ
ザに接続された排気装置（図示せず）によって、アナラ
イザ内部が排気される。

【００５１】そして、前記アナライザ２１で選別された
電子は検出器２２で検出される。検出器２２は、検出し
た電子を電気信号に変換して出力し、その電気信号は、
パルス計測システム（図示せず）を介して制御装置５に
取り込まれる。制御装置５は、取り込んだ信号から光電
子スペクトルを生成し、そのスペクトルを表示装置３３
の表示画面上に表示させる。

【００５２】以上、本発明の一例を、図２の電子分光装
置を用いて説明した。

【００５３】なお、上記例では、磁界型結像レンズ１４
はオフされたが、この結像レンズ１４を用いて、試料か
ら発生した電子線を視野制限絞り２７上に結像するよう
にしても良い。その場合、主倍率制御レンズＬ1はオフ
され、磁界型結像レンズ１４と補助倍率制御レンズＬ2
によって、試料から発生した電子線は視野制限絞り２７
上に結像される。

【００５４】このときには、電子線が視野制限絞り２７
上に常に結像するように、磁界型結像レンズ１４のコイ
ルに流れる電流と、補助倍率制御レンズＬ2に印加する
電圧が変更されて、レンズ倍率が変更される。

【００５５】以上説明したように、本発明の電子分光装
置は、開口径を変えられる視野制限絞りを備えており、
この視野制限絞りの開口径を調整することによって、ガ
ス反応処理時におけるアナライザ内部へのガス流入を防
止することができる。このように、本発明においては、
試料へのガス反応処理を分析室において行うことがで
き、ガス反応直後の動的な試料表面の化学状態を分析す
ることができる。

【００５６】また、本発明においては、試料表面で発生
した電子線は第１レンズによって視野制限絞り上に結像
され、また、従来のようにインプットレンズ先端にガス
侵入防止用絞りが配置されないので、試料表面で発生し
た多くの電子が視野制限絞りを通過してアナライザ内に
取り込まれる。このため、Ｓ／Ｎ比の良いスペクトルを
短時間に得ることができる。

【００５７】なお、本発明は上記例に限定されるもので
はない。

【００５８】たとえば、図２の装置において、視野制限
絞り２７の前段に偏向手段を設けるようにしてもよい。
たとえば、接地電極２４の内側に、視野制限絞り２７の
前段に形成される電場Ｅ（主倍率制御レンズＬ1と補助
倍率制御レンズＬ2によって形成される電場）をｘ，ｙ
方向に偏向させるための偏向手段を設けるようにしても
よい。

【００５９】そして、上述した試料分析のときに、視野
制限絞り２７の開口径を微小領域分析に対応した大きさ
に設定し、前記偏向手段により前記電場Ｅを二次元的に
走査させるようにすれば、試料上の大領域Ａについて、
その大領域Ａ中の各ポイント（各微小領域）から発生し
た光電子を順にアラナイザ２１に取り込んで検出器２２
で検出することができる。この場合、制御装置５は、前
記偏向手段による走査に対応させて検出器２２からの信
号を内部メモリに書き込み、その記憶した情報に基づ
き、ガス反応処理が施された試料表面領域Ａについての
化学状態マップを表示画面上に表示させる。

【００６０】また、上記例ではＸ線を試料に照射してい
るが、Ｘ線源の代わりに真空紫外光源（ヘリウム共鳴線
源）を装置に組込み、真空紫外光を試料に照射するよう
にしても良い。このように、低いエネルギーの１次線を
試料に当てることにより、ガス反応処理による試料表面
の化学状態変化を、得られた価電子帯のスペクトルから
求めることができる。

【００６１】また、本発明は、オージェ電子分光装置な
どの電子分光装置にも適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電子分光装置を示した図である。

【図２】本発明の電子分光装置の一例を示した図であ
る。

【図３】図２の視野制限絞りを説明するために示した図
である。

【図４】インプットレンズ２０の光電子取り込みに関す
る光線図を模式的に示した図である。

【符号の説明】

１…分析室チャンバ、２…分析室、３…排気装置、４…
真空ゲージ、５…制御装置、６…Ｘ線源、７…試料、８
…Ｘ線源電源、９…試料加熱ホルダ、１０…試料ステー
ジ、１１…試料ステージ位置調整機構、１２…電流供給
部、１３…加熱電源、１４…磁界型結像レンズ、１５…
ガス照射手段、１６…ガス導入バルブ、１７…ガス照射
キャピラリ、１８…ガス供給源、１９…電子分光器、２
０…インプットレンズ、２１…アナライザ、２２…検出
器、２３、２４、２５、２６…接地電極、２７…視野制
限絞り、２８…開口径調整機構、２９…角度制限絞り、
３０…開口径調整機構、３１…入射スリット、３２…電
源ユニット、３３…表示装置、Ｌ1…主倍率制御レン
ズ、Ｌ2…補助倍率制御レンズ、Ｌ3…結像レンズ、ＬR
…減速レンズ、100…ガス反応セル、101…分析室チャン
バ、102…加熱ヒータ、103…試料、104…ガス照射手
段、105…排気装置、106…Ｘ線源、107…電子分光器、1
08…インプットレンズ、109…絞り、110…アナライザ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｊ 49/06 Ｇ０１Ｎ 1/28 Ｚ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】分析室に配置される試料に１次線を照射
する照射手段と、前記分析室に配置され、前記試料にガ
スを照射するガス照射手段と、次の(a)〜(e)の構成を有
する電子分光器と、(a)開口径を変えられるように構成
された視野制限絞り(b)前記１次線照射によって前記試
料から放出された電子線を、前記視野制限絞り上に結像
させるための第１レンズ(c)前記視野制限絞りを通過し
た電子線を減速させてアナライザの入射スリット上に結
像させるための第２レンズ(d)前記入射スリットを通過
した電子をそのエネルギーによって選別するアナライザ
(e)前記アナライザで選別された電子を検出する検出器
前記分析室を排気する排気手段とを備えたことを特徴と
する電子分光装置。
【請求項２】前記視野制限絞りと前記第２レンズ間
に、開口径を変えられるように構成された角度制限絞り
が配置されていることを特徴とする請求項１記載の電子
分光装置。
【請求項３】前記第１レンズは、倍率が変えられるよ
うに複数のレンズで構成されていることを特徴とする請
求項１記載の電子分光装置。
【請求項４】前記試料の下部に配置され、前記試料か
ら放出された電子線を前記視野制限絞り上に結像させる
ためのレンズを更に備えたことを特徴とする請求項１記
載の電子分光装置。
【請求項５】前記電子分光器において、前記視野制限
絞りの前段に偏向手段が配置されていることを特徴とす
る請求項１記載の電子分光装置。
【請求項６】更に、前記試料を加熱する手段を備えた
ことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の電子
分光装置。
【請求項７】開口径を変えられるように構成された視
野制限絞りと、試料から放出された電子線を前記視野制
限絞り上に結像させるための第１レンズと、前記視野制
限絞りの後段に配置され、開口径を変えられるように構
成された角度制限絞りと、前記角度制限絞りを通過した
電子線を減速させてアナライザの入射スリット上に結像
させるための第２レンズと、前記入射スリットを通過し
た電子をそのエネルギーによって選別するアナライザ
と、前記アナライザで選別された電子を検出する検出器
とを備えたことを特徴とする電子分光器。
【請求項８】前記第１レンズは、倍率が変えられるよ
うに複数のレンズで構成されていることを特徴とする請
求項７記載の電子分光器。
【請求項９】前記視野制限絞りの前段に偏向手段が配
置されていることを特徴とする請求項７または請求項８
記載の電子分光器。
【請求項１０】分析室に配置される試料に１次線を照
射する照射手段と、前記分析室に配置され、前記試料に
ガスを照射するガス照射手段と、次の(a)〜(e)の構成を
有する電子分光器と、(a)開口径を変えられるように構
成された視野制限絞り(b)前記１次線照射によって前記
試料から放出された電子線を、前記視野制限絞り上に結
像させるための第１レンズ(c)前記視野制限絞りを通過
した電子線を減速させてアナライザの入射スリット上に
結像させるための第２レンズ(d)前記入射スリットを通
過した電子をそのエネルギーによって選別するアナライ
ザ(e)前記アナライザで選別された電子を検出する検出
器前記分析室を排気する排気手段とを備えた電子分光装
置において、前記試料にガスを照射するときは、前記視
野制限絞りの開口径を調整して、前記アナライザ内部へ
のガス流入を防止するようにしたことを特徴とする試料
分析方法。