JP2003174263A

JP2003174263A - 多層電子部品

Info

Publication number: JP2003174263A
Application number: JP2001374894A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Masuda; 豊増田; Sadayuki Matsumura; 定幸松村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-12-07
Filing date: 2001-12-07
Publication date: 2003-06-20
Anticipated expiration: 2021-12-07
Also published as: JP3988453B2

Abstract

(57)【要約】【課題】焼成時に積層体内部のガスを効率良く外へ飛
散させることができる多層電子部品を提供する。【解決手段】積層型ＬＣフィルタ４０Ａは、空穴４１
ａ〜４３ｂ、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２３ｅ、
共振用コンデンサ電極２４〜２６、シールド電極３０〜
３２をそれぞれ設けた絶縁シート１〜１３などにて構成
されている。インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，
２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅは、それぞれ絶縁シー
ト１〜１３の積み重ね方向に連接して柱状ビアインダク
タＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成している。空穴４１ａ，４１
ｂ、４２ａ，４２ｂ、４３ａ，４３ｂは、それぞれ絶縁
シート１〜１３の積み重ね方向に連接してガス抜き穴４
１，４２，４３を形成する。ガス抜き穴４１，４２，４
３の下端（空穴４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ）は、ビアイン
ダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３に連接している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層電子部品、特
に、積層型ＬＣフィルタや多層基板などの多層電子部品
に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の多層電子部品として、従来よ
り、図６に示す構成のＬＣフィルタ４０が知られてい
る。このＬＣフィルタ４０は、インダクタ用ビアホール
２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅ、共
振用コンデンサ電極２４，２５，２６、結合用コンデン
サ電極２７，２８、減衰極調整用コンデンサ電極２９、
入出力引出し電極３３，３４、折り返し電極１４ａ〜１
７ｂおよびシールド電極３０〜３２をそれぞれ設けた絶
縁シート１〜１３などにて構成されている。

【０００３】絶縁シート１〜１３は積み重ねられた後、
圧着され、一体的に焼成されることにより、図７に示す
積層体５５とされる。積層体５５には、入力端子５６、
出力端子５７およびグランド端子Ｇが形成されている。
入力端子５６には入力引出し電極３３が接続され、出力
端子５７には出力引出し電極３４が接続されている。グ
ランド端子Ｇにはシールド電極３０〜３２が接続されて
いる。

【０００４】以上のＬＣフィルタ４０は、インダクタ用
ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜
２３ｅがそれぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に
連接して柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を構成す
る。共振用コンデンサ電極２４，２５，２６は、それぞ
れ絶縁シート８〜１１を挟んでシールド電極３２に対向
することにより、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を
形成する。柱状ビアインダクタＬ１とコンデンサＣ１と
でＬＣ共振器Ｑ１を構成し、柱状ビアインダクタＬ２と
コンデンサＣ２とでＬＣ共振器Ｑ２を構成し、柱状ビア
インダクタＬ３とコンデンサＣ３とでＬＣ共振器Ｑ３を
構成している。結合用コンデンサ電極２７，２８は、絶
縁シート８，９を挟んで共振用コンデンサ電極２４〜２
６に対向することにより、結合用コンデンサＣｓ１，Ｃ
ｓ２を形成する。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３は、結合用コン
デンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して結合され、３段のバンド
パスフィルタ回路を構成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、絶縁シート
１〜１３を積み重ねて圧着する際、積層体内部にエア溜
まりを形成する場合がある。このようなエア溜まりが形
成されている積層体を焼成すると、エア溜まりの部分で
層間剥がれが起き易くなる。

【０００６】また、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２
１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅの形成に使用さ
れる導電体材料は、通常、バインダの含有率が高い材料
が使用される。インダクタ用の穴に充填される導電体材
料の量が多すぎて過充填になると、焼成時の導電体材料
の膨張収縮によって積層体に亀裂が生じることがあるの
で、過充填防止のためである。バインダは焼成時にガス
化され、積層体の外に飛散する。しかし、焼成時間を短
くするために急速に昇温すると、インダクタ用ビアホー
ル２１ａ〜２３ｅの導電体材料から急激に発生するガス
が積層体の外へ飛散することができず、インダクタ用ビ
アホール２１ａ〜２３ｅの周囲にガス溜まりが発生し、
層間剥がれや電極剥離などの不具合が起きる。このた
め、昇温速度を抑えて焼成時間を長くし、ガスを徐々に
発生させる必要があり、量産化を妨げる一つの要因とな
っていた。

【０００７】この対策として、絶縁シート１〜１３を積
み重ねて圧着した積層体にレーザやプレス等でガス抜き
穴をあけた後、焼成する方法が提案されている。しか
し、この方法では、絶縁シート１〜１３を積み重ねて圧
着する際に起きるエア溜まりを防ぐことができないし、
高度の穴あけ加工技術や設備が必要であり、製造コスト
が高価である。

【０００８】そこで、本発明の目的は、焼成時に積層体
内部のガスを効率良く外へ飛散させることができる多層
電子部品を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明に係る多層電子部品は、絶縁層を積
み重ねて構成した積層体内に電気機能素子を形成した多
層電子部品であって、絶縁層に設けたビアホールからな
るビア導体と、絶縁層に設けたガス抜き穴とを備え、ビ
ア導体と前記ガス抜き穴が連接し、ガス抜き穴の開口部
が積層体の表面に形成されている。

【００１０】ここに、ビアホールは、絶縁層に設けた穴
にスクリーン印刷等の方法で導電体材料を実質的に充填
したものを意味する。また、ガス抜き穴は、絶縁層に設
けた穴に導電体材料を充填していない空穴、あるいは、
絶縁層に設けた穴の内周壁にめっき等の方法で導電体材
料を付与したもので穴が塞がっていないものを意味す
る。また、ビア導体は、例えばビアホールを連接するこ
とによりインダクタを構成するビアインダクタであり、
ビア導体を構成しているビアホールは例えば長穴であ
る。

【００１１】以上の構成により、ガス抜き穴を通して、
ビア導体と外界とが連通される。従って、ビア導体の導
電体材料から発生するガスの抜け性が向上し、ビア導体
の周囲にガスが溜まりにくくなる。

【００１２】また、ガス抜き穴の横断面積をビア導体の
横断面積より小さく設定することにより、外部端子形成
用めっき液がガス抜き穴に侵入しにくくなり、内部電極
の劣化等を防止することができる。また、ガス抜き穴に
接しているビアホールをシールド電極に含めるようにす
ると、たとえ外部端子形成用めっき液がガス抜き穴に侵
入しても、シールド電極で堰き止められ、内部電極の劣
化等を防止することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層電子部品
の実施形態について添付図面を参照して説明する。本実
施形態は、図６および図７に示した従来の積層型ＬＣフ
ィルタ４０に本発明を適用したものである。

【００１４】図１に積層型ＬＣフィルタ４０Ａの構成を
示し、図３および図４にそれぞれＬＣフィルタ４０Ａの
外観斜視図および電気等価回路図を示す。ＬＣフィルタ
４０ＡはＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を有する３段のバ
ンドパスフィルタである。図１に示すように、積層型Ｌ
Ｃフィルタ４０Ａは、従来の積層型ＬＣフィルタ４０の
絶縁シート１，２にそれぞれ空穴４１ａ，４１ｂ，４２
ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂを設けたものである。

【００１５】絶縁シート１〜１３は、誘電体粉末や磁性
体粉末を結合剤と一緒に混練したものをシート状にした
ものである。絶縁シート５は厚みが８８０μｍ（焼成後
の寸法、以下同様）であり、絶縁シート７は厚みが７２
０μｍである。これらのシート５，７は１枚で構成して
もよいし、複数枚のシートを積層して（例えば厚み８０
μｍのシートを１１枚あるいは９枚積層して）構成して
もよい。シート１〜４，６，８〜１２は厚みが２８μｍ
である。さらに、シート１３は積層体５５の高さ寸法調
整用ダミーシートであり、その厚みは約４０μｍであ
る。

【００１６】電極１４ａ〜１７ｂ，２４〜３２は、Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、
スパッタリング法、蒸着法、フォトリソグラフィ法など
の薄膜形成法、あるいはパターン印刷法により形成され
る。インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜
２２ｅ，２３ａ〜２３ｅは、絶縁シート３〜７に金型、
レーザ等で長穴をあけ、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電体材料をこの長穴に充填するこ
とにより形成される。本実施形態の場合、長穴の長さを
１０００μｍ、幅を１６７μｍに設定した。

【００１７】インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，
２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅは、それぞれ絶縁シー
ト１〜１３の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４の
長さの柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成す
る。本実施形態の場合、柱状ビアインダクタＬ１〜Ｌ３
の長さを１７１２μｍに設定した。この柱状ビアインダ
クタＬ１〜Ｌ３の軸方向はシート１〜１３の表面に対し
て垂直である。ビアインダクタＬ１〜Ｌ３によってそれ
ぞれ発生した磁界は、シート１〜１３の表面に対して平
行な面を周回する。ビアインダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞ
れの上端部（ビアホール２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２
ｂ，２３ａ，２３ｂ）は、シールド電極３０，３１に接
続され、短絡されている。絶縁シート６に設けたビアホ
ール２１ｄ，２３ｄにはそれぞれ、入力引出し電極３３
および出力引出し電極３４が接続されている。

【００１８】一方、空穴４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２
ｂ，４３ａ，４３ｂは、絶縁シート１，２に金型、レー
ザ等で穴をあけることにより形成される。必要であれ
ば、空穴４１ａ〜４３ｂの内周壁に印刷やめっき等の方
法でＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導
電体材料を付与する（ただし、穴は塞がっていない）。
空穴４１ａ，４１ｂ、４２ａ，４２ｂ、４３ａ，４３ｂ
は、それぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に連接
してガス抜き穴４１，４２，４３を形成する。ガス抜き
穴４１，４２，４３の下端（空穴４１ｂ，４２ｂ，４３
ｂ）は、ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３に連接してい
る。

【００１９】なお、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３やガス抜
き穴４１〜４３は、それぞれインダクタ用ビアホールや
空穴を連接させたものに限るものではなく、分厚い絶縁
シートに一つのインダクタ用ビアホールや空穴を設けた
ものでもよい。

【００２０】絶縁シート８の表面に配設されている共振
用コンデンサ電極２４，２５，２６は、それぞれ絶縁シ
ート８〜１１を挟んでシールド電極３２に対向し、共振
用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。共振用コン
デンサ電極２４は、インダクタＬ１の下端（ビアホール
２１ｅ）に接続し、インダクタＬ１とコンデンサＣ１と
でＬＣ共振器Ｑ１を形成する。共振用コンデンサ電極２
５はインダクタＬ２の下端（ビアホール２２ｅ）に接続
し、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とでＬＣ共振器Ｑ
２を形成する。共振用コンデンサ電極２６はインダク
タＬ３の下端（ビアホール２３ｅ）に接続し、インダク
タＬ３とコンデンサＣ３とでＬＣ共振器Ｑ３を形成す
る。インダクタＬ１とＬ２との間、並びにインダクタＬ
２とＬ３との間には、それぞれ相互インダクタンスＭが
形成され、共振器Ｑ１とＱ２、並びに共振器Ｑ２とＱ３
を磁気的に結合する。

【００２１】また、共振用コンデンサ電極２４，２５
は、絶縁シート８を挟んで結合用コンデンサ電極２７に
対向し、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２間を結合するための結合
用コンデンサＣｓ１を形成する。共振用コンデンサ電極
２５，２６は、絶縁シート８を挟んで結合用コンデンサ
電極２８に対向し、ＬＣ共振器Ｑ２とＱ３間を結合する
ための結合用コンデンサＣｓ２を形成する。さらに、減
衰極調整用コンデンサ電極２９は、絶縁シート９を挟ん
で結合用コンデンサ電極２７，２８に対向し、減衰極調
整用コンデンサＣｓ３を形成する。

【００２２】絶縁シート１の上面の手前側および奥側の
辺にはそれぞれグランド端子用折り返し電極１４ａ，１
５ａが形成され、左右の辺の中央部にはそれぞれ入力端
子用折り返し電極１６ａおよび出力端子用折り返し電極
１７ａが形成されている。グランド端子用折り返し電極
１４ａ，１５ａは略コ字形パターンであり、両端部分は
絶縁シート１の左右の辺に露出している。同様に、絶縁
シート１３の下面の手前側および奥側の辺にはそれぞれ
グランド端子用折り返し電極１４ｂ，１５ｂが形成さ
れ、左右の辺の中央部にはそれぞれ入力端子用折り返し
電極１６ｂおよび出力端子用折り返し電極１７ｂが形成
されている。

【００２３】シールド電極３０〜３２は、それぞれシ−
ト３，４，１２の表面に広面積に形成され、引出し部が
シート３，４，１２の四辺に露出している。シールド電
極３２と共振用コンデンサ電極２４〜２６との間には、
結合用コンデンサ電極２７，２８および減衰極調整用コ
ンデンサ電極２９が配置されている。

【００２４】各シート１〜１３は積み重ねられ、圧着さ
れて図２に示すように積層体５５とされる。ガス抜き穴
４１〜４３の開口部（空穴４１ａ，４２ａ，４３ａ）は
積層体５５の上面に形成されている。つまり、ガス抜き
穴４１〜４３を通してビアインダクタＬ１〜Ｌ３と外界
とが連通されている。この積層体５５を焼成すると、ビ
アインダクタＬ１〜Ｌ３の導電体材料から発生するガス
はガス抜き穴４１〜４３を通って効率良く外界へ飛散す
る。従って、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の周囲にガスが
溜まりにくくなる。

【００２５】こうして、図３に示す積層体５５（例え
ば、長さ５．０ｍｍ、幅４．０ｍｍ、高さ２．０ｍｍ）
とされる。積層体５５の左右の端面にはそれぞれ、ディ
ップ法や薄膜形成法、フォトリソグラフィ法、パターン
印刷法、転写印刷法などの方法で入力端子５６、出力端
子５７が形成され、手前側および奥側の側面にはそれぞ
れグランド端子Ｇが形成されている。入力端子５６には
入力引出し電極３３が接続され、出力端子５７には出力
引出し電極３４が接続され、グランド端子Ｇにはシール
ド電極３０〜３２が接続されている。

【００２６】以上の構成からなる積層型ＬＣフィルタ４
０Ａは、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３に連接したガス抜き
穴４１〜４３を備えているので、ビアインダクタＬ１〜
Ｌ３の周囲にガスが溜まりにくい。従って、焼成の際に
急速昇温させて、絶縁シート１〜１３や電極２４〜３
２、および、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の導電体材料か
ら急激にガスが発生しても、このガスはガス抜き穴４１
〜４３を通って効率良く積層体５５の外へ飛散される。
特に、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の導電体材料は、金属
成分とバインダ成分（溶剤を含む）の比率が例えば５
０：５０の導電性ペーストであり、電極２４〜３２の形
成に使用される導電性ペーストよりもバインダ成分の割
合が高い。このため、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の部分
から発生するガス量は、電極２４〜３２の部分から発生
するガス量と比較して相対的に多く、ビアインダクタＬ
１〜Ｌ３にガス抜き穴４１〜４３を連接させる効果は大
きい。この結果、層間剥がれや電極剥離などの不具合を
発生させることなく、焼成時間を短くすることができ
る。

【００２７】さらに、従来の積層型ＬＣフィルタ４０
は、インダクタ用の穴に充填される導電体材料の量が多
すぎて過充填になると、焼成後にビアインダクタＬ１〜
Ｌ３の部分が隆起して絶縁シート１，２を押し上げ、積
層体５５の表面にクラックが発生することがあった。し
かし、本実施形態の積層体ＬＣフィルタ４０Ａは、ガス
抜き穴４１〜４３が形成されているので、ガス抜き穴４
１〜４３に余分な導電体材料が回り込んだり、ガス抜き
穴４１〜４３から余分な導電体材料が突出する。従っ
て、積層体５５の表面のクラックを抑えることができ
る。

【００２８】また、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３を備えた
ＬＣフィルタの場合、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位置
のばらつきが電気特性に大きく影響を及ぼす。例えば、
ＬＣフィルタを多数設けたマザー基板からＬＣフィルタ
を切り出す際、カット位置が左右いずれかにずれると、
ビアインダクタＬ１と入力端子５６間の距離が、ビアイ
ンダクタＬ３と出力端子５７間の距離とは異なり、イン
ダクタンス値が変化してしまう（前後も同じ）。しか
し、本実施形態の積層体ＬＣフィルタ４０Ａは、ガス抜
き穴４１〜４３が形成されているので、積層体５５の内
部のビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位置をガス抜き穴４１
〜４３を通して確認できる。従って、イメージセンサ等
でガス抜き穴４１〜４３、つまりビアインダクタＬ１〜
Ｌ３の位置を検出して、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位
置に合わせてＬＣフィルタ４０Ａをマザー基板から切り
出すことができるため、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位
置が安定し、電気特性ばらつきが低減する。

【００２９】さらに、積層体５５の上面にガス抜き穴４
１〜４３が形成されているため、積層体５５の上面の確
認ができ、方向性識別標識としてもガス抜き穴４１〜４
３は機能する。

【００３０】さらに、絶縁シート１〜１３を積み重ねて
圧着する際に、積層体５５内部に溜まったエアも、ガス
抜き穴４１〜４３を通って積層体５５の外へ放出するこ
とができ、層間剥がれや電極剥離などの不具合をより一
層抑えることができる。

【００３１】また、ガス抜き穴４１〜４３の横断面積を
ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の横断面積より小さく設定す
ることにより、外部端子形成用めっき液がガス抜き穴４
１〜４３に侵入しにくくなり、内部電極３０等の劣化を
防止することができる。ガス抜き穴４１〜４３をビアイ
ンダクタＬ１〜Ｌ３より小さくすることにより、絶縁シ
ート１〜１３のプレス圧着時の部分的な圧力ダウンを小
さくすることができる。ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の露
出面を小さくでき、導電体材料のマイグレーションなど
による外部端子５６，５７などへの短絡を防止できる。
さらに、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３からの導電体材料の
抜け、落下を防止できる。

【００３２】また、ガス抜き穴４１〜４３に接している
ビアホール２１ａ，２１ｂをシールド電極３０，３１に
含めるようにすると、たとえ外部端子形成用めっき液が
ガス抜き穴４１〜４３に侵入しても、シールド電極３
０，３１で堰き止められ、内部電極３０等の劣化を防止
することができる。

【００３３】なお、本発明に係る多層電子部品は、前記
実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変更することができる。前記実施形態は、３段の
バンドパスフィルタを例にして説明しているが、２段、
あるいは４段以上のバンドパスフィルタであってもよい
し、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタであってもよ
い。さらに、例えば、多層基板や、ＲＦダイオードスイ
ッチ、デュプレクサ、トリプレクサ、ダイプレクサなど
の送受信デバイス、ＲＦモジュールなどの高周波複合部
品も含む。また、シールド電極が積層体の上部又は下部
のいずれか一方にのみ配設されているものであってもよ
い。

【００３４】さらに、インダクタ用ビアホールの横断面
形状は任意であり、前記実施形態のような長円形の他
に、円形、楕円形、矩形などであってもよい。例えば、
ＬＣフィルタ４０Ａのように３段のバンドパスフィルタ
の場合、入出力端のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ３の共振周波数
を、残りの（中央の）ＬＣ共振器Ｑ２の共振周波数より
低くすることがある。そこで、図５に示すように、イン
ダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２３ａ〜２３ｅの
横断面積を、インダクタ用ビアホール２２ａ〜２２ｅの
横断面積より小さくしてもよい。インダクタ用ビアホー
ル２１ａ〜２１ｅ，２３ａ〜２３ｅの横断面の長さＤ
１，Ｄ３を、インダクタ用ビアホール２２ａ〜２２ｅの
横断面の長さＤ２より短くしている。あるいは、インダ
クタ用ビアホール２２ａ〜２２ｅの横断面の幅Ｗ２を、
インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２３ａ〜２３
ｅの横断面の幅Ｗ１，Ｗ３より広くしてもよい。

【００３５】また、ガス抜き穴も、その横断面形状、穴
の深さ、数、位置などは任意である。全てのガス抜き穴
の形状が同一である必要はない。さらに、ガス抜き穴の
開口部は多層電子部品の上面、実装面（底面）や側面の
いずれの面に形成されていてもよく、また、上面および
実装面の両方の面に形成してもよい。さらに、ガス抜き
穴は、部品内部で任意の方向に屈曲していてもよいし、
途中で穴の形状が変わってもよい。ビアインダクタの上
端下端両方にそれぞれに、ガス抜き穴を連接させてもよ
い。

【００３６】さらに、前記実施形態は、それぞれ電極や
ビアホールが形成された絶縁シートを積み重ねた後、一
体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定され
ない。絶縁シートは予め焼成されたものを用いてもよ
い。また、以下に説明する製法によって多層電子部品を
製造してもよい。印刷等の方法によりペースト状の絶縁
材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面にペー
スト状の導電性材料を塗布して電極やビアホールを形成
する。次にペースト状の絶縁材料を上から塗布して絶縁
層とする。同様にして、順に重ね塗りすることにより積
層構造を有する多層電子部品が得られる。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、ガス抜き穴を通して、ビア導体と外界とが
連通される。従って、ビア導体の導電体材料から発生す
るガスの抜け性が向上し、ビア導体の周囲にガスが溜ま
りにくくなる。この結果、層間剥がれや電極剥離などの
不具合を発生させることなく、焼成時間を短くすること
ができる。

【００３８】また、ガス抜き穴の横断面積をビア導体の
横断面積より小さく設定することにより、外部端子形成
用めっき液がガス抜き穴に侵入しにくくなり、内部電極
の劣化等を防止することができる。また、ガス抜き穴に
接しているビアホールをシールド電極に含めるようにす
ると、たとえ外部端子形成用めっき液がガス抜き穴に侵
入しても、シールド電極で堰き止められ、内部電極の劣
化等を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る多層電子部品の一実施形態を示す
分解斜視図。

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図。

【図３】図１に示した多層電子部品の外観斜視図。

【図４】図３に示した多層電子部品の電気等価回路図。

【図５】ビアホールの変形例を示す横断面図。

【図６】従来の多層電子部品を示す分解斜視図。

【図７】図６に示した多層電子部品の外観斜視図。

【符号の説明】

４０Ａ…積層型ＬＣフィルタ１〜１３…絶縁シート２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅ…イ
ンダクタ用ビアホール２４，２５，２６…共振用コンデンサ電極３０，３１，３２…シールド電極４１，４２，４３…ガス抜き穴４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ…空
穴Ｌ１〜Ｌ３…ビアインダクタＣ１〜Ｃ３…共振用コンデンサＱ１〜Ｑ３…ＬＣ共振器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｆ 27/00 Ｈ０３Ｈ 7/09 ＺＨ０１Ｇ 4/40 Ｈ０１Ｆ 15/00 ＤＨ０３Ｈ 7/09 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１ＡＦターム(参考） 5E070 AA05 AB02 BB03 CB03 CB13 5E082 AA01 AB03 BB01 BC38 MM22 MM23 MM24 5E346 AA12 AA15 AA38 AA43 AA60 BB01 BB20 CC17 CC31 DD02 DD31 EE24 FF18 FF45 HH11 5J024 AA01 CA01 CA04 DA04 DA26 DA34 EA01 EA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層を積み重ねて構成した積層体内
に、電気機能素子を形成した多層電子部品において、前記絶縁層に設けたビアホールからなるビア導体と、前記絶縁層に設けたガス抜き穴とを備え、前記ビア導体と前記ガス抜き穴が連接し、前記ガス抜き
穴の開口部が前記積層体の表面に形成されていること、を特徴とする多層電子部品。
【請求項２】前記ビア導体が、ビアホールを連接して
構成したビアインダクタであることを特徴とする請求項
１に記載の多層電子部品。
【請求項３】前記ビア導体を構成しているビアホール
が長穴であることを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載の多層電子部品。
【請求項４】前記ガス抜き穴の横断面積が、前記ビア
導体の横断面積より小さいことを特徴とする請求項１〜
請求項３のいずれかに記載の多層電子部品。
【請求項５】前記ガス抜き穴に接している前記ビアホ
ールがシールド電極に含まれていることを特徴とする請
求項１〜請求項４のいずれかに記載の多層電子部品。