JP2003178979A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003178979A5 JP2003178979A5 JP2002256221A JP2002256221A JP2003178979A5 JP 2003178979 A5 JP2003178979 A5 JP 2003178979A5 JP 2002256221 A JP2002256221 A JP 2002256221A JP 2002256221 A JP2002256221 A JP 2002256221A JP 2003178979 A5 JP2003178979 A5 JP 2003178979A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor region
- region
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002256221A JP2003178979A (ja) | 2001-08-30 | 2002-08-30 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-262356 | 2001-08-30 | ||
JP2001262356 | 2001-08-30 | ||
JP2002256221A JP2003178979A (ja) | 2001-08-30 | 2002-08-30 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003178979A JP2003178979A (ja) | 2003-06-27 |
JP2003178979A5 true JP2003178979A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2005-10-27 |
Family
ID=26621341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002256221A Withdrawn JP2003178979A (ja) | 2001-08-30 | 2002-08-30 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003178979A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200503061A (en) | 2003-06-30 | 2005-01-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization method, crystallization apparatus, processed substrate, thin film transistor and display apparatus |
US7588970B2 (en) * | 2005-06-10 | 2009-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5433154B2 (ja) | 2007-02-23 | 2014-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02297923A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | Seiko Epson Corp | 多結晶シリコン再結晶化法 |
JP2799888B2 (ja) * | 1989-10-31 | 1998-09-21 | 京セラ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JPH05315362A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び液晶表示装置 |
JPH0799314A (ja) * | 1993-05-26 | 1995-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP3453436B2 (ja) * | 1994-09-08 | 2003-10-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体層を溶融再結晶化するための装置 |
JP3919838B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2007-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3760480B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2006-03-29 | いすゞ自動車株式会社 | ディーゼルエンジンのegr制御装置および方法 |
JPH09172181A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-30 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP3830623B2 (ja) * | 1997-07-14 | 2006-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 結晶性半導体膜の作製方法 |
JP2000081642A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-03-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3844640B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2006-11-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4493751B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2000114173A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP4472066B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2010-06-02 | シャープ株式会社 | 結晶性半導体膜の製造方法、結晶化装置及びtftの製造方法 |
JP4514861B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射装置およびレーザ照射方法および半導体装置の作製方法 |
JP2001176796A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Sharp Corp | 半導体膜の形成方法および半導体装置 |
-
2002
- 2002-08-30 JP JP2002256221A patent/JP2003178979A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003059831A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
TWI402989B (zh) | 形成多晶矽薄膜之方法及使用該方法以製造薄膜電晶體之方法 | |
WO2000054314A1 (en) | Method and apparatus for laser heat treatment, and semiconductor device | |
JP2008098595A (ja) | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2003197521A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
US6593215B2 (en) | Method of manufacturing crystalline semiconductor material and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2000003875A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP2003178979A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP4410926B2 (ja) | レーザアニーリング方法 | |
US20060141683A1 (en) | Production method for thin-film semiconductor | |
JP2008085317A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP2000286195A (ja) | レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス | |
JP3201395B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
JP2003224070A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP4515931B2 (ja) | 薄膜半導体の製造方法およびその製造方法により製造された薄膜トランジスタ | |
JP4695777B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4586585B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
JPH06140324A (ja) | 半導体薄膜の結晶化方法 | |
JP2005228808A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP4271453B2 (ja) | 半導体結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法 | |
JPS6380521A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
JP2008218493A (ja) | 半導体膜の製造方法および半導体膜製造装置 | |
JP2005123475A (ja) | 半導体薄膜とその製造方法およびその薄膜を用いた薄膜トランジスタ | |
JP2004088084A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2005203441A (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 |