JP2003177493A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2003177493A JP2003177493A JP2001378043A JP2001378043A JP2003177493A JP 2003177493 A JP2003177493 A JP 2003177493A JP 2001378043 A JP2001378043 A JP 2001378043A JP 2001378043 A JP2001378043 A JP 2001378043A JP 2003177493 A JP2003177493 A JP 2003177493A
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良好
な記録および再生が可能な光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】基板上に少なくとも記録層を有する光情報
記録媒体において、記録層中に一般式（１）で示される
化合物を含有する光情報記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、スルホン
酸基、置換基を有してもよいアルキル基、シクロアルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、
アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アシル基、アルキルアミノ基、アルコ
キシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アル
キルスルホニル基、若しくはアリールスルホニル基を表
し、これらのうち隣接位にあるものは互いに結合して環
を形成してもよく、またその環は置換基を有していても
よい。またＡは置換してもよいアリール基、またはヘテ
ロアリール基を表す。）
な記録および再生が可能な光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】基板上に少なくとも記録層を有する光情報
記録媒体において、記録層中に一般式（１）で示される
化合物を含有する光情報記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、スルホン
酸基、置換基を有してもよいアルキル基、シクロアルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、
アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アシル基、アルキルアミノ基、アルコ
キシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アル
キルスルホニル基、若しくはアリールスルホニル基を表
し、これらのうち隣接位にあるものは互いに結合して環
を形成してもよく、またその環は置換基を有していても
よい。またＡは置換してもよいアリール基、またはヘテ
ロアリール基を表す。）
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、色素膜を記録層と
して有する光情報記録媒体に関し、特に３５０ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録・再生可能である化合物を含
有した光情報記録媒体に関する。
して有する光情報記録媒体に関し、特に３５０ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録・再生可能である化合物を含
有した光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に反射層を有する光情報記録媒体
としてＣＤ（コンパクトディスク）規格に対応した追記
可能なＣＤ−Ｒが広く普及している。ＣＤ−Ｒの記録容
量は７００ＭＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴
い、情報記録媒体に対する高密度化および大容量化への
要求は高まっている。次に、更なる高密度光情報記録媒
体が望まれ、ＣＤ−Ｒ（記録波長７８０ｎｍ）に続い
て、ＤＶＤ−Ｒ（記録波長６３５〜６６０ｎｍ）が開発
されている。そして、次世代の記録媒体として、更に５
００ｎｍ以下の短波長レーザーを用いた光情報記録媒体
の開発が望まれている。しかし、これまでの記録層は一
般に色素等で構成されていたが、５００ｎｍ以下に大き
な吸収を有する色素はほとんど知られていないため、そ
の開発が急務となっている。
としてＣＤ（コンパクトディスク）規格に対応した追記
可能なＣＤ−Ｒが広く普及している。ＣＤ−Ｒの記録容
量は７００ＭＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴
い、情報記録媒体に対する高密度化および大容量化への
要求は高まっている。次に、更なる高密度光情報記録媒
体が望まれ、ＣＤ−Ｒ（記録波長７８０ｎｍ）に続い
て、ＤＶＤ−Ｒ（記録波長６３５〜６６０ｎｍ）が開発
されている。そして、次世代の記録媒体として、更に５
００ｎｍ以下の短波長レーザーを用いた光情報記録媒体
の開発が望まれている。しかし、これまでの記録層は一
般に色素等で構成されていたが、５００ｎｍ以下に大き
な吸収を有する色素はほとんど知られていないため、そ
の開発が急務となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、５０
０ｎｍ以下のレーザー波長に対して、優れた記録特性お
よび再生特性を有する色素を用いた光情報記録媒体を提
供することである。
０ｎｍ以下のレーザー波長に対して、優れた記録特性お
よび再生特性を有する色素を用いた光情報記録媒体を提
供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、（１）基板上に少なく
とも記録層を有する光情報記録媒体において、記録層中
に一般式（１）で示される化合物を含有する光情報記録
媒体、
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、（１）基板上に少なく
とも記録層を有する光情報記録媒体において、記録層中
に一般式（１）で示される化合物を含有する光情報記録
媒体、
【０００５】
【化４】
【０００６】（式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル
基、スルホン酸基、置換基を有してもよいアルキル基、
シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ
アリール基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アル
キルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アルキルアミ
ノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボ
ニル基、アルキルスルホニル基、若しくはアリールスル
ホニル基を表し、これらのうち隣接位にあるものは互い
に結合して環を形成してもよく、またその環は置換基を
有していてもよい。またＡは置換してもよいアリール
基、またはヘテロアリール基を表す。）（２）基板上に
少なくとも上記の記録層および反射層を有する（１）に
記載の光情報記録媒体、（３）Ａが下記式（２）
子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル
基、スルホン酸基、置換基を有してもよいアルキル基、
シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ
アリール基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アル
キルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アルキルアミ
ノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボ
ニル基、アルキルスルホニル基、若しくはアリールスル
ホニル基を表し、これらのうち隣接位にあるものは互い
に結合して環を形成してもよく、またその環は置換基を
有していてもよい。またＡは置換してもよいアリール
基、またはヘテロアリール基を表す。）（２）基板上に
少なくとも上記の記録層および反射層を有する（１）に
記載の光情報記録媒体、（３）Ａが下記式（２）
【０００７】
【化５】
【０００８】（式中、Ｑ1〜Ｑ5はそれぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、
アルケニル基、若しくはアルコキシル基を表す。）また
は下記式（３）
子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、
アルケニル基、若しくはアルコキシル基を表す。）また
は下記式（３）
【０００９】
【化６】
【００１０】（式中、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表
し、Ｑ6〜Ｑ10はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、置換基を有してもよいアルキル基、アルケニル基、
若しくはアルコキシル基を表す。）で表される化合物で
ある（１）または（２）に記載の光情報記録媒体、
（４）書き込み及び読み取りのレーザー波長がともに３
５０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする（１）な
いし（３）に記載の光情報記録媒体、に関する。
し、Ｑ6〜Ｑ10はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、置換基を有してもよいアルキル基、アルケニル基、
若しくはアルコキシル基を表す。）で表される化合物で
ある（１）または（２）に記載の光情報記録媒体、
（４）書き込み及び読み取りのレーザー波長がともに３
５０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする（１）な
いし（３）に記載の光情報記録媒体、に関する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の光情報記録媒体は、記録
層中に一般式（１）で示される構造の化合物を少なくと
も一種使用してなるものである。
層中に一般式（１）で示される構造の化合物を少なくと
も一種使用してなるものである。
【００１２】一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ8における
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル
基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１
〜２０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０のアル
キル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基が挙
げられ、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数３
〜１０のシクロアルキル基が挙げられ、アリール基とし
てはフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
の炭素数６〜１２のアリール基が挙げられ、ヘテロアリ
ール基としてはチエニル基、フラニル基、ピロリル基、
３−ピロニノ基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキ
サゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾ
リル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−ト
リアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、ピリジ
ニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル
基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル
基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダ
ゾリル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾリル
基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、ベンゾトリアゾ
ール−２−イル基、プリニル基、キノリニル基、イソキ
ノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサ
リニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェ
ナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル
基、フタルイミド基、ナフチルイミド基等が挙げられ
る。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル
基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１
〜２０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０のアル
キル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基が挙
げられ、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数３
〜１０のシクロアルキル基が挙げられ、アリール基とし
てはフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
の炭素数６〜１２のアリール基が挙げられ、ヘテロアリ
ール基としてはチエニル基、フラニル基、ピロリル基、
３−ピロニノ基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキ
サゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾ
リル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−ト
リアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、ピリジ
ニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル
基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル
基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダ
ゾリル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾリル
基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、ベンゾトリアゾ
ール−２−イル基、プリニル基、キノリニル基、イソキ
ノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサ
リニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェ
ナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル
基、フタルイミド基、ナフチルイミド基等が挙げられ
る。
【００１３】Ｒ1〜Ｒ8におけるハロゲン原子としてはフ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子が挙げ
られ、アルコキシル基としてはメトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプ
チルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基が挙げられ、
アリールオキシ基としてはフェノキシ基等が挙げられ、
アルキルチオ基としてはメチルチオ基、エチルチオ基、
ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基等が挙げられ、
アリールチオ基としてはフェニルチオ基等が挙げられ、
アルケニル基としてはビニル基、アリル基、１−プロペ
ニル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基、１，３−
ブタジエニル基、２−ペンテニル基等の炭素数２〜１０
のアルケニル基が挙げられ、アシル基としてはホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プ
ロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基等が挙げ
られ、アルキルアミノ基としてはメチルアミノ基、エチ
ルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ
基等が挙げられる。
ッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子が挙げ
られ、アルコキシル基としてはメトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプ
チルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基が挙げられ、
アリールオキシ基としてはフェノキシ基等が挙げられ、
アルキルチオ基としてはメチルチオ基、エチルチオ基、
ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基等が挙げられ、
アリールチオ基としてはフェニルチオ基等が挙げられ、
アルケニル基としてはビニル基、アリル基、１−プロペ
ニル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基、１，３−
ブタジエニル基、２−ペンテニル基等の炭素数２〜１０
のアルケニル基が挙げられ、アシル基としてはホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プ
ロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基等が挙げ
られ、アルキルアミノ基としてはメチルアミノ基、エチ
ルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ
基等が挙げられる。
【００１４】Ｒ1〜Ｒ8におけるアルコキシカルボニル基
としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基等が挙げられ、アルキルアミノカルボニル基とし
てはメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニ
ル基、ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルア
ミノカルボニル基等が挙げられ、アルキルスルホニル基
としてはメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ
−プロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基等が
挙げられ、、アリールスルホニル基としてはフェニルス
ルホニル基などが挙げられる。
としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基等が挙げられ、アルキルアミノカルボニル基とし
てはメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニ
ル基、ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルア
ミノカルボニル基等が挙げられ、アルキルスルホニル基
としてはメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ
−プロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基等が
挙げられ、、アリールスルホニル基としてはフェニルス
ルホニル基などが挙げられる。
【００１５】これら置換基を有してもよいアルキル基、
シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ
アリール基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、アシル
基、アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アル
キルアミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリ
ールスルホニル基に結合する置換基としては、シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボキシル基；テトラ
ヒドロフリル基；前述に述べたのと同様のハロゲン原
子；前述に述べたのと同様のアルコキシル基；メトキシ
エトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜
１２のアルコキシアルコキシル基；アリルオキシ基；前
述に述べたのと同様のアリールオキシ基；メチルスルホ
ニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピ
ルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ
基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチル
スルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｎ−ペンチルスルホニルアミノ基、ｎ−ヘキシルス
ルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニ
ルアミノ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカ
ルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、
ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシ
カルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピル
カルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチル
カルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ
基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオ
キシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシ
カルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ
基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニルオキシ基；前述に述べたのと同
様の炭素数６〜１２のアリール基等が挙げられる。
シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ
アリール基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アル
キルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、アシル
基、アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アル
キルアミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリ
ールスルホニル基に結合する置換基としては、シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボキシル基；テトラ
ヒドロフリル基；前述に述べたのと同様のハロゲン原
子；前述に述べたのと同様のアルコキシル基；メトキシ
エトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜
１２のアルコキシアルコキシル基；アリルオキシ基；前
述に述べたのと同様のアリールオキシ基；メチルスルホ
ニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピ
ルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ
基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチル
スルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｎ−ペンチルスルホニルアミノ基、ｎ−ヘキシルス
ルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニ
ルアミノ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカ
ルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、
ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシ
カルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピル
カルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチル
カルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ
基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオ
キシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシ
カルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ
基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニルオキシ基；前述に述べたのと同
様の炭素数６〜１２のアリール基等が挙げられる。
【００１６】また、Ｒ1〜Ｒ8のうち隣接位にあるものは
互いに結合して環を形成してもよい。例えばＲ1とＲ2、
Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6等がそれぞれ結合して縮合環（例え
ばピペリジン環、モルホリン環、芳香環等）を形成して
もよい。またこれらには前述に述べたのと同様のアルキ
ル基、ハロゲン原子、アルコキシル基などの置換基を有
していてもよい。
互いに結合して環を形成してもよい。例えばＲ1とＲ2、
Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6等がそれぞれ結合して縮合環（例え
ばピペリジン環、モルホリン環、芳香環等）を形成して
もよい。またこれらには前述に述べたのと同様のアルキ
ル基、ハロゲン原子、アルコキシル基などの置換基を有
していてもよい。
【００１７】Ａは置換してもよいアリール基、またはヘ
テロアリール基を表す。これらは前述したＲ1からＲ8の
アリール基、またはヘテロアリール基と同様である。置
換基についてはＲ1〜Ｒ8について前述したのと同様の、
シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
テトラヒドロフリル基、ハロゲン原子、アルコキシル
基、アルコキシアルコキシル基、アリルオキシ基、アリ
ールオキシ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミ
ノ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数
２〜７のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数２〜７の
アルコキシカルボニルオキシ基、炭素数６〜１２のアリ
ール基等が挙げられる。これら置換してもよいアリール
基、またはヘテロアリール基は、炭素数が２０以下であ
ることが好ましい。さらにＡが下記式（２）であること
が好ましい。
テロアリール基を表す。これらは前述したＲ1からＲ8の
アリール基、またはヘテロアリール基と同様である。置
換基についてはＲ1〜Ｒ8について前述したのと同様の、
シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
テトラヒドロフリル基、ハロゲン原子、アルコキシル
基、アルコキシアルコキシル基、アリルオキシ基、アリ
ールオキシ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミ
ノ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数
２〜７のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数２〜７の
アルコキシカルボニルオキシ基、炭素数６〜１２のアリ
ール基等が挙げられる。これら置換してもよいアリール
基、またはヘテロアリール基は、炭素数が２０以下であ
ることが好ましい。さらにＡが下記式（２）であること
が好ましい。
【００１８】
【化７】
【００１９】（式中、Ｑ1〜Ｑ5は前記と同じ。）
または下記式（３）
【００２０】
【化８】
【００２１】（式中、Ｘ及びＱ6〜Ｑ10は前記と同
じ。）である。
じ。）である。
【００２２】式（２）及び（３）においてＱ1〜Ｑ10に
おけるハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル
基、アルケニル基、アルコキシル基は前述したのと同様
の置換基が挙げられ、Ｘが酸素原子の場合は１，３，４
−オキサジアゾリル基であり、硫黄原子の場合は１，
３，４−チアジアゾリル基である。
おけるハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル
基、アルケニル基、アルコキシル基は前述したのと同様
の置換基が挙げられ、Ｘが酸素原子の場合は１，３，４
−オキサジアゾリル基であり、硫黄原子の場合は１，
３，４−チアジアゾリル基である。
【００２３】次に、本発明の光情報記録媒体に使用する
一般式（１）で示される化合物の具体例を表１に示す。
表１中、ｃｏｎは縮合している事を表し、そのあとに記
す（）はその縮合環が（）内の置換基を有していること
を表す。またＣｙは環状、Ｐｈはフェニル基、Ｏｄは
１，３，４−オキサジアゾリル基、Ｔｄは１，３，４−
チアジアゾリル基を表す。
一般式（１）で示される化合物の具体例を表１に示す。
表１中、ｃｏｎは縮合している事を表し、そのあとに記
す（）はその縮合環が（）内の置換基を有していること
を表す。またＣｙは環状、Ｐｈはフェニル基、Ｏｄは
１，３，４−オキサジアゾリル基、Ｔｄは１，３，４−
チアジアゾリル基を表す。
【００２４】尚、表中化合物Ｎｏ．１２，１３および２
０のＡは式（３）で表され、Ｘは酸素原子、Ｑ6、Ｑ7、
Ｑ9、Ｑ10は水素原子、Ｑ8はメチル基であることを示
す。化合物Ｎｏ．１９のＡは式（２）で表され、Ｑ1、
Ｑ2、Ｑ4、Ｑ5は水素原子、Ｑ3は塩素原子であることを
示す。
０のＡは式（３）で表され、Ｘは酸素原子、Ｑ6、Ｑ7、
Ｑ9、Ｑ10は水素原子、Ｑ8はメチル基であることを示
す。化合物Ｎｏ．１９のＡは式（２）で表され、Ｑ1、
Ｑ2、Ｑ4、Ｑ5は水素原子、Ｑ3は塩素原子であることを
示す。
【００２５】
表１
No. R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 A
1 H H H H conPh H H Od-Ph
2 SO3Na H H H conPh(SO3Na) H H Ph
3 H H H H H H OCH3 CH3 Od-Ph
4 SO3H H H H H H OCH3 0CH3 Od-Ph
5 SO3H H H H H H OCH3 CH3 Od-Ph
6 H H H H conPh(SO3Na) H H Od-Ph
7 SO3Na H H H conPh H H Ph
8 H H H H conPh SO3H H Od-Ph
9 H H H H H H OCH3 OCH3 Od-Ph
10 H H H H conPh H H Td-Ph
11 SO3H H H H conPh H H Od-Ph
12 H H H H conPh H H Od-Ph-CH3
13 H H H H conPh SO3H H Od-Ph-CH3
14 H H H H conPh(SO3Na) H H Ph
15 H H H H conPh SO3H H Ph
16 H H H H conPh(SO3Na) H H Ph
17 H H H H conPh(SO3Na) H H Ph
18 SO3Ph H H H conPh H H Ph
19 CN H H H conPh H H Ph-Cl
20 H H H H conPh H H Od-Ph-CH3
【００２６】本発明の光情報記録媒体に使用される一般
式（１）で表される化合物は、例えばスイス特許３３１
５１２号公報、３３１５１４号公報、３３２４８０号公
報、或いは英国特許８２５４１３号公報に記載された公
知の方法で得ることができる。
式（１）で表される化合物は、例えばスイス特許３３１
５１２号公報、３３１５１４号公報、３３２４８０号公
報、或いは英国特許８２５４１３号公報に記載された公
知の方法で得ることができる。
【００２７】本発明の光情報記録媒体は、基板上に記録
層を有するもので、該記録層は上記の一般式（１）の化
合物を含有することを特徴とする。この記録層は、この
化合物単独で含有されていても良く、またバインダー等
の各種添加剤と混合して含有されていても良い。
層を有するもので、該記録層は上記の一般式（１）の化
合物を含有することを特徴とする。この記録層は、この
化合物単独で含有されていても良く、またバインダー等
の各種添加剤と混合して含有されていても良い。
【００２８】また、一般式（１）の化合物のほか、他の
有機色素を含有させてもよい。このような併用しうる有
機色素としては、一般的に知られている色素、例えばシ
アニン系色素、スクワリリウム系色素、インドアニリン
系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素、メロシア
ニン系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、
ピリリウム系色素等が挙げられる。
有機色素を含有させてもよい。このような併用しうる有
機色素としては、一般的に知られている色素、例えばシ
アニン系色素、スクワリリウム系色素、インドアニリン
系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素、メロシア
ニン系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、
ピリリウム系色素等が挙げられる。
【００２９】本発明の光情報記録媒体は、基板上に一般
式（１）の化合物を含有する記録層を設けたもので、必
要に応じ、反射層、保護層が設けられる。基板としては
既知のものを任意に使用することが出来る。例えば、ガ
ラス板、金属板又はプラスチック板もしくはフィルムが
あげられ、これらを製造するためのプラスチックとして
はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹
脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポリオ
レフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂
等があげられる。基板の形状については、ディスク状、
カード状、シート状、ロールフィルム状等種々のものが
あげられる。
式（１）の化合物を含有する記録層を設けたもので、必
要に応じ、反射層、保護層が設けられる。基板としては
既知のものを任意に使用することが出来る。例えば、ガ
ラス板、金属板又はプラスチック板もしくはフィルムが
あげられ、これらを製造するためのプラスチックとして
はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹
脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポリオ
レフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂
等があげられる。基板の形状については、ディスク状、
カード状、シート状、ロールフィルム状等種々のものが
あげられる。
【００３０】ガラスまたはプラスチック基板上には記録
時のトラッキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。また、ガラスまたはプラスチック基板にはプ
ラスチックバインダーまたは無機酸化物、無機硫化物等
の下引き層を設けてもよく、下引層は基板より熱伝導率
の低いものが好ましい。下引き層の膜厚は０．０１〜３
０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
時のトラッキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。また、ガラスまたはプラスチック基板にはプ
ラスチックバインダーまたは無機酸化物、無機硫化物等
の下引き層を設けてもよく、下引層は基板より熱伝導率
の低いものが好ましい。下引き層の膜厚は０．０１〜３
０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
【００３１】本発明の光情報記録媒体における記録層
は、例えば、一般式（１）の化合物を公知の有機溶剤、
例えばテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）、オクタ
フルオロペンタノール（ＯＦＰ）、ダイアセトンアルコ
ール、メタノール、エタノール、ブタノール、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ジクロロエタン、イソホ
ロン、シクロヘキサノン等に溶解し、必要に応じて、適
当なバインダーを加え、その溶液をスピンコーター、バ
ーコーター、ロールコーター等により基板上に塗布する
ことにより得ることが出来る。その他の方法としては、
真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、
キャスト法もしくは基板を溶液中に漬けるディッピング
法によっても得ることができる。ここにおいてバインダ
−としてはアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ
系樹脂等が使用されうる。
は、例えば、一般式（１）の化合物を公知の有機溶剤、
例えばテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）、オクタ
フルオロペンタノール（ＯＦＰ）、ダイアセトンアルコ
ール、メタノール、エタノール、ブタノール、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ジクロロエタン、イソホ
ロン、シクロヘキサノン等に溶解し、必要に応じて、適
当なバインダーを加え、その溶液をスピンコーター、バ
ーコーター、ロールコーター等により基板上に塗布する
ことにより得ることが出来る。その他の方法としては、
真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、
キャスト法もしくは基板を溶液中に漬けるディッピング
法によっても得ることができる。ここにおいてバインダ
−としてはアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ
系樹脂等が使用されうる。
【００３２】記録層の膜厚は、記録感度や反射率を考慮
すると、好ましくは０．０１μｍ〜５μｍ、より好まし
くは０．０２μｍ〜３μｍである。尚、塗布液の色素含
有量は、好ましくは０．２から１０重量％とするのがよ
い。
すると、好ましくは０．０１μｍ〜５μｍ、より好まし
くは０．０２μｍ〜３μｍである。尚、塗布液の色素含
有量は、好ましくは０．２から１０重量％とするのがよ
い。
【００３３】本発明の光情報記録媒体には、必要により
記録層の下に下引層を、また記録層上に保護層を設ける
ことが出来、さらに記録層と保護層の間に反射層を設け
ることが出来る。反射層を設ける場合、反射層は金、
銀、銅、アルミニウム等、好ましくは金、銀、もしくは
アルミニウムの金属で構成され、これらの金属は単独で
使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。このも
のは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等で成膜される。このような反射層の厚さは、
０．０２〜２μｍである。反射層の上に設けられること
のある保護層は、一般に、紫外線硬化樹脂をスピンコー
ト法により塗装した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化さ
せて形成されるものである。その他、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜
の形成材料に用いられる。このような保護膜の厚さは、
通常、０．０１〜１００μｍである。
記録層の下に下引層を、また記録層上に保護層を設ける
ことが出来、さらに記録層と保護層の間に反射層を設け
ることが出来る。反射層を設ける場合、反射層は金、
銀、銅、アルミニウム等、好ましくは金、銀、もしくは
アルミニウムの金属で構成され、これらの金属は単独で
使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。このも
のは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等で成膜される。このような反射層の厚さは、
０．０２〜２μｍである。反射層の上に設けられること
のある保護層は、一般に、紫外線硬化樹脂をスピンコー
ト法により塗装した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化さ
せて形成されるものである。その他、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜
の形成材料に用いられる。このような保護膜の厚さは、
通常、０．０１〜１００μｍである。
【００３４】本発明の光情報記録媒体における情報の記
録、あるいは画像の形成は波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍ
のレーザー光、例えば可視光領域の広範囲で波長選択の
できる色素レーザー、４１０ｎｍの青色または５１５ｎ
ｍの青緑色の半導体レーザー、波長４４５ｎｍのヘリウ
ムカドミウムレーザー、波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー、波長約８６０ｎｍの半導体レーザーの第２高調波
４３０ｎｍの半導体レーザー、また半導体レーザー励起
の固体レーザーの場合は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌ
Ｆ6結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３
０ｎｍなどを使用することができる。情報あるいは画像
の記録は集束したこれらのレーザー光を基板を通して、
もしくは基板と反対側から記録層に照射することにより
行われ、情報あるいは画像の読み出しは、低出力のレー
ザービームを照射することにより、ピット部とピットが
形成されていない部分の反射光量もしくは透過光量の差
を検出することにより行われる。
録、あるいは画像の形成は波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍ
のレーザー光、例えば可視光領域の広範囲で波長選択の
できる色素レーザー、４１０ｎｍの青色または５１５ｎ
ｍの青緑色の半導体レーザー、波長４４５ｎｍのヘリウ
ムカドミウムレーザー、波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー、波長約８６０ｎｍの半導体レーザーの第２高調波
４３０ｎｍの半導体レーザー、また半導体レーザー励起
の固体レーザーの場合は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌ
Ｆ6結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３
０ｎｍなどを使用することができる。情報あるいは画像
の記録は集束したこれらのレーザー光を基板を通して、
もしくは基板と反対側から記録層に照射することにより
行われ、情報あるいは画像の読み出しは、低出力のレー
ザービームを照射することにより、ピット部とピットが
形成されていない部分の反射光量もしくは透過光量の差
を検出することにより行われる。
【００３５】本発明に使用する化合物は各種溶媒への溶
解度が高いので光情報記録媒体を製造しやすい。また、
本発明の光情報記録媒体は耐光性、耐熱性が強く保存安
定性に優れた記録物を得ることができる。
解度が高いので光情報記録媒体を製造しやすい。また、
本発明の光情報記録媒体は耐光性、耐熱性が強く保存安
定性に優れた記録物を得ることができる。
【００３６】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるもの
ではない。
明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるもの
ではない。
【００３７】実施例１
（ａ）光情報記録媒体の製造
Ｎｏ．１で示される化合物（ＤＭＦ中での吸収スペクト
ルはλｍａｘ＝３６８ｎｍ、モル吸光係数５７，６０
０）（日本分光社製、紫外可視分光光度計Ｖ−５３０を
使用し測定）のテトラフルオロペンタノール１重量％溶
液を調製し、ろ過して、溶液を得た。この溶液を直径１
２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に
滴下し、スピンコートし、乾燥した。次に、この塗布膜
の上にスパッタリング法により、銀膜を成膜し、反射層
を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂
をスピンコートし硬化させ、保護層を形成した。塗布膜
の反射スペクトルのλｍａｘは３９７ｎｍであった。
（日本分光社製、紫外可視分光光度計Ｖ−５３０を使用
し測定）
ルはλｍａｘ＝３６８ｎｍ、モル吸光係数５７，６０
０）（日本分光社製、紫外可視分光光度計Ｖ−５３０を
使用し測定）のテトラフルオロペンタノール１重量％溶
液を調製し、ろ過して、溶液を得た。この溶液を直径１
２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に
滴下し、スピンコートし、乾燥した。次に、この塗布膜
の上にスパッタリング法により、銀膜を成膜し、反射層
を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂
をスピンコートし硬化させ、保護層を形成した。塗布膜
の反射スペクトルのλｍａｘは３９７ｎｍであった。
（日本分光社製、紫外可視分光光度計Ｖ−５３０を使用
し測定）
【００３８】（ｂ）光情報記録法
上記光情報記録媒体に、中心波長４１０ｎｍの半導体レ
ーザー光を照射したところ、良好な記録ができ、読み取
ることが出来た。
ーザー光を照射したところ、良好な記録ができ、読み取
ることが出来た。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、波長３５０
ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで記録および再生が良好な
高密度光記録媒体を提供することが可能となる。また一
般式（１）で示される化合物は耐光性、耐熱性などが高
く、この化合物を記録層として用いることにより保存安
定性に優れた光記録媒体を得ることができる。さらに一
般式（１）で示される化合物は各種溶媒への溶解度が高
く、かつモル吸光係数が高いので、塗工液の溶媒、およ
び濃度の選定の幅が広く、濾過性も良好であり、光記録
媒体の製造上有用である。従って、本発明の光記録媒体
は非常に有用である。
る化合物を記録層として用いることにより、波長３５０
ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで記録および再生が良好な
高密度光記録媒体を提供することが可能となる。また一
般式（１）で示される化合物は耐光性、耐熱性などが高
く、この化合物を記録層として用いることにより保存安
定性に優れた光記録媒体を得ることができる。さらに一
般式（１）で示される化合物は各種溶媒への溶解度が高
く、かつモル吸光係数が高いので、塗工液の溶媒、およ
び濃度の選定の幅が広く、濾過性も良好であり、光記録
媒体の製造上有用である。従って、本発明の光記録媒体
は非常に有用である。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層を有する光情
報記録媒体において、記録層中に一般式（１）で示され
る化合物を含有する光情報記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、スルホン
酸基、置換基を有してもよいアルキル基、シクロアルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、
アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アシル基、アルキルアミノ基、アルコ
キシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アル
キルスルホニル基、若しくはアリールスルホニル基を表
し、これらのうち隣接位にあるものは互いに結合して環
を形成してもよく、またその環は置換基を有していても
よい。またＡは置換してもよいアリール基、またはヘテ
ロアリール基を表す。） - 【請求項２】基板上に少なくとも上記の記録層および反
射層を有する請求項１に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】Ａが下記式（２） 【化２】 （式中、Ｑ1〜Ｑ5はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン
原子、置換基を有してもよいアルキル基、アルケニル
基、若しくはアルコキシル基を表す。）または下記式
（３） 【化３】 （式中、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｑ6〜Ｑ
10はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、アルケニル基、若しくはアル
コキシル基を表す。）で表される化合物である請求項１
または２に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項４】書き込み及び読み取りのレーザー波長がと
もに３５０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請
求項１ないし３に記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001378043A JP3992271B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001378043A JP3992271B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003177493A true JP2003177493A (ja) | 2003-06-27 |
| JP3992271B2 JP3992271B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=19185874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001378043A Expired - Fee Related JP3992271B2 (ja) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3992271B2 (ja) |
-
2001
- 2001-12-12 JP JP2001378043A patent/JP3992271B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3992271B2 (ja) | 2007-10-17 |
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