JPH10162430A - ジピロメテン金属キレート化合物及びこれを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長５２０〜６９０ｎｍのレ−ザ−で良好な
高密度記録及び再生が可能な追記型光記録媒体及びこれ
に使用される新規なジピロメテン金属キレ−ト化合物を
提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）で示されるジピロメテ
ン系化合物と金属イオンとのジピロメンテン金属キレー
ト化合物を記録層に含有する光記録媒体。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なジピロメテ
ン金属キレート化合物及びこれを用いた光記録媒体に関
する。特に、追記型光記録媒体において、従来に比較し
て高密度に記録及び再生可能な光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が提案・開発されてい
る［例えば、日経エレクトロニクス No. 465, P.107,
１９８９年１月２３日号、あるいはOPTICAL DATA STORA
GE DIGEST SERIES vol.1 P45, 1989等］。このＣＤ−Ｒ
は図１に示すように透明樹脂基板１上に記録層２、反射
層３、保護層４がこの順で積層されており、該記録層に
高パワーのレーザー光を照射することにより、記録層が
物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの形で情報
を記録する。形成されたピット部位に低パワーのレーザ
ー光を照射し、反射率の変化を検出することによりピッ
トの情報を再生することができる。このような光記録媒
体の記録・再生には一般に波長７７０〜８３０ｎｍの近
赤外半導体レーザーを用いており、レッドブックやオレ
ンジブック等のＣＤの規格に準拠しているため、ＣＤプ
レーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有すると
いう特徴を有する。

【０００３】しかし、上記の従来の媒体の記録容量は６
５０ＭＢ程度であり、動画の記録を考慮すると容量が十
分でなく、情報量の飛躍的増加に伴い情報記録媒体に対
する高密度化・大容量化の要求は高まっている。

【０００４】また、光ディスクシステムに利用される短
波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ、６
５０ｎｍ及び６３５ｎｍの赤色半導体レーザーが実用化
されている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．５
９２、Ｐ．６５、１９９３年１０月１１日号］。記録・
再生用レーザーの短波長化および対物レンズの開口数を
大きくすることによりビームスポットを小さくすること
ができ、高密度な光記録媒体が可能になる。実際に半導
体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数増大化、デ
ータ圧縮技術などにより動画を長時間記録できる大容量
の光記録媒体が開発されてきている〔例えば、日経エレ
クトロニクス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年８
月３０日号、あるいはＮｏ．５９４、Ｐ．１６９、１９
９３年１１月８日号］。最近では、２時間以上の動画を
デジタル記録したデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）が
開発されてきた。ＤＶＤディスクは４．７ＧＢの記録容
量を有する再生専用の媒体であり、この容量に合った記
録可能な光ディスクの開発がさらに要望されている。

【０００５】また、ＹＡＧレーザーの高調波変換による
５３２ｎｍのレーザーも実用可されている。

【０００６】５３２ｎｍよりさらに短波長の４９０ｎｍ
の青／緑色半導体レーザーも研究されているが、まだ実
用化の段階まで至っていない［例えば、Applied Physic
s Letter,P.1272-1274,Vol.59(1991)や日経エレクトロ
ニクス、Ｎｏ．５５２，Ｐ．９０，１９９２年４月２７
日号］。

【０００７】短波長レーザーを使用した場合、光ディス
クの線記録密度と半径方向記録密度は理論的には同等に
高密度化できるが、現状では、半径方向の記録密度は線
記録密度ほど大きくすることは困難である。レーザー光
は溝またはランドにより回折散乱されるため、トラック
ピッチを狭くするほど信号検出光量が低下する。また、
十分なトラッキング信号が得られる深さを保ったままト
ラックピッチを狭くするにも成形上限界がある。また溝
が深く狭いと、記録層を均一に成膜することが困難であ
る。さらに、溝とランドのエッジ部分は平滑ではなく微
小凹凸があるため、ノイズの原因となる。このような悪
影響はある程度トラックピッチが狭くなったところで急
激に生じる。これらのことを考慮すると、波長５２０ｎ
ｍで対物レンズの開口数が０．６では溝ピッチの限界は
約０．５μｍと考えられる。

【０００８】追記型光記録媒体の色素層にレーザー光を
照射し、物理変化または化学変化を生じさせることでピ
ットを形成させる際、色素の光学定数、分解挙動が良好
なピットができるかの重要な要素となる。分解しづらい
ものは感度が低下し、分解が激しいかまたは、変化しや
すいものはピット間および半径方向のランド部への影響
が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。
従来のＣＤ−Ｒ媒体では、高密度記録で用いられている
レーザー波長では色素層の屈折率も低く、消衰係数も適
度な値ではないため、反射率が低く充分な変調度が取れ
なかった。さらには、絞られたビームで小さいピットを
開けるべきところが、周りへの影響が大きいために分布
の大きいピットになったり、半径方向へのクロストーク
が悪化した。逆にピットが極端に小さくなり充分な変調
度が取れない場合もあった。従って、記録層に用いる色
素の光学的性質、分解挙動の適切なものを選択する必要
がある。

【０００９】例えば、特開平６−１９９０４５号公報に
は、波長６８０ｎｍの半導体レーザーで記録再生可能な
光記録媒体が提案されている。この媒体は、記録層にシ
アニン色素を用いており高密度の記録再生の可能性は示
しているものの、実際に高密度に記録した記述はない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、波長
５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録及び再生
が可能な高密度記録に適した光記録媒体を提供すること
である。また本発明は、このような光記録媒体を実現す
るための記録層材料として新規なジピロメテン金属キレ
ート化合物を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物
と金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物、

【００１２】

【化４】 〔式中、Ｒ₁は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルコ
キシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アラルキル
基、アリ−ル基、アルコキシカルボニルアルキル基また
は炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、Ｒ₂〜Ｒ₁₀は
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、
スルホン酸基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ
アルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、ア
ルコキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、
アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル
基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニ
ルアミノ基、アリ−ルカルボニルアミノ基、アリ−ルア
ミノカルボニル基、アリ−ルオキシカルボニル基、アラ
ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチ
オ基、アリ−ルチオ基、アルケニルオキシカルボニル
基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアル
コキシカルボニル基、モノ（ヒドロキシアルキル）アミ
ノカルボニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）アミノカル
ボニル基、モノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニ
ル基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基ま
たは炭素数２〜２０のアルケニル基を表す。〕

【００１３】 下記一般式（２）で示される記載の
ジピロメテン金属キレート化合物、

【００１４】

【化５】 〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₀は、一般式（１）と同じ意味を表
し、Ｍはニッケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、
マンガンまたは亜鉛を表す。〕

【００１５】 下記一般式（３）で示される記載の
ジピロメテン金属キレート化合物、

【００１６】

【化６】 〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₀は、一般式（１）と同じ意味を表
す。〕

【００１７】 基板上に、少なくとも、記録層及び反
射層を有する光記録媒体において、記録層中に、〜
のいずれかに記載のジピロメテン金属キレート化合物を
含有する光記録媒体、

【００１８】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である
記載の光記録媒体、

【００１９】 レーザー波長において、記録層の屈折
率が１．８以上、且つ、消衰係数が０．０４〜０．４０
である記載の光記録媒体、

【００２０】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射
率が２０％以上である〜のいずれかに記載の光記録
媒体、に関するものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００２２】光記録媒体とは予め情報を記録されている
再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生する
ことのできる光記録媒体の両方を示すものである。但
し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生ので
きる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する
光記録媒体に関して説明する。この光記録媒体は図１に
示すような基板１、記録層２、反射層３及び保護層４が
順次積層している４層構造を有しているか、図２に示す
ような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板１’上
に記録層２’が形成されており、その上に密着して反射
層３’が設けられており、さらにその上に接着層４’を
介して基板５’が貼り合わされている。ただし、記録層
２’の下または上に別の層があってもよく、反射層３’
の上に別の層があってもかまわない。

【００２３】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状の基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを
形成することもある。このような案内溝やピットは、基
板の成形時に付与することが好ましいが、基板の上に紫
外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常Ｃ
Ｄとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８０
ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径１５
ｍｍ程度の穴が開いている。

【００２４】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、λmaxが４５０〜６３０ｎｍ
付近に存在する一般式（１）で示されるジピロメテン系
化合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合
物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選
択される記録及び再生レーザー波長に対して適度な光学
定数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現され
る。式中のｎ，ｋは、実数部ｎと虚数部ｋに相当する係
数である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とす
る。）を有する必要がある。

【００２５】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
ｎと消衰係数ｋが大きく変化する特徴がある。ｎが１．
８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反
射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても
反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長にお
いて好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層
を成膜することで、高い反射率を有し、且つ、感度の良
い媒体とすることができる。

【００２６】本発明の一般式（１）で表される化合物
は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また、置
換基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、
５２０ｎｍ〜６９０ｎｍのレーザー光の波長において記
録層に必要な光学定数である、ｎが１．８以上、且つ、
ｋが０．０４〜０．４０の値、更に好ましくは、ｎが
２．０以上で、且つ、ｋが０．０４〜０．２０の値を満
足する極めて有用な化合物であることを見出した。更に
は、メソ置換ピロ−ルの窒素原子に置換された置換基に
より、溶剤溶解性の向上や分子会合がみられないという
特徴を有する極めて有用な化合物である。

【００２７】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示されるジピロメテン系化合物と金属イオンとのジピ
ロメテン金属キレート化合物の具体例を次に述べる。

【００２８】Ｒ₁の具体例としては、メチル基、エチル
基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソ
ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチ
ル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基；
メトキシメチル基、2-メトキシエチル基、2-エトキシメ
チル基、2-エトキシエチル基、3-エトキシプロピル基等
のアルコキシアルキル基；アリル基、2-ブテニル基、2-
ペンテニル基等の炭素数２〜２０のアルケニル基；ヒド
ロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシ
プロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシブ
チル基等のヒドロキシアルキル基；ベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基；フェニル基、4-メチルフェニ
ル基、3-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、2,4-
ジメチルフェニル基等のアリ−ル基；メトキシカルボニ
ルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、2-エトキシ
カルボニルエチル基等のアルコキシカルボニルアルキル
基等が挙げられる。

【００２９】Ｒ₂〜Ｒ₁₀としては、例えば、水素原子；
ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；アミノ基；カルボ
キシル基；スルホン酸基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素
のハロゲン原子；メチル基、エチル基、n-プロピル基、
iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチ
ル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-
メチルブチル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、
1,2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cy
clo-ペンチル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、
3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペ
ンチル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル
基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,
2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチル
ブチル基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,
2-トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-
エチル-2-メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘ
プチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、
4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチ
ルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,
5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、
2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル
基、n-オクチル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-ノ
ニル基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-
4,5-メチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル
基、1,3,5,7-テトラエチルオクチル基、4-ブチルオクチ
ル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル基、6-メ
チル-4-ブチルオクチル基、n-テトラデシル基、n-ペン
タデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘ
プチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメ
チルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2-ジメチルプロ
ピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2-ジメチルプロピル基等
の直鎖、分岐または環状の炭素数１〜２０のアルキル
基；

【００３０】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
メチル基、ペンタフルオロエチル基、ノナフルオロブチ
ル基等のハロゲノアルキル基；メトキシエチル基、エト
キシエチル基、iso-プロピルオキシエチル基、3-メトキ
シプロピル基、2-メトキシブチル基等のアルコキシアル
キル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso
-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ基、sec-
ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、iso-ペン
トキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキシ基、ｎ
−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基；

【００３１】メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ
基、3-メトキシプロピルオキシ基、3-(iso-プロピルオ
キシ）プロピルオキシ基等のアルコキシアルコキシ基；
フェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、4-メチルフェノ
キシ基、4-t-ブチルフェノキシ基、2-メトキシフェノキ
シ基、4-iso-プロピルフェノキシ基等のアリールオキシ
基;ホルミル基、アセチル基、エチルカルボニル基、n-
プロピルカルボニル基、iso-プロピルカルボニル基、n-
ブチルカルボニル基、iso-ブチルカルボニル基、sec-ブ
チルカルボニル基、t-ブチルカルボニル基、n-ペンチル
カルボニル基、iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチ
ルカルボニル基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロ
ベンジルカルボニル基等のアシル基；

【００３２】メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、イソプロピルオキシカルボニル基、2,4-ジメチル
ブチルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル
基；メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニ
ル基、n-プロピルアミノカルボニル基、n-ブチルアミノ
カルボニル基、n-ヘキシルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基；ジメチルアミノカルボニル
基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ-n-プロピルアミ
ノカルボニル基、ジ-n-ブチルアミノカルボニル基、N-
メチル-N-シクロヘキシルアミノカルボニル基等のジア
ルキルアミノカルボニル基；アセチルアミノ基、エチル
カルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基等のア
ルキルカルボニルアミノ基；フェニルカルボニルアミノ
基、4-エチルフェニルカルボニルアミノ基、3-ブチルフ
ェニルカルボニルアミノ基等のアリ−ルカルボニルアミ
ノ基;フェニルアミノカルボニル基、4-メチルフェニル
アミノカルボニル基、2-メトキシフェニルアミノカルボ
ニル基、4-n-プロピルフェニルアミノカルボニル基等の
アリールアミノカルボニル基;フェノキシカルボニル
基、2-メチルフェノキシカルボニル基、4-メトキシフェ
ノキシカルボニル基、4-t-ブチルフェノキシカルボニル
基等のアリ−ルオキシカルボニル基;

【００３３】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジクロロ
ベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジル
基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等のアラル
キル基;フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニ
ル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、ジメ
チルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロフェ
ニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ト
リフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメチルアミノフェ
ニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチ
ル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、トリ
フルオロメチルナフチル基等のアリール基;ピロリル
基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイル基、イソオ
キサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミダゾイル基、
ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイ
ミダゾイル基、ベンゾフラニル基、インドイル基等のヘ
テロアリール基；

【００３４】メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピル
チオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブ
チルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペ
ンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチ
オ基、1-メチルブチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,
2-ジメチルプロピルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ
基等のアルキルチオ基；フェニルチオ基、4-メチルフェ
ニルチオ基、2-メトキシフェニルチオ基、4-t-ブチルフ
ェニルチオ基等のアリ−ルチオ基;アリルオキシカルボ
ニル基、2-ブテノキシカルボニル基等のアルケニルオキ
シカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、フェネ
チルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニ
ル基；メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、エト
キシカルボニルメトキシカルボニル基、n-プロポキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボ
ニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニルア
ルコキシカルボニル基；

【００３５】メチルカルボニルメトキシカルボニル基、
エチルカルボニルメトキシカルボニル基等のアルキルカ
ルボニルアルコキシカルボニル基；ヒドロキシエチルア
ミノカルボニル基、2-ヒドロキシプロピルアミノカルボ
ニル基、3-ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基等の
モノ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基；ジ
（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（2-ヒド
ロキシプロピル）アミノカルボニル基、ジ（3-ヒドロキ
シプロピル）アミノカルボニル基等のジ（ヒドロキシア
ルキル）アミノカルボニル基；メトキシメチルアミノカ
ルボニル基、メトキシエチルアミノカルボニル基、エト
キシメチルアミノカルボニル基、エトキシエチルアミノ
カルボニル基、プロポキシエチルアミノカルボニル基等
のモノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基；

【００３６】ジ（メトキシエチル）アミノカルボニル
基、ジ（エトキシメチル）アミノカルボニル基、ジ（エ
トキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロポキシエ
チル）アミノカルボニル基等のジ（アルコキシアルキ
ル）アミノカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、1-
ブテニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペン
テニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニ
ル基、2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジシアノビニル
基、2-シアノ-2-メチルカルボキシルビニル基、2-シア
ノ-2-メチルスルホンビニル基等の炭素数２〜２０のア
ルケニル基等が挙げられる。

【００３７】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物と一緒にキレート化合物を形成する金属としては、
一般にジピロメテン系化合物とキレート化合物を形成す
る能力を有する金属であれば特に制限されないが、ニッ
ケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、マンガン、亜
鉛等の遷移元素やホウ素原子が好ましい。

【００３８】本発明の一般式（１）で示されるジピロメ
テン系化合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレー
ト化合物は、代表的には、例えば、臭化水素酸やトリフ
ルオロ酢酸等の酸触媒の存在下、一般式（４）で示され
る化合物と一般式（５）および／または一般式（６）で
表される化合物とを反応させた後、クロラニール等で酸
化し、最後に三フッ化ホウ素類やニッケル、コバルト、
鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウ
ム、イリジウム、白金、マンガン、亜鉛等の酢酸塩、ハ
ロゲン化物と反応させることにより、容易に製造でき
る。

【００３９】

【化７】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は前記に同じ。）

【００４０】

【化８】 （式中、Ｒ₅、Ｒ₆およびＲ₇は前記に同じ。）

【００４１】

【化９】 （式中、Ｒ₈、Ｒ₉およびＲ₁₀は前記に同じ。）

【００４２】一般式（１）で示されるジピロメテン系化
合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物
の好ましい具体例としては、表−１及び表−２に示す置
換基及び金属を有する化合物が挙げられる。

【００４３】

【化１０】

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】

【化１１】

【００４７】

【表３】

【００４８】

【表４】

【００４９】また、記録層を形成する際、本発明のジピ
ロメテン金属キレート化合物に加えて、記録特性などの
改善のために、波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有
し、５２０〜６９０ｎｍでの屈折率が大きい色素を混合
してもよい。具体的には、シアニン色素、スクアリリウ
ム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色
素、ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系
色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チ
オピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニ
ルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素等があり、複数の色素の混合であってもよ
い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度で
ある。

【００５０】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤等を混合するか、あるいは、そのような効果
を有する化合物を前記色素の置換基として導入すること
も可能である。

【００５１】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系等のビスジチオール系、チオカテコ
ール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェ
ノレート系等の金属錯体が好ましい。また、アミン系も
好適である。

【００５２】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。

【００５３】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン
樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリ
オレフィン等が挙げられる。

【００５４】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、基
板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。

【００５５】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるジピロメテン系化合物と金属イオンとのジピロメ
テン金属キレート化合物の含有量は、３０％以上、好ま
しくは６０％以上である。尚、実質的に１００％である
ことも好ましい。

【００５６】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法等の塗布法、
スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる
が、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００５７】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式（１）で示されるジピロメテン系化合物と金
属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物を１〜４
０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒
に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、
溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ま
しい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアル
コール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラ
フルオロプロパノール等のアルコール系溶媒、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチル
シクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶
媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、
ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチ
ルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、3-ヒド
ロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトン系溶媒、酢酸エ
チル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水などが挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、或いは、複数混
合して用いてもよい。

【００５８】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００５９】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００６０】記録層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。記録層の膜
厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録
出来ないか、記録信号に歪みが発生する上、信号振幅が
小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は反
射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００６１】次に記録層の上に、好ましくは、厚さ５０
〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用い
ることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反
射率が高く反射層の材料として適している。これら以外
でも下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金
属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分としてい
るものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適
である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上の
ものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。

【００６２】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーテイング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設け
ることもできる。

【００６３】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄、Ｍ
ｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性
樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液
を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して
硬化させることによって形成することができる。ＵＶ硬
化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エ
ポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどの
アクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料
は単独であるいは混合して用いてもよいし、１層だけで
なく多層膜にして用いてもよい。

【００６４】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも
スピンコート法が好ましい。

【００６５】保護層の膜厚は、一般には０．１〜１００
μｍの範囲であるが、本発明においては、３〜３０μｍ
であり、好ましくは５〜２０μｍがより好ましい。

【００６６】保護層の上に更にレーベル等の印刷を行う
こともできる。

【００６７】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いてもよ
い。基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防止のため
に紫外線硬化樹脂、無機系薄膜等を成膜してもよい。

【００６８】ここで、本発明でいう波長５２０〜６９０
ｎｍのレーザーは、特に限定はないが、例えば、可視領
域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３
３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている
波長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レ
ーザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーな
どが挙げられる。本発明では、これらから選択される一
波長または複数波長において高密度記録及び再生が可能
となる。

【００６９】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらによりなんら限定されるものではない。

【００７０】〔実施例１〕窒素気流下、ジクロロメタン
４０ｍｌに２，４−ジメチルピロ−ル２．５ｇおよび１
−メチル−２−ピロ−ルカルボキシアルデヒド１．４ｇ
を溶解し、トリフルオロ酢酸１１６ｍｇ加えて室温で３
時間撹拌した。この溶液に更にジクロロメタン４０ｍｌ
を加えた後、０．１Ｎの苛性ソ−ダ水溶液１００ｍｌで
洗浄し、水洗後、ジクロロメタンを溜去し、下記式（１
−ａ）で示される化合物３．４ｇを得た。

【００７１】

【化１２】

【００７２】次に、ジクロロメタン５０ｍｌに式（１−
ａ）で示される化合物３．３ｇを溶解し、２，３−ジク
ロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤ
Ｑ）２．７ｇ加えて室温で３０分間撹拌した。この溶液
にＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン４．５ｇを加え
て３０分間撹拌した後、ボロントリフルオリドエチルエ
−テルコンプレックス５ｇを加え更に２時間撹拌した。
水洗後、ジクロロメタンを溜去し、クロマトグラフィ−
（シリカゲル／クロロホルム：メタノ−ル＝２０：１）
にて精製し、下記構造式（３−１）で示される化合物を
３ｇ得た。

【００７３】

【化１３】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。

【００７４】

【表５】 ＭＳ（ｍ／ｅ）：３２７（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物はクロロホルム溶液中に
おいて５１３ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
２．６７×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００７５】〔実施例２〕窒素気流下、ジクロロメタン
４０ｍｌに２，４−ジメチル−３−エチル−ピロ−ル
３．２ｇおよび１−メチル−２−ピロ−ルカルボキシア
ルデヒド１．４ｇを溶解し、トリフルオロ酢酸１１６ｍ
ｇ加えて室温で３時間撹拌した。この溶液に更にジクロ
ロメタン４０ｍｌを加えた後、０．１Ｎの苛性ソ−ダ水
溶液１００ｍｌで洗浄し、水洗後、ジクロロメタンを溜
去し、下記式（１−ｂ）で示される化合物４．２ｇを得
た。

【００７６】

【化１４】

【００７７】次に、ジクロロメタン５０ｍｌに式（１−
ｂ）で示される化合物３．９ｇを溶解し、２，３−ジク
ロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤ
Ｑ）２．７ｇ加えて室温で３０分間撹拌した。この溶液
にＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン４．５ｇを加え
て３０分間撹拌した後、ボロントリフルオリドエチルエ
−テルコンプレックス５ｇを加え更に２時間撹拌した。
水洗後、ジクロロメタンを溜去し、クロマトグラフィ−
（シリカゲル／クロロホルム：メタノ−ル＝２０：１）
にて精製し、下記構造式（３−２）で示される化合物を
３．２ｇ得た。

【００７８】

【化１５】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。

【００７９】

【表６】 ＭＳ（ｍ／ｅ）：３８３（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物はクロロホルム溶液中に
おいて５３８ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
１．９９×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００８０】〔実施例３〕窒素気流下、ジクロロメタン
４０ｍｌに２，４−ジメチル−３−エチル−ピロ−ル
３．２ｇおよび１−イソアミル−２−ピロ−ルカルボキ
シアルデヒド１．７６ｇを溶解し、トリフルオロ酢酸１
１６ｍｇ加えて室温で３時間撹拌した。この溶液に更に
ジクロロメタン４０ｍｌを加えた後、０．１Ｎの苛性ソ
−ダ水溶液１００ｍｌで洗浄し、水洗後、ジクロロメタ
ンを溜去し、下記式（１−ｃ）で示される化合物４．４
ｇを得た。

【００８１】

【化１６】

【００８２】次に、ジクロロメタン２５ｍｌに式（１−
ｃ）で示される化合物２．３ｇを溶解し、２，３−ジク
ロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤ
Ｑ）１．４ｇ加えて室温で３０分間撹拌した。この溶液
にＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン２．３ｇを加え
て３０分間撹拌した後、ボロントリフルオリドエチルエ
−テルコンプレックス２．５ｇを加え更に２時間撹拌し
た。水洗後、ジクロロメタンを溜去し、クロマトグラフ
ィ−（シリカゲル／クロロホルム：メタノ−ル＝２０：
１）にて精製し、下記構造式（３−３）で示される化合
物を２．０ｇ得た。

【００８３】

【化１７】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。

【００８４】

【表７】 ＭＳ（ｍ／ｅ）：４３９（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物はクロロホルム溶液中に
おいて５３９ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
１．６９×１０⁵ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

【００８５】〔実施例４〕エタノ−ル５０ｍｌに式（１
−ｂ）で示される化合物２．５ｇを溶解し、ＤＤＱ１．
４ｇ加えて室温で３０分間撹拌した。この溶液に酢酸コ
バルト（四水和物）１．８ｇを加えて還流下２時間撹拌
した。冷却後、析出物を濾取し、水洗後、トルエンで再
結晶して下記構造式（２−１）で示される化合物を２．
４ｇ得た。

【００８６】

【化１８】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。

【００８７】

【表８】 ＭＳ（ｍ／ｅ）：７２８（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物はクロロホルム溶液中に
おいて５１７ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
１．０４×１０⁵ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

【００８８】〔実施例５〕エタノ−ル１００ｍｌに式
（１−ｃ）で示される化合物３．９ｇを溶解し、クロラ
ニル２．４５ｇ加えて室温で３０分間撹拌した。この溶
液に酢酸ニッケル（四水和物）２．５ｇを加えて還流下
２時間撹拌した。冷却後、析出物を濾取し、水洗後、ト
ルエンで再結晶して下記構造式（２−２）で示される化
合物を３．９ｇ得た。

【００８９】

【化１９】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。

【００９０】

【表９】 ＭＳ（ｍ／ｅ）：８４０（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物はクロロホルム溶液中に
おいて５３０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
０．８２×１０⁵ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。

【００９１】〔実施例６〕エタノ−ル５６ｍｌに式（１
−ａ）で示される化合物２．８ｇを溶解し、クロラニル
２．４５ｇ加えて室温で３０分間撹拌した。この溶液に
酢酸亜鉛１．８ｇを加えて還流下２時間撹拌した。冷却
後、析出物を濾取し、水洗後、トルエンで再結晶して下
記構造式（２−３）で示される化合物を２．９ｇ得た。

【００９２】

【化２０】 下記の分析結果より目的物であることを確認した。

【００９３】

【表１０】 ＭＳ（ｍ／ｅ）：６２２（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物はクロロホルム溶液中に
おいて４９３ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
１．４０×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００９４】〔実施例７〕化合物（３−２）０．２ｇを
ジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解し、色素溶液を
調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した
案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を有する直径１
２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。

【００９５】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃３時間乾燥して、記録層
を形成した。この記録層の吸収極大は５４５ｎｍであ
り、光学定数は、６８０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．
０５であり、６５０ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０６
であり、６３５ｎｍではｎが２．３、ｋは０．０８であ
る。

【００９６】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。

【００９７】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−
１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成し、光記
録媒体を作製した。

【００９８】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを
用いて、線速度３．５ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで
最短ピット長０．４４μｍになるように記録した。記録
後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を用
いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を
測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【００９９】次に６８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ
−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速度１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍ
Ｗで最短ピット長０．６０μｍになるように記録した。
この記録した媒体を６８０ｎｍ、６５０ｎｍ及び６３５
ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用い
て信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測
定した。いずれも良好な値を示した。

【０１００】このように、この媒体は複数のレーザー波
長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。

【０１０１】なお、エラーレートはケンウッド社製ＣＤ
デコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測し、変調度は
以下の式により求めた。変調度＝｛（信号の最大強度）
−（信号の最小強度）｝／（信号の最大強度）

【０１０２】〔実施例８〕基板にポリカーボネート樹脂
製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を
有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のも
のを用いる以外は実施例７と同様にして塗布及び反射層
を形成した。

【０１０３】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ
−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍｍ
φ、厚さ０．６ｍｍの円盤状基板を乗せた後、紫外線照
射して貼り合わせした光記録媒体を作製した。

【０１０４】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載している以外は
実施例１と同様にパルステック工業製光ディスク評価装
置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエ
ンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【０１０５】〔実施例９〜２６〕表−１、２に記載した
ジピロメテン金属キレート化合物を用いる以外は、実施
例８と同様にして光記録媒体を作製した。

【０１０６】作製した媒体に実施例７と同様に６３５ｎ
ｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録した。記録
後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反射率、
エラーレート及び変調度を測定した結果、いずれも良好
な値を示した。

【０１０７】〔実施例２７〕化合物（２−１）と塗布溶
媒としてジアセトンアルコールを用い、基板にポリカー
ボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：
０．５３μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６
ｍｍの円盤状のものを用いる以外は実施例８と同様にし
て光記録媒体を作製した。

【０１０８】この記録層の吸収極大は５２５ｎｍであ
り、光学定数は、５３２ｎｍではｎが２．３、ｋは０．
１０である。

【０１０９】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
５３２ｎｍＹＡＧ高調波変換レーザーヘッドを搭載した
光ディスク評価装置及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコ
ーダーを用いて、線速度３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー
７ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用いて信号を
再生した結果、反射率は約５０％、エラーレートが７ｃ
ｐｓ及び変調度が０．６５であり、いずれも良好な値を
示した。

【０１１０】〔比較例１〕実施例８において、ジピロメ
テン金属キレート化合物（３−２）の代わりに、ペンタ
メチンシアニン色素ＮＫ−２９２９［1,3,3,1',3',3'-
ヘキサメチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)インドジカ
ルボシアニンパークロレート、日本感光色素研究所製］
を用いること 以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に実施例７と同様に６３５ｎｍ半導体
レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディス
ク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製
ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速３．５ｍ／ｓ、レー
ザーパワー７ｍＷで記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生した結果、反射率は低く、エラー
レートは大きく、変調度も小さかった。さらに、長時間
再生していると信号が劣化した。

【０１１１】〔比較例２〕比較例１において、ＮＫ２９
２９の代わりにトリメチンシアニン色素ＮＫ７９［1,3,
3,1',3',3'-ヘキサメチル-2',2'-インドジカルボシアニ
ンアイオダイド、日本感光色素研究所製］を用いたこと
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
に実施例７と同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを
搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤ
Ｕ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速３．５ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍＷ
で記録した。記録後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半
導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を
再生した結果、波形が歪み、エラーレートは大きく、変
調度も小さかった。さらに、長時間再生していると信号
が劣化した。

【０１１２】以上の実施例７〜２６および比較例１〜２
において、記録層の光学定数および各媒体を６３５ｎｍ
で記録して、６５０及び６３５ｎｍでの再生時の反射
率、エラーレート、変調度を表−３にまとめて示す。

【０１１３】

【表１１】 *1 n; 屈折率 *2 k;消衰係数

【０１１４】

【表１２】 *1 n; 屈折率 *2 k;消衰係数

【０１１５】

【表１３】 *1 n; 屈折率 *2 k;消衰係数

【０１１６】

【発明の効果】本発明によれば、ジピロメテン系化合物
と金属イオンとのジピロメテン金属キレート化合物を記
録層として用いることにより、高密度光記録媒体として
非常に注目されている波長５２０〜６９０ｎｍのレーザ
ーで記録再生が可能な追記型光記録媒体を提供すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体及び本発明の層構成を示す断
面構造図。

【図２】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造
図。

【符号の説明】

１：基板 ２：記録層 ３：反射層 ４：保護層 １’：基板 ２’：記録層 ３’：反射層 ４’：接着層 ５’：基板

フロントページの続き (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 津田 武 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるジピロメテ
   ン系化合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレート
   化合物。 【化１】 〔式中、Ｒ₁は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルコ
   キシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アラルキル
   基、アリ−ル基、アルコキシカルボニルアルキル基また
   は炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、Ｒ₂〜Ｒ₁₀そ
   れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
   アノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、ス
   ルホン酸基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲノア
   ルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アル
   コキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ア
   ルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、
   ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニルア
   ミノ基、アリ−ルカルボニルアミノ基、アリ−ルアミノ
   カルボニル基、アリ−ルオキシカルボニル基、アラルキ
   ル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチオ
   基、アリ−ルチオ基、アルケニルオキシカルボニル基、
   アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル
   アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアルコキ
   シカルボニル基、モノ（ヒドロキシアルキル）アミノカ
   ルボニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニ
   ル基、モノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル
   基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基また
   は炭素数２〜２０のアルケニル基を表す。〕
2. 【請求項２】 下記一般式（２）で示される請求項１記
   載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化２】 〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₀は、一般式（１）と同じ意味を表
   し、Ｍはニッケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウ
   ム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、
   マンガンまたは亜鉛を表す。〕
3. 【請求項３】 下記一般式（３）で示される請求項１記
   載のジピロメテン金属キレート化合物。 【化３】 〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₀、一般式（１）と同じ意味を表
   す。〕
4. 【請求項４】 基板上に、少なくとも、記録層及び反射
   層を有する光記録媒体において、記録層中に、請求項１
   〜３のいずれかに記載のジピロメテン金属キレート化合
   物を含有する光記録媒体。
5. 【請求項５】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
   求項４記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 レーザー波長において、記録層の屈折率
   が１．８以上、且つ、消衰係数が０．０４〜０．４０で
   ある請求項４記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射率
   が２０％以上である請求項４〜６のいずれかに記載の光
   記録媒体。