JP2003178979A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003178979A5
JP2003178979A5 JP2002256221A JP2002256221A JP2003178979A5 JP 2003178979 A5 JP2003178979 A5 JP 2003178979A5 JP 2002256221 A JP2002256221 A JP 2002256221A JP 2002256221 A JP2002256221 A JP 2002256221A JP 2003178979 A5 JP2003178979 A5 JP 2003178979A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor region
region
film
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002256221A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2003178979A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002256221A priority Critical patent/JP2003178979A/ja
Priority claimed from JP2002256221A external-priority patent/JP2003178979A/ja
Publication of JP2003178979A publication Critical patent/JP2003178979A/ja
Publication of JP2003178979A5 publication Critical patent/JP2003178979A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2002256221A 2001-08-30 2002-08-30 半導体装置の作製方法 Withdrawn JP2003178979A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002256221A JP2003178979A (ja) 2001-08-30 2002-08-30 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001262356 2001-08-30
JP2001-262356 2001-08-30
JP2002256221A JP2003178979A (ja) 2001-08-30 2002-08-30 半導体装置の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003178979A JP2003178979A (ja) 2003-06-27
JP2003178979A5 true JP2003178979A5 (enExample) 2005-10-27

Family

ID=26621341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002256221A Withdrawn JP2003178979A (ja) 2001-08-30 2002-08-30 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003178979A (enExample)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200503061A (en) 2003-06-30 2005-01-16 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Crystallization method, crystallization apparatus, processed substrate, thin film transistor and display apparatus
US7588970B2 (en) * 2005-06-10 2009-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5433154B2 (ja) 2007-02-23 2014-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02297923A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Seiko Epson Corp 多結晶シリコン再結晶化法
JP2799888B2 (ja) * 1989-10-31 1998-09-21 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法
JPH05315362A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Ricoh Co Ltd 半導体装置の製造方法及び液晶表示装置
JPH0799314A (ja) * 1993-05-26 1995-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP3453436B2 (ja) * 1994-09-08 2003-10-06 三菱電機株式会社 半導体層を溶融再結晶化するための装置
JP3919838B2 (ja) * 1994-09-16 2007-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3760480B2 (ja) * 1995-05-12 2006-03-29 いすゞ自動車株式会社 ディーゼルエンジンのｅｇｒ制御装置および方法
JPH09172181A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP3830623B2 (ja) * 1997-07-14 2006-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性半導体膜の作製方法
JP2000081642A (ja) * 1998-07-06 2000-03-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP3844640B2 (ja) * 1999-08-31 2006-11-15 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4493751B2 (ja) * 1998-07-17 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000114173A (ja) * 1998-08-07 2000-04-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP4472066B2 (ja) * 1999-10-29 2010-06-02 シャープ株式会社 結晶性半導体膜の製造方法、結晶化装置及びｔｆｔの製造方法
JP4514861B2 (ja) * 1999-11-29 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法
JP2001176796A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Sharp Corp 半導体膜の形成方法および半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003059831A5 (enExample)
WO2000054314A1 (en) Method and apparatus for laser heat treatment, and semiconductor device
TWI402989B (zh) 形成多晶矽薄膜之方法及使用該方法以製造薄膜電晶體之方法
JP2003197521A5 (enExample)
US20080087895A1 (en) Polysilicon thin film transistor and method of fabricating the same
JP7182456B2 (ja) レーザ加工方法、及び、半導体部材製造方法
KR100809858B1 (ko) 결정질 반도체 재료 제조 방법 및 반도체 장치 제조 방법
JP2000003875A5 (enExample)
JP2003178979A5 (enExample)
US7179725B2 (en) Method of fabricating a polycrystalline film by crystallizing an amorphous film with laser light
JP4410926B2 (ja) レーザアニーリング方法
JP2008085317A5 (enExample)
JP2003163165A5 (enExample)
JP2000286195A (ja) レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス
JP2003224070A5 (enExample)
JP4515931B2 (ja) 薄膜半導体の製造方法およびその製造方法により製造された薄膜トランジスタ
JP4695777B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4586585B2 (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JP2005228808A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JPH06140324A (ja) 半導体薄膜の結晶化方法
JP2008218493A (ja) 半導体膜の製造方法および半導体膜製造装置
JP4271453B2 (ja) 半導体結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法
JPS6380521A (ja) 半導体薄膜結晶層の製造方法
JP2004088084A (ja) 半導体装置の作製方法
JP2005203441A (ja) 半導体デバイスおよびその製造方法