JP2005528735A - 電子ビームにさらされた物体により生成されるx線の放射を測定する装置 - Google Patents
電子ビームにさらされた物体により生成されるx線の放射を測定する装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005528735A JP2005528735A JP2003581221A JP2003581221A JP2005528735A JP 2005528735 A JP2005528735 A JP 2005528735A JP 2003581221 A JP2003581221 A JP 2003581221A JP 2003581221 A JP2003581221 A JP 2003581221A JP 2005528735 A JP2005528735 A JP 2005528735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- electron beam
- potential
- sample
- analyzed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
- H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/25—Tubes for localised analysis using electron or ion beams
- H01J2237/2505—Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
- H01J2237/2555—Microprobes, i.e. particle-induced X-ray spectrometry
- H01J2237/2561—Microprobes, i.e. particle-induced X-ray spectrometry electron
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】 本装置は、電子ビームを発生及び制御するために使用される少なくとも1つのサブアセンブリすなわち電子カラム、及び測定される物体を位置決めする支持体を含む。本装置はまた、分析される試料により放射されるX線を分析するスペクトル分析手段とビームに関連して試料の位置を制御する光学手段も含む。
生成されるビームのエネルギー及び得られる電子流の強度は、半導体の製造者らにより要求される感度、解像度及び精密性に関しての要求に合致する。
本発明は、具体的には、集積回路ウエハの組み立てのチェックに適用する。
Description
活性化の前に数ナノメートルを超えない厚さ一面に実行される電荷キャリアのイオン注入;
厚さが、今後時折1ナノメートル以下である材料の層という形状で、トランジスタのゲート誘電体材料での被覆という工程が非常に重要である。この厚さの桁は、通常1013atoms/cm2から1016atoms/cm2の間の原子の量を表す。
電子放射手段及び電子に電位差ΔV1がかけられる加速ステージを含むサブアセンブリ;
電子ビームが形作られる及び制御されるゼロ電界空間;
電子に、ΔV1と反対の符号の電位差ΔV2がかけられる減速位相;
物体を電子ビームの真下に位置決めする支持体;及び
分析される物体により放射されるX線を分析するスペクトル分析手段を含む。
J(in A/cm2)=βπα2 (1)
で与えられるということが知られている。ここで、αはビームの半角であり、βはビームの光度である。第1の近似値に対して、βはβ0により特徴付けられる電子ソースと、これらの電子により運ばれるエネルギーによってのみ左右され、加速度電位Vにより画定される。従って、以下の表示
β=β0V (2)
で書かれる。
J(in A/cm2)=βπα2(D0/Da)2 (3)
で与えられる。
E0=eV (4)
で与えられ、ここでeは電子電荷の係数を表し、Vは電子にかけられる電位差を表す。
分析される試料の移動を制御することに関与する電子カード43、
電子カラムの様々な要素を制御する電子カード44、
分光計を動作させることに関与する電子カード45、及び
装置内の真空を制御する電子カード46が存在する。
12 試料支持体
13 サブアセンブリ
14 発電機
15 ビーム形成区域
16 筐体
17 偏向要素
18 磁気レンズ
19 絞り
21 ソース
22 レンズ
23 レンズ
24 ソースの像
31 スポット
33 ビーム
34 ビーム
35 平面
41 インターフェース
42 コンピュータ
43 電子カード
44 電子カード
45 電子カード
46 電子カード
47 サーバーカード
110 第2の区域
111 導電筐体
112 偏向手段
113 電子の流束密度を測定する装置
114 第3の区域
115 導電筐体
116 磁気レンズ
117 偏向装置
118 多孔板
119 発電機
1111 参照電位
1112 オブジェクトチャンバー
1113 スペクトル分析手段
1114 反射屈折対物レンズ
1115 孔のあいた偏向ミラー
1116 外部光学システム
Claims (17)
- 少なくとも
電子放射手段;
電子に電位差ΔV1がかけられる加速ステージ;
電子ビームが形作られ及び制御されるゼロ電界空間;
前記電子にΔV1と反対の符号の電位差ΔV2がかけられる減速位相;
物体を前記電子ビームの真下に位置決めする支持体;及び
前記分析される物体により放射されるX線を分析するスペクトル分析手段を含むことを特徴とする、前記電子ビームにさらされた物体により生成されるX線の放射を測定する装置。 - 前記電位差ΔV1及びΔV2が、2つの発電機(14及び119)を使用して印加され、その参照電位が、一緒に接続され、第1の発電機(14)が電子放射ソースを電位HV1に引き上げ、第2の発電機(119)が前記分析される物体(11)を電位HV2に引き上げることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記2つの発電機(14及び119)の参照電位(1111)が前記装置のアースと接続することを特徴とする、請求項2に記載の装置。
- 前記ゼロ電界空間が、前記2つの発電機(14及び119)の前記参照電位(1111)に引き上げられる筐体(16、111及び115)を含むことを特徴とする、請求項2及び請求項3のいずれかに記載の装置。
- 前記ゼロ電界空間が、少なくとも、交叉ゾーンを有しない電子ビームを形作り、及びそれを集束する手段(18及び116)を含むことを特徴とする、前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記装置が試料支持体と前記装置の残りとの間に配置される電極(118)を含み、この電極が任意の電位に引き上げられることができることを特徴とする、前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 本電極(118)が冷却できる多孔板であることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
- 前記ゼロ電界空間が、ビーム電流の強度を測定する手段(113)を含むことを特徴とする、前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記ビーム電流の強度を測定する装置(113)が電子ビーム偏向装置(112)と関連し、前記これらの偏向手段により、前記ビームが前記電子流を測定する手段上に向けられることが可能となることを特徴とする、請求項8に記載の装置。
- 前記偏向手段(112)が、分析の間、測定がサンプリングにより行われることを可能にする素早い電子システムにより作動することを特徴とする、請求項9に記載の装置。
- 前記スペクトル分析手段(1113)が、少なくとも1つのWDS分光計を含むことを特徴とする、前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記装置が、高くて乾燥した真空内に配置されるオブジェクトチャンバー(1112)を含むことを特徴とする、前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記オブジェクトチャンバー(1112)が、マイクロリークを含むことを特徴とする、請求項12に記載の装置。
- 前記装置が、前記分析される物体を表示する光学手段を含むことを特徴とする、前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記光学手段が、前記物体近くに配置される少なくとも1つの反射屈折光学機器(1114)、孔のあいた偏向ミラー(1115)及び外部光学システム(1116)を含むことを特徴とする、請求項13に記載の装置。
- 前記装置が、前記装置の様々な要素と接続され、前記装置の遠隔制御と実行される測定に対応するデータの取得を可能にする電子コマンドと取得インターフェース(41)を含むことを特徴とする、前述の請求項のいずれか1つに記載の装置。
- 前記装置が、前記電子インターフェース(41)に接続され、前記装置の様々な要素を遠隔的に制御し及び行われる測定を自動的に活用するマンマシンインターフェースを装備するコンピュータ(42)を含むことを特徴とする、前述の請求項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0204074A FR2837931B1 (fr) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | Dispositif de mesure de l'emission de rayons x produite par un objet soumis a un faisceau d'electrons |
PCT/FR2003/000987 WO2003083892A1 (fr) | 2002-03-29 | 2003-03-28 | Dispositif de mesure de l'emission de rayons x produite par un objet soumis a un faisceau d'electrons |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005528735A true JP2005528735A (ja) | 2005-09-22 |
JP2005528735A5 JP2005528735A5 (ja) | 2009-04-23 |
Family
ID=27839380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003581221A Pending JP2005528735A (ja) | 2002-03-29 | 2003-03-28 | 電子ビームにさらされた物体により生成されるx線の放射を測定する装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7049588B2 (ja) |
EP (1) | EP1490888B1 (ja) |
JP (1) | JP2005528735A (ja) |
AT (1) | ATE344972T1 (ja) |
DE (1) | DE60309579T2 (ja) |
FR (1) | FR2837931B1 (ja) |
WO (1) | WO2003083892A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160058899A (ko) * | 2013-09-23 | 2016-05-25 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Sem에서의 향상된 샘플 액세스를 위한 노치형 마그네틱 렌즈 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7075073B1 (en) | 2004-05-21 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Angle resolved x-ray detection |
JP5166138B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-03-21 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
CN114200504B (zh) * | 2021-12-13 | 2024-04-30 | 中国核动力研究设计院 | 用于模拟β辐射源的电子束发生器及测试方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2151167C3 (de) * | 1971-10-14 | 1974-05-09 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Elektronenstrahl-Mikroanalysator mit Auger-Elektronen-Nachweis |
FR2413776A1 (fr) * | 1978-01-03 | 1979-07-27 | Thomson Csf | Objectif d'optique electronique |
US4288692A (en) * | 1979-08-06 | 1981-09-08 | Tracor Northern, Inc. | Beam current normalization in an X-ray microanalysis instrument |
FR2513425A1 (fr) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | Thomson Csf | Dispositif de limitation angulaire dans un systeme a faisceau de particules chargees |
FR2597259A1 (fr) * | 1986-04-15 | 1987-10-16 | Thomson Csf | Dispositif a faisceau electronique pour projeter l'image d'un objet sur un echantillon |
FR2605143B1 (fr) * | 1986-10-14 | 1994-04-29 | Thomson Csf | Dispositif d'optique electronique, d'illumination et de limitation d'ouverture variables, et son application a un systeme de lithographie par faisceau d'electrons |
FR2621757A1 (fr) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Thomson Csf | Reseau neuronal programmable a polymere ferroelectrique |
FR2644264B1 (fr) * | 1989-03-10 | 1991-05-10 | Thomson Csf | Reseau neuronal analogique programmable |
US5146090A (en) * | 1990-06-11 | 1992-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Particle beam apparatus having an immersion lens arranged in an intermediate image of the beam |
FR2666171B1 (fr) * | 1990-08-24 | 1992-10-16 | Cameca | Spectrometre de masse stigmatique a haute transmission. |
KR960014922A (ko) * | 1994-10-14 | 1996-05-22 | 가나이 쯔또무 | 표면해석방법 및 장치 |
JP3434165B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2003-08-04 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
FR2776061B1 (fr) * | 1998-03-13 | 2000-05-26 | Cameca | Procede et dispositif pour la mesure de fonds de crateres dans un analyseur physico-chimique |
EP1122761B1 (en) * | 2000-02-01 | 2004-05-26 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Optical column for charged particle beam device |
US6787773B1 (en) * | 2000-06-07 | 2004-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Film thickness measurement using electron-beam induced x-ray microanalysis |
-
2002
- 2002-03-29 FR FR0204074A patent/FR2837931B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-28 WO PCT/FR2003/000987 patent/WO2003083892A1/fr active IP Right Grant
- 2003-03-28 US US10/508,834 patent/US7049588B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-28 JP JP2003581221A patent/JP2005528735A/ja active Pending
- 2003-03-28 DE DE60309579T patent/DE60309579T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-28 AT AT03735792T patent/ATE344972T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-03-28 EP EP03735792A patent/EP1490888B1/fr not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160058899A (ko) * | 2013-09-23 | 2016-05-25 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Sem에서의 향상된 샘플 액세스를 위한 노치형 마그네틱 렌즈 |
KR102142176B1 (ko) * | 2013-09-23 | 2020-08-06 | 케이엘에이 코포레이션 | Sem에서의 향상된 샘플 액세스를 위한 노치형 마그네틱 렌즈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1490888B1 (fr) | 2006-11-08 |
WO2003083892A1 (fr) | 2003-10-09 |
DE60309579T2 (de) | 2007-09-13 |
US7049588B2 (en) | 2006-05-23 |
US20050211898A1 (en) | 2005-09-29 |
FR2837931B1 (fr) | 2004-12-10 |
ATE344972T1 (de) | 2006-11-15 |
EP1490888A1 (fr) | 2004-12-29 |
FR2837931A1 (fr) | 2003-10-03 |
DE60309579D1 (de) | 2006-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3996774B2 (ja) | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 | |
US6979823B2 (en) | Patterned wafer inspection method and apparatus therefor | |
JP3641288B2 (ja) | 標本表面の分析装置 | |
US8067733B2 (en) | Scanning electron microscope having a monochromator | |
US7560691B1 (en) | High-resolution auger electron spectrometer | |
JP2005292157A (ja) | ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置 | |
JP6666627B2 (ja) | 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の調整方法 | |
JP4253576B2 (ja) | パターン欠陥検査方法及び検査装置 | |
Goldstein et al. | Scanning electron microscope (SEM) instrumentation | |
US5591971A (en) | Shielding device for improving measurement accuracy and speed in scanning electron microscopy | |
JP3984870B2 (ja) | ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置 | |
US11626267B2 (en) | Back-scatter electrons (BSE) imaging with a SEM in tilted mode using cap bias voltage | |
US5767516A (en) | Electron microscope and sample observing method using the same | |
JP2004513477A (ja) | 静電対物に調整可能な最終電極を設けたsem | |
US20060237659A1 (en) | Imaging system with multi source array | |
JP2005528735A (ja) | 電子ビームにさらされた物体により生成されるx線の放射を測定する装置 | |
JP2001148232A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
JP3950891B2 (ja) | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 | |
JP4484860B2 (ja) | パターン欠陥検査方法 | |
JPH0627058A (ja) | 電子分光方法とこれを用いた電子分光装置 | |
EP4306945A1 (en) | Method of assessing a sample, apparatus for assessing a sample | |
JP2004281333A (ja) | 電子分光装置 | |
TW202335022A (zh) | 提供拓樸資訊的高解析度低能量電子顯微鏡與光罩檢查方法 | |
Modes | Scanning Electron Microscope (SEM) Instrumentation | |
HUNG | Electron Energy Spectrometers for the Scanning Electron Microscope |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081217 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081225 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20090127 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090401 |