JP2003185799A5 - - Google Patents

Description

基板回転機構１４は基板Ｓを保持して回転するもので、回転駆動源（モータ）２８ａと係合する回転軸２８と、ターンテーブル３０とから構成される。
ターンテーブル３０は、上側の本体３２と下側（加熱蒸発部２２側）のシースヒータ３４とからなる円板で、その中心に、モータ２８ａと係合する回転軸２８が固定される。ターンテーブル３０は、後述する加熱蒸発部２２（成膜材料の蒸発位置）に対応する所定位置において、下面（シースヒータ３４の下面）に基板Ｓを保持して、回転軸２８によって所定速度で回転される。また、シー スヒータ３４は、成膜される基板Ｓを裏面（成膜面と逆面）から加熱する。
なお、基板Ｓは、マスクを兼ねるホルダや治具等を用いた公知の方法で、成膜面を下方に向けてターンテーブル３０に保持すればよい。

真空チャンバ１２内の、基板回転機構１４下方には、加熱蒸発部２２が配置される。図２に、加熱蒸発部２２の概念図を示す。なお、図２中、（Ａ）は上面図（図１の上方から見た図）、（Ｂ）は正面図（図１と同方向から見た図）を、それぞれ示す。
前述のように、本実施形態に係る製造装置１０は、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを成膜材料として用い、これらを個々に加熱蒸発する二元の真空蒸着を行うものであり、加熱蒸発部２２は、ユーロピウム蒸発部３８（以下、Ｅｕ蒸発部３８とする）と、セシウム蒸発部４０（以下、Ｃｓ蒸発部４０とする）とを有する。

Ｅｕ蒸発部３８は、抵抗加熱装置４２によって、蒸発位置Ｐｅ（ルツボ）に収容した臭化ユーロピウム（付活剤材料）を、抵抗加熱して蒸発する部位である。
本発明において、付活剤材料を抵抗加熱して蒸発するための抵抗加熱装置４２には、特に限定はなく、用いる付活剤材料に応じて、これを好適に蒸発できるものであれば、真空蒸着装置に利用されている各種のものが利用可能である。
具体的には、加熱装置（蒸発源）としては、ボートタイプ、フィラメントタイプ、クルーシブルタイプ、チムニータイプ、Ｋセル（クヌーセンセル）等の、抵抗加熱装置で用いられる各種の装置が利用可能である。また、電源（加熱制御手段）も、サイリスタ方式、ＤＣ方式、熱電対フィードバック方式等、抵抗加熱装置で用いられる各種の方式が利用可能である。
また、抵抗加熱を行う際の出力にも特に限定はなく、付活剤材料等に応じて適宜設定すればよいが、図示例においては、ヒータの抵抗値によっても異なるが、５０Ａ〜１０００Ａ程度とすればよい。

上述のように、図４における励起機構１８Ａが、本実施形態に係る製造装置１０Ａの特徴的構成部分である。この励起機構１８Ａは、真空チャンバ１２の側壁に配設されたイオン銃（イオンビーム照射装置）２４と、これに接続される電源部２０ａから構成される。なお、イオンビームを所望の範囲で移動（振動または回転移動）させるためのイオン銃移動機構を有してもよい。
イオン銃（イオンビーム照射装置）２４としては、カウフマン型、エンドホール型、ＤＣマグネトロン型、ＲＦ型の各種のものが使用可能であり、ビーム電流は５０ｍＡ〜５Ａが使用できる。図示例では、一例として、ビーム電流１Ａでアルゴンプラズマ空間を形成している。

【符号の説明】
１０，１０Ａ，１０Ｂ （蓄積性蛍光体シート）製造装置
１２ 真空チャンバ
１４ 基板回転機構
１８，１８Ａ，１８Ｂ 励起機構
２０ ＲＦコイル
２２ 加熱蒸発部
２４ イオン銃
２４ａ アルゴンガス導入部
２６ マイクロ波ＥＣＲプラズマ発生装置
２６ａ マイクロ波電源
２６ｂ 導波路
２６ｃ 外部磁石
２６ｄ アンテナ
２８ 基板回転機構の回転軸
３０ ターンテーブル
３４ シースヒータ
３８ Ｅｕ蒸発部
４０ Ｃｓ蒸発部
４２ 抵抗加熱装置
４４ 電子銃
４６ 材料供給手段