JP2003176325A - ポリカーボネート樹脂組成物 - Google Patents
ポリカーボネート樹脂組成物Info
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- JP2003176325A JP2003176325A JP2001313018A JP2001313018A JP2003176325A JP 2003176325 A JP2003176325 A JP 2003176325A JP 2001313018 A JP2001313018 A JP 2001313018A JP 2001313018 A JP2001313018 A JP 2001313018A JP 2003176325 A JP2003176325 A JP 2003176325A
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- resin composition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明性、耐熱性、耐溶剤性、耐液晶性に優れ、
液晶表示素子基板や有機ＥＬ素子基板等に好適に用いる
ことができるポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）で示される繰り返し単
位を含み、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中６０℃
で１時間加熱しても溶解しないポリカーボネート樹脂組
成物。 【化４】
液晶表示素子基板や有機ＥＬ素子基板等に好適に用いる
ことができるポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）で示される繰り返し単
位を含み、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中６０℃
で１時間加熱しても溶解しないポリカーボネート樹脂組
成物。 【化４】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明性、耐熱性、
耐溶剤性、耐液晶性に優れたポリカーボネート樹脂組成
物に関するものであり、液晶表示素子基板や有機ＥＬ素
子基板等に好適に利用できる。
耐溶剤性、耐液晶性に優れたポリカーボネート樹脂組成
物に関するものであり、液晶表示素子基板や有機ＥＬ素
子基板等に好適に利用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来、２，２’―ビス（ヒドロキシフェ
ニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させて
得られるポリカーボネートは透明性、耐熱性、寸法安定
性が優れていることからエンジニアリングプラスチック
として多くの分野に広く使用されている。特に透明性に
優れることから光学材料としての用途も多い。しかしな
がら、使用される用途が拡大するにつれて、より耐熱性
の高い材料が望まれている。一方、９、９’−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレンにカーボネート前駆
体を反応させて得られるポリカーボネートは公知であ
り、高屈折率で耐熱性が良好なことも知られている。し
かしながら、これら樹脂をプラスチック液晶表示素子基
板や有機ＥＬ素子基板等に用いるには、ジメチルスルホ
キシド（ＤＭＳＯ）などの溶剤や配向剤中の溶剤などに
侵されないことが望ましく、優れた透明性や耐熱性を損
なうことなく耐溶剤性を改善することが望まれている。
ニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させて
得られるポリカーボネートは透明性、耐熱性、寸法安定
性が優れていることからエンジニアリングプラスチック
として多くの分野に広く使用されている。特に透明性に
優れることから光学材料としての用途も多い。しかしな
がら、使用される用途が拡大するにつれて、より耐熱性
の高い材料が望まれている。一方、９、９’−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレンにカーボネート前駆
体を反応させて得られるポリカーボネートは公知であ
り、高屈折率で耐熱性が良好なことも知られている。し
かしながら、これら樹脂をプラスチック液晶表示素子基
板や有機ＥＬ素子基板等に用いるには、ジメチルスルホ
キシド（ＤＭＳＯ）などの溶剤や配向剤中の溶剤などに
侵されないことが望ましく、優れた透明性や耐熱性を損
なうことなく耐溶剤性を改善することが望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、液晶表示素子基板や有機ＥＬ素子基板等に
も適用できる透明性、耐熱性、耐溶剤性、耐液晶性に優
れたポリカーボネート樹脂組成物を提供することにあ
る。
する課題は、液晶表示素子基板や有機ＥＬ素子基板等に
も適用できる透明性、耐熱性、耐溶剤性、耐液晶性に優
れたポリカーボネート樹脂組成物を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
（１） 一般式（１）で示される繰り返し単位を含み、
ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中６０℃で１時間加
熱しても溶解しないポリカーボネート樹脂組成物、
（１） 一般式（１）で示される繰り返し単位を含み、
ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中６０℃で１時間加
熱しても溶解しないポリカーボネート樹脂組成物、
【０００５】
【化２】
【０００６】（ Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素又は炭素数
１から７までのアルキル基、アラルキル基を表し、それ
ぞれ同じでも異なっても良い。）（２） （ａ）一般式
（１）で示される繰り返し単位を含むポリカーボネート
樹脂９９〜１重量部、及び（ｂ）不飽和基を２つ以上有
する多官能モノマー１〜９９重量部からなるポリカーボ
ネート樹脂組成物、（３） 不飽和基を２つ以上有する
多官能モノマー（ｂ）の不飽和基がアリル基、ビニル
基、アクリル基、メタクリル基から選ばれた一種以上で
あることを特徴とする（２）項記載のポリカーボネート
樹脂組成物、（５）不飽和基を２つ以上有する化合物
（ｂ）がジビニルビフェニルであることを特徴とする第
（２）項記載のポリカーボネート樹脂組成物、（７）不
飽和基を２つ以上有する多官能モノマー（ｂ）がジシク
ロペンタジエニルジアクリレートであることを特徴とす
る第（２）項記載のポリカーボネート樹脂組成物（８）
有機過酸化物、電子線、紫外線から選ばれた一種以上の
架橋方法で架橋処理された第（１）〜（５）項のいずれ
か１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物、である。
１から７までのアルキル基、アラルキル基を表し、それ
ぞれ同じでも異なっても良い。）（２） （ａ）一般式
（１）で示される繰り返し単位を含むポリカーボネート
樹脂９９〜１重量部、及び（ｂ）不飽和基を２つ以上有
する多官能モノマー１〜９９重量部からなるポリカーボ
ネート樹脂組成物、（３） 不飽和基を２つ以上有する
多官能モノマー（ｂ）の不飽和基がアリル基、ビニル
基、アクリル基、メタクリル基から選ばれた一種以上で
あることを特徴とする（２）項記載のポリカーボネート
樹脂組成物、（５）不飽和基を２つ以上有する化合物
（ｂ）がジビニルビフェニルであることを特徴とする第
（２）項記載のポリカーボネート樹脂組成物、（７）不
飽和基を２つ以上有する多官能モノマー（ｂ）がジシク
ロペンタジエニルジアクリレートであることを特徴とす
る第（２）項記載のポリカーボネート樹脂組成物（８）
有機過酸化物、電子線、紫外線から選ばれた一種以上の
架橋方法で架橋処理された第（１）〜（５）項のいずれ
か１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物、である。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のポリカーボネート樹脂
は、原料のビスフェノールとして、一般式（２）
は、原料のビスフェノールとして、一般式（２）
【０００８】
【化３】
【０００９】（式中、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は前記と同
じである。）で表されるビスフェノール（ｃ）が用いら
れる。ここで一般式（２）で表されるビスフェノール
（ｃ）としては、様々なものが適用できる。具体的な例
としては、９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン、９，９’−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）フルオレン、９，９’−ビス（４−ヒド
ロキシ−３、５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，
９’−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）フ
ルオレン、などが挙げられる。これらの中でも９，９’
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンが特に好
ましい。これらのビスフェノールは、単独で用いてもよ
く、また二種以上を組み合わせて用いてもよい。
じである。）で表されるビスフェノール（ｃ）が用いら
れる。ここで一般式（２）で表されるビスフェノール
（ｃ）としては、様々なものが適用できる。具体的な例
としては、９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン、９，９’−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）フルオレン、９，９’−ビス（４−ヒド
ロキシ−３、５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，
９’−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）フ
ルオレン、などが挙げられる。これらの中でも９，９’
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンが特に好
ましい。これらのビスフェノールは、単独で用いてもよ
く、また二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１０】本発明のポリカーボネート樹脂は、前記一
般式（２）で示されたビスフェノール（ｃ）と他のビス
フェノールとの共重合体であってもよい。他のビスフェ
ノールとしては、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン［通称ビスフェノールＦ］、１，１’−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、２，２’−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン［通称ビスフェノールＡ］、
１，１’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン［通称ビス
フェノールＳ］、４，４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルフィド、４，４’−ジヒドロキシビフェノールなどが
挙げられる。また、本発明のポリカーボネート樹脂は、
架橋性を良くするために、不飽和基を含有していても良
い。不飽和基を含有したポリカーボネート樹脂として
は、末端に不飽和基を付加したもの、不飽和基を含有す
るビスフェノールと共重合したものなどが挙げられる。
末端の不飽和基としては、アリル基、アクリル基、メタ
クリル基、マレイミド基などが例示できる。不飽和基を
含有するビスフェノールとしては、ビス（３−アリル−
４−ヒドロキシフェニル）メタン（通称ジアリルビスフ
ェノールＦ）、１，１’−ビス（３−アリル−４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、２，２’−ビス（３−アリル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ジアリルビ
スフェノールＡ）、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（３−アリル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルホン（通称ジアリルビスフェノール
Ｓ）、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、３、３’−ジアリル−４、４’−ヒドロキシ
ビフェノールなどが例示できる。
般式（２）で示されたビスフェノール（ｃ）と他のビス
フェノールとの共重合体であってもよい。他のビスフェ
ノールとしては、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン［通称ビスフェノールＦ］、１，１’−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、２，２’−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン［通称ビスフェノールＡ］、
１，１’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン［通称ビス
フェノールＳ］、４，４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルフィド、４，４’−ジヒドロキシビフェノールなどが
挙げられる。また、本発明のポリカーボネート樹脂は、
架橋性を良くするために、不飽和基を含有していても良
い。不飽和基を含有したポリカーボネート樹脂として
は、末端に不飽和基を付加したもの、不飽和基を含有す
るビスフェノールと共重合したものなどが挙げられる。
末端の不飽和基としては、アリル基、アクリル基、メタ
クリル基、マレイミド基などが例示できる。不飽和基を
含有するビスフェノールとしては、ビス（３−アリル−
４−ヒドロキシフェニル）メタン（通称ジアリルビスフ
ェノールＦ）、１，１’−ビス（３−アリル−４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、２，２’−ビス（３−アリル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ジアリルビ
スフェノールＡ）、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（３−アリル−４−ヒドロキ
シフェニル）スルホン（通称ジアリルビスフェノール
Ｓ）、ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、３、３’−ジアリル−４、４’−ヒドロキシ
ビフェノールなどが例示できる。
【００１１】本発明のポリカーボネート樹脂は、通常の
ポリカーボネートの製造において慣用されている方法、
例えば、ホスゲンまたはホスゲン誘導体を使用する界面
重縮合法及びジフェニルカルボナートなどを使用するエ
ステル交換法（溶融重合法）を用いて合成することがで
きる。これらの中では、界面重縮合法が好ましい。ホス
ゲンまたはホスゲン誘導体を用いる界面重縮合法として
は、例えば、ビスフェノール（ｃ）を所定の割合で含有
するアルカリ水溶液と不活性有機溶剤との混合液に、ホ
スゲンまたはホスゲン誘導体を導入して反応させる方
法、あるいは予めビスフェノール（ｃ）のポリカーボネ
ートオリゴマーをビスフェノール（ｃ）とホスゲンまた
はホスゲン誘導体から合成しておき、これらの不活性有
機溶媒と、ビスフェノール（ｃ）を所定の割合で含有す
るアルカリ水溶液とを反応させる方法などを挙げること
ができる。前記ホスゲン誘導体としては、ホスゲンをは
じめトリホスゲン、ブロモホスゲン、ビス（２，４，６
−トリクロロフェニル）カーボネート、ギ酸トリクロロ
メチルなどが挙げられる。これら中ではホスゲンまたは
トリホスゲンが特に好ましい。
ポリカーボネートの製造において慣用されている方法、
例えば、ホスゲンまたはホスゲン誘導体を使用する界面
重縮合法及びジフェニルカルボナートなどを使用するエ
ステル交換法（溶融重合法）を用いて合成することがで
きる。これらの中では、界面重縮合法が好ましい。ホス
ゲンまたはホスゲン誘導体を用いる界面重縮合法として
は、例えば、ビスフェノール（ｃ）を所定の割合で含有
するアルカリ水溶液と不活性有機溶剤との混合液に、ホ
スゲンまたはホスゲン誘導体を導入して反応させる方
法、あるいは予めビスフェノール（ｃ）のポリカーボネ
ートオリゴマーをビスフェノール（ｃ）とホスゲンまた
はホスゲン誘導体から合成しておき、これらの不活性有
機溶媒と、ビスフェノール（ｃ）を所定の割合で含有す
るアルカリ水溶液とを反応させる方法などを挙げること
ができる。前記ホスゲン誘導体としては、ホスゲンをは
じめトリホスゲン、ブロモホスゲン、ビス（２，４，６
−トリクロロフェニル）カーボネート、ギ酸トリクロロ
メチルなどが挙げられる。これら中ではホスゲンまたは
トリホスゲンが特に好ましい。
【００１２】本発明のポリカーボネート樹脂の数平均分
子量は５千〜２０万であることが好ましく、１万〜１５
万であることがより好ましく、１万５千〜１０万である
ことが最も好ましい。数平均分子量が５千以下では、重
合物が脆くなる傾向にあり、２０万を越えると粘度が高
く成りすぎて成形性が悪くなる傾向にある。
子量は５千〜２０万であることが好ましく、１万〜１５
万であることがより好ましく、１万５千〜１０万である
ことが最も好ましい。数平均分子量が５千以下では、重
合物が脆くなる傾向にあり、２０万を越えると粘度が高
く成りすぎて成形性が悪くなる傾向にある。
【００１３】本発明で用いる不飽和基を２つ以上有する
多官能モノマー（ｂ）としては、不飽和基を２つ以上有
する種々の化合物が適用できる。不飽和基としては、ア
リル基、ビニル基、アクリル基、メタクリル基などが好
ましい。本発明で用いる不飽和基を２つ以上有する多官
能モノマーの具体例としては、トリアリルイソシアヌレ
ート、ジアリルイソフタレート、ジアリルテレフタレー
トなどの多官能アリル化合物、ジビニルビフェニル、ジ
ビニルベンゼン、トリビニルシクロヘキサンなどの多官
能ビニル化合物、イソシアヌル酸トリアクリレート、イ
ソシアヌル酸トリエトキシトリアクリレート、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロ
パントリエトキシトリアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリプロポキシトリアクリレート、グリセリルプ
ロポキシトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリ
アクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールペンタアクリレート、アルコキシ
レイテッドビスフェノールＡジアクリレート、プロポキ
シレイテッドビスフェノールＡジアクリレート、アルコ
キシレイテッド水添ビスフェノールＡジアクリレート、
プロポキシレイテッド水添ビスフェノールＡジアクリレ
ート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプ
ロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリ
コールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアル
コキシジアクリレート、水添ジシクロペンタジエニルジ
アクリレートなどの多官能アクリレート化合物、前記多
官能アクリレート化合物のアクリル基をメタクリル基に
換えた多官能メタクリレート化合物などが挙げられ、こ
れらの中でもジビニルビフェニルおよびジシクロペンタ
ジエニルジアクリレートが特に好ましい。ジビニルビフ
ェニルとしては、４，４’−ジビニルビフェニル、３，
４’−ジビニルビフェニル、３，３’−ジビニルビフェ
ニル、２，２’−ジビニルビフェニル等が挙げられ、単
独で用いてもこれらの混合物として用いても良く、ま
た、モノビニルビフェニル等のビフェニル化合物を含む
混合物として用いても良い。ビフェニル化合物中のジビ
ニルビフェニルの含有量は、３０％以上があることが望
ましく、５０％以上であることが好ましい。
多官能モノマー（ｂ）としては、不飽和基を２つ以上有
する種々の化合物が適用できる。不飽和基としては、ア
リル基、ビニル基、アクリル基、メタクリル基などが好
ましい。本発明で用いる不飽和基を２つ以上有する多官
能モノマーの具体例としては、トリアリルイソシアヌレ
ート、ジアリルイソフタレート、ジアリルテレフタレー
トなどの多官能アリル化合物、ジビニルビフェニル、ジ
ビニルベンゼン、トリビニルシクロヘキサンなどの多官
能ビニル化合物、イソシアヌル酸トリアクリレート、イ
ソシアヌル酸トリエトキシトリアクリレート、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロ
パントリエトキシトリアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリプロポキシトリアクリレート、グリセリルプ
ロポキシトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリ
アクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールペンタアクリレート、アルコキシ
レイテッドビスフェノールＡジアクリレート、プロポキ
シレイテッドビスフェノールＡジアクリレート、アルコ
キシレイテッド水添ビスフェノールＡジアクリレート、
プロポキシレイテッド水添ビスフェノールＡジアクリレ
ート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプ
ロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリ
コールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアル
コキシジアクリレート、水添ジシクロペンタジエニルジ
アクリレートなどの多官能アクリレート化合物、前記多
官能アクリレート化合物のアクリル基をメタクリル基に
換えた多官能メタクリレート化合物などが挙げられ、こ
れらの中でもジビニルビフェニルおよびジシクロペンタ
ジエニルジアクリレートが特に好ましい。ジビニルビフ
ェニルとしては、４，４’−ジビニルビフェニル、３，
４’−ジビニルビフェニル、３，３’−ジビニルビフェ
ニル、２，２’−ジビニルビフェニル等が挙げられ、単
独で用いてもこれらの混合物として用いても良く、ま
た、モノビニルビフェニル等のビフェニル化合物を含む
混合物として用いても良い。ビフェニル化合物中のジビ
ニルビフェニルの含有量は、３０％以上があることが望
ましく、５０％以上であることが好ましい。
【００１４】本発明で用いるポリカーボネート樹脂
（ａ）と不飽和基を２つ以上有する多官能モノマー
（ｂ）との割合は、（ａ）／（ｂ）の重量％で、９９／
１〜１／９９であることが好ましく、９８／２〜１０／
９０がより好ましく、９５／５〜５０／５０が特に好ま
しい。（ａ）の割合が１重量％以下では架橋物が脆くな
る傾向にあり、９９重量％を越えると（ｂ）の添加効果
が認められず、耐溶剤性が不十分になる場合がある。
（ａ）と不飽和基を２つ以上有する多官能モノマー
（ｂ）との割合は、（ａ）／（ｂ）の重量％で、９９／
１〜１／９９であることが好ましく、９８／２〜１０／
９０がより好ましく、９５／５〜５０／５０が特に好ま
しい。（ａ）の割合が１重量％以下では架橋物が脆くな
る傾向にあり、９９重量％を越えると（ｂ）の添加効果
が認められず、耐溶剤性が不十分になる場合がある。
【００１５】本発明のポリカーボネート樹脂及びその組
成物の架橋方法は、不飽和基の反応によって重合させる
ことができる方法であればいかなる方法でも適用でき
る。中でも、透明性の点から、有機過酸化物、電子線、
紫外線が好ましく、有機過酸化物を用いた加熱による架
橋や紫外線による架橋が特に好ましい。
成物の架橋方法は、不飽和基の反応によって重合させる
ことができる方法であればいかなる方法でも適用でき
る。中でも、透明性の点から、有機過酸化物、電子線、
紫外線が好ましく、有機過酸化物を用いた加熱による架
橋や紫外線による架橋が特に好ましい。
【００１６】本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、
有機過酸化物、電子線、紫外線等で架橋することにより
優れた耐溶剤性を有する部材となる。部材の成形方法
は、ポリカーボネート樹脂（ａ）と不飽和基を２つ以上
有する多官能モノマー（ｂ）からなる組成物の粘度に合
わせて加工方法を選択することができる。例えば、樹脂
組成物を溶剤に溶かしたものをキャストし、溶媒を蒸発
した後、電子線又は紫外線照射、もしくは加熱によって
架橋して成形する、また、直接ロール又はベルトにキャ
ストする、さらには研磨ガラス等よりなる電子線や紫外
線が透過可能な２枚の相対する平板を用い、スペーサー
等によりキャビティーを形成させ、周辺部をシールして
なる注入型に注入して、電子線又は紫外線照射、もしく
は加熱によって架橋して成形することができる。また、
樹脂組成物を押出成形した後、電子線又は紫外線、もし
くは加熱により架橋して成形してもよい。
有機過酸化物、電子線、紫外線等で架橋することにより
優れた耐溶剤性を有する部材となる。部材の成形方法
は、ポリカーボネート樹脂（ａ）と不飽和基を２つ以上
有する多官能モノマー（ｂ）からなる組成物の粘度に合
わせて加工方法を選択することができる。例えば、樹脂
組成物を溶剤に溶かしたものをキャストし、溶媒を蒸発
した後、電子線又は紫外線照射、もしくは加熱によって
架橋して成形する、また、直接ロール又はベルトにキャ
ストする、さらには研磨ガラス等よりなる電子線や紫外
線が透過可能な２枚の相対する平板を用い、スペーサー
等によりキャビティーを形成させ、周辺部をシールして
なる注入型に注入して、電子線又は紫外線照射、もしく
は加熱によって架橋して成形することができる。また、
樹脂組成物を押出成形した後、電子線又は紫外線、もし
くは加熱により架橋して成形してもよい。
【００１７】（有機過酸化物架橋）有機過酸化物による
架橋は、不飽和ポリエステル等で適用されている通常の
有機過酸化物による架橋方法をそのまま適用できる。本
発明で使用される有機過酸化物としては、ジアルキルパ
ーオキサイド、アシルパーオキサイド、ハイドロパーオ
キサイド、ケトンパーオキサイド、パーオキシエステル
など公知のものを用いることができる。具体的には、ジ
クミルパーオキサイド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパ
ーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル
−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、
２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキサイド、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシ−２
−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソプ
ロピルモノカーボネートなどが挙げられる。
架橋は、不飽和ポリエステル等で適用されている通常の
有機過酸化物による架橋方法をそのまま適用できる。本
発明で使用される有機過酸化物としては、ジアルキルパ
ーオキサイド、アシルパーオキサイド、ハイドロパーオ
キサイド、ケトンパーオキサイド、パーオキシエステル
など公知のものを用いることができる。具体的には、ジ
クミルパーオキサイド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパ
ーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル
−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、
２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキサイド、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシ−２
−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソプ
ロピルモノカーボネートなどが挙げられる。
【００１８】有機過酸化物の配合量は、（ａ）＋（ｂ）
の１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好まし
く、０．５〜５重量部がさらに好ましい。有機過酸化物
の配合量が０．１重量部より少ないと、充分な架橋が得
られず耐溶剤性に劣る傾向にあり、１０重量部より多い
と架橋品の外観が悪化する傾向にある。
の１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好まし
く、０．５〜５重量部がさらに好ましい。有機過酸化物
の配合量が０．１重量部より少ないと、充分な架橋が得
られず耐溶剤性に劣る傾向にあり、１０重量部より多い
と架橋品の外観が悪化する傾向にある。
【００１９】（電子線による架橋）本発明のポリカーボ
ネート樹脂組成物は、電子線などの放射線によっても架
橋できる。電子線の照射量は、１００ｋＧｙ〜２０００
ｋＧｙの範囲が好ましく、５００ｋＧｙ〜１５００ｋＧ
ｙの範囲がさらに好ましいが、この範囲を外れても得ら
れる架橋物の性質が目的範囲を外れない限り特に問題は
ない。放射線としては、種々の電子線加速器からの電子
線が好ましいが、放射性同位元素からのα線、β線、γ
線などの放射線も用いることができる。
ネート樹脂組成物は、電子線などの放射線によっても架
橋できる。電子線の照射量は、１００ｋＧｙ〜２０００
ｋＧｙの範囲が好ましく、５００ｋＧｙ〜１５００ｋＧ
ｙの範囲がさらに好ましいが、この範囲を外れても得ら
れる架橋物の性質が目的範囲を外れない限り特に問題は
ない。放射線としては、種々の電子線加速器からの電子
線が好ましいが、放射性同位元素からのα線、β線、γ
線などの放射線も用いることができる。
【００２０】（紫外線による架橋）本発明のポリカーボ
ネート樹脂組成物は、光重合開始剤を添加し、紫外線で
も架橋することができる。光重合開始剤としては、例え
ばベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン、２，６−ジメチルベンゾイル
ジフェニルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメ
チルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどが挙
げられる。これらの光重合開始剤は２種以上を併用して
もよい。
ネート樹脂組成物は、光重合開始剤を添加し、紫外線で
も架橋することができる。光重合開始剤としては、例え
ばベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン、２，６−ジメチルベンゾイル
ジフェニルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメ
チルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどが挙
げられる。これらの光重合開始剤は２種以上を併用して
もよい。
【００２１】光重合開始剤の添加量は、（ａ）＋（ｂ）
の１００重量部に対して、０．０２〜５重量部が好まし
く、０．０５〜１重量部がさらに好ましい。光重合開始
剤の添加量が０．０２重量部より少ないと十分に架橋で
きない傾向にあり、５重量部を越えると色相が悪化する
傾向にある。紫外線の照射量は、光重合開始剤がラジカ
ルを発生する範囲であれば任意であるが、光重合開始剤
の種類や量に合わせて０．１〜２００Ｊの範囲で照射す
るのが好ましい。
の１００重量部に対して、０．０２〜５重量部が好まし
く、０．０５〜１重量部がさらに好ましい。光重合開始
剤の添加量が０．０２重量部より少ないと十分に架橋で
きない傾向にあり、５重量部を越えると色相が悪化する
傾向にある。紫外線の照射量は、光重合開始剤がラジカ
ルを発生する範囲であれば任意であるが、光重合開始剤
の種類や量に合わせて０．１〜２００Ｊの範囲で照射す
るのが好ましい。
【００２２】本発明では、架橋をすみやかに完了させる
目的で、電子線や紫外線の照射と熱重合を併用してもよ
い。すなわち、電子線や紫外線照射と同時にもしくは照
射後に組成物を３０〜３００℃に加熱する。この場合、
有機過酸化物を添加してもよい。また、本発明において
電子線もしくは紫外線照射による架橋を行った後、架橋
物を加熱することにより重合反応の完結及び重合時に発
生する内部歪みを低減することも可能である。加熱温度
は、架橋物の組成やガラス転移温度に合わせて適宜選択
するのが好ましい。
目的で、電子線や紫外線の照射と熱重合を併用してもよ
い。すなわち、電子線や紫外線照射と同時にもしくは照
射後に組成物を３０〜３００℃に加熱する。この場合、
有機過酸化物を添加してもよい。また、本発明において
電子線もしくは紫外線照射による架橋を行った後、架橋
物を加熱することにより重合反応の完結及び重合時に発
生する内部歪みを低減することも可能である。加熱温度
は、架橋物の組成やガラス転移温度に合わせて適宜選択
するのが好ましい。
【００２３】本発明のポリカーボネート樹脂組成物に
は、熱安定性、耐候性、耐久性、耐水性、防蝕性等を改
良するために、前述の成分以外に、紫外線吸収剤、光安
定剤、酸化防止剤、消泡剤、レベリング剤、離型剤、イ
オン捕捉剤等の添加剤を加えて一層の性能改善を図るこ
ともできる。
は、熱安定性、耐候性、耐久性、耐水性、防蝕性等を改
良するために、前述の成分以外に、紫外線吸収剤、光安
定剤、酸化防止剤、消泡剤、レベリング剤、離型剤、イ
オン捕捉剤等の添加剤を加えて一層の性能改善を図るこ
ともできる。
【００２４】
【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例によってさ
らに具体的に説明するが、本発明は、これらの例によっ
てなんら制限されるものではない。
らに具体的に説明するが、本発明は、これらの例によっ
てなんら制限されるものではない。
【００２５】合成例１
［ポリカーボネート樹脂の合成］１Ｌの４ツ口フラスコ
（撹拌装置、環流管、ガス導入管、滴下ロート付き）中
で、１Ｍの水酸化ナトリウム水溶液２４０ｍｌに、ビス
フェノールフルオレン１４．０ｇ、テトラブチルアンモ
ニウムブロミド０．００７ｇを溶解させ、この溶液に
１，２−ジクロロエタン２００ｍｌを加えた。次に１，
２−ジクロロエタン５０ｍｌにトリホスゲン４．１５８
ｇを溶解した液を１時間かけて滴下し、さらに３０分撹
拌して反応を行った。反応終了後、有機相を分離し、水
で洗浄したのち、メチルエチルケトン中に投入した。析
出物を濾過し、アセトンで洗浄し、乾燥させた。その結
果、数平均分子量２３，０００、ガラス転移温度Ｔｇ＝
２８１℃のポリカーボネート共重合体を得た。
（撹拌装置、環流管、ガス導入管、滴下ロート付き）中
で、１Ｍの水酸化ナトリウム水溶液２４０ｍｌに、ビス
フェノールフルオレン１４．０ｇ、テトラブチルアンモ
ニウムブロミド０．００７ｇを溶解させ、この溶液に
１，２−ジクロロエタン２００ｍｌを加えた。次に１，
２−ジクロロエタン５０ｍｌにトリホスゲン４．１５８
ｇを溶解した液を１時間かけて滴下し、さらに３０分撹
拌して反応を行った。反応終了後、有機相を分離し、水
で洗浄したのち、メチルエチルケトン中に投入した。析
出物を濾過し、アセトンで洗浄し、乾燥させた。その結
果、数平均分子量２３，０００、ガラス転移温度Ｔｇ＝
２８１℃のポリカーボネート共重合体を得た。
【００２６】実施例１
ポリカーボネート樹脂８ｇとジビニルビフェニル（ＤＶ
ＢＰ）２ｇをクロロホルム２０ｇに溶解し、その中に有
機過酸化物としてビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソ
プロピルベンゼン［日本油脂（株）製「パーブチル
Ｐ」］０．１ｇを溶解させた後、この溶液を離型処理し
たガラス板上にキャストし、窒素雰囲気下のオーブン中
で１５０℃＊１時間＋１７５℃＊１時間＋２００℃＊１
時間加熱して架橋させた後、さらに減圧下のオーブン中
で２５０℃＊１時間減圧加熱して厚さ０．２ｍｍのシー
トを得た。 実施例２ ポリカーボネート樹脂を６ｇ、ジビニルビフェニルを４
ｇに換えた以外は実施例１と同様にしてシートを得た。 実施例３ ポリカーボネート樹脂５ｇとジシクロペンタジエニルジ
アクリレート（ＤＣＰＤＡ）［東亞合成製Ｍ−２０３］
５ｇを用いて実施例１と同様にしてシートを得た。 実施例４ ポリカーボネート樹脂５ｇとトリアクリルイソシアヌレ
ート（ＴＡＩＣ）５ｇを用いて実施例１と同様にしてシ
ートを得た。 実施例５ ポリカーボネート樹脂８ｇとジビニルビフェニル２ｇを
クロロホルム２０ｇに溶解した溶液を離型処理したガラ
ス板上にキャストし、１０００ｋＧｙの電子線を照射し
て架橋させた後、さらに減圧下のオーブン中で２５０℃
＊１時間減圧加熱して厚さ０．２ｍｍのシートを得た。 実施例６ ポリカーボネート樹脂５ｇとジシクロペンタジエニルジ
アクリレート５ｇをクロロホルム１０ｇに溶解し、その
中に光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシル
フェニルケトン［チバガイギー社製「イルガキュア１８
４」］０．０５ｇを溶解させた後、この溶液を離型処理
したガラス板上にキャストし、５００ｍＪ／ｃｍ2を照
射して架橋させた後、さらに窒素雰囲気下のオーブン中
で２７５℃＊３時間加熱して厚さ０．２ｍｍのシートを
得た。 実施例７ ポリカーボネート樹脂を８ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを２ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。 実施例８ ポリカーボネート樹脂を６ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを４ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。 実施例９ ポリカーボネート樹脂を４ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを６ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。 実施例１０ ポリカーボネート樹脂を１ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを９ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。
ＢＰ）２ｇをクロロホルム２０ｇに溶解し、その中に有
機過酸化物としてビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソ
プロピルベンゼン［日本油脂（株）製「パーブチル
Ｐ」］０．１ｇを溶解させた後、この溶液を離型処理し
たガラス板上にキャストし、窒素雰囲気下のオーブン中
で１５０℃＊１時間＋１７５℃＊１時間＋２００℃＊１
時間加熱して架橋させた後、さらに減圧下のオーブン中
で２５０℃＊１時間減圧加熱して厚さ０．２ｍｍのシー
トを得た。 実施例２ ポリカーボネート樹脂を６ｇ、ジビニルビフェニルを４
ｇに換えた以外は実施例１と同様にしてシートを得た。 実施例３ ポリカーボネート樹脂５ｇとジシクロペンタジエニルジ
アクリレート（ＤＣＰＤＡ）［東亞合成製Ｍ−２０３］
５ｇを用いて実施例１と同様にしてシートを得た。 実施例４ ポリカーボネート樹脂５ｇとトリアクリルイソシアヌレ
ート（ＴＡＩＣ）５ｇを用いて実施例１と同様にしてシ
ートを得た。 実施例５ ポリカーボネート樹脂８ｇとジビニルビフェニル２ｇを
クロロホルム２０ｇに溶解した溶液を離型処理したガラ
ス板上にキャストし、１０００ｋＧｙの電子線を照射し
て架橋させた後、さらに減圧下のオーブン中で２５０℃
＊１時間減圧加熱して厚さ０．２ｍｍのシートを得た。 実施例６ ポリカーボネート樹脂５ｇとジシクロペンタジエニルジ
アクリレート５ｇをクロロホルム１０ｇに溶解し、その
中に光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシル
フェニルケトン［チバガイギー社製「イルガキュア１８
４」］０．０５ｇを溶解させた後、この溶液を離型処理
したガラス板上にキャストし、５００ｍＪ／ｃｍ2を照
射して架橋させた後、さらに窒素雰囲気下のオーブン中
で２７５℃＊３時間加熱して厚さ０．２ｍｍのシートを
得た。 実施例７ ポリカーボネート樹脂を８ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを２ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。 実施例８ ポリカーボネート樹脂を６ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを４ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。 実施例９ ポリカーボネート樹脂を４ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを６ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。 実施例１０ ポリカーボネート樹脂を１ｇ、ジシクロペンタジエニル
ジアクリレートを９ｇに換えた以外は、実施例６と同様
にしてシートを得た。
【００２７】比較例１
ポリカーボネート樹脂１０ｇをクロロホルム１０ｇに溶
解した溶液を離型処理したガラス板上にキャストし、窒
素雰囲気下のオーブン中で１５０℃＊１時間＋１７５℃
＊１時間＋２００℃＊１時間加熱乾燥させた後、さらに
減圧下のオーブン中で２５０℃＊１時間減圧加熱して厚
さ０．２ｍｍのシートを得た。 比較例２ トリアリルイソシアヌレート１０ｇに有機過酸化物とし
てビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼ
ン［日本油脂（株）製「パーブチルＰ」］０．１ｇを混
合した後、この混合物を離型処理したガラス板上にキャ
ストし、窒素雰囲気下のオーブン中で１５０℃＊１時間
＋１７５℃＊１時間＋２００℃＊１時間加熱して架橋さ
せた後、さらに減圧下のオーブン中で２５０℃＊１時間
減圧加熱した。得られた架橋物は、非常に脆く、シート
化できなかった。
解した溶液を離型処理したガラス板上にキャストし、窒
素雰囲気下のオーブン中で１５０℃＊１時間＋１７５℃
＊１時間＋２００℃＊１時間加熱乾燥させた後、さらに
減圧下のオーブン中で２５０℃＊１時間減圧加熱して厚
さ０．２ｍｍのシートを得た。 比較例２ トリアリルイソシアヌレート１０ｇに有機過酸化物とし
てビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼ
ン［日本油脂（株）製「パーブチルＰ」］０．１ｇを混
合した後、この混合物を離型処理したガラス板上にキャ
ストし、窒素雰囲気下のオーブン中で１５０℃＊１時間
＋１７５℃＊１時間＋２００℃＊１時間加熱して架橋さ
せた後、さらに減圧下のオーブン中で２５０℃＊１時間
減圧加熱した。得られた架橋物は、非常に脆く、シート
化できなかった。
【００２８】以上のようにして作成したシートについ
て、下記の方法により、色、光線透過率、耐溶剤性（Ｄ
ＭＳＯ）、耐配向剤性、耐液晶性、耐熱性（Ｔｇ）を評
価した。 ＜評価方法＞ 色： 目視によって外観を観察した。 光線透過率： 日立製作所製Ｕ３２００型分光光度計
で５００ｎｍの光線透過率を測定した。 耐ＤＭＳＯ性： ６０℃のジメチルスルホキシド（Ｄ
ＭＳＯ）に試料を浸漬して６０分間放置した後、試料を
取り出し、目視にて外観を観察した。 耐配向剤性： スピンコーター上に試料を設置し、そ
の表面に配向剤ＣＲＤ−８２０１（住友ベークライト
製）を滴下した後、２５００ｒｐｍでスピンコートし
た。１８０℃６０分乾燥処理後、目視にて外観を観察し
た。 耐液晶性： シートの表面にメルク社製ＺＩＬ−４７
９２を１滴たらし、８０℃のオーブン中で１時間放置し
た後、試料を取り出し、目視にて外観を観察した。 耐熱性（Ｔｇ）： 実施例１〜５および比較例１〜２
ではセイコー電子（株）製ＤＳＣ−２２０型示差走査熱
量計でＪＩＳ Ｋ ７１２１に準じてガラス転移温度
（Ｔｇ）を測定した。実施例６〜１０では、セイコー電
子（株）製ＤＭＳ−２１０型粘弾性測定装置で１Ｈｚで
のｔａｎδの最大値をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。
なお、耐ＤＭＳＯ性および耐液晶性に関する温度および
処理条件については、多少の差異があっても評価結果に
影響しないことを確認している。
て、下記の方法により、色、光線透過率、耐溶剤性（Ｄ
ＭＳＯ）、耐配向剤性、耐液晶性、耐熱性（Ｔｇ）を評
価した。 ＜評価方法＞ 色： 目視によって外観を観察した。 光線透過率： 日立製作所製Ｕ３２００型分光光度計
で５００ｎｍの光線透過率を測定した。 耐ＤＭＳＯ性： ６０℃のジメチルスルホキシド（Ｄ
ＭＳＯ）に試料を浸漬して６０分間放置した後、試料を
取り出し、目視にて外観を観察した。 耐配向剤性： スピンコーター上に試料を設置し、そ
の表面に配向剤ＣＲＤ−８２０１（住友ベークライト
製）を滴下した後、２５００ｒｐｍでスピンコートし
た。１８０℃６０分乾燥処理後、目視にて外観を観察し
た。 耐液晶性： シートの表面にメルク社製ＺＩＬ−４７
９２を１滴たらし、８０℃のオーブン中で１時間放置し
た後、試料を取り出し、目視にて外観を観察した。 耐熱性（Ｔｇ）： 実施例１〜５および比較例１〜２
ではセイコー電子（株）製ＤＳＣ−２２０型示差走査熱
量計でＪＩＳ Ｋ ７１２１に準じてガラス転移温度
（Ｔｇ）を測定した。実施例６〜１０では、セイコー電
子（株）製ＤＭＳ−２１０型粘弾性測定装置で１Ｈｚで
のｔａｎδの最大値をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。
なお、耐ＤＭＳＯ性および耐液晶性に関する温度および
処理条件については、多少の差異があっても評価結果に
影響しないことを確認している。
【００２９】評価結果を表−１及び２に示す。この結果
から明らかなように、実施例１〜１０はいずれも従来の
ビスフェノールフルオレンからなるポリカーボネートの
欠点であった耐ＤＭＳＯ性及び耐配向剤性が改善され、
かつＴｇが２２０℃以上の耐熱性、光線透過率が８８％
以上の透明性及び耐液晶性を有する液晶表示素子基板や
有機ＥＬ表示素子基板に適したシートを得ることができ
る。
から明らかなように、実施例１〜１０はいずれも従来の
ビスフェノールフルオレンからなるポリカーボネートの
欠点であった耐ＤＭＳＯ性及び耐配向剤性が改善され、
かつＴｇが２２０℃以上の耐熱性、光線透過率が８８％
以上の透明性及び耐液晶性を有する液晶表示素子基板や
有機ＥＬ表示素子基板に適したシートを得ることができ
る。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３４】
【発明の効果】本発明のポリカーボネート樹脂組成物
は、透明性、耐溶剤性、耐液晶性、耐熱性に優れ、ガラ
ス基板に代えて液晶表示素子基板や有機ＥＬ表示素子基
板に好適に用いることができる。
は、透明性、耐溶剤性、耐液晶性、耐熱性に優れ、ガラ
ス基板に代えて液晶表示素子基板や有機ＥＬ表示素子基
板に好適に用いることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 窪 英樹
東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友
ベークライト株式会社内
(72)発明者 倉本 洋光
東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友
ベークライト株式会社内
Ｆターム(参考） 4J026 AB17 BA07 BA22 BA28 BA29
DB05 DB13 DB36
4J029 AA09 AB01 AC05 AE01 BB09A
BB12A BB13A BD09B BH02
DB07 DB13 HC01 HC02
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式（１）で示される繰り返し単位を
含み、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中６０℃で１
時間加熱しても溶解しないポリカーボネート樹脂組成
物。 【化１】 （Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は水素又は炭素数１から７までの
アルキル基、アラルキル基を表し、それぞれ同じでも異
なっても良い。） - 【請求項２】 （ａ）一般式（１）で示される繰り返し
単位を含むポリカーボネート樹脂９９〜１重量部、及び
（ｂ）不飽和基を２つ以上有する多官能モノマー１〜９
９重量部からなるポリカーボネート樹脂組成物。 - 【請求項３】 不飽和基を２つ以上有する多官能モノマ
ー（ｂ）の不飽和基がアリル基、ビニル基、アクリル
基、メタクリル基から選ばれた一種以上であることを特
徴とする請求項２記載のポリカーボネート樹脂組成物。 - 【請求項４】 不飽和基を２つ以上有する化合物（ｂ）
がジビニルビフェニルであることを特徴とする請求項２
記載のポリカーボネート樹脂組成物。 - 【請求項５】 不飽和基を２つ以上有する多官能モノマ
ー（ｂ）がジシクロペンタジエニルジアクリレートであ
ることを特徴とする請求項２記載のポリカーボネート樹
脂組成物 - 【請求項６】 有機過酸化物、電子線、紫外線から選ば
れた一種以上の架橋方法で架橋処理された請求項１〜５
のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313018A JP3938483B2 (ja) | 2000-10-10 | 2001-10-10 | ポリカーボネート樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-309821 | 2000-10-10 | ||
| JP2000309821 | 2000-10-10 | ||
| JP2001305243 | 2001-10-01 | ||
| JP2001-305243 | 2001-10-01 | ||
| JP2001313018A JP3938483B2 (ja) | 2000-10-10 | 2001-10-10 | ポリカーボネート樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003176325A true JP2003176325A (ja) | 2003-06-24 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001313018A Expired - Fee Related JP3938483B2 (ja) | 2000-10-10 | 2001-10-10 | ポリカーボネート樹脂組成物 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3938483B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007326991A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体の製造方法及び樹脂成形体 |
| JP2008143968A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 樹脂成形品の製造方法および繊維強化複合材料の製造方法 |
| KR20230097467A (ko) * | 2021-12-24 | 2023-07-03 | 주식회사 삼양사 | 우수한 내스크래치성 및 고굴절률을 갖는 폴리카보네이트 공중합체 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2015193865A1 (en) | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Sabic Global Technologies B.V. | Processes for designing cross-linkable polycarbonates and articles formed therefrom |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001313018A patent/JP3938483B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008143968A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 樹脂成形品の製造方法および繊維強化複合材料の製造方法 |
| KR20230097467A (ko) * | 2021-12-24 | 2023-07-03 | 주식회사 삼양사 | 우수한 내스크래치성 및 고굴절률을 갖는 폴리카보네이트 공중합체 및 그 제조방법 |
| KR102662559B1 (ko) | 2021-12-24 | 2024-05-03 | 주식회사 삼양사 | 우수한 내스크래치성 및 고굴절률을 갖는 폴리카보네이트 공중합체 및 그 제조방법 |
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