JP2003170663A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録および再生が可能な光記録媒体を提供する。 【解決手段】基板上に少なくとも記録層および反射層を
有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）で
示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ₁は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
若しくはヘテロアリール基を表し、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞ
れ独立に水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ
基、ヒドロキシル基、置換基を有してもよいアルキル
基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコシキ基、ア
リールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ア
ルケニル基、アシル基、若しくはアルキルアミノ基を表
し、これらのうち隣接位にあるものは互いに結合して環
を形成してもよい。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、色素膜を記録層と
して有する光記録媒体に関し、特に３５０ｎｍ〜５００
ｎｍのレーザーで記録・再生可能である化合物を含有し
た光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てＣＤ（コンパクトディスク）規格に対応した追記可能
なＣＤ−Ｒが広く普及している。ＣＤ−Ｒの記録容量は
７００ＭＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、
情報記録媒体に対する高密度化および大容量化への要求
は高まっている。次に、更なる高密度光記録媒体が望ま
れ、ＣＤ−Ｒ（記録波長７８０ｎｍ）に続いて、ＤＶＤ
−Ｒ（記録波長６３５〜６６０ｎｍ）が開発されてい
る。そして、次世代の記録媒体として、更に５００ｎｍ
以下の短波長レーザーを用いた光記録媒体の開発が望ま
れている。しかし、これまでの記録層は一般に色素等で
構成されていたが、５００ｎｍ以下に大きな吸収を有す
る色素は限られた例しかないため、その開発が急務とな
っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、５０
０ｎｍ以下のレーザー波長に対して、優れた記録特性お
よび再生特性を有する色素を用いた光記録媒体を提供す
ることである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、 （１） 基板上に少なくとも記録層を有する光記録媒体
において、記録層中に一般式（１）で示される化合物を
含有する光記録媒体。

【化２】 （式中、Ｒ₁は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
若しくはヘテロアリール基を表し、Ｒ₂〜Ｒ₅はそれぞれ
独立に水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、
ヒドロキシル基、置換基を有してもよいアルキル基、ア
リール基、ヘテロアリール基、アルコシキ基、アリール
オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ル基、アシル基、若しくはアルキルアミノ基を表し、こ
れらのうち隣接位にあるものは互いに結合して環を形成
してもよい。） （２）基板上に少なくとも上記の記録層および反射層を
有する（１）に記載の光記録媒体。 （３）一般式（１）で表される化合物の溶液中での極大
吸収波長（λｍａｘ）が、５００ｎｍ以下である（１）
または（２）に記載の光記録媒体。 （４）書き込み及び読み取りのレーザー波長がともに３
５０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする（１）な
いし（３）に記載の光記録媒体、に関する。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明の光情報記録媒体は、記録
層中に一般式（１）で示される構造の化合物を少なくと
も一種使用してなるものである。

【０００６】一般式（１）において、Ｒ₁、Ｒ₂〜Ｒ₅に
おけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デ
シル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素
数１〜２０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０の
アルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基
が挙げられ、Ｒ１におけるシクロアルキル基としてはシ
クロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル
基等の炭素数３〜１０のシクロアルキル基が挙げられ、
Ｒ₁、Ｒ₂〜Ｒ₅におけるアリール基としてはフェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜
１２のアリール基が挙げられ、Ｒ₁、Ｒ₂〜Ｒ₅における
ヘテロアリール基としてはチエニル基、フラニル基、ピ
ロリル基、３−ピロニノ基、ピラゾリル基、イミダゾリ
ル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オ
キサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，
２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル
基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、
ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベン
ゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベ
ンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチ
アゾリル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、ベンゾ
トリアゾール−２−イル基、プリニル基、キノリニル
基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル
基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カリバゾ
リル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、
フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基等が
挙げられる。

【０００７】Ｒ₂〜Ｒ₅におけるハロゲン原子としてはフ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子が挙げ
られ、Ｒ₂〜Ｒ₅におけるアルコキシ基としてはメトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキ
シ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、
ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基
が挙げられ、Ｒ₂〜Ｒ₅におけるアリールオキシ基として
はフェノキシ基等が挙げられ、Ｒ₂〜Ｒ₅におけるアルキ
ルチオ基としてはメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プ
ロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基等が挙げられ、Ｒ₂〜
Ｒ₅におけるアリールチオ基としてはフェニルチオ基等
が挙げられ、Ｒ ₁、Ｒ₂〜Ｒ₅におけるアルケニル基とし
てはビニル基、アリル基、１−プロペニル基、イソプロ
ペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、
２−ペンテニル基等の炭素数２〜１０のアルケニル基が
挙げられ、Ｒ₂〜Ｒ₅におけるアシル基としてはホルミル
基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プ
ロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基等が挙げ
られ、Ｒ₂〜Ｒ₅におけるアルキルアミノ基としてはメチ
ルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、
ｎ−ブチルアミノ基等が挙げられる。

【０００８】これら置換基を有してもよいアルキル基、
シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ
アリール基、アルコシキ基、アリールオキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、アシル基、
アルキルアミノ基に結合する置換基としては、シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボキシル基；テトラ
ヒドロフリル基；前述に述べたのと同様のハロゲン原
子；前述に述べたのと同様のアルコキシ基；メトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜
１２のアルコキシアルコキシ基；アリルオキシ基；前述
に述べたのと同様のアリールオキシ基；メチルスルホニ
ルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピル
スルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ
基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチル
スルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｎ−ペンチルスルホニルアミノ基、ｎ−ヘキシルス
ルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニ
ルアミノ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカ
ルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、
ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシ
カルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピル
カルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチル
カルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ
基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオ
キシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシ
カルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ
基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニルオキシ基；前述に述べたのと同
様の炭素数６〜１２のアリール基；前述に述べたのと同
様のアルキルアミノ基；アルキルアミノ基などを四級化
したり、ピリジン等を導入した第四級アンモニウム基等
が挙げられる。

【０００９】また、Ｒ₂〜Ｒ₅のうち隣接位にあるものは
互いに結合して環を形成してもよい。例えばＲ₂とＲ₃、
Ｒ₃とＲ₄、Ｒ₄とＲ₅とそれぞれ結合して環（例えばピペ
リジン環、モルホリン環等）を形成するか又はこれらに
よって形成された環は互いに縮合していてもよい。

【００１０】次に、本発明の光記録媒体に使用する一般
式（１）で示される化合物の具体例（１）〜（２９）を
表１、表２および下記式に示す。ただし、表１〜２中、
Ｃｙは環状、Ｐｈはフェニル基、Ｐｙはピリジン基を表
す。

【００１１】 表１ No. R1 R2 R3 R4 R5 1 n-C4H9 H O-n-C4H9 H H 2 CH3 H O-n-C4H9 H H 3 CH3 NO2 NHC3H6OCH3 H H 4 n-C3H7 NO2 NHC3H7 H H 5 Cy-C6H11 H O-n-C4H9 O-n-C4H9 H 6 CH2CH(C2H5)C4H9 H O-n-C4H9 O-n-C4H9 H 7 n-C3H7 H O-n-C4H9 O-n-C4H9 H 8 n-C3H7 H O-t-C4H9 O-t-C4H9 H 9 i-C3H7 H O-n-C4H9 O-n-C4H9 H 10 CH3 NO2 H S-Ph-CH3 H 11 CH3 H OCH2CH=CH2 H H 12 Ph H O-n-C4H9 H H

【００１２】 表２ No. R1 R2 R3 R4 R5 13 CH3 H O-C2H4Ph H H 14 CH2CO0CH3 H O-n-C3H7 H H 15 C3H60CH(CH3)2 H OCH3 H H 16 CH3 H PhCH3 H H 17 CH3 H OPh-n-C8H17 H H 18 CH3 H O-i-C4H9 H H 19 n-C3H60CH3 H O-n-C4H9 H H 20 n-C4H9 H OPh Cl H 21 CH3 H O-C2H5 OPh H 22 CH3 H O-n-C4H9 O-n-C4H9 H 23 n-C3H60CH3 H O-Ph OPh H 24 Ph(p-,o-CH3) H NH2 H H 25 C2H4Py+ H OCH3 H H

【００１３】

【化３】

【００１４】

【化４】

【００１５】本発明の光記録媒体に使用される一般式
（１）で表される化合物は、例えば特公昭４４−１８９
５７号公報或いは特開平６−３１６１７０号公報に記載
された公知の方法で得ることができる。

【００１６】本発明の光記録媒体は、基板上に記録層を
有するもので、該記録層は上記の一般式（１）の化合物
を含有することを特徴とする。この記録層は、この化合
物単独で含有されていても良く、またバインダー等の各
種添加剤と混合して含有されていても良い。

【００１７】また、一般式（１）の化合物のほか、他の
有機色素を含有させてもよい。このような併用しうる有
機色素としては、一般的に知られている色素、例えばシ
アニン系色素、スクワリリウム系色素、インドアニリン
系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素、メロシア
ニン系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、
ピリリウム系色素等が挙げられる。

【００１８】本発明の光記録媒体は、基板上に一般式
（１）の化合物を含有する記録層を設けたもので、必要
に応じ、反射層、保護層が設けられる。基板としては既
知のものを任意に使用することが出来る。例えば、ガラ
ス板、金属板又はプラスチック板もしくはフィルムがあ
げられ、これらを製造するためのプラスチックとしては
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹
脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポリオ
レフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂
等があげられる。基板の形状については、ディスク状、
カード状、シート状、ロールフィルム状等種々のものが
あげられる。

【００１９】ガラスまたはプラスチック基板上には記録
時のトラッキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。また、ガラスまたはプラスチック基板にはプ
ラスチックバインダーまたは無機酸化物、無機硫化物等
の下引き層を設けてもよく、下引層は基板より熱伝導率
の低いものが好ましい。

【００２０】本発明の光記録媒体における記録層は、例
えば、一般式（１）の化合物を公知の有機溶剤、例えば
テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）、オクタフルオ
ロペンタノール（ＯＦＰ）、ダイアセトンアルコール、
メタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、ジクロロエタン、イソホロン、
シクロヘキサノン等に溶解し、必要に応じて、適当なバ
インダーを加え、その溶液をスピンコーター、バーコー
ター、ロールコーター等により基板上に塗布することに
より得ることが出来る。その他の方法としては、真空蒸
着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャス
ト法もしくは基板を溶液中に漬けるディッピング法によ
っても得ることができる。ここにおいてバインダ−とし
てはアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂
等が使用されうる。

【００２１】記録層の膜厚は、記録感度や反射率を考慮
すると、好ましくは０．０１μｍ〜５μｍ、より好まし
くは０．０２μｍ〜３μｍである。尚、塗布液の色素含
有量は、好ましくは０．２から１０重量％とするのがよ
い。

【００２２】本発明の光記録媒体には、必要により記録
層の下に下引層を、また記録層上に保護層を設けること
が出来、さらに記録層と保護層の間に反射層を設けるこ
とが出来る。反射層を設ける場合、反射層は金、銀、
銅、アルミニウム等、好ましくは金、銀、もしくはアル
ミニウムの金属で構成され、これらの金属は単独で使用
してもよく、２種以上の合金としてもよい。このものは
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法等で成膜される。このような反射層の厚さは、０．０
２〜２μｍである。反射層の上に設けられることのある
保護層は、一般に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より塗装した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化させて形
成されるものである。その他、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜の形成
材料に用いられる。このような保護膜の厚さは、通常、
０．０１〜１００μｍである。

【００２３】本発明の光記録媒体における情報の記録、
あるいは画像の形成は波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍのレ
ーザー光、例えば可視光領域の広範囲で波長選択のでき
る色素レーザー、４１０ｎｍの青色または５１５ｎｍの
青緑色の半導体レーザー、波長４４５ｎｍのヘリウムカ
ドミウムレーザー、波長４８８ｎｍのアルゴンレーザ
ー、波長約８６０ｎｍの半導体レーザーの第２高調波４
３０ｎｍの半導体レーザー、また半導体レーザー励起の
固体レーザーの場合は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ
₆ 結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０
ｎｍなどを使用することができる。情報あるいは画像の
記録は集束したこれらのレーザー光を基板を通して、も
しくは基板と反対側から記録層に照射することにより行
われ、情報あるいは画像の読み出しは、低出力のレーザ
ービームを照射することにより、ピット部とピットが形
成されていない部分の反射光量もしくは透過光量の差を
検出することにより行われる。

【００２４】本発明に使用する化合物は各種溶媒への溶
解度も高いので光記録媒体を製造しやすい。また、本発
明の光記録媒体は耐光性、耐熱性が強く保存安定性に優
れた記録物を得ることができる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるもの
ではない。

【００２６】実施例１ （ａ）光記録媒体の製造 Ｎｏ．１で示される化合物（ＤＭＦ中での吸収スペクト
ルはλmax＝３６７ｎｍ、モル吸光係数は15,300 ）（日
本分光社製、紫外可視分光光度計Ｖ−５３０を使用し測
定）のテトラフルオロペンタノール１重量％溶液を調製
し、ろ過して、溶液を得た。この溶液を直径１２０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に滴下
し、スピンコートし、乾燥した。次に、この塗布膜の上
にスパッタリング法により、銀膜を成膜し、反射層を形
成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をス
ピンコートし硬化させ、保護層を形成した。塗布膜の反
射スペクトルのλmaxは３９７ｎｍであった。（日本分
光社製、紫外可視分光光度計Ｖ−５３０を使用し測定）

【００２７】（ｂ）光記録法 上記光記録媒体に、中心波長４１０ｎｍの半導体レーザ
ー光を照射したところ、良好な記録ができ、読み取るこ
とが出来た。

【００２８】実施例２−６ 実施例１において用いた化合物の代わりに、Ｎｏ．２、
３、４、２６及び２７化合物を使用し、実施例１と同様
に基板上に塗布して光学記録媒体を製造した。使用した
化合物のλmax、分子吸光係数（ε）および塗布膜のλm
axを表３に示した。Ｎｏ．２及び２６化合物より得られ
た光学記録媒体は、中心波長４１０ｎｍの半導体レーザ
ー光を、Ｎｏ．３、４及び２７化合物より得られた光学
記録媒体は、中心波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光を照
射したところ、良好な記録ができ、読み取ることが出来
た。

【００２９】表３ No. λmax(DMF) ε 塗布膜λmax 2 366nm 13,100 401nm 3 398nm 15,700 476nm 4 398nm 17,800 469nm 26 379nm 16,400 403nm 27 437nm 21,800 448nm

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、波長３５０
ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで記録および再生が良好な
高密度光記録媒体を提供することが可能となる。また一
般式（１）で示される化合物は耐光性、耐熱性などが高
く、この化合物を記録層として用いることにより保存安
定性に優れた光記録媒体を得ることができる。さらに一
般式（１）で示される化合物は各種溶媒への溶解度が高
く、かつモル吸光係数が高いので、塗工液の溶媒、およ
び濃度の選定の幅が広く、濾過性も良好であり、光記録
媒体の製造上有用である。従って、本発明の光記録媒体
は非常に有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｂ 57/08 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層を有する光記
   録媒体において、記録層中に一般式（１）で示される化
   合物を含有する光記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ₁は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
   ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
   若しくはヘテロアリール基を表し、Ｒ₂〜Ｒ₅はそれぞれ
   独立に水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、
   ヒドロキシル基、置換基を有してもよいアルキル基、ア
   リール基、ヘテロアリール基、アルコシキ基、アリール
   オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
   ル基、アシル基、若しくはアルキルアミノ基を表し、こ
   れらのうち隣接位にあるものは互いに結合して環を形成
   してもよい。）
2. 【請求項２】基板上に少なくとも上記の記録層および反
   射層を有する請求項１に記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】一般式（１）で表される化合物の溶液中で
   の極大吸収波長（λｍａｘ）が、５００ｎｍ以下である
   請求項１または２に記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】書き込み及び読み取りのレーザー波長がと
   もに３５０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請
   求項１ないし３記載の光記録媒体。